Introduzione

INTRODUZIONE

La tecnologia a microstriscia e’ stata largamente impiegata nella realizzazione di

antenne ad alta frequenza in quanto consente la realizzazione di strutture leggere e

flessibili dai costi contenuti e facilmente integrabili con dispositivi elettronici. Le

antenne a microstriscia sono tuttora impiegate in moltissime applicazioni che

includono le comunicazioni personali, i sistemi satellitari e le applicazioni in

campo militare. Il loro impiego e’ però limitato da alcuni problemi come la banda

ridotta, una limitata capacità di trasportare potenze elevate e dalle perdite alle alte

frequenze. Per questi problemi si sono trovate nel corso degli anni alcune

soluzioni. Ad esempio diverse antenne a microstriscia a larga banda sono state

presentate nella letterature tecnica ampliando notevolmente il loro campo

applicazioni. Uno dei problemi più difficili da risolvere e’ l’ emissione, da parte

delle strutture a microstriscia, di onde superficiali. Come verrà chiarito nel seguito

una corrente che fluisce su una struttura dielettrica stratificata, come quelle a

microstriscia, emette onde superficiali. Nelle applicazioni più convenzionali

questo tipo di onde non contribuisce alla radiazione del segnale in campo lontano

diminuendo l’efficienza di radiazione dell’antenna. Inoltre e’ responsabile di

indesiderati accoppiamenti tra antenne vicine come nel caso degli array.

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 Introduzione

L’eliminazione delle onde superficiali e’ stata abbondantemente esplorata nella

letteratura scientifica recente. In particolare sono stati proposti due approcci. Il

primo prevede l’uso di strutture periodiche che circondano l’antenna, dette EBG

(Electromagnetic Bandgap), in grado di inibire la propagazione delle onde

superficiali. Il secondo il progetto di antenne che siano in grado di eliminare o

minimizzare l’eccitazione delle onde superficiali. In questo lavoro di tesi viene

seguito il secondo filone di ricerca e viene proposta una antenna ad onde

superficiali ridotte di semplice realizzazione.

Nella prima parte del lavoro sono descritte le caratteristiche delle strutture a

microstriscia ed in particolare nel capitolo 1 delle linee e nel capitolo 2 delle

antenne. Nel capitolo 3 viene studiata ed analizzata la propagazione delle onde

superficiali su una struttura monostrato. Nel capitolo 4 viene presentata la

struttura ad onde superficiali ridotte e la sua progettazione e realizzazione. Nel

capitolo finale vengono quindi presentate le misure che dimostrano l’ effettiva

riduzione delle onde superficiali.

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Capitolo 1 Linee a microstriscia

CAPITOLO 1

LINEE A MICROSTRISCIA

La linea a microstriscia è uno dei più popolari tipi di linee di trasmissione planari

soprattutto perché è facilmente integrabile con componenti a microonde attivi e

passivi.

1.1 Struttura

E’ costituita da una striscia di conduttore di larghezza W stampata su un sottile

strato di dielettrico di spessore h . Il dielettrico è cortocircuitato a massa e la sua

permittività relativa è ε r . La geometria della linea a microstriscia è riportata in

figura 1-1:

Figura 1-1 geometria della linea a microstriscia

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Capitolo 1 Linee a microstriscia

La struttura della linea a microstriscia è come già detto planare. La linea a

microstriscia si può considerare come l’evoluzione della linea bifilare con

interposto una sottile striscia di dielettrico. L’inserimento di questo dielettrico

rende la linea disomogenea e non più capace di supportare modi TEM . Infatti se

il dielettrico non fosse presente (εr=1) potremmo pensare alla struttura a

microstriscia come a due conduttori di larghezza W separati da una distanza 2h .

In questo caso avremmo una semplice linea di trasmissione in cui si propaga il

solo modo TEM . Di conseguenza velocità di fase e costante di propagazione

sarebbero pari a v p = c e β = k 0 . La presenza del dielettrico e in particolare il

fatto che il dielettrico non riempie la regione d’aria sopra la microstriscia

complica l’analisi della struttura. Il campo elettromagnetico è in parte nella

regione di dielettrico e in parte in aria.

Le due diverse velocità di fase presenti, Vp = c εr nel dielettrico e Vp = c in

aria rende quindi impossibile la propagazione del solo modo TEM come si

dimostrerà di seguito.

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Capitolo 1 Linee a microstriscia

1.2 Modo di propagazione

Si consideri la propagazione del campo elettromagnetico lungo l’asse z.

Figura 1-2 sistema di riferimento per una linea a microstriscia

Sull’interfaccia aria-dielettrico si avrà:

EX = EX
d a
(1.1)

Dalle equazioni di Maxwell:

∇ ×H d X = ε r ∇ ×H a x (1.2)

La (1.2) è equivalente a:

∂H z ∂H y ⎛∂ ∂Hy⎞
− =ε ⎜⎜ H Z − ⎟ (1.3)
∂y d ∂z d r ⎝ ∂y ∂z ⎠

Essendo H y continua la (1.3) si trasforma in:

∂y

∂H Z ∂H Z ∂Hy
ε − = (ε r−1) (1.4)
∂y a ∂y d ∂z
r

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Capitolo 1 Linee a microstriscia

Poiché ε r≠ 1 e H y = 0 la (1.4) implica l’esistenza di una componente

longitudinale del campo magnetico H Z e quindi il fatto che il modo di

propagazione non sia TEM . Con argomentazioni simili si evidenzia che anche la

componente longitudinale del campo elettrico E Z è diversa da zero. Si noti che

queste componenti longitudinali derivano la loro esistenza dalle componenti del

campo E X e H y che sono dovute all’effetto di fringing e quindi molto più

piccole del campo principale. Questo comporta che la deviazione del modoTEM

è molto piccola. Di conseguenza il modo di propagazione viene detto quasi-

TEM e nella pratica assunto TEM . In realtà il modo di propagazione è un ibrido

TE − TM .

1.3 Parametri di una linea a microstriscia

La caratterizzazione delle linee a microstriscia avviene usualmente con tecniche

quasi statiche di bassa frequenza che partono dall’assunzione che il campo radiato

possa essere completamente trascurato. Ovviamente tale tecnica non potrà poi

essere usata per lo studio delle antenne a microstriscia [1] .

Una linea a microstriscia con rapporto larghezza-altezza W / h, fabbricata su un

substrato di costante dielettrica εr, è equivalente ad una guida d’onda

rettangolare con le due pareti orizzontali conduttrici elettriche e quelle verticali

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Capitolo 1 Linee a microstriscia

conduttrici magnetiche. La larghezza equivalente della guida è W eff e la costante

dielettrica equivalente è ε reff

. L’impedenza caratteristica Z C e la costante di

propagazione β del modo fondamentale della microstriscia sono date in termini

dei parametri della guida:

Z C=
η 0 h (1.5)
ε eff W eff

β = k 0 ε reff (1.6)

Con η = µ 0 impedenza d’onda dello spazio libero e k 0= ω (ε µ ) costante di

0 0
0
ε0

propagazione nello spazio libero.

Grazie all’approssimazione statica fatta la larghezza equivalente della guida è:

2Πh (1.7)
W eff (0) =
⎧⎪ F ⎛ 2h ⎞ ⎫⎪
2

ln ⎨h ' + 1 + ⎜ ' ⎟ ⎬
⎪⎩ W ⎝ W ⎠ ⎪⎭

Dove:

⎧ 3/ 4⎫
⎪ 4Π 2 ⎛ h ⎞ ⎪
⎨− ⎜ ⎟ ⎬
⎪ 3 ⎜ ⎝W '
⎟
⎠ ⎪
F = 6 + (2Π − 6 )e ⎩ ⎭ (1.8)