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CIMELLI
R. BOURGERON

By dali200821

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1 Résistances SYMBOLES

1• 1 Loi d'Ohm
ta rliffél"ence de poTe"lo~ U entre les eXl'ém tés d'un Variante 1
COI'I:!ucIu 1"'I'11II'I1 rHlstif ou rtsistor) ne toI.r:"Iss.W q.III -----1 1--
de rMer(/l& ~ es! b;laIe al prooiil de la résisWQ R
de ce oorduct!ll pa' rl1l1ensdé / 6.1 ro...mt ~ le traverse.

U" RI R" !!..


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R _rmta'lCe en drns 10).
1 : am:. en ~es W.
U : (jIè'era (je ~9'.te EI'I '>'Ols M. >

. 2 Association de résistors
•. RésÎslors en série

1• .:!1 Résistors en parallèle


1 1 1 1
R",,+"'i/"'+fj
.. \ 1 •

1• Résistance d'un conducteur

R=, -1

R r6sisla...œen~.
( loogœ.I en mè:res (ml-
p -thstMtllenctml.mèIres,fl. m\
s sect01 en m/IITes carrés.
la rèsi Sh~lté varie a~ec !a température el enlrajne une
l'!II'Iabon cM! le résislara !II'e: la t~ture

P"Palt +It.')
, : résistivlté EI'I dms . mèUes (n .m),
Pl: rtSIsIr<iIé poI.oI". O'CM n.m.

__......... -. .
ft :"oA".da~e !"C·'1
• : terripilla.lR en degrt CelsUs "C.

.......
ORDRE DEGRANDEUR DE LA R ~JSTl vrrt m, ml
1. " Pu issance di ssi pée
La pussa1Ct es! ~ diSSIPée pa' ef!a"bJe.

En continu u'
="R
-...,
1.1.10"
omo
1.12.10'"' 100,10"

ORI)RE DE GRANDEUR DU coa:flCIENT ., ("C' 'I

En alternatif """ ""-


M.W' ,-,.w' .0,0II2.1'-'
,
1. 5 Princi paux (ypes
1. 51 Résistors bobinés
lis SQIlI OOISrllIS par I.rl OObi'lage de fil réSlSlant {rîC/Yom V)
sur un SI1XI(:\1 réfractate ayant ISle Wt'lEl tEll\lll Q1 tempé- l'Iissance 3 Wt 200 W
rattXe.

1. 51 Résistors bobinés de précision


as sont ooterJJS la' LI1 bctlirlage de fii en ~ tel le man-
g;nn Cl.! le ();)1$tantan, autcu 00 bâtc«!€~ en plastlQJe ru lJl
SlOObte.

1. 53 Résistors à couche de carbone


Ils sont obll!flUS par une dépose par ~'rolyse de carlXw'le sur
LI1 billonnel en céramique préalab'enen1 CUiI au ru

1. ). Résistors à couche métallique


ns SOOI obtEfflS par l'évaporatoo de di~érents métaJl: (or. 8 1===
patil1e, rhodiun, palad'un);IJ' un bâtCMel en c€famqJe 00
en verre.
• 55 Résistors verre-métal à couches
épaisses MODË LE ËaU IVALENT EN HAUTE FRËQUENCE
Ils SQIlt oblenus ~ I.rl dépôt par séridt~ de pâtes résIs·
tarltes sur des SlWOfI5 en cEJamique 00 en <U.H~,1le
,------------ -1
1. 56 Résistors agglomérés
Ils soot 00t1lll.$ ~ LI1 rootCage da1S LI1 Itbe eo bakéile de
iWe réSst~e C()"I'Iposée de siee, (je tl<MUte, ru de cwbcœ.
1 c i
R ,

1. 6 Principales caractéristiques ~ - - -- ------------- -

1. 61 Comportement en fréquence
le comportement des réslstols varie en tonction de la
'...... RËACfA:-ICE DES RÉS ISTORS BOBINÉS DE PREciSION

,
CO),1POR'ŒMENTOES RlÔS tSTORS BOBI NËS "
DE PRÉCISI ON À 1 M HZ
l MlUkn
p'
0'
/
~t ° 0,'
/
," ,
1. 62 Comportement en tension
Le cœtfk:ierl de tension, exprimé Q1 pp-nlV 11O-~Nl. permet
',',
d'€vaIuer ~ v811atiOns de la va!ar de la résJsfanœ causée "n "'" n "n lO "'Ol00kO
F .. 1MHz
par la différence de poten1ie1 appliqtlée à ses Wnes.
1 . 6~ Comportement en température LlMI'ffi D'UTlLlSATlON
DËO.~W AOME1TANT 500 V
R=R o (1+ol)
UN' PON)

o . coofliclefrt cie tempiKallXe &pnmé 00 pptTII'"C 11(J6rCI.


1 : t~ll1e an degrés Cetws.
Ro: réSistan::e à O"C.
~

p-
...
<00 o.
R : réSIS:a<œ à l 'C
~
, 0'

1. 0- Tension llIaximale et limite en ~ 0'


pUissance U_
'00 0,'
Les résistlXS sant dimeosioonés génÉ1a1er1{l!lt DCO" powof
dissiper une pUissance ma~imale, mais, pour certaines
0
, 1 kn 10k!lIOO ~ O 1 Mn 10Mn
0
R
awkatrons, le facleu' lrf'IJtarlt n'est plus la ~ maiS la " '00

lensioO ffiW'la1e admissiJle aux bornes de œIte-ci. TensiOll maximale iIo ne pas dolpasser
POOl" les faibles valeurs des résistlXS,la tensm maxmaIe est
'" Puissance maximale iIo ne pas dépasser

--
imitée par la ptissaoœ rnamta!e adJniss,iJe IE_· VPR J.
Pour tes tris fories valeurs des résistco, la pvssanœ il ...... PUISSANCE ET BRUITTHERMIQUE

~
dissW est ~~ée par la ter.SIOI1 fl"k1".CfllaIe ((Me ~ la rigidité , ,
du diéilctri(JJej.
'1
R

E~ '
Brui! Ihennique R R
1
1 est 00 au fI"lO\NeffieI1I cIéso"dcmé des portlm élect~
d'l(l matÉriIJ sous l'ilftueoce d'lJfle températlle et provoque
une tension (ou un courant s'éaloire) dont l'amplitude esl
bxtlOfl cie la température du matérIaU.
,
,- ,
(
" ,1
.1 Puissance et bruit them1Îque V 2IHz ,',",
Ptis.saa";:e cfGsipée pa! le signal El') (WIs 1.11 résistor de 1 fi.
ërf). 4 klA
/2(f) ~ 4 kI
tEK. R
A. O.

Po: puissooœ eo wang.


Elin: <*lsité spectrale de rxHssanœ (V11Hz). , ,
~
M : bande éQIJvaIetJte de bruit (Hz). • • , 1

PIissance maxi'MIe de bnit disp:rilIe SIS charge adaIltée

P.... "tf.lf
,
IT., IRf)'~3'
P_ : piJ:ssaoce en watts.
R.
~R, j)'o
1
:
IR,j~t, ,
1
k : COOS:Mt9de BŒtzrnim (1,38,IO- n J X 1).
t : tempéralu"e (l<: KeI'Ym).
M : bande éqLiva1ente de bruit (Hl).
, ", ,
1• fi 7 Bruit en excès el index de bruil
"
OENW SPECTAALE DE BRUIT EN EXC~S
le passage iii cour~t élec1rq.oe dans 00 élément résistl! est
à 1'0f'90B d'oo b!U1 Sl.WIémentat"e appelé tru,t· Mers -,
Sa dMsué spectrale est en {r'j et son ,nfluence est R
~eenbase~,
.
Ce truI en excès est QLIMlM ~!.fI roex (Je brut
. r-;-
NI: v··V,.. et•

nIex 00 i'dex (Je truc I!fl ~VlVldêcade


-,eNI_; NoIse: ........
~cl!C&'lé(Jeelll:lll illVl. R6s1s1Ol' agglomoirft
V~ : tensioo liecte iIUJ: bal18S cl! rès.sta IV).
"
ërr!1-Ul
"
J. tll\ Résistance d'un conducteur
cyl indrique parcouru par un courant
'" &ut en .xc6\!

alternatif '"
", BrvI1 thermiQue
f,1 -
,tz : . : 0,25 \ O,17B+ (O,OO2-} \ ";' )'

'''' "'" 1 MHz , G'" ,.,,
k : rapport ootre la rèslstM1Ce en altemalll R,I!IIa rèsls:.rœ
en COIIInI Rt,
s sacboo elllmt
p pém'lètre en II1II.
Il. ' ~érelaWe.
1 :!<éQuenœ M Hz.
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PROPR IÉTtS ET LIMITES DES RÉSISTORS
Coe"ciInt dit T......... CI;" • •

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2 Potentiomètres SYMBOlES

Ahbtal Polentiomètre
Un potenllOOlè:re permet le réglage de la tensKr\ dans !.l'I

..•
c.cut C'es! !.l'I êIêrr8lt résIsII œnc la rèsIsIance est YntlIe
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! . 1 Pri ncipaux lypes
.' . Potentiomètre bobiné
Ces résIs:a-œs ~ paMJrt ê:Il! 1I1éans. OpdllqJ8S PRINCIPALES LOIS DE VARIATION
ou <le 'ôs sp:iol« Ces poterrlU»!!lles III m pas tri'o'Js
peu lJ:1 fooc\O"lle(!len1 en Hf.
Cu potentiomètres .ont utilisês dans les circuits de
~ ou poli' IR circuits de Pfieision tpotgl!l)t~es
"" 5 A
bctris de Il êosi::o".
Potentiomètre à couche de carbone 50
Leur fabricatio~ est à rapprocher de celle des élèrrents
résisliIs aa:u::tede cab>'l8:v6t § ItSISTAtaSllll-.
ru brtI (II'6i ~ le IMIIJ de aaci'IIJ'r«rt sonI IS:Ia'J$T1I!J'II ,,
fatJIes « 15 "v).
Cel potentiomlltrn sont utilisés dans lu cireuits Hi-FI. ''''
Potentiomètre à piste cermet
L·tIêrneIt résISIat1: est \J'lW ctwyé <fêlaiallS cr:ni.d!m
depo6é p.:r :.8q,.n&!lI l,I'lE! ~e dt ...... rq.e.
Ces potllr1tlcwnè4res oIfrent les avantages Sliva"ns :
A_
B Ioga~thmique ci"";re
S COIXbeen S
T exponentIel le droite
• laitIe !ro.)llD'ernent, C klgarithmiQue in_ G IIXponenlle!le 1n~8I'H

• fatje coeIlics~ de t~llfe.


• Iaü! V!J9X11i de la _.Mee lia contacIIQI'SWj.
, IWgeganme lia'*- otmq.Je (10 Il à2,21d!l!. PRINCIPAUX PARAMETRES
IIllont cOIIÇ us pour 6tre utilisés danl des 'quipemtntl
prol,nlol\llels militaires et cml$.
Potentiomètre multitours
Ces IXlleril.(lITlèlres $()'\I génèraierTlent du type ooo.t'I/I de
R, • Rn .. loIWance
-
lJécIsm Ils perNeI1I ê'Je à va-alOl h!are ou b;Joo~.
Le régIa;je de la résisWœ p!!IJ se lare $X 3, 5. 10 00 20 tcus.
en potentiomëtres sont utiliiSH pout Il rjglage fin des
u-Nb Mtctroniqutt professionnels.
Rn
-rd

..... Iaoce nom.,...


-
Cou"", éH!toctrique du cur-..r rr
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R, rMiSI.....,e Ioiaie.
~. Choix d'un potentiomètre rd rMiSI..-.ee nlsiciuelle ciébut 00 COO~.
Un polllrltlCrnè:re se cIétirIt esser.tteiIemen pw r, IMilt.-.ce résiduelle lin de COOI'H.
• sa lectriOlogte. U" lenslon m Ie nominM aux ~.
• III '*- de sa rès<st.n:e (la g;mna tIes wielJs est on p" pucssanc:e nominale.
la strie E3: 100-220-4701, U", renslon maximale de service Um _ V P".Rn.
• sa pvis5ance,
• sa 101 de ..ariatiort.
"
PRINCIPAUX
Simple il ptcOt$

MultrtClUr$

PU el ' \, 1_''''I\'l10 • ..,..... ....... 010_''"''' !~ ..

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dOU_.-'
"
3 Condensateurs SYMBOLES
Condensateur do traversée
Deux conducteurs, séparés par UIlISOlant. oonstlMnt url
C(I(I(Iensaj(U : p<1 constq.alt. 101,;1 CCf'li,çtf:lllSOié p:iSSèOe
1 1
Ille capacté par r~ iJJX autres o:o:iJctetfS
T T T T
3.1 Relations fondamentales Condensa! .... ' pojarisé Condensateu, de traversée
Olai'ge électrique d'Ill coOOeosateu'. sans conr.exion de sortie
1: 1 •

Q~: c!l<M"ge de 1'Ml\al.I.lS A en COIAombs {C),


T T -
~

C : capacr.é du condensateur en farads (F). CONVENTION


U : teosion llJ):" tlŒres 00 CQII(l'ensate\f en volts M. Tension aux bornes d'un condensateu,
Intenst.e de charge (ou de ~J <lu condeosate\l
, C ,
Il

i en ampères (Al. •
dç/dt 9:l ccdorlbs par seconde (C.s·'),
REPR~SENTATlON DE FRESNEL
3. 2 Comportement en alternatif
!\eprést<1trion ~ ... ~deFresnei ,
;./_"",_1 0 -,
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I: _ _ X
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3. 3 Capacité d'un condensateur CONDENSATEUR PlAN
plan
li, s

~~. permit',Nité 00 .,;œ = 1/3611.109. ,


J
,
~r : pem1rt:ivTtti relawe de l'isola:11
S : suface des amatllfes en regard (ml). MQDËLE HAUTE FRÉQUENCE
e : épaisseur du c!iélect1q~ (m). L. : IndoclarlCe due aux ~al­
sons (H).
R, c
J • .t Capacité et énergie R, : Réststance doo aux con-

~ ~
neXK)ns des armatures et
Énergie emmagasinée aux caractérist"l'- du
W=lf2Cyl diélectrique (Il).
Ro : Résistance d'isolement (Il).
Énergie kMngée sur une pêriode en sinusoidal
C : Coodensateur théorique (FI.
W=l f2CY 1....
W : energte (JI. V lenSiOl'latP:OOmes(V). COMPORTEMENT EN TEMP~RATURE ET EN FR~aUENCE
C : capacité (F), V_. tension m8Xll'laie M. DES CONDENSATEURS POL YSTYRËNE ET POLYESTER

, ,cc
3. 5 Caractéristiques principales
,,
- --
2
1. 51 Componemenl haute fréquence
o
Le m.Jdèkl haute kliqJeoca mellJ'1 é'OOllfICe la posoo',tti (fia
le coOOensa:a.r œse COOl)Orter C\lI'I"Il1e 1.11 Ci'rut LC m.
3. 52 Résistance d'isolement
La résistance d'isolement n'est lcx1ctiOn que des caracténs'
-2
-, --- 20
-'-

0 20
" '" '" 6 (oC)

R(O) R~f(9)
tiques du d<étectnque utilISé
1. 53 Coefficient de température
La tilrJ1)érature influencE l'er~
des C<lI"3c:èristiqUes du
condensa',eu'. La~de sa vOO.x esldcmée en ~C ,
----------- -
3. 54 Tenue en lension
Afn d'~tef le claquage ru délectrque, on WnLte la tenSIOn
~ at!l bornes du condensateur.
l'amp!~tude ma~imale de la tension crête en allernalil à
appiquer est Cie 40 %de la lensoon ma:xmale en COOMu.

1. 55 Angle de perle
L'~1e cie pe1e Mesure la quai!é de la capacté et
lonct~ de la tempe-ature et de la Ir~.
évoU! en H'"
"'0 -_.- --- ---
lanu=R,CIlI F::::::::-=-=;:==;===-=
'"1 ~ 103 tO' F(Hz)
u : angie de perte (rad). R,: rési'.anœ ~enle série (!"l) Potystyrène
Polyester
.. : p..tIsa:oo (radis). C : valeur clJ condensa!evr (f).
"
3. 6 Principaux types de CONDENSATEUR AU DI"LECTRIOUE MICA
condensateurs lu mite de t' ):'''''''''''''''''~.~'!'
3 . 61 À diélectrique plas t ique~,
polyester, JX)IyprùP'(lérle, etc.)
Ces condenr.ateIJS 5001 coostltllés d'LW1 botli"Iage de feUles
d'a'trni"oi\.rn séparées par \Il 00 ptlsiaJrs 1ims ptastlQlJeS.

3 . 62 À diélectrique plastique métalli sé CONDENSATEUR AU DI~lECTRlaUE C~RAMlaUE


Une fine couctle d'alumirWm est ~sée St.r le plast,que
Pour ces condefIsateUfS, si lI'I (Waut d'isolement $El prOOiJ 1.
une étinœ!Je jailit et vapuise le métal en cootac1. ij ~ a auto-
wtrisatioo.
3 . 63 À diélectrique mica
Ils sont CO~sl ,tués
pal un €l'1pilage de lames de mica
~gMtées par SÉrig~, préalatJlema1t cM3es et clécoupées
au.:: bomes dmensols.
3 . 6-t À diélectrique cératruque
Ces coodensateurs sont constitués d'lIl8 ~"e ou d'""
ll.be rl!COUYeft SI.1 chaque race d"tIIe 1ft coo::he d'alwni1t.m. CONDENSATEUR ~LECTROlvnQUE A l'AlUMINIUM
Il exista trois !/fOI.-'l€S 00 cà"arrJIQUe . JonclLon Toge Disque cé.-amlq""
Groupe 1: t.laMte de magnésie ou de caIcMn. Dièlectn(JJ€ cathode- boTtier Bobinage d 'anode d 'isolement
stabfe à coeffiCienl de t&rl;léfat\lll <léIiri,
Groupe Il : t1tanate et zircooates de barytKn OIJ de strooti\..m.
Délectr'Goo mmble à coo'ficient de tempé!alll"e noo déIili,
Groope III : cOOrnlCpl à coo::he d'lBTèt <W$ tClJ le lOk.rrE (le
la pi<QJet!e 1se kJme LI1 résea:J ~e de cmlrflSatM.
3 . 65 Électrolytiques à l'aluminium
,>,,~ Connexion
03 SOIl1 des COIlœnsateu-s polarisés de forte capacdé. isolante d'aoode
L'~ est constJ!Uée par tIIe bnie d"airrri..m g-avée (peu
iWgIlIIlIe- 1a SlIface)fec:œvrt!e d'une coo::he d'akrrile. CONDENSATEUR ËLECTROl vnauE AU TANTAlE
l'alurrune et !li ~ spéciaj 1I'Jl)ré9lé a..-et 1I1 éiectroo'(te
ilJlIltW!ié IOOIlef1tle <lélectrl~.
la catnode eSl const1uée par une bande d'aklmW1u!1 lIOn
trait~_

l'&OSernble es: 000rlé d'lI1e taçoo cIassQJe.

3. 66 Électrolytiques au tantale
Ces condensateurs om une forte capacité pour un faible
efIcombrernenl. l ' ano~ est constituée d'~ pastille de
tantale tritté QlJi perrret d'obten.r une Irès grande surface
oc\~.
du condensateur
la cathode est formée pw II1IXlitIEf' etl argent cp n'eSl pas
attaqué par le b:ox)'de cie manganèse QlJi forme un élec-
trolyte solide.
"
LIMITES D'UTILISATION

eorm. ulibation Mauvaise utilisallon

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PRINCIPAUX MODÈLES

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4 Condensateurs ajustables
les Cttœ' s.'.11lJS Ir oa:~'E" a;'~:aoIes m ~1iSès SI..I ~
SYMBOlES
Cl'CUIS (r(ll"oés des 1écepI~ oe l'lIIlIO el oes iQ.apEITo "[5
~'e

4 . 1 À diélectrique air
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taevlSlOl'l. les rnooè«I ~rès ra.le ~ ont \11 cœl' 'en!
de ~urte~S]1 S:..~ r ur li 5;)() POOf , = 251, '-'Hl el U'I€!
I-eo:.m 1cie rllSCfl' de rae Of! 5 GHz
4 . 1 À di électrique pl aslique
CIl _ O"'O! o:eo..rs PCU' le r<'~'~ IY •

\[OOF..u:COIO
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C090J18E3C Jill " '2!Il. 150
"
5 Conducteurs
• 1 Conducteurs ulil isés en
basse fréquence
Les txI!'dIc1eurs son! soIés 1* Os l'w, L'émai est ~
d\n rnéiar'9! de résc'E el d'l'uoes syn:héIq,es. l' reo::nrtre
les condx::l!tn SU' une éparse' armt de 9 JLIII pour des
Cl:IC"d.cIeurs de 0.1 !TITI il 43 JLIII pour deS CO'ldI.c.wrs de
dra'l'lbe ~ à 0,5 ll'IlI.
Les o::n1.Clan de câtQge sort ISOlés prr !Ile gR al F\'C
~e de vrryie ou poo.r les ~es t~ali.l'es par
une gaIM de Pm (po/ytétraf'ooréth)1êne ou TéIkln) ou e"C«e
par !Ile gaI'le de lire de Yeml.
• Matériaux conducteurs usuels
On ut',se essen1JeDemen! des COI'I<IuC1eu<s de CIJYIe ou
d'almn.Jm. EFFET DE PEAU

"J'-.
RE.iJ,TION E.Nlll.E LES DIAM8'RE.'i
-1_"'....... ....
dIoNIn ......1tOi ... 010 ....................... _ _ < 1zr ... h'!
• l' ; [ 11....... _
..... 000·:
... _ _ ... _
: · = . ....... _ _

Variation de la résistance avec la


...
""'".,,'1 ,."" 'Im._
' ........ do-.
•• ' ~""(W'.,,,

L' F.FFET DE PEA U


température f , CIMe .. ! "'11

Re : réslstMœ à 0 OC (fi).
R : réslStl'l'lCll aB (n).
f '~al~rq[
o :ooeIf!CiM1del~rc·'J.

Conductance pour bobinages


hauLe fréquence
Les bobtIages MJle fréQ;JEn:e SCW'II SCUTlIS aux pertes par
tIIeI JWe. mars aIJSSI aux PElles 1* CO\r.IlI de Foucau~ et
par elfet (je peau,
Effet de peau CÂBLE COAXIALE. (EN HF)
Q1 appeIe effet de peau ta tistance 3 d'anérlJatal dfr.s les lmIli dl iCI -..

~
condUCIIlU'S. EIe augmente la Instance de iii en hJle c.. 1· ,.....
!<
lr~iR4)'
,
~
1 ..... ,'f
• Types d' isolants l, *
\
C
ClIP'" ~.iCI
" R,
a.m. dt hl 4 as ryp. dt Il ",~ .. o !,.'t

--
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C'IJ"~ ,.-
.,-
100 kllz' 10 MH. FI_ G,O:l l _
OJII_ l"
• 'f
-- ~if 'f
Id Mill " f
6 Matériaux
, .
FORME DES LIGNES DE FORCE SUIVANT LE CONDlJCTEUR

magnetlques Condocteur rectiligne Bobine longue (soIénoide)

6 . 1 Principes
d'électromagnétisme
6 . 11 Propriétés magnétiques du courant •
électrique
lh cour<Yl1 électrQ.ie qli circule dans un condJcteur crée un
FACE D'U NE BOB INE
charn!l rnagnélJque au l'Oisinage (je ce ccn!ucte\l.
La polarite des faces d'une bobine dépend du sens du
coorant qt.i parcOUft ~ bobine, et du SEfIS cie l'errouiemen!
<le sas spi"es.
Face nord; faœ 00 regard de laqueBe 1 faut se fXacer peu
.,
voi le COIlaIlt 100'1161 dans le sens anthorôlre.
Un ti"e·bcu:tal place paraDèlemenl à l'axe de la boOOe et
toornan! dans le sens iii oourant se déplace dans le sens •
des lignes de forœ, c'est-à-dire de S VllfS N,
CHAMP D'INDUCTIO N DANS L'AIR
6. 17 Champ d'induction dans l'air

- 110 Id( ' ü M


dB" 4,, ' ri
dB : variation cIu dlamp lTiagIlé~qJe en teslas (T).
1 : courent pa'ccuant le condoclLV en ampères W,
/10 : perrnéOOiité 00 \ide " 4".10- 1 o
dl: cliffél'erl1le'a de la 1ixIgoo1i du CCflOuc1es en mètres (m).
r :Imil en métres {ml.
" : représente le prooui1 vectonel.
li :OMII6Ml
6. 13 Champ d'induction au centre
d'une bobine longue CHAMP O'INOUCTION DANS UN TORE

4.':l .N.I.,.,
B= 10'.r

B : intensité de j'inli.JctiO!1 rnaglébQue en teslas (Tl,


N : nombre cie sptres.
1 : l'lt8llsté en .res (A),
1 : blQU€!t6 de la ooOOe en mètres (m).
Nif" N,,, rw:lIlbe de sple! par mè:re.
NI "norrtJre d·~OI.ts.
H = Nllf" norrt~'e d'arnpèretClllS par mètre.
Le testa est le champ d'induction au cenlre d'lJOe bobine
électrique infiniment fongue baignée daps un mililW de
perrnéabiité l.l1Ié lai/) el ponant 1 ampt)'etru péJ mètre.
,,, "

Perméabi lité magnétique
Champ maglll!tique dans un matériau
- .,
PERMEABILITE REl.4.TIVE DES MA1tRIAUX

,.
qurlconque
la denste cie b ~ dam li) motéfiau q.J8kXnIUII
"
COURBE O'A1MANTATlON ou fER
est ~opo1lQ . . . à r.,tenste œdlar1lllJao1lélqJ&
B

B : cler'$té de lUe rJ\iI1'IélqJe [Tl.


, ,
H ' irllensrtè 111 cI'IanlIl"qIéttQUe Wm).
JI : ~é wma:ér.au.
o H
'. Pe~abililéd'un matériau quelconque

la P811Iéebi'.é relaLw d'toila ~ ~ W,blll" de


CYCLE O'HYSTËRESIS
bs la égd ampèI'etOU"$-'mè:re) rn:Wlcrl est pm glllda
dans œ ct\'PS ~ dam far. •
A

" • PfII!I1éW.té absokJe d\n malé'~ ,


JI,: perrnéabIItè relat~ cie ce malériau par rapp;ll1 aJ vde w.I
" ,
HdB.
Ack)r dur

1" 0: 4'11'.10. 1 Hlm). -0, -H H

(Wen joIHs.)

' . ~ Aimanlation du fer


Ul bwreau de t. ClOux !'atnaJ'1le quand CIl le place dim
008 bobu'le :raversM par un cour"1 La présence d'un
l'IO'jaU (je fer aJgmeole le lIA
Oe:SAIMANTATlON D'UN NOYAU DE FER

0, Montage CyCle d·hy$t............


Courbe d'aimamation du fer
Partie Da : le /el' n'est pas WU/I!.

'~
Parue ab : coucIe de satllratoo,
PartI!! be . sa\l.fation. L
li : rltQfl$l!è œ~ NgOéIique II' : 9:'1'1 ).

'. Induction dans un champ ahematif N • nombre <:Se spires.


( .. long..,.,.. <:Se la bobine.
Hystirtsls : reta'd • Il tlèsarllantati:r1.
Cyclt d'hysltrHis : B _IIHI- foone de l'onde
Trait grIS : cycle a'U'I matètl3u a satura\.()l1 peu t.Ievé&,
Iatie permèabI'té. "0
Trait rouge: cycle d'lJ1 matériau 11 sarurilXtl &œ el cie
gn...:!e petm&ab!tité laoEr ~.
O. et O~ : lI'Idl.lCllO('llémanflll\e du noyau (le mélal reste
,
amante a(Xès la OOpantlOl'l 00 rosant).
Ob l' Od : d'oYnp cotrCltl.
"6. 16 Flux d'induclion magnétique FLUX D'INDUCTION MAGNË1l0UE

' = B.S :B.S.tosa

, : tkJx 00 c!lamp magrlétQJe (weberj. s


B : indoctioo (tesla), B" IBl
s : surface IrnZ). s" lSI.
e>
a : arwje 8,N .
Énergie emmagasinH:
-
FER ET ENTREFER
.,
1
1
B : densité de 1\Il magrlétkpe (T). 1
H : intenSIté dl! champ magflli:iQue Wm).
l' perméab<J1è 00 matérrau II''' 1'01',).

NOTA :
Le rna.WIum d'éœrge res:e stockée dans l'entrefer.

PERTES DANS LES MArtRIAUX MAGNIITIQUES


Perles par COInnt do F~ P«tespar~

Lo.triotiondofM _ _ _ doN_Io_ ..........


'''''Ilp
EII...." d.........qu. d. "'j,,~1 •• ~1 ..1 totro a Id.""t' <lu
... l _ _ _ ...... QOI~dto, ...- . _ .... 001 ot H~ 401 0/10"'1' ~ _~ .. ."... ofIIysli. . . .

~, · K,I.fS-f (W1tQ DO Wllo'~

1,.U lK, . ~;) , P,_K,,/,S' (W1\g .. Wi",'~


K,.G,I.
• : Ipojssow '*' - - jIII. 1:!Hq.>onco l'b:~
B_: ..... .,...,.. do l'IIdodioo {TI.
1 : fI+quonct l'\Zl.
B_ ' . -........ do rondutfion Il).

101 .... 10 ...... nOl ....... ni Iç>ois.., ...... iIIlpo<too1" ..., lto ""H, LM
...... 0'IiI0IiquH ÎIIIpOrIOnIet _ eonsli . . . . <10 _ PlI' ~ - . . lo< ....... par ~ ~ 15 " .... por\tI - . 01100 porIOO pol
OOU'"",do fOlJc .... ~ 10.
1H_.poI'~"'_
6 . 2 Tôle pour transfonnateur TOtES TYPE EIIDtN 41302)

6 . ::!1 Tôle si licium 1 1 21 a a


les t/:oles YcU'll sont obtenues par ~tion de sOJm au
1er en subissant un Ir3lt&mllllt thermique. Ce tra.tement

thermIQue crée !Ile oxydatiOn à la stI!Iace des t(lles, ce ~
f)El1'nIII de les i$OIer les \mS des at'8S, et de cimJef les
f-

1
p!II'1. par co.nnt de FoocaJI • •
" ,
6 . ::!::! Tôle silicium à grain orienté
Peu !imJer es pertes. 1)(\ tJ$11e les CIlS\auX cons: tuant ta •
t1lie pw 1.11 00VIage 11 fTœj, Un ~ de recut filai poonet
de cré&' tne COIJCI1e à base de SibtG de ~siu'n (JIi
ISOlera es !Oies. TOLEs TYf>E CUI~

6 . ::!3 Alliage au nickel



Ce SO'lI œs aIages cfielCiés par les 1ra!elTl!n:s lI'IemJ:J.Ies
et las mBrIIatall de mstrm.is m très SQI~ lI.il dm
~ cpJ !lu 100t ~ leurs IXqûtés fTlaQlléIqJes.
, -
6 . N Découpe des tÔles
Peu tormer t.rl cmJII mat;1lê/lqoe:, les tOies SCWlt cIéco~
sot !Il lomvI de 8, ce ~ pm!18\ la réaAsatœ d't.rl MIre/et
- -
saI SUivW11 une découpe ctJ tvPe CU'assé qui perme! un
fI'O'IIage • 5erTIHn:aSI1é ",
TOU TYPE ENCUOUETABLE
Les 10Ies en alliage de nickel (mu métal, anllyster) soo!
utikSées peu la réaisalm!lBs Cl'MS ~IQ'JeS en C, ,
Apoès errou!M1ent SIX t.rl gaM'lt rectMguiue de façon à
tanw un MlI'IeaU, le c:icUt est i1lIIèglWl sous \ide a'IOC un
plastQIIl ~.I est lI!ISl.Ce SCIé 8'>'IIC IJeaim "
u
~ ~
de tari en $(Il !Meu. ce rp <b'ne delΠC. Les deux ~
sen ruMlohles de laçai il. les rem:mer clans le lxw1 sens.
Is sm marlIenJs semis par !,Il serrKWe • •
Les Mntages de ces ctClllts sont : •
• rWbcr, de 75 !Ii des VA~'téTisant peu un même lUI.
• réru::too de 45 %des perles dans le Ie'.
% ~
• Mtéb'atlOOOJcoe!Iicie"tde r~ge, ,
• rédJ:tloo IiIl@IT!lSdelOO'Uage.

IIII'IIQI.I :

On obs8!Ye !,Il me "eur rerderrent torSQ~e la setllOr't du
Cl'rut est caTée, ~te t(!fIJ ck.IloIsr:memertt, la sectlort
rreltedu fer est s: 3,8 87,
• •
La klngueu' ~ des Ignes de !otee est de 12 a.
Le \'OU!te iii 1er est de .qj al.
• . ~5 DIMENSIONS DES TÔLES El (OIN 41302)
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6. 26 DESCRIPTIF DES ALLIAGES CONsmUTIFS DES TÔLES

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Ferrite FACTEUR DE PERTE DES FERRITES (F)
Inductance bobirIM SU' !.ne lemte
o. Constitution
Ce sont des matêriaul céramk;ues. durs, cassan ts. de
_---'-I_~
~ =""'' ' ..,_,;;.,...
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formu le générale MeFe l0 où Me représente plus ieurs
métaIl b:vaIents a:tM'le le mangrise (Iotl). le zn: (Zn). le
llICkel (Nij. le cobalt (Co). le cuivre ICu), le 1er (Fe ou !e
fWoIIstancfl lIoI!Irie t t~ parfail8

"""""'....
tes COI'\'tII1aIson ,es ~ roooJ'IIes SOr'I1 peu les ha.:es
1réquer(:eS (> Irtiz), le ~.m:.
"' . ~ de perte F : fact . . de pene

6. P Procédés d'obtention FI'I.ËOUENCE OE COUPUI'I.E

tes ferrites sool un méla.nge de pooaes d'oxydes 9t de


carbonates des r-étaux. Ces poodres sont prétrl1tées ~ "
1 (XX)"C al a"IU!e !rayées. JUS"'.
en bme â ra.de
d'l.WIml organique et pour t8r"'lJ:'l8r Inltées à 1 200'C
,
-'"

,-Il Il- 1h Ii h" Jt h Il


CARAcrt::R1STIQUES PRINCIPALES

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NOYAUX POUR APPLICATIONS DE PUISS ANCE

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NOYAUX E TYPE GER 30 x lJ x 8

A _ 30.25 mm
S.13mm
C.7,85mm
O.8.65mm
E _4mm
F • 7.2 mm
G.7.85mm
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CARAcŒR1STlQUES DIMENSIONNELlES

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FONCTJOS

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100 mT
100 f(kl-U)
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TORES ET NOYAUX POUR APPLICATION RF ET HF

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_~r[MHz)
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1.00 ""'""" i.ulrouo oonIlIIiIisét _ :


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100 200 f (MHz)

FERRINOX li60
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1
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:!V6T6xtO
1160 GV6T 6 ~ 10
.- '" - '. , '00 f (MHz)
7 Inductances SYMBOLES

th rô,.din::8 est 00'ISIJI!Jie d'III' è«tr~ boIJrle dn ~

rai' CIJ sr.r LI1 9.WJ1. Ce:-J! lXO"e a ~e ~ Vanante 1 - -


~
es; '"* l'd.c:anœ. SOIiIIoœ Cl! tx:me de SEfflit:lol.

7 . 1 Relations fondamentales Vaoianu.2


F\.l ru ~ mll}"l6toqua crfIi 18 Ille ~ -

• benweoers ;Wbl
l rru:+..a IW1l8wys (iii.
;'l!II"$.t& <li a:x.r~! fI'I.vnorres .A"

- >

LI t~ 'rIduIM . ., dU mime lefIS ~ le COU!1IIlt qullvl •


7. 11 Loi de Lenz cIoror» oaosS4fll»
te avr.t ndud a III sons tel ()l'~ lef'(I a S-QPOOSef i Il
1'a'01lion de !lux qui ra fiiJt llII1re REPRËSENTATlON DE FRESNEL
l.IrltI !.p.re cood~c!rice lOUm.;.1t SUI f"e·même dans un
cra"'ll ma;néllque u~ilorme est ,ge d'une fOtc
éIec1rO"!Ot/lte mdulla

[ do : - l •
,"- --
dl • •
7 . ~~ Componemem en nltematif \
,
,
REPRËSENTATlON COMPLEXE

Imagmaore !
,
v. _ r
~

- -
v

,
o
GROL I'E.\l ENT O' JNDVCfAl\CF.5 SANS Mlffi l:.LU:: I;..DUCTANCE
"
7. 2 Inductance et énergie FUITES OES BOBINES A NOYAU

Énergie emmagasinée par ~ne ind~ctance


W=I/2.L.I t
"1 ,
4>,m<l>f ••
Energie échangée sur une péfiode en sinusoidal
W= 1/2.L/ 1.... No,,,
W : énergie (J).
>,
L : ilO.JctaI'Ice (H),
_intellS1lé (Al.
'..... intellsrtê ma:>:>m~ (A). 4>, : llux de luite rebouclant dans I·air.
0/0, : flux principal passant dal\1lle fer.

7. 3 Bobines à noyau de fer


MODËLE D'UNE BOBINE A NOYAU DE FER
EHes SO'lt essenLelie'ne'lt utilsées trl ~asse k~uoenœ (/ans
:es IiItres d·aJimenla1lOl1.
RIO" f,
':' . 31 Modèle électrique (voir figure)
~'" : résist:n:.e ru fil
de cuilre clXISIitlla.1\ le boboo!}8 (O).
1. : rx!uc1<Y\Œl représoolalMl cil raJ~ cie fUite (Hl.
R.. : rés6taroce rtV~ (le 1'!IISEJltlIe des pertes fer IfIl
L'V' : inooctance rnagrléliSante ou i1ductance pmcipa!e de

......,
la bOOre (Hl,

Les hypothèses de Kapp consistent à cmérar qu R'. et


1. SOOI r.ég!tgeables pOlI" l'élude dl! œoj/.

7. :'2 Détermination des élémenls


du modèle

BOBINE RËELLE

1 -------- 1

N : lIOO"bre 00 spires.
r'
L : MoctarlCe [Hl, • .,-
{ : b1gUEU n'IO'ierJ,'IfJ d'Ille /ig:le de champ (m).
S : SOCOO!I du ro:l)'aU sz a x a(nY),
e 'épasset.J' de l'eI11refer (ml
,
--- - - - --- .,-
"'~
, F
-.

s' ,OOCIJO(l de l'l)Iltre'er s' ~ (a 4e )1 (rri).


+

11o: perméabi.l!é absokJe 4;; .10. 1(Hlm).


Il,: per~:è reall'/e
"

R.. : rMlsISnœ fepféser>talNe de l'ensemble t1es p61es


dans 19 f« {Il)
f .-
,----=",-=----,
......
""'" L I_ ._ ; =_:;_. ---'
U,... letl$ICfl effœœ aux bornes de la bobœ M. 0
p.. : perles fer 1'Nl.

tf=50Hl)
1
...-
o.... "••

III : masse du ncr,au métalfJJe o<w.


B_: mductlOn n'!aXlIJIale adrMSlble par le noyau avant 0
satu'atm /Tl.
80 : irW::ùln A~ est $IÜlèeP(T).
P : 1)IiSSa.-œ des p!Jtes dsslpées ~ ie tq'8U, o:ulées
palles CCWlSlr1JCI9I.tS rw~ IXU' 80 à 50 Hz.
.....
.-.
""'"
"-==---,1 LI _ H "_'7
'-=L=-=----'
0
ï . :n Cnleu) d'une bobine à noyau
l' Ctnsif U'1 noyau el 00 maihiau.
2" CaIoJef les ca'act~tqa
SooI"wosts tomS :
. /_ : CWanl maxrnaI cIIWIS la bobne(Al,
• l : ~ de la bobne (H).
o
;:~~:::::~:--;I LI__'_"_2_J_._~_~
• B_' ndJCtœ ~ admissible 1* le /IO)'aJ, fixée
PlV le type !je 1TIII1/nIJ dnsI B_ < B _ maltYviu m.
• s : sect.oo du ~ (ml).
Ir-..
• ( ;io1luBu' fI'I::7)'eme: d\ne Igne de dIamp lm).
o
7.~ Bobine à noyau ferrite
Elles 50111 très UlI~SéeS. des basses fréquences a~x très
.- /1' ; densiti III
dlnllI~.
_ do' H"

hat.tes ~ Les ctJ'IS!l'I.dEus dImeol généraIemerol MOœLE DES BOBINES A NOYAU FERRITE
le cœffici8n1 cf r'Idt.aa"a AL'

" Modèle électrique (voir figure)


R,. est:nlY8l'll néglgeabie.
COq : capacité entre S!)r'9S <p <IeIriMI pr~te aux
llau:es fréQlIMCeS.
"
RIN : résistance du fil de cuivre conSl~Ua!1t le bcOOage (f}),
R_ : résls~ce ltI!>fés&'ltatr;e cie 1'&1S€!nbIe des pertes.
Les COOSIra:t1US de ferlres 0Cment tan cl = L\III IR",
7 . , Calcul d"une bobine à noyau MOŒLE DE 8081NE A NOYAU AIR
ferrite
0'I0rsr la femte.la foone au noyau. puIS caIo.ief :

Coeff....... d
00 qual~.
de la bobine.
L : ndu::trœ (Hl.
A( coeIfœ~d""n1.darœ(Jii).
N : rorore de spres.

7. 5 Bobines à noyau air AtllIIltion lIIl HF, r Il dépend de l'effet de peau .

Ces bobnes SOO! utisées en Mute ell'tr1lerir~enœ. Elies


BOBINE À AIR UNE COUCHE
sctd <XtISIJtuèes par \Il ~ de fi rgœ, bOOilè sans
a.oJ1 Sl«01 matéoel 00 SU" des ~s ne possédant
aucu'le,,~

Ces SlqXlIlS sm : ~ !é!Iorl.1e rr,4on, le • • le potrsryrène


ru la bakÉjJte mcuee.
, . 'i 1 Calcul des bobines à air
à une couche

8QBINE À AIR PLUSIEURS COUCHES


d. t· M cm f';cw !igtxej, N : l'ICIIIbre de spm.
Nous obtenons \Il roetr~ de Wl8!\SI0II optrnal pour
dit· 2,5.
7. 52 Calcul des bobines à air,
à plusieurs couches j

~O~,"~d~'~'~'_
L" 3d+I(+10.
,
t.,: M cm/YOi lig!Je~ N: nontre de spns.
d.

Majcrer le ~e de spres de 5,.
BOBINAGE It.4PRIM~ CARRE (2 ,,*8$)
Peu diminuer Ct;, late (. e et dl,· 3.

7. 6 Bobines à bobinage
imprimé carré

- ,

Ces toonages sont l.WSés en 1PyperfréQuerIœ.


-
L =0,24"b.N~ .In 'cb
60"",
b. (/Q;d, (cm) ; c • (/o;d. (cml. .,~

N : nontre de $I:r!lS. kI klQaltIJne ",r4é"'.~'


8 Transformateurs SYMBOLES

Transformateur Transformateur à Transfonnat .....r TrnflSlormal9\Jr


dew< ,,"rou~ts do courant ou av"", écran
C'est un appareil statique a inductIOn électromagnétique
(repère du ..."" d'impu lsJons
deslrné à mo(Uier l'amp li:ude des signau~ (courant el du botlinage)
tel1S1011) en conservant la rrlMle 'réQueoœ.

u
Autotran sfonnateur
C'est 00 transfoonalell dont le pl:!laire et le secondm onl
UI)6 partie CIlIT'lIlune. $n
8 . 1 Relations fondamentales

r,:L'Tr+MdT
dil di,
v,,,/dTtdi,
tL,
.,
dl
T ransfonnateur à
trOIS enroulements
Transformateur AutotranslormalelX
/1 coo~age
réglable

01 L,= - -
0,'
L, "
,
.1.i, ,
Li,

M= j (
n,.n,
,,'s
. ~
vT,T;

TRANSFORMATEUR R~EL

m=.!!:~ I=n,
,, 0,
Section du ooyau s (m')

" ..
/
m est appelé rapport de transfCfffiéltlOll,
, ,r - .
- - - - -..;" -;.- - ,, ,
Mest appelé Mutuelle oouction en l1erwys ,
,, .
, -'
,
* ~t appelé coeIflClellt de ~ ci! transformateur.

Lorsqu '4n'y a pas de pertes ~ l'aJf k" 1. , ", ,
LI' rnOClanœ dtJ r;«na.re (H).
1 ,,'M , 0,
L2: Q;:!uctance dtJ secondaire (H),

,
,
,
,
spires
1
v, : tenSioo priToire; i,: COllant p-fnaJf€ . , ,
V2: tenSioo oocooda~e ; 12: lXilKant secoodalf€. '---1.----- ----- J
l' =1' 0-1', -
fi 1 : nombre de sp.res prir:la~e,
02 : nombre cie spires secondaire.

8. 2 ÉQUIVALENCE DES REPRÉSENTATIONS

;.
'. "
,.
m m
• • • • .
• •
0' J\ )0' r0' " "", 0' 0'
" 0'

.. ,
o.
~
M
Transfonnateur parfait
"
8. 3 IMPÉDANCE RAME.:'IÉE D'UN TRANSFOR."'A TEUR

" • j(,~j, - JM~!" ,.


• /u .. !' - IL, ..!,. .
" do., "l,.

Z,
" II!1, oont los"""","",, ~

1°, " 0,1 Z.


1°, " m'
"
... _a _ ",
" "
8. 4 IMPEDANCE RAAIENEE D'UN AUTOTRANSFORMATEUR

. ' -"- ' -" 0-" " '.


" +', " " n2 spiras

,. , , , ~
, z,
--
1o, t .,1' " n, spires •
z. lv; 1°, 'rm'
••
8. 5 IMPÉDANCE RAMENÉE D'UN TRANSFORMATEUR ACCOR DÉ

0, n2 + n3
" m, • m.
1
n2+ nJ " 0.

1.,
L,. n I
0,

0, C
1"
~R c 1·, C·~C.m2
R
~. m'
,
R 1°. ml

8. 6 TRAXSFORMATEUR DE PUlSSAJ'iCE

CO OOllt _ _ .......... " . I • ..œ ... ............,., ... _ " ... ~f/'i ; 1'
1 1 1 _ i lits ~_ do 50 Hl . ~ diuiDoI do Kiofwrtz.

H. 61 MOD!':LES IÔLECTRIQUES ËQlJ lVALENTS


-
.. C,
X. - P2.+ m 'P,. r,+m2rp .. R.

1 " e,,J ." " "

1 0,
, C. R,
'. c ) C,
" " ( )

ModêoHl complet Modèj" de Kapp

'L,.....L" :; lni:Iuctaocooo
' " . - ..... vot nts pr'noiro II! - . (!li.
Nito 0.. prWnoôn 01 _ _ (Jo:
do
R, : _ _ ....,..<lnI*l.. ~Io!wlfll.
L. , _ _ eompt. <li oo ... n! mogniIisaaI M-
c" c~ C, : o.p"'" _ <OfOIIIo dot oapoe/Ii. _1Pf'nS el do 00<IpItf0...-._ "".
.
M. t'l2 Modèle de Kapp DIAGRAMME VECTORIEL DU TAAN$FQAMA~UR
I.B modèle lie Krw JlEWITII!I de caItIJw IaoIemeI lt la cflMI de
I8'â:nseroldaie.
les lryp:JIIlèses soot :
• lB COlmI de magnéhsaOOr'l est œttemenIl1Iérieuf à '1l1;.
• les éfQIeS 'z el f' zS(Jl\ égu.
LI chute dt tension see~ HI (YI :

8. 6' Calcul d'un transfonnateur de "


pUissance R. " '." rr1 'p
O'œr le ma:érJau et la kmIe dJ ooyaJ. les coostrœleln x• .. (th ""? f,.) '"
cXlI.61Im cwactéosttqJ8S ~ pat le r.oyaI.I
• SIICb:ln ~ de WYre,
• b'Igue\J O'\tIe spi"e~, CALCUL DE .W,
• secI(rI de I!r,
• masse du l'O)'au de !Et après ~.'9A
CIw: de la sec1iCt1l11 fer .
• tOM c.a..as '" 1,2 Vs.
• IOle ;. p I)'ÏeIlté s .. 1.8 Vs
•s secbOn cllfer (cm ').
• S llJ$WOI apparenta(S" V,.I,IVAI).
C8IctI du ncrrtre de spres !)'inare el secondaire :

H
_ V,
,- 4,44 .1. 8_ .5
"
o l,
• V,:'" eI&::aœ de la IEI'ISIOI'I M-
• f fréqJer(:t (Hzj,
âVI,,-mV,-V,
• B_ ; lI'd.cb.:tl maxrnaie (8_ <8.)fT).
àV, .. R.lz COS"2" X.12 sin "2
• s : 99C!al dJ rovau (mz~
C3bJs de la seclKlII cIes 1XlIlOOcIEUS.1Is SUl1 eNectuès pOU'
ZONE DE FONCTIONNEMENT
(pJ! les édIa1t'emenls pfimaire el secoola~e SOiE!lt KlerI-
...... T........ secondai.. M

• SI 81 s, : sections des coodI/'Cleurs aux pr,mue et Uo ... '"


secoodare (mZ~ 1.IOU""",

IIO'l'A :
La lImm sa:aidare en chirg8 118 lbllE ~ de >ils de
5'4 de la lens,on nl)(llNIa aïr'! o'tvJler lUX appareds de
IQdD •• 1J'\ rigrme da QEliIU. peu lIm ~.
lA ~ de folCto.ltlii!U cbI se $IlII 'le';' 85 'C.
1,00 fcis la lensicflllOll'fille. Cs:te ltIi4féallle ne 00it pas
.;;w.... 145 OC si rCf1 p::u$I.II rllS'a pi" l,Ili! ~ de
1.5 bs le o:uarrt ~ Pft'dir1Illare..
l '

P.... _ 10 , ..... cootinoo lIIOoriqut dispon ....... ,Mt.",.m _ oIIomoIIOI rlliIr"'1': iI_ ............ Il _ ........... ~
Vi . 1~ 1 1, III po...., . _ do - . . . .. . - dt .. _ do _ _ 10 pool do - . . aoiI_l __
'l,m)_!.t2v ........

.... ........... - .....


• "UVA
. . . . . . IOYl
l ...... IOOWA
---por--. I,.,..._~_

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••• 0,125
•••

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T_ Ph ;
hl .2. f : h 12 :1. 15 :1.11 ;1> 1'Y.
T _ " " " : DlY.
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1011·\0,
•••
, lll!
".
V __ ,,,VIo. "'l"
00""
)O _ _ MYA.
0'
"
8. 8 Transform ateurs à noyau MQOËLE ELECTRIQUE COMPI..ET
ferrite 1
O!s trcrOOiie:tuS 9:J1I \.ÜSèS p:u ~ les ~ 1
\ c.
8. 81 Modèle électrique équivalent •-c,'. '. ---.l '.
c, z.
Les pertes 0JeS 8I.I11Oj'aI.I Itrme sont très Iai)jes 1* rappI)'1
iIUl roya.JX. de 'Er et SCtIt Sl).MY1t ~,
1- R.
IC
8. 82 Choix du transform3teur /m\
ChoISII' le l\1lt (le falr;te et III bm8 dl ~ r,.. '. : rMIstances pnITIIIh fi! 1MIOOf>deInI.
(~ : inductance dt! futte n6glogeable pour les pots fllrlTl6s.
m, el L, étarn ixés 1* les condrllOOs exteneues. caiCu!e' il
LlO : Irductaoce due tlll magnétisation du noyau (H).
lDI'tIre !le S!)'8S au pmwe et au secodile R~ :.-.stanee $ymbollsant IIIS pertes CI_le- fer !rI).

~
Nt: l'IOI'ftlre cie S!lRS au pmIiII'(! p . . . f . vaI.p: p&rtet fer
Ni = !!. .10"' L, ~ance cil IJITl8>fl':HI vol ; volume du circuit magnétique (cm\
AL A(:WIIbtottmib\.dal~I), p : puisunce masalQ<.des pen.. (JLW/cm~1Hz) pour B ""'.
CI' C2. C~: e.lpacll6s dUM aux tpI_joIntw. et au
Vinfief QJ!I rm n'est pas à salJf310'l' l'aœ des cc.tbes
cooplage jrtr\Bb'e secondall1l (utile III! HF uniquemeot).
desat~ratm

1 es! possèle cie ctangtY il. !!li iltroô..lsanll,l'l


c.w., les sec!oInl s, 81 Si des ccrd.1detr.l du ~ et
enwer .
MOOe:LE B..eCTRIOOE SIMPUFII< AU PRIMAIRE

,.
1-
3m
.","''''''
MODE:LE I<LECTR!QUE COMPLET (tnInsform.u..... ..,
8. 9 Transformateur à ai r
Ces ~ sort I.dsès en haule el hyper t~
c,
Ism ~t.ésparl,l'l ~ da iii rÇiI1etx:llnsn
8UClJ1 stJWIJ\ malén8. 00 SU' des ~ ne ~rt • '. '. •
awJlfI ~é rr-,ap1Ql,le /IttO'I, nylon. ~e, u. l', c, l,
1( ) c''1' z..
8. 91 Modèle électrique équivalent
Par les très Mutes f<éqaeoces, r. et r. SOO! détl!'1MeS 911
/m\
le1irI l;OO'4JIe de l'effet de periIJ. En ha;!e ~éQlI!J'Œ el po.I
\Il rarbre de spqs rest"Mll. f ~ 8t ri !OOl négigès
C.,. es! utlW pour modfs les trar.sfortM:eurs dans les
1réQl.elces >fQCtes de la ~ cie rés:tmce.
Il . 9:! Calcul d'un transformateur à air
.' fc. 0;;,
MOŒL.E IÔLECTRK>UE $jMPUFIE; AU PRIMAIRE

JI' C._C,.m',C,.C",

le 'mbre de ~es pnnare III seconŒIi'e est cab.ié à !'g


TRANSFORMATEUR À SUPPORT BAKE:LITE
des raaID1s ruilée> dn Il maplue SU' les ird.I::tn:es.
calcul de la • /IIJtJJ8Ie f'dcta1ce • prIT'ôIQ. secoodaIe iMI.

(n, +n,I' 1, - (ll +LI)


L, = ,
iii'.
1 l l "2M t L,+ l , •• 2

L, 81 M: irl~ et root_ O:!\I:;taNe!Hl


8. J () Transformateurs spéciaux TRANSFORMATEUR FI
, , PRIMAIRE
LE RAMEN AU ,
R. IOI Transfonnateurs A
• ,,
) ,,
Un transfonnateur FI eSI 00 t'ansformateur accordé SUI'
455 kHz OJ 400 KHz. pc 5sU... III w:r........ cie auaotU ces
~ lie 0 z 10081 ooe ~d'9:lIréede 20 kn,
Ces transfOfmateUfs set\tent de lia:son ~nlre les étages
•'.',
,
,
C

"
N

8:~
,
,,
·~O t",c O~)c·
o.ux posslbôlilés d 'enl"'" R,,: ,"istance d.... aux
ampIif~:eurs, Grace aux pots fermés, leur roefficjent de
(V. O<l V~), pertH 1er,
ccqlIage Kest l'CM cie 1. C: etapacit6 d'aocon:I. m, • Nin, m ", n2ln"

M. IO::! Transfonnaleurs d'impulsions MootLE ÉLECTRIQUE CAFlACTÉRlSTlOUE


SlMPUFlIO DE SATURATION
Ces t~a.rs SCtJ1 0'Wgés cie transmet'Je des trar'IS
d'l1l)Ulso'Is, • Iaut donc évrter tous es Il"éoomènes lie
sat\n!I;)O mago iMqJa 'f ( <fl,l,
• ,
J • '.
les~ ne d!l'VBll pasf,.(c:ant cie sallratlCtli
rras ils Ornent V~.I~ f\'l8ISlJ'é à '/Ide
... "
(V'l's)
m
'.
MoœLE IÔLEcmlQUE CONSTRUCT'EUR

(r p + ~)Lon C.
Is IricisMl égal!wnenl
L~ :~Itman(HI·
'~, ',: résIstarœs dIS er1'llIirnents pœltIIe el secoodare
t '. (
\
)
j

RL :réSlstarœclechatge.
L .:~cleU1eprmwe. J m \
T, ~ cie mootee. trmor'"oateuàBgé pif RL' a 70" L" rTI8$I,O'M è 1 kl--Il.
lie la vaI&.r de la llIIISIa1 cie r~ (,.SI, LOO' mesurW l 10 kHz. m. RappSP
U.. , tfIfISICII rnaxJlIaIe lie serVœ adms.sibkl, C~ : capK/t41 de couplage, {rapportS de spires),

TRANSFORMATE URS D1MPULSIONS

.YIT!l~

,....,.....:
!OOYIT2Q,NJ,2"'~ '>'P ,
710Y IT MI, MI, MI, 255, Z5It. ~ ..... l!X1 ....

UK'/IT:n1l
U K'/IT Mt. Mf, Mo MI, SI, !SIl
-i- Ci
~i
, n""""Mo"
,_",_T,U" 111.5 Il.3 ,
1.1I1T t4Z, Ml Mo:M1I
_IIIT:MI, *'
10 IIIT a:nll-
SI,:!SII
'>'P ,

,
,...... "
9 Quartz SYMBOLES
Cristal Cristal Cristal
Un ~ est ~é de si::e CJistalisée (S-0l) et possède piézo-é!ectrique p;ezo-électrlque piézo-électrique

+
è 2 électrodes à 3 électrodes à 2 paires d'électrodes
œs pr~tés (!!éz~trQ.JeS.
1est scunis à deux eFets :
• l'effet pi€zo-élecIJÎQue direct qui crée une polal~tioo
éiedJtjue 91 ses faces Iorsqu'oo ü appIlque ~ OOltramte
y 11
=
TT
MONTAGE O'UN QUARTZ
mécani::lue.
Q
• j'ellel P1ézo·~ecIl'QtIE! 11VefSl! Qui crée un.e déformatlOl1
A, A,
mécani:jue ~'oo ü awlK!ue III champ éiectrkjue.

RtIWlOOE,

La combinaison de ces deux effets peut provoquer, pour


certailles fréquooc%, des phOOomèfles de résooal'lC€.

A', A, : dépOt métallique


P' , P I : soudure à l'étaln
Q : quartz

-
9. 1 PRINCIPAUX MODES DE VIBRATION D'UN QUARTZ

" ,0 101100 ldIz

Points nodaux

, A,,,, éL'-t';:;P
, p
100 01000 III>
~\
Point nodal
, ,
~ , ,
"
Points llOdaux
,,
Z CT,DT C1t or " . " ' <11_
do
Lam" carrée Lame ronde
150 i 100 kltI

11 100 lU\l

"'" , AT,Bl, Fe,se ~d',,*- r~p',~n ~_~~-,::S-


~ " ""-'Q

:_:-I"
----
AT,l1,Fe,SC "~;-.'_.oI.r..........
- -:_:= --~
= ""uaux ~
f - -- - ----j " '", HZOOOMH.

10 I lCO MHz
"
9 . :!

,
........
MODÈLES aECTRJQUES DU QUARTZ

',, ' " "1.,,- .. j X, R

~
, +C,
'.,.
. ,- C,C,
C, • C, c, "
R,
- 'Î ,•
Roi '

-", .' ., -f" .-"


~,
R,
'1/
-
"
1
'" '" K.

o..u MC capllCil6ldci1ioo.........
,
'., . IX,
C, ICo·C,j •
", " c,·Co·e,
',,' '.. c,
c,

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-.
".
~"'.'~ ' c.1

',, -f..
'. ,
"
R,
-
1/
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tIC,.c,)
t c,
1Uttz..., ""** addlIiuo ' .. ponIIiII

'.. " " IX,


, C, •
F" o f"

~.. •,,,l,IC,+cd , C, C. " , ~ '" ,•


R,
-
-'" . ',..-1" .-"
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C,: ...... do .. _ _ fl.
C ,: ~dolO_""-fl.
L, : .... ,tao ....... _ _ "'
., ,,'iii ........... """ 1h F"
'"
'"
'".!!.
,
:~ ! :
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;_1Io~14
dol'
do ii -_......
... poiIIo ....... lfll.

... por,-,H"
C"..-iII_....... _1fI.
"
9 . 3 Caractéristiques techniques BoiTll~S

9 . 3 1 Incidcnce de la tempéra ture 4,65


!:E.. r "2' 1""'
Les ~..es de réSml"1C9 sene BI pa'a!lo!Ie. ans; lUI! le<
paramè:rESL I. Co,Relc.l'<liootltlfm::to1 œ ~ t~. ,
~l
~L..
~f 't:,. '"
1
i,
-
Pour lSJe CfWtl A~. J100S avons ~9 .
13,47 ,.. ,\3,47•
0,084 ... ~ rC·'l He 16/U . He 49/IJ
,...
al;

, He " ' "

81: 10
\'a1atJdel'~de~,
':'C-
6 tempfn\1n (.C).
9 . tern;Jè'a!~'ed'(1verSlOl122 'C < 8, (39 'C
- oT
t.f. ,: v3rl3:K:1n oa Ir~ à la ~uenœ' 3( :;}
- -,~1 0
{) . )2 Vieilli!>~cme nt
(coupe AT)
du quartt
• •
BoitiEt il souilre éledrque : 2 il 5 ppm.
... ~30L-9,70
Setter V€ffe : 0.5 a 2 ppm HC 27AJ. HC 33/tJ . RW 33

- ..
PRi;<.C1PAUX ~tODt:.I"t.s
9. 33 Chocs el vibrat ions
.:ICI ' ]" .................
(coupe AT )
CIlOCS too
g, demi·SI1usOid<. 6 (\IrecliOnS...'le fOis par
.."

•• ..., ", "


DCII . . . . ria

d'[ectlOr1 ~,.

~ ,.
V,OIO::;.rS 1Ct 1-2 - 500 I"z. '0 g. 3 dorec:oons, 3') I!WI pa' œ.,
1,I·2!! RW.JI .. RW·3r! ~'31
d reçtion. œ~
OB Il'-lil~
Résultat Mlf ~: 5. lO"~. R(20~_
OB&Ill6li

9. 34 Niveau cl"excitation
Il correspond à la puISSance diss'pée dans le quarll. Le J ,,. lIW.qto'~
~w

œ
_
œ.
œ~

rra Ifl~ ~ 'le r;<iS 00pa5Sef eS! ~a~1l!11 00 0,5 rr',',

9 . 4 Choix d' un quartz


...
,,.
,
!lt-tfMl ... "
1IC·1W "· '!4
œ~~

œw
l.Xl Cl\.Ia1z est défwll par : "" RW-33 "" 1IW....·11
œ.
" 1I·1S RW-IJ 10' 51
œ ..
• sa MIq.;erœ 1'\CIIT1mIe.
• SOO 1'yp!! de :onclXroel'lle!1\ !seœ 00 para41"1, 1 œ~,

œ_
• son mocJe de fcœ\Jcmeme'lt (foodameo:al, parüeI 3- 00 5.
ere.j, ......"" !lC-UIIJ ... "
ItNW Io' 101
-
• sa tolerlf1Ce (en 10- 6 00 PP111.

...
RVI-33""IIW....·31 ~ w

• sa galIlT'IJ: dl! températLl'e5 d'lÜSaOO1. ~*


• sa ool'I'e ma.xfIléIIe de lrèQuenœ en temt>eralure
• RW-IJ Il' 51
~ ~

• SM oottef (métal Oli 19'I'e ou <OXlI'& CMS;. J ...... 1Ie·t7,u ",'II


œ~
ce 641/643
• sor Ü fJ:iernenl, -
• sa résrstaoœ au..: dIocs et Vlor3tlOl'lS. ttC"1W ". ID!
)(W 33 (RTe)
ToI6o a a c. c, ,

."..... " •
• •

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• • • < • U 'fi"
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_' •.-'100,......
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""'~

IIIlIII

__ -----.:=-_l.::::::::::~~~~__~_"-'___'
..",..,. i r I : _ _ _ .. 'ClIO ......
.
la Diodes SYMBOlES

Une d ode esl un composant non cOIluôlable à sem,- Variant. 1 Va-lant.2


COfOJCle;.r,l)M'nenantla Cl'culallOn d"'n lXUarl! dans III
seU sens lfooct,iomement u'idl'ectloMe~. 1>1 ~I

10 . J Caractéri stique directe CONVENTlON


eo.,..a'lt chCIl~ (A).
Cathode (KI

'.=1 .. (,
'.
", -1) 1>1 .
1. 1

1.: oo.R1I IX! satU'atx:tI i'l'Iefse (Al.


k . coostanta de BoItzrMm 1,38.10. 23 J.K- 1 CARAcrtl'llSTIOUE
Q : charge d'un électron 1,36.10'" C.
T : t~atLl'e(Kl,
VG: t!W1$lCtl difecte M. '.
, : coefflci,:I! de matÉn1U 1< ~ < 2.
Vo:tMSoal oe SIÙ(VI.

IEMlIIOB :

• '. est PlllIlQllClIiIlIll Tl, 1est de fmi"e de 100 nA.A 25 'C.


• Vopoli 111 Sl.bstrat de sbIn es! de 0,7 V
• ,poli le skun est de l, 1 (!êpEn:! du serrv-coodudeur
el des rordtoos de fonct!orœrJoot .
• POUf III courant constant. la tension directe varie de
-2mVrc.

10 . 2 Caractéristique inverse
Ni ! 1 en fflerse. la Ifodt attenlla ll:l1e de ,,*,gge, le
ca.oe s'~ lXlIJOe de Zaw. kris le COJde, le COlO'lI
aug'1'lel1!e uès Vile, c'est le CiaQUage de la fOOCtlOl'l. Ct
p/lêIlOIloMe n'est P8S desIrucI~ Si la terrpè'atm Imte cie la
jI'.r(:b:in n'es: PIS atlEll'lte et SllIUCtlII ale éIectrqJe lIB s'est
~ MW de la ;:n:t1OO.
Dans les utl~satlOnS 1JSU9Ies, cette zone ne oot)amaJs être
aUerl!e, les COOSllUCtl!lXS la spécifiel1t par la valeu VA ou
V~
..
1. 1 MOD~.LES STATIQUES
CARACTtRlSTIQUE PARfAITE CARArnRISllQUE IDËALlSŒ DIODE SANS RÉSISTANCE

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CARAmR1Sl1QUE RtEl.J...E SI!>lPl.IRŒ

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MODÈLE DY NAM IQUE
POL\RISA TI01'l DlREC'T'E POLARISAllOè'llNVERSE

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JO . ~ DIODES ET BRUITS
BR UIT D' UNE DIODE PASSA~

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MOOaE I!QUIVALE..',. DE BRUIT


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10. 6 Diodes de redressement CONSTITUTION D'UNE DIODE

10. 61 Différents types


On distflgve :
• les 00jes oomaJes polf le redressemoot 00 secteur.
• les li:xIes ~s poiS les alimellta:ions à d~ge,
• 1es!Xdes pro:égées an avalarlctle poiS le sectllU' 50 Hz,
Silicium
• les OO:les ropi6es protégées an avalanche.

lQ . 62 Symboles
Minuscules: pa-ar'lêlres 00 tisposltif.
Majuscules: pa-amètres extérietxs associés au d1SpOSltlf.
SYMBOLES
Indices des symboles
Minuscules: peu les valeurs de COOlposantes vOOables.
Majuscules : polf les valEus coo:nJeS ru i'lsIaltanées. '" 1

F, t : clirect ~00\IilI'cf).
,•
R, r : l'Ivt!fse (rB\lefSeI. ':y /~ " ' 1 > ,
,
AV. il'I : valeur mootenne l<M'fage).
M,m ',~maxfna'€ ,
y'
OV, (Ji: vaw dt! surdlarge prév:sitNe 10YetI0acfl.
Rm : ~alelI de pointe répétitive.
SM : l'aW de SUfC"WgtJ accidentelle.
Liste des symboles
Vf : tension (!irecte contJnue à l'état passant.
Vf~ : \eIlSion tirocte c:Ie crête.
VI~VI : tension drecte moyeme.
,
o
V~ ; tensoo iTverse con1i'lJe.
VRY : ten$lOlli'lversedeaête. GROUPEMENT DES DIODES
VRS : tension ffllWJ de surcharge, Ptu obt(ri' ln! plus "mde Intensité, les diodes sent montées
en paraIèIe av9C deIS éléments ré!;istjfs de taü! vaOu poli'
VRYiM : tension II'NeI'se de crête ITIaXir<Jale.
~ les CQI..O'lWttS.
VRIW ou VA'Y : teosoo i'Nerse de poulte répétlt~'8. ,------,----,----
VRSM : tension fwelse de lJ(iIte non répétitive.
Ve~ : ter\SlOO de claauage (BreakOOM1).
If : ccuant dlec\ coolinu.
Ifw : ccuant di'f:Ct cie crête.
IF ,y : ccuant (j'set de çOOte répétt~ .
If'O~1 : COtn'lI cli'ect c:Ie surdmge prêl1sib1e.
Ils : courlllt clifecl c:Ie surd1arge. ~ pou' hautes tensions P 1 200 V). On monte <*;
diodes en sér1e fMJ(; résistances (_ 100 kO) et ctrdensateu'S
llSU : COlI<I1t <iroc\ JlCfI répé1lt4 de Si.l'cIlarge aœiden:eIIe. p,1 fL9..., dérivation am d'équiIiI.:no' les toosioos Inverses.
'0 :COU/ant rrlC1)OO redressé.
IR : COU/Mt frverse conti'lJ.
'RM : courant i'lverse de crète.

10. 6J Critères de choix


Les ~ux critères de choil: $CIl! :
'f, IFRy , ' FsM , \lRR~' \lRSM. \IF, RtI\lC.
"
10 . 6-1.
10. 1...
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'
DIODES DE REDRESSE.II.1E.''T STAA'OARO ET RAPIDE
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SOITIERS

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civci
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9,6 max
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10.3

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"
LO . 7 Diodes de signal et de CARAcTËRlsnauE A LA COMMUTATIQN
commutation

On différeoco& les diodes de redressement des diodes de


commutation par leur temps de recoU'/remem direct el
r - - di.
i1verse. lorsqu'una diode conduc1 (!ans le sens d~9Ct, ~ .-h (po,lntll de décroissance
dl du courant)
ro:œs de porteurs mmritaJ(es se foone <le part et d'autre de
la p,cbon. Si 0Il awlkrue alors \JIll tension ilverse, la diode
• '. •
ne se bicque pas irrmédiatemen\.
le temps de commutalkln : arecHrwerse est le temps de
r(!l;Ol/Yremenl inverse (III)'
Poo les mêmes raisons, à la !T'ise sous tensioo, la !iode ne
répond pas U'flmèdiatem&11 à la rnootée du signal ~
~-_ . ~
Q
-----.---
Le temps de recouvrement direct llfl) ou temps de
montée dOit également être très laible POUf redresser des
5.'QIlaUl: Cie haute fréquenœ.
DIVERSES FORMES DE RECOlNREMENT
Peu les 00:les r~, œs taTps SCfII de l'OIG-e de ~
Diode à remontée rapide Diode à remontée progressiVfl

"""""'"
le courant de recouvrement inverse (i,,) et la charge
(snap of!) (soit

"
reco~ ery)

r&CouvlN (0,,1 carocté!Jsent également ces !iodes.

'. , '. ,

]() . 71 DIODES DE SIGNAL ET DE COMM UTCA


. ;T,,'00i-Ne..,,_,_ _ _ _ _ _ i
f-------t- ""
-
-,.........
"""

-
....-
-
[(l . S Diodes Schottky SYMBOLES
la tClnCliOn de ces diodes est réalisée à part~ d'l)I1 SBIl1I· Variante 1 Vananle 2
cco:iJcteur iii type Nou P et d'~ métal. Les caractéf~tiques
i>l: ~
ccuan! lenSioo de ces 00des ont la même alkJre que cele
MS diodes de redressemel'l1, mais pœr un même courartl CAAACTËRISTIQUE COMPmE DES ~ODES A JONCTION
direct, la 1005I00 clltlC!B est pM;s faible. De plus, du lait de ET DES DIODES SCHOTTKY

l'absence de courant inverse I~ de la commutation, le


IN
tOOlpS de r9COlMM'I€lII I'rvErse (t,,1 es! ~t ru .
10 . 81 Caractéristiques
""eo
• les caractéflstq;es statIQUeS son1 slnia..es à la d:O<Ie (le .,
SIgIlaI,Ia te!1sOl de m VQ est de 0,3 V!JMrOO.
• Les caraclellsbques dynarruques se détermineo11 de la "
même façon que pour les d!:ldes de SlgOaI.
• Le facteur cie tJurt F est plus faible que PJlI les diodes
'"o •.L-c-:'
cie signai, du fait de la PlCtiOO MBtaI·serni-ccojllCleu. o 0,4 0.8 1,2 1,62M

DIODES SCHOlTKY

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SOT 143
1.9
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0,3 ~ o,,·!, P:I' ,~
1.. ',7 . 1 'lO,48- S,1
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SODBO 3,3
"
10. 9 Diodes varicaps SYMBOLES
Les va ric~p$ som des docIes à capacité variable.
les n ractors sont des diodes .il capacité vilnab le de f>11
puissance potr UIIF 1250 GHz),
Utilisation; f>1
• Accooj 00s circuits osQlIants en HF. -+-
• Cootrôle automatIQUe de fréQJenœ.
10 . 91 Caractéristiques statiques VARIATION DE Cr EN FONCTfON DE VR
Sirmaires aw: diodes standard (redressement).
C
10. 92 Caractéristiques dynamiques (p'l

Une 1000Ction polarisée llI1 sens rnrerse présente une zooe 80


œutre isolanle 0001 l'épaisseur est fancnon da la tensIOn
inverse. Certe zone joue le r6re d'(I1 déleciriqoe el a un effet "
.,'"
de capacité. La capacrté de la dIOde dépend donc de la
tenSlOO Mrse Vft appiquée. 40
30
~
,
,,~

"la ",
o1-~c-->:":'':~~:;;==;;===;:==;!~
r~blll",
"M
CI : capacité à la ten5iOl1 V~ IF). 10ro ro m
30 40 ~

C~ : capooté de la i:;n;tion non p:lIansée.


Vo : tenSion de sauf M 0.3 Vgermarium, MODËLE tLECTAIOUE COMPLET
0,7 V siJicUn,
l,IV arsb.re de gafun ,• R• c,

'--
1
1 : factllll de forme 0,5 potr les;oncoons ~les.
,, ,
0,33 pour les jondlOl'lS 9"acUilles,
) 0,5 poules jOIlCOOns ItJ'perabtuptes. ,
.. _ c ·- - .- ----- -
le coefficiffi1 de Me'lSlOO de la diode est :
R,
C,
,,
1

"
f : fréQuoo:;& (HZ).
R,: résis'Jtnœ SÉrIE! rue au semi~fU. Cer.e rési>tance UMITES D'UTIUSATIQN
déctr:it b-sqll8 VR ill9flEffie. ,
le rapport C _IC.,,~ permet d'avo.r l'écar1 utilisable en
mocUatioo de fréquence.
',. ,~

la irrute d'utisatiOrl est fixée par VR(V BR < VR< VQ).


'M 0
, ,
10. 93 Modèle électrique équivalent
g se caractérise par :
)
Cr: capacité à la tenslOI1 VR[Fj,
Cp: capacité parasite inhÉr~je au rTlOI'ltage [Fj, 1
"h ~
J, : il(tiçjilflC(l due au type de monta9fl ~, ,~

RI : résistance de fuite 00 condeosa:etJf IIlI,


R. : résrstance séne rue au serru-coodoctOO'.
." "'
DIODES VARICAPS

, '"
, '"

,
012-. ....... _ _ ;

T092 SOT 23
"
10 .1 0 Diodes Zener SYMBOLES

JO .I OI Caractéristiques
Dans le sens drect, celte tliode COf"IdOO COI'Mle ttI/l <iocIe de
red ressement, (!(ms le sens inverse le courant reste nul
CARACTËRISTIOUE STAnaUE
iJsqu'à la tE!l'lSOl Vz de ZMef. pr.is cette tl!llSlOllles1e prat1-

'. ,,
QUeme!\1 i'ld!'!pendal\e !il couran1.

• La tOOSlOO ZEœr, en fonctKl!l 00 type de diode choIsle, ,, 25 oC


peul varier entre 2.4 Vet 270 v,
IOV,

,-" ,.,---
"
• la v;YiatOl de la catact~ en 1onctoo de la ternpé-
ratlJl'e se rait ~ rf(IpCI:1 à l'effellJtisé ~ le daquage de la
jcœti::n
• POlI les lensJOOS bœr de fortes valeurs (> 10 V). c'est Zorn>
l'e!fet d'avalMche. d'ut~i$alion

• l'ru les lensR;ns ZIlOe( de fables vaNS (de 2.4 Và 5 11),


6 C C
c'est l'effet Zener.
• Entre ces tensions, C'eSll.1'19 corrtJNiSoo 00 ces effets. "",. ~
"
'et Zenw
prépo défar·!i

1O . 1O~ MODÈLE STATIQUE

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• • ' .
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A
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R,
" -

R, ~ .iV,
.... M,
C'HI ni ...... do _ do . . . . v, .. """ ftO< _ . - - _ R"
En """ ..lion . , . - rio:optoII',

10 . 10.1 MODÈLE DYNAMIQUE

R,
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C,

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C,
"'" O,25W --

"'"'"
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1.01_ z-_ Y" ,y OM!" _ ~ l1riobIoo.
" '" "'" "'" M
"
IO . IW Diodes Zener et bruit BRIJIT D'UNE DIODE ZENEA
les diodes leMr génèrent une tensio n de bruit parti·
culièrement importante.
'. E' ,
,
Ez" 2QRz1o
,
Q : t .6.10·'1 C/J'JombS (C).
RI: résIStance i1:eme (fi).
,
'0 : COOfoot dans la dicde (Al, DENSITÉ SPECTRALE UNILATÉRALE
E, ' densité spectraM:! 00 bnjt (y 2rl1z).
E:(v"IHZ) ,. 260j1A
Les db:les de réta'errce à Jable te1Sicf.l (VI < 5 VI sont les
moins bnrfantes. 10-10
10- 16

10- 17
10 . !O5 Coefficient thennique
10-
1
• L_~=~~_~~~~~==_'~'
1 2 345 10 20 30 50100

SYMBOLES

... Vil : owiatlCW1 cie la te1Sion de Zeoer poi..I' \Ile varia\oo de


tempérallxe de à T,
a : coeffiCiErlt ttJErnllQue de tOOSion ('C·'). Vn V2I<
'. '. " ,~
,~ ,~

1 existe des diodes cie référeoœ de t€frSlOll compensées en


tempérabe. elles SO'lI constituées d'\Ile dicde poIansée 00
'n
direct, oomle V, diminue de 2.3 mY par Degré, et d'une 'n
diode Zeoer dooot le VI augnente aI'eG la tOOllérature.
,~

EXEMPLES D'APPLICATIONS
Hl . I{)o Symboles
V A, V R, RI li:

::"! 1~: :In!"


Vf: tenskln di"ecte j):)IIr L(l coo.rant cfred: " M.
" : coorant li'ect J.X)UI une tEflSion di"ecte Vf (Al.
VlI : t~ de st<ÜS8too peu le '11 M.
'rr : coorant 6e stiliisation (Al.
Rn : résistance différootiell! peu 'n 10), Montage de basa Double s!abilisation
:
'l~ courant de mesure darlS .:a régll)1 du coode (Al, C""etloo d 'un seuil dl! tension
'lX : ~tarlœ différentielle peu ',~ (n), •
avz: coeffiCient de t~atLXe.
'R : COlrant ilverse peu VR M,
VR : tension de mesure 00 lXU'ant 'R (70 %de VII M·
'Vol : valeur imite maxinale du courant stabRsé (Al.

Le clloix d'!lle!iode stJJiIsatri::e se lera en foo::tiCJl de la


eomm.""
tensil)1 il stabliser (Vn ) el du courant traversant la diode
en I",ison en décalage d'échelle
{lui SOlI de ia ~ssanœ (Pt! dissipée P<I" la 00de.
10 . 107

-
DIODES STABILIS ATRI CES

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"
10 . 11 Diodes Tunnel SYMBOUSATION
Les cIiocIes T~ sont des jooctlQt'lS PN Qui uWiSeI1I I'eftm
Tul'V)8j pouf obteor lJI1e réSistance ctyl\amque régôtMl.
• ,

10 . III Caractéristiques statiques
CARACTERISTIQUES STATIQUES
1~ : oo.rant de PIC " 1 fi\/\.
- - 100 C
l, : rosant de ~allée " 0, 12 mA.
1 T ~ 25 °C
Vp lensiOf1oopie-65mV,
V• . tensroo (je \'allée • 320 mV, :, ',-+7:- Zorwo " fh'SI~ e
VFi : tEllSlO/1 d'égaie hautE!..f" 500 mV. '. -- ~ --
, -~
dynam>qua négat,ve

In . ll:! Caractéristiques dynamiques '. -


"
- - - + -- ~ -
, , ,
--+,
(" : résistance ctyna~ typiqu;! " 140 n. TensIOn V, V.
C. :capacilédejo::mctOO·4pF
f, : fréquence de COlJjllt8 typique" 2,5 GHz.
'.
1O. 111 Fonctionnement en
amplificateur FONCTIONN EMENT EN AMPUFICATEUR
La clio:xle est pojarisée par 1'i'llemléd~~e cie l'MJCtarce L CI: condensaleur de 1~lson
et (je la clwge R<n au pocnl de fooctiooneme~t Il,, V,I : en
pr enant une resistance dyram:que de 140 fi a~ec une c. ,
résistaoce de charge de 220 fi, I)()(IS obteoons:

G" V,.. R", _ 220 "2,75.


V, R",-R, 80

1O . 11~ Fonctionnement en oscillateur Modèle équivalent petits signaux


la diode es! polarisée par l'inwmédiaire de R, qui est
déco!.plée par Co.: ,
le schéma équivalent montre la mi se en para!lèle d'une
réSlS;anœ R, ~ est la résistance pari)Sjte de l'in~JÇlar.ce L
avec la résIStance - [nde la dooe Tl.fIflei
FONCTIONNEMENT EN OSCILlATEUR
',R
R~. --­
R-rn
St r n< R. nous avons cIémarrage d'osci:latlOllS à la tréql,er.ce
1
'o · 2"v'IT '
10. 115 Exemples de diodes Tunnel

- ,- c R
"
Il Transistors SYMBOLES
Transisior NPN
bipolaires
1J1 trMISISIa' CtII,W1e lrOI$ CO"fIQXIOflS :
rémetteUf e,la baH b, la coliecteuf C.
On ostngue tIM typeS de transastors QUi diflèret1t par lEU'
--<
Tr_~ tor PNP T•."sistor PNP lvec collecteur
."'16 .... IX>ltIer
structlJ'& :
• la trarlSlSta NPN aw IeqoeIla base. ZCfle de type P, est
Sitl.Jée litre deux lM8S de l)p8 N. rémette\J' elle OOiectEU ,
• le lrwIsI$ICf PNP cIIIlS leIJIef la base. zone de type N, es!
--<
CONVENTIONS
@
située tnre deux zones de type P
La lIèch& SIl' le syrOOoIe Ild~ue t'~l1eur et le type de
• •
lra1s:s:«.
La tra.'ISIStOt' est !,Il sem-alfICb::IlllI' cœtTôIabIe ~

dew I)pes de kn;ti(ll"~TIE!t~. ~ foncb:.mement bIoQJé-
saturé et l1l'I fonctlO/Ylemel11 en ampll~icaleur de courant
(Iollc:ioI.1EW!leI ( 11éafe),
CARAcrtR ISTIQlJES O' ENTR~E (2N1711)

Il • 1 Caractéristiques générales '. '" / ; 1

. 11 Caractéristiques d'entrée l b
(V be )
la ~/I (V...) est dcnnée à V.. CCIIS'.n hors
/
./
sallxaLoo.
VIbo eslia ten50l de daQlage tlmeItaf·base plU 1; : O. 1
V~ es! la len5O'l de claquage coIectu-base peu 1•• O.
(Utiisatoo posslJIe en Oiode ZMef.) CARACTÉR1STlOUESOESORTIE (2N1711 )

Wsq:e la t~ature augmente, la tensi:ln (je sail dilInJe


de 2 m'Ire potIle s.i;io.m.

[i •
(V..)
., Caractéristiques de sortie l e .-------)/1
'e
La ~ IVct) es! 00mée Il 1. œnswt.
la cn::::erlSl4Je 1 CXllquld li III nnttage ru la œse es1
reliée ch:IMWIIi ,'Mlett!u féW bk::Q.Jé.l
la lenSi:x'l tIe 90 V correspcWld Il U'le Isnsm d'8'f.l1a!1che
dreçte(V,,",~
la t€fTll)éfatlXe a pou' elfet de trMSIatEJ vertiC3lemen. les
C&'aC1~qJeS honzlYltales.
5QV 90V
'"" dolb:e lMIes 7 'C polK le siDJn. (V_) Veoo
La tension d'avalaoche dlfl'llnLIe en fOflC~on de la tempe-
raIlle.
Il • l _~ Caractéristique de transfert
"
AMPUFICATlON EN COURANT
/ , =/(lb)
La cncI(nlliq,Je de transl€l'l petmeI de dètemnr t ' .
flCatlOll en ro.tan1 ~,
" '",
l, .. f (I~)

VooECte
BJ - 2S oC

'. :COlB1IcoIecteuW·
I~ : COI.flR base tA),

• $VlWlede 100 %~ " 'Iiria de 10- 1 à 10- 1 A.


• L'~tb'len ccuant paugmente de 1 %~ ·C.
......,
Le coetIicient d'~ entre " et l, 8Sl G,

l,
a" -
l,

Il . 2 Courants de fuile
LorSQue l'on alimente la jMctlon collecleur base, on
IXl'IStat8 1'eJQSterœ d'lII ~ de h.wte '.. (1.... 0,1 pA
peu !JI 2Nt7m
RelatIOn entre 1"", et 1"", :

l, = Pi, +1...
,
I... ,,(P +1)/...

11 . 3 Relation l e (Vile) grands


y
~
1 E,

sIgnaux
Cene reIatJOn est appel! ereIatJOn d'Ebas-trd.

'.
RELA11ON'e IV".) GRANDS SIGNAUX
Soct*na d 'application
l," I,(e~' - 1)
l, = POl., R

V,=,-" v, ,, 25mV6300K•
• E,
l, '<10 nA.
k '1,36,10·Z\J.K· 1,
q,1,6,10·'IC, E·I
T : 19f'!l)érature IK).
t < ~ < 2 : ~ coeffICient fonctiOO de lB geométrl& de la lorwque V... > 30 mV,
,:wldial, La ~ 00 t!JTllS, OIIIUse ~: 1.
"
11 . 4 Transistors en régime de ÉTATS DE FONCTIONNEMENT
commutation
Il . 4 [ États du transistor
• tlal bIooué L
l
C'est un état tel que Vtt ~ Uet /, ~ 1<0(>' cel é:ai est oIltenu R,
poo 1Il courant de base nul.
• Elal salllé
jv
, " _ U - V..", m
" est Ill'lté par la chafge, l, = R .
"'"
Cet état esl obtenu pour une mIens,!!! lb > i, pour un
tranSjslor type 2N1711,1a tenSion VCO " I a'JX oomes du
lranS stOl" est de l'ordre de 0,3 V. les conslruclsurs précisent
IV!»"" l, ",.10 .. 1·
I l . 42 Temps de ta commutation ,,
• Temps il. la t€fT'lel1.1e (mise en OO"duction)
l, {cielay Trne) : temps de ret~d ent'e l'iostaI1t d'application
cie ib et le passage de i, 11 10 '1\, de sa va1etr fmle
t, Irise !me). tenljlS de Il\I:Xltée de ie llIlue 10 %et 90 %de MISE EN CONDUCTION
sa \IalaJr fr.ale.
Les CQ~structeurs n'indiquent parfois Que le temps de

f-'J'- _________
fermBlLfii 1",:

0."",-"

• TIlIIllS ârouverture (blocage)


" , - --
--,-
t. (slorage 10'119) : temps d'é'<aœalion cie la c/1arge stod<:ée, 0,91, - -{
8I1tre O.91~ et 'e passage de i, à 0,11 l,. 0. 11~ ,
If ~allimel : \tJ!TllS de descente entre 0,91, et 0.11"
Les constructeurs n'indiquent parlois que le temps 1 , 11 ,,
d·OI.NeItu~e r~;

10" = l, +Ir BLOCAGE

FtEIIAIIOUE:
'd!
1", et au~snt 3'I9C: ,• '.
0.9, •
Charge stockée dans la base
&Il phas.e d'évacuation
- le ni'.. eau de satUlatlOn (l, li,.),
- la tempéfattre. ,
1", e1/oI' Iimi1tJent avec :
-le rawort 100001i",
./
"
-la tansioo SOltc€ du roIIecI!!\J,
ie : courant co6ectell',
,9
11
·
· \, ,
Il,: courant œ-eçt de base ru trans.'S:or EIl conduction.
fb2 : valelr maxmaIe (lu courant l'1'MSe de base peu bIo:rt;w '. 1
"
le Iranssta,
11 . 43 Amélioration des temps de LIMITATION 01:0 LA SATUMTlON
commutation
Celte amélioration COO$iSte ~ à rWe 1011 ,
'AS
• Dispositif 00 irMaliOn de Id saturatoo
le Irans;stor est maint€11U à !a imite 00 la satlnli~.
V,,· VtJo t (Vd - VœJ
-, "
comrneVd-V"",,,,O,
V", = VtJo> V", ..,.
- . .
V,
. v

• DispoSItifs de commanœ de Mse Iv~


Ces dispos.tifs assurent 00 cOlXant i, oégalif ~squ'à 500
e:(\inc!ioo et eosu:1e me 19f1S1OO Vb> néga:ive. "
Par polarisation inverse de la base
Le principe est très simple, le courant é~acué de la base
V,
dans la phase de blocage vaut - R' POLARISAnON INVERSE DE LA BASE
jcuMt sur l' J'rllOrtance de QJ cwant, on joue Slf toll .
9()

Par pointe de courant ,


La püI1te de ewant est créée par le cordeosa:eur 11 l'nstanl
ru t:tlcage, elle petmet cie rSdure Cl:lI1Sidér<tJlement '''",
Par contrôle de la nriation du courant '.
let dépend de dOl o. il emte UrIS litesse de décroissanCtl de o ,
· ._.. ,
I~ op""..."

CRÉATION D'U NE POINTE DE COURANT

L : ildJctance (HI.
VI : tenSicl1 appIqJée M·
, c
(~; l~ :var.aiioo optimale de 1.1A1s).

....,."
Le rrontage d<riogtoo f';cir § 12) uliise III premiet transistor o , •,
(dri'ler) de C()(Il(I1U\atiOn il faible WJ(3Ilt ie et 00 deuxième m
tranSIStor Oe p.nssance. En commutallOO. seuils dn\t€r est
saturé, CIl QUl permet de commuter une mrte p!.issarœ 3\'9C CONTROLE DE LA DËCROISSANCE OU COURANT
\Il temps de COoTm.ltatlon plis ffibIe qilll seul trarâstor de

""""".
POO' oblaT lIle b:::«Je corrmrta'iln lJIf!I:. ce rrœtage, i laut :
V

- il l'état passant, ~e!IH à bien satlnr K! !rans;stor diWer,


- à t'l)\Narl\lre, comme on ne bénéfICie pas de l'e"el OB
" R. , "

muII~1Ion des gams, i faut if.'C( recours au Ci"W1 ex!énru'


,
peu réruJe K! temps OB stockage et optm5et le temps de
0
Iv 1,·
desŒtlte d\I crua1I coIecteur,
- à ta IermetUf€ d\I ClCllit, i faut atlatpJElr av&:: un coorant
OB base sufflSOOl et qU • ITIOIlte • Vile.
" m -v,
..
11. 44 Problèmes de commutation
DISSIPATION D'ËNERGIE DU TRANSISTOR
le problème essentiel de ~ comrrutation est la dissipation
d'énergie qui se prOOuLt kirs des instants de filffllfitufe et
O'(l(/\/ffiure. Noos poIJl'OIIS calculer la ~ssance moyenne
sur une période If) dssipée par le transistor sur charge
inductive avec ~ ,. T{poUf 1",,, Cte).
'.
u,
• Fooœ:ure
1
Pf= iT,U.Jeo.t, •
· ","",""
1
• ,
,
Po " 2T .U,J,•. t!
,, '-
La puissance consommée lors des commutations est
importante et augmen:e rapidement avec la tréqueoce de "
,
u,
!ra'la~(H
Les performances de ce montage 50nllimltées par sa
p ,
capaaté à Él'I'aCUfJ la chaJi:u créée par ces cormJ\IIallOllS.
Si nous voolOIls être préCIs, ï est possible de calculer la
-".,. 1_ ,"-'- ,
I)Ussanœ rTlO)'<me lfissIpée lots des ~ses de tlklcage et
de ro:ld JC\k:I:l, •
, •

Phase de conduction
AIRES DE SËCURITË

,
" '"
~25-CI
Phase de blocage ', - . 1'1

t~ "
P~," U,.I,... -,-

,
/' \" .C

Puissance totale dissipée p .. "" -100

.,
ç
'\ do,

\
11. 45 Aires de sécurité
POOl utiliser un transistor de pUISsance, Quaire Iim~es de
o. ,
forlctionnement doivent être respectées. Ce SCfIt : V_ V
Aire de sécurité
• 1._lvaleu- maxinaIe du cx:uanl coIec1tu), en régime permanent
• V,*, (vaIeor ITJa.Xlmakl de la lensroo COfiecIetJr·lm'Iettet.f),
(1) Extension de l',,,,e de sé<;uité en 'égime impolsionoel.
• P'g ~ fT\al(ima!e ~pée, domê8 p:l(J' 25 'Cl, la poo, u"" impolsion caJibré9.
linite 00 secooo cIa$age.
"
Il • .l6 Aide à la commutation CIRCUITS D'AIDE A LA COMMUTATION
Nous allons akjer le t~st(J" à COfTI'11lItet' poI.f rédui"e la
pulssaJl{:e moyenne disslpSe dans le transistor (CAl.C.
.u

•!
Circuit d'Aide il la Commutation étudié dans ~ cas d'~n
R
D~ u
hacheuf abaisseur). ,
• Aide il la lerrœture
, .,.
Le prirqle conSISte à im!er ~ litesse ce montée de i, et à
,,
c -- - -----------c----,
ALC.,
laie chuter v" . Ced se fait asémen! par ~ mise 00 série
d't.ne inductance pendant cette phase. '1, 1 , R,
1
1

C<lurant dans 1. collecteur

ic ~~(t - If)
1
1
1
~ --""--- ,
D,

: OC
. Rc :
1
1
:
1

l' 1·, cl
1
1
d 1
v" ~ U-L dt (il ) Vt.~ 1
1L _________
1
~

1.
v ~U-L~ AIDE A LA FERMETURE
• l,
Choix de L

L;o ~ ./,; maiS Lne doit pas être trop i~nte pour ne D"
Co

•i
,
U
Charge
'.
pas augmenter trop t,.
1
'.U "u-
Lid 1
l,
• Alde à l'ooverture
Le prrope consiste à ir:1'Itet' ~ l'ltesse de montée de v"" , l,
1
ceci se fait aisément par la m,se en parallèle d'un
coodeosate\Jf. l,
P
/
Le concle!1sateur Cest l'élément de base de ce réseau lune
00de et ltle résistance an dérivatiOn, évitent de décllarger
tM'utaJement toote l'énergie conlet1!Je dans ~ condoosa:elK
l,

"1 1'0 / ,,,


00 moment de ~ fermeture du tranststCf). Le courant reste
o:nstant da'ls la charge Jl€fIda'lI toute la COIMlUtatiorl. Dans AIOE A L'OI.M:RTURE
IIM première pflase 1" -ta, le courant dans le Ilans~tor

• '.
U
Oécroi\ et le coulant dans le conclenr,ateur crOÎt (de façon e
tele CIl!!! la sorrvne reste constan!e). """go
Équations sur la période [t. 1, t.l ,
1,
il /' 1

ic(tl",/d!l- tif - toI]


;,
'.
vu(t) " - '- .id.ll - t. 12

. 2cl r 1
'.
c~--/
~
R u
~ tr"t., -t, .
c
Caleul de C
C .. ~
2W
Conditions
votl'.,) dU
~ .. O,1.
"il·· l '. 1
CHOIX DES TRAl\SISTORS DE PI ISSAN"CF

'00
'00

T0218A8 T0220

." '1

.."
TRANSISTORS EN RÉGiME LINéAIRE
AMPLIRCA'ffiURS À TRANSISTOR

Lt """I>fO cio _ .. eo<opotItqo'wl ...... _.l·....,-- ,..... 1


loiN ..... ~ 1 _ . _ .... eÔd ... d'III oiIJIII 11'_. on"""'" Point de repos -P-
01 1:I:IIIlldo_ffOq_,_r~ ..t..."rfiH .. _ . " '>---,
~
R, • •

, """
Amplification

,~

~ E Vco

( ( •
f3 lb Rc
0
-0
'. , Passage courant
tension

POLARISATION DES MONTAGES À "ffiAi'SISTOR

l'oor pouooio 1Wo I.",tioo,., ... -.togo _ d'III poII'It do _ . IIW: .....
lot , .. _ . do otI!ki, UIIO",_ '01 ~ poWioMIon.

R, R,

R, ) v'
. ,,"-

R, R.
R. .
l
,

• HI ponillo do COI ." ..


" ~ 1. (1lI*>d l, ~ t~ 1,). R.

.E

Variation
R.

R.
l
V.... ~-VJ-R•. fjl~
~--~,~----~~----------~
"Il . ô:
Compensation des variations MONTAGE DE COMPENSATION
du point de repos ____, -____- .____ .E
Une mélhOOe de compe!lsatioo consiste en l'introdoclioo
d'(I) traflS;stor De même type dans Ml mCI.II de po:lQ'i$abon. R,
1 est bien évident que ~ transaslŒ iltrodul1 devra se tTOIJIIe(
sur le même soostral ~ 50(! l'Olsm, il est 0:1 appowé.

11 . fH Modél isation basse fréquence


'l, [;
~ [-ê'7
__ _J~
_
' =2; ___ ,,,,,,,,,~~.
en diode, peonel\NI1
oo~se<~s
le transistor est supposé polarisé, le modèle s'ét~1 autOll variations de 8
d'oo p:linI de repos,
les modèles étudiés sort des modèles· petijs signaux "
c'est·à·tire cpe les sig'laUX aw~~ au transistor sont de
fable arnpIIude el autour cilJ poflt da repos
Par rapport il ces signaux, le tranSIStor se corrporte romne CARACTÉRISATION DU MOOËLE DYNAMIQUE
!Il q~ Ï'léaire,

1.1 Modèles de base


De façon générale, l'est ccmdéré comme gra-.:j (~
œ'ltaines de kiiO-otmsl et néIjigé Et i est ~ de faJre
ilterveni !Il iJUlre sdléIlla ~arlll'le source oe COO,Vlt
COIIYTIaf.Oée €fl tension. '. J • '-
!

QUADRIP6LE DE BASE
p : a'TlPiification en OO\Irant.
1. : courant de pclar;sal00 passant dans l'éme111l1.K.
VT ~ H soit 25 mV à 25 ·C.
, ---;===!----- !
Collecteur

q
"'~ ---.,-1---('
If : constante de Boilzmam 1,38. 10-13 J.K- 1.
. l,
T : lempératLXe en KeIWl.
q : ct.ar[;18 de l'électroo 1,6.10"19 C. -----!==,l,==!------ Ëmenoor

MOD~:LES ËLECTAtOUES ËQUIVALENTS

"'~ .!-Fl--Ar===:;:::"1~ ••
Collectoor Base c.- r=:;---;:.:--;====l---. CoIIe.:toor

" '·Y I '.y .


---!=========/-- Ëmenoor --!:===::,L====!--- Ëmel1eur

'p n'a pas élé négligé 'p aéttl nég ligtl


Il . 66 Paramètres hybrides « Il »
"
OUADRtP6LE
Ces paramètres sont très ut(1Sés en basse fréQu€n;e , ,
~ecteor
Vb<: h",iô t h'l' Vb<
ie :h 2"I,+h 22 ,V"
t
e : signifie Que le Quadr'pO'e est caracté~'Isé en émetteur
"",ou;. Ëmetteur

'.
hn ." ~.~ • V«"O hn."'1M
'. MootLE HYBRIDE COMPLET
,• - .
h u ." ~IM à ;,,,0 h 12. :O(. 1Cr')
1

" ,
'"
i,
" l, • V",=O htl , "Jl
'., ,
h". ,~ '.
h ie 1
n, " y- à 1,"0 b n ," li
" y,,(\

Les docl.rn€Ills conslnlcte\lS li::I!'rla1t :
_ 1 (a laplaœdel 1)pru-i1PlJl : entrée, MODËLE HYBRIDE USUEL
_ c(à la place de 22) pour 0Jtj);1 • sertie.
_ 1 (à la place 00 21) pour Forward " transfert drect , '. ,, c '.
. , (à la place de 12) pru- Reveo-se "tra~s'ert ilvefse, 1
11 . 67 Modélisation haute fréquence
MOOèIe OB Giacdetto
Le modèle es! relatif au ~ l1I€C trMSÎ$tCW' 00 érletteu
.! " r '.
"""'"résistance d'm1rée déaivant la ia!soo entre l'iO):tÉrJetf
'bD' .
E

du tranSIstor et la ZCW1e acti'le (Quelques ohms à QUelQues MODËLE COMPLET DE GIACOLETTO


diZaineS d'ms), ete est souvent né<jigée.
'~', : réslstanœ cI)œrrqJe de la jcfICtlcwl base-émetteur
,b , -.!
- g...
, • C,
C (
1
C~" : capauté de la PIctiOO base·éme~1lll.
CI'" capacité base-coIect1lll xI',' a",F. 1 )
r" : r" ., p, SOIN€flt négigé.
'. '. C· V 1'""1'' '.
l',

-
11 . 68 Fréquence de transition MODËLE. SOATlE COURT-CIRCUITËE

~ akI1S preno;te le modèle de GiacoIetto 00 C(lI,rH.rWt.


c~, oC Co·, et rbIl négli;jeable : "
,~ . ,.
/' 1 .
v,
• ,A J"v..
FréqOO"œ de coopo.;ra de ~ : f,
1 +Jr~,CH. V.
1 r b ·, - c••
y
DIAGRAMME DE BODE DE ~

En constdérarrt le p<od\J! grun bande constant. fi est appeiée 20 !og,o ~


fréqoonce de tr~tioo.

20 log, fJ

1 1. 69 Paramètres« y»
Les paramètres sont essen t,ellemen t ulitisés en haute
lréQ 00IlC>J.
ib " YlI , VbI + y1//"
J, = Y1l • VbI + Yn ,Vot
Yu ,, - '. • Vot = 0 YI!, = 91'. +jC n , ..
• V.
Yn ~ -
" à V.. ·O Yn ," 921. + jC n , OI
• V.
Peu les mttances de transfert, les COllstructeurS cIotv"Ieot
SOI.IVeI1t modlJe et pme.

Yli = - i.
• V. • V.. " 0 Yll, · IYII.1 "'12,
i, MODËLE UNILATËRAUSË COURAMMENT vnusË
Vj l ,, - à V,,"O Ytll " IY/ I,I ..1"
• V.
'. '.
le terme Y,Z, est SOIJ'/€IIlt négigeabIe, \Wos ce cas. le Iran·
sistOf est dit lIIIIatéfaksé.
,
Le terme YII , a 1I1 mod\ie 1YII,I "9",. "
'P", est le dépassage (alg...moot) de Y",.
CHOIX DES TRANSISTORS DE SIGNAL

TRAr;SISTORS D"USAGE GÉNÉRAL NPN BOmER TO 18


V,. .... àl,lI.
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''''

TRANSISTORS D"USAGE GÉXÉRAL PNP BOtTIER TO 18

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TRANSI~TORS NPN DECO~IM UTATION RAPIDE

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lOO/I D
lOO/ID
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" "'.
"
11 . 79
m.

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T'
11{ANSlsroRS PNP DECOMMtrrATION RAPIDE
lOO/I D
150m ~
w
w
~

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M
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minima.
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V,,{..... I.II.

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T,
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(MHl)
T.

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loom
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*
'0-1 1
"
TRANSISTORS BIPOLAIRES ET BRUIT
SchélTlll tq~jy~..,t $implitié
1.0 _ .. , ' '''''''''"'' <10 pMiMn ,~ ...

R, R.,
fl~) • f ,'),) . E.'(1)+ l, 'VI tR, • R.. I'· ';~I I,'VI.IR, +R..·I' CO",

tl~S
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1.0 _ ... ,..,.-1POO" __ ... do p.;w..c•.
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f t'ill. U TR. , _ \tItr1lliquo do'," • t,I~ (f ).(Rg' Rtbf - J,,'o.
E,'II) ' UTR .. , : _ tl>trllliquo do r ..·. '0'. c b '.
• t, E~ (I)
1,'lfI·2ql, ,bIlAI do gr1NIIo cIIlllo .....

1,'111 :Zql,
,
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,,'III - Zql •. - :brull_..... I~,

~ : 1,1.10' " C,
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1: _ _ _ l;la. 1O' ''.
O.nl~é .pet~ de PU;ss.anCI .1 l'en,,"
T : t_ _ 1IIn ., ' K.
E;{f ) [~l
, H'
1..0 '""""" '*' _~ 10< tabri<an" 0........ ,

E,'(f). I.'V~ , : focl ...... bnIh

co <JI pomcI .r ~ lU qo.,q,il, Ito rebtiom


'*' qIIÙip6Io P>NI.
SPiM<oIn ....
, I~
lM ... pHut ...... 0110 bnoIt.

'c " l(kHz)


O\Iadrfpôlt équivalent Densité speetralt du golné,a!eu, de tension dt bru~
.. ..
R, 1 Q
C E, (f) [-!t!
, H'
1 Be 119

'B"
~
,.. 1,

,,
1

'. ,,1
", G. 'E _ 100 !LA

) 1" ,1 l'· 1
,
1~~10mA

i. i E
, ,
1 .1 mA
.. .. .. . 0", !(kHz)

Oeosllé sptClr&!e dIJ gén4ra!tur dl cou,,'" dl bruit


"
Facteur de brui! du qua(!rip6!t
""
'·(" [ ~l
Be 178 F(d81 Be 178
, H' R. ~2kn

" ,
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0,'
,
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,
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" "'" (MH~)
" '" '(MHz)
T,an ,.. Br 967
f~ 200 MHz
S,(mAN)
-- -- --
....... _dû lto ....--
«
'E_3mA
T .. 25 C
Vœ _ l0V
ftl/I - f , '(II • l,'m t R,~'(' ~
__ { .'I f) ,U.'lfl_olta.
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,
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0
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T. :--........ lIll, -"
T :~ ... I r _ l. -"
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'ln ' ip" ., Io. conrInI<lowI _ _ IttO«clndo .... , ..,; G.(mAIV)
penwll..U"..,.. lit Y. do otto. [ " f .

T RA \'SISTORS F"" BLE BIU


w "
rr (1\Ps. TQ 18)
'" "
"
12 Montages SYMBOLES
Convention :
Darlington
~ mootage
Dartilgion eSlI.lle assooatoo !le trar\S1stcn ~
"
~ d'avoi" une ampIificatl(Xl en COllant élevé.

1, ~ ~~ . lb·
AMÉ LIORATION DES TEMPS DE COMM UTATION

12.1 Darlington en commutation


Lors des phases de satula,iOO, le tranSistor qUI condUit la
pUssaoce ne se saLUre réellemeot ~~'S,

Boitie< du Dar1ington

Le motr,age coomu:e donc plis rapOO'rent qu'un lrans;stor,


maIS d~!iJs de puissance.
--- --
[1.11 Limitation des courants de fuite
D2 : diode
d'anl isaturation ~, r-
, ..... T, ,,1
Dans le mootage Oarlilgtoo smpifié, le COO'ant émetteur ~
trallSlstor T, est irltègralemert injecté dans la base de T,.
1 D, ..... T2
Par CO'lSèQu€r1t le COlXant de fuite du L"3OSiStllf T,. à l'état 1
, ,,
blocpé, est ampld:é par le tranSistor Tl: Uen résulte un
COOf<llt de fuite 00 l'ensemble plis élevé.
Boitler du Da~1
'M 1 1
les resistances Rb', el Rf:02 servent li liniter le COlXant cie
fl.,1te io<':) Qui, s'~ n'est pas li'nité, provoque lI'I éctlauffement
imporlant du roontage.
no
DARLINGTON ET COURANTS DE FUITE
"'
R~ ' l . "10 < Il bOl SEUl
RtI01 . I.~ < Vl>l1 seUl
Les résistors de stabilJsation rédUisent le 9a;n statiQue en
cruam <il montage. Si 1'00 ~ q..E RtJt , lM partie du
ci"cuit d'attaqœ, on l'Oit que il préserœ de R..l se traWil par
R.,
l'~ d'", terme soustractil dans l'e:qnssi:)11i1 gatI :

AIRE DE SËCURITË

J2. : 2 Données constructeurs


P!al : vaIeIx rnaxmale de la p!lissance dissioable.
"" 1---_,
I,~ : va maximale du COlXan1 repetrtif.

P... ~ bfWt. ~
--,I~,
;-
-
l,"' ....
....
Vcp : vaw maximale de I.J lensJOl1 • bIocabie " pour

V" .. : lenSlOl'l directe maxl'rlale · bIocabIe ",


V. en
,
l '


EXHIPLE$ DE DARUNGTONS
"
, Transistors FET* SYMBOLES
JFET canal N J FET ca",,1 P

Tran sistors JFET


Le tralSistor JfET est III transislor à ef'et de ~ doot la
grille ~'esl pas 1Sdée. Le lr.JIsistor es! C4patiIe de foncticmer
0a'lS 00w: types d'è131, • tlIoqué·passant · et frIéaire. SYMBOLES DES "TRANSISTORS MOSFET
MOSFET canal N MOSFET canal P
Transistors MOSFET
le \ranSlstcr IdOSFET 0éSI[1le III trallS!Stor à elfet de champ
a enrict'iSSem9llt à canal N ou P 11 (/lie Isolée (MQSFET :
Metal Oxyde SemioondUCjor Field Effect TranSSII)fj. On
distillgJe;rOis électrodes ~s Grme, Dram et Soo"œ.le
passa!jB de l'état blOQ\Ié à l'état passant 00 ~1 est CARACTtRlsnOUES DE SOAT1E ID = !(Vos) A Vœ DONNÉ:
(MOSFET CANAL N)
réalisé pa p:iarisatiOO de la '1ie (éqllJll3lente Il III ronden-
sateu entre Grie et Sourœ). À l'état pasSUI, entr~ Drain et 'olA)
SOUlce, le tranSistor se compone oomme une réSistance r
p.xe La tOOSiOO C!"atrl·&uce €'SI propoo1rome11e au cooraIlt. fi-., V(lS = lQV

Ce facial de prop:Jl1brnai:é est appelé Aésis'NICIJ à l'état •0 V+=:'


"
passall1 (R JS ",),
0


"
Zone de

,,•
De par sa const1ut on, te tranStslor MOSFET possède une • looctionnemeot
diode parasita mmtée en r,verse entre Oran et Scuœ. 2{) linéaire

1 Principales caractéristiques , ••,


0
"
, "
,o •o"
U'llrMSistlX FtT est caractérisé plV les ~s stir.lntes:
o
le ~ de translS'.1X (MJSFET ou JFET],
le twe de canal (N ou PI,
CARACTËRISTlOUE DE TRANSFERT ID = '(Vœ) :
la tEflSi:JJ de ciQJage E\'l<re D'~ a &:me à Vœ = 0 lVoss), (M OSFET CANAL N)
le COUI~ de ci'ain maunaI (10),
ID (Al
la tensioo CXail·Soorœ maunaIe (Vos),
la résistance à l'état passant IRDSt.>;J,
• la ~ de (jss(latoo maximale (P,,,,).
T _ _ 55 OC
• ~capaalé(j'entrée (C ...). I
TI" 25 0C-0I
• le temps de rrise en roOOlJCIlOO (t~"",).
T _ 125 0
I
C-/H
• le lerJllS de descente (If),
• Ietempsdeblocage(t~;olI')'
• le tEfl'lPS de reCOl.Mlulfilll de ~ tliode irMt'se (1,,).
• la ch!rge (eclXMée de ta diocIe fMIrse (O~).
• la t€l!lS01 QIie SO\Iœ de I:lIocage (V, 00 VGSte),
• la 1€1lOOn (j'avalanche grile Socr'œ, Dra(! e1l'aif (VGSo), ,
• ta 1€IlOOn d'~ grile Ch'ar1, Scmel:Yll'ar (Vooc).
· l'fi RoIlElol T ~
"
..- ..-
......... ...... t tœ
- Caraclé<isticpo ~ 0 Caacl*istique ~0
• '.(VG.I G VDIS 1.(VosJ G V
m v•• > V.. .., fv"" v0$ ~ o:ons1anI t Vas
"""'"
JFETc8MI N
S

'0 '0 , Zone ,8sastiv ..


S

,~
0 0 V.. > Q

/ "
1.,,1 V"" .. 0

° ,.
'0 > 0 VOS" 0
G-S G-S v, ", V.. '; ,, ,.' = v,
5 5 [ vVT
lo"'OOSl- œl' 'œ 'œ
JFETcaoal P
"
0 0
VOl" 0
'0 Vœ
" '. ",
'0

G~
V05>O
,,, '00
G-S
5 S
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V" " V, I~ ,
IO" _ /OSS(1_VOS)2 "
V, ,,
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Vas" 0
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NMOSloe"i.his.........,t
'0
0 0 V", > 0
"
,, Vo:;s" Vl

,,,
G--.J9 G~~
....J ' 0> 0
V.. >V, , Vas - Vl

S 5
V, Voo .
lo~k{VGs-VT)l '00
PMOS t enric:lissement

" " ",


,, b.
0 0 V.. <O -
Voo

G--.J9 G-1~
....J '00 V(lS. Vr

/ ,,
1. < 0

VCS< -V 1
S s
V(lS<-VT
J,
NMOS i oppIOMÎSSemIfl!
'0 ,

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Vœ > 0
,
0 0 V.. > 0
/ : -0

G--.J~ G ~~

1. > 0
,. '" ,, Vœ " 0
V.. ~- VT

[ '00)' 'œ • •
5 S 10"'OO51-
YT \ V" V. 'œ
PMOS . ~
'0 'c V, '0
-
0 0 Vœ < O
" Vœ •, .I-c:--
Voo

G--.J~ G-1 ~
1. < 0 VGs>O ,
v., <V, / -" Vas c O ,, "
S S Vœ < 0 ,
13 . 4 Transistors MOS CAAAC1t:AISATION DES ÉTATS
en commutation

1] . 41 Saturation des transistors MûS


La combln de sat~ratKln est donnée pour Vœ , par :
f-11'
.
R

~' ... ,
•"
L_'_" _' _'_"_'c ~'"':'----.JI (NMOS à em:nssemen~. •
COM MANDE DE GRtllE D'UN NMOS (ENRtCHtSSEMENn

VT : teMon de seui M
10 : cœrant de àain.
g," : transcood~ance (\'Qi' les FEl &ri régme ioéai"el AN. 'œll=.c==o!-!_-----..,-',
La corrdiùo~ \le bIoc.:!ge est :
PROTECTlON DE L'ENTRÉE DES MOS

13. 42 Protection de l'entrée des MûS


G-C=i"
( s
Les transJstors MOS sont très sensibles à l'électricité stattqJe
et aux tMSions ~ a~ SU" la grile ; pour cela. 1 ÉVOLunCN DE Vos ET Vos A LA FERMETURE
est nécessaire de les protégef par des diodes Zeoer posi. Voso applOqué à l'entrée
tiooroèes entre grle et swce. ---------
,

: 'œ
13 . 43 Commutation
'O·Lo~O_
( _________________.
III définJtles litférents parametres stivan:s pciIJ" la corrmJ·
tabOn :
• le tlll!1lS d'Ws.sement {I",I MM 1& temps mis par le
roJram/o poLr passer de 0 li 90 % de sa valeur aJ)"ès pola.
nsatloo de la gîte,
x·,----';------:
• le temps \le retard à la CfOlSSaf'œ {Id,,,,) définlll'nl<mDe l , '
de temps enlre j'i"Istanl où la leosb1 Vœ anetnt 10 % cie sa
valrn et t'rntant où la lW$iOn Vos est descendue à 90 %de ÉVOLunON DE Vos ET v œ A L'OlNERTURE
sa valeu' htiale.
• le temps de C/OOsaoce {tri cléfm le temps de décrois·
'''!---~,
.,. ,
sance de la teosioo dralO-scuœ de 90 à 10 % de sa valelx Vasol ,
m!ale.
• le temps de COIIpJfe {I<;t'I,
'00 "--------
'w
,
• le temps de retard à la déc rOissance {Id,o" 1 dé1ioit
j'rllervale de temps oolre l"instam où la teosKX1 Vas atlent .,. , "
90 % de sa vale\l initiale et I"ilstant oilla tensioo Vos atleilt
10 %de sa ~ M. '00
W%
• le temps de tIécroissanœ {III défIAI I"iltetva&e de temps ,
entre j'i'lstanl où la tffiSion Vos passe de 10 11 00 % de sa
valeur fnale, 'c j ::t: t,
..
13 . ·4 Puissance dissipée FORME DU GOURANT DRAIN -SOURCE
L'énergie dsstpée (!ans le transt$!or se déwnpose en :
l'énergie dissipée li la rruse 00 condJctoo:

W.. "
l"',ilt) n ll)dl
l'énergie dissipée peodMt la COI)():Jctioo: r" r,

Wcond "
l ', ilt) x rll)d r
" , . CAS: MAINTIEN DE LA TENSION Voo

l'énergie dissipée au blocage: lo,V oo


'00
fi---- ,~

L'meo:va!e de tQTj)S ' 1- t, cooespood li la ib'rlée t. " ,------


L'i1tervale de terJl1S'r I, carespco:! au t~ de rTIISe à 1. l, 01 ,
L" i1te!Vi3le cie terrps l, - t~ 0J('esp0nd il la 0CImèe lit"
'0001 X Voo x t~
MiStl €f1 conductb1 ru trMSistor " W", - 2
L"twkJtiCrl de la leosm a:JX bornes ru transstor peut pré"
StlIlter pk;sIeurs cas " 2" CAS: OÉCROISSANCE DE Voo
loY oo
• Mantioo de la tension Yoo pendanlla crcissaoce de li)
L"ènergie ~ est cb:"o:; égale à:
'00
,,
', , xVoo di r--- '~
w.. = l
'. .
IDtlx -,

• Déc:roIssin"e de la leos1On Yoo pendant la croiss.rœ de le"


! ,
, ______ v."..,
,
L'éI1errJe cisslpèe est donc égale à: ,"", x Voo x t ...
W","' fi

3" CAS: DÉCR~SSANCE BRUTALE DE Vcc

'o.voo
• Décrtissanœ brutale de la tOOSlOO Voo al'8llt la crOissaIlœ '00
cie ID" ------- -- ,
L"éoer~ dissipée est donc égale à:
r--- '~

10001 "(R 00(01'1)"/0001)" t ..


,
W",," 2
8kx:age dt! trans:st!1 :
Les O:F.éfents cas l'US tors cie la mISe en CCfIduction rest9f11.
PUISSANCE DISSIPÉe TOTALE
vafabjes pour le bklcage"
Etat passant dt! transistor :
"13 • .t5 Aire de s& urité
AIRE DE SÉCURllt FBSOA D'UN IRF540
La !~ture de jonc1i011 d'lI'I tranSlStor est le paramétre
ID (A)
le plus lTlx>rtall et Î est clone impéram de bien dloisir le
système de clisslpahon afin cie restef dans ~ limites du
,,,.
constructeur. Le choix du dissipateur dépendra de la
pulSoaOce dissipée pendant le fonChonnement.
10 ILS

1.1 . 46 Dispositi fs de commande


w'
"'"
, m.~
• AppIiQ:.ter \l'le tensiOn oule au t>Iocage. 10 ms
• Assurer à l'état conducteur une tension suftisaote 100ms
permer.ant de • saIller ·Ie IJKlIltage. w'
• Assuret la dlarge électriQlJe lIéœs~re à ~ Ismleture.
• Ëvitef d'apJ:i;;LJef (les tensiOns négativeS.
• Penser ql/e le transistor est sensble au:;.; paraSItes.

CaJct.j de moo:age CV COMMANDE DE GRIUE


Montage ® v
Commande V,

C. .. Cm (cf. modèle linéaire)


Translstor

'"
P'Jissance
Cak;U de montage @

Montage @
Commar>dtl V,

21. R charge
R,' --
" .C.

1;\ . 47 Recommandations
• Olmnue! l'inductance de cab1a[je par des wMexions
cru1es.
• Rérure l',,flueoœ 00 bruit SIl la gril.
.
Transistor

'" ~

• ~ l'entrée et la sortie:
OËCOUPLAG E DE LA COMMAN DE
- par consttJ!io'l d'lI'I écran entre commande et puISSance:
Partie M<:>dele équivalent
- par une perle ferrite sur la !}fie Qtj ~ la fréquence de
~~""" C,
résoIlarœ de la maDe.
Ferme J Partie ~ ~U
i
[3 . 48 Aide à la commUiation
[XJ 100 œs très cwtes il.Jrées des transitions, lI'I CALC
..--crt-l1""~~"
Iv,
m . m
- r
! _ Ferrite

.
C. - C.

00 typa llMSis!Qf n'est absctrnent pas nécessaire.


83

EXEMPLES DE TRANSISTORS MOS DE PUISSANCE

'- ,.,.

.'

~
SOT-82 $OT-93 ISOWATI 218 TO-3

,
lSOWATI220
,
TO-220
ISOTOP
STANDARD VERSION
,
SOT-l94
.
'.f FET en régime linéaire
'. 1 PolarÎsation des montages
àJFET
• Polarisation par deux sourc.. r R,
!Àlte poIarisilhon nécessite de\;x sources COOltnues, eII8
paT"IeIl.I'II! gMtIe ~ tlJ SQ'III. mars ~ ln!
pde d:spersr:rJ tiJ pool! de repo$. PoIariNtIon automatique

~atf VGS<O (R$/~>EI

r
• Polarisation alllomatique
la pU utiisee.
Le COI.nu entra'!! dans la P es! rd.
Vi)6"' - Rs/o et RG .. ~,Mn
le pciI"iI oe fcn::ti:w,18IIEII1I es! déIMMé pa!

V
- - œ "'Ioss 1- -
Rs
(V.)'
VI
• Polarisation par source de courant
Ce montage pennella fixa:oo du courant '0 (J.I fixe'o et
nmle morLage in~t oa 105$ el V~. La source de POl.ARISATlON DES MOSFET A APPAUVRISSEMENT
a
aKJa'Il peul être aU'iSI trnISlOi ~ Po*iINlIion lHlIomatique RI)

Polarisation des MOSFET


à appauvri ssement
Ils sont polarisés pout VGS " 0 P\II5QlI'is sont conducteurs
avec 'D -'oss dans œs cordt.om (RI) .. QQ. Mf! et IG"' 0).
POlARISATION OES MOSFET À ENRICHISSEMENT
l
•• 1 Polarisation des MOFSET
P<Mrisatlon par boo ocIage Ro
à enrichissement
• Polarisation par bouclage
c~ J = ~ .
Nous ~ par ce 1I'OO'.age vos" VGa'
Cette ~a ri!atlOn permet de compenser les vanatl on!
possœs 00 poiIII de repos f
Polarisation pa_;,.::"",,
1'1
= ,___, _ _ _ ,
l
VOl"' E- ROlo.
'of = v'" \. = Vœ \. '" 'e\.
RI)"' (N, Mn
.-1'
R,

1=
1
- .
• Polarisltion par pont
IlU lananenllOO il g;l'detr~1C8 d'emréedJ nmtage
élMIe : (XXI œa, O'l met SOOI'!IIl! M 9éne avec la !,de t.œ
résislance ~e.
1,.
~
R, Ro

C L : capacité d11 liaison de l'ent,ée,


V. : tension d'entrée alternative.
l
"
13 . 7 Fonctionnement CARACTtRIS1lQUE 10 (VOS! poo' un JFET
en résistance variable
10 (mA)

13 . 71 Principe
'= F- ----- - -,~--_,,__---=--­
Vas " 0
De~ ~te 6e la rfialKXl10 (li os). ,
,
'D : OOJraIlt de (kan (!\J.
loss. ro.xanl rna.>:ITIf.I drain source pOO" IIGS " 0 (!\J. vo
lIus: tension lJfe soo-œ M.
III lenSIOIl définissant le saj cie cooc1JctJoo M. MODELE Dé LA RESISTANCE VARIABLE
Ilos : tension (ka.n SWfœ M.

On reste dans 1..118 ZIXie lIos < Il p.


L'obtention de l'expressioo de ros passe pal le dévelop·
pement et la inéarisa\JO(l par rapport à la variable ( ~os ) de
la relatkln 'o(\los). GS
ATTI:NUATEUA COMMANCÉ ATTÉNUATEUR FAIBLE
DISTORSION

1 R, --;:T I 1 R, •
v, R,
Vr, VG.<;: so/1l des expressms Jlégab\les M. 001 R, 1 1 v. 1

R - VI ,J.
os", - _ 21 055
V• . R[)5
Iv
(Ros poo" IlG.<; " 0). v. " R, + Ros ,J.
Amr>ificatou" i lI3in voriable Amr>ificatou" 1 baosistu;
i laibIt 1istmion i gain variable
FJtre. ~ dt ~ vaiable

. ~-

1 V.
-
! c,
R, R.
c,
1
•, R
L
t
• !
m
c, * R,
R T"
~m
'.
Cr
v.

~ l ' c_
:::'i7.R 2 R,
R, m
J,' v'
r ,•
m m T -(R+Roo)C
C_: capacité de découplage.
CI: capacité de liaison. !.lm cha"9" avec la variation de R [)5'
.
13 . 8 Modél isation linaire des FET MODÈLE PETITS S IGNAUX BASSE FRÉOUENCE

13 . 81 Modèle basse fréquence Modèle sImplifié Modèle élaboré

• Pour un JFET G' D G'



'c !
9", " - 2 1005 (1 - Vœl
r
VT VT

l'c '~I J', R~

• Pour un MOSFET
g", " - 2klY(lS - V. ) , ,
13. 82 Modèle haute fréquence 'o - 9m· Vœ lo., gm·Vœ

• Les constructeurs donnent; MODÉLE PETITS SIGNAUX HAUTE FRÉQUENCE


COI " CIlS - t CG)'
C", " CG[)'
~oo n Rw D
COOl " Cos' +Coo '
e .. : capacrlé d'entrée en source COITWI1\.O .. ,
'c . Tc, '-r'j"'M
C oo'
RD-S' CO'S'

C... :capaaté 00 rétroaclloo en SO\II'C8 COITVl'llIle.


Co.: capacité (je sortie en scuce COIllI1IIlI1&. Rw Ros. Rss' et Roo' soot
• Paramètres Y
()ax! ~ l'I'()(Iéisatl:>n s'ad"esse au modèfe srnpMié.
,. très SOIN80t négligés

y~ = Y,,, = j .,(Coo +CCJ,S): g.- jb•. TRANSISTORS FET ET PARAMèTRES Y


Y" " YII, " - j .. C ~ " IY,I, t'J'" D G D
y~ =Y211 =g", -i .. Coo=IY~I. f~ ,
,
l,~ Y, ~ i' - A'~ ,
y ,:>: $t.;:- '"
Y", " Yn. = j .. Coo + _,-. G , , < -
R.
Y~ " g~ à lIlIl fré-
les coostldetr> fxi:pent SOOIffiI YI l . "
'. t ,
J
• • ,
~fü, car IY
l l11 dêrisce cases! peu df'éfent de g ~.

MODÈLE DE BRUIT D'UN JFET


COJ.1PARAJSON DES CARACTËR1STIQUES

.,<,
MOSFET. JFET Bruit du
1
""- ••
'"'" " .,
R.... Cos"C.. CD'" R"'l",R$f
,~

,, ~
sislO<

'M"'""'.
i,
1
D

r-
,m O,Ul0 !(Ill1 5110 Ii!S
•" r,- G

""'" 0.1 1215 101100 H I! <, • R0


'--' , .....,.- Tmnsist
".,

1T"
J 3. 9 FET et bruit
Les tranSistors à eftet cie champ possèdent des caracté· ( DI
ristiques très inté1'essantes pour cie l'amplifk:ahon basse
fréque nce. faible bwil. Ils sont adaptés dans les cas de
c _ -- . __.
Tension de bn.Jit Courant de bn.Jit
fortes résislanœs rntemes des 9éfié!ateurs appliqués.
iN a 10 kHz .. 10 FA1 \!'HZ (FA" 10- 11 A). ce qui esl
'00
eN (f) [,*1
- ----
;N(f)[,~l
fIIér.eur à I~ pour un trOllSiS:Of,

" .\ ;
O., 1

, , 0.01 ,
F: facteur de bruit.
, CD' CD' CD' ,,.
"
TRANSISTORS FET

1 fAIBLE BR UIT

, ,

,
~
g FAIBLE BR UIT

•• ••
::. :, ~ ~ ;; ~
,~
ro ''''
,
1."::"
* ± =i "'"

....
ro '''' l';" ;:,
MOSFIIT 10." lro.TERRUPTEURS

R; '. "
l,~
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~ c..o
~
M
t:. ~ 1l: '""" ::-.::
, :::;,;:
,

o " '"
Ci"
."o·"
..
"
.,
..
14 Transistors IGBT SYMBOLfS

Le D'nISlor IGBT /lr$.latsd Gale Bp::jar Tr.nsisItJ) dês9'oe


un !ranSlS1CK bipolaire Agnle Isolée. On OISl.iIigue 1rOlS
électrodes ~ a'éas~, Bnetteur 91 CoIectw. LUT est
réalisé en 9SSOCianI1.I1 trir'ISIStcr MOSFET en COOIl'\8I'Ide et
1.If11'a'lSIStl)' b.prjalf8 en sorbe p!issance. Le passage de
l'état b~ Il l'étal passant du composant es1réaliSé pat'
pOOn5atoo de la 91'11e léctu...alente à \Il condensateuf lIIl!r!
Gtjle et ~metteu1, Ce type cie transistCf asSOCie les Mn. IGBTsimpie IGBT .. ~tur" de Couratlt
\ages W trnis!or ~ poi.f ~ Vœ.. et lBs avantages
œs trarlSoStors MŒfET peu la cctI'U!".ande CARACTÉRISTIQUES DE SORnE 'e -, (Va)
1 usle daix modes de réeisalO'I d1GBT ;
La structu8 épdilXlaej(ll PT·œnM la struc!~ hcm:lgéI~
{ClJ NPT·IGBT) ",.ISe III lXWtI pat' Soemeos. '" ..
',

• Caractéristiques principales
Un trMSlSlcr lG8TesI cn;liJlsé ~ les ga1detxs SlIIVII'I!es
• IlefOO1 (je ŒQ"9' EfIIre Cdectar et Ém3tteo.r à V(li' " 0
"
,
. .. .
",
'"
,'uv"
"•
(Vœ_L 5,OV-
_ le ro.r~l de CoIecl!U maxmaI (lCI.c).
• la tensiol1 GnIe Ëmetleur 1TLal:i'r.ale (VœJ,
. Ia tBllSlOO à l'éIa! pasmI{VŒ .... ~ 2Q iLS PULSE WlOTH

• la ~ de IIssrpiItm maxmaIe (P.J.


,,-, , • , , Te _l50 C

• <1 ccœc.lé d'ertrée (C.~


o 10 Va.M

• ie ter'lIS de IhSUI'I /XJI1JctJ(Jl (fo ... ~ O'après Int~ RecùIW


. Ie l~dedn::ente (l,).
_ le ~ de blocage (lu.,),
ËVOUJTlON DU vÇE ET CE le A l'OUVERTURE
.....
S'apJtQ'\l • ces oon !: 5 ~ Ca'a::ténslQJeS sc:us lcrnIB de

• caractbislIques de sortie le '" t(Val. à la tempâtature


speclftée .. ·· .. T ······· .. ·!·······,···········

. , Caractéristiques
de commutation
Les caraclépslIQues de com'lluiation des IGBT som.
rapproche!' des caractéOst.ques des transiStOl's MûS ou
-.~
V
œ ············· j···i~ ·········· · ···
la seule hrnrta'ion est donnée par le temps de blocage .
en ete!, poli réallsefle bkx:age d'oo K>8T.I!art ~le tta'l-
sistOf MOSFET de C()I'M"IMIje se ~. ce ~ "'pIique que Va:: l00VldiY.
la base du transcstOf bipotalr& se relrOU'le en l'air. 1 n'y a 'e: 5 A/div . • 0.2 ..,.sfdIv.
donc pas d'extraction pOSSible des pOrle~rs par la O'apr6s international Rectif>er

""""'"
.
1· . ,l Commande d'un IGBT RËPONSE EN COURT-CIRCUIT
avec leclure de courant Transistor NPT-tGBT 15 A - t 200 V
Des coostructeurs (HARRYS) se sort intéressés à la pro·
tecuon rapprocllée des ~ts de puissawl en ce cp 1 VcEM

concerne les IGB1, Wl deuxième émetteJr est Intégré e1


paalèk! avec rérnettetJ" ~~. Cette tecm~ permet de '" "00

corv\'lIIte le courant dans le COO!p)S&'lI par un rawxl des


coorants traversant les deux émetteurs. Celte lec hnlque
réd uil les pertes en conduction en com paraison d'un
'00
"""
sys:ème de cootrOle par sIult dans l'érneliEM principal. '00

1·· . \ Les courts-circuits


'00
(ms les Cl"CU1ts ConvertlSSetJ"S, les translstOl'S dowool être
en mestre de réSist€!f sans dcmnage à !!es ccu1s·CiWits.
1 faut dlsungJeI cleu:< typeS de o:uts'C'I"ro:s : o
o 20 1 (ILS)
_ 1.8 prEl"lia" twe est tlU, par IeQœtle trallSistor est ms en
conduction à causa d'un OOJrI'clcuit de la commande, La
IG6T AVEC CONTROLE OU COURANT INTÉGRÉ
wesse de lOOlIée 00 OOBlt ~ aors des caroclinstQJe5
ru trlllSlStor, Oes œo::iWIs cie ~ et de 1'i"dJ::ta'"œ
de fuile L du clClJt de dage, Ce cas est (;:(;fflϐ o::rrme
peu grave puiSlp11e COO'iIIlt se slabise raprOOnent sans pic
~
,
à la valeur d~e de régime permanent el déterrriflile par!"l' : Circuit
G ", Charge

-
Pik!te
lep" -R- s
- le second rwe de ccu1-ci"œit est plis aitiqJe. 1s'ag,1ru L: Ré-sistance "
cas où rOll appIQJe 1.11 colWl-ornit à un lrW1Sislor salLH&. l e
CCMJrMt de COlI1·ci'cuit traverse alors le translSlOr. La ",tesse ~,~
courant
de meSUre
sur émetteur
de contrôle
rvII<Ue cie ITIOIIlée ru CCMJrMI est déterllll'lée l.f.qJement par
l'rox:til"'œ de Iwte 00 DfWt. 1 faut dans ce cas utilser I.II€
résistance de contr~ du COO'a nt !vdr ci·dessus), .

EXEMPLE DE TRANSISTORS tGBT


• 1M _ _ _ OH_, ....... prBc;poio.~_I Io <lloàdu""'; ....

TRANSt STORS [GBT V"""'lAl" ~ 600 V CARACfÉRISTIQUES À T,. lSO'C


1",
(nI1
l,
(ntl
....
"
Thyristors SYMBOlE

Le thynSlor est 1.1'\ sem-œr.ooct~. Ç()III'joX'..oo lIIdroc-


tioonelle commandéil, le blocage s'elfecluiII11 lors de la
OOparltOOI1J COtIarll li"ect Le thyristor permet la CV"o.tation
l>k
d'IJ'I crorart datls ltI seIA sens lfooctG/'ltlemenl urtIvec·
l,o-'II"e~, Ce composant est aussi appe~ SemlConduc'or CAAACTI:RISTlOUES TENSION-COURANT
Cai~oIed Rectl& ,S.C.R)
"
Thyristor standard
un ltIynslor S:a'1tWd est caractémé IW les ll'8nes 00. ées
tec!nques que poli tIle liXie de rlldressemen1 COf'IllIètées Tension
retournemenl
par les OOmées Ci-dessoos
~ cwanl de ma~~ Il.1 (va*, mnmale rlécessa~e
peu Il CXI'W:ticrII.
v_ '" vo
v. v_ v~
d""""'' ' .1Ilge
liJ" "1I'1aIe il JI'\afIter* v,

--
.. le COltiMII
jI!JlCM lXIt wée p-édse a:xès QsoIr;I<On de r~
decom~l,
'"'
• la tension !VOl) elle COOfant (lQT) d'8fTlCI(Çi98(\'aIeu"s
mi'males des rlIpUSions de corM'l&'ldel.
'.
• la tenSion minimale (V(;Il) et le coorsn! minimal (/1>0)
d'<rroorçagEI possbIe tvaleors rnaxr!Wes des pentlba~ ce oEFlNITlON
-,
MONTAGE
~parletm.ulde~l, v...,. ,
• /."': ....... m:rwnaIettJ ccuantlr/l'OfM. ,,
~

• IfSJj: valeur ma(Jmale du courant Ir en olTee!, ~0f1


,
R '
répétd, ['0' r(l,JI dl 1,, 1,
• III :va'etxmaximalede
'.
associée a l' 9oerGJ8 qu'd faudra dISSifl«,
1 'J'
- ru ccuar1 '-
· 1"'dI1.c, : l'tesse knle 1T'.axrnaIe de CIl !Ce

Id~o)
1 dr r.
~ tasse 1-1e Il\aXJmaIe de crOIssance de .a -'
tensQ1 à l'état ~ I~çage lOYOIontate

crMdtdido!-...ort
-'.
v~
f(l.l

(11-"-
ModMI QICIItne CIItIodo

, ~
v~_ R,
. p-
E
~,~
(t)E X [Il

... ,/
~-
"-
Ek ',- " )
"
15 . 2 Thyristor rapide ffMPS D'AMORÇAGE
lkl thyristor rapide est caractérisé par les damées des thy.
nstlXS st:liXWd auxQUeleS S'ajoutent les caracténstiQues des
liodes rapi6es el les 00nnées ;pécIfqJeS Mantes :
• Temps de retard à la croissance commandée par la
gâcheUe (tg<l) OéIiniSsant ~ temps lT'iS par la tllOSiOO o,ecte ",
à 81tme 00 %de sa vaIelr rniaIe à panr de 1 '~1sion de 9O%deV
gâchene,

• Temps de Cfoosance COl1'trlaI1dèe par la ~'te 1'111


10 % de V
, ,
déliliSsant le t€Jllps mis ~ la lerlSIOI1Œecte pour pas.Ief de
00 %il tO '" de sa vaieo.r male, TEMPS DE otSAMOfIÇAGE
• T~ de cIésarro'çage II~) défrissant le temps lI'IimaI
à pan .. Iii passage par zéro Iii COI.TaI1t l, et 1'appa.rit.b1 entre
'0 ,--- '~

atode el cathode d'une tenSion posili~e sans amorçage


flterrpest~ du thyristor.

Le lemps de oosamorçage dépend de la température de


lCfICtiorl et de la t~on flverse VRI.I appliquée pemlant la
phasa de blocage,
Si une diode est montée en antparalléie sm le lt1yristor, la
tension lNerse n'est qJe de queques l'OOS , le temps t~ doit
être affecté d'l.Ifl coeffdent fOOit'Pkateu de 1,2 e(wron,

15 . 3 Protecti on des thyristors


di,
dt
PROTECTION CONTRE LES d: "
• Protection coolie les
'-
La protection s'eI!ectue eo choisissant correctement l'rox·
tance séne,
t

PROTECTlON CONTRE LES dl~


d'
• Protectoo cootre les dVf
dl -cIC-'_
le protecuon s'effectue en ~t LW1 conde!'lsateu et t.rIe
résistance en p.;raièie stlie thyristor.

R" [!".[
V dt Cr
R

4l j;C
"
15 . 4 Commande COMMANDE D' UN Tl-iYRtSTOR
Les constructeurs doment les caractéris-.iql)es suivantes :
VG1 : ten$lOl'l d'~ pargâchene l 'c
~
IG, : courant d'amorçage par gâchetle,
La CMIT\aIlde se fait ~ train d'onde. le blocage d\J th)'listar
ne se prodo.ira efll'absence de commande qoo lorsque ~
D, r •- •
D, R,

courant!, sera rU 00 brsqœ/T < I~. ". • •


i R,
Les 00:les Dz et 0, SEIM.'lI il évacuet l'énergie l:IM1aga.
Sinée dans le transfCffllat9lJ' tirs 00 la phase de cooductioo.
D,
-- 1
- 1

Le tra1sformaleur TI est un transformateur d'impulsioos


scmsnl à M'jau larrite.
La diOde D2e.ile, !en de la p:.ase de blocage, qu'Lf1 courant R,
IG 1I11e'$ll rie se Cf00. --ICf---
1 faut respoct(l( :
R,
• un l~ l, (je cyde mfImaf,
• une fréql8Jce de canmanœ varianl 00 10 kHz ~ 30 kHI: , ..--
~
"",,",m.

REIiAAIXIE ,
'.
m ~
Le GTO (Gate TI,Ill Off) esll,ll thyriStCl" Qli s'amorce et se
bIcqJe par la gad'tette, Le 010 so..wone. il j'état 1:tIqué, des FORME V. (tl
tenSions di/sçles très impo rtantes (1 500 V) et à l'état
passmI, des PÇII'l tes de courant bien S4)érieures à la valelr
moyeM€ admissible. 1 petJl travailler à des fréquences dl!
'.
COIMlUtatoo éitMIes (> 25 kHl). Sa o::mnande est obtefllJe
par U'I raille rosarrt de gàdlette. aYeC I.œ tensictl positM.
(1,5 Voolle gâchette et calt1OOe) pa.rl'al'lOl'çage et négalwe ,
(- 5 Và - 10 V) pa.r le blocage.

15 . 5 Choix d' un thyri stor LETn.F..S DES S YM 80LES


nOépend prrqJaIa"ner.1 :
......
Lettre tlt IAiIilIe du
,..,...
T.oductiDn
• du COllan! rTIO'fOO Mls le sem-rol!iJct&ll'.
• duo:uanl de poille répé:i:if,
• <le la leosioo l1Ye"se répétrtNe,
. ,, --..
mot lIIlgIaiI

---
• des t~ d'amorçage et de desamorçage.

15 . 6 Utilisation
,
•," --,...
~
--...
,,
--
Utilisations typiques des thyristors:
- coovertisselrs aIItrnat,l-cootirIJ W1:r0lés comple1s ,
- convertisseurs aJternatif-contlnu seml-conlrOlés (ponts 11'.
,pooiIIonJ --
- -.-
rrutes).
Utilisations typiques des thyristors rapides:
!2'
,,
posiIion)

- CQI1VertisseIJrs cootioo-altematif (OI\dIjeurs autonomes),


- convertisseurs OO1hnu-cootlfW [tudleursJ. • .....
"
15 . 7 EXE:\.lPLES DE THYRISTORS
THYRISTORS STANDARD ET RAPIDES

1.... 11",
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Thyno1Of
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Tnae A2 ou .",1"..
- ~'
.
Triacs SYMBOLE

le l'laC (lnode Aternatd Q1Tenl) es! -.II 5emI-œncb:::9


• eonduClIOn tlld"Kt,onnelle commaMée, ,e blocage
s'al!ecti8'llkQ de ~ ~ dJ CW51I dred. Le tnac
es! ~ Il deuI: ~ l"'oM;és lJl tWOSI'.JJIl-
1 n'exiS1e lJJ'IIIfI gkhene G et dew: ~ AI et (l2 non
Identl(p.leS.

Triac standard
Un t'laC 51aooard est tar&ctémè par les mêmes dof'Inees CAAACTI:RISTIOUeS TENSION-COURANT
tecnMlues qve poor une <liede de redress€l'1ent el un
lhynsIor standard "
la taJacl ér,sl'Ql/8 llOu~elle est le s;g~e du courant de
gokheIte '
le cueull de gkhel1e peul amorcer e UIIC dans les
ClU81re quach~ls de fO!'lChOllrll!!"lent sur<anlllle poIwrte T....""
- ,~ ~~
dèf'nie Ci.oessous
.::...,...,.. -'- - " '- ,~,

,-
.. -'-"
_,
-'"
Tension de ,~
!::tat

-
5uYir11e ~ d'a'IIOIçag9, ~ CCV"rnaOOe wmac tIeYra
sa:5éwe /lUI( \1111 1: 5 SU' If CClIIW IG" elle rapf)Oft Il'''

Triac rapide HCf


les tnacs rapides!(:T (ti1l CO'nnWtm ~edu:tlQ)\ SOOI
réservés pc.u ~ appkatJons AfrilQoer'lœ de lXImrI'o:IIaliOll
éIeYée et P'M'\Iflt ~er 9S dIarge l'lddiYe '
..
FONCTIONNEMENT SUR CHARGE INDUCTlVE

", "
• l.OI! litesse de Ctoosance de ~ tensjor) à la COIMlIJtat(W'l
éff!Yée (d~ldIJ,.
• !J1e VItesse de déotissaoce dJ cruart à la COI'TIIIIJa/.O'
éIevée(dJidt~

Triac sensible • , u'" ,


Les YIIeI.n très tailIIIs (il tolQIl\ de gachete piJ"'!tlent
d'lf.àslJ ce ~1iU par des atuls fl:égé:s SBf\1
il:eriaçage. " (dv 1 dt).

Triac à niveau logique HCT ,


_.
Ce lfiac aIie les ~acthlques des tnacs HCT au M'eau
dss (dlldt~ et des ~ sensibles pooJ' le CircuIt de (dv/elt).
"
16 . 5 Commande des triacs SYMBOLE D'UN otAC
16. 51 Commande par diac
Le dispositif de comflklnœ d'un tnac dOit fournir altema-
1_ •
tr.ement une !1lpiJsioo poSitl'/e et Ille impulsion oégati~e
synclYcosée avec la tensi:lfJ a:ernauve qci aimeme le Cl"CU,j
'\ V "
cie puissance du !MC.
16. :'i:! Diode de déclenchement (diac)
CAAAcT!':RrSTIau E D'UN DlAC
Le dia<: est \lIB ciode q.Ji présents la partiaJtarité de œ'e!'l
cooductrœ dans les deul SErIS, l,
n est ulilSé peu réalisa' III ctcuit de décleochelTJffit ctans
les drctits de ~ par triac tel ~lune corrmande de
plIISSaIICe,
VBQ : tensbn de retoomemert.
If)(] 00 I~ : coorant cie retOUll1€fl"er\1.

16. 5J

••
Tension de re!OIIITIOment ,,.. ..
,'1
COUlant de retoumemen1
1. ... I~1
DES DlACS
Ré!~ 00'"
"'"'
00. ~

,
---; ,
---; , ~
---1-
16. 5'+
~
DE C*MANDES ~
CornrnancIo par pho!ocoupieur

R,
5 V 47O f!
"
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220 • U, ~

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Co 0I0IIIa0j. penot! .. ......- ... _
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.... _ t~ 25(1(1\').
""" 10 _
<If p!Oio...,.. '" partao! .......
<If _ _ poUl lin

_""' dou'morDgot :U",. " ~, v'.~ • • 11,5_"'2" _ . :_ H~.


..
Ib . S.IIi Commande par CI
RÊGULATEUR DE T9.4PÉRATURE
Q'I cisIrgua deuX rypes de !XlIii, .. ide ,
- le ~ aWIlIl6ledelfuse. 10C1W 0.0'.' ". =.' =-
~

~
~ lB d.:spo!lltil 'cOllb/lle de rafale (ImI.antroII
Le ~ aeortr6le de Jtoase !otmt des fI'4llJsms ŒrrI .. " . " " " . , R,._"""W
le dép!1asage par 13j)POf\ a la lensioo secteUl peUl tl18 , , • L,121A, • , • '.
cootrOlé progressM!fTl8llt de 0' à 1&1' ,
Les dsp)sitils Il C(1'1\16!e de rafale lassent passer des Mes ,
§
,
,
,

il!

.....
=
d'Mm lJlWtes cie SIl'JS(lde entr~ par des moments '.0
de ttage 10'..1 iii co.rir'tt.
..~
.oo
Pruœs~M" • '0" ,
~

n.T. V
V1tI,I.. =- - •
T, GRADATEUfI DE LUMIÈRE A TOUCHE
'_11.
T. : pémde d'échuiluéJB.
T. :p{n:dedurés6aJ(EOf .. 20ms).
U.. : lOOSio'l efficace 111 rtIseau.

16 . 6 Choix des triacs


Id."""
• !li co..nnt effIcIce !ln If S8IIt-COOd.c1Il11,
• iii lXU3fI! de lXide répétrtiI,
• de la teo5lCWl cirllCle maxrnakl ~.
• tI8s \'lesses cr'bipJS des ~ et teroo'lS.

, DESTRIACS

'-
,.,
:: ,~":. N.... u
- - - - I~~::~
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"
17 Refroidissement des semi-conducteurs
Résistances thermiques MODËLE éOUIVALENT PERMETTANT DE SITUER
Aésistara ~ , en rjegrés PM wall rCiWj. jcoc1lOO- LES RéSISTANCES THERMIQUES
amtlallte d'oo composant : ----- --- Température de .. ionctoo (TJ )
RM
RIIIJA = Pd
----- - - - Tempéfaturedu boltl.... (Tc ou TB)
Résistarce tha'mque c1J radaleu' à aoSQCier à \.Il ~
R~"
Icliode. tral\Sistcr, régulata.r, etc,).
- - - - Température du radiateur (TAl

R_
----- - - - Température ambiante (T,.,) ,
R,.,œ: rèsistaooo th€I:rriq.Je 00 ro:uct case-radatet.f 1b:lÎl1er-
rcoataJ).
Ru;: résistance lhermque joncOOn·case.
R,,~: réSlstilllCE tM"mque ctJ raœtetX à ~tll(, TOM fOIili
TJ : t~am de )O'lCLOO l'IlID:II'Il<H 00 (::()IlllOSant.
TA: tempêratl1e iITilm:e 00T0ée ~ le calier des ~.
Pa: pjssanœ c\isslpée par le COOllOS3fll.

• Résistance thermique de
contact
Poor ta résistante themique du cootact OOîlieHar:!iatll\Jr, .'
TABLEAU 3
pIuse.ts valEus pewent ê:re ~ seIoo qJ:! le CCAltact AHinM:es.... ; ... 010 000lO<I _~_...., iooIoopooOli""
se fat 8'>'9C 00 $MS Q'a;sse sti::Œ'e d'lŒ part et rrjca I.'lID1t d'Iooo"'rClWl
d'autre~ (VŒ tmu 1, 2 et 3). Épais""r du mica {jo.m)

1~ . J Pui ssance di ssipable par


un semi -conducteur
La pwssance dissipée ma.>:.irnale par un seml-coOOucteuf
PUISSANCE MAXIMALE OISSIPABLE
dépood de la tempe-atl1e c1J boi'lier (Tc).
Ene est défirlle con\'entiOMeIler'lel'lt pour une température P,IWJ
ambante de 25 'C ; flOUS avalS : P~

PIOl = R
..
T..... -25_
- Constante

Si la lerrpéral!n 6épasse la valeur de TJ_. la puissance


dlSSipabJe est nulle. ~ y a destruction de la jOOctiOn. POUf
maintenir une tempêlature amb,anle acceptable, Il est
nécessai'e de monter le cornpor.ant sur un diSS,patelJf 00
radialll\l! ; r'IClJS il'iIlOS :

P . _ T_ - T_
- R••
, .'"
"
17. 4 EXEMPLES DE MOl'frAGES D'UN COMPOSANT SUR UN DISSIPATEUR (baitierTO 3)

17. 5 RÉSISTANCE THERMIQUE D'UNE PLAQUE MÉTALLIQUE CARRÉE

,
00'

,• l, .., ""

,•
,•
•- ,
0

L,, +
0


,•
J ,• ,~.

1 nvn oeior
l , ""'... ,
,~­
, ~-

,
L'é!émen1 i!I refrokli,
monlé au centre
PIaQoe verticak!
__l :--:---,-:-:-:;~~~~~;~~~l',--~C~'::~,
2 3 45 678910 2 3 ' 56769102
Longuaurd'oo GOt,j lem)
,-~
mm CI' • 2
tWI\

2
'-"' _

3 4
-
avec ....ret...neot
noir mat
sans revêtement

SolI ... . . . . - .. tonsioo Y, . 5 V _ ..... V• • , I Y o t _ ... .........,. . . . po< It rOtuI> .... P, • (V, - VJ " , • [15 - 51 ' ! . 10 Ifj,
......' _ . , l ~ mistonce ~ jonc!ion - . . ÔIaI1t .. J "Cf/I'
fbo/tio< TO 31. clittmino .. 10 typo .. "di, t..."'o..u... _lOgO po", R.... T,- T, • 65 - 25 -OJS 0 U!I'CM.
_ _ _ _ .15 'C lM< IN toftIpirIIurt _ do Z'5 'C ~ i P, - R_ tO
... ooit R... • ~ 'C/Wl. OO_dwlo_ .. _ ... r-.....Io......-~OoiIiw

Modèle "'ectrique équiV8H>n1


TOt R.... 1.5 'C/W ...... ,....... ........ _do '.
t en do c6té tI
cltl ... 4'tpoIoHw.

---lI[C'~'"~'~-,~~'="='";:~,,~['='~"':'J
Il 1-
1..I!npinbn _do 10 jonc!ioo . . _.,. , _ :
T, _ P. IR.,. +R... + R.... ) _l, _ \0. Il +0.2$ +1.51 + 25 -11,5'c.
T, J OC/W :~CO.25 'CIW T" 7 2:~C soit r, • T, -[ P, R.,,)" 12.!1 - {ID, 3) • -I2.5"Ç.
"
.6 DlFltRENTS TYPF-S DE Rf.FROIDiSSEURS

Boitiers Ta 5 - TO 99 Boltie< TO 220 Boitiefs TO 3 - TO 66 Boit'ers TO 220 - TO 3


R .. 60 "C/W Ro. 15"crw R", 7.7 ' c/w R .. 7 ' C/W

Longue .... standard 19 mm 8041Oe", CI 8.


BoI1ier TOP 3 Boitier TO 3 Dual ln l,ne 14.16.20.24,40 broches
R ... SoC/W Ro. 1.5"C/W R .. 24 ' C/W R .. 42à20"C/W

"II' ~ '1 1 31,5 1

~ll l II~ ~l ULJlj]


rn
l :'::lI oo ri 63.5 1

~ .. ~
Om
,,
",•
,•
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,• !, -------
o 3r~~

-
ni l00'~ 150 o 31.550 15 '00 '25 150
- o 31,550 15 100 Ile o 31,550 IS 100 '25

,,om
~
.~

,
.~

, ,
,,•
,
0
"------
31.5 50
" - "----
.00 .25 150
,,•
,
0 31.5 50 15 100 ''';
,,
,
• , -----
. - 'oo =
,,•
,
0
~
• • 15 100 125
,..
18 Amplificateurs SYMBOLES

linéaires intégrés
-
(ALI)
-. •
Un ALI précédemment appelé AOP IAmpliflcateur
OpérattOrM) est un ensemble ~ectron;que qui réuM les
prop'iélé:s SI.MW1Ies : M OO~LE IDËAL
• .4.mpi!ta16lX M t8OSlOO hl éEYée (10' à 10')
• GrnIe~d'entrée(> 10~tl).
• Fai:lleiflPédalœde~<250 n. [:,.
-
• T'.ISITII ), d'ISle lEfISIOI'I en c:ontnJ.

......
• la capacrté d'être rebcu:::I!i SU' renltoo e Q;JS dIiY8rw

.' • .( ) •
18 . 1 Modèle idéal
• AmpldicaliCfl en 181\W1 : V,lE ~ A .. ".
• Impédanœ d'entrée lifIérenlielie Infinie.
,.
• IfIlpéOance de 801:9 rwJe.
• Ba-o:ie passiIlte Ilfne. FONCTIONNEM ENT U NÉAlRE

• Connts de pcm$éItO'I rus.


• TansicrI de ~ (Of!se1jàlB SCIU!!de Sie' '" e-.
,Vœ

,..
T
I!S __ Fo nctio nne ment en régime
linéaire -
,
Ce type de ronchonnement s'effectue a~ec une contre·
• • •
réactictl OB ~ S1:11Ie Sil l'ef1t'ée irversetJSe /1' 181,
c-o v
• 1
dans la cas dIJ montage sJw\r :

V,:V, MochfIIIsation du montage

(>x
1S.:' Modélisalion •
, - 'L,-

la II'IOdé/ISabOn sous forme de schémas Iix:s perme:! de
A
clécrr"e ~ le IonctlnlElTlElnl el! ré!Jme re.ue.
C- I
E=V,- V. -

-V,' . 0-- "" ""


1f A '
A
'"
'. _ Fonctionnement en régime fONCTIONNEMENT EN COMPARATEUR
non linéaire
Le reboudage s'effectue StI' la i:toche@ 00 tIiro le ci"CU1l
est en 00ucIe OI1I'eI1e. (Clrctit utillsè en ~teur.)
DaflS ce cas, c '1 Oeti' = i- = O.
La sortie commute eotre t V... et - VIOl; dans la réakté.

ces tOOSOlS sont djftérentes de ! VC(;. '1--.
t y... : teoSlOO de sataratkln haute: •
t YIOI <. YC(;.
- V.., : tension de sahratioo basse
- Yu! > - VC(;.
Po!J 00 LM 741. peu- YC(; '" ! 15 V.
V,ot est oonrré pal la variatlOfl maxim.:;1e de la tersKln en
me (CIU\llUII'OIIa(le S'Mng).
La \'8Ieu( typque est 00rlflés par UI1e résistarœ de charge

(R",;;o2 kn). '.
Y... " ! 13V.

0 ,
ALI, imperfections en
comportement linéaire L

• lOtI . impédooce d'en:rée ddférentiell€ [mput diffefential


-1 , ,
IMPERFECTIONS EN COMPORTEMENT UNËAl RE

LM 741 :lod" rIO + -C-


I .' Z~
r","2Mfl: C",-l.4pF.
-
• lt.IC: ~ d'entrée de mode cormtun [mpedal\œ R.
corrrnon mode).
POU' U1LM 741, cela n'est pas précisé, de façon géoéule
, •
z.
!
Ilocl 1~ IllA:; l, un factetr l a' eXiste entre les deux. , ,

• R. :résistarœ de sortie (OUljlUi resistooce)


z~ (
R." l50 fl . , , m
• A : amplification de 1',ijJ ~a;"(Ie signal YOita(le gafl).
COMPORTEMENT FRIOOUENn EL DE A
LM 741, par Re,.," 2 kfl .
A" 200 (0) = 100 dB. 20 log A (dB) L~,
'OO r
les constructeur> préciseflI souvent la bande passante pcu-
l.I1 gai'! unitaire lA = 0 (!6).

(Bw: lIMy gafl ~ Bw = 1 Wiz.)


GaIf1l.8laile :
/lsnpfification x bande passante = constante.
Exerrf.>Ie : 1 MHz )( CD " 200 OOJ )( 5 Hz.
'"
• TRMC (T aw: de Réiectw 00 ~oœ Ccm1llll'l) TENSION DE SORTIE DE MODE COMMUN AAMENËE
Ce tau~ tradurt commllilt la tension de sortie de l'ampli- EN ENTRËE
fi cateur dépend de la tension dite de mode commun
(,- ;') • e' poo
La relatioo générale de V. est:
V,-A d(e" - e1+ Ac ( .
'- 2 -) '
Ao : ~ftCatœ en boucle ouverte (mode cIifIérentiel).
V,
,- 1

m
v,

Ac: ~fical101l 00 mode COIl'lI'I.I1. IM PERFECTIONS STATIOUES

TRMC '" 20 10910 -


A. '------------l
A. C>- ,
1 '..
Les constructOU's détnssent 00 • CMRR • ICoImIon Mode , 1
Rejectioo Ratio) par la reiaticl:1 :
- 1>-
'" I-I-
, v,
CMRR = 20 10910 ;CM parfail
• ,
'"
l' 1

'L AU ,.,. 1
--- ----- --------,
V, CM est la tenSion dJe au mode commun ramenée à COMPENSATION DES OFFSETS
l'entrée.
ex.:A = 2.10\ VCJ,I = 7,51J CMRR-90dB(74!) 1>-
V,cu-O,23mV. 1 -
Dans le cas oU nous devons exlra~e une informatiOl'l de m
quelques rfIIlriotts, celte tenslOIl ramenée est gênante.
"

• Iv,
18 . 5 ALI et polarisation •m,,- P,
, m

• vJ 'lerlSlOn (je déca!age loIfset)·


\
les conslri,.deurs doment :
lr1M offset voltage: Bmil poIX un 74 t ,
Lv,
la compensalion s'effeclue par réglage de P , .
Les conslructetJrs donnent aussi la vanatlOll de la tension
d'offset avec la températu"e:
PROTECTION CONTRE LES SURTENSIONS À L'ENTRËE
lIlj)lA offset voltage drift : 15 j1Vre.
• i' , ï COlXants de poI<sl$atio:1 des entrées. Les phéro::>mènes de_ lalch Up ~ (conduction de [a jooct;oo
Dase-coiecteur de la paife différentie[1e d'entrée) sonl ainsi
Les constrt>Ctet.rS dc«J<rrt : annulés,
Cotrant de décalage 911 Mtrée .
lflM:ofIsetrurent :Ioc = ;+ - i- = 20 rA 1741).
Carant de polansa:ion moyen :
L'll:llOOsrure'lt :!fJ; = i' ~i- = 00 nA (741).

Vanatioo avec la ttmpéfature : 0,5 Mf'C 2,


'"
18. 5 1 Sensibilité aux variations de COMPENSATION DES COURANTS i' ET i
l'al i rnentation
Le • ~ se1SJtrvity • est œfn par la rawort de la var at!Ol1
Montage inverseur
R ,
de tanSion à apPQJer à rune des oolrées p.:u mainI€fiIr la
trroœ œSCII.€ à zefO, la seronOe entTee élan! ala masse, à + ,cc
la l'arJaOOO œt€flSlOl\ de !'UrI!! des SOlll'ces d'ament.Jtm
Sensbildé ~ la vanatlOO de la SOIJ'ce • Voc - ~~
~V. +iH Vcc 1- Vcc coostantl,
, 1
Sensibil1è àa var.atioo cie la source - Vœ, •
,1V._I~- Vcc 1+ Vcc COo'ISlant),

Orclre de lJarnl€ur : quelques dizaines de ~ V/V. i"' -:œ ,


R,
R, ' : (
18 . 6 Compensation des
problèmes de polarisation . ,. m
,ns . fil Compensation sur montage Montage Intégrateur
c
Inverseur
v," - Rl!" + filR, (fi l +flzlÎ,
la ~r fIli'WTI<We de V. est ootenue poJ :
fi. R2
R, •
R, + Rl

R. ti:! Compensation sur montage
intégrateur v,
Pour le cas 00 rronta~ repfésenté ci-contre : R, t--J
V .:- ~
, C'
la teosb'1 de sortie va éYoIœ' j\JSQll'à sat\,-atKlll. Pour irllt€f
cet effet, la lonctlClll intégratfoo est tOUjOtll'S réa.sée sous
forme d'un pseudo-intégrateur en ilJootart une résistar.ce SlEW RATE (741)
!Rel en paraléle S!.f le cooœnsatetc C_ Celte réststance se<a Curr(llll UmJt (R L • 100 0)

choisie pOO" qJe &1(;" R;C SOI ilférietc (avec 1I1 factetr 10),
à la piJ'satoo 00 SIQ'l3I à ~é\,Ter- Un in:éga:eur srople ne
~
N

pelJt êJe ulisé que dans \K1e boucle déjà eXIStante, o

ALI et problèmes
f
}\ . ï
dynamiq ues
• \fi'esse maxunale de montée du signal cie sortie, aUSSl
Ilj)peiée • sa:w
Rate · • 0.5 Vil'S (peu le 741).
• Dépasserroe.1t dans le cas de la réponse à: l'éo::tJe<on.
lL-______ TIme (! ~5/d",)

- RtSeTrne : lempsde montée-O,8I's(741), R l : Rlood ou résistance de chatge.


- Overslloot: dépassement : 6 ,., (741). Time : temps.
Ces mesures soot fates SIJf 1I1 mootage stMIx I T~ " 25 ' c), ÛUtpoul Voltage: V•.
• Bande passaote (B.l 00fK1.' l au § 17.4.
".
18 . 8 DISTORSION DES ALI

u _"''''1 r.1Io
V~!'. ~ !· . _.+A.'
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"L, m ,
R,
R,
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" f f . /,

18.9 STABILITÉ DES AU


""

20 log'otAl

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• li coroetomUquo do 141 ..... C. _ , . .. poIot " 10 <16, -,., .....

par ~ .... C.IC. ' )(1 pf) ... r...,. f ".

COfI'I*IS8\IOn pat rttMl de phase en entrée

R,
-
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R,

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pot..t 00'- r.w par .. _~ . _ .
" •
'"
C<ift..,lisondMto",* IIbli
A6ponS& à un échelon du montage non Inverseur

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-- .... -.---,.,.ç...,;.;_ V. (1)

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.......... ' 100 PlI 't'Md M ....., Il..., ......' ,''', ".10. _ .....

J- ,
Cornj)tnNotion ~~
-, ......

Ix . IO MOD~LES ~LECTRIQUES ÉQU IVALENTS

lK . lOl MootLE A. NUILATEUR.

,- - t>-
- •
~·lIUpnoiI ... _

-._'1._. . . _01_""100_..-
• _
................. _~
, . ,..... _ _ ,. _ _ 01_ . . . . . _ ....

-- • J. -,- "
" • ±
1 K . [0.:' SCHD.tA CO~lPl..ET À. NUlI..ATEUR. UTILISÉ E..>J CAO (CI)IICCJlli.on A'~Sl6eprOrdi_)
LM 741

: .. 0111111
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[-.JO MODàESPlO! DES L\11~8. L\l 149 Er LM 741


c.. • &pf li LM 3ft f • "a:: • '00

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18. I l BRUIT DES ALI
Densité spectrale de bnJ~ d'un TL 081

l os c.... ""t.." .",••" u,.t l, d. n.lli, ",. cu.Io... bnII~ q"i ...,
Hi
01 ..,AI \ H•. los 1oU ' _IIIFn ••u .. _
. , . . - . .. VI\ ,,~
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1 de bruit
(j) "FIJc<er
dt _ ntTI _ _ ou' AU i _ bipoiaIrtt. po« _!<Ollon <10
_ .........to.l• • 'tvI" _'" _, ;....r,;_~ .. _ " i~ 40
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~'OI\'TAG E SUIV EU R ET BRUIT Modèle d9 bnJ~ d'un AU

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,-, " 1 11,11,)' /I,II'JB
,. Il,.11, " UR, . R,
18 . 12 Technologie des ALI ENTRéE À TRANSISTORS B IPOLAIRES

1il . 121 Technologie à transistors


bipolaires
C'est la première technologie misa en œlMe, Ele possède
d'excellentes caractéristiQues au m'eau blinde passame et
tension de bnnt
l,
lec
.. t05 0,
.. 0,5 AA à XI nA.
• .'
SA .. O,Sà70V/IlS.
Bw .. 0,5 à 15 MHz.
V• .. 25 a XI nVNHZ.
b" :LM741,LM I48,LM49

1H. 122 Technologie à entrées JFET


la pa~e différentlele d'entrée est coost.luée paf des tran· ENTRéE À JFET
sistors FEl Les courants de polarisation sont b€aucoup
!MM importants que dans la tedlnolog e bipolaire, et son
impédance d'entrée dilférantialla ast beauco~p plus
i1lportante.
Z ,,\0'10 ,
'se " 10 pA.
SR .. IDa 13VI~.
B~ "3à4MHz.
.- .'
V, .. 2Sà30nV/VHZ.
b.. : n Ml. n071, etc.
'" "

REItl.ROU! :
• Dans le cas Iir n 081 et Iir n 071, réta;!e de sorte étant
lIfI vrai dasse AB, la distO'Sion est très /ü.
PROTECTION EN COURANT DE LA SORTIE
18 . 123 Technologie CMOS La pmtection s'effectue pa, trans;stors
la lechnologie CMOS à l'origine considérée comme trop
_ , _ - {eT . Transistor
nstat:Oe a été re;JnSe par Texas et teM à se dévekqJer. Be ....... ' de sortie
est appelée Un CMQS, Ele remplace les AU OipoIaires et les
Protection en courant :
AU il entrées JfET, ~ les appica1100S classiques,
Le transistor T2 préj .... e ""
11 courant dans la base de T,.
1 > 10 il .
lorsque Je courant est trop
lec '" tpA , Important dans l'âmett,,,,,
SA .. 0,6 à4,5 V/ilS de T,.
Rp .. 0,7 à 2,3 MHz,
Le 741 n'est protégé que sur la sortie positive. ~ TL OS1
Bruit .. 30 à 70 nVMz. le S<X1t sur les deux.
b., : nc 271. ne 277, ne 1078, ne 251. ne 2201.
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1 CO:>lNEXIO~S D'UN AU AU typo n œl ~ JFET)

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AU LARGE BANDE

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SÉLECrION DES ALI À FAIBLE COURANT DE POLAR ISATION

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C, Amplificateurs à transconductance OTA
Un OTA {~alOOl1a1 Transconductance Amplmef) est un AU 1
dont le cœHicienl o'amplificatl oo esl variable el donlla sortie g~ "~ (Ilors pOJlarisation des diodes de lirw!arisation)
délivre un co ura nt commandé par la ten sion (j;fjérenlrell e
d'entrée Le cœIOOent d'ampificatiOO (9,,) cie l'OTA est appelé lOb<;: COOI'!r'.1de pdarisatlOO de l'étage d'oolrée.
transcooductooce, ~ est exprmé en rrA/II, g.. est proportiorvlej
VT = ~ .. 25 mil à 25 'C. g.., : transcooductiJ'lCe Im.AIVJ.
à 1... (&1ll~fEr Dias MM!I.

Symbole constructeur Modèle simptifoé

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Q.I SCH~MASTRUCJURELD'UNOTALM 13~ MODÈLE SIMPUAÉ DU LM 13600
BuN.,. i"Ipu1
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Dans ce cas. les diodes de linéarisation sont polarisées.
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20 Diodes électroluminescentes
les DEL jan anglais, LED' l.igl Erruuing Diode) sont des
SYMBOLE
diodes électroklminescel1tes émettallt l.I1€ rad;atioo électro-
magné~, ~'ekis som pdarisées en direct. le spec!Ie
d'émisSIOn est très étrOit et la longueur d'onde d'érnisSIOO
déper.j du maiéfiau.
SPECTRE D'~MISSION
20 . 1 Matériaux utilisés
1 GaP/Zn, D-Rouge
Or! utilise pour la fabncation des DEL :
2 GaAso,e Po,.-ROO98
• L'ar5èrtJre cie gaJbum GaAs ~:JIllIère rnrarooge), 3 GaAs Q .• Po.e/GaP-Super rouge
• Le pIlosphorure d'arséniure de gaUium GaAsP (lum ière 4 GaAs O,\5 PO,85/GaP..JaUfle
5 Gap/Gap-Vert
rouge 00 jare).
'vllvo (%)
• Le p/Ios!:tlonte de gai.rn GaP ~ 'I€!1e).
• Le rotroc€ de galtUn GaN (kxnëe bleue). Œil , •" ,
:W . ll Util isation ""
Les DEL émettant dans ~ proche Inlrarouge (GaAs) sont '"
U!iksées pout la lectlle des bandes et cartes perforées. les
c::ommaooes à dist<me, la mes<Je eo inlrarCll.ge et œns les
'"
""
..
p/lOtlJCOl..l)leus.
les DEL émettant clans le viSible, avec !Xl pic du spectre
d'émission dans le rcx.ge, 1e,aL{\(! ou le 1'Brt. lrW;ent leIx
'"
l..(nm)
~tiOn dans l'affichage flI.IT'oérqJe 7 seo;penlS ou l'a16·
'00
"'" ' 00
chage alpt,~, le t~, l'appare1lage ménager
elle pJet. La Iooguetx d'onde 00 rayoonement émiS €S1 iée à la largel.ll' (je la
I:lafde Iltercïte du matéOaJ. ~t. la kmère émise au rWeau 00
20 . 2 Conditions d'utilisation la jOrX:ticO pa' \I1e 00de aectrct.lll'nsœnte n'est pas rigcurusement
Une diode éIecIrolmrJesceme ne SlWQ(te, ri \Ille tension rncooctromatiQae. Be est caractér.sée. en reaité. p.J' Ufle 1is!ributrQn
iM!tse très élevée (VR de 3 11 5 v~ ri tIle tr(9 J3lde IOtrosrté spectrale cmuée autru de la lré1:pn;e la p\JS probable ~p CX1fe5'
ctecte (If de 20 à 50 mA). pco::\<flt awoxrna:iva"lloot li a lilI'gaJ' de la bande ir.terilte.

,
21 Afficheurs EXEMPLES f)'AfFICHEURS

2 1• 1 Afficheurs à DEL ,
Is soot obtaous par aoSOClal!Of1 dans 1.11 même boi'JeI, d'un
certain nombre de segments LED permeHanlla représen-
lauoo de chiffres 00 de jeUres.
Avec la même lechoolog,e, on a des afficheurs 7, 9, 16
segments amsi que des afficheurs à matriCe cie ptlmts QUI
permelter.j, la représet'1tah)'l de caroc:tères ~hilfllrl'lé(KpJes,
Ces affICheurs pooterT1 être il cathodes 00 anodes COI"T'o'WI'le$.

2 1. '2 Afficheu rs à cristaux MODE DE VlSUAU$ATlON DES AFF!CHEURS LeD


liquides (LCD)*
Sous j'infuence d'Ill champ élec!rl~e,
les molécules Ides A
cnstaux liQLides) s'orientert dans le sens du champ. Les
modficatoos cp appamlrOl1l dans l'orieo1ta:oo des lOOdu"s t , / , /
CCD CCD LCD 1
Iraduiroot un cttan(jemem des propriétés optiques de la ------ -
Slbstance et plus jWliCuièl'emerJI affecteront la lr~SSiOO t t
de la lJm.ière.

., • ') 1 Mode visualisation


:ç:
Transmissif Renecuf Transllectif
• Afficheurs transmissifs:
L'a:f.choor est édairé par l'_e,
• Afficheurs réflectifs; On distl"11"'" deux sortes d 'afhcheurs:
Urle feUle réfléctussante est pI.clis deHûe l'affICheur, Cet - les affICheurs avec contraste positif.
_ les afficheurs avec contraste négatif : les segments
a/fJche\J" s'utilise lnQIJOOlOOl en Uruère ambiante. Ce mode appa..aissent cla irs sur fond sombre.
de fOflC1ioonement presente Ufle très bonne ~ sib uté et Ln
comrasle éJeoié,
MODÈLE ÈLECTRIQUE D'UN AFFICHEUR LCD
• Afficheurs transflectifs :
Une fetile 5ef"H-transparente est ~ derriefe l'analy'JeiJ'
R,
d'lI1 a"dIeLr transmssd. Cene feule trarlSrTlet €!Mr0ll47 "
de la ullllre incideo1te et en réfiéctJlllll'li'OIl 52 'II.

• .,., Limites d'utilisation


• La COITliXJS<lllte contl/llJe de !a jens(Jn altematM! 00 doit C
pas dépasser 100 mV peu évitllf toute rèdllCOOn de 'a l1ufée
de vie de l'affICheur.
• la limite inférieure de la fréque!1ce da la tenSion de
cormJande est de 30 Hz pour éviter tout SCintilemert.
• La lim_te superieure de la Iré-quence d'uti~S,l!Ion es!
c!croée par les m tes de consorrmaboll ~ 1"01'1 se frxe R 1 : résistance série des électrodes (10' 0).
Entre 30 Hz et 1 kHz, l'afficheur LGD peut être COI'lSdderé R 2 : réslstançe du cristalliqukle It 0 6 0).
2
cOIMle \Ile cnarge ~citive. le courant augmente œal- e : capacité de la substançe nématiq"'" It.5 nF/cm ).
rffi1i:fll a~ la fréqJeoce.
' lCO L.Q.ojoCrjU DII:ot!
'"
2 1. 3 Commande MÉTHODE DE: COMMANDE ()l'!!;CTE D'UN AFf)CHEUR LCO

21 • ~ 1 Commande des afficheurs à DEL


Elle s'effectue généralement par un niveau de tension en
" ---;=8- III
commanc:te d~ecte ru multiplexée (off = 0 Il : on "' 1,2 Il à
1,6 V]. S(N- 2) O_ off
, '1
_tV'0 0oor . ,

21 . 32 Commande des afficheurs LeD


S(N-l) t_ on
:! 1. 321 Commande di recte
CIlaQt!€ s~nl esl coooecte séparément. On utiiSe une SN 1 _00 ., 1
V;hnn
0
r • ,
commande par inversIOn de phase. Un signal ca rré est
a~ué au CorMIUI'I (OO'Ire-électrodeJ, le même sgnal en
v;tnoor . ,
phase 00 en ~tion de pllase est apçiiqué SI..f d'Laque c
segnenI (éjectrode). La ~éfel'lCll de tetlSiOll entre ~ CCf11re-
électrode et les oo::trodes dé100me le rlveaJ de tension de MËTHQDE DE COMMANDE MULTIPLEXÉE 1: 3
COI'IYI'1M(1e de
l'affiChe!r. D' UN AFFrCHEUR LCD

LorsQUe les tensions de contre-éiectrode el d'éledrcœs som Tension Teoskm


des électrodes réSU~3"'~
en phase. le segmerlt est él€im loi!). lorsQUe les tensions des segments
SOrl1 en opposltoo de phase, le seqnent est almé (on) et la
tenSioo effICaCe réstitente est égale à dew lois la tension cie 'w
m

.....
corrmaode des CfClllS inlég'és CMOS utilisés

,
Ce mode de comMaI'lde est géneralement uluisè pour les
m
'~ j-'-'--- - '"
-_m
'~ 1++1+1+",

affic:t'JeoJs COITllI'eoant Ll/'I nombre ~1é d'ruormatm.


m
:! 1• ,~11 Commande multiplexée _'",~ 1+-t--1+~
-m
Ce mode de coomande a peu 00t de rédJire le I10IIlbfe de
coonexions. la confi guration (!es liai$Olls de l'affdleur est
conçue po.x aVOir autant cie commll1S qua de oombre de m
segments reliés entre eux par la même électrode. C'est le
,"'~ R--f=-j-f~
nombre de COIIlITlUIIS qli délermr.e le la\)): de lIl.fttipell<lg8
~,"".
le schéma représenté ci-contre est un exemple (j'arran-
SOl
• on •
'W
~lmm
0
__ ~
_
_m

gement polK LlIl Mw: d€ 1 : 3, Cet ooargemeol équivaut à


002
'W~
~
une matree IXxlt les i1:ersecbons ig'oes·ccbInes représen- • on ...• 0 ---' VonRMS - 0,638, Vop
teraient les Styœ1ts à corrrnallder, Les Iigll9S figuretllies von _ _ 0,333. Vop
COI1lIUlS et les ccb'nes les gowes de segoon\s,
:lbJl
.
.0 _ _ _- "
0__
'-
'-
.1 ,91$ .

1,_,,"_-
~,

"""""
Ce mode de wrrnande a peu- bu! de rédwe le IlOOlbre de
• on/on ,"
IIO'J'.,._
1: ....

corneJcioos, Le n',~lexagoe est utiisé en particlftef peu-Ies


affidleurs ~ à matnce de pOOlS,
m

• EXEMPLES D'AfFICHEURS DEL

""""
" ~ E:l
"'''
" ~ E:l
'"
4705

" ~
" [8]]
• ~
BROCHAGES

" ,,,
~

_-.!,_
MFlCltEliRS
LtI_.... HllSp·~. ·:/\101,·2002 _
~
<00._
Il sont ,",,: iIb~ ...
s.a _
do qHIre ....... do 5 x 1 OEl. do do""""'." _n ..l do .... _ .... Iot ...... _
o1_lIoutr.doI ...................... 1a _d'un _ do j ...... 11.... If« 1 2 _
OOAl·lH·lJIjE. ua ~U. i "","1a9t. J bit> SIPO (onrio _ _ ....-, _ i dIoqao _ _ _ IN . . jIioIao i ........ cons\aorI. dot
. . . . do DEL l'oIIIcIIIgo d'un on:dto.,.... nI_ po<~. . " - do cf!aqut ooIomo.

-
"s

22 Opto-coupleurs SYMBOLES

Un opto-coupleur est un dispositif composé de deux


élérrents éteclrtqtJem€fll inOépendants, mais ophquemenl 'le -- 'le ""'"
'le -- ~
coup lés, à l'Intérieur d'une enveloppe, parfaitement Transistor
étanch€ aux IIllluences lumineuses extérieures.

'le --
~
les deux é'éments conslitutil s de ce dispOSiti f sont 11 Oarlington
j'e.11ree, un photo-émetteur. dans ie l'isJble ou rilfrarQuge

'le --
el. 11 la sort.e un photo·réœpteur, photodiode ou le plus
Th)'listor
SOI.NeIlt photo-lratlSlS:or.

'le - $
L'émetteur d ' e~lrée est al,mentè sous un couranl lf.
provoquant ur.e émission radlatl\l€, rilcupérée par la base "'"
'le -
du photolransislor pOUl donner à la sortie un courant
colecteur 'e-
De nOr'lbreux OplO·coupleurs possèdent une struclure
Interne pkJs complexe, avec compensaliorl en température.
$- Porte Iogque

ou circuil109'Que de commande, diode Sçho11ky. triac, CARACrtRISTIQUE le ~ !(/d) DE L'QPTQ..COUPLEUR TIL 113
ele., mais le but est l~rs iderUlqJe, seul l' usage crrrere. Courant coilect8!Jr en fonction du coorant dooe
Us pevvenl également être piusltlurs dans le même boIl11lf, l,

" .- ,"
JUSQU'à conSlit~er un l'ér,tahle (éseau d'Oj)lo-coi!pleurs. (mA)

'00 1.

22 . 1 Caractéristiques '00
'. " C

Chaque opto~ f~ l'OOjet d'\l'Ie Iële caracténstq..o'l '00


cIonnée par les constructeurs.
Cette fiche donne les courbes ~aract ériStr Ques Qui '"
pemleltent de déterminer les conéitloos de fooctKn'lement
(je l'opto-C~I!I.r.

Les caractériSt'ques spécifiques d'un Oj)to-coupleur sont


pnncf!Jalement:
• la tenSiOll d'ISOlement entrée-sortie,
• le COllant résiduel 00 obsrulté sous lenoon de Ifavai, PRINCIPALES CARACTERISTIQUES
• le taux do transfert en cour~I,
• la Vitesse de transfen (bancIe paSSCW1te), Gain
• le cooranI rrniXIITU1100 sortie, R, 00
Pouvok isolant? courant?
• la puissanœ mamlll'l1 QUe peut dr.s<per le ball er.
u. U,

22 . 2 Applications
Courant limite?
• RErials staliQIJe haut roement.
• Coornaode (je lhynstlXs et (je trl/lCS. + Bande passante?

• Interfaces de CtCIJrts lo:Jiques.


n,

l 'li
11''
, ,
, ,
3

1 ~<lO, ....... d'l. . dei .. GaAs
1 VIiIN' ...... du cm :
300 '10 min i 10 mA,
et""'" ~tor o.'ogIu1'Jof"H liIdtm,
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~ ~_POOI .... phalO1iodo, ... -.pI""".t ... triggor do SdIOIIiII i I~"'" , .
1 SoniI <lO' 1 77 1 TTlJI.STlL
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~-
'"
23 Photodiodes SYMBOLE

Les p/lotOOodes sont des diodes au siictJm ~ fonctil):'OO'll


an polarisation fflefse.
Sous édairement, les photons affilient au VQ1smage de la
jonctloo et hbèrent des paires d'électrI)Hfou. Ils tendent il CARACTÊRISTlOUES (BPW SO)
acaoitre le courant i'lvarse. pr~e!emenl à l'intensité Rl!<'Idemeol eo fonction de ..
I~se ilcldente.
s,
(%)
23 .1 Caractéri stiques
D . ll Sensibil ité
Les oodes ILfTlneuses sont de longueurs (!'on<Se d1Iféfentes,
toutes les œrues ne répcojent pas de maniète klentKjue à
ces di~érentes longueurs (j'onde. Le constructeur d' une
p'101Q1iode dorœ une oourbe de répoflse de l'élément en
fooction (je la Ioogueur d'(X)de de la kmère reçue.
ex. e;(jlIine la sensüilé "du clétec100'. poiS Ille longueur
d'onde déterrl'lrlle de la raâalloo trcideo:e. en ~es par
watt.
".: - "
oP.
,
Directivité
P, : ~5a"IC€ Il.IITIioeuse OOdenle évaluée en wa"s pour ta
kllgueur d'()(l(ie t
i : r.lefISlté du courant en ampères.

2J . 12 Capacité de jonction
Plus la capacité de la jcoction est faible, pkJs faible saa le
temps de COIlYTIutation. 50 ,
De très faibtes capacités de joflction sont obtenues avec !Kle "'"
structure P.I,N. EX EMPLES DE PHOTODIODES
l.kIe tension fflllfSe élevée élargit la zone désertée el de ce Photociodo pp 506-1
!<.il alJaisse la capacité de la jonctbn. lar9f _ optChIo.
T_ l I t tOponso'.....
~ J . JJ Directivité et détectivité CtIIo P'o_ ....... _ _
101 .... lIIIc-.dlNC.... . 1It
C'estl.J possillIJé j:tJs ou mciI'ls 910000 qu'offrent les OOdes flrlMt, lJ'IOrMI _-Joooo ..
pour déceler des rayOMements de faille IIllensite. Be est .,..-110 'Ir ; "'~.
liée 11 la tachrologK! 00 détecte\J el à la foone III bottlel,
Une photooioOe est d'aut8l1t plIS S€OsibIe que sa ~é
es! [1ande.
Les constructars 00rvlent l1Je ro.rlle cie clitec\l'IIté III cap'
teur en l00::tiOrl de l'angle de réceptbn cie la lumiéfe.

23 . 2 Applications
• M~ure
quantitative 00 la lumièfe,
• Télécommande 0\1 transnlssion à alStiJ'œ,
'"
24 Phototransistors SYMBO LE

Un phototr<o1Sistor est III COO1JOSant qui possède la même


structure qU'lIfl transistor bipdarre classiQœ, mais dont la
jonction c~lecleur - oase peut être écJairée par un rayoo·
nemet11 Uriroeux. CARACTÉRISTIQUES
/qu (mA)
Le phOlotransislor petJt être utiisé seit œll'\3I1IéIe cI~ f'hototransistor
(base pOOris€€). SOit • MSS en 1'(lI' • ~ est l'appicatKlfl la
pkJs fréqHtle.
type BPW 71 "" , ,,
,
,
Le cornp::ttement ~ ru p'loIotransistor es! l'IlOils 001 "" , "" " ,
", ,
,
Qt.IB celli de la Iffilcdode à calJSe W mécamsme d'an~· VateuNl typ;qlJeS
"' '.'
ltalion. T....... ~ 25QC
----
::!4 . 1 Caractéri stiques
E (mWlcrrr) ~ 3
p _ ll0mW
$ource" 930 nm
" ••
" ,

2~ . ll Sensibilité et directivité
Mêrn.1 ~ que peu les photodiodes {§ 23.11).
0 , , , 'œM
/qu (mA)
Les liloIodar1llgtons se caractéosent par urE sensitilité très
élevée. '"
24 . 12 Amplification
L'ampi ifiCatiOl1 en courant du photolransastor vans norma· Val8\.lr"s typiques
"
lement (le 100 à 1000. 1varia avec l'édaJement.
les construclars donnent cIes c:c:ubes représentant JqL : en
T....... _ 2S · C '" "

10r0:;1101'1 de Vct Pcu III édrurement défni (E) el ceci pour


E ImW/crrr)
p .. l10mW
SourcfI ~ 930 nm
" "
différents courants de base.
"
24 . 1 .~ Temps de commutation o , • 6 VeeM
(f réquence de coupure)
Les temps de commutation TR et Tf sont loncllOl'l de la EXEMPLES DE PHOTOTRANsrSTORS
fféqueoce 00 transnioo r!, (je la rés.stance de charge, la œ
capacité cdIec1w'œse, el d\J gOOl: ilS SCI1\ de l'ordre de 1 â
30 ~S!t charge réststivede 1 Idl,
2-1. . 14 Coumnt d'obscurité
Le rourant d'obscllflté oote 10 est plus Important dans les
pIlototransislOfS et pholooartinglons que dans les pho:o-
diodes. Il est de l'ordre de 1()() nA (1 Il la nA pour les
photodiodes).

::!..j. . 2 Utilisation
Les photO\rMSIStorS SOO1 utilisés corrme détocteln photo-
électriq.Jes darlS les $'j$!èmes 00 commande et de ré9Jlaton
et trMenl d'ilTJ!lOrlar.les appicalions dans la lecture des
bandes et ~es perfaées.
'"
25 Photorésistances (LDR)*
50 rU' lIdIn li! ~ar, (J1 CO'lS'..:;:e aJe sa CM1Jc.
SYMBOLE
t\'<té aqre1II ro lSidiI atIei I.,t
t'acbOn des pl'IoIons prod.it SU' ltI sea-<::O'ldu::tax I1Il\'ilfl
~ , U~
transter1 (!es électrons Q~ sont intrlXlUI1S dans la
bande de conduction. Il y a une a~gmen1a t ion de la
CCtId~t(JMé
CARACTÊRISTIQUES
"
=
Ce p!léIlOOlèIl!! es! appelé photoconduction. El :CdSeH35
Une phol\YtSi$lance Ltw cette pro;iré:é fie est cons- SI :CdS H35

--...
Ill" d'lIl8 pIaq.oette ~e SU' loqJeIIe 00 Oép)se III :Iel'l'

Dels l'ctl:sarrte. 'a rèsIs:.n:& de l'èIer'en! est t"eS èIMe


Dés QU'~ esI éclaire. la r/$s\;n;e dr." ru en kn::oo de
l00O'.XlO'.Xl

100'.Xl0'.Xl

"."'~
""""'"Caractéristiques des LOR
25 . .oo~

Cellules au sulfure d. cadmium (CdS, ccUetr I1'arroo)


,,~

~té spectrillB matH!)aIe à 575 ml


{400 < 1'\511*1 < &Xl Ml) .~
RésrsINa d'ooso.rité' 100 Mf!
RésIstance d'éc:lainmert , 0,3 kil à 1 OOJ Ut '00

". •••
Le t~ Cie répcw\se "10 à 30 ms.
c.!luIt .u sêl6niure de çadJnium 1CdSe: • " ' 00 10'.Xl 100'.Xl

SEr'Isütti spectraI& ~ fi 730 Ml trcu9E .


AésIStn:e d-OOscœ:é 100 Mil.
D1F'I'ÉRENTS M ODaES
RèsIstata d'klale" 09l'Il _ 0.3 kil à lIXXI lA
LB t~ de ulp:)use là 3 ms. NORP 12 • H$L 1,.11151

Cellules lU lulfoMlinlurt de cadmium • l'tIot<risistIn al ....... III


(CdSSe cooJeu rae) CIdmIum (CdS), <Iont Il 'tponH
SIlnsbkIé spectrale mmale à 600 ml.
Résistance d'OOSCurité : 100 M{J,
.........
~'- lit .Imilaire ~ ceI'- do

• (nc:lp ... lH. un$ un boItit,


FlésistSlCe d'klaremenl : 0,3 kil à 100) lç(,
plMliqo" ...... d'tpoxy ..... tn.
T~ de répcr.se' 10 à 20 ms. ~ l'humldit' , .. fI: un. 'on'l,"
Cellule au sulfure de plomb {PbS) ptMt;qoe """1*.'11.
~J spectrale lib,.' 1800 DU 2500 rrn
~\,
Réslstareed'oosar1é: l "fi
Résistne dëclarM'«ll 0.8 kfl à Il)XIlIx.

._
T~ de repcr.se: 0,1 • 0.25 ms.

~ ."'i . Applications
.
• Com'rwlde d'éd.age
. Photogap/lle
' LDII _qo. DIl>IIW< lIMw
26 Exemples d'utilisation des composants
opto-électroniques
:!6 . 1 VISUAUS.\TIO," Dé t "I7rAT DI '>ORTUo IYlJf\E PORTE LOGIQUI

• ~!L; ;.i ~vos, OeICCY24 ,y, (! 'II


• T8n$Q'I da.f!lE!f\:at 00 5 V v,
• R sc:wte etai twJT ~ 600 Il b
• R sone etai BAS ., OC(I Il >
Pw S· H, Is est nE9atrf ~ sert de la porte): • "
1~ -_ Vf-V, , 4.8mA
."
'f.,.
"'" S

26 . 2
1
.' .
L. oest ~Mli~:'eœnslapcre,
V.
-
V,
66 '!'A 0

CO\tM A'-OE DE TRI,\(" [' \R PH OTOCOVPI H IR

le coorant (j'amttçage rléga:rI o:h 1ft me.ftelse caracte"St,qJe


cie déoenc ....'fOC111 cioo CCUallt pœ , r La '$$ISla'K'€ R; Me , "'" e, 380
CN3111 de ~.QIT8Il
C,
0. 1 JlF oov m
U, U, U·
R;;· 0.1 ,.F
'.
U,
U.
:niM lM<""au.D: tIOIneS OB C 114 V'
!&'19io)'1 maxrnaIe de déd$'~ 13 VI
,.
.7(1
R,
~;W'2
~" 1
~
Uœ :e!lSIOO de sat..a:1CtI cdIec1et.1 err.t::!IS de T. ~5 Vi "' ~
l,- : CWMl (le decIenc'lE!l11€ft ~a.u:nalI,1lO mA:
la résistance Rjlmle le CQ;rrf'lt dans le pOOlotrarlSlStlll, 380 V R, R,
R. -.n la pclar.sa~ correcte de Tillai: il.6$' ttn CU"Çle ,.
trou , 0'
O:r-
ru raw:t' OC hallsleot en COIS'" M'II le rht~ IXU
dI.~CI'I1Wl8IIe ClCUII de COtIl, ... .:le ;:1- , 117) "
c au.rt (J,r.' le ~alls:s:or 1.

"""
.~ CNY21
'" • c:lIJ~: d:iins la j(àt
Le coorant Ir qUI do~ cifcuier dans la dcode pour prCJ'loq<.>ef " 2N\111
" C/
• e,
l'/III'o:)IÇJIjIe iii troc sera R. "'V="
U, MlkU
If~...
C~.RA

26 . 3 l'TERFACE E'TRE.<1RCLlT\ UXiIQL.;[s


,V=
\le.;, ,,\l, V
R,- .Vee , ~ •
-~ l, R,

~1"Ifrc; ;k' "


' ~.II
R Vth . .....,
,,~ -, Ia-_ t l'K
\I( '
L!c~1&
m

B,., • .II
".
27 Fibre optique PAOPAGAnON D'UNE ONDE opnOUE

Constitution des guides


d'ondes optiq ues R p
Le conducteor optique est CllI\Slltué d'un matériau trans·
parMI d'ildice n, {cœo.i) qui aSSlJ'e le cherrOOel'loot de la
kJmière, entooré d'lJ1 matériau d'irdce nI (garoe) qli permet
la réfractiOn de la ltIr'hère à coodition de re~ter la reill!bn
111<11,.
L()I'sqJe le r~)'On luml/leux Ra rencontre la face POP' du
gtioo SOIJS LII'I ar1{Je 6, j est diffrac:é selon LOO œection ClED
faisanll!lOC la ciroctiorl 00 plan d'entrée lJ1 ar,g1e u ; la lei
ru la réflexion totale précise que la valeur m.m11ale 00 cet
• est tille que sm a = Ill/Il, pour qoe I€ rayon IJfIIII'I€ux
SOI reftOC:/ll SUl'lantl.l1e Cirectioo ED' avant de se penlre. STRUCTURES DES GUIDES D'ONDES
Si a aligmOOle, le rayon k.mine1.lX suit la trajOCtQile EE', se
ré~échit tIeIlouveau el aiosj cie suite avec \lie pMe (\épen.
danl de la pureté 00 mIeu nI et oe 'e tpJaité de l'menace
Ill!nl' Q'l C31act1Jise l'Mje mamuTI d'acœpI<wlœ 00 cœur
e e" n,
,
~I
00 gOOe optqJe pa- la relati:ln SIn cœ" ce Qli
"""cos,,"}-(*r 00 SI(l8"n,} - (~r
'1> du cœur - ~ longueur d'O!"lOe de la lum>ère à transmettre
VII,1-nl est ~peIe CU'iertlle~ , 0.8 Il 1.3 1Ift'. ce qui donne une capacité de transrmssion de
l'on::Ire de 1000 Mbitsls.
27 . " Structure des guides
d'ondes optiques MULTIMOOE
Q'l dsttnogl.le tros structll'fIS :
• Structlle nUtrnodes à saut d'MtCe.
• Structl1€ rnJtimodes il 9'adten1 d'i:Jdiœ.
• 5tJllCtue rmno«JOde SauI d'indice
le dlOO: cIépend de l'éMl'Ieneur de limJÈJe, du proo.i1largeur
<li du c<wr très supérieur à~.
je bande passante pal la k:Ino,].teur de la transmission et du
Capacité de Iransmfssion _ 100 Mblt$/s.
'Il)rT:bre de COflfleXtoos QL.i diminue la bande passante du ".10 Il 100 dBlkm pour les verres. 2 à 5 dBll<m pour la
g.ide d·cnjasOjltl~$. Silice.
La gaile possè(Ie 1Il00œ cie réfOOioo n2 Da 0,5 à 10 %pIJs
Detlt qœ l'Diœ de CŒU' n1 poI.t les strœturas roottrnodes.
Fibres plastiques: ces fibres oot un prix de revient très
Jlféfielr à celui des fibres ' tout sW;e '. Lw atleooalion est
très Importante, ei1tre 150 et 300 dB/km. Leurs fenêtres Gtadient d'rok:e
d'a1toouatoo mlllmaie sa SIluent dans le l'tSibIe à 52ll nm. <Il du cœur lrès aup&rieur Il ~. mels pas de discontinuité
570 rvn et 65() nm, Ces !i!yes sollt utisèes peu- des ialSOOS brutale d· indice.
~'à 150 m. EJIes cooYierIIenI dans les miieux pertl.lrtlés Capacité de transmiss.ioo '" 500 Mbils/s.
" . 10 à 100 dBll<m pour les verres. 2 Il 5 dBlkm pour la
éjettromagnétiquemrot ou explosifs. alRSi QUI! p:x.I/ 1I\.!fl1llef silice.
des nxaieoo ou das caaans.
'"
27 . 3 Temps de propagation ATIËNUATION UNËAlAE
• Dans LIll guide multimodes à saut d'indice, le temps de Exemple pour un guide d 'ondes /1100 MHz
prCJ!)a(la1lOO par umé cie bngueu &'ltre le trajet le plus long de bande passante
et le trajet le pkJs court est défri par : Atténuation tinèique (dB/km)

r", l- x !:l. (n , - nl~'


C 0,
L ; !.rite de klngJe1.r,
C : vitesse de il klrriIifa.
Pour n, - nz = 1 %,IOJS 3100S l '" 50 r.s/km SOit une barOe
passante < 20 MHz fJ(l1.J" 11<rn. 10
• DarlS un guide m~rnode à!Tadiertt d'indice (ou l'lIrialioo
continue d'indice), le profil de~ant répondre à une lOi oL-____________________
r,;asrnent par~, 00 égalisa les temps de transfert des
004 0.5 0,6 0,7 0,8 0,90,95 ',00
oifféfents trajets de forme héUo'lidale, à t < t ns d'ou une
0.93 l ','
b.nle passa<te < t GH:I:.
Les d ifférel1ts pics sonl dus $Oit à des impuretés, soit au~
27 . 4 Composants électroniques pilrtes par diffusion de RAYLEIGH inhérentes au matériau.

de liaison
27 . 41 Les émetteurs
Dans les g8'T11f\eS de longueur d'onde, où les gœJes pré- "(' )
" , -r -
....
sentill11!.1le atténua!tOO ml'limale à 0,9 ~m et 1,06~, 00
cis;xloo de ({ois types cie $(Uces. Les DEL à base d'ilfmure . ~ , . "
(je gaJu'n émettent €(lire D,a et 0,94 1IfIl, le laser à rlêoctyne
(laSer YAG) (grenat d'yttrUrHlkm:ium) éme~en1 à l ,00 ~.
Les CfltÈlf€S cie cI'oot>; d'LIll émetteur WH : ,. •1 ,.~

.~ ,.
,.• "
• k:iogI..e.J d'onde, . '~

._ ,
• spectre d'èrrnsOOn,
• dagramrne d'émiSSion (~sdide d'èfTI.isOOJ),

• IXJissaoce émise ilI1 fOflCliorl du courant.


EXEMPLE DE TRANSMtSStON PAR FtBRE OPTtaUE

• terops de réponse,
''0
• ruée cie vie .
• leproOOctibiiité,
• vartalioo en tempélat<Ke.
27 . 4, Les photorécepteurs
leurs rOles co nsistent 11 meSJler la conversion ptloton -
électron, Isurs c.aracténstiqlles sont essentiell ement leur
sensilttè, Ietr crua:! d'obsctrité et ru temps cie réponse
On 1is1lrlglJe :
• les photodiodes P_I.N. qui re présentent pas de gain
iIlteme et nécessrte!.lle terlSiOO d'ainentatiOn de 10 il 15 Il
Seul de clétecboo: - 40 dBm (.. 100 nW) :
• la !Xlotodicde P'r. PN q.J donne un gain illeme ifrWIant
el utillse une te nsion appliquée de 50 à 300 Il. Seuil de
6ét~lion: - 54 dBm {.. 3 nW).
".
28 Laser* SYMBOLE

28 . 1 Laser à semi-conducteur
Un !iode laser est consl~uée par Lœ jonction PN dont 'a
région actve 10frre LlJle œlité èIEdrooIagr.e:;que réSO!1l"lMle.
EXEMPLES DE DIODES LASER
la pus grande ~Je de l'érerQl9 est cor;;entrée dans œt:e
Tot.D·9211 ~ COl III DI5 mW
ca~tè et la lmièl'e es! imse paralèNlment à la JOOCtion.
En dessous d'un certain seuil. appelé seuil d'émission •• Coonn! .. bd", . " , iI,.o000_
No...,. ....... _ '5 .."11,
""" _ 5 .. w.
ind~ ite, la diode laser flXJCtl(r'lne COO'IITle une diode éIectro-
• Diod... """""""" ~
U:nilesœ!lte. D3s que Ion atteJrt le seUl d'émlSSlOO lriOO:e. • . . - SOT 148 DII\'PI ra 5 .... 1"""'"
~"'_ : '·!1'.

le mode d'émission pWlClpal appara~, a~ une ;mens.lé • 0' ......0:01,1 ' 10....
relative très élevée. L'MlisstOO peut être corSidérée COOJ1'Je
•(ÉQ_, COl. . P'tU'SJ
mco::d'tOffilllQ!Je, TDl..D-921510 mW
_ .......
28 . 2 Principaux types de laser solide •• Coorom
.
_...-'1~..w.

.. _,);i5.u_,O,.W.
Rubis: criSttl d'<wmne transparente lA~~), • ta..d'_,
OIodo ... _i,lnItorM·
Poo encombrant: L: 10 à 20 cm, 0: 1 cm. • _ SOT \48 II\'PI• '
Rayomement rO!ge ,694,3 Ml. • _ : 0 1 , 1 ' 5 .....
Q JQ! ..I<_II-

Pussance de crête: qœkpes dizaines de joules pour des



TOLD·91~ 20 mW
durées d'lfriXJlSi(Yl de l'ordre de la J'IliM&'cCflde.
UtlisatlOO médecile. l00mét-e de ;atelite, rritai'e. • ROUGE_585 ....
• eo.r.t .. ,_tioo•••••
.
PIIb .. ""' ........ tmisllon...- : 20 mVI,
Vern! au lIéodyme : (veire dopé par des ions néodyme). • OIodolSo. , ,to lM polO" '~IOW.

Barre<IJ L: lOà 2() cm. 0: TOcm. • C4e0cr_,I . n· ~


• _ SOT \'1 Dlt!'PI TOS .... - . ,
RaywflE!IT'I.Jrt rIfrarouge 1 060 Ml. • tlIIr,.n"'' ' 01,1 , ha
F«1e pussanœ: 10 à 20 JJrol •
UtJ.satton : télémétrie. éiUda des ~smas chauds. BROCHAGE
VAG IYttrium Aluminium Gune! grenat d'yttrium et ,
d'aII;rooJlll1).
Barreau L .. lOcm, 0 < cm. la
~ent Jlfnlrouge : 1 060 fI(Il. ",.,
,,~
Diode de
conlrô1e
PuiSSiIlCIl: 10 ,J/W en relaxé,
IJLIisatoo : Usflage, rhïlaire. , , ,
CARACTÉRISTtQUES DE LA DIODE TDLD 9211

'00


j

"

o , , • l , • • •
610
• • • •
615
Tension directe VF M Longueur d·onde). (nm)
28 . -1. Précautions d'emploi Classe 1 : sans danger.
Classe 2 : émettent lnQuement !Il raycmement l'lÜ et soot
Une diOde laser est très senslIle aux OO:harges électToota~~.
L'a node et la cathode SeJOIlt par conséquent toujours court·
de puissance st.lfisarmlent faible pJ\Jr que le réftexe palpébral
circuitées Quand la dooe laser esl OOcoonectée. protège l'œi.
Les diooes laser mitent des radiat'Olls cp sont \lisibles pour e
Classe 3A : puissarœ 5 fOO pIJs illevée que cbsoo 2 dans le
l'œ,1 numaln, Ouand elle es, en servk;e, ne lama;s regarder domane ~ de sorte que l'ml sOO En:O'e j:fOtégé pa 11 ré~e
l'antérieur de la dQje, Une observatoo dans ,'ana d'/J!'niss1OO (le pa:pétlral. On tr()iJV8 également les lasers à ra)'OOnement noo
la dlo(!e laser peut pro~oquer une lésion au ni~eau de l'œ:!. WiilIe ne ~ pas 500 la ~ 00s lasErs de classe A.
essoolielemfJlll avec les Ienti1es coUm.tées. Classe 3B: lasers d3llg€feIJx peU' la \Ul en JayOO'.ement cf~ect.

Les laS€ts sont classés en 5 classes en fonctKll'l ru nwau (je mais non peu la peau et non en rayonnement indfect.
I~Lle qu'ts représentent. Classe 4 : laser dangereux peU' l'cel el pour la peau.

28 . 5 EXEMPLE DE COMMANDE
,------- --------------- ----
, 2
PC,
R, R,
,,
.. '"...
, ,5 kll ,,~

c, c, • c,
, •
• C,
• ro~F
' , , ••
~, , ,
0
,~,
• , ~~ 1101')

, ,
.- ,~
R,
-"
R.
~"

R, R,
"'W
R,
• ,.,
R, R,
,>0 "

.......
~
'R,
PC ,
H

=" ="
BO'oIO~

.J
TR,
PC,
, 0' • , •
U _ _ dol! fin
up'm ..... _~t<I_ .
Cirturt de convnande peu rolàsation ... onde permanente des IuorIlY!>I n el dei crayons C<I5matés de Philips.
_1>0'''' ....... do _ '_'10<
lM""""" _It,to .............. ,'t<l1t ratdo 0, fi do TIl,.
_ I t _ _ qui ..... _ ~ , .. ~ ,,'·"'.ratdo IC, .
... _l'I.,_d'oIfecIuo<dn ....... do_IV... ,V.. ooiI._--.ot .... _ _ .... -.,qoI<IoiItIn _ _ ... _
-.1 ........

CORRECTION DU FAISCEA U
Exemple de disposrtil de collimatag ..

_pa'_ .
T........ _ _ fin ,_,!Ho ____
do3lr_1o ....... ~
IrM .. "I>O'''''''~ _ li<iio w..... , . . . _ _ "' .. _ _ do 10'_.
".
') Capteurs SYMBOlE

_
de température
Thermocouples
=' =>
" est coostllUé 00 œ.a o:n:!uc1EU"S l'OéIaIIq.Ies
'lI1eo_m.x"~.",. PRINCIPE DU THERMOCOUPLE
de nat~&S dlHéle/lies reMs à Ie~rs extrérrulés. En portant ~
sou:I~95' cIes 1etrp\ral1I'95 <iIIére!ltes, on constate l'~
d'Ill CCU'a'lIlerlet Seebeck). Pa' CCo"ISiq:aU, 811 ClNflIIIII crwt
à 00 mClt ~, ~ il 1'00 des contacIs. CI
defli!r se ctJ1lI(lI1Q o:m'IIQ III QlWJattu W1t la t.ém. 0i!IpMj
de le renre cl.! co.lPIe el de la dfféItlŒ de la ~ ne
les )QOC\JOIIs de lII!ISU'e Pal CCiI'MlI'I[I!)l. on appel!! IOlIdurt
dIIu<Ie la jCJ"CIol d1111'11Sltl1. 81 souckn froide la ~ de
ttêeta biM <:p.J" ce rweaJ il n'y.lt pas de corûd.
Si la StJIJÔ.I'e chaI.KIe est patée a la t~al1.re T, el la sruir.
frœje à la lMWallXe T,. la t,à,m. déMee p.:rle ~YolUt

U" C.(T, - T,) lo<sque l'on chauffe le contact de deux métaux


différents, ~ y a ""'s'lat"lCe d 'une t.'.m. thermo-
"-ctriqUfl.
Le CùeIIiaenI C (dt coeIfa:iall (je Seebeck). ro lIVre, cIépIn:llil
~ f'<W taI*!euI.
,

Blindage en fibre de VIIIT. 14&0061. 146-070. 148-832

" ,

--- ........ - .."'.. -.....


PTFE 146-879 -lor>\jueur. 2 m'Ires

"'_I:II.IOn'_ "" ""'"'


· t. _ _ ~
~._' .... 1,..,.. __ 2-........... 5' ._.
"r_ _ . _ ' ·..... ......... ~ .. "FL lI ...... . - . . . . . . ....,. H' 1 ..... _ 011 •
Si T. \'!lUI 0 'C, Cf) il, ar;rès a"pr.catlOl~ <k8c1tm:n1la ~ ............ "....~. i' I.tI'TR",f " _ .. ",.K
; ' 01_ : ;uj~._._

latin T, SU' III {llWaranètre.


Si T, est coost.YIIe. «1 eIIectue ln! ~ he lcomPM-
saWl de SOJIbe meIel.

""""""
• les ~ sonl uIiksés
ratures II1ltmeS (les loin.
potX la meso.re oos tempé-

• Les sondes à t~ sont u~r.sées pol.f les mesures


des t.a1tteS de SlIface ou pour contrôler la lenWatu'8 à
l'IIIléll8l.t des CU'i9S (ou 00 canahsatJCWlS) contenant des corps
~oogaz$.ll.
29 . 2 Capteur au silicium BROCHAGES DES LM 135

29 . 11 Capteur KTY 10
Ce captlll.f de tempéralU'e au silicPJm comporte un cnstal
00 silicllm dopé N. l()(s d'lIle vanation 00 la température,
ce composant se comporte comme un élément réslsl il à
coefficient (je t.ature posi1i1 (CTp).
EXEMPLES O'APPUCATtONS OES LM 135
La i;J'le caractériStique iii KTY 10 est légèrement coume et
sa pente est de forae cie 14 ore. Ce tispositj est cooteru Capteur Large gamme

dans un ooll6f TO 92. .,


de température de tension d'ali mootation
+ 5à40V
CAPTEURS KTY 10, "TV Il. " TV t2·
R LM 134 8
.. fi
•10 mVIK
f---'L- ~o mVIK
LM 135
""'"
,.-
Captoor

.,
Augmentalion
de ~ sensil}jl ité

--
Solb... TG 9;"2

R
.. 15 V

•30 mVIK
29 . 12 Capteur de température LM 135 1---,- ~ 0 mVl"
les LM 135 ou TD 135 soot cles capteurs de temp€Œlllfe LM 135 10 kO
de préCision qUI peuvent être lacilement étaloonés. Ils LM 135
fonctionnent comme une diode Zeoer dont la tension de
ÉtaJonnn ... pour
craquage est d~ectement propomo!nelle à la températllfe 2.982 V à 25 QC
absOOe (10 mVrq. Calibré il 25 'C.1e LM 135 a lIle emu
typique inféoieU"e à 1 'C sur une plage de 1911lpéra:Ufe de
100 ·C.
'" "fi
'"
'" , -::Jt
,
"'- "" '"
Coudilion' 12kO
Paoa,,"~es "fi
,~
",'
3 .. 4 8
" •
*
8,5 Idl

roo"s$- '''fi
~Ol36
~kO' t 100pf

" * ~
• Ajusla< poor avo;r 2.73 V li la scrtôe du 308.
""
29 . 3 Thennistances CfN
Les ~ a c:ce/but de tmanrt négald (CTN) 1
SOOl des résistances 000t la résistance, • d:ssIpalJOO rnMe / 1
- /1 /
(sans passallll de courant). dfron.Je 00Q0e la tempéfatl.Je
!Il.9'I'«l:e.
CARACT~RISTlQUE R EN FONcnON OE IJ
La température va1e en fOOC'XfI
(ValeuJ'$ typiques)
• 111 passage (flSl COOT<n <In r6ll!men. 'OR
• dt Il Ya'Iil()Il de la ternpa-ave aTbanIe
• da la cOlla 8Sctl de ces deul moyens.

29 . :1 1 Caractéristique
La 101 de l'lmt:()('I du cœ~lCient de températufe est expo·
nerttleIe. La vaW!ur cie la résistfllCi déj)eo:j des cœfficjents
appelés A et 8. Ces rense-gnements se trClUYenl sur les
>D'
cnlogll. des Iabli:allts.

29 . )2 Applications
• t.!esu'e el contrtlle de la l~altxe
• liniIu d'appel de oonnI. R : riIslstance.!J la tempérai," 8.
• CompensatlOfl de la dérive thermiQue d&s corelll!Sà A et a : coostantes pour une rMlstance donnée.
transis1ors. e: 2. 718.

29 . :n Conditions d'utili sation


1 na faJ: pas JIKIlIer deux ClN en paralèlt pru' obtEn lN
~oo PIUS ~e. ISI des deI.o: éIBmen!s powa'lI
Sl4IPOrter un échauffOOlJU uœssiI el rawe rester trci:I
1 ~ taut pas utisEJ de CTN l'l!)1 proté9ées <In des lUdes
conducteurs ou corrosifs el des gaz réducteurs car ils
pe..vent prOYDqOOf Lnl v~ialQ'1 des caractéristques.

29 • .1-' Principaux types


CTN de mesure et de compensallon
EI8s SOI1I SOUTIS8S à des ctwges éIBctnQte. Iaties. ce !P EXEMPlE O'APPUCAllON
o
1Mle ... écIIaIfIemen1lJOP1!.
<X11118SU'8 lN matr:rl de tlll1Sicw'l aw: boolIIS de la cm ; •
pou- évItEr son édwlIement. !!le doI1 avor \tIe vaIe\x élevée -,.
cm
a"" que ~ eot.rant qui la traverse 5011 faible.
eTN pour dérnamlge
EIes som SMW:ses à des cta-ges 8ectrqJBS éieYées el leI.r ~ R
.'. -

'.
rés&slau li'IwlIe tcrtlJTJEll\l el rajÔlli.d.
CTlt dt rtgulrtion -
Bas sont Ifawrsées par 1I1 carn mpcwta'lt 81 eIes sont CaptMM" eN t ....pémtu..
uttsées peu la .~tiOO d'~tudedes ~leuS, La tension de sortie v, du JTIOOtaIiI8 est poopoot.o.. sil 'la
eTN, chauffage indirect t8ll$lOn d'enlrM V. obteroue à raide dJ pont dimeu' CTN·R.
$j 1. CTN chMlge de valeur par l'action de la chaleur. la
Elles permett8!1t Os résoudre les problèmes de régu!aHon tenSolOn de sorIie changera dans les mimes prop<.Y1iona.
lorsQue NI poste da CG'!'.narœ est séparé Os l'awarei.
'"
29 . 4 Thennistances CTP SYMBOLE
les tilermist~ il coefficient 6e t~a:ure pJsilif (CTP) {
sort des éléments dont la rè$is:ance, à disSlPllton nul'e,
augmente avec la lempératllle.
;::ê77 1
la l'3I'~tiOl1 de température est otlterve :
• par passage d·lIf1 couram dans la CTP. CARACTÉRISTIQUE R EN FONCTION DE ~
• par une variat.oo 6e la tll!11lérnU9 ambiante. R
• par UMCOO1OOaisoo de ces de'JX moyoos,

29 . -l-1 Caractéristique
En général. les CTP om, pour i<s basses températures, ~
coeIfICtent de température mA 0\.1 négatif. En se déplaça'Tt
les températures plus hautes, ce coefficient devient
~il'I"s
pw.if el de ~alellr èIe\·ée jl!squ·à 150 'C mon. Au·dessus
de cette lerf1)efalure. le cœffidMi cIéodl et ~I négatLf
L

19 . 42 Applications Tb: ternpératUf" dl> basculltmoot.


Rb: résistance de basculemeol.
• StaliJSatictl d.J COI..I'ant dans les postes lél~s
• Prolection de Ii;lrl& (surtensions el coorts.firutsJ.
PRINCiPAUX TYPES
• CompensaIOO œtempérat'xe des aro..rs il transistors,
• Capteu de terrpérattre.
1 1
• Protection therrnque des moteU"S ,
seritP1lU87A M",1Ia
29 . 4J Conditions d'utilisation
Ne pas appiQoeI' une terlSlOO ~re 11 V"... à une CTP
car ceCI peut amener la ciestroction cie la réslStar.ce,
Ne pas comecler deux ou pkJsieurs CTP en sene dans le tut
de pouvœ ubiser de plus hautes l!JlS1Ons ou P'Jlssanœs :
œd concIurt 11 la destroc~oo de la CTP IP s·échaulfera le
EXEMPLE O·APPliCATION
!1us rap,demeflt.

21) . -1-4 Principaux types .,


Disques (usage ger.érall
Ces CTP SCf1I utilisées pour la Iini:anon de coorarrt. pour la .,
désaJrr.anlatron de tubes-images couIeu, elc.
Posistor Imarque déposétl par MlKaial
.,
Ces CTP sont utiJsées pour la pt'OlectlOO des tran5lstOfS et Protection de petits moteurs contre les s .... chauffes
des thyristors cootre les embalements !hemiQJI)S. les CTP soot placées dans les bobinages , A la température
SpéGiale téléphonie [TPJ) limite d·utilisatoon du moteur. leur résistance dl!Yient très
élevée, le moteur s·arréte al. na peut repartir qu'après
Ces GTP som ut,sées polK la stabElir.al00 de COlKar'1 afin (je
refroidissement. On peut protêger de la même façon des
COfIl)et"lset" les variations cie rés,stanœ de ligie t~éphonique. transformateurs. des ~octro-",mants. des ~trovanoes. etc .
Ril 25 'c " 120 Il ~ 15 %, tension rnaxmale 34 V,
'"
30 Varistances SYMBOLE

les vanr.ancu ..SSi awe!ées VDR !Vo.tage Dependant 1


ReSistor) sont des élémenTs donl la réSIStance ~ane 80 _Ci 1
korct:oo de 1iI1MSion appliquée à leurs ~, u
CARACTI:RISTIOUE U EN f ONCTION oe,
30 . 1 Principales caractéristiques (Valeur typique)

• TenSioo t!'écrêtage U(V)


C'est ~ tenSion rés;dl..elle maximale Vp qui s'établit au~
tIotres d'CfoII varistlWlC8 ~ cele-ci es! t13V11f5é6 pw 1.11 u "
COO'oVIIl,. ffi! consttue me RIica:m sur rap!ill.Oe de ~
vcnstaoce 'la tooc:IO'I j)'OIecbcn
• Cou'a't Cféle aQ'nsstje
C'utll va"" clo col.la~1 de crête ad""sslble pour 00
modèle de Ya'1SIarœ 81 00 type Ifoode 0Cmée (S x 25115.
10 x \ COl ~ etc.) Ip CQ'Iespood lime Y<J'iaIlCtI maxrrun
aJtorisée de 10 " de la 1Er\SIOrl aprés!ll choc de COlD'lt.
K : constante ~t de ,. lechOlologie UliIIHe. """
......,
" : coeIficiIInt de non-lin6llrit, (0,' <" < 0.5) .

EXEMPlES DI!
Si aw1ique ur.e tensQn sjnusoidale aux bornes d'u~
(Ml

'I1WIMCe, le COO'Mt n'est ~ de forme snosOOale. .""".


30 . 2 Application
• StatlisatJCf1 d'lIl8 teftSion.
• ~ê'.age; ~ des~ WIs;IIftS.
• Protectm des mo\eI.n.
• 1J'.isa:m lIfI Plrafcute.

30. 3 Conditions d'utili sation EXEMPLE D'APPLICATION

PoI.r 8I..I}'!'l8I'1tlll la tensm ru la ~ssne 1f:!missï:Jje, 1 est


possible de nmter des IJOO en sf.tie. le m:ntage en pafaléle
n'est pas ~Idé tN la tlMfne sales tNacténstiq..les

.....,.,
peut rof'IIiKe Il me répartl\lOl1 nég<je ru COU'am dw les

30. 4 Principaux types


YOR' ro.qtde de tilant {p< 0,25 Wl
lIt*sées en bisse t8ll$O'l.
VDR i rol}'de de lInc (P (0,8 W)
Usage gênéfaI. boo COOl)OItemef1l en fréqueœe. Ltnqoe le baI;Ij d'...., coIecteur pesse de rune' l'autre WneIe
Éléments dt protection CTPNDR (EPZ l'rab1s ~·ATq du coIect....... le p/IénomfJne d'.x!ra-col.o'wrt de rvpll.6e prend
Ces éièrnents constituent llIII prolecOOn à la !Os cootre les naissance el une étincelle jaiit .-ttre le bailli el la lamelle
abencIornée. Des varlstances pIac!! 1 entre dewc bornes du
surt~. QlJ'~ SOi9I1t trallSdOU"es ou de lorIgI..E dtrée, coO.ct...... 1IIbsorlJeo rt les surtensions procUles.
et cootre les SlroIMSIlés.
'"
3 1 Capteurs
. /
SYMBOLE

magnetlques
3 1• 1 Effet Hall
PRINCIPE
Ur! éc/'mtibl S€ffI.a:OOuctar en fctme de paraIIéjéptpède Source dl! courant
foctangle reçoit des électrodes mé'.aDfqLJes sur ses faces
opposées ABCO et A'B'C'D', Un 9énérate~r relié il ces
électrcxles fal! crcuiet, daflS l'échantiloo. 00 coorS/11 contl'l.l
d'i1tenSilé 1. Si on branche, entre les pi)II1ts opposés t.4 et
M', !Il vottmètre, celui-d n'rtdique 8UC1.Jle tensioo.
En pIorlgeantl'lÎdlaltillon lWIs l.I"Ie InOJction ma!1JétlQll€ B
perper6::Uafe aux faces ASA'B' et COG'D', iJOe d,d.p. U~.
cite tenSioo de Hal. awaral entre Met M'.

RI! : coostMte de Hal survant le serrHorlducteo.r.


! : rtœ~té ru cruant (Aj.
B : imens.tè cie l'inruction (Tl.
e : ~rge\11i1 barreau lm).
EXE!>lPLES DE CA l'TEURS
31 . 2 Capteur à effet Hall
On cistingLJe deul gf;I'Ies de sensetJS 11 effet Hal :
• les senseus lÎlléall'es. •
• !es capIan cigitaLlX oopolarres ou i)ipoI8Ires.
Les capteurs a'.jitaw: soot coost,(1)és d'lI1 préMlplificatlllJ', ".; 0
d'lI1 étge trigger el d'In ~tar de cœmrtatoo, le 1001
élillt l1têgé $lIlI'l€ puce de si::lm
u. u.
~ 'r "- ,J.,
u,
" lb- il ,
EXEMPLE D'APPUCAnoN
Commande d ' un tnac par détection magnétiqoo
f"9",,,. . SV !6V -
~-

31 . 3 App! ications
• Le ro.rant cie coovnande est ITJaII1tenu CUlSlant La teosioo
! UGN3140

,
' "' , SC327
Ic_1
\C
œHal mestre are le c:h.:I'lll magnêtque, '~ Hn
T,
• La t€flSl()(l cie Han est i1!kJerx::ée par 111 dJamp variable. , "" n
'"
I.kl COO"ant de COOYMIlde ! haute frèQl.JEioXe ~ à III
générateur à effet Han peut être l1'I()dtjé lrM:. un cila~ de
GI "TIC2060
COOlI'lWICIe osciant ImoduiatlOll d'ampitudel Hn
• Instrumentation: détectillf de dépassement, complar, 0
bousso~. etc.
'"
32 Modul es MODULE A EFFET PELTIER

Peltier Face ,,, ide

co
Un éléme-t aeffet Pet:1lI comporte deux branches se'l1l· "
condt.c:rœs, lI"Ie neutre et. LOO alirrental(fl. les extrèm tes Cc

des deux brm-.es SOI"I! reiées par 1tI pool en ruvre. SI on


Rad",I~....... Iet> 'Ir
:E;-
aç~J()UG U1 CO\Iart SJr li1 lei er:!!!'1. 1'lt1e des faces va se

retrClÔl e~ absortler la chaIe\J' lie riW aIDan1 ; œte é:Ief~ 1 1 1 1 1 1 1 1


sera lest'!\lée à l'a~ a....'!l'ao! pal ,'autre face 00 ,'èlérTIe~t
l'èlement Fe ~1lI 1311 donc effet dl! pcnpe il dIaJeur en la
trMSlérMt d'une face à j'a,tre. La clirectlln li. flUX œctœ. 1
peW he r i&'Sée par'l\'(!fSion 00 sens du COllant Réglage de 1
u

Dlrr LII.UITS MODt:U :S


MOIiM MeIeor 1l;IO' ~ CP2·31 CPH
32 . 1 Caractéri stiques ~"do~1WI ~ o. ~
ce
,"-, •, ,-,•
~ ccnstructw œr..t des IcmIoes de rot.rbes ~ ou TompéraII,n .......... !'CI

-............
Cowan1muima1(A1
'!loirs SJllPes à Irltetpre:eo pe<f"If:la1t d'ut se! 'es éIer\al~s
?e:t.eI' de sa fi!OO:alKYl. ~muilIaIeM •• 'o, 1 . tS

Ces ro.rbes mus perrœ1tef11 de oé'in~ le COO'art1 traversanl " "• "•
le fl'l()(k,.e pour transfe'eI' Vie QOJêI': té o"ér!Eig,e expr,rr.ee en "" • •
wans. ""
EXEMPLE O'AP!>U CATION

osa ,"
:12 . 2 Applicati ons •>
1OV ~
• Co~tr6le de le~plllatLJe ae wrposanlS èlec:rGnIQIieS ,,
(régula:ion de températue 00 diode Iasef, etc.).
• Regul31,or en température
(oscA:Ite\.iS)
d'~ncelnte tnerrrOsiatées
' 00 n l-
I,, ,~

• Gt'niratoo (fé'lergle é'eclrQ.Je 1faut peu œIa dsposer r,


de deux SOl:rces d~férentes de tempé!alUre (delecteurs ,,f •,
"" a
d'œendiesl.
y-
1
'" - ,,
32 . 3 Conditions d ' utilisati on .1,
En ~. 00 rassemble Si.l1XI ~1 pWeulS ~
Pe!tieI, dla<JIe rrOOJe é:all1 cœ~ec:é 00 série du pont de
, ,

we électnJI~, malS en jXlr3ue El du po;~t (je vue therfl'4le,


(Xl peu! œœndant ob!" (f) refrOidissement plus mtense Régu!aliort de tempérnturc
e.'11&-a'1\ les rroo:rlJ'es en paraJèle ther~t, mars dans
Ce <ispœjtif perme! de n!g.Mr le ~I dir<s le module PeftI8I"
tOClS les cas, 111001 isoler élecUiqJelTllll11 1e!TlOdlJe de son et par COfISIiq.IenI I:! terf"4)émtlQ.
S!..ppC)1, 011 ut 'se POIX cela (je la cél'arri!pl métallisée.
'"
33 Transducteurs SYMBOLE

ultrasonores
TRA:-JSDUCTEURS ULTRASONIQUES
Un transducteur sonore est prillClpaleme!ll constitué d'un
élémel1t peze-f.lectrQJe presmtantla proprJitè d'oscief sur
!fie fréquence ullrasOOqœ q..i est génér~amen\ Cie 40 kHz. • Transduc1eun ultrasonlquts MlJI& HMibil~"
• f,1quençe d'ytiliution W kHL
La bande passa~te est Cie l'Me 6e 4 kHz.
Les transducteurs S0I10res sont réversibles et de ce [a;I
petrveIlt auSSI boen lO"dooner en ème~eUl qU'!!(l réœj)ttu.

33 . 1 Applications
• TéIéccmnarlde.
• Tfa<lSllllSSIOI'l de dcroées.
• Détec1eur de ril'€OO.
• Système de détection (alarmes, détection d'obstacles,
elc.) CHOCS
Murata P!(Sl~l

33 . 2 Détecteurs de chocs • Technologie: utilisation d'un diaplvl<Jmt type.


Les détecteurs de c~ocs sont des dispositifs piézo- e«niqut piéto.\riqo)I SUI' di&q~ mtIaI.
• Sortit N cible (2.10 ml dtw condue1t11rs _ _
électriQues qui délivrent une tension propo rtIOnnelle à
-accélération de l'i mpact ou de la vibratiOn.

DEItIFUS;
Impactà 6Og,U, = 2V;
iIIlpac\ à 100 g, U," 00 V.
Ils sont ut~lsés poiJ( détecte( les chocs sur portes, vitres,
I€tlètres, etc.

EXEMPLE D'APPLICATION

Vcc " 12 V .. PD4049BC


l'M15mA (Vcç:lp)(GNO:8p)
Fréquanc& ,. 4(1 kHz •
2.f'
V
6 9 10

0,1 " F 0.471"F 1


"1 ~~'1'1 ~><'f'ï' )~"'1'''I'V "
,
~ r-,.
I'
2
"J? '~'~rl
1 000 pF
= 0 ................. Dé 3.9kO TA7",S f------os
' _ _ __ ---'MA40 MA4~ 3+-{' d+
560pF- ASS ASR~ l0l'F
l00 kO 30kO

Clrc,,~ émetleur
:;[-n_nI
TUTI -
GNO ""39kll'
Circui1 récepleur L-{==J--.J
".
34 Capteurs SYMBOLES
,
d'humidité ti5 7 1-

34 . 1 Capteur d' humidité DlFFËRE/lrfS TYPES DE CAPTEURS

HOS 201 (Murata) capIN HOS 201 MIr.!ta


Ce capteur (j'humdité contrôla parfa~tement les grands taux 1_.r-.uo. , , foc \IIWIIIWI
F,II, ... d_:50Hz il t1!z
(j'hlllTlidité.l'éléme!lt résisU est basé SUf le principe (j'un
MsioIJnto: \ l1l1I
fin détocteur dct11 ~ résrstMee décroît à pMiI d'l(1 fort taux
PIogo ~: 1 ~ 100 or.
(j'humJClité.
""" do!Oltll*_ : 10' 10 'C
C3p1..... RTeH! Philips-RTe
34 . 2 Capteur d' humidité
Tonoioo d'1IIiisotion : 15 f", loIIorI'IIIIII
RTCH 1 (Philips-RTC) F....,. d'odootioo: 1 kHz . 1 MHz
L'humldistaroce RTCHI e,1 consl;tuée (j'un pe:lt conœn· CopociII' l20 pF
satllll COfll)OSé (j'un fim Isolant ~e di~riQl!e1 SUI lequel Soo m'JI, 0,1 pFl'ItM
on a Y3IXfflé!lle fille rom d'C( (les plaques 00 roooen· PIosIo.nu.dlé : ~ • 80 "
saleur). En ra:son de l'extrême filesse de œtte cco:::ha (j'or.
les molécules (j'eau paNent ~ traverser et ITJ()()fl8f de ce fait
les caracténstiQueS du OiélectrQJe. CIlns ces concilIOnS, me
augmentatd1 de l'hLmldlté se lradUII par trJe at.gmeIltatoo
00 la capacité. Ge changemel11 de copacitê ~end 1Il œrlafl
temps: illaut ainsi quelques minutes avant Que j'humi· '"
distance ne traduise effectivetnel1t 9() %de la OOUl'eIe valeur ''''
de l'Il<..m(j té mlalNe. Ce capteur ne OJOIIioot pas polK les '" ATCH l

'"
.
mesures d'humidité rBla:rve infènwe à 10 % ; au-delà de
90 %d'humdté,la condensation risQJe de rernte 0JŒsab1e
""'"'
34 . 3 EXEMPLE D·APPLlCAT[ON

470k!1
."
;f!Hl

., .,
N. ., ., 47 kfl
r.
"4001
.,
BC 557
\.'
., "
N,
1>-
N, "" , 10 ~f1

470kfl
150 pF CI;;ç}OO"A
Mesure d'humIdIté relative (degré hygrométrique). Nous avons dans ce montage un générateur étalon (N, el N 2)
el un généraleur Yruiable avoc I"humidilé (N 3, N. el caploo!}. En sori>e. nous avons une fréqvence identique à celle
du génkale\Jf étalon. mais donlla longueur relative de!) impu lsions est fonction de [a capacrté du capteur. donc de
['humidrté elle-même.
La ledrKloge <ri3/de de ces captm kil CQ'lIere lJIe tarie
35 Capteurs 5e1'1$Üté. une !Tarde flat6té. une faille hys:éféss, 1SI1~
fé!x:inse Irés œu1 el lI'Je longue stabilité ~s le t~s. Is
de pression de
permettent des de pre5SlOll par rawort au VIde parlM
rTIeSlI'&S
00 de mestKEJ la (ffféreoœ entre deux presslOl1S.
35 . 1 Capteurs à membrane
Is sart ~1 C(nSIJ;l!ès d'UM petrte mElTtrane métal·
icf,Ie. La ~ provoque le d!pIacemenl ict'gt!\IdIlaI d'une
t,se liée • la membrane. cE1le 1.ge PlQYOQut elle-!"'m lIIl
COO1act l'I'IkMqJe,
Ces capian de presslOO sont appelés preuoslat et peI.MIIl1
réagi" pcxr t.rne pre~ absolle ou dlfférentlele.

35 . 2 Capteurs électron iques


La capsUe IIIWIOIIIétnque est réaisée , de deux rrnr;ro.
pat1II
~ de SIIcun lI1Ire !esqm on 1 8IJ II! 5OI'l de liIsSIJ 1ft
CMt On cel e!paœ a été 1JlI!i:pé !tI Wle pcu;st Pa aiJeu's.
la placpJlte cIéIectrJœ est pcu"ruII de _e résistances ru 1)1)6
J)ézo-éleCtnque. qli, foncbomalll en jauge de cool/amIe, sont
roortées en pctlt de Whei;ISlone. Sous rn'l~ d'lm presso'l
8I.1/œ1se, la Il.IDalle St(:èielre va !le défCI'II6 ~ deee
KPY 10
lat le tU s! :,tIIn liJ pmi de~.

35 . 3 EXEMPlE D'APPLICATION
Capt_ de press><>n (lIf.II)IiclItion d", KPY 10· Siem_)
• U.
PoIIIrit.. R, R, Correction (.. GV)
R, R,
2 8:>:b
100 kO- 1 :;>
- .. 1000
, , H" :;>HO

, ,,

~
R, R,
• • , 150kfl lSOkfl

"74'1 -
3 •
" " ,,
os LM 324 6 ----fu Ra" 2 kO ,,
,J; '"
(1 bill IV) (T~~~ Cl
I!JKTY10B
,- ,,
, ,
...
C,
Amphfication
[approKornaIl~e)
R,
_""'"
R,
" •"
,,
,,
,b
u•
,, Sans cOlleetion
,,
"- 4.7 ka
R, R """.
Syst«ne 1
- " • '" "
Correction du signai dft 100;" du KPV 10
150kfl
---{!
,~"" P, ~ eom.ctioo
470 fi . locale
Systèmellll, III Ampllrocate\.W" ~ (:Om"""""tlon theml;que
Système N 0épI~1 du niwau (.apporté à la m&SH)
'"
36 Jauges SYMBOLE
1
1 1 1
d'extensiométrie
Pal des tisposIufs mécaniques, 00 peIJ1 p"0V0QUeI' la défor-
mation cI'!X8 pièœ • corps d'épreuve· qui peut être. par
exemp:e, un cyirnjre en compresSioo ou une lame f1ècrue.
Des jauges d'extefISi:lrnétne cŒ:es sur ce wps d'épreuve et
C>:'ffleTIabIeIent !,TŒ4lées transiOffi'le!lt ces défoonations en
variallOl1S de rés.-st<n:es.
En pratiq...e, on uUse la k>i de Bidgnan pour les calculs des " - ' picMIIM. - - .
AppIc-~
déformallOrls.
Typo lUX •..
'"_k
R - "
(
c.artc\6riatiqooo _ _

k est le tacte\l' de jauge q~ r:Iépend ru matéliau de œIle-ci.

36 . 1 Applications On ropr;oonlt ici troio ..... _ .... Iiqoes do joogH misti> ... do ~ •
• Mes\!res de OOIoonalO:1. _'ItoIlt ....,lqodo_tl·;, ft ""iI, ....... doprfOOioo,
• Mes\!res des masses, de forces.
• Détections de détormatiOOS, de c:hocs, etc.
Ou'ele rot méla. ou en matériau 5€!lU-conducteu, une
jauge d'e>:!efI5Iornétne reste \Il COOlJO~t réSISul que 1'00
place gérléralem&lll dans un pont da Wht!alstone afin de
coonalre sa réSis:anœ éjectilql.!e.

MONTAGE EN PONT
EXEMPLES O'APPLICATIOOS
Lame en traction

,
.-
, , ,F

Et • Eae F rorc.. appliquée

'1--' ",
,•,
Tore
~ -," -C..

~ i ndrique e<1
- ,J'

traction compression
• "",~f
et O\dlcaIlonJacoge
klngittJdin ....
~2 ndication);Iluge
trans--...le

D F l""'ef~
d D d~r. o><tollietl
36 . 2 Différents modèles d diamèl.. int.......
E,in<Ii<:3!Oon jaugo
la natJre des jauges est cUolèrisée par le métallk = 2) ou Iongnud;n;,1e

le semi-cooduc!eL.f (k > 1001 et par le SlWJI!. cas dornées ,-


E2 indicatOon;ouge

E modo.'Io d'....licité
sont imposées par les tefTl)éŒtures d'utitisatlOl\. FIl ~ CO<If1ick><t, do Poisoon
La fo-me et la teclWoçie de la ,auge sera foroctioo de la me-
SIle à eflecllter (tractIOO, compIe5SIOfl, flexiOl1, tcmon. etc.). le caW des cootramtes ~ se ramène ~ il des
La résistance électrique ne doit pas éue tlDp forte (défaut cas SImples de la féSlst~)Çe des matériaux: tracbon, fierion, etc.
d'is()Ierne.lij 00 ~ faible (pa1ttba!ioo sur le câblage), 120 n A'«flI c/'dsi l'emp'acoo1enl des Jauges, 00 peut cabJIer po!.!( chacule
est une valeur moyeme, d'etes la défoonatioO avoc SOlI Sigle.
'"
37 Alimentations à SCHÈtM FONCTIONNEL O'UNE AUMENTATION

courant continu '" '" '" ".


Une alimentation Set! à fournir de l'énergie il 111 montage 1
sous forme de couraqj continu. la tenSion de sortie de '. LoJ '. T '.
l'al,mentallon es t continue et possede la propriété de
demeurer constante quelle QlIe $i)1 la charge appliql.lêe, V." v",.. s;n "'/: toosion s;nuso<OaIe
V. = tension constante
37. 1 Description
fS 1 : sert ACOI1'Mlf lJle tenslOO ~ en lIle autre SCHéMA STRUCTUREL SIMPLIfié
tension sfflsoidale, Be est asSLl% par \Il troosforma:ar
fS 2 : sert à ccmer" une lenSiCll sOJsoidafe en une ter,sjoo
unidi"ecti)nnele, OO.IS avons un redresseur.
FS 3 : sert à stocker j'érergle de façoo à Iissar la tension cie '.
sortie liJ reaesse\J'.
fS 4 : quand il fa~1 réduire l'ondulatiOn de la tension cie •
sortie du reaesseu, 00 place a lJ1 filtre de type pasSl3·has,
qui perrr.et de réduire l'amplitude de la composante
C '- '.
~temative cie la terlSKlll VSO.
fS 5 : sert il rnamtem COI'ISlante la tension d€ sort.e. C'est
un fé,patEilt de t9llSlOl1 qti permet également ure réjeclion
(je l'ordre de 70 dB de la tensioo (j'Cfdu\ation. Il rtnIj)fit donc
auSSi le rCie de la fooctioo fS 4.
Tr_lonnat .....
:FS Il
-,~
~~
,S 21
.-
Cor>Oer>s.o.......
~

IFS 31
R8gu~
(l'54)
(l'S5)

37 . 2 Calcul des al imentations CHRONQGRAMMES

1. la cllarge impose Il. el'"


V' l' I
2. DétErn\JlatiOn 00 ré;JulalOO',
3. DéterlT\inalion de V., et de 110'
/ ,
4. Dil1ensicmemeot de C.
5. CaIaj!il transflmlateu.
6. CaIcu! du radiateur $lJ lequel doit être mooté le réo;pjatetr. (sans Cl
'.
/
" ,", /

DÉTERMINATION OU FILTRE· FS 4 / ,,/ ,

'-
~ , , .'IV,. 1
"
'.
L'objectif est de minimiser le fondamental de l'IV..

:·'IV.I
,
l _ lC",.I.'IV.. 1
, ,
"0

38 Redressement VALEU R MOYENNE

v (r) E
v""'" ""'"2
La foocbon redressement COI\SlS1e en la transformatioo d\œ
toosioo bid~ediomeIe en une lensioo urnectiorwlene. E ..
...
-
'" ,
38 . 1 Grandeurs caractéristiques
• Valeur rnoyem; d'~ sql8I VALEUR EFFICACE

v,.",~ ,L'
T 0 ~llIdL " U", ,!lin "', Il, " u.., (COOSldéfé continu)

l
R R
'" " ) 1",
Y
• FacteU' d'oodJatioo
Vvl _'Il!'!!?!
p
-
u'
2R p ••u'
R 2R -
u'

". 011
V.,
PUISSANCE OI$SIPËE

i(f)
Ce facteur est d'autant ~ faible <Ml la len5lOO redressée
se rapp'odle 00 COOlOJ. RI",,,
• Pi..issance di4lée lcu pulSSarlCe moyeme)

p" t fU{f) iltl dl MO~AGES RED RESSEURS

~ les lTICfItages redresseurs


v"" . U""", sin ",1
pour tous les montages
11 00 0/1 : valeur efî:aœ de VilO _ Redressement monoaltemanco
V00...". : vallM moyenne de V9:).
, ,

!~
_.
Vdlflol : l€I'lsion Reverse Ripple Max,
soit tension Répétitive Inverse Maximale de la

: Curent FOIWafd RippIe Max


] !V"" ~
V o
B


,:VBO R

0 0
(:()(Jan! répélit~ direct maximal.
V.
u.
V
r
38 . 2 Redressement
monoalternance
,
"-
VBOoII = - ,- "-•
VlIQ aoj' : -
38 . 3 Redressement dou ble TRANSFORMATEUR A POINT t.lIUEU
alternance ,
.~R • .~ 1 Transfonnateur à point milieu
• •
VIO "",," - , -'"-
,
.,
PONT OE GRAETZ
3X . ~2 Ponl de Graetz • 'f , f ,
JlI • P , • -
VlIOoI!" "-
\.1 vlO..,." -,- '"-