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Matériaux

SemiConducteurs
Introduction
Définition
Dans le cas des diélectriques et des semiconducteurs, la bande de conduction se situe plus haut que
la bande de valence et a la température de zéro absolu tous les niveaux dans la bande de valence
sont remplis.

Dans les diélectriques, le gap est élevé (5.2 Les semiconducteurs ressemblent aux
eV pour le diamant). Dans les conditions diélectriques, seulement leur gap est
normales peu d’électrons sont capables de beaucoup plus faible, généralement
franchir ce gap, et presque tous les électrons inférieur à 1.2 eV ( 1.1 eV pour silicium,
restent dans la bande de valence. Dans un 0.7 eV pour germanium). Ainsi, il suffit de
diélectrique il y a peu d’électrons libres. communiquer aux électrons une très
faible énergie pour qu’ils puissent
franchir le gap et devenir libres.
Semiconducteurs intrinsèques
Semiconducteurs intrinsèques
Semiconducteurs intrinsèques
Semi-conducteur intrinsèque
Semiconducteurs intrinsèques
Semi-conducteur intrinsèque

Génération thermique et recombinaison de paires électrons-trous conduisent à un


équilibre à température ambiante
Semiconducteurs intrinsèques
Concentration des porteurs intrinsèques
Semiconducteurs intrinsèques
Concentration des porteurs intrinsèques
Dopage des semi-conducteurs
Silicium dopé n
Dopage des semi-conducteurs
Silicium dopé n

ND atomes donneurs libèrent n = Nd électrons libres

Concentrations en électrons et trous libres liées par une loi d’action de masse :
Dopage des semi-conducteurs
Silicium dopé p

On injecte des atomes possédant 3 électrons de valence (colonne III)

L’atome trivalent crée un trou libre dans le cristal de silicium,


et reste sous forme ionisée dans le cristal
Dopage des semi-conducteurs
Silicium dopé

Na atomes donneurs libèrent p = Na trous libres

Concentrations en électrons et trous libres liées par une loi d’action de masse :
Jonction p-n
Le transistor bipolaire

Le transistor bipolaire est l’un des dispositifs à semiconducteur les plus utilisés
à l’heure actuelle dans les rôles d’amplificateur et d’interrupteur.
C’est un élément composé de deux jonctions pn.

Le transistor bipolaire est un


dispositif présentant trois
couches à dopages alternés
npn ou pnp

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