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Dans ce fichier

 Des indications pour mieux comprendre la série 3 (5 pages).


 Dans les 3 autres pages j’ai proposé deux exercices d’application corrigés
concernant le chapitre 5 (Transistor Bipolaire). Pour l’exercice 2 j’ai
donné un rappel explicatif sur la polarisation d’un transistor bipolaire.
Des remarques pour vous aider à mieux comprendre la série 3

EXERCICE 1
D’après le cours une diode polarisée en direct peut être représentée dans un circuit
électrique par son schéma équivalent et le sens positif du courant est de A vers K. Le schéma

équivalent réel de la diode est : , si on peut négliger rd (faible


résistance) devant les autres éléments du circuit on obtient le schéma équivalent dit source

idéale , dans le cas où on peut négliger Vd (0,6 V pour le Si) et rd on

dit que la diode est idéale .

Une diode polarisée en inverse admet un seul schéma équivalent la


diode se comporte comme un circuit ouvert.
Pour l’exercice on représente la diode en direct par son schéma équivalent
source idéale.
Remarque : le courant dans la diode est soit positif (polarisée en direct) soit nul
(polarisée en inverse).
circuit a : on peut résonner sur le courant, c’est-à-dire on suppose que la diode est passante
( I > 0 dans la diode ), dans ce cas le schéma équivalent de la diode est

d’où schéma équivalent suivant

D’après le circuit on a : e(t) = R.I + Vd  I = (e(t) – Vd)/R > 0  e(t) > Vd.
Donc si e(t) > Vd la diode est passante et VD = Vd = 0,6 V
Si e(t) < Vd la diode est alors bloquée son schéma équivalent est :

circuit ouvert et le courant est nul. D’où le schéma équivalent du


circuit :

Si e(t) < Vd  VD = e(t)


Circuit b
De même on suppose que la diode est passante d’où le schéma équivalent de la diode :

d’où le schéma équivalent

Dans ce cas on a (le sens positif du courant est celui de la diode)


e(t) = -I.R – Vd  I = -(e(t) + Vd)/R > 0  e(t) < -Vd

donc si e(t) < -Vd  VD = -Vd = -0,6 V

Si e(t) > -Vd la diode est donc bloquée ( circuit ouvert )


Le schéma équivalent est donc

VD = e(t)

circuit c : On suppose que la diode est passante ( ) d’où le schéma


équivalent suivant
D’après le circuit on a: e(t) = R.I + U0 + Vd  I = (e(t) – U0 – Vd)/R > 0  e(t) > U0 + Vd.
Donc si e(t) > U0 + Vd  VS = U0 + Vd = 5,6 V
Si e(t) < U0 + Vd la diode est donc bloquée son schéma équivalent

est circuit ouvert:


D’où le schéma équivalent du circuit est

VS = e(t) car le circuit est ouvert et la courant est nul

Circuit d

Si la diode est passante, , d’où le schéma équivalent :

Dans ce cas on a (le sens positif du courant est celui de la diode du bas vers le haut)
e(t) = -I.R – U0 - Vd  I = -(e(t) + U0 + Vd)/R > 0  e(t) < -(U0 + Vd)
Donc si e(t) < -(U0 + Vd)  VS = -(U0 + Vd) = -5,6 V
Dans le cas contraire e(t) > -(U0 - Vd) la diode est bloquée
le schéma équivalent est donc

VS = e(t) car le circuit est ouvert et la courant est nul


Ciruit e
Pour l’alternance positive on est dans le cas du circuit c et pendant l’alternance négative on
est dans le cas du circuit d. Donc le circuit e combine les deux montages c et d.
INDICATIONS SUR L’EXERCICE 2
La diode est considérée idéale (Vd est négligée devant E) donc en direct

et en inverse on a .
La diode est bloquée si VAK est négative.
APPLICATION
Montage a
La diode commence à conduire à partir de t = 0 (la capacité initialement déchargée se
comporte comme un court-circuit), le condensateur se charge donc jusqu’à sa valeur
maximum VC = E atteinte pour e(t) = E c’est-à-dire à t = T/4. Après cet instant e(t) devient
inférieure ou égale à E. VAK = e(t) – VC devient négative ou égale 0 et la diode passe à l’état
bloqué, d’où les schémas équivalents suivants :
Montage b
La diode commence à conduire à partir de t = T/2 car entre t = 0 et T/4 la diode est bloquée,
VAK est négative, (la capacité initialement déchargée se comporte comme un court-circuit) et
rien ne se passe entre t =0 et t = T/2. Le condensateur se charge donc à partir de t = T/2
jusqu’à sa valeur maximum VC = -E atteinte pour e(t) = -E c’est-à-dire à
t = 3T/4. Après cet instant e(t) devient supérieure ou égale à -E. VAK = VC - e(t) = -E – e(t)
devient négative ou égale 0 et la diode passe à l’état bloqué. VD = -VAK = E + e(t).
On aura donc les schémas équivalents suivants :

D’où les représations données dans la correction de la série 3

DES INDICATIONS SUR L’EXERCICE 3 AVEC UN RAPPEL SUR LA DIODE


ZENER SERONT ENVOYES PROCHAINEMENT
CHAPITRE V : TRANSISTOR BIPOLAIRE
EXERCICES D’APPLICATION

EXERCICE 1 Gain du transistor

Le courant émetteur d’un transistor est 100 mA et son courant base vaut 0,5 mA.
Déterminer les valeurs des coefficients α et β du transistor.
SOLUTION
On sait que pour un transistor on a : IE = IC + IB avec IC = .IB et IC = .IE
 est le gain statique et  le rapport entre IC et IE très proche de 1.
Donc on peut écrire que : IC = IE – IB = 100 mA – 0.5 mA soit IC = 99,5 mA
,
et soit  = 0,995
,
Pour calculer  on a : .
199 soit   200 .

On peut calculer aussi  à partir de  on a IE = IC +IB  IC /  = IC + IB  .

 . .  . soit   200

EXERCICE 2 Transistor saturé (figure 1)

1. On donne VCC = 20 V ; VBM = 10 V ; RC = 10 kΩ,


RB = 47 kΩ et VBE = 0,7 V. Calculer le courant base et
la tension VCE du transistor.
2. On donne VCC = 5 V ; VBM = 5 V ; RC = 470 kΩ ,
RB = 4,7 kΩ et VBE = 0,7 V.
Figure 1
Calculer le courant base et la tension VCE du transistor.

SOLUTION
RAPPEL :
La polarisation a pour rôle de placer le point de fonctionnement du transistor dans une zone
où les caractéristiques sont linéaires.
Pour cela, on applique sur les trois électrodes du transistor des potentiels continus de valeurs
convenables. A partir des réseaux de caractéristiques, il est simple de déterminer le point de
fonctionnement.
Droite de charge statique
Caractéristique
De transfert
2
3

Droite d’attaque statique

On peut en déduire la position du point de fonctionnement du montage en fonction de IB.


On détermine d’abord le courant IB au point de fonctionnement (IB0) soit par calcul en
utilisant le montage de polarisation, soit graphiquement (intersection de la droite d’attaque
statique avec la caractéristique IB = f(VBE) le point 1.
 En régime amplificateur (régime linéaire), le point de fonctionnement est au milieu de
la droite de charge (point C). la relation IC = .IB permet de déduire IC0 à partir IB0
(graphiquement on fait la projection du point 2 sur la droite de charge statique (point
3) sa projection sur les axes donne IC0 (intersection avec l’axe des courants IC) et VCE0
(intersection avec l’axe des tensions VCE (point 4)) et on a :
0 < VCE0 < VCC .
 Si IB0 est nul, IC0 est nul et VCE0 = VCC (point A). le transistor est bloqué.
 Si IB0 est très important, IC0 est très élevé, la tension VCE0 devient très faible (point B)
20 < VCE0 < 200 (mV) c’est-à-dire VCE0 est presque nulle.
La jonction base collecteur devient en direct. On dit que le transistor est saturé.

Application à l’exercice 2.
1. Le circuit est le suivant (figure 2) :
Remarque : sur la figure 1 on a représenté
uniquement les bornes positives pour les
générateurs, les bornes négatives sont
Figure 2
considérées reliées à la masse comme le
montre la figure 2.

Le circuit d’entrée donne :


,
VBM = IB . RB + VBE  .
soit IB = 0,2 mA.

Le circuit de sortie donne :


VCC = VCE + IC.RC  VCE = VCC – IC.RC or IC = .IB  VCE = VCC – IB.RC
 VCE = 20 - .0,2.10-3.10.103 soit VCE = 20 - 2 < 0 car d’après le cours on a
10 <  < 500. Résultat impossible car 0 < VCE < VCC. Donc on ne peut pas utiliser la
relation IC = .IB le transistor n’est pas en mode linéaire. Le courant IB = 0,2 mA > 0 donc le
transistor n’est pas bloqué. Tout transistor ainsi polarisé (alimenté) est dit saturé. Donc on
aura VCE  0 V et IC = (VCC – VCE) / RC = ((20 – 0) / 10.103) soit IC = 2 mA < .IB .
Donc pour connaitre l’état de polarisation d’un transistor on calcule IB. A partir de IC = .IB
on calcule IC (c’est-à-dire on suppose que le transistor est en mode linéaire). Après on calcule
VCE. Si 0< VCE < VCC est confirmée le transistor est en mode linéaire. Si on trouve une
contradiction VCE < 0 le transistor est saturé. Le transistor est dit bloqué si IB est nul.
2. De même
Le circuit d’entrée donne :
,
VBM = IB . RB + VBE  soit IB = 0,915 mA.
, .

Le circuit de sortie donne :


VCC = VCE + IC.RC  VCE = VCC – IC.RC avec IC = .IB  VCE = VCC – IB.RC
 VCE = 5 - .0,915.103.470.103 soit VCE = 5 – 0,43.
 si  > 12 on aura VCE < 0  on ne peut pas utiliser la relation IC = .IB donc tout
transistor ayant un  > 12 et ainsi polarisé (alimenté) est dit saturé.
Dans ce cas VCE  0 V
et IC = (VCC – VCE) / RC = ((5 – 0) / 470.103) soit IC = 10,6 mA.

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