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Chapitre 1: Introduction à la technologie des semi-conducteurs

1.1 Les circuits intégrés (CIs)


 L’idée d’intégrer plusieurs transistors et d’autres composants de circuit électronique sur
une seule puce appartienne à Jack Kilby en juillet 1958 (ingénieur en électronique
américain, il travaillait pour Texas instruments).
 Les circuits intégrés regroupent sur une seule puce de nombreux composants miniaturisés
: résistances, condensateurs, diodes et transistors (les bobines difficiles à miniaturiser). Les
processeurs PC regroupent plusieurs centaines de millions de transistors.
 Le matériau de base pour la fabrication des CIs est le silicium pur. On
découpe dans un barreau de 30 cm de diamètre des galettes (wafer) d’un demi-millimètre
d’épaisseur. Les circuits électroniques sont construits à la surface de cette galette par
photolithogravure. Cela nécessite des dizaines d’étapes.
1.2 Evolution des technologies des CI
Les circuits intégrés sont classés et évolués suivant le nombre d'éléments ou le nombre de
fonctions intégrés sur un seul morceau, ils sont nommés par des abréviations d'expressions
américaines :
1.2.1 Les circuits SSI (small scale integration: Intégration à petite échelle): comportent
moins de 12 fonctions ou moins de 50 éléments et de 1 à 10 transistors, date de sortie est
1964.
1.2.2 Les circuits MSI (medium scale integration: Intégration à moyenne échelle):
comportent de 12 à 100 fonctions ou de 50 à 500 éléments et de 10 à 500 transistors, date
de sortie est 1968.
1.2.3 Les circuits LSI (large scale integration: Intégration à grande échelle): comportent de
100 à 1000 fonctions ou de 500 à 10 000 éléments et de 500 à 20 000 transistors, date de
sortie est 1971.
1.2.4 Les circuits VLSI (very large scale integration: Intégration à très grande échelle):
comportent de 1000 à 10000 fonctions ou de 10 000 à 99 999 éléments et de 20 000 à 1 000
000 transistors , date de sortie est 1980.
1.2.5 Les circuits ULSI (ultra large scale integration: Intégration à très très grande échelle):
comportent plus de 100000 fonctions et plus de 1 000 000 transistors, date de sortie est
1984.
1.3 Classification des CIs : ils sont classés selon la technique utilisée pour fabriquer les
transistors en :
Circuits TTL : Les circuits intégrés TTL utilisent des transistors bipolaires et sont souvent de la
catégorie SSI ou MSI. Ils sont inventés dans les années 1960. Cette famille tend à disparaître
du fait de sa consommation énergétique élevée (comparativement aux circuits MOS). La

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technologie TTL est normalisée pour une tension d'alimentation de 5 V. Un signal TTL est
défini comme niveau logique bas entre 0 et 1,4 V, et comme niveau logique haut entre 2,4 V
et 5 V.
Circuits MOS : Les circuits intégrés MOS sont à base de transistors MOS à effet de
champ (MOSFET) et sont de la catégorie LSI ou VLSI. Une tension d'alimentation comprise
entre 3 et 18 volts et une consommation bien moindre, de l'ordre de 0,1 mW. Ils offrent des
temps de réponse très courts (15 ns) et autorisent des fréquences élevées (50 MHz). De plus,
l'immunité au bruit est très bonne.
1.4 Salle blanche : est une pièce ou une série de pièces où la concentration particulaire est
maîtrisée (le nombre de particule est défini par Mètre cube) afin de minimiser
l'introduction, la génération, la rétention de particules à l'intérieur, généralement dans un
but spécifique industriel ou de recherche scientifique. Les paramètres tels que la
température, l'humidité et la pression relative sont également maintenus à un niveau précis.
Les salles blanches sont utilisées dans les domaines sensibles aux contaminations
environnementales : la fabrication des dispositifs à semi-conducteurs, la biologie, la
recherche médicale...etc. Dans ces domaines, les objets et substances manipulés ont des
tailles de l'ordre du micromètre ou du nanomètre.
1.5 Les plus importants fabricants de CI dans le monde.

1.6 Rappels sur les matériaux et les semi-conducteurs

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1.6.1 Classification des matériaux semi-conducteurs : Selon les propriétés électriques, les
matériaux sont classés en trois catégories, conducteurs, isolants et semi-conducteurs, voir la
figure 1.1.
a. Conducteurs : Les métaux tels que le fer (fe), le cuivre (Cu), l’or (Au), l’argent (Ag) et
l’aluminium (Al) sont des conducteurs de courant électrique. La présence d’électrons libres
dans la couche périphérique (densité n =1022 à 1023 e/cm3) est à l’origine de la conductivité
électrique. A température ambiante la résistivité ρ des conducteurs est très faible (ρ ≤ 10-5
Ω.cm).
b. Isolants : Les matériaux qui ont une résistivité ρ supérieure à 108 Ω.cm sont des isolants
(matériaux non conducteurs de courant électrique). Parmi ces matériaux ; le verre, le mica,
la silice (SiO2) et le carbone (Diamant)…La conductivité des isolants est donc très faible.
c. Semi-conducteurs : Cette classe de matériaux se situe entre les métaux (conducteurs) et
les isolants (non conducteurs). La résistivité ρ des semi-conducteurs varie de 10-3 à 10+4
Ω.cm. Les électrons libres et les trous mobiles sont les porteurs de charges responsables de
la conductivité électrique. Tout l’intérêt des semi-conducteurs vient du fait que l’on sait très
bien en contrôler la résistivité, notamment par le dopage.

Figure 1.1 : Structure en bandes d’énergie des matériaux


1.6.2 Semi-conducteur intrinsèque et extrinsèque
Un semi-conducteur intrinsèque est un semi-conducteur non dopé, c'est à dire qu'il contient
peu d'impuretés (atomes étrangers). Dans ce semi-conducteur pur, la concentration de trous
dans la bande de valence, est égal à celle des électrons dans la bande de conduction (n = p).
Pour conférer des propriétés électriques intéressantes, on doit introduire des impuretés
bien choisies qui modifieront la conductivité du semi-conducteur. Alors, le semi-conducteur
est extrinsèque (ou dopé). Dans ce cas, les concentrations d’électrons et de trous (n et p)
sont très différentes.
1.6.3 Semi-conducteur de type N et de type P
Suivant la nature de l’impureté introduite, on peut obtenir soit un semi-conducteur de type
N, si la conduction se fait avec des électrons (charges négatives, exemple : l’Arsenic (As)) ou

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un semi-conducteur de type P, si la conduction se fait avec des trous (charges positives,
exemple : le Bore B).
1.7 Les étapes technologiques de fabrication d’un circuit intégré
Les étapes de fabrication d’un CI permettent de faire évoluer la matière depuis son état
naturel (le sable) vers une structure de grande complexité. Ces étapes sont :
 Fabrication des plaquettes (wafers) : - purification du silicium, - fabrication du cristal, -
découpage des plaquettes
 L’épitaxie.
 Les procédés de dopage : - diffusion, - implantation ionique
 L’oxydation
 Les dépôts : - dépôts de matériaux semiconducteurs, - dépôts d’isolants – dépôts de
conducteurs.
 Les gravures : - gravure chimique, - gravure sèche.
 La photolitographie.
Le processus (indiqué dans la figure 1.2) est répété pour superposer plusieurs couches de
circuits. Les circuits sont testés puis la galette est découpée en puces. Chaque puce est
ensuite placée dans un boîtier qui la protège mécaniquement et fournis les broches pour
connecter le circuit aux circuits imprimés.

Figure 1.2 : Cycle simplifié de fabrication d'un circuit intégré.

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Substrat : support, Lingot : une masse définie d’un métal coulée en un bloc solide.

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