Nombre: Matrícula:

 Marco Antonio Cardona Garza  2939737

 Dana Paola Sánchez Bonilla  2863104
 Gabriel de Jesús Martínez Mendoza  2944002
Nombre del curso: Nombre del profesor:
Ingeniería Electrónica Gerardo Maldonado
Módulo: Actividad:
No.1 Actividad no.1
Fecha: 15 de agosto de 2020
Objetivo:
Analizar operaciones con transistor, mediante obtención
experimental de sus curvas características de voltaje, contra
corriente para que a partir de ellas se puedan medir algunos de
sus parámetros de funcionamiento.
Procedimiento:
Para cada una de las mediciones y cálculos efectuados, se deben
agregar enseguida las unidades respectivas, por ejemplo: para
mediciones de voltaje, utilizar V, mV, V (rms), etc., para las de
corriente A, mA, A (rms), etc., y para frecuencia utilizar Hz o rad/s,
según sea el caso, etc.

Resultados:
Curvas características del transistor bipolar 1. Implementa este circuito,
y realiza las mediciones que se especifican más adelante. Utiliza un
transistor 2N3904 (o equivalente) y los siguientes valores de
resistencias RB=10 kΩ y RC=100 Ω.

Construcción de las curvas

características de voltaje contra
corriente del transistor bipolar.
Para iniciar la construcción de las
curvas características de voltaje
contra corriente del transistor bipolar, realiza el siguiente
procedimiento:
2. Ajusta el valor de la fuente de voltaje VBB, de tal forma que la
corriente de base en el transistor sea de IB= 30 µA. Observa, en la
figura 4, como la corriente IB y el voltaje VCC se aplican directamente a
la base y entre las terminales de colector-emisor del transistor,
respectivamente.
3. Enseguida, realiza incrementos en la fuente de voltaje VCC. Para cada
nivel de voltaje VCC aplicado, se debe medir la corriente IC que se
establece en el colector, así como el voltaje VCE. Asegúrate de
mantener constante la corriente IB, para cada una de las mediciones
que realiza para IC y VCE. Con los resultados de las mediciones
realizadas, llene la siguiente tabla. Los datos ahí contenidos servirán
para graficar las curvas características.
Tabla para IB1=30µA
Valor de la fuente Valor medido para Valor medido para IC
VCC VCE
0.2 V 0.1 V 1mA
0.4V 0.17 V 2.33 m A
0.6 V 0.23 V 3.77 mA
0.8V 0.29 V 5.05mA
1V 0.38 V 6.2 mA
2V 1.33 V 6.67mA
3V 2.32 V 6.8 mA
4V 3.31 V 6.93 mA
5V 4.29 V 7.06 mA
6V 5.28 V 7.19 mA
7V 6.27 V 7.3 mA
8V 7.25 V 7.4 mA
9V 8.24 V 7.5 mA
TABLA PARA IB1= µA
VALOR DE LA VALOR MEDIDO PARA VALOR MEDIDO PARA
FUENTE VCE IC
VCC
0.2 V 0.08 V 1.17 mA
0.4V 0.14 V 2.5 mA
0.6 V 0.2 V 4 mA
0.8 V 0.25 V 5.4 mA
1V 0.31 V 6.92 mA
2V 0.58 V 14.2 mA
3V 1.31 V 16.9 mA
4V 2.28 V 17.2 mA
5V 3.25 V 17.5 mA
6V 4.22 V 17.8 mA
7V 5.18 V 18.1 mA
8V 6.15 V 18.5 mA
9V 7.12 V 18.8 mA
10 V 8.09 19.1 mA
11 V 9.05 V 19.4 mA
12 V 10 V 19.8 mA

4. Ahora, inserte las curvas características obtenidas para IB=30 y 90

µA, indicando en cada una de ellas el correspondiente valor de IB. Para
generar las curvas, a partir de las mediciones realizadas en el circuito,
utiliza un programa por computadora como Matlab, Excel u otro
programa de alto nivel ingenieril.
5. Medición del voltaje colector emisor de saturación VCE(sat). A partir
de las curvas características, indica el nivel de voltaje VCE
mínimo requerido, para que el transistor opere en la zona activa. Este
voltaje se conoce como voltaje colector emisor de
saturación VCE(sat).
Voltaje VCE mínimo requerido para que el transistor opere en la zona
activa VCE(sat)=2
6. Medición de la beta de . La ganancia de corriente de directa
(CD) de un transistor es el cociente de la corriente de
CD del colector (IC) entre la corriente de CD de la base (IB). A partir de
las curvas características del transistor, obtenidas durante el
desarrollo de la práctica, calcula la beta de CD en tres puntos distintos
de estas curvas:
a. Punto Q1 - El primer punto, seleccionar VCE que debe ser en el límite
entre saturación y zona activa,
b. Punto Q2 - El segundo punto, seleccionar VCE en el centro de la zona
activa, y
c. Punto Q3 - El último punto, seleccionar VCE en el extremo final de la
zona activa.
Los resultados de estos cálculos te servirán para llenar la siguiente
tabla:
PUNTO Q1 PUNTO Q2 PUNTO Q3

6/30x10- 7/30x10- 8/30 x10-

3 3 3
=200 =233.33 =266.6

PUNTO Q1 PUNTO Q2 PUNTO Q3

6/90 x10- 7/90 x10-3=77.77 8/90 x10-
3 3
=66.66 =88.88

7.- . Medición de la beta de CA (βCA=hfe.). La figura muestra una

gráfica y las ecuaciones respectivas, para el cálculo de la beta
de corriente alterna (CA) de un transistor.
Basado en la ilustración de la figura 5, calcula la beta de corriente
alterna para tres puntos distintos de la zona activa, basándote
en la estrategia anterior de los puntos Q1, Q2 y Q3. Utiliza las dos
curvas consecutivas ( la curva para IB2=90µA y la curva
para IB1=30µA). Los resultados de estos cálculos te servirán para llenar
la siguiente tabla:

PUNTO Q1 PUNTO Q2 PUNTO Q3

170.5 190.6 203.6

8. Medición de la resistencia de salida ro. La figura 6 muestra una

gráfica y las ecuaciones respectivas, para el cálculo de la
resistencia de salida de un transistor.
Basado en la figura, obtén la resistencia de salida del transistor, para
cada una de las curvas características obtenidas en la presente práctica.
Realiza la medición de este parámetro, tomando dos puntos de voltaje
VCE centrados en la zona activa; enseguida, llena la siguiente tabla:

RESISTENCIA DE Para IB1= 30μA Para IB2= 90μA

SALIDA RO
7615.3 Ω 3200 Ω

9. Medición del voltaje Early VA. La figura 7 muestra una gráfica, en

donde se han ampliado las curvas características de voltaje-corriente,
para voltajes base-emisor constante. Observa que al extrapolar estas
curvas hasta una corriente cero, se encuentran en
un punto sobre el eje de voltaje negativo, en VCE=-VA. Este voltaje VA
es una cantidad positiva llamada voltaje Early.
Tomando como ejemplo lo ilustrado en la figura, determina el voltaje
Early para este modelo de transistor.
Voltaje Early VA= 2300 Ω
10. Medición de la resistencia de salida a partir del voltaje Early. Una
vez determinado el voltaje Early, es posible calcular a partir de él
la resistencia de salida. Para cada curva característica, calcula la
resistencia de salida del transistor, pero ahora utiliza el voltaje
Early. Considera la corriente de colector IC, para un voltaje VCE en el
centro de la zona activa.

RESISTENCIA DE Para IB1= 30μA Para IB2= 90μA

SALIDA RO
7615.3Ω 3200 Ω