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Université Mouloud MAMMERI de Tizi-ouzou, Faculté de Génie Electrique et Informatique,

Département d’Automatique, Master Académique Semestre 4, Unité : Nanotechnologie

Objectifs de l’unité:
1) Connaitre et comprendre les phénomènes physiques qui se manifestent dans les
matériaux solides semi-conducteurs, qui sont utilisés pour réaliser des composants de
la microélectronique et de la nanotechnologie.
2) Comprendre le principe de fonctionnement d’un composant de base de la
nanotechnologie: le MOSFET (Metal-Oxyde-Semiconducteur Field Effect Transistor).

Chapitre 1
La physique des solides Semiconducteurs

1. Définition :

Les semiconducteurs sont des matériaux présentant une conductivité électrique intermédiaire
entre celle des conducteurs et celle des isolants. Le semiconducteur le plus utilisé en
électronique est le Silicium. Ce matériau est à la base de l’industrie électronique moderne car
plus de 85% des dispositifs électroniques tels les diodes, les cellules photovoltaïques, les
transistors, les circuits intégrés sont fabriqués à partir de ce semiconducteur.

2. Théorie des bandes d’énergies :


Avant d’expliquer d’où vient la théorie des bandes d’énergie, il faut expliquer c’est quoi un
électron libre (quasi-libre) dans un cristal. Nous allons essayer de comprendre le
comportement d’un conducteur pour mieux comprendre le comportement d’un isolant et d’un
semi-conducteur.
2.1. C’est quoi un électron libre (quasi-libre) ?

Prenons l’exemple d’un atome de Cuivre. Sa configuration électronique est : 1s2/


2s22p6/3s23p63d10/4s1. Les 29 électrons de l’atome de Cuivre sont en mouvement incessant
autour du noyau. Ils sont liés au noyau par une force électrique d’attraction, tous sauf le 29 éme
qui navigue en périphérie loin du noyau.
Cet électron peut se libérer facilement du noyau; c’est un électron libre. Il n’appartient plus à
l’atome du Cuivre mais il appartient au métal (c’est une particule quasi-libre). Les électrons
libres sont mobiles et se déplacent de proche en proche.

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Leur circulation est aléatoire (fig. 1), il suffit d’appliquer une différence de potentiel (ddp)
pour qu’ils prennent une direction commune. C’est ce mouvement d’ensemble qui constitue
un courant électrique.

Fig 1. Mouvement aléatoire d’un


électron quasi-libre dans un cristal

Pourquoi le Cuivre est un conducteur alors que l’oxyde de silicium est un isolant? C’est la
théorie des bandes d’énergie qui fournie l’explication.

2.2.Théorie des bandes d’énergies :

En partant d’un atome isolé construisant un réseau d’atomes afin d’aboutir au matériau solide.
Les électrons d’un atome isolé possèdent des niveaux d’énergies discrets.

Energies des électrons

E3

E2

E1

Fig 2. Niveaux d’énergies discrets


d’un atome isolé.

Si, un deuxième atome se met à côté de l’atome isolé, les électrons des deux atomes
interagissent entre eux, ce qui entraine un léger décalage des niveaux d’énergies.

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Ce décalage est la conséquence de principe d’exclusion de PAULI. Deux électrons ne peuvent


pas avoir le même état énergétique.

Au fur et à mesure que le cristal se construit par des atomes, les niveaux d’énergies se
multiplient. La notion de configuration électrique s’efface et laisse place à la théorie des
bandes.

Electrons de
périphériques

Electrons de cœur

Fig 3. Bandes d’énergies d’un cristal.

La figure 3 représente les bandes d’énergies quantifiées d’un cristal. Les électrons de cœur
sont très proches du noyau, chimiquement inactif.

Nous allons nous intéresser aux électrons périphériques qui peuvent se situer dans deux
bandes permises : bande de valence (BV) et bande de conduction (BC).

C’est la position respective de ces deux bandes qui va classer le matériau soit conducteur,
isolant ou semi-conducteur.

3. Bandes d’énergies :
Selon les énergies croissantes, on distingue trois bandes d’énergies.

3.1. la bande de valence (BV): susceptible d’être occupée par les électrons lorsqu’ils sont
dans leurs états énergétiques les plus faibles. Ces électrons sont mis en commun avec ceux
des atomes voisins pour constituer les liaisons chimiques. Ils sont dans un état lié.

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3.2. la bande interdite ou le gap (Eg): c’est l’écart d’énergie entre la bande de conduction et
la bande de valence (Eg= Ec - Ev). La largueur de cette bande interdite joue un rôle dans
l’interprétation des propriétés électriques des matériaux.

3.3. la bande de conduction (BC): susceptible d’être occupé par les électrons ayant une
énergie suffisante pour se libérer de l’attraction du noyau. Ces électrons sont liés au matériau
mais pas à l’atome, ils peuvent circuler de proche en proche dans le cristal.

4. Types de matériaux :
Selon la largeur du gap et de la population des bandes permises, on définit trois types de
matériaux :

4.1. les isolants : un matériau est dit isolant lorsque la bande interdite qui sépare la bande de
valence pleine et la bande de conduction vide est large (≥ 5 eV). Pour faire passer un électron
de la bande de valence à la bande de conduction, il faut chauffer le matériau à plusieurs
centaines de degré ou bien l’éclairer avec des photons très énergétiques comme l’ultraviolet et
les Rayon X. Donc détruire le matériau. Un isolant possède une résistivité ρ supérieure à
108 Ω.cm.

4.2. les conducteurs : dans un conducteur, il n’y a pas de bande interdite. Les électrons se
libèrent sans apport d’énergie. La bande de conduction se chevauche avec la bande de
valence. Les deux bandes sont partiellement pleines. A température ambiante, un conducteur
possède une résistivité ρ très faible (ρ ≤ 10-5 Ω.cm).

4.3. les semi-conducteurs : un matériau est dit semi-conducteur lorsque la bande interdite est
étroite (0.3 eV < Eg< 5 eV). Une petite excitation par chauffage ou par rayonnement solaire
peut faire passer un électron de la bande de valence vers la bande de conduction. La résistivité
d’un semiconducteur varie de 10-3 Ω.cm à 104 Ω.cm.

5. Semiconducteurs intrinsèques et extrinsèques

Les semiconducteurs sont à la base de tous les dispositifs électroniques (diodes,


transistors, …). Ayant une conductivité électrique de zéro à 0 K (celle d’un isolant) et qui
augmente lorsque la température augmente.

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Cette conductivité résulte du déplacement des électrons qui ont une énergie suffisante pour
passer de la bande de valence à la bande de conduction. Cette conductivité peut être
augmentée avec un dopage approprie.

5.1. Les semiconducteurs intrinsèques (purs)

Un semiconducteur pur est composé d’atomes d’un même corps chimique (Si, Ge). Il ne
comporte aucune impureté et son comportement électrique ne dépend que de la structure du
matériau.

Dans un semiconducteur intrinsèque les porteurs de charges sont créés par une excitation
thermique. Le nombre d’électron dans la bande de conduction est égale au nombre de trous
dans la bande de valence.

Domaine des électrons libres


- - - - - - BC

ΔE=Ec - Ev=Eg

BV
+ + + + + +
Domaine des trous libres
Fig. 4. Création de pairs électrons trous dans un SC intrinsèque

5.1.1. Les concentrations des porteurs :

a) La concentration des électrons

La concentration des électrons dans la bande de conduction est donnée par la relation (1).

( )
)

NC: densité d’états dans la BC


EF: énergie du niveau de Fermi
k : constante de Boltzmann (k = 8.62×10-5 eV/K)
T: température en K

b) La concentration des trous

La concentration des trous dans la bande de valence s’écrit :

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Avec NV: densité d’états dans la BV.

c) La concentration intrinsèque

Dans un semiconducteur parfait, à T≠0K, le nombre d’électrons qui passent dans la bande de
conduction est égal au nombre de trous dans la bande de valence. Leur concentration
commune est appelée concentration intrinsèque ni.

{ (3)

De (1), (2) et (3), on déduit l’expression de la concentration intrinsèque ni :


La concentration des porteurs de charges dépend de la température (T) et de gap (Eg) du


matériau.

5.1.2. Position du niveau de Fermi dans un semiconducteur intrinsèque :

Pour déterminer la position du niveau de Fermi intrinsèque, on utilise les concentrations des

électrons et des trous ( ) :

( )

et prenant comme référence énergétique le haut de la bande de valence


(Ev = 0 eV), le niveau de Fermi se situe au milieu de la bande interdite à température
ambiante.

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BC

EFi

BV

Fig.5. Position du niveau de Fermi dans un SC intrinsèque

5.1.3. Propriétés électriques d’un semiconducteur intrinsèque :

a) La mobilité des porteurs (cm2/V.s)

La mobilité mesure l’aptitude des porteurs à se déplacer dans le réseau cristallin et


s’exprime en cm2V-1s-1. Elle est d’autant plus grande que le cristal est pur. Elle lie la
vitesse des porteurs au champ électrique appliqué au semiconducteur.

La vitesse des électrons et des trous s’écrivent comme suit :

Quelques exemples des mobilités des électrons et des trous des semiconducteurs sont donnés
dans le tableau.

Si Ge GaAs
1350 3600 8000
480 1800 300

Au déplacement des charges correspond un courant de dérive (conduction) dont la densité est
définie comme la quantité de charge qui traverse l’unité de surface pendant l’unité de temps.
La densité de courant est exprimée par ⁄ .

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b) La conductivité (Ω.cm)-1

La conductivité du matériau est donnée par la relation suivante :

Le semiconducteur est intrinsèque : n = p = ni

c) La résistivité (Ω.cm)

La résistivité est l’inverse de la conductivité. Elle est donnée par :

( )

d) Les courants de conductions

Au déplacement des charges correspond une densité de courant donnée par :

⃗⃗⃗ ⃗⃗⃗ ⃗

⃗⃗⃗ ⃗⃗⃗ ⃗

( )

(cas d’un semiconducteur intrinsèque)

Le dopage a pour effet de créer des niveaux d’énergie supplémentaires à l’intérieur de la


bande interdite. Les niveaux donneurs ED pour un dopé N et les niveaux accepteurs EA pour
un dopé P. l’énergie de ces niveaux correspond à l’énergie d’ionisation des atomes dopants.

5.2. Semiconducteurs extrinsèques (dopés) :

Un semiconducteur dopé est un semiconducteur dans lequel on a remplacé dans le réseau


cristallin certains atomes d’origine (Si, Ge) par des atomes d’un corps appartenant à la
colonne 3 ou 5 du tableau périodique. Le dopage a pour effet de créer des niveaux d’énergies
supplémentaires à l’intérieur de la bande interdite : les niveaux donneurs pour un dopé N et
les niveaux accepteurs pour un dopé P. Deux techniques sont principalement utilisées pour le
dopage d’un semiconducteur: la diffusion thermique et l’implantation ionique.

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En pratique cela consiste à injecter des impuretés, ces impuretés peuvent être de deux types.

a) Pentavalentes : Arsenic (As), Phosphore (P) et Antimoine (Sb), c’est des atomes
donneurs.
b) Trivalentes : Bore (B), Indium (In) et Gallium (Ga), c’est des atomes accepteurs.

5.2.1. Les semiconducteur de type N : le dopage se fait par des impuretés pentavalentes
(ND).

On prend l’exemple d’un semiconducteur : le silicium (Si). Lorsqu’on introduit un atome


pentavalent (5 électrons de valence) comme le phosphore P dans le réseau cristallin du
silicium. L’atome de phosphore remplace un atome de silicium et établit des liaisons avec les
4 voisins, l’atome de silicium est stable et le 5ème électron reste faiblement lié à l’atome. A
température ambiante, cet électron est libéré et passe dans la bande de conduction laissant
derrière lui un atome de phosphore ionisé positivement (P+). Le phosphore est appelé atome
donneur.

Fig.6. Introduction d’un atome de phosphore.

Ces atomes donneurs de concentration ND introduisent dans la bande interdite un niveau


d’énergie (ED) proche de la bande de conduction et donc il suffit d’une faible énergie pour
faire passer l’électron de l’atome donneur dans la bande de conduction sans qu’il ait de trous
supplémentaires.

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électrons supplémentaires n = p porteurs provenant


provenant de dopage de l’agitation thermique
- - - - - BC
ED

BV
+ +

Fig.7. Niveau d’énergie des atomes donneurs.

Concentration des électrons majoritaires : cette concentration est pratiquement celle des
atomes donneurs.
( )

Concentration des trous minoritaires : cette concentration est exprimée par :

( )

Concentration intrinsèque:

, comme n = ND

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Position du niveau de Fermi dans un semiconducteur de type N : la position du niveau de


Fermi extrinsèque pour un dopage fort se détermine à partir de la concentration des électrons,
on a :

( )

Le niveau de Fermi extrinsèque type N se situe juste en dessous de la BC.

BC
EFN
EFi

BV

Fig.8. Position du niveau de Fermi dans un SC extrinsèque type N

La conductivité dans un semiconducteur type N :

La concentration des trous est négligeable devant celle des électrons, la conductivité d’un
semiconducteur type N s’écrit :

La résistivité correspondante :

5.2.2. semiconducteur de type P : le dopage se fait par des impuretés trivalentes (NA).

On introduit un atome trivalent (3 électrons de valence) comme le bore (B) dans le réseau de
silicium. L’atome du bore substitue un atome de silicium qui a 4 liaisons avec les atomes
voisins alors que le bore n’a que trois électrons, donc il capte un électron d’un atome voisin et
crie un trou dans la bande de valence. Ces impuretés ionisées négativement sont appelées
atome accepteurs de concentration NA.

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Fig.9. Introduction d’un atome de bore.

Ces atomes accepteurs introduisent un niveau d’énergie EA proche de la bande de valence, et


il suffit d’une faible énergie pour faire passer un électron de la BV vers l’atome accepteur
mais pas d’électrons supplémentaire dans la BC.

- - BC

EA
e- BV
+ + + + + +

Fig.10. Niveau d’énergie des atomes accepteurs

Concentration des trous majoritaires : cette concentration est pratiquement celle des
atomes accepteurs.
( )

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Concentration des électrons minoritaires : cette concentration est exprimée par :

( )

Concentration intrinsèque: la concentration intrinsèque est exprimée comme suit :

, nous avons p = NA

Position du niveau de Fermi dans un semiconducteur de type P : la position du niveau de


Fermi extrinsèque de type p est exprimé à partir de la concentration des trous, on a :

( )

Le niveau de Fermi extrinsèque type p est proche de la BV.

BC

EFi
EF
BV

Fig.11. Position du niveau de Fermi dans un SC extrinsèque type P

La conductivité d’un semiconducteur de type P :

Comme la concentration des électrons est négligeable devant celle des trous, la conductivité
devient :

La résistivité correspondante :

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Conclusion :

Les porteurs majoritaires sont produits par l’ionisation des impuretés.


Les porteurs minoritaires sont produits par l’ionisation des atomes du matériau (Si, Ge).

6. Densités des courants dans un semiconducteur extrinsèque

La densité de courant total dans un semiconducteur extrinsèque est la somme du courant de


diffusion et de conduction.

6.1. Courant de diffusion :

Lorsque les porteurs de charges libres (électrons et trous) ne sont pas distribués uniformément
dans le semiconducteur ils sont soumis au processus de diffusion. Leur mouvement s’effectue
dans une direction (des régions de forte concentration vers les de faible concentration) qui
tend à uniformiser leur distribution.

Electrons : la densité de courant de diffusion des électrons est donnée par :

Avec : constante de diffusion des électrons.

Trous : la densité de courant des trous s’écrit :

Avec : constante de diffusion des trous.

et sont liés aux mobilités par la relation d’Einstein :

Le courant total des électrons est la somme des deux courants dans le semiconducteur
(courant de dérive et courant de diffusion).

Le courant total des trous :

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A l’équilibre thermodynamique le courant total est nul.

7. Semiconducteurs dégénérés
un semiconducteur extrinsèque est dit dégénéré lorsqu’ il se comporte comme un métal, son
niveau de Fermi extrinsèque type N est supérieure ou égale à la bande de conduction (EFN ≥
EC) ou bien son niveau de Fermi extrinsèque type P est inférieure ou égale à la bande de
valence (EFP ≤ EV). Les densités de porteurs correspondant à l’apparition du régime de
dégénerescence sont obtenues simplement à partir de l’expression de la densité des électrons
dans la bande de conduction (2). Si on fait dans l’expression (2), on obtient
La dégénérescence de la bande de valence se produit lorsque Le niveau de Fermi
dans ce cas est appelé pseudo niveau de Fermi (c’est un état d’énergie).

EFN
Ec Ec

Ev Ev
EFP
Fig.12. Semiconducteur dégénéré.

8. Equation de neutralité électrique

Il s’agit d’une notion essentielle pour écrire et équilibrer une équation-bilan. Cette équation
est valable lorsque le semiconducteur est dopé avec les deux types d’impuretés (compensé).
Le nombre de charges positive doit être identique au nombre de charges négative.

ND+ : concentration d’atomes donneurs ionisés.


NA- : concentration d’atomes accepteurs ionisés.
n : concentration d’électrons libre dans la bande de conduction.
p : concentration de trous libre dans la bande de valence.
nd : concentration d’atomes donneurs de niveau ED (non ionisés).
pa : concentration d’atomes accepteurs de niveau EA (non ionisés).

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∑ ⇒ ⇒ (1’)

Nous avons aussi :

(2’)

(1’) et (2’) :

Si , plus d’électrons sur le niveau ED. Cela veut dire que toutes les
impuretés sont ionisées.

Si , plus de trous sur le niveau EA. Donc toutes les impuretés sont ionisées.

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