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Chapitre III Etude des capteurs à base de MEMS et leurs applications

Chapitre III :

Etude des capteurs à base de MEMS et leurs applications

3.1 Introduction :

Les microsystèmes électromécaniques, MEMS acronyme de Micro Electro Mechanical


Systems, sont des dispositifs miniaturisés combinant plusieurs principes physiques. Ils
intègrent généralement des éléments mécaniques couplés à de l’électronique et sont
réalisés par des procédés de fabrication issus de la micro-électronique. Ils sont destinés à
réaliser une fonction de capteur et/ou d’actionneur avec au moins une structure présentant
des dimensions micrométriques. Les MEMS exploitent, entre autres, des effets liés à
l’électromagnétisme, la thermique et la fluidique. Ils sont dans notre quotidien, au cœur de
la téléphonie, de l’automobile, du médical, des chaînes de production ou des manettes de
consoles de jeux.

Leur taille est de l’ordre du millimètre carré; les éléments de leurs structures
(mécaniques) sont à l’échelle du micron. Utilisé en tant que capteur, un MEMS possède une
partie mobile sensible à la variation d’une grandeur physique (vitesse, pression, direction ...).
Cette variation est alors traduite en une grandeur électrique, analysée ensuite par la partie
électronique du MEMS. Il possède parfois un micro-actionneur intégré qui, à partir d’un
signal électrique, va agir sur la partie mécanique.

Les MEMs se différencient de la microélectronique par l’intégration des fonctions


mécaniques. Ils représentent un assemblage, dans un même composant à faibles
dimensions, d’un ou plusieurs capteurs et/ou actionneurs et de l’électronique associée au
traitement de l’information.

Les fonctions mécaniques présentes dans les MEMs peuvent être des membranes,
des poutres, des ressorts,… réalisés sur silicium à l’échelle micrométrique afin de mesurer les
paramètres environnementaux (capteurs) ou interagissant avec le monde extérieur
(actionneurs) grâce aux forces générées par des transducteurs électromécaniques.

De manière générale, les microsystèmes électromécaniques sont des dispositifs dont


on a réduit les dimensions à l’échelle micrométrique (approche top-down) intégrant ou
combinant des éléments mécaniques et de l’électronique sur un même substrat.

Issus de la technologie de la microélectronique, les MEMS font appel pour leur


fabrication aux micro technologies, qui permettent une production à grande échelle. Ils sont
utilisés dans des domaines aussi variés que l’automobile, l’aéronautique, la médecine, la
biologie, les télécommunications, ainsi que dans certaines applications « de tous les jours »
telles que certains vidéoprojecteurs, téléviseurs haute-définition ou coussins gonflables de
sécurité pour automobiles (« Airbags »).

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Par exemple, l’invention du premier MEMS en 1967 schématisé dans la figure 1


(transistor MOS à grille résonante : Structure en or : grille mobile)

Figure 1 : Schéma du premier microsystème : un transistor MOS à grille résonante (1967)

En tant que dérivés de la micro-électronique, leur première commercialisation


remonte aux années 1980 avec des capteurs de pression sur silicium, qui remplacèrent
rapidement les technologies plus anciennes et constituent encore une part importante du
marché des MEMS. Depuis lors les MEMS ont connu un important développement et restent
encore en plein essor.

C'est un domaine de recherche relativement récent qui combine l'utilisation des


techniques électroniques, informatiques, chimiques, mécaniques, optiques. Les MEMS sont
le plus souvent à base de silicium, mais on utilise également d'autres matériaux suivant
l'adéquation de leurs propriétés physiques à certaines applications, comme les métaux, les
matériaux piézoélectriques, divers polymères, etc.

En 1997, grâce à l'expérience acquise dans d'autres secteurs, l'utilisation des MEMS
s'est étendue aux communications sans fil et optiques. La déclinaison des MEMS a donné de
nouveaux termes, tels que, en matière optique MOEMS, signifiant systèmes opto-
électromécaniques, ou en matière médicale biomes. Pour des raisons de simplicité, les
spécialistes européens utilisent également le terme générique de MST (technologie
microsystèmes) pour désigner les MEMS.

3.2 Pourquoi la miniaturisation ?

L’utilisation de microsystèmes s’est développée du fait de leur faible encombrement


parallèlement à une forte sensibilité et une grande précision liées à la miniaturisation. Les
critères de poids, taille et volume ont permis leur généralisation dans des objets qui se
devaient légers et/ou petits (automobile, avionique). Embarqués dans un véhicule, ils ne
déprécient pas les efforts de poids et de consommation énergétique réalisés pour satisfaire

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les normes environnementales dans les domaines du transport. Les disques durs ont vu leur
taille diminuer en même temps que leur densité de stockage augmentait, conséquences de
la diminution de la taille des têtes de lecture-écriture. La miniaturisation des systèmes
MEMS comme dans le domaine des capteurs s’est répercutée par l’ajout de fonctions qui
n’auraient pas été possibles sans les critères d’encombrement, de coût de production et de
consommation énergétique à l’usage.
La miniaturisation accompagne les progrès technologiques depuis l’invention du
transistor (fin des années 1940) suivie par l’arrivée du circuit intégré une dizaine d’années
plus tard. La diminution progressive du volume des composants a permis la mobilité des
objets, leur portabilité en même temps que l’augmentation de leur capacité. Dans un
volume d’encombrement donné et un poids raisonné, la miniaturisation permet aux
fabricants une concentration de fonctions d’usage ; elle autorise aussi leurs combinaisons,
leurs multiplications et donc la diversité d’utilisations d’un même objet. La miniaturisation a
eu des conséquences sur les recherches et les applications devenues imaginables par les
dimensions. Citons par exemple le médical avec les micro-caméras endoscopiques ou les
laboratoires sur puce, la sécurité automobile avec les capteurs d’accélération ou de pression,
la téléphonie mobile et toutes ses fonctions associées, etc.

3.3 Les différents secteurs des MEMS :

Les avancées autour de la micro-technologie de réalisations des MEMS (basées sur le


principe de la photolithographie) ont engendré une explosion des applications et une
segmentation du domaine. On trouve quatre familles associées à leurs cadres applicatifs.

3.3.1 Les capteurs MEMS : qui mettent en lien direct une déformation mécanique avec une
variation électrique. On trouve par exemple des capteurs de pression (de type résistif) pour
la surveillance de pneumatiques ou encore des chauffe-eaux, des capteurs d’accélération (de
type capacitif) dans les airbags, la téléphonie portable, ou les manettes de consoles de jeux.

Figure 2 Figure 3

3.3.2 Les MEMS Optiques (MOEMS) : Micro-Opto-Electro-Mechanical Systems,


permettent la manipulation d’une information lumineuse ou électromagnétique. Les
MOEMS sont désormais omniprésents dans les vidéoprojecteurs où des millions de miroirs

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(de quelques microns chacun) définissent chaque pixel de l’image (technologie DMD : Digital
Micromirror Device ou encore DLP : Digital Light Processor).

Figure 4 : Figure 5 Figure 6

3.3.3 Les MEMS RF ( Radio Frequency microelectromechanical system): ils trouvent leurs
applications dans l’ensemble de la chaine d’émission-réception d’un signal informatif. Les
systèmes de communication sans fils utilisent des technologies MEMS RF, dispositifs micro-
ondes avec une compacité importante, à consommation faible pour des performances RF sur
une bande large.

Figure 7 :

3.3.4 Les BioMEMS : associés au laboratoire sur puce (LOC : Lab On Chip), ils
permettent de développer des applications permettant d’interagir avec le vivant que ce soit
à l’échelle des protéines (quelques nanomètres) à l’échelle cellulaire (quelques dizaines de
microns) ou encore à l’échelle d’un tissu (quelques millimètres). Les BioMEMS intègrent des
réseaux de micro-canaux où sont gérés les écoulements microfluidiques. Ils visent
l’intégration de l’ensemble des étapes d’un protocole biologique sur un système miniaturisé
de la taille typique d’une carte de paiement. On les retrouve sous l’application biopuces.

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Figure 8

3.4 Les principes physiques du microsystème :

Le principe de conception d’un microsystème ne diffère pas fondamentalement de celui d’un


macro-système puisque les lois physiques et les équations qui les décrivent restent
principalement les mêmes. Cependant, au regard des lois d’échelle, l’importance des effets
physiques dans ces équations changent en lien avec la taille du système. En effet les rapports
entre les différentes forces en jeu sont modifiés avec les réductions des dimensions : les
forces de gravité sont proportionnelles au volume des objets, diminuer les dimensions
diminue le poids dans des proportions au cube ; une pression s’exerçant sur une surface, la
force résultante diminue avec les dimensions dans des proportions au carré. On peut aussi
évoquer la capillarité dont l’impact sur un système à dimensions réduites a un impact
prédominant.
La microélectronique s'intéresse à l'étude et à la fabrication de composants électroniques à
l'échelle sub-micrométrique. Hors une adaptation aux dimensions, l’architecture micro-
électronique n’a pas de différences fondamentales avec l’électronique. La différence est
dans la conception puisque l’électronique nécessaire au capteur est directement intégrée au
capteur. Les technologies de production permettent de fabriquer des composants à partir de
matériaux semi-conducteurs comme le silicium, les fonctions électroniques sont intégrées
directement en surface de ce substrat.

3.5 Fabrication des MEMS :

La fabrication des MEMS de nos jours utilise des systèmes de fabrication de circuits intégrés
par lots et en grande quantité. Il existe plusieurs manières de fabriquer les MEMS, dont le
micro-usinage de surface, le micro-usinage de substrats, le micro usinage par électroérosion
(EDM) et les technologies HARM telles que LIGA (un acronyme allemand signifiant
lithographie, électrodéposition par bain d'électrolytes et moulage). Le micro-usinage de

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surface du silicium utilise les mêmes équipements et procédés que dans l'industrie du semi-
conducteur. Pour cette raison, cette technique fut un des premières à être largement
adoptée pour la fabrication des MEMS. Des applications typiques pour cette méthode
comprennent les actionneurs et les moteurs électrostatiques. Dans le micro-usinage de
substrats de silicium, les structures sont créées en utilisant les techniques de gravure sur
substrats de silicium. Les applications utilisant cette technologie vont des miroirs aux
accéléromètres, tels que ceux utilisés pour le déploiement des airbags. Le micro usinage par
électroérosion est une approche assez récente qui utilise des techniques de production des
ateliers de construction mécanique et qui offre la possibilité de fabriquer des pièces dans la
plupart des matériaux conducteurs. Dans le procédé dit LIGA, le plastique poly méthacrylate
de méthyle (PMMA) est exposé aux radiations à travers un masque. Cette technique a pour
conséquence de retirer une partie du PMMA et de laisser des structures qui sont ensuite
électrogalvanisées. Ces structures métalliques peuvent constituer le dispositif MEMS final ou
peuvent être utilisées comme des moules pour fabriquer des pièces avec d'autres plastiques.
Les dispositifs utilisant la technique LIGA comprennent les moteurs et les vitesses
électrostatiques.

3.5.1 La photolithographie : Elle permet la délimitation des zones accessibles à la


gravure et des zones non accessibles.
3.5.1.1 La lithographie est une technique d’impression créée à la fin du 18e siècle par
Aloys Senefelder. Du grec lithos (pierre) et graphein (écrire) le principe est de reporter sur
une pierre calcaire plane un motif à l’aide d’un mélange gras (cire, suif et noir de fumée). La
pierre est ensuite passée à l’eau forte (acide nitrique en solution aqueuse) le gras du motif
repousse la solution, il sert de masque à l’attaque de la pierre. Le motif est alors en relief et
une fois encré peut être imprimé. La technique évolue ensuite tout le long du 19e siècle
passant de la pierre, à la plaque de cuivre ou de zinc, les techniques du report de motif et de
sa gravure s’industrialisent.

3.5.1.2 Le procédé de photolithographie est employé pour la première fois par


l’inventeur de la photographie Nicéphore Niepce vers 1815. Il permet le report d’une
épreuve photographique sur une pierre lithographique. Celle-ci est recouverte d’une couche
fine d’une émulsion sensible. Le négatif de la photographie est posé sur la surface séchée,
puis lesté par une plaque de verre.

L’ensemble est exposé à la lumière pendant quelques heures, les zones sombres du négatif
protègent l’émulsion. Toutes ces parties non exposées sont ensuite dissoutes mettant à nu
la pierre qui est ensuite attaquée par le mordant. Toute l’émulsion est ensuite évacuée
avant encrage et impression. Le négatif a servi de masque pour délimiter les zones.

3.5.1.3 La photolithographie dans la production des MEMS découle des


mêmes principes à des échelles micrométriques. Sur le substrat est déposée une couche de
résine photosensible, puis le masque comportant le motif est posé (figure 9). Une insolation
est réalisée sur l’ensemble (figure 10). La zone insolée voit sa solubilité augmenter ou

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diminuer selon qu’elle est positive ou négative. La résine soluble est éliminée (figure 11), le
substrat est alors mis à nu selon les zones choisies et peut alors subir les traitements suivant
comme la gravure, des dépôts, etc.

Figure 9 :

Figure 10 :

Figure 11 :

Le procédé est collectif : un même substrat sert de support à la réalisation de plusieurs


dispositifs qui sont ensuite séparés pour obtenir les composants élémentaires. Cette
production collective diminue les coûts de production et facilite le développement de
solutions innovantes.

3.6 Transductions utilisés dans les MEMS :

En général, les capteurs MEMS sont classés par le type de principe de physique mis en
œuvre pour effectuer la conversion du type de grandeur à mesurer vers une grandeur
électrique qui permettra son exploitation (exemple : principe capacitif, piézoélectrique,
piézorésistif etc). Il convient de rappeler que ces mécanismes reposent sur la déformation
des structures en silicium ou autre matériau.

3.6.1 Transductions capacitives (électrostatiques):

La transduction capacitive est basée sur la détection de variation de capacité entre deux
électrodes se déplaçant l’une par rapport à l’autre sous l’effet d’une force externe f az. Cet
effet est réversible et une différence de polarisation appliquée aux électrodes engendre une
force électrostatique fa qui déplace l’électrode mobile.

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3.6.1.1 Transduction électromécanique :

Un système électromécanique est un système multiphysique : il fonctionne dans le domaine


électrique, où les grandeurs dynamiques sont la charge, le courant et la tension, et
mécanique, où les grandeurs dynamiques sont le déplacement, la vitesse et l'accélération. Le
couplage (lien) entre ces domaines s'effectue grâce aux éléments spécifiques qui s'appellent
"transducteurs".
Un transducteur électromécanique est une "passerelle" qui permet aux grandeurs
mécaniques et électriques de "s'échanger d'information".
Les convertisseurs électrostatiques occupent une place très importante dans les MEMS :
nous allons étudier leur fonctionnement, architectures et utilisation.

3.6.1.2 Condensateur : géométrie et intérêt :

A base d'une transduction capacitive se trouve la dépendance de la capacité électrique de la


géométrie du condensateur. Un transducteur électrique est donc un condensateur dont au
moins un des éléments (électrodes) est mobile, et donc réalise un lien direct du domaine
mécanique (la coordonnée de la partie mobile) vers le domaine électrique (la valeur de la
capacité). Nous allons voir, qu'il existe un lien dans le sens inverse : le domaine électrique
peut également communiquer une information vers le domaine mécanique. Dans la plupart
des cas, nous considérons un condensateur plan (figure. 12) dont la capacité s'exprime de la
manière suivante :
𝑠
𝐶 = ɛɛ0 𝑑 (1)

Ici ɛ0 est la permittivité du vide, ɛ est la constante diélectrique du matériau entre les
électrodes, S est l'aire de recouvrement des électrodes, d est la distance entre les
électrodes. Généralement, dans les MEMS, entre les électrodes il y a de l'air ou du vide, ainsi
ɛ ≈1. Dans la formule de la capacité (1), il y a deux paramètres géométriques que l'on peut
faire varier d'une manière mécanique : l'aire de recouvrement et la distance entre les plans.
Cela permet de réaliser une conversion de l'information du domaine mécanique vers le
domaine électrique.
Par exemple, on peut détecter un mouvement en mesurant la variation de la capacité par les
techniques de mesure électrique. Nous considérons deux configurations correspondant à la
variation de ces deux paramètres. Ces techniques trouvent une application dans les capteurs
de pression, accéléromètres, gyroscopes, etc.
Dans certains cas, notamment dans le domaine de la microfluidique, on fait varier ɛ de
l'entrefer entre les électrodes. On ne considère pas ce cas dans ce cours.

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Figure 12 : Condensateur plan

3.6.1.3 Transducteur en mouvement vertical :

Soit un condensateur plan dont une électrode est fixée (pour convenance), l'autre est mobile
et peut se déplacer uniquement selon l'axe perpendiculaire aux plans des électrodes (gap-
closing motion), (Figure13). Dans ce cas, la distance entre les électrodes varie comme 𝑑 − 𝑥,
où d est la distance (gap) au repos. L'axe x a son origine au niveau de la position repos de
l'électrode mobile, et est orienté à l'intérieur du condensateur. La capacité s'exprime
comme :

𝑠
𝐶 = ɛ0 𝑑−𝑥 (2)
Ainsi, la capacité d'un tel condensateur varie en fonction du déplacement, à travers une loi
algébrique non-linéaire. Ainsi, pour la détection du mouvement, il faut mettre en œuvre un
circuit de mesure d'une capacité.

Figure 13. Condensateur en mouvement vertical

3.6.1.4 Transducteur en mouvement latéral :


Supposons maintenant que dans la formule (1) nous modifions non pas d mais S, en faisant
glisser une électrode de sorte à ce qu'il reste dans son plan (figure 14). Si on suppose que

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l'électrode a une forme rectangulaire, avec longueur l et largeur w, et si le mouvement de


l'électrode mobile fait varier la largeur, on obtient :

𝑙 𝑤− 𝑥
𝐶 = ɛ0 (3)
𝑑

Ici x désigne la coordonnée sur l'axe se trouvant dans le plan de l'électrode mobile. Notez
que selon la géométrie initiale du condensateur, on peut également avoir une relation
linéaire (figure. 15):
𝑙 𝑤 −𝑥
𝐶 = ɛ0 (4)
𝑑

Figure 14 Figure 15

3.6.1.5 La géométrie du transducteur :

Afin d'augmenter la valeur de la capacité des transducteurs électrostatiques MEMS, on met


plusieurs transducteurs en parallèle. Cette technique se traduit par l'utilisation des
transducteurs à géométrie "peigne interdigité ", exemple : figure 16, où on présente un
transducteur en mouvement latéral réalisé avec deux structures en peignes. Il est évident
que la formule pour la capacité reste la même (équation (2), mais multipliée par N, où N est
le nombre de capacités élémentaires (sur la figure 16, N = 8). Dans le cas où le mouvement
est vertical, comme présenté par la figure 17, la situation est un peu plus complexe. Le
transducteur capacitif est représenté par N segments composés de 2 capacités variables, qui
varient en opposition de phase. Ainsi, la capacité d'un tel transducteur vaut :

𝑠 𝑠 2𝑑𝑠
𝐶 = 𝑁 ɛ0 + ɛ0 = 𝑁ɛ0 2
𝑑−𝑥 𝑑+𝑥 𝑑 − 𝑥2

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Ici x est le déplacement de la partie mobile de la position du milieu, pour laquelle les deux
capacités de chaque segment sont identiques.

Figure 16: Architecture d'un transducteur à mouvement vertical, à peignes interdigités.

Figure 17: Architecture d'un transducteur à mouvement latéral, à peignes interdigités.

La particularité de cette configuration est une relation non-monotone entre la capacité et le


déplacement, ce qui peut être intéressant pour certaines applications.

3.6.1.6 Transduction du domaine électrique vers le domaine


mécanique :

Les plans du condensateur se trouvent en une interaction à travers le champ électrique


emmagasiné entre eux. Ainsi, il existe une force exercée par ce champ sur les charges des
électrodes. Cette force est attractive, les forces agissant sur les électrodes tendent à les
rapprocher. Cette force dépend bien sûr de la géométrie du condensateur et de la quantité
de charge qu'il emmagasine (la tension). Ainsi, en faisant varier la tension d'un
condensateur, il est possible de faire varier la force agissant sur les électrodes. Si une
électrode est rendue mobile, cette force peut mettre en mouvement un système
mécanique, ainsi, on obtient un certain contrôle du système mécanique à travers un signal
électrique. Dans les sous-paragraphes suivants on calculera la force d'un condensateur pour
un cas général, ensuite on considérera les mêmes deux cas de capacité variable que nous
avons étudiés pour la transduction mécanique-électrique.
Il est connu de la théorie d'électricité que l'énergie d'un condensateur s'exprime comme :

𝐶𝑈 2 𝑄2
𝑊𝑃 = =
2 2𝐶

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Ici Q est la charge du condensateur, U est la différence de potentiel entre les plans de la
capacité, Wp est l'énergie du condensateur. Pour passer d'une formule à l'autre, on a utilisé
la relation Q = CU.
Il s'agit ici d'une énergie potentielle, car elle est liée à l'interaction entre les charges
concentrées sur les plans du condensateur. Cette énergie est positive.
La force agissant sur une électrode mobile dans l'axe 𝑥 :

Pour le cas d’un transducteur en mouvement vertical, La composante verticale de la force


existant entre les électrodes d'un condensateur plan est donnée par :

Pour le cas d'une relation linéaire entre la capacité et le déplacement, la force générée par le
condensateur sur l'électrode mobile s'exprime comme suit :

Il est à noter qu'il ne s'agit pas d'une force totale générée par le condensateur ; mais
de sa composante vectorielle correspondant à l'axe de déplacement de l'électrode. En
général, la géométrie de l'électrode mobile est conçue de sorte à ce qu'elle puisse se
déplacer uniquement dans l'axe x (longitudinale), ainsi, seule la composante
correspondante de la force peut avoir une influence.
3.6.2 Transductions piézoélectriques:
L’effet piézoélectrique a été découvert en 1880 par Pierre et Jaques
Curie. La piézoélectricité est un effet réversible ; l’effet piézoélectrique direct est la
propriété d’un matériau à générer un déplacement électrique en son sein lorsqu’il est
soumis à des contraintes mécaniques. Quant à l’effet piézoélectrique inverse, c’est la
propriété d’un matériau à se déformer lorsqu’il est soumis à un champ électrique.
Un matériau piézoélectrique est caractérisé, entre autres, par son tenseur
piézoélectrique (généralement 𝑒𝑖𝛼 ou 𝑑𝑖𝛼 ) qui lie les grandeurs mécaniques de
déformation ou de contraintes aux grandeurs électriques ( Champ électrique et
polarisation électrique).
En direct : une déformation mécanique axiale ou en cisaillement engendre
l’apparition d’une polarisation électrique (D en 𝐶. 𝑚−2 ) dans le matériau suivant une
direction qui, si elle est orthogonale aux électrodes présentes sur la matériau
engendre, dans ces dernières, l’apparition de charges électriques Q dont la quantité
est proportionnelle à cette contrainte.
En inverse : l’application d’une différence de potentiel U sur les faces
métallisées d’un matériau piézoélectrique donne naissance à un champ électrique
dans ce même matériau, qui engendre une déformation axiale ou un cisaillement.

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Les principaux matériaux en couche mince utilisés dans les MEMS sont l’AIN,
le PZTet le ZnO.
3.6.3 Transductions piézorésistifs:
Un matériau piézorésistif voit sa résistivité variée en fonction des
déformations qui lui appliquées. Un matériau piézorésistif est caractérisé,
entre autres, par son tenseur piézorésistif qui lie la variation de résistivité
électrique à la déformation appliquée. Le silicium étant fortement
piézorésistif ainsi que le polysilicium (ils présentent donc une forte variation
de résistance en fonction de la déformation), ils sont utilisés dans les
microcapteurs utilisant ce principe de transduction.
La résistance R constituée d’un matériau homogène de résistivité ρ, de
section A et de longueur L définie comme :
ρ. 𝐿
𝑅=
𝐴
Le facteur de jauge FG, qui lie la variation de la résitance ∆R et la
déformation s subie par cette résistance, est définie comme :
∆𝑅
𝐹𝐺 = 𝑅
𝑠
3.6.4 Couches chimiquement sensibles :

Les capteurs chimiques sont constitués d’un transducteur recouvert


d’une couche sensible à l’espèce à détecter, transformant la réponse
chimique en signal mesurable.
Les métaux nobles (Pt, Pd…) sont utilisés pour la détection d’ozone et
d’hydrogène, ou comme catalyseurs pour améliorer la sensibilité de certains
capteurs ; les alliages métalliques sont très utilisés pour la détection
d’hydrogène.
Les capteurs chimiques sont utilisés en biologie, biochimie, médecine,
sécurité, agriculture, environnement, et leurs applications sont la
reconnaissance des produits, la surveillance de l’environnement ainsi que la
sécurité militaire et intérieure.

Figure : Principe d’un capteur chimique

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3.7. Electronique de conditionnement utilisée dans les


capteurs MEMS
Les micro capteurs, comme leurs « homologues » de plus grande taille, requièrent
une électronique de conditionnement. Cependant, la différence de taille entraîne bien
souvent une diminution de la variation des grandeurs qui permettront ensuite
l’obtention d’un signal électrique. Il faut donc parfois des chaînes de
conditionnement très performantes pour arriver à de bonnes sensibilités globales du
système. La chaîne d’acquisition est constituée, la plupart du temps, d’une suite
d’éléments allant du capteur à l’ordinateur (voir exemple de la figure 18).

Figure 18 : Chaîne d’acquisition globale


Ce type d’architecture est aujourd’hui amélioré par les technologies (technologie des
circuits intégrés et technologie des MEMS) qui permettent d’intégrer beaucoup de
fonctions, allant jusqu’à un traitement numérique partiel. L’un des intérêts des
capteurs MEMS étant la miniaturisation, leur électronique de conditionnement
(souvent complexe) est implémentée sous forme de circuit intégré. Les technologies
de fabrication utilisées pour le capteur et pour l’électronique n’étant pas
systématiquement compatibles, l’assemblage peut être fait sous forme de deux puces
différentes reportées dans un même boitier ou bien de façon monolithique.

Il existe également une possibilité d’assemblage utilisant la technique System In


Package où le capteur et le circuit de traitement sont reportés sur un même substrat
de silicium.

L’intérêt de l’utilisateur étant de simplifier la mise en œuvre de ce système «


capteur/électronique », le fabricant fournit des capteurs avec une sortie analogique «
prête » à l’emploi (grande amplitude, grande linéarité ), ou encore des sorties
numériques directes, avec dans ce cas des possibilités supplémentaires de
configuration (auto-zéro, compensation en température, linéarisation, choix de
gammes…).

3.7.1 Electronique des capteurs MEMS non résonants :

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Nous abordons cette partie sous l’aspect de l’architecture de l’ensemble capteur-


électronique (par exemple en boucle ouverte, asservie…) et en se focalisant aussi sur
le premier étage de conditionnement.

3.7.1.1 Différents types de détection :

3.7.1.1.1 Amplificateurs de charges :

Du point de vue électrique, le capteur à détection capacitive est équivalent à une


capacité variable. En polarisant le capteur à l’aide d’une tension continue, on peut
utiliser un amplificateur de charge classique (voir figure 19a) dont le rôle est de
convertir le courant d’entrée en tension de sortie.

Figure 19: Exemple d’amplificateur de charge

Dans le cas d’un capteur piézoélectrique, il n’est pas nécessaire de le polariser,


puisque le matériau fournit des charges qui seront ensuite converties en tension (voir
figure 19b). Dans le cas (a) la sensibilité de « l’étage d’amplification », en régime
sinusoïdal, est :
1
 pour les fréquences inférieures à :
2𝜋𝑅𝑝 𝐶𝑖𝑛𝑡

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1
 Pour les fréquences supérieures à :
2𝜋𝑅𝑝 𝐶𝑖𝑛𝑡

Nous remarquons qu’en basse fréquence, la sensibilité dépend de cette même


fréquence pour être nulle en continu. Ce type de conditionnement ne permet donc
pas de traiter des cellules sensibles mesurant des grandeurs continues ou très basse
fréquence (exemple la pression atmosphérique).

Dans le domaine des fréquences supérieures à la fréquence de coupure, on obtient


cette fois une sensibilité indépendante de la fréquence. Pour diminuer la fréquence
de coupure, on est amené soit à choisir des valeurs de résistances très élevées (non
réalisable dans les technologies de circuits intégrés) ou à augmenter Cint, ce qui
diminue la sensibilité. Ceci constitue bien souvent une limitation, car les capteurs
MEMS présentent de faibles variations de capacité (pouvant descendre à des
fractions de fF (10-15) voire quelques aF (10-18). Une solution dans ce cas consiste à
effectuer une modulation du signal du capteur (c’est-à -dire une transposition autour
d’une fréquence plus élevée) ou d’utiliser des amplificateurs à capacités commutées.

Les techniques permettant une modulation de signal du capteur sont à étudier au cas
par cas. Cependant il existe pour les capteurs capacitifs une solution qui consiste à
remplacer la source de polarisation continue par une source alternative (sinusoïdale
ou carrée).

Le circuit de la figure 20 permet d’obtenir une modulation d’amplitude de la tension


sinusoïdale (à la pulsation wm de la source d’entrée) car la tension de sortie est
proportionnelle au produit Vin(C0 + ∆c). Ce principe permet d’effectuer la modulation
avant même le premier étage amplificateur de telle façon que le bruit basse fréquence
(en 1/f) de celui-ci ne soit pas modulé.

Figure 20: Amplificateur de charge effectuant une modulation

3.7.1.1.2 Amplificateurs à capacités commutées :

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Un autre type de solution permet la conversion « charges-tension». Il s’agit des


circuits à capacités commutées. A titre d’exemple, l’amplificateur de la figure 21
utilise des interrupteurs commandés par des horloges φ1 et φ2, dites « non
recouvrantes » à une fréquence très supérieure à celle du signal analogique à traiter.

Figure 21 : Etage amplificateur à capacités commutées

Le résultat est l’obtention d’une tension de sortie proportionnelle à la capacité du


capteur :

3.7.1.1.3 Electronique de détection de variation de résistance :

Tous les capteurs délivrant une variation de résistance proportionnelle à la grandeur


à mesurer (par exemple piézorésistance, magnétorésistance…) sont supposés délivrer
une résistance proportionnelle à la grandeur mesurée. L’électronique de détection de
la variation de résistance, aussi appelée « électronique de conditionnement », a pour
objet d’amplifier la grandeur de sortie et aussi de limiter l’influence de la grandeur
de mode commun.

La figure 22 montre trois types de polarisation du capteur. Les capteurs délivrent une
variation de la résistance et on définit un coefficient de résistance :

∆𝑅
𝛼=
𝑅
La résistance augmente avec 𝑅(1 + 𝛼) et diminue pour 𝑅(1 − 𝛼). Le choix du type de
montage dépend de la possibilité du capteur à délivrer une ou plusieurs variations

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Chapitre III Etude des capteurs à base de MEMS et leurs applications

de résistance. Dans le cas du montage (a), la tension de sortie en fonction de 𝛼 est


donnée par la relation suivante :

Figure 22 : Polarisation en tension du capteur résistif

Vab n’évolue pas linéairement avec 𝛼. Le montage électronique de type (c) est plus
avantageux car quelle que soit la valeur de résistance, la tension de sortie Vab varie
linéairement avec la variation de résistance.

Il est également envisageable de polariser en courant le capteur comme le montre la


figure 23.

Cette configuration est donc avantageuse par rapport à la polarisation en tension.

Figure 23 : Polarisation en courant du capteur résistif

Avec un seul élément sensible, il est possible en utilisant le montage de la figure 24


de rendre la tension de sortie Vs linéaire en fonction de 𝛼. La tension de sortie est
donnée par la relation :

Ce montage présente l’inconvénient de placer une résistance dans la contre-réaction


d’un amplificateur, ce qui pose problème dans le cas où la mesure de la résistance est
perturbée. Le montage en pont de Wheatstone est avantageux en termes

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Chapitre III Etude des capteurs à base de MEMS et leurs applications

d’élimination de la dérive thermique et de réduction de l’influence du mode


commun.

Figure 24 : Linéarisation par l’utilisation d’un AOP

3.7.1.1.4 Correction des dérives thermiques :

Dans bien des cas, les capteurs piézorésistifs dérivent en température. Cela se traduit
par une variation de la tension de repos et par une variation de la sensibilité en
fonction de la température.

Nous étudierons ici quelques possibilités permettant de corriger ces influences sur la
sensibilité de la température. Les corrections que nous étudierons consistent à faire
varier la tension d’alimentation du pont de Wheatstone en raison inverse de
l’influence sur le pont de la température.

Considérons le capteur de pression réalisé avec des jauges piézorésistives de la figure


24.

Figure 24 : Capteur de pression

La tension de sortie est donnée par la relation suivante :

S est la sensibilité nominale, P la pression mesurée et Voff la tension continue de


sortie en l’absence de pression mesurée. Quand la température varie, la résistance de
chaque branche du pont change et la sensibilité varie. La variation de la tension de
sortie est donc donnée par la relation suivante :

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Chapitre III Etude des capteurs à base de MEMS et leurs applications

La variation de la sensibilité (S) en fonction de la température (𝜃) est non linéaire et


elle peut être exprimée par la relation suivante :

Avec S0 la sensibilité nominale et 𝜃d la différence de température entre la


température ambiante et la température de travail.

Ainsi, une compensation en température s’obtient lorsque la tension d’alimentation


du pont de Wheatstone croît avec la température comme le montre la relation
suivante :

Un exemple de montage permettant de compenser en température est donné en


figure 25. La variation de la tension de diode de - 2,5 mV.°C-1 peut être employée
pour faire varier la tension d’alimentation du pont de Wheatstone.

Figure 25 – Compensation de la dérive thermique par des diodes

3.7.2 Architecture à sorties analogiques

3.7.2.1 Architecture en boucle ouverte :

Cette structure est la plus simple et suppose que chaque élément présente une bonne
linéarité et une bonne stabilité en température, faute de quoi les défauts se
retrouveront en bout de chaîne. Dans le schéma de la figure 26, la cellule sensible
convertit la grandeur à mesurer en une grandeur électrique (ou une variation de
grandeur électrique). Ainsi on trouvera principalement des variations de résistance
(utilisation du phénomène de piézorésistivite), des variations de capacité (détection

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Chapitre III Etude des capteurs à base de MEMS et leurs applications

capacitive), des variations de quantité de charge (phénomène de piézoélectricité),


variation de courant (effet Hall, par exemple). Le bloc dénommé « Ampli » effectue le
conditionnement de ces variations de « grandeur électrique » en tension (ou plus
rarement en courant). Le rôle du filtre est d’éviter le repliement de spectre du signal
en sortie du conditionnement. En effet, même si le capteur possède une bande
passante limitée Fb, les effets de non-linéarité de ce capteur et de l’électronique de
conditionnement génèreront des harmoniques et de la puissance de signal au-delà de
Fb. Ce filtre anti-repliement est donc indispensable.

Figure 26 : Chaîne d’acquisition conventionnelle

Figure 27 – Spectre d’un signal échantillonné

3.7.2.2 Architecture asservie (analogique) :

L’intérêt d’un système asservi est de rendre plus linéaire la chaîne de mesure. Par
ailleurs, le produit gain-bande passante de la chaîne étant constant, on peut
augmenter la bande passante en acceptant une diminution du gain, ou plutôt, dans
notre cas, de la sensibilité. Un système bouclé est représenté par la figure 28 :

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Chapitre III Etude des capteurs à base de MEMS et leurs applications

Figure 28 : Représentation d’un système bouclé

Pour illustrer ce type de microsystème asservi, nous pouvons citer le cas de certains
accéléromètres. La figure 29 représente le principe utilisé dans ce MEMS. On notera
la nécessité d’une structure différentielle. En pratique on utilise plutôt des « peignes
» d’électrodes.

Le principe est d’effectuer un asservissement de position de l’électrode mobile et


d’utiliser les tensions de commande pour cette rétroaction comme signal de sortie.

Le circuit de conditionnement effectue la conversion d’une « variation de capacité »


vers une tension (figure 30 partie 1). Le signal recueillie tant modulé par les sources
alternatives d’entrée (H1 et H2 en opposition), il faut effectuer une démodulation
synchrone (figure 30 partie 2) (interrupteurs commandés par les horloges de
modulation), finalement un filtrage passe-bas (du premier ordre) et un gain de retour
assurent la stabilité du système (figure 30 partie 3a et 3b).

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Chapitre III Etude des capteurs à base de MEMS et leurs applications

Figure 29 : Architecture du circuit de conditionnement

Figure 30 – Electronique d’asservissement (principe)


3.7.3 Architecture à sortie numérique :

Les architectures numériques s’appuient le plus souvent sur le principe de la


conversion ∑∆. Sur la figure 31, nous voyons comment adapter ces architectures aux
capteurs MEMS. Ici nous avons illustré cette architecture par un capteur
d’accélération capacitif asservi numériquement.

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Chapitre III Etude des capteurs à base de MEMS et leurs applications

Le capteur et l’électronique de rebouclage constituent le modulateur ∑∆. F0


représente la force électrostatique appliquée grâce à la tension V0 appliquée sur les
électrodes de contrôle « supérieure » ou « inférieure ». En fonction de l’électrode
choisie, la force est appliquée dans un sens ou dans l’autre. On retrouve ainsi une
sorte de convertisseur numérique-analogique 1 bit dont la sortie est une force. Le
convertisseur analogique-numérique, quant à lui, est un comparateur synchronisé
sur l’horloge. Il convient d’ajouter un traitement numérique approprié pour obtenir
directement une sortie numérique sur 8, 12, 16,… 24 bit…

Ce type d’architecture est, de fait, très avantageux lorsque l’on recherche une sortie
numérique. Il est alors possible d’intégrer de la mémoire et un processeur pour
ajouter les fonctions « d’autozéro » d’adaptation de la fréquence d’échantillonnage
au besoin de l’utilisateur (dynamique, largeur de bande…), correction de linéarité…

Figure 31 : Exemple de capteur asservi numériquement

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