CHAPITRE VI TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP

Introduction
Nous avons vu au chapitre précédent que le transistor à jonction était une source de
courant commandée par un courant. Cette caractéristique permet à ce type de composants
d'amplifier des signaux alternatifs.
Ils existent d'autres dispositifs caractérisés par un mode d'attaque différent : une source
de courant commandée par une tension. C’est la famille des transistors à effet de champ
(T.E.C.) (Field Effect Transistor en anglais (F.E.T.)).
On conçoit aisément que l'étude des F.E.T. va être similaire à celle des transistors à
jonction, et ce malgré (nous verrons plus loin) un fonctionnement microscopique
complètement différent.
Il existe deux types de transistor à effet de champ :
 les transistors à effet de champ à jonction (ou J.F.E.T. : junction field effect transistor).
 les transistors à effet de champ à grille isolée (ou M.O.S.T. metal oxyde semiconductor
transistor).
I. Transistor à effet de champ à jonction (J.F.E.T.)
I.1. Constitution et schématisation
Sur un substrat de type P, on diffuse une région de conductibilité N qui sera appelée
canal. Au centre de cette Zone N est diffusée une région de type P sur laquelle repose un
contact métallique appelé grille ou porte (G). De chaque côté de la grille, on place deux
contacts sur la zone N, appelés drain (D) et source (S).

Figure 1

En fonctionnement normal, grille et substrat sont toujours maintenus au même

potentiel. Cette constitution correspond à un transistor à effet de champ dit canal N.
Remarque : si on part d’un substrat P on aura réalisé un transistor à canal P.

47
 I.2. Représentation symbolique
Un J.F.E.T. est donc un dispositif à trois électrodes: grille (G), source (S) et drain (D).
D D J.F.E.T. T. Bipolaire
VDG >0
ID
VDS >0 VDG <0 VDS <0 ID : courant de drain Ic : courant collecteur
ID
G G IS : courant de source  IE : courant émetteur
IG IG
VGS 0 VGS 0 IG : courant de grille IB : courant base
S S
Canal N Canal P Figure 2

Conclusion :
 Dans un T. E. C. à jonctions le courant est : créé par le déplacement d’un seul type de
porteurs : les majoritaires (composant unipolaire) ;
 Le transistor à effet de champ à jonctions comporte trois électrodes :
une électrode qui injecte les porteurs dans la structure : la Source, une électrode qui
recueille les porteurs : le Drain et une électrode où est appliquée la tension de
commande : la Grille.
II.2. Principe de fonctionnement
II.2.1. Rappel
Dans une zone de transition (Z. T.), pour une jonction polarisée en inverse on a la
présence d’un champ électrique d’autant plus important que la tension inverse est grande.
Cette zone de transition s’élargie d’autant plus que la polarisation inverse augmente. Si en
plus la jonction est formée par deux régions dissymétriques, la zone de transition s’étend vers
la région la moins dopée.

P+ N
 Z. de T. 

II.2.2. Fonctionnement
Lors du relevé de la caractéristique ID = f(VGS) pour des valeurs constantes de VGS, le
réseau de caractéristique de sortie est donné par la figure 3.

Montage type source commune

48
 Figure 3

On a donc trois régions de fonctionnement

Discussion
a) Cas où VGS = 0
L’application d’une tension VDS > 0, entraîne un courant ID qui circulera du potentiel
le plus élevé (drain) vers le plus bas celui de la source, de la grille et du substrat (figure 4).

VDS crée un champ électrique qui fait circuler les

-
e du canal (N) de S vers D
Figure 4

On a donc la jonction grille-canal polarisée en inverse et cela d’autant plus que l’on va
de la source vers le drain. D’où la création d’une zone de transition dont l’épaisseur varie le
long de la jonction grille canal. Elle est faible du côté source (tension inverse moins
importante) et s’accroît vers le drain (tension inverse plus importante). Cet accroissement et
d’autant plus grand que VDS est fort (figure 5).

Figure 5

 VDS faible < 1 V :

L’épaisseur des zones de transition (Z. T.) est peu importante. Le canal se comporte
comme une résistance. Dans cette région, appelée « région ohmique », on a une droite qui
passe par l’origine.
 Si VDS augmente :
Les Z. T. deviennent plus importantes et la section conductrice du canal diminue, sa
résistance augmente. Pour une valeur suffisante de VDS = Vp appelée « tension de
pincement », la mobilité des porteurs atteint une valeur limite et la section conductrice du
canal tend aussi vers une limite. Le courant ID tend vers une valeur de saturation notée IDSS.

49
On dit que le canal est pincé et la caractéristique dans cette région appelée « région de
saturation ou de pincement » est une droite quasi horizontale.
 Pour VDS important (> 30V) :
Le champ électrique dans les jonctions polarisées en inverse est suffisant pour
provoquer le claquage. ID croit rapidement est la caractéristique dans cette région appelée
« région de claquage » est verticale.
b) Cas où VGS est négative
Les jonctions sont déjà polarisées en inverse même pour VDS = 0. Le régime de
saturation commence donc pour une valeur de VDS plus faible. Pour des valeurs très négatives
de VGS, la pénétration des Z. T. est telle que le canal est totalement pincé. Le courant ID est
nul quelle que soit la valeur de VDS. Le transistor est totalement bloqué pour VGS = -VP
« tension de pincement ».
Conclusion
 Pour VGS = 0, le pincement du canal se produit pour VDS = VP.
 Pour VGS < 0, le pincement se fait pour VDS = VGS + VP.
III. Réseaux de transfert
La caractéristique de transfert ID=f(VGS)VDS=cte du J.F.E.T. peut être approchée de
façon assez précise, en utilisant une approximation parabolique de son équation :

ID
 
2
V  
I  I 1 GS
  IDSS (10 mA)
D  
V  
DSS GSoff
 

IDSS : courant de saturation drain-source lorsque VGS = 0.

VGSoff =-5V 0 VGS
VGsoff : tension négative appliquée sur la grille par rapport à la
= -vP
source, suffisante pour pincer le canal (bloquer le transistor) égale
-VP (tension de pincement).
Ordres de grandeur : VGsoff = quelques volts et IDSS =10 mA.
Un paramètre important du F.E.T. est la pente ou transconductance (gm) : c’est la pente
de la caractéristique de transfert
ΔI 2I  V 

gm  D   DSS 1  GS 
 
ΔV V V
GS GSoff  GSoff 

La valeur particulière obtenue pour VGS = 0 est :

 2I
g  DSS
m0 V
GSoff

50
 Cette formule est particulièrement intéressante, puisqu’elle permet de déterminer
VGsoff à partir des mesures précises de IDSS et gm0. La pente prend donc la forme :
 V 

gm  g  1 GS 
 
m0  V
 GSoff 
Remarque: Le réseau de caractéristiques de sortie ID=f(VDS) à VGS =cte est donné par la
figure 3.
IV. Le T. E. C. en régime statique
IV.1. Détermination du point de repos
Le montage utilisé est le suivant (figure 6):

Figure 6
Déterminer l’état de fonctionnement de ce montage, c’est déterminer les trois variables
(VGS, ID, VDS), donc il faut un système à trois équations :
VDD= RDID+VDS (équation de la droite de charge statique)(*)
ID = f(VDS) (réseau des caractéristique de sortie)(**)
VGS = -VGG
Le point de repos à la sortie est solution de l’équation (*) et de la relation (**). Donc on a une
infinité de points de fonctionnement dépendant de la tension VGS. Pour déterminer le point de
repos unique du montage, il faut construire l’ensemble de points ID= f(VGS). Cet ensemble de
point est appelé caractéristique de transfert en charge du montage.

IV.2. Les différents circuits de polarisation d’un J.F.E.T.

IV.2.1. Polarisation automatique
IV.2.1.1. Montage sans résistance de source RS

51
 Figure 7

● Equation de la droite de polarisation (a)

VG = RG.IG = 0 (car IG = 0, jonction bloquée) donc VGS = 0 (équation de la droite de
polarisation).
● Equation de la droite de charge (b) ID = (-VDS / RD) + VDD / RD

ID ID (mA)

Droite de IDSS P VGS = 0

IDSS
polarisation Droite de charge
statique

-VGS 0 VDD VDS (V)

(a) (b)
IV.2.1.2. Montage avec résistance de source RS

Figure 8

● Equation de la droite de polarisation

ID
IG = 0  VG = 0 or VG = VGS + RS.ID
 VGS = -RSID Droite de IDSS
polarisation
 ID=(-1/RS).VGS avec -1/RS = pente

-VGS 0
VGS off

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 Equation de la droite charge Statique
VDD = RDID + VDS + RSID
ID (mA)
 Droite de charge statique
V VDD/(RD+RS)
I  DS 
V
DD
IDSS P VGS = 0
D R R R R
D S D S
IDmoy
VGS=-RSID
pente  1
R  R
D S
0 VDSmoy VDD VDS

IV.2.2. Polarisation par pont de résistance

VG > 0
VGS<0

VG<VS
Figure 9

ID
 Equation de la droite de polarisation
Droite de polarisation
VG = VGS + RSID IDSS

D’où Pente = -1/RS

 VGS VG IDmoy
ID   et VG  R 2 VDD
RS RS R1  R 2

VGSoff VGSmoy VG VGS(V)

IV.2.3. Polarisation par une source de courant

Le transistor bipolaire a un courant :
IE  IC = (VCC-VBE)/RE.
Le transistor bipolaire force le courant drain à
stabiliser à la valeur IC à condition que IC soit
inférieur à IDSS.

figure 10
Remarque :
La polarisation par source de courant est la meilleure méthode de stabilisation du
courant drain face aux variations des paramètres du J.F.E.T.

53
 Droite de polarisation ID

Droite de polarisation IDSS

IDmoy = IC

-VGS VGSoff VGSmoy

V.3. Le T. E. C. en régime variable

On insère une source de tension sinusoïdale eg

Figure 11
V.3.1. Etude graphique des courants et tensions
Soit eg(t) = E.sin(wt), le fonctionnement global est tels que :
● à l’entrée vGS(t) = VGS + vgs(t)
● à la sortie iD(t) = ID+id(t) et vDS(t)=VDS+vds(t)
● la loi des mailles appliquée au circuit d’entrée donne : vGS(t) = eG(t) = eg(t) + VGG
● l’équation de la droite de charge en régime variable est : vDS(t) = VDD – RDiD(t)
● lorsque wt varie de 0 à 2π, -E ≤ eg ≤ +E on a : VGG - E ≤ vGS = eG ≤ VGG + E (│VGG │< E)
Le point de fonctionnement décrit dont la portion M1’M2’ de la caractéristique de transfert en
charge et le segment M1M2 de la droite de charge en régime variable. Les projections de ces
points de repos, sur chacun des axes permettent de déduire les graphes de vGS(t), iD(t) et vDS(t)
(figure suivante).

54
V.4. modèle dynamique
En régime dynamique toutes les sources de
tension continues se comportent comme des
court-circuits. Le modèle équivalent de la figure 11
devient (figure 12) :

Figure 12
V.4.1. Régime de petits signaux :
Lorsque les variations d’une grandeur, par rapport à sa valeur de repos ont de très
faibles amplitudes on dit que le système travaille en régime de petits signaux et le transistor
travaille en régime linéaire.

V.4.1.1. Schéma équivalent « petits signaux »
● modèle à basses Fréquences (B.F.)
Figure 13
● modèle à hautes fréquences (H. F.)
Figure 14
V.5. Amplificateurs à T. E. C.
V.5.1. Montage type source commune
● Cas où Rs est découplée par Cs
d’un T.E.C. monté en source commune
On en déduit l’équation générale
des caractéristiques dynamiques du réseau de
sortie : id = gm.vgs + vds/rds
gm : pente du transistor
rds : résistance de sortie à entrée court-circuitée
(vgs=0), elle est de l’ordre de 100 kΩ.
Cgs :capacité grille-source due à la zone de
transition.
Cgd : capacité grille-drain (ou capacité de
réaction).
Cds : capacité drain-source du canal.
rgs : résistance d’entrée du T.E.C. (rgs  109 Ω)

55
 Schéma équivalent à B. F. ( RD << rds)

Figure 15 Figure 16

Amplification en tension

v R i R g v
A v  v2   v D d   D vm gs
soit AV = -gmRD
1 gs gs
Si on tient compte de rds on aura : Av = -gmRD / (1 + gdsRD) avec gds = 1/rds
Impédance d’entrée du montage
Ze = v1/i1 = RG = 1MΩ (Ze(trans) = )
Impédance de sortie : Zs = vDM0/icc
Où vDM0 = tension de sortie en circuit ouvert et icc
courant de court-circuit
Or vDM0 = vs = -RDid = -gmRDvGS et icc = gmvgs
Donc ZS = RD.
● Cas où Rs est non découplée par Cs

Figure 17

Amplification en tension
V2 = -RDid = -gmRDvgs et v1 = vgs + Rsgmvgs d’où Av = v2/v1 = -gmRD/(1+gmRs)
Remarque : Les impédances d’entrée et de sortie restent inchangées.
V.5.1.2. Etude de l’influence de Cs
Quand on travaille avec des fréquences pas trop élevées, le nouveau schéma
équivalent devient :

56
 Figure 18

● Amplification Av(jw)
on a : ve = vgs + Zs.gm.vgs avec Zs = Rs//CS = Rs / (1+jwRsCs)
donc ve = vgs[1 + gmRs/(1+jRsCsw)] or vs = -RDid = -RDgmvgs
d’où
 
 
 
 gmR D  gm R D 1  jwR sCs
Av       .
 gmRs  1  gm R s R C w
1
 1 j s s

 1  jRsCsw  1  gm R s


qu’on peut mettre sous la forme :

w , g R 1 = 2f1 w 1 gmRs = 2πf2 ,w2>w1.
1 j
A   m D w1  
Av  A .
w
1 avec
0 1 g mR s R s Cs 2 RsCs
0 1 j w
w
2
Remarque : Très souvent les calculs portent sur les gains plutôt que sur les amplifications.
Gain en tension : Gv = 20log10│Av│ Exprimés
Gain en courant : Gi = 20log10 │Ai│ en
Gain en puissance : Gp = 10log10│AP│ Décibels (dB)
L’étude du gain se fait sur une large gamme de fréquences, ce qui impose une échelle
logarithmique. Il est courant de considérer deux intervalles particuliers de fréquences :

Octave
Une octave  I I

f0 2f0
Décade
Une décade  I I

f0 10f0

Dans le cas général Av, Ai et AP sont des fonctions de variables complexes entièrement
caractérisées par un module et un argument.
Discussion
Gv(dB) = 20log10│Av(jw)│
 1er cas : w << w1 (donc w << w2)
 Av(jw) = A0  Gv(dB) = 20log10│A0│
 2ème cas : w >> w2 (donc w >> w1)

57
 Av(jw) = A0.(w2/w1) = -gmRD  Gv(dB)  20log10(gmRD) = GvMax
 3ème cas : w1  w  w2
On cherche le gain pour le point particulier w = 10w1 (on a toujours 10w1 << w2)
 Av(jw) = A0.j(w/w1) = A0.j10  Gv(dB) = 20log10│A0│+20log10│10│
 Gv(dB) = 20log10 │A0│+ 20dB
Donc on a une augmentation du gain de 20dB/décade qui correspond à une augmentation
de 6dB par octave (c'est-à-dire si on prend w = 2w1) .
 Pour w = w1 on a Gv(dB) = 20log10│A0│+ 3dB
 Pour w = w2 on a Gv(dB) = GvMax – 3dB

Figure 19

V.5.1.3. Influence de la capacité C1

Sans influence de C1 on a :
ve = eg, en tenant compte de C1 on aura :

entrée du montage de la figure 18

Ve RG jR G C 1 w
eg  
e

g RG  1 1  jR G C 1 w
jC 1 w

on note w1=1/RGC1  f1 = 1/2RGC1

V.5.2. Montage Drain commun

Figure 21 : Schéma équivalent en

Figure 20 régime dynamique

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  Amplification en tension
On a : v1 = vgs + Rsgmvgs et v2 = Rsgmvgs  Av = v2 / v1 = gmRs / (1+gmRs) < 1
 Impédance d’entrée : Ze = RG = 1 M
 Impédance de sortie : Zs = vsM0 / icc
G G

gmvgs
RG
vgs
v1
S
id S
Rs i cc

vsM0=v2=v1.gmRs/(1+gmRs) et icc= gmvgs= gmv1

donc 1
Rs.
gmR S 1 Rs gm
Zs  v gmv  1  g R   Zs  Rs // g1 (faible)
1 1 gmRs 1 m s Rs  g 1 m
m
V.5.3. Montage grille commune
+VDD

RD

D C2

C1
v2
S
CG
RG Rs
v1

M
Figure 22

 Schéma équivalent en régime dynamique

 Amplification en tension
vG = 0 = vgs + v1  vgs = - v1 et v2 = -RD.id = -RDgmvgs = RDgmv1
 Av = v2 / v1 = RDgm
 Impédance d’entrée : Ze = v1 / i1
i1 = iRs – id = (v1/Rs) - gm.vgs = v1[(1/RS) +gm]
 Ze = v1/i1 = Rs/(1+gmRs) = Rs // (1/gm) (faible)
 Impédance de sortie : Zs = RD
Remarque : Les T. E. C. à jonction sont utilisés : en amplification, en commutation et en
résistances variables.

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