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‫بسم هللا الرحمن الرحيم‬

Chapitre 3 Etude de l’intensité diffractée

I-Introduction.
Le rayonnement est caractérisé par l »amplitude et non pas par le rayonnement.

II-Amplitude diffusée par un atome. Facteur de diffusion.


 Le facteur de diffusion 𝑓 d’un atome est la somme des amplitudes de diffusion des électrons qui le constituent :

𝑓 = ∑{amplitudes de diffusion des électrons de l′atome}

 L’atome n’est pas ponctuel (ce n’est pas un point, il a un certain volume), c’est pourquoi les ondes diffusées par ses
électrons présentent un déphasage lorsque l’angle 𝜃 entre les ondes incidentes et diffusées n’est pas nul (c’est-à-dire si
𝜃 ≠ 0 ). Par contre, elles sont en phase si cet angle 𝜃 = 0.

 Ce cercle représente
un électron

 Pour = 0 , le facteur de diffusion 𝑓 est maximal et est égal à 𝑍 qui est le nombre d’électrons de l’atome.
 Pour ≠ 0 , le facteur de diffusion 𝑓 d’un atome diminue avec 𝜃.
 La décroissance du facteur de diffusion 𝑓 est plus rapide quand l’atome est plus volumineux.
 Remarque 1 : Il y a des tables qui donnent les valeurs de 𝑓 pour chaque atome en fonction de sin 𝜃 ⁄𝜆 .
 Remarque 2 : Si l’atome était ponctuel, alors 𝑓 aurait été maximal et est égal à 𝑍 quelquesoit 𝜃.

III-Amplitude diffractée par un cristal. Facteur de structure.


 Si la maille ne contient qu’un seul atome, alors l’amplitude diffractée par la maille est égale au facteur de diffusion 𝑓 de
cet atome.
 Si la maille contient plusieurs atomes, alors l’amplitude diffractée par la maille est égale à la « somme vectorielle » des
amplitudes diffusées par tous ces atomes. On fait la « somme vectorielle » car on doit tenir compte des déphasages.
 ⃗ 𝑟 , à un signe près avec Δ𝑘
On a vu que le déphasage entre 2 ondes diffractées est : 𝜑 = Δ𝑘 ⃗ = 𝐺 , avec 𝐺 un vecteur de

translation du réseau réciproque, donc : 𝜑 = 𝐺 𝑟 .

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Radiocristallographie Chapitre 3 Etude de l’intensité diffractée
En admettant que cette formule reste valable pour la diffraction par 2 atomes, alors posons :
⃗ + 𝑙 𝐶 , avec 𝐴 , 𝐵
𝐺 =ℎ𝐴+𝑘𝐵 ⃗ et 𝐶 les vecteurs de base du réseau réciproque , et « h », « k » et « l » des entiers.

Posons aussi 𝑟 = 𝑥 𝑎 + 𝑦 𝑏⃗ + 𝑧 𝑐 , avec 𝑎 , 𝑏⃗ et 𝑐 les vecteurs de base du réseau direct.


⃗ . 𝑏⃗ = 𝐶 . 𝑐 = 2𝜋 .
Alors : 𝜑 = 𝐺 𝑟 = 2𝜋 (ℎ𝑥 + 𝑘𝑦 + 𝑙𝑧) , le facteur 2𝜋 vient du fait que 𝐴. 𝑎 = 𝐵
D’où l’amplitude diffractée par ces deux atomes est : 𝐹 = 𝑓1 𝑒 2𝜋𝑖 (ℎ𝑥1+𝑘𝑦1+𝑙𝑧1) + 𝑓2 𝑒 2𝜋𝑖 (ℎ𝑥2 +𝑘𝑦2+𝑙𝑧2)
𝑓1 et 𝑓2 étant les facteurs de diffusion des 2 atomes. 𝑥1 , 𝑦1 , 𝑧1 étant les coordonnées du 1er atome et 𝑥2 , 𝑦2 , 𝑧1 les
coordonnées du 2e atome.
Si on prend le 1er atome pour origine, càd 𝑥1 = 𝑦1 = 𝑧1 = 0 , alors : 𝐹 = 𝑓1 + 𝑓2 𝑒 2𝜋𝑖 (ℎ𝑥2 +𝑘𝑦2+𝑙𝑧2)
 On peut généraliser ce résultat dans le cas de plusieurs électrons :

𝐹 = ∑ 𝑓𝑗 𝑒 2𝜋𝑖 (ℎ𝑥𝑗 +𝑘𝑦𝑗 +𝑙𝑧𝑗 )


𝑗=1,𝑁

avec 𝑁 qui représente le nombre d’atomes dans la maille.


 On remarque que 𝐹 dépend des entiers ℎ , 𝑘 et 𝑙 , ce qui nous permet d’écrire désormais : 𝐹ℎ𝑘𝑙 au lieu de 𝐹.
 En conclusion : 𝐹ℎ𝑘𝑙 représente l’amplitude diffractée par l’ensemble des atomes d’une maille : Il est appelé facteur de
structure (pour le différencier des facteurs de diffusion 𝑓𝑗 ), et il s’écrit :

𝐹ℎ𝑘𝑙 = ∑ 𝑓𝑗 𝑒 2𝜋𝑖 (ℎ𝑥𝑗 +𝑘𝑦𝑗 +𝑙𝑧𝑗)


𝑗=1,𝑁

IV-Influence de la symétrie sur l’intensité diffractée.

Conditions de réflexion et extinctions systématiques.


 L’intensité difractée par la famille de plans (ℎ𝑘𝑙) est : 𝐼ℎ𝑘𝑙 = ‖𝐹ℎ𝑘𝑙 ‖2
 A chaque nœud (ℎ𝑘𝑙) du réseau réciproque correspond une intensité 𝐼ℎ𝑘𝑙 .

IV.1-Loi de Friedel.

 Remarquons que 𝐹ℎ𝑘𝑙 et 𝐹ℎ̅𝑘̅𝑙 ̅ sont des complexes conjugués, donc ‖𝐹ℎ𝑘𝑙 ‖ = ‖𝐹ℎ̅𝑘̅𝑙 ̅‖ , et par conséquent 𝐼ℎ𝑘𝑙 = 𝐼ℎ̅𝑘̅𝑙 ̅ .
 Ce résultat implique que les figures de diffraction sont toujours centrosymétriques.
 Par conséquent, à cause de la loi de Friedel, l’étude des intensités diffractées ne permettent pas de distinguer les 32
groupes ponctuels mais seulement les 11 groupes ponctuels qui sont centrosymétriques et qui constituent ce qu’on appelle
les groupes ponctuels de Laue.

IV.2-Cas d’un centre d’inversion ̅𝑰

 Dans ce cas, nous avons une structure centrosymétrique.


 A chaque atome en 𝑥𝑗 , 𝑦𝑗 , 𝑧𝑗 correspond un autre atome identique positionné en −𝑥𝑗 , −𝑦𝑗 , −𝑧𝑗 . Ces 2 atomes possèdent
le même facteur de diffusion 𝑓𝑗 , donc on peut écrire :

𝐹ℎ𝑘𝑙 = ∑ ( 𝑓𝑗 𝑒 2𝜋𝑖 (ℎ𝑥𝑗 +𝑘𝑦𝑗+𝑙𝑧𝑗 ) + 𝑓𝑗 𝑒 −2𝜋𝑖 (ℎ𝑥𝑗 +𝑘𝑦𝑗 +𝑙𝑧𝑗 ) )


𝑗=1,𝑁⁄2

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Radiocristallographie Chapitre 3 Etude de l’intensité diffractée
Par conséquent :

𝐹ℎ𝑘𝑙 = 2 ∑ 𝑓𝑗 cos[2𝜋 (ℎ𝑥𝑗 + 𝑘𝑦𝑗 + 𝑙𝑧𝑗 )]


𝑗=1,𝑁⁄2

 On conclut que pour une structure centrosymétrique, le facteur de structure est un nombre réel.

IV.3-Cas d’une symétrie centrée 𝑰

 A chaque atome en 𝑥𝑗 , 𝑦𝑗 , 𝑧𝑗 correspond un autre atome identique positionné en 𝑥𝑗 + 1⁄2, 𝑦𝑗 + 1⁄2, 𝑧𝑗 + 1⁄2 et qui
ont le même facteur de diffusion 𝑓𝑗 , donc on peut écrire :

𝐹ℎ𝑘𝑙 = ∑ ( 𝑓𝑗 𝑒 2𝜋𝑖 (ℎ𝑥𝑗 +𝑘𝑦𝑗 +𝑙𝑧𝑗) + 𝑓𝑗 𝑒 2𝜋𝑖[ℎ(𝑥𝑗 +1⁄2)+𝑘(𝑦𝑗+1⁄2)+𝑙(𝑧𝑗 +1⁄2)] )


𝑗=1,𝑁⁄2

D’où :

𝐹ℎ𝑘𝑙 = ∑ ( 𝑓𝑗 𝑒 2𝜋𝑖 (ℎ𝑥𝑗 +𝑘𝑦𝑗 +𝑙𝑧𝑗 ) + 𝑓𝑗 𝑒 2𝜋𝑖 (ℎ𝑥𝑗 +𝑘𝑦𝑗+𝑙𝑧𝑗 ) 𝑒 2𝜋𝑖(ℎ⁄2+𝑘⁄2+𝑙 ⁄2) )
𝑗=1,𝑁⁄2

En sortant le facteur commun et en simplifiant :

𝐹ℎ𝑘𝑙 = ∑ 𝑓𝑗 𝑒 2𝜋𝑖 (ℎ𝑥𝑗 +𝑘𝑦𝑗+𝑙𝑧𝑗 ) (1 + 𝑒 𝑖𝜋(ℎ+𝑘+𝑙) )


𝑗=1,𝑁⁄2

 On remarque alors que 𝐹ℎ𝑘𝑙 = 0 à chaque fois que ℎ + 𝑘 + 𝑙 est un entier impair car dans ce cas 𝑒 𝑖𝜋(ℎ+𝑘+𝑙) = −1 , ce
qui veut dire qu’on n’obtient pas de diffraction pour les ℎ + 𝑘 + 𝑙 impairs : on parle d’extinction systématique.
 On n’obtient de diffraction que pour ℎ + 𝑘 + 𝑙 entier pair.

IV.4-Cas d’une symétrie à base centrée

 Prenons le cas où cette base centrée se trouve dans le plan XOY, alors dans ce cas nous avons 2 atomes identiques de
même facteur de diffusion 𝑓𝑗 , dans les positions en 𝑥𝑗 , 𝑦𝑗 , 𝑧𝑗 et 𝑥𝑗 + 1⁄2, 𝑦𝑗 + 1⁄2, 𝑧𝑗 , d’où :

𝐹ℎ𝑘𝑙 = ∑ ( 𝑓𝑗 𝑒 2𝜋𝑖 (ℎ𝑥𝑗 +𝑘𝑦𝑗 +𝑙𝑧𝑗 ) + 𝑓𝑗 𝑒 2𝜋𝑖[ℎ(𝑥𝑗 +1⁄2)+𝑘(𝑦𝑗 +1⁄2)+𝑙𝑧𝑗 ] )


𝑗=1,𝑁⁄2

Après mise en facteur commun et simplification, il vient :

𝐹ℎ𝑘𝑙 = ∑ 𝑓𝑗 𝑒 2𝜋𝑖 (ℎ𝑥𝑗 +𝑘𝑦𝑗 +𝑙𝑧𝑗 ) (1 + 𝑒 𝑖𝜋(ℎ+𝑘) )


𝑗=1,𝑁⁄2

 On remarque qu’il y a d’extinction systématique, c’est à dire que 𝐹ℎ𝑘𝑙 = 0 à chaque fois que ℎ + 𝑘 est un entier impair.
 On n’obtient de diffraction que pour ℎ + 𝑘 entier pair.
 Remarque : Si on avait pris une base centrée dans un autre plan, on aurait obtenu la même condition mais sur ℎ + 𝑙 ou
𝑙 + 𝑘.

IV.5-Cas d’une symétrie à faces centrées

 Nous n’allons pas traiter ce cas en détail. On se contente d’indiquer que cette fois-ci o, regroupe les atomes identiques 4
par 4 et on obtient 3 conditions de réflexion :
ℎ + 𝑘 pair
{ ℎ + 𝑙 pair
𝑙 + 𝑘 pair
 Remarque : Deux (2) conditions suffisent car la troisième est une conséquence des deux autres.
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Radiocristallographie Chapitre 3 Etude de l’intensité diffractée
IV.6-Autres cas de symétrie

Dans le autres cas de symétrie non traitées ici, ainsi que pour les axes hélicoidaux ou les plans de glissement, on obtient
de la même façon des conditions particulières de réflexion.

V-Définition du facteur de structure par la densité de charge.


 Il y a une autre méthode pour calculer le facteur de structure : Il s’agit d’utiliser la densité de charge au lieu d’utiliser les
atomes.
 En effet, on peut exprimer le facteur de structure à l’aide de la densité de charge électronique via la formule suivante :
1 1 1

𝐹ℎ𝑘𝑙 = 𝑣 ∫ ∫ ∫ 𝜌(𝑥, 𝑦, 𝑧) 𝑒 2𝜋𝑖 (ℎ𝑥+𝑘𝑦+𝑙𝑧) 𝑑𝑥 𝑑𝑦 𝑑𝑧


0 0 0

𝑣 étant le volume de la maille.


 Remarque très importante : Il est clair d’après la formule précédente que le facteur de structure est la transformée de
Fourier de la densité de charge électronique.

VI-Diffusion anomale.
 Dans ce qui précède, on a négligé certains phénomènes, par exemple l’attraction exercée par le noyau sur les électrons.
 Donc, en général on a besoin de faire des corrections au niveau du facteur de diffusion. Puisque le facteur de diffusion
corrigé peut différer du facteur initial non seulement en module mais aussi en phase, alors la correction se fait par un
nombre complexe. La formule utilisée est de la forme : 𝑓 = 𝑓0 + Δ𝑓 ′ + 𝑖 Δ𝑓′′
 En général, Δ𝑓 ′ et Δ𝑓′′ sont négligeables devant 𝑓0
 Dans certaines applications, on ne peut pas négliger Δ𝑓 ′ et Δ𝑓′′ , on parle alors de diffusion anomale. Dans ce cas précis,
la loi de Friedel n’est plus respectée.

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Radiocristallographie Chapitre 3 Etude de l’intensité diffractée