Etudeetsimulation TPV

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Etude et simulation d’une cellule thermo-photovoltaïque
Thesis · May 2012
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Zakarya Berkai
Université Tahri Mohammed Béchar
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Ministère de l’Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique
UNIVERSITE DE BECHAR
Faculté des Sciences et Technologie
‫ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ‬
Mémoire Pour l’Obtention du Diplôme de

Magistère En : physique énergétique
THEME :
U
Etude et simulation d’une

cellule thermo-photovoltaïque
Présenté par : Berkaï Zakaria
Les membres du jury :

U
Nom Prénom Grad Université d’origine

Président Helmaoui Abderrachid Professeur Univ. Béchar
Examinateur Saidane Abdlkader Professeur ENSET Oran
Examinateur Khachab Hamid M.C Univ. Béchar
Examinateur Daoudi Memarka M.C Univ. Béchar
Encadreur Belghachi Abdarrahmane Professeur Univ. Béchar
Année universitaire : 2011/2012

Remerciement
Je tiens à remercier Mr A.Belghachi, Professeur à

l’Université de Béchar qui a accepté de m’encadrer, je lui
exprime particulièrement toute ma reconnaissance pour
m’avoir fait bénéficier de ses compétences scientifiques, ses
qualités humaines et sa constante disponibilité.
Je remercie sincèrement :
Mes enseignants Monsieur A.helmaoui Professeur à l’Université
de Béchar et Mademoiselle M.Daoud maitre de conférences à
l’Université de Béchar ;
Monsieur A.Saidane, Professeur à l’ENSET Oran ;
Monsieur H.Khachab, maitre de conférences à l’Université de
Béchar ;
D’avoir accepter de faire partie du Jury.
A tous ceux qui ont contribué de prés ou de loin à la

réalisation de ce travail.
Z. Berkaï
I
Dédicaces
A l’âme de ma mère qui été pour mon corps mieux qu’un

cœur ;
A mon cher père qui à sacrifié son temps pour nous ;
A l’âme de ma grande mère Bensiade Fatima;
A l’âme de mon grand père Meziane miloude;
A ma cher;
A mes frères : Nadjib, Omar, Hafsa, Hode et le petit Sofiane ;
A mes oncles et surtout mon tante Khadîdja;
A toute ma grande famille Bekraï, Bensiade et Meziane;
A mes collègues des études ;
Et à tous mes amis.
Z. Berkaï
U
II
‫ﻣﻠﺨﺺ‬
،GaSb ‫ ﺍﻟﻤﺼﻨﻮﻋﺔ ﻣﻦ ﺍﻟـ‬،‫ﻓﻲ ﻫﺬﻩ ﺍﻟﻤﺬﻛﺮﺓ ﺳﻨﺪﺭﺱ ﺍﻟﺨﻠﻴﺔ ﺍﻟﺤﺮﺍﺭﻓﻮﻃﻮﺿﻮﺋﻴﺔ‬

‫ ﺍﻟﻔﺮﻕ ﺑﻴﻦ‬.‫ﻭ ﻫﺬﺍ ﺍﻟﻨﻮﻉ ﻣﻦ ﺍﻟﺘﺤﻮﻳﻞ ﻓﺮﻉ ﻣﻦ ﻓﺮﻭﻉ ﺍﻟﺘﺤﻮﻳﻞ ﺍﻟﻔﻮﻃﻮﺿﻮﺋﻲ‬
.‫ﺍﻟﻔﻮﻃﻮﺿﻮﺋﻲ ﻭ ﺍﻟﺤﺮﺍﺭﻓﻮﻃﻮﺿﻮﺋﻲ ﻳﻜﻤﻦ ﻓﻲ ﺍﻟﻄﻴﻒ ﺍﻟﻀﻮﺋﻲ ﺍﻟﻤﺤﻮﻝ‬
‫ﺳﻨﻌﺘﻤﺪ ﻋﻠﻰ ﻧﻤﻮﺫﺝ ﺍﻟﺨﻼﻳﺎ ﺍﻟﺸﻤﺴﻴﺔ ﺍﻟﻌﺎﺩﻳﺔ ﻓﻲ ﺣﺴﺎﺏ ﺍﻟﺘﺠﺎﻭﺏ ﺍﻟﻄﻴﻔﻲ ﻭ ﺷﺪﺓ‬
.‫ﺍﻟﺘﻴﺎﺭ ﺍﻟﻀﻮﺋﻲ ﻭ ﺗﻮﺗﺮ ﺍﻟﺪﺍﺭﺓ ﺍﻟﻤﻔﺘﻮﺣﺔ ﻭ ﻣﻌﺎﻣﻞ ﺍﻟﺸﻜﻞ ﻭ ﻣﺮﺩﻭﺩ ﺍﻟﺨﻠﻴﺔ‬
‫ ﻟﻤﻌﺮﻓﺔ ﺗﺄﺛﺮ ﺍﻟﺤﻠﻴﺔ ﺑﺪﺭﺟﺔ ﺣﺮﺍﺭﺓ ﻋﻨﺎﺻﺮ‬،‫ﺳﻨﻌﺘﻤﺪ ﻛﺬﻟﻚ ﻋﻠﻰ ﺍﻟﺪﺭﺍﺳﺔ ﺍﻟﺤﺮﺍﺭﻳﺔ‬
.‫ﺍﻟﻨﻈﺎﻡ ﺍﻟﺤﺮﺍﺭﻓﻮﻃﻮﺿﻮﺋﻲ‬
Résumé
Dans ce mémoire, on a étudié une cellule thermo-photovoltaïque

(TPV) à base de GaSb qui constitue branche des cellules solaire. La seule
différence est dans la partie du spectre affectivement converti.
On a adopté le modèle des cellules solaires ordinaire pour simuler la

réponse spectrale, le photo-courant, la tension de circuit-ouvert, le facteur
de forme et le rendement.
Une étude thermique est aussi faite pour simuler l’effet de la

température sur les composants du système TPV notamment le filtre et
l’émetteur.
III
Abstract
In this dissertation, we investigated the thermophotovoltaic cell (TPV)

based on GaSb which is a branch of solar cells. The only difference is the
part of the specter effectively converted.
To do this, we adopted the solar cells common model to simulate the

spectral response, photocurrent, open circuit voltage, the fill factor and the
energy conversion efficiency.
A thermal transfer study was also conducted in order to simulate the

effect of temperature on the TPV system components namely the emitter
and filter.
IV
Sommaire
Remerciement ............................................................................................................................. I
Dédicaces .................................................................................................................................... II
Résumé........................................................................................................................................ III
Sommaire ..................................................................................................................................... V
Chapitre 1: Introduction générale
Introduction ................................................................................................................................ 2
1. Historique ............................................................................................................................... 2
2. Principe de la conversion d'énergie thermo- photovoltaïque ........................... 4
3. Comparaison entre la conversion thermo-photovoltaïque et la conversion
photovoltaïque : ........................................................................................................................ 5
4. Les applications TPV........................................................................................................... 6
Chapitre 2: Les matériaux de cellule TPV
1. les composants TPV ............................................................................................................ 9

1-1. Le système thermique: ................................................................................. 9
1-2. Le système optique: ................................................................................... 10
1-3. La Cellule thermo-photovoltaïque: ............................................................ 10
2. Les sources thermiques pour la TPV ....................................................................... 10
3. Le système optique .......................................................................................................... 11
3-1. Les matériaux de l'émetteur ....................................................................... 12
3-2. Les matériaux des filtres ............................................................................ 14
4. Les cellules thermo-photovoltaïques........................................................................ 15
V
4-1. Les cellules TPV á base de Germanium .................................................... 17
4-2. Les cellules TPV basées de Silicium ......................................................... 18
4-3. Les cellules TPV de GaSb ......................................................................... 20
4-5. Cellules TPV basée sur l’alliage de InAs et GaSb .................................... 21
4-6. La cellules multi-jonction GaSb / InGaAsSb de TPV ............................... 22
Chapitre 3: Modélisations des cellules thermo-photovoltaïques
1. Cellule Thermo-photovoltaïque GaSb....................................................................... 24

2. Le Semi-conducteur GaSb .............................................................................................. 24
2-1. Différents types de dopage ....................................................................... 24
2-1-1. Semi-conducteur dopé n..................................................................... 24
2-1-2. Semi-conducteur dopé p...................................................................... 24
2-2. L’absorption de la lumière ......................................................................... 25
2-3. la mobilité .................................................................................................. 25
2-4. Recombinaison........................................................................................... 26
2-4-1. La recombinaison radiative ................................................................ 26
2-4-2. La recombinaison Auger ..................................................................... 27
2-4-3. La recombinaison en surface............................................................... 28
3. Jonction PN .......................................................................................................................... 28
3-1. Polarisation de la jonction PN ................................................................... 29
3-2. La jonction PN sous éclairement ............................................................... 29
3-2-1. Le spectre arrive à la cellule TPV ....................................................... 30
3-2-2. La Réponse spectrale .......................................................................... 34
3-3. Le circuit équivalent .................................................................................. 39
4. L’effet de la température................................................................................................ 41
4-3. La bande Interdite ...................................................................................... 41
4-4. La concentration du porteur intrinsèque .................................................... 42
4-5. Le courant et la tension .............................................................................. 42
5. La simulation de l’opération de la cellule thermo-photovoltaïque .............. 43
VI
Chapitre 4: Résultats et Discutions
1. L’énergie fournie par la cellule TPV GaSb ............................................................... 46

1-1. Le caractéristique I-V de la cellulle GaSb ................................................. 48
2. L’effet de la température................................................................................................ 49
2-1. L’effet de la température de l’émetteur ..................................................... 49
2-2. L’effet de la température de la cellule ....................................................... 54
2-2-1. Effet de température sur les paramètres du GaSb (E g , n i ) ..................... 54
2-2-2. Effet de température sur l’énergie électrique ...................................... 57
Conclusion générale ............................................................................................................. 60
Bibliographie ........................................................................................................................... 61
VII
Page | 1
Chapitre 1 Introduction Générale
Introduction
La simplicité et le haut rendement sont deux caractéristiques attirantes qui

mènent beaucoup d'applications de la conversion thermo-photovoltaïque (TPV).
Les seules parties du système à mouvement sont le ventilateur et la pompe qui
peuvent être utilisées pour refroidir la cellule PV.
Les composants du système sont : la source thermique, l'émetteur, peut-être

un filtre et la cellule PV. Ces composants sont des corps solides. En plus de la
simplicité et le haut rendement, la conversion TPV peut être associée facilement
à toute source thermique.
1. Historique
L'origine de la technologie TPV revient à la fin d’année 1950 et le début de

1960. La plupart des références citent l'inventeur de la technologie TPV, le
Dr. Pierre Aigrain. Pendant une série de conférences, il a proposé un processus
de la conversion d'énergie direct qui consiste en un émetteur radiant réchauffé
par une flamme et un semi-conducteur photo-convertisseur. Dr. Henry H. Kolm a
utilisé une lanterne de camping et une cellule solaire de silicium pour créer un
dispositif TPV simple. Il a aussi suggéré des améliorations au système et il a
estimé un rendement de la conversion de 5-10% pour cette nouvelle
technologie. [1][2]
L'Armée américaine à fort Monmouth a joué un rôle important dans le

développement de la technologie TPV en 1960. Un de ses objectifs a été de
réaliser une source de puissance portable sans bruit et la TPV était une des
meilleurs candidats pour ce but. L’activité de la recherche à Fort Monmouth a
contribué au développement de la technologie TPV. Pour la première fois, les
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propriétés de l'émittance d’oxyde de terre rare à haute température ont été

rapportées. Ce matériau est utilisé comme un émetteur dans la TPV. [1][2]
Dans la même période, l'intérêt industriel de cette nouvelle

technologie a grandi aussi: General Motors (GM) en particulier a été très
actif dans la recherche et le développement du dispositif TPV. Dans le
cadre d'un programme de développement de TPV; le concept d’une
surface arrière réflecteur a été appliqué pour la première fois.[2]
Au milieu de 1970 la recherche TPV a subi un ralentissement considérable.

GM a arrêté le développement de TPV à cause de la crise d'énergie et le besoin
d'amélioration du rendement de la consommation du carburant. [2]
La situation a changé quand les dispositifs III-V de petite bande interdite

sont devenus disponibles. Les cellules utilisées sont basées sur ces matières
(GaSb, InGaSb...). Depuis 1990, plusieurs programmes des recherches TPV ont
commencées au USA et les NREL (National Renewable Energy Laboratory) ont
joué un rôle important dans des séries de conférences de TPV. [2]
Aussi en Europe les recherches sont renouvelées par plusieurs instituts

(Fraunhofer ISE à Fribourg, Paul Scherrer Institut dans Viligen et ISET à Kassel)
impliqués dans le développement des systèmes TPV. Les conférences
internationales de l'activité TPV en Europe ont été organisées à Rome (2002),
Fribourg (2004) et Madrid (2006). [2]
En 2006 le développement TPV a connu un ralentissement au USA et en

Europe, principalement à cause du manque de financement, ce qui a augmenté
l'intérêt des autres sources de l'énergie renouvelables et d’autres technologies de
conversion de l'énergie. [2]
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2. Principe de la conversion d'énergie thermo- photovoltaïque
Semblable à tous les principes de la conversion d'énergie, la conversion

d'énergie TPV est une méthode de conversion de l'énergie thermique en énergie
électrique. [1]
Le principe est illustré dans la figure 1-1. Les énergies des sources
thermiques trouvées dans la figure 1-1 sont fournies à l’émetteur. La radiation de
l'émetteur est dirigée vers la cellule photovoltaïque (PV), où elle est convertie en
énergie électrique. Pour rendre le processus efficace, l'énergie des photons qui
atteignent la cellule PV doit être plus grande que l'énergie de la bande interdite
de cellule PV. Le système optique est accompli dans les manières suivantes :
Figure 1.1 : Le concept de conversion d'énergie

Thermo-photovoltaïque (TPV)
1- Utilisé un émetteur sélectif qui a une grande émittance pour les énergies des
photons supérieure à l'énergie de la bande interdite de la cellule PV et a une
petite émittance pour les énergies des photons inférieure à l'énergie de la bande
interdite.
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2- Utilisé un émetteur corps gris (émittance constante) et un filtre passe bande.

Le filtre passe bande aura une transmittance élevée pour les énergies des photons
plus grandes que l'énergie de la bande interdite de cellule PV et une grande
réflexivité pour les énergies du photon inférieure à l'énergie de la bande interdite
de cellule PV.
3- Utilisé un réflecteur qui reflète les photons d'énergie bas à l'émetteur.
C'est possible de combiner tous les méthodes
3. Comparaison entre la conversion thermo-photovoltaïque et la

conversion photovoltaïque :
Le principe de la conversion TPV des radiations est le même que celui de la

conversion PV. Dans le système PV la source de radiation est le soleil qui peut
être supposé comme un corps noir avec une température autour de 6000K loin de
la terre (approximativement 150 × 106 km). Dans la TPV la température de
l'émetteur est très inférieure, mais la cellule photovoltaïque est placée beaucoup
plus proche à ce dernier de quelques centimètres. [2]
Le système optique de TPV est un des aspects clés pour le succès de cette
technologie.
Un autre aspect clé qui caractérise et rend la technologie TPV différente de

PV, est la haute densité de la radiation. Á cause de la grande distance entre la
terre et le soleil et malgré la haute température du dernier, la radiation solaire
incidente sur la limite de l'atmosphère externe de la terre a une densité de
0.135 W cm-2 qui devient 0.1 W cm-2 sur la surface de la terre à cause de
l'absorption de la radiation par la vapeur d'eau, CO 2 et d'autres gaz.
Page | 5
Dans le dispositif TPV, cette valeur peut être de centaine de fois plus
importante, puisque l'émetteur et la cellule sont séparés seulement par quelques
centimètres. Selon la température de l'émetteur, la densité de la radiation de
30 W cm-2 peut être atteinte. Par conséquent la puissance produit par le
convertisseur TPV est supposée plus importante que celle d'un convertisseur PV
normal.
4. Les applications TPV
Les applications TPV existent avec une source thermique qui peut être [1]:
- Le soleil
- La source nucléaire
- Les matières combustibles.
Au début, il paraîtrait qu'un système TPV solaire (STPV) n'aurait aucun

avantage sur un système PV solaire normal.
Qu'est-ce qui peut être gagné en ajoutant un émetteur ou un émetteur avec

un filtre au système PV solaire traditionnel?
En ajoutant un émetteur sélectif ou un émetteur plus filtre pour rendre le

spectre solaire convenable á l'énergie de la bande interdite de la cellule PV. C’est
pour que le système STPV donne le plus haut rendement que le système PV
solaire traditionnel.
Un système TPV alimenté par le radio-isotope (RTPV) est un système

puissant pour les missions d'espace où la radiation solaire et la densité d'énergie
sont trop faibles pour un PV traditionnel (silicium).
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La TPV conduite par les matières combustibles a beaucoup d'applications

commerciales. Ex : en ajoute un système TPV á un appareil de gaz naturels tels
que la chaudière pour générer l'électricité. Dans ce système, la TPV n'est pas
essentiel d’atteindre la haute efficacité, puisque la chaleur perdu est utilisé dans
le processus de la conversion TPV.
Page | 7
Page | 8
Chapitre 2 Les matériaux de cellule TPV
1. les composants TPV :
La génération TPV d'électricité est une technologie très interdisciplinaire.

Le processus de conversion de la radiation thermique venant de la source de
chaleur en l’électricité inclut les phénomènes thermo-physiques relient avec les
différentes parties du système TPV.
Figure 2.1 : Petit TPV prototype [3]
Fondamentalement le dispositif TPV est composé des parties principales

suivantes:
1-1. Le système thermique:
Il libère la chaleur nécessaire pour réchauffer l'émetteur. Dans un dispositif

TPV, toutes les différentes sources thermiques sont utilisées pour fournir la
Page | 9
chaleur (ex. le brûleur récupérateur, le concentrateur solaire et la réaction

nucléaire)
1-2. Le système optique:
Il est composé de l’émetteur, un filtre et un cadre réflecteur minimisant les

pertes de la radiation entre l’émetteur et la cellule PV. La fonction du système
optique est de convertir la chaleur de la source thermique en radiation et la
transférer à la cellule.
1-3. La Cellule thermo-photovoltaïque:
La cellule thermo-photovoltaïque convertit la radiation en électricité. Sa

structure est légèrement différente de la cellule PV normal à cause de la haute
densité de radiation. Sa température est baissée par un système de
refroidissement pour éviter son endommagement.
2. Les sources thermiques pour la TPV
Une particularité importante de la technologie TPV est la possibilité

d'utiliser différentes source de chaleur pour réchauffer l'émetteur. La seule
condition requise est que la température soit assez haute pour la conversion TPV;
Cela fait que la TPV est une technologie flexible.
- La TPV alimenté de nucléaire est basée sur une source radio-isotope

(general-purpose heat source, GPHS), elle est conçue pour les missions d'espace
profondes.
- La TPV alimenté de biomasse est basée par exemple sur la combustion de

bois.
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- La TPV solaire, dans laquelle la radiation solaire est concentrée par un

système optique.
- La TPV Conventionnellement alimenté, dans laquelle la source de chaleur

est produit par combustion de gaz combustible (le méthane, le propane….) ou
combustible liquide (le diesel, l'hydrocarbure). La majorité des systèmes TPV
sont conçus et réalisés pour s’adapter cette a catégorie
3. Le système optique :
Tous les systèmes optiques proposés au TPV sont composés par deux
composants :
- L’Émetteur: il peut être un émetteur sélectif ou un émetteur à large

bande. Le sélectif émet une bande étroite avec une émittance élevée dans la
longueur d'onde correspondante au bande interdite de la cellule TPV, et une
émittance basse dans la partie restante du spectre. L’émetteur large bande a une
émittance élevée sur tout le spectre radiatif.
Figure 2.2 : Le concept de système TPV
Page | 11
- Le Filtre: il transmit seulement les photons aux énergies plus grandes que
l’énergie de la bande interdite de la cellule et reflète le reste de radiation à
l’émetteur. Il peut être placé entre l’émetteur et la cellule, ou déposé directement
sur la surface avant de la cellule.
3-1. Les matériaux de l'émetteur
Les matériaux de l'émetteur utilisé sont généralement des céramiques ou

des métaux. [1], [2]
- Les matériaux les plus utilisé comme un émetteur de large bande est le
carbure du silicium (SiC) qui a une grande émissivitée, autour de 0.9 sur le
spectre entier. Ce matériau céramique résiste aux hautes températures (son point
de fusion est 2700 °C) et a une haute conductivité thermique: les propriétés qui
le rend un bon candidat pour les applications TPV.
- Une autre catégorie de matériaux céramiques utilisés pour le système

optique est la série d'éléments de terre rare (série du lanthanide).
Les oxydes de terre rares ont un très haut point de fusion (plus de 2400 °C)
et de très bonnes propriétés spectrales.
D’autre part ils présentent une stabilité au choc thermique et une

conductivité thermique basse.
Les oxydes Ytterbium (Yb), erbium (Eb), thulium (Tm) et de l'holmium

(Ho) sont les plus communément utilisés pour ces applications. L’application de
ces matériaux dépend de la bande interdite de la cellule.
Page | 12
L’émetteur basé sur l’oxyde de terre rare est réalisé dans une structure
couverte pour présenter une bonne propriété radiative mais il a une pauvre
résistance mécanique, ou comme une couche saupoudrée sur une substance
céramique poreuse (SiC). Une autre méthode proposée utilise une couche mince
d'oxydes de terre rares sur une matière céramique réfractaire
Figure 2.3 : Des échantillons céramiques et quelques tubes

des émetteurs céramiques. [3]
- Les métaux sont considérés comme des émetteurs pour la TPV: ils
présentent généralement une émissivité basse dans la région infrarouge et ont une
très bonne résistance aux températures élèves.
En particulier, le tungstène est proposé pour la combinaison avec la cellule

GaSb, le pic de son émissivité est compatible avec la bande interdite de la
cellule de GaSb et il a un excellent comportement thermique jusqu'à 2000K. En
revanche, comme tous les métaux, quand il est utilisé dans l'air oxydé et perd ses
propriétés radiatives. Par conséquent dans les applications TPV il peut être utilisé
seulement dans le vide. Des différentes techniques sont proposées pour améliorer
la performance de l’émetteur a base de tungstène.
Page | 13
Figure 2.4 : Les matières de l'émetteur: SiC (1), le file de Kanthal (2),
MgAl 2 O 4 Ni céramique (3), SiC couverte par un émetteur du grenat poreux
basé sur Er 3 Al 5 O 12 (4), la céramique d'eutectic MGC a basé sur
Al 2 O 3 /Er 3 Al 5 O 12 (5).
3-2. Les matériaux des filtres :
Dans les applications TPV, les filtres sont utilisés généralement pour
refléter la radiation des longueurs d'onde qui sont plus longues que l’onde
caractéristique de la cellule (les énergies inférieures à l’énergie de la bande
interdite de la cellule) à l'émetteur. Initialement les filtres des TPV peuvent être
divisés en quatre catégories différentes [2]:
- Le Verre du quartz: est placé entre l’émetteur et la cellule, il agit comme

un filtre absorbeur, il a une haute émittance λpour
> 4µm et une haute
transmittance dans l’intervalle de longueur d'onde inférieure à 4µm. Par
conséquent seulement une partie des photons d’énergies élevés arrivent
finalement à la cellule. Généralement un verre du quartz est utilisé dans la TPV
pour protéger la cellule de la chaleur de source. Le verre de quartz s’associe
toujours avec un filtre sélectif.
Page | 14
- Le filtre de l’interférence (ou diélectrique): est un filtre passe-bas composé

de multicouche de film diélectrique mince. Il fonctionne sur le principe de
l’interférence: des alternatives couches diélectriques (généralement deux
matériaux, à un haut indice de réfraction et l’autre à un bas indice) sélectionnent
la radiation de certaines longueurs d'onde pour renforcer la transmission et
interférer d'autres. Il peut être déposé sur les cellules pour rester à une basse
température et qu’il ne se détériore pas, ou sur un verre du quartz placé entre
l’émetteur et la cellule.
- Les filtres du plasma sont basés sur les Oxydes Conducteurs Transparents
(TCO): ils consistent d’une couche de semi-conducteur fortement dopé déposé
sur les cellules ou sur une substance diélectrique (ex. verre) et ont une région de
réflectance similaires aux métaux et une région d’absorption basse similaire aux
isolants. Ils sont mis en série avec les filtres passe-bas, ils forment un filtre
tandem qui peut atteindre une très haute réponse spectrale (jusqu'à 83% avec une
bande interdite de 0.52 eV).
- Les filtres de Surface Sélective: sont réalisés comme une rangée de métal
déposée sur une substance diélectrique. Ils ont des propriétés spectrales qui les
font bons candidats pour la TPV: ils agissent comme un filtre passe-bande. Ils
ont une réponse spectrale de 64.3% lorsqu’ils sont combinent avec une cellule de
GaSb.
4. Les cellules thermo-photovoltaïques
Les cellules thermo-photovoltaïques (TPV) sont à l'état solide des

dispositifs semi-conducteurs de jonction pn qui font directement convertir la
chaleur en énergie électrique. Plus précisément, les cellules TPV absorbent le
rayonnement infrarouge émis par un élément chauffé et produisent l'énergie
Page | 15
électrique au moyen de l'effet photovoltaïque. Les Cellules TPV sont les

composantes essentielles de différents systèmes a proposé pour la production
d'électricité à partir de plusieurs types de sources de chaleur y compris les
processus de combustion, des radio-isotopes, la lumière du soleil concentrée et
les réacteurs nucléaires.
Figure 2.5 : Le générateur de Cellule photovoltaïque pour le petit

prototype (à gauche) et le système de démonstration (á droit). [3]
Les recherches dans le domaine de la TPV ont commencé dans le début de

1960, mais le véritable avantage de l'approche TPV a été démontré dans le début
de 1990. La modélisation théorique et semi-empiriques ont montré que la bande
interdite des matériaux des cellules TPV d’une simple jonction optimale doit être
de l'ordre de 0,4-0,6 eV, ces cellules TPV désignées pour le fonctionnement avec
un émetteur de corps noir où de corps gris à des températures de 1200 à 1500 K.
Le germanium et le silicium sont les premiers matériaux à être suggérées et
appliquées à la conversion TPV.
Page | 16
4-1. Les cellules TPV á base de Germanium
Ge a une largeur de la bande interdite de 0,66 eV (300 K), il a été le premier

matériau proposé et appliqué dans l’année 1960, pour la fabrication des premiers
systèmes TPV. Pourtant, les générateurs TPV basés sur les cellules
photovoltaïques de Ge ne sont pas efficaces á cause de mauvaise performance
obtenus par ces cellules. [3] [4]
La couche supérieure p-GaAs a été épitaxiée par MOCVD sur Ge. Cette
croissance de GaAs crée une jonction pn par la diffusion de Ga et As dans la
couche p-Ge. La concentration d’atome de gallium dans Ge est plus
que 1020 cm-3 et beaucoup plus élevée que la concentration d’atome d'arsenic
(environ 1019 cm-3). [3]
Figure 2.6 : Schéma de la cellule Ge de TPV
Les cellules Ge contiennent les contacts ohmiques de Au / Ge / Ni / Au et

de grille de contact de ZnS/MgF 2 . La Cellule Ge éclairée par le spectre AM0
avec λ <580 nm et un J cc = 50.3 mAcm-2. [3]
Page | 17
4-2. Les cellules TPV basées de Silicium
Les systèmes TPV basées sur les cellules photovoltaïques de silicium

rencontrez des problèmes liés à la nécessité d'opérer à très haute température de
l’émetteur, à laquelle tous matériaux connus ne sont pas fiables.
Les cellules solaires de silicium commercial peuvent être appliquées dans

les systèmes TPV après avoir résolu le problème de la perte ohmique. La
Cellules Si avec une grille supérieure peut être utilisé pour un niveau
d'éclairement modéré. Une cellule de ce type a été fabriquée en utilisant n+-p-p+
structures. Le silicium dopé au bore à faible résistivité (0,1- 0,2 Ω cm) et la durée
de vie élevée des porteurs minoritaires a été utilisé. Un rendement de 25% a été
obtenu sous 100 soleils et une température de 28 0C. [3]
Les cellules solaires de silicium commercial sont appliquées dans quelques

systèmes TPV avec l’émetteur sélectif de Yb 2 O 3 . Les paramètres importants de
cellules silicium d’emploie dans un système TPV avec un émetteur de Yb 2 O 3
sont le rendement quantique élevé jusqu'à 1100 nm et par un minimum de pertes
par la réflexion dans la bande spectrale de 800-1100 nm. [3]
La Figure 2.8 montre deux types de cellules solaires de silicium,

spécialement développés pour fonctionner à des intensités d'éclairage élevés: (a)
des cellules hybrides représentant une combinaison les plane verticale de la
jonction pn, (b) une cellule avec une jonction pn a des points de contact sur la
face arrière. [3]
Page | 18
Figure 2.7 : Deux émetteurs sélectifs de Yb 2 O 3 et les cellules

photovoltaïques de silicium [3]
Figure 2.8 : (a) des cellules Si avec des jonctions pn verticales, (b) des cellules
Si avec des points de contact sur la face arrière. [3]
L'épaisseur de chaque sous-élément dans la cellule de la figure 2.8 (a) est

réalisée plusieurs fois plus petite que la longueur de diffusion des porteurs
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minoritaires, pour fournir un haut rendement de la collection. Dans la région de

spectre de grande longueur d'onde, un rendement de collection améliorée est
obtenu en réduisant la distance des porteurs à parcourir, avant d'être séparés par
la jonction pn verticale. La réduction des pertes ohmiques est réalisée en
connectant les micros cellules en parallèle, ce qui réduit la densité de courant à
travers les bornes d'une cellule individuelle.
4-3. Les cellules TPV de GaSb
Le GaSb présente une bande interdite de 0,72 eV. Le taux de recombinaison

de surface pour la p-GaSb est inférieur à celui de la p-GaAs. Les cellules TPV de
GaSb avec un rendement quantique élevé, ont été fabriquées en utilisant une
méthode de Zn-diffusion simple, sont associe avec une couche fenêtre treillis de
AlGaAsSb. Le zinc et le gallium ou de zinc-gallium-antimoine ont été utilisés
comme les sources de diffusion. [3] [5]
Figure 2.9 : La Section de cellule GaSb épitaxiale de TPV fabriqué

par les deux étapes de Zn-diffusion [3]
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Un processus de diffusion en deux étapes ont été développés à l'Institut

Ioffe. Dans la première étape, des plaquettes GaSb ont été exposés au Zn, pour
former une jonction pn profonde dans la zone de photo-actif. Au cours de la
deuxième étape, une jonction pn profonde (1-1,5 µm) a été formée par un
processus de diffusion spécialement (figure 2.9), pour réduire les fuites de
courant sous la grille. [3]
Figure 2.10 : Une série des cellules a bases sur le GaSb

utilisées dans la TPV [2]
Le photo-courant maximal peut être obtenue par les cellules avec l'épaisseur
de la région p d'ordre 0.15 á 0.3 µm. C'est ce qui explique la nécessité du
deuxième processus de diffusion sélective profond. D’autre Investigations,
précises que le photo-courant généré par les cellules GaSb de jonction pn est
d’ordre de 30 mA cm-2 sous le spectre solaire lumineuse AM0. [3]
4-5. Cellules TPV basée sur l’alliage de InAs et GaSb
Dans cette section, on étudie les cellules TPV basés sur les alliages de InAs
et GaSb, principalement sur InGaAsSb mais aussi y compris InGaSb, GaAsSb,
AlGaSb, AlGaAsSb et InAsSbP. La caractéristique principale de ces matériaux
est leur bande interdite étroite, ce qui est très important pour les applications
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nécessitant des longueurs d'ondes de la réponse spectrale jusqu'à 2.5 µm, par
exemple, pour les systèmes TPV á basse température (900-1100◦C) de
l’émetteur. En règle générale, ces alliages sont fabriqués par la croissance
épitaxiale sur les substrats GaSb. Toutefois, les structures couches minces
InAsSbP sont fabriquées par la croissance sur le GaSb et l’InAs. [3]
4-6. La cellules multi-jonction GaSb / InGaAsSb de TPV
La cellule tandem monolithique TPV (figure 2.10) est constitué de : une

cellule de jonction inférieure np de In x Ga 1-x As y Sb 1-y (EG = 0,56 eV, 1-3 µm
l’épaisseur de zone n et 0,2-0,5 µm l’épaisseur de la zone p), une p + +-n + +
tunnel jonction de GaSb (0,8 µm d'épaisseur totale); une cellule supérieure de
GaSb (3-5 µm l'épaisseur de la zone n et 0,2-0,5 µm l'épaisseur
de la zone p). [3]
Figure 2.11 : Une section de la cellule TPV multi-jonction de GaSb/InGaAsSb [3]
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Chapitre 3 Modélisations des cellules thermo-photovoltaïques
1. Cellule Thermo-photovoltaïque GaSb :
Les cellules thermo-photovoltaïques peuvent être fabriquées par le semi-

conducteur l’Antimoniure de gallium (GaSb). Le GaSb a été choisi en général
pour la thermo-photovoltaïque grâce à sa caractéristique d'absorption qui est
assez bonne au spectre infrarouge.
2. Le Semi-conducteur GaSb
2-1. Différents types de dopage
Les semi-conducteurs intrinsèques n'ont pas une grande utilité en tant que
tels; ils servent de base aux semi-conducteurs dopés : on y rajoute des impuretés
pour modifier leur comportement.
Il existe deux types de semi conducteurs extrinsèques :
2-1-1. Semi-conducteur dopé n
Le matériau dopé n est un semi-conducteur dont la concentration en

électrons est largement supérieure à la concentration en trous. On y introduit
généralement le silicium (Si) ou le germanium(Ge) [6].
2-1-2. Semi-conducteur dopé p
Il s’agit d’un semi-conducteur dont la concentration en trous est largement

supérieure à la concentration en électrons. On y a introduit généralement du
Tellure (Te), du Soufre (Se) ou encore du Sélénium (S) [6].
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2-2. L’absorption de la lumière
La création d’une paire électron-trou par l'absorption de la lumière est la

fondamentale de l'opération de la cellule photovoltaïque. L'excitation d'un
électron de la bande de valence à la bande de conduction est appelée l'absorption
fondamentale.
Le coefficient d'absorption de GaSb pour les transitions directes est :
1.24 1/2
𝛼𝛼(𝜆𝜆) = 22600 × � − 𝐸𝐸𝑔𝑔 � (3.1) [7]
𝜆𝜆
2-3. la mobilité
Les mobilités des porteurs minoritaires sont déterminées en analysant les

mécanismes de la dispersion à cause des impuretés ionisées et l’absorption de
phonons acoustique ou optique. La dépendance de mobilité sur la concentration
de l'impureté, N:
La mobilité de trou en fonction de la concentration de l'impureté
1400 – 70
µ𝑝𝑝 = 70 + 0.5
(3.2) [4]
𝑛𝑛2
� 𝑖𝑖 �
𝑁𝑁𝑑𝑑
�1 + �
2 × 1017
La mobilité d’électron en fonction de la concentration de l'impureté
4500 − 100
µ𝑛𝑛 = 100 + 0.8
(3.3) [4]
𝑛𝑛2
�𝑁𝑁𝑖𝑖 �
𝑎𝑎
�1 + �
8 × 1017
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2-4. Recombinaison
Quand un semi-conducteur est hors l'équilibre thermodynamique, par

l’illumination ou l’injection de courant, la concentration des électrons (n) et des
trous (p) se dirigent vers l’équilibre à travers un processus appelé la
recombinaison, dans laquelle un électron se déplace de la bande de conduction à
la bande de valence, dans ce cas il élimine un trou de la bande de valence.
2-4-1. La recombinaison radiative
Le processus de recombinaison radiative est définit comme l’inverse du

processus d’absorption. De ce fait, ce mécanisme influe considérablement sur la
durée de vie des porteurs minoritaires. Le taux de recombinaison est
proportionnel au nombre d’électron et au nombre de trous :
𝑅𝑅 = 𝐵𝐵(𝑝𝑝𝑝𝑝 − 𝑛𝑛𝑖𝑖2 ) (3.4)
Avec : B est le coefficient de recombinaison radiative, sa valeur est égale à

10 × 10−10 cm3/s.
Si nous avons un semi-conducteur GaSb du type n (n ≈ n0 ≫ p0 ) à faible

injection, la recombinaison radiative s’écrit par la durée de vie τ λ,p :
𝑝𝑝 − 𝑝𝑝0
𝑅𝑅𝜆𝜆 = (3.5)
𝜏𝜏𝜆𝜆,𝑝𝑝
Où
1
𝜏𝜏𝜆𝜆,𝑝𝑝 = (3.6)
10−10 × 𝑁𝑁𝑑𝑑
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Une expression semblable est écrite pour les semi-conducteurs GaSb du

type p:
1
𝜏𝜏𝜆𝜆,𝑛𝑛 = (3.7)
10−10 × 𝑁𝑁𝑎𝑎
2-4-2. La recombinaison Auger
Nous avons une recombinaison de type Auger, lorsque l’électron se

recombine dans la bande de valence son énergie est transférée sous forme
d’énergie cinétique à un autre électron libre ou trou libre. L’énergie transférée
devient ensuite sous forme de phonons. Le taux de recombinaison est donné par
la relation suivante:
𝑅𝑅𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴 = �𝛬𝛬𝑛𝑛 𝑛𝑛 + 𝛬𝛬𝑝𝑝 𝑝𝑝�(𝑝𝑝𝑝𝑝 − 𝑛𝑛𝑖𝑖 2 ) (3.8)
Dans le semi-conducteur de type n
1
𝜏𝜏𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴 ,𝑝𝑝 = (3.9)
5 × 10−30 × 𝑁𝑁𝑑𝑑2
Une expression semblable est dérivée pour la durée de vie de l'électron

minoritaire dans le semi-conducteur du type p:
1
𝜏𝜏𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴 ,𝑛𝑛 = (3.10)
5 × 10−30 × 𝑁𝑁𝑎𝑎2
La recombinaison totale est la somme de la recombinaison Auger et la

recombinaison radiative :
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𝑅𝑅 = 𝑅𝑅𝜆𝜆 + 𝑅𝑅𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴 (3.11)
La durée de vie effective du porteur minoritaire pour un semi-conducteur

faiblement dopée est donnée comme suite:
1 1 1
= + (3.12)
𝜏𝜏 𝜏𝜏𝜆𝜆 𝜏𝜏𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴
2-4-3. La recombinaison en surface
La surface d’un semi-conducteur est un lieu des nombreuses

recombinaisons, en raison des liaisons non satisfaites des atomes de surface et les
autres défauts. Les recombinaisons en surface avant et en surface arrière
inhérentes aux densités de dopages selon la relation suivante :
𝑅𝑅𝑠𝑠 = 𝑆𝑆𝑛𝑛 (𝑛𝑛 − 𝑛𝑛0 ) (3.13)

𝑅𝑅𝑠𝑠 = 𝑆𝑆𝑝𝑝 (𝑝𝑝 − 𝑝𝑝0 ) (3.14)
Dans le semi-conducteur de type n et de type p respectivement S p =106 cm/s et

S n =108 cm/s sont les vitesses de recombinaison de surface effectives.
3. Jonction PN
La jonction PN résulte de la juxtaposition dans un même matériau semi-

conducteur de deux zones; l’une de type P (majoritaire en trous, minoritaire en
électrons) et l’autre de type N (majoritaire en électrons, minoritaire en trous).
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p n
Ln Lp
Figure 3.1: La section de la cellule thermo-photovoltaïque de GaSb
3-1. Le tableau de paramètre de la cellule GaSb á la température 300K

n(cm-3) p(cm-3) L P (cm) L n (cm) x j (μm) W(μm) H(μm) H´( μm)
6×1018 4×1017 7.66×10-4 4.93×10-4 0.1 0.0432 100 99.9
3-1. Polarisation de la jonction PN
Si on polarise une jonction PN, on obtient la caractéristique 𝐼𝐼𝐷𝐷 = 𝑓𝑓(𝑉𝑉 ) est

décrite par l'équation de diode de Shockley:
𝑞𝑞𝑞𝑞
𝐽𝐽𝐷𝐷 = 𝐽𝐽𝑠𝑠 �𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 � � − 1� (3.15)
𝑘𝑘𝑘𝑘
- q est la charge d'un électron (1.6 10-19 C),

- V : la tension à travers la diode
- k (1.380·10−23 JK) : est la constante du Boltzmann, T est la température
absolue
𝑞𝑞𝐷𝐷𝑛𝑛 𝑛𝑛 𝑝𝑝 0 𝑞𝑞𝐷𝐷𝑝𝑝 𝑝𝑝 𝑛𝑛 0 1 𝐷𝐷 1 𝐷𝐷𝑝𝑝
- 𝐽𝐽𝑠𝑠 = + = 𝑞𝑞𝑛𝑛𝑖𝑖2 � 𝑛𝑛
� 𝜏𝜏 + 𝑁𝑁 � 𝜏𝜏 � est le courant de saturation.
𝐿𝐿𝑛𝑛 𝐿𝐿𝑝𝑝 𝑁𝑁𝑎𝑎 𝑛𝑛 𝑑𝑑 𝑝𝑝
3-2. La jonction PN sous éclairement
Les photons incidents créent des porteurs dans les zones n et p et dans la
zone de charge d'espace.
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3-2-1. Le spectre arrive à la cellule TPV
En profondes dans cette section [2], si le spectre émis par le corps noir E b ,
l’émissivité de l’émetteur є (le corps gris) est:
𝐸𝐸 (𝑇𝑇) = є × 𝐸𝐸𝑏𝑏 (𝑇𝑇) (3.16)
L’émittance spectrale par un corps noir (W m-2 µm-1) est donné par la loi du
Planck de radiation:
2𝜋𝜋ℎ𝑐𝑐 2 1
𝐸𝐸𝑏𝑏 (𝑇𝑇, 𝜆𝜆) = � � (3.17)
𝜆𝜆5 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 � ℎ𝑐𝑐 � − 1
𝜆𝜆𝜆𝜆𝜆𝜆
Le modèle de système optique est basé sur les simplifications suivantes:
La température de la surface d'émetteur, le verre (le filtre) et de la cellule

est assumée constante, c'est-à-dire, que les propriétés spectrales sont constantes
sur chaque surface.
Les facteurs géométriques ne sont pas prise en considération: tous les

facteurs de vue sont assumés égal à un. Ces considérations sont raisonnables
quand l'émetteur, le verre de quartez et la cellule ont la même surface A, et ils
sont placés très proches l'un de l'autre.
L’émissivité spectrale є (λ) et la réflexivité ρ(λ) du matériau de l'émetteur

sont connues á partir des recherches expérimentales. La température de
l’émetteur n'est pas prise en considération. L’émissivité de SiC est égalé á 0.9 sur
tout le spectre.
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Figure 3.2 : le système optique TPV
τ
Le verre du quartz est assumé avoir une transmissivité vq = 0.9 et une
réflectivité ρ g = 0.1 pour les longueurs d'onde jusqu'à 4 µm et une émissivité
є g = 0.9 et une réflectivité de 0.1 pour les longues longueurs d'onde
supérieures à 4 µm.
L'approche utilisée pour appliquer le modèle est basé sur le concept de

modèle des deux bandes, comme représenté dans la figure 3.2 : le modèle avec
≤ 4 μm et les
un verre partiellement transparent pour les longueurs d’onde
surfaces du modèle est assumé opaques pour λ > 4 μm.
Pour le cas de λ≤ 4 µm, le flux de la chaleur radiaire monochromatique

𝑞𝑞𝑗𝑗 (𝜆𝜆) (W m−2 m−1) reçu et émis par chaque surface 𝑗𝑗 est donné dans le système
des équations suivant :
𝑞𝑞𝑒𝑒,𝑠𝑠 (𝜆𝜆) = 𝜖𝜖𝑒𝑒 𝐸𝐸𝑏𝑏𝑏𝑏 (𝑇𝑇𝑒𝑒 ) + 𝑞𝑞𝑒𝑒,𝑖𝑖 (𝜆𝜆)𝜌𝜌𝑒𝑒
𝑞𝑞𝑣𝑣𝑣𝑣1,𝑠𝑠 (𝜆𝜆) = 𝑞𝑞𝑣𝑣𝑣𝑣1,𝑖𝑖 (𝜆𝜆) 𝜌𝜌𝑣𝑣𝑣𝑣 + 𝑞𝑞𝑣𝑣𝑣𝑣2,𝑖𝑖 (𝜆𝜆)𝜏𝜏𝑣𝑣𝑣𝑣

(3.18)
𝑞𝑞𝑣𝑣𝑣𝑣2,𝑠𝑠 (𝜆𝜆) = 𝑞𝑞𝑣𝑣𝑣𝑣1,𝑖𝑖 (𝜆𝜆) 𝜏𝜏𝑣𝑣𝑣𝑣 + 𝑞𝑞𝑣𝑣𝑣𝑣2,𝑖𝑖 (𝜆𝜆) 𝜌𝜌𝑣𝑣𝑣𝑣
𝑞𝑞𝑐𝑐,𝑠𝑠 (𝜆𝜆) = 𝜖𝜖𝑐𝑐,𝜆𝜆 𝐸𝐸𝑏𝑏𝑏𝑏 (𝑇𝑇𝑒𝑒 ) + 𝑞𝑞𝑐𝑐,𝑖𝑖 (𝜆𝜆)𝜌𝜌𝑐𝑐,𝜆𝜆
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Les indices inférieurs e, c et v q indiquent respectivement le matériau de

l'émetteur, la cellule et le verre du quartz, les indices 1 et 2 indiquent la première
et la deuxième surface du verre du quartz et les indices i et s indiquent le flux
incident et émis.
Par l’utilisation des relations suivantes:
𝑞𝑞𝑒𝑒,𝑖𝑖 = 𝑞𝑞𝑣𝑣𝑣𝑣1,𝑠𝑠 , 𝑞𝑞𝑣𝑣𝑣𝑣1,𝑖𝑖 = 𝑞𝑞𝑒𝑒,𝑠𝑠 , 𝑞𝑞𝑣𝑣𝑣𝑣2,𝑖𝑖 = 𝑞𝑞𝑐𝑐,𝑠𝑠 , 𝑞𝑞𝑐𝑐,𝑖𝑖 = 𝑞𝑞𝑣𝑣𝑣𝑣2,𝑠𝑠 (3.19)
le système des équations au-dessus est récrit comme suit:
𝑞𝑞𝑒𝑒,𝑠𝑠 (𝜆𝜆) = 𝜖𝜖𝑒𝑒 𝐸𝐸𝑏𝑏𝑏𝑏 (𝑇𝑇𝑒𝑒 ) + 𝑞𝑞𝑣𝑣𝑣𝑣1,𝑠𝑠 (𝜆𝜆)𝜌𝜌𝑒𝑒
𝑞𝑞𝑣𝑣𝑣𝑣1,𝑠𝑠 (𝜆𝜆) = 𝑞𝑞𝑒𝑒,𝑠𝑠 (𝜆𝜆) 𝜌𝜌𝑣𝑣𝑣𝑣 + 𝑞𝑞𝑐𝑐,𝑠𝑠 (𝜆𝜆)𝜏𝜏𝑣𝑣𝑣𝑣

(3.20)
𝑞𝑞𝑣𝑣𝑣𝑣2,𝑠𝑠 (𝜆𝜆) = 𝑞𝑞𝑒𝑒,𝑠𝑠 (𝜆𝜆) 𝜏𝜏𝑣𝑣𝑣𝑣 + 𝑞𝑞𝑐𝑐,𝑠𝑠 (𝜆𝜆) 𝜌𝜌𝑣𝑣𝑣𝑣
𝑞𝑞𝑐𝑐,𝑠𝑠 (𝜆𝜆) = 𝜖𝜖𝑐𝑐,𝜆𝜆 𝐸𝐸𝑏𝑏𝑏𝑏 (𝑇𝑇𝑒𝑒 ) + 𝑞𝑞𝑣𝑣𝑣𝑣2,𝑠𝑠 (𝜆𝜆)𝜌𝜌𝑐𝑐,𝜆𝜆
En mettant la température de l'émetteur et la cellule, le système est résolu

pour chaque valeur de longueur d'onde de 0 à 4μm, donc le flux de la chaleur
radiaire monochromatique 𝑞𝑞𝑒𝑒⇆𝑐𝑐 (𝜆𝜆) entre l’émetteur et la cellule est presente par
la formule:
𝑞𝑞𝑒𝑒⇆𝑐𝑐 (𝜆𝜆) = 𝑞𝑞𝑒𝑒,𝑠𝑠 (𝜆𝜆) − 𝑞𝑞𝑒𝑒,𝑖𝑖 (𝜆𝜆)

= 𝑞𝑞𝑐𝑐,𝑖𝑖 (𝜆𝜆) − 𝑞𝑞𝑐𝑐,𝑠𝑠 (𝜆𝜆) (3.21)
Pour les longueurs d'onde supérieures á 4μm, la configuration du système

optique est représentée comme un mur opaque intermédiaire (le verre du quartz)
qui sépare l'émetteur de la cellule. Le système optique a une représentation
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equivalente un circuit électrique dont lequel E b l’énergie émis par le corps noir, J
la radiosité sont commes la tension et la chaleur radiaire est comme le courant.
Figure 3.3 : les circuits équivalents de la chaleur radiaires échangées entre

l'émetteur et la première surface du verre du quartz et entre la deuxième
surface du verre du quartz et la cellule
La figure 3.3 reprisente les circuits équivalents qui des énergies de la

chaleur radiaires échangées entre l'émetteur et la première surface du verre du
quartz (𝐴𝐴𝐴𝐴𝑒𝑒⇆𝑞𝑞𝑞𝑞1 ), et entre la deuxième surface du verre du quartz et la cellule
(𝐴𝐴 𝑞𝑞𝑣𝑣𝑣𝑣2⇆𝑐𝑐 ). Pour les suppositions qui font que 𝑞𝑞𝑒𝑒⇆𝑣𝑣𝑣𝑣1 et 𝑞𝑞𝑣𝑣𝑣𝑣2⇆𝑐𝑐 sont égaux et
correspondent à la chaleur radiaire coulant entre l’émetteur et la cellule 𝑞𝑞𝑒𝑒⇆𝑐𝑐 .
Figure 3.4 : les circuits équivalents de la chaleur radiaires ont échangés

entre l'émetteur et la cellule
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En supposant que les deux surfaces du verre du quartz ont la même

température T vq et en se rappelant de l'hypothèse qui suppose que l’émetteur, la
cellule et le verre de quartz ont la même surface A et les facteurs de vue égal à 1,
le circuit électrique équivalent final du système optique λpour
≤ 4µm est
représenté sur la figure 3.4 et dans lequel l’énergie radiaire monochromatique est
prise en considération. Par conséquent la chaleur radiaire monochromatique
𝑞𝑞𝑒𝑒↔𝑐𝑐 (𝜆𝜆) coulé entre l’émetteur et la cellule est donnée par:
𝐸𝐸𝑏𝑏𝑏𝑏 (𝑇𝑇𝑒𝑒 ) − 𝐸𝐸𝑏𝑏𝑏𝑏 (𝑇𝑇𝑐𝑐 )

𝑞𝑞𝑒𝑒⇆𝑐𝑐 =
1 1 2
+ + −2
𝜖𝜖𝑒𝑒,𝜆𝜆 𝜖𝜖𝑒𝑒,𝜆𝜆 𝜖𝜖𝑣𝑣𝑣𝑣
𝐸𝐸𝑏𝑏𝑏𝑏 (𝑇𝑇𝑒𝑒 ) − 𝐸𝐸𝑏𝑏𝑏𝑏 (𝑇𝑇𝑐𝑐 )
= (3.22)
𝑅𝑅𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡
𝑞𝑞𝑒𝑒⇆𝑐𝑐
𝐹𝐹 (𝜆𝜆) = (3.23)
1.24
𝜆𝜆
F(λ) le nombre de photons incident⁄cm2 s
3-2-2. La Réponse spectrale
Quand une lumière monochromatique d’une longueur d'onde λ, est

incidente sur la surface avant de la cellule, la réponse spectrale est dérivée
comme suite.
La génération des paires électron-trou, à une distance x de la surface du

semi-conducteur est donnée par:
𝐺𝐺 (𝜆𝜆, 𝑥𝑥 ) = 𝛼𝛼 (𝜆𝜆)𝐹𝐹 (𝜆𝜆)[1 − 𝑅𝑅(𝜆𝜆)]𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒[−𝛼𝛼(𝜆𝜆)𝑥𝑥 ] (3.23)
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R(λ) la fraction des photons reflétés de la surface.
Sous la condition de faible injection des porteurs de charge, les équations de

continuité sont :
𝑛𝑛𝑝𝑝 − 𝑛𝑛𝑝𝑝0 1 𝑑𝑑𝐽𝐽𝑛𝑛

𝐺𝐺𝑛𝑛 − + =0 (3.24)
𝜏𝜏𝑛𝑛 𝑞𝑞 𝑑𝑑𝑑𝑑
Pour les électrons dans le semi-conducteurs de type p.
𝑝𝑝𝑛𝑛 − 𝑝𝑝𝑛𝑛0 1 𝑑𝑑𝐽𝐽𝑝𝑝

𝐺𝐺𝑝𝑝 − + =0 (3.25)
𝜏𝜏𝑝𝑝 𝑞𝑞 𝑑𝑑𝑑𝑑
Pour les trous dans le semi-conducteurs de type n. Les équations de la

densité de courant sont :
𝑑𝑑𝑑𝑑𝑝𝑝
𝐽𝐽𝑛𝑛 = 𝑞𝑞µ𝑛𝑛 𝑛𝑛𝑝𝑝 ℇ + 𝐷𝐷𝑛𝑛 (3.26)
𝑑𝑑𝑑𝑑
Et
𝑑𝑑𝑑𝑑𝑛𝑛
𝐽𝐽𝑝𝑝 = 𝑞𝑞µ𝑝𝑝 𝑝𝑝𝑛𝑛 ℇ − 𝐷𝐷𝑝𝑝 (3.27)
𝑑𝑑𝑑𝑑
Pour une cellule TPV de jonction p-n avec un dopage constant sur chaque
côté de la jonction, il n'y a pas de champ électrique à l'extérieur de la zone de
charge d’espace.
Dans le cas d’une jonction p-n (le semi-conducteur de type p à l’avant et le

semi-conducteur de type n à la base) les équations (3.28), (3.30) et (3.31) sont
combinés pour donner une expression au côté supérieur de la jonction:
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𝑑𝑑 2 𝑛𝑛𝑝𝑝 𝑛𝑛𝑝𝑝 − 𝑛𝑛𝑝𝑝0

𝐷𝐷𝑛𝑛 + 𝛼𝛼𝛼𝛼 ( 1 − 𝑅𝑅 ) 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒⁡
(−𝛼𝛼𝛼𝛼) − =0 (3.28)
𝑑𝑑𝑑𝑑 2 𝜏𝜏𝑛𝑛
La solution générale de cette équation est :
𝑥𝑥 𝑥𝑥 𝛼𝛼𝛼𝛼 (1−𝑅𝑅)𝜏𝜏 𝑛𝑛
𝑛𝑛𝑝𝑝 − 𝑛𝑛𝑝𝑝0 = 𝐶𝐶1 𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐ℎ � � + 𝐶𝐶2 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠ℎ � � − 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒(−𝛼𝛼𝛼𝛼) (3.29)
𝐿𝐿𝑛𝑛 𝐿𝐿𝑛𝑛 𝛼𝛼 2 𝐹𝐹 2 −1
𝐿𝐿𝑛𝑛 = (𝐷𝐷𝑛𝑛 𝜏𝜏𝑛𝑛 )1/2 est la longueur de diffusion. Il y a deux conditions aux limites :
- Á la surface, nous avons la recombinaison de la surface avec une vitesse de

recombinaison S n :
𝑑𝑑�𝑛𝑛 𝑝𝑝 −𝑛𝑛 𝑝𝑝 0 �
𝐷𝐷𝑛𝑛 = 𝑆𝑆𝑛𝑛 �𝑛𝑛𝑝𝑝 − 𝑛𝑛𝑝𝑝0 � 𝑥𝑥 = 0 (3.30)
𝑑𝑑𝑑𝑑
- Au bord de la région de déplétion, la densité de porteurs de charge excédent est

petite à cause de champ électrique présent dans la région de déplétion:
𝑛𝑛𝑝𝑝 − 𝑛𝑛𝑝𝑝0 ≈ 0 𝑥𝑥 = 𝑥𝑥𝑗𝑗 (3.31)
On utilise ces conditions limites dans l’équation (3.24), la densité des

électrons est :
𝑛𝑛𝑝𝑝 − 𝑛𝑛𝑝𝑝0
𝜏𝜏𝑛𝑛
= �𝛼𝛼𝛼𝛼 (1 − 𝑅𝑅) �
𝛼𝛼 2 𝐿𝐿𝑛𝑛 2 − 1
𝑆𝑆 𝐿𝐿 𝑥𝑥𝑗𝑗 − 𝑥𝑥 𝑆𝑆 𝐿𝐿 𝑥𝑥 𝑥𝑥
� 𝑛𝑛 𝑛𝑛 + 𝛼𝛼𝛼𝛼𝑛𝑛 � 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠ℎ + 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒(−𝛼𝛼𝑥𝑥𝑗𝑗 ) � 𝑛𝑛 𝑛𝑛 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠ℎ + 𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐ℎ �
𝐷𝐷𝑛𝑛 𝐿𝐿𝑛𝑛 𝐷𝐷𝑛𝑛 𝐿𝐿𝑛𝑛 𝐿𝐿𝑛𝑛
×� 𝑥𝑥 𝑥𝑥 �
𝑆𝑆𝑛𝑛 𝐿𝐿𝑛𝑛 𝑗𝑗 𝑗𝑗
× 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠ℎ + 𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐ℎ
𝐷𝐷𝑛𝑛 𝐿𝐿𝑛𝑛 𝐿𝐿𝑛𝑛
− 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒(−𝛼𝛼𝛼𝛼) (3.32)
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et la densité de photo-courant des électrons résultante au bord de la région de

déplétion est :
𝑑𝑑𝑛𝑛𝑝𝑝
𝐽𝐽𝑛𝑛 = −𝑞𝑞𝐷𝐷𝑛𝑛 � �
𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑥𝑥 𝑗𝑗
𝐿𝐿𝑛𝑛
= �𝑞𝑞𝑞𝑞 (1 − 𝑅𝑅)𝛼𝛼 �
𝛼𝛼 2 𝐿𝐿𝑛𝑛 2 − 1
𝑆𝑆 𝐿𝐿 𝑆𝑆 𝐿𝐿 𝑥𝑥𝑗𝑗 𝑥𝑥𝑗𝑗
� 𝑛𝑛 𝑛𝑛 + 𝛼𝛼𝛼𝛼𝑛𝑛 � − 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒(−𝛼𝛼𝑥𝑥𝑗𝑗 ) � 𝑛𝑛 𝑛𝑛 𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐ℎ + 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠ℎ �
𝐷𝐷𝑛𝑛 𝐷𝐷𝑛𝑛 𝐿𝐿𝑛𝑛 𝐿𝐿𝑛𝑛
×� 𝑥𝑥𝑗𝑗 𝑥𝑥𝑗𝑗 �
𝑆𝑆𝑛𝑛 𝐿𝐿𝑛𝑛
𝐷𝐷𝑛𝑛 𝐿𝐿𝑛𝑛 𝐿𝐿𝑛𝑛
− 𝛼𝛼𝐿𝐿𝑛𝑛 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒�−𝛼𝛼𝑥𝑥𝑗𝑗 � (3.33)
Ce photo-courant est collecté par le côté supérieur de la zone de charge

d’espace.
Et le photo-courant des trous est collecté par la base de la cellule, et les

équations. (2.28), (2.29) et (2.32) sont utilisés avec les conditions limites :
𝑝𝑝𝑛𝑛 − 𝑝𝑝𝑛𝑛0 ≈ 0 𝑥𝑥 = 𝑥𝑥𝑗𝑗 + 𝑊𝑊𝐷𝐷 (3.34)
−𝐷𝐷𝑝𝑝 𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑛𝑛
𝑆𝑆𝑝𝑝 (𝑝𝑝𝑛𝑛 − 𝑝𝑝𝑛𝑛0 ) = 𝑥𝑥 = 𝐻𝐻 (3.35)
𝑑𝑑𝑑𝑑
W D est la largeur de la zone de charge d’espace et H est la largeur entière

de la cellule.
La distribution des trous dans la zone n dopée uniformément est:
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𝑝𝑝𝑛𝑛 − 𝑝𝑝𝑛𝑛0 =
𝜏𝜏𝑝𝑝
�𝛼𝛼𝛼𝛼 (1 − 𝑅𝑅) � 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒�−𝛼𝛼�𝑥𝑥𝑗𝑗 + 𝑊𝑊𝐷𝐷 ��
𝛼𝛼 2 𝐿𝐿𝑝𝑝 2 − 1
⎡ 𝑥𝑥 − 𝑥𝑥𝑗𝑗 − 𝑊𝑊𝐷𝐷
× ⎢𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐ℎ � �
⎢ 𝐿𝐿𝑝𝑝
⎣
− 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒�𝛼𝛼�𝑥𝑥 − 𝑥𝑥𝑗𝑗
𝑆𝑆𝑝𝑝 𝐿𝐿𝑝𝑝 𝐻𝐻′ 𝐻𝐻′
� � �𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐ℎ – 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒(−𝛼𝛼𝐻𝐻′ )� + 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠ℎ + 𝛼𝛼𝛼𝛼𝑝𝑝 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒(−𝛼𝛼𝐻𝐻′ )⎤
𝐷𝐷𝑝𝑝 𝐿𝐿𝑝𝑝 𝐿𝐿𝑝𝑝
− 𝑊𝑊𝐷𝐷 )� ⎥
𝑆𝑆𝑝𝑝 𝐿𝐿𝑝𝑝 𝐻𝐻′ 𝐻𝐻′ ⎥
𝐷𝐷𝑝𝑝 𝐿𝐿𝑝𝑝 𝐿𝐿𝑝𝑝 ⎦
𝑥𝑥−𝑥𝑥 𝑗𝑗 −𝑊𝑊𝐷𝐷
× 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠ℎ � � (3.36)
𝐿𝐿𝑝𝑝
Et le photo-courant résultant par les trous collecté au bord de la zone des

charges espace ( x = xj +WD ) est :
𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑛𝑛
𝐽𝐽𝑝𝑝 = 𝑞𝑞𝐷𝐷𝑝𝑝 � �
𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑥𝑥 𝑗𝑗 +𝑊𝑊𝐷𝐷
𝛼𝛼𝐿𝐿𝑝𝑝 (3.37)
= �𝑞𝑞𝑞𝑞 (1 − 𝑅𝑅) � × 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒�−𝛼𝛼�𝑥𝑥𝑗𝑗 + 𝑊𝑊𝐷𝐷 ��
𝛼𝛼 2 𝐿𝐿𝑝𝑝 2 − 1
𝑆𝑆𝑝𝑝 𝐿𝐿𝑝𝑝 𝐻𝐻′ 𝐻𝐻′
⎡ � � �𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐ℎ – 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒(−𝛼𝛼𝐻𝐻′ )� + 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠ℎ + 𝛼𝛼𝛼𝛼𝑝𝑝 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒(−𝛼𝛼𝐻𝐻′ )⎤
𝐷𝐷𝑝𝑝 𝐿𝐿𝑝𝑝 𝐿𝐿𝑝𝑝
× ⎢𝛼𝛼𝐿𝐿𝑝𝑝 − ⎥
⎢ 𝑆𝑆𝑝𝑝 𝐿𝐿𝑝𝑝 𝐻𝐻′ 𝐻𝐻′ ⎥
⎣ 𝐷𝐷 𝑝𝑝 𝐿𝐿𝑝𝑝 𝐿𝐿𝑝𝑝 ⎦
H' est la largeur de la région neutre n.
La génération du photo-courant a lieu aussi dans la région de déplétion. Le

champ électrique dans cette région est généralement élevé, les porteurs photo-
générés sont accélérés hors de la zone de charge espace. Dans cette région le
photo-courant est:
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𝐽𝐽𝑍𝑍𝑍𝑍𝑍𝑍 = 𝑎𝑎𝑎𝑎 (1 − 𝑅𝑅) exp�−𝛼𝛼𝑥𝑥𝑗𝑗 � [1 − exp(−𝛼𝛼𝑊𝑊𝐷𝐷 )] (3.38)
Le photo-courant total à une longueur d'onde donnée est la somme

d'équations (3.38), (3.42) et (3.43) :
𝐽𝐽𝑝𝑝ℎ (𝜆𝜆) = 𝐽𝐽𝑛𝑛 (𝜆𝜆) + 𝐽𝐽𝑝𝑝 (𝜆𝜆) + 𝐽𝐽𝑍𝑍𝑍𝑍𝑍𝑍 (𝜆𝜆) (3.39)
La réponse spectrale (SR) est définie comme le photo-courant total (J ph (λ))

divisé par qF(l - R):
𝐽𝐽𝑝𝑝ℎ (𝜆𝜆) 𝐽𝐽𝑛𝑛 (𝜆𝜆) + 𝐽𝐽𝑃𝑃 (𝜆𝜆) + 𝐽𝐽𝑍𝑍𝑍𝑍𝑍𝑍 (𝜆𝜆)

𝑆𝑆𝑆𝑆(𝜆𝜆) = = (3.40)
𝑞𝑞𝑞𝑞 (𝜆𝜆)[1 − 𝑅𝑅(𝜆𝜆)] 𝑞𝑞𝑞𝑞 (𝜆𝜆)[1 − 𝑅𝑅(𝜆𝜆)]
Une fois que la réponse spectrale est connue la densité du photo-courant

totale est donné par :
𝜆𝜆 𝑚𝑚
𝐽𝐽𝑝𝑝ℎ = � 𝐹𝐹 (𝜆𝜆)[1 − 𝑅𝑅(𝜆𝜆)]𝑆𝑆𝑆𝑆(𝜆𝜆) (3.41)

0
3-3. Le circuit équivalent
Le circuit équivalent d’une cellule photovoltaïque idéal consiste :
Figure 3.5 : le circuit équivalent de cellule thermo-photovoltaïque idéal
Page | 39
D’une source du photo-courant J ph , d'une diode (jonction p-n) et une

charge R charge sont reliées en parallèle (figure 3-6). Le courant circulant à travers
la charge est:
𝑞𝑞𝑞𝑞
𝐽𝐽𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐 = 𝐽𝐽𝑝𝑝ℎ − 𝐽𝐽𝐷𝐷 = 𝐽𝐽𝑝𝑝ℎ − 𝐽𝐽𝑠𝑠 �𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 � � − 1� (3.42)
𝑘𝑘𝑘𝑘
En cas de court-circuit, le courant de la cellule égale au courant de court-

circuit J cc et la puissance est à zéro. On augmente la charge, la puissance
augmente aussi, on atteint la puissance maximum qui correspond le courant
Maximum J max et la tension maximum V max .
En cas d'une charge infinie (circuit ouvert) le courant atteint le zéro, donc la
tension appellé la tension de circuit ouvert V co . Le Facteur de Forme (FF) évalue
la qualité de la cellule, il est exprimé par:
𝑉𝑉𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚 ×𝐽𝐽 𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚

𝐹𝐹𝐹𝐹 =
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 ×𝐽𝐽 𝑐𝑐𝑐𝑐
𝑃𝑃𝑚𝑚 (3.43)
𝐹𝐹𝐹𝐹 =
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 ×𝐽𝐽 𝑐𝑐𝑐𝑐
Avec
𝑘𝑘𝑘𝑘 𝐽𝐽𝑐𝑐𝑐𝑐
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 = 𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙 � − 1� (3.44)
𝑞𝑞 𝐽𝐽𝑠𝑠
Et
𝐽𝐽𝑐𝑐𝑐𝑐 = 𝐽𝐽𝑝𝑝ℎ (3.45)
Le rendement de la cellule thermo-photovoltaïque est le rapport de la

puissance maximum généré et la densité radiaire totale :
𝑃𝑃𝑚𝑚
𝜂𝜂 = (3.46)
𝑞𝑞𝑒𝑒⇆𝑐𝑐
Page | 40
Et
∞
𝑞𝑞𝑒𝑒⇆𝑐𝑐 = � 𝑞𝑞𝑒𝑒⇆𝑐𝑐 (𝜆𝜆) 𝑑𝑑𝑑𝑑 (3.47)

0
4. L’effet de la température
La dépendance de la mobilité sur la température est donnée par l’expression

empirique de Caughey-Thomas:
La mobilité d’électron
300 2
5650 � �
µ𝑛𝑛 = 1050 + 𝑇𝑇 (3.48) [4]
1.05
𝑛𝑛𝑖𝑖2
� �
𝑁𝑁𝐷𝐷
1+� �
17 𝑇𝑇 2,8
2.8 × 10 � �
300
La mobilité de trou
300 1.7
875 � �
µ𝑝𝑝 = 190 + 𝑇𝑇 (3.49) [4]
0.65
𝑛𝑛𝑖𝑖2
� �
𝑁𝑁𝐴𝐴
1+� �
17 𝑇𝑇 2,7
9 × 10 � �
300
4-3. La bande Interdite
La bande Interdite décroît avec la température et sa dépendance de la

température est modélisée par [8]:
Page | 41
𝛼𝛼𝑇𝑇 2
𝐸𝐸𝑔𝑔 (𝑇𝑇) = 𝐸𝐸𝑔𝑔 (0) − (3.50)
𝑇𝑇 + 𝛽𝛽
𝐸𝐸𝑔𝑔 (0 [0 𝐾𝐾]) = 0.81 𝑒𝑒𝑒𝑒
Où α et β des constantes sp
écifiques de chaque semi -conducteur
(α =5.3 10-4 eV/K et β = 234 K).
4-4. La concentration du porteur intrinsèque
La concentration du porteur intrinsèque est, on peut écrire comme:
2𝜋𝜋𝜋𝜋𝜋𝜋 3/2 −𝐸𝐸𝑔𝑔

𝑛𝑛𝑖𝑖 = 2(𝑚𝑚𝑒𝑒 𝑚𝑚ℎ )3/4 � 2 � � � (3.51)
ℎ 2𝑘𝑘𝑘𝑘
C'est clair de l’équation 3.51 quand la température augmente, 𝑛𝑛𝑖𝑖 augmente

aussi.
4-5. Le courant et la tension
Dans cette section, il y’a une analyse de tension de circuit-ouvert et de

courant de court circuit générés par la cellule TPV.
L’expression de courant de court-circuit qui dépend de la température est

donnée par :
𝑞𝑞𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 𝐸𝐸𝑔𝑔 (0) 𝑞𝑞𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐

𝐽𝐽𝑐𝑐𝑐𝑐 ≈ 𝐽𝐽0 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 � � ≈ 𝐵𝐵𝑇𝑇 𝜁𝜁 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 �− � 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 � � (3.52)
𝑘𝑘𝑘𝑘 𝑘𝑘𝑘𝑘 𝑘𝑘𝑘𝑘
𝐸𝐸𝑔𝑔 (0)
Où B est une constante indépendante de la température et 𝑇𝑇 𝜁𝜁 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 �− �
𝑘𝑘𝑘𝑘
explique la dépendance de la température du courant de saturation.
Page | 42
La dépendance de la température de la tension du circuit ouvert est

exprimée par :
1 𝑘𝑘𝑘𝑘
𝑑𝑑𝑑𝑑𝑐𝑐𝑐𝑐 𝐸𝐸𝑔𝑔 ( 0) − 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 + 𝜁𝜁
𝑞𝑞 𝑞𝑞
=− (3.53)
𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑇𝑇
5. La simulation de l’opération de la cellule thermo-photovoltaïque
La simulation est exécuté par le programme MATLAB, ce programme est

bien démontré et bien défini dans l’organigramme suivant :
Page | 43
Page | 44
Page | 45
Chapitre 4 Résultats et Discutions
1. L’énergie fournie par la cellule TPV GaSb
Les photons incidents créent des porteurs dans les zones n et p et dans la
zone de charge d'espace. Les photo-porteurs auront un comportement différent
suivant la région :
- Dans la zone n ou p, les porteurs minoritaires qui atteignent la zone de

charge d'espace sont "envoyés" par le champ électrique dans la zone p (pour les
trous) ou dans la zone n (pour les électrons) où ils seront majoritaires.
- Dans la zone de charge d'espace, les paires électron-trou créées par les
photons incidents sont dissociées par le champ électrique : les électrons vont vers
la région n, les trous vers la région p. Ces deux contributions s'ajoutent pour
donner un photo-courant résultant Jph. C'est un courant de porteurs minoritaires.
Il est proportionnel à l'intensité lumineuse.
Figure 4.1 : l’absorption 𝛼𝛼 (𝑐𝑐𝑐𝑐−1 ) de GaSb en fonction de

l’énergie de photon
Page | 46
Le semi-conducteur de GaSb absorbe uniquement les énergies des photons

supérieurs ou égaux á 0.72 eV. L’absorption augmente d’une façon rapide pour
les énergies de 0.72 eV á 0.8 eV, et la valeur de l’absorption reste proche de
104 cm-1, lorsque l’énergie de photon est supérieur á 0.8 eV.
Figure 4.2 : la réponse spectrale interne de GaSb
Á partir de la figure 4.2, on remarque que la réponse spectral de la zone p,

commence a partir de á l’énergie 0.72 eV et atteinte son seuil á l’énergie 1.5 eV,
en suite, il diminue et attient 0 á l’énergie 2 eV. Quant á la réponse spectral de la
jonction, commence de l’énergie 1eV et attient son seuil á l’énergie 1.7 eV et
diminue jusqu'à 0 á l’énergie 2eV. Par contre la réponse spectral de la zone n
augmente d’une façon rapide de 0 á 0.9 entre 1 eV et 2eV et garde la même
valeur quand les énergies soit supérieure ou égal á 2eV.
On remarque aussi dans la figure que la réponse spectral total de GaSb est
déterminé par la réponse spectral de la zone p entre les énergies 0.72 eV et 1eV.
Page | 47
Il est égal la réponse spectral de la zone n aux les énergies supérieur ou

égal 2.5 eV.
1-1. Le caractéristique I-V de la cellulle GaSb
La cellule GaSb a été caractérisée par les paramètres suivants:
- la densité du photo-courant J sc = 5 A/cm2.

- la tension de circuit ouvert V oc = 0.5 V.
- le facteur de forme FF = 0.8.
- le rendement η= 26 %
Ces paramètres ont été mesurés sous illumination par un émetteur sélectif
chauffé de 1900 K et la température de la cellule photovoltaïque égale 300K.
Figure 4.3 : la courbe caractéristique I-V
Page | 48
2. L’effet de la température
La génération thermo-photovoltaïque est très sensible à la température de la

cellule (comme la génération photovoltaïque) et à la température de l’émetteur.
Les grandeurs de conversion de la cellule TPV sont fortement dépendantes

de la température de l’émetteur et la température de la cellule. La variation des
grandeurs soit croissante ou décroissante
2-1. L’effet de la température de l’émetteur
Nous considérant dans ce cas la température de la cellule est égale à 300K

0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T
et on change la température de l'émetteur entre 1000K et 1900K.

0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T
Figure 4.4 : Le spectre émet par l’émetteur (corps gris)
Page | 49
Figure 4.5 : le specter arrive à la cellule
Figure 4.6 : le flux spectrale des photons
Page | 50
On remarque dans les trois figures 4.4, 4.5 et 4.6, que quand la température
de l’émetteur augmente, les courbes se dirigent vers les longueurs d’ondes
courtes (grandes énergies).
Quand la longueur d’onde attient 4 μm, les courbes sontégales á 0 et ceci

est indique dans les figures 4.5 et 4.6. Parce que le filtre ne permet pas le passage
aux rayons de les longueurs d’ondes supérieurs á 4 μm.
Dans ces figures, les seuils des courbes équivaux l’énergie de bande
interdite de GaSb, qui est égale á 0.72 eV quand la température de la cellule est
égale á 300K.
Par l’augmentation de la température de l’émetteur, les paramètres de la

cellule augmentent aussi, c'est-à-dire plus de photons avec des énergies
supérieurs de bande interdite atteintes á la cellule thermo-photovoltaïque, cela est
démontré dans la figure 4.6.
Figure 4.7 : la courbe I-V pour différente températures de l’émetteur
Page | 51
La densité du photo-courant, le rendement, le facteur de forme et la tension

de circuit ouvert de la cellule TPV GaSb ont été calculés d'après le modale
développé au chapitre 3. L’énergie de la bande interdite de la cellule GaSb est
égale 0.72 eV et la température du fonctionnement de la cellule est égale
à 300 K.
Tableau 4.1: la puissance maximum produite à différentes températures de l’émetteur

T émetteur (K) 1000 1100 1200 1300 1400 1500 1600 1700 1800 1900
P max (V.A/cm2) 0.013 0.033 0.073 0.144 0.259 0.432 0.679 1.014 1.453 2.01
Quand la température de l’émetteur augment, la tension et le courant

augmentent (la figure 4.7). Donc la puissance produite par la cellule augmente
aussi (tableau 4.1).
Figure 4.8 : le courant de court-circuit en fonction

de température de l’émetteur
Page | 52
Le courant de court-circuit augmente avec l’augmentation de la température

de l’émetteur. On remarque á partir de la figure 4.8, que la variation du courant
de court-circuit est presque exponentielle avec la température de l’émetteur.
Figure 4.9 : la tension de circuit-ouverte en fonction

Lorsque la température de l’émetteur augmente, la tension de circuit-

ouverte et le rendement de la cellule augmentent commence indiqué dans les
figures 4.9 et 4.10.
L’augmentation du rendement de la cellule dans ce cas est beaucoup plus

influence par la variation de la tension du circuit-ouverte, ceci indique dans les
figures 4.9 et 4.10 qui montrent que la courbe du rendement ressemble á la
courbe de la tension.
Page | 53
Figure 4.10 : le rendement de la cellule TPV en fonction

2-2. L’effet de la température de la cellule
Nous considérant dans ce cas la température de la l'émetteur égale à 1900K

et on change la température de cellule entre 10Co et 90Co.
2-2-1. Effet de température sur les paramètres du GaSb (Eg, ni)
Á partir de la figure 4.12, la mobilité des électrons est supérieure á la

mobilité des trous. Et chacun de mobilité des électrons et mobilité des trous
diminuent avec l’augmentation de la température de la cellule. On remarque dans
la figure 4.12 que la mobilité des électrons est beaucoup plus influencée par la
variation de la température de la cellule de GaSb par rapport á
la mobilité des trous.
Page | 54
Figure 4.12 : la mobilité de l’électron et le trou en fonction de la température

de la cellule thermo-photovoltaïque
Figure 4.13 : l’énergie de bande interdite pour différente

température de la cellule
Page | 55
L’énergie de la bande interdite diminue avec l’augmentation de la

température de la cellule thermo-photovoltaïque, et prend les valeurs 0.728 eV;
0.717 eV; 0.698 eV correspondant aux températures de la cellule 10 Co, 40 Co et
80 Co respectivement.
La concentration intrinsèque vari considérablement avec la température de

la cellule, comme c’est indiqué dans la figure 4.14, c’est á dire lorsque la
température de la cellule augmente la concentration intrinsèque augmente aussi.
Figure 4.14 : La concentration intrinsèque en fonction

de la température de cellule
Une augmentation de la concentration du porteur intrinsèque augmente le

courant de saturation et résulte une décroissance dans la tension de circuit ouvert.
Le courant de saturation contient d'autres termes dépendent de la température,
mais la dépendance de la concentration du porteur intrinsèque à la température
domine.
Page | 56
2-2-2. Effet de température sur l’énergie électrique
Quand la température de la cellule augmente, le courant augmente d’une

façon minime, par centre la diminution de la tension est remarquable. Ce qui
provoque une diminution de la puissance produite par la cellule thermo-
photovoltaïque (tableau 4.2)
Figure 4.11 : la courbe I-V par différente températures de la cellule
Tableau 4.2: la puissance maximum produite à différentes températures de la cellule

Tcellule (Co) 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Pmax(V.A/cm2) 2.08 2.04 2.01 1.96 1.92 1.87 1.83 1.78 1.73
Dans la figure 4.15, on observe que le courant de court-circuit augment

avec l’augmentation de la température de la cellule. C’est á dire que
l’augmentation est linéaire avec la température, dont la pente est
de 0.0085 A/cm2 Co.
Page | 57
Figure 4.15 : le courant de court-circuit en fonction

Figure 4.16 : la tension de circuit ouverte en fonction

Page | 58
Dans la figure 4.16, on observe que la tension diminue avec

l’augmentation de la température de la cellule. Et cette diminution est linéaire
aussi et dont la pente est de -0.0014 V/Co.
Figure 4.17 : le rendement de la cellule en fonction

Le rendement de la cellule thermo-photovoltaïque de GaSb diminue avec

l’augmentation de la température (figure 4.17). Et aussi le rendement est
beaucoup plus influencé par la tension. C’est montré dans la figure 4.17.
Page | 59
Conclusion générale
Conclusion
L’objectif de notre étude était de simuler une cellule thermo-photovoltaïque

en utilisant le modèle d’une cellule solaire traditionnelle. Le solaire est remplacer
par un corps gris avec un spectre bien défini, seul une partie du spectre atteint la
cellule. Le choix du filtre est très important pour le bon fonctionnement de la
cellule TPV.
On a étudié l’effet de la température de la cellule sur ces performances

d’une part, et on a analysé l’effet de la température de l’émetteur d’autre part.
La température de l’émetteur joue aussi un rôle important, lorsque celle-ci

est augmentée la réponse spectrale de la cellule TPV est plus large le photo-
courant.
En conclusion les point suivant sont a signalées :
- la température de la cellule TPV est très importante pour sont

fonctionnement, et elle doit être maintenue le plus bas possible. Afin d’éviter
l’échauffement de la cellule, un système de refroidissement doit être incorporé
dans ces cellules.
- Malgré le rendement bas de ces cellules, elles sont très utiles pour
recyclage d’énergie thermique perdue et plus particulièrement lorsque la
température des sources est élevée tel que les cheminées industrielles, réacteur
nucléaire, …….
- Les cellules TPV peuvent être utilisées dans le cas des cellules solaires
tandemes (cascades) pour les concentrateurs.
Page | 60
Bibliographie
Bibliographie
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ENERGY CONVERSION, ELSEVIER, UK, 2007
[2] Giovanni Mattarolo, Development and Modelling of a Thermophotovoltaic

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[5] M.A. Green Third Generation Photovoltaics Advanced Solar Energy

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SEMICONDUCTORS, III-V Compound Semiconductors, VOLUME 2, Kluwer
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photovoltaic cell, Jet Propulsion laboratory California Institute of technology
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Passero V. P. Khvostikov N. S. Potapovich R. V. Levin, GaSb Crystals and
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european-photovoltaic-solar-energy-conference-barcelona/determination-of-the-
temperature-coefficients-of-various-iii-v-solar-cells, 15/06/2011
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Etudeetsimulation TPV

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Etude et simulation d’une cellule thermo-photovoltaïque

Thesis · May 2012

Electronic properties for organic semiconductor View project

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Mémoire Pour l’Obtention du Diplôme de

Etude et simulation d’une

Les membres du jury :

Nom Prénom Grad Université d’origine

Année universitaire : 2011/2012

Je tiens à remercier Mr A.Belghachi, Professeur à

D’avoir accepter de faire partie du Jury.

A tous ceux qui ont contribué de prés ou de loin à la

A l’âme de ma mère qui été pour mon corps mieux qu’un

،GaSb ‫ ﺍﻟﻤﺼﻨﻮﻋﺔ ﻣﻦ ﺍﻟـ‬،‫ﻓﻲ ﻫﺬﻩ ﺍﻟﻤﺬﻛﺮﺓ ﺳﻨﺪﺭﺱ ﺍﻟﺨﻠﻴﺔ ﺍﻟﺤﺮﺍﺭﻓﻮﻃﻮﺿﻮﺋﻴﺔ‬

Dans ce mémoire, on a étudié une cellule thermo-photovoltaïque

On a adopté le modèle des cellules solaires ordinaire pour simuler la

Une étude thermique est aussi faite pour simuler l’effet de la

In this dissertation, we investigated the thermophotovoltaic cell (TPV)

To do this, we adopted the solar cells common model to simulate the

A thermal transfer study was also conducted in order to simulate the

Chapitre 1: Introduction générale

Chapitre 2: Les matériaux de cellule TPV

1. les composants TPV ............................................................................................................ 9

Chapitre 3: Modélisations des cellules thermo-photovoltaïques

1. Cellule Thermo-photovoltaïque GaSb....................................................................... 24

1. L’énergie fournie par la cellule TPV GaSb ............................................................... 46

Conclusion générale ............................................................................................................. 60

La simplicité et le haut rendement sont deux caractéristiques attirantes qui

Les composants du système sont : la source thermique, l'émetteur, peut-être

L'origine de la technologie TPV revient à la fin d’année 1950 et le début de

L'Armée américaine à fort Monmouth a joué un rôle important dans le

propriétés de l'émittance d’oxyde de terre rare à haute température ont été

Dans la même période, l'intérêt industriel de cette nouvelle

Au milieu de 1970 la recherche TPV a subi un ralentissement considérable.

La situation a changé quand les dispositifs III-V de petite bande interdite

Aussi en Europe les recherches sont renouvelées par plusieurs instituts

En 2006 le développement TPV a connu un ralentissement au USA et en

2. Principe de la conversion d'énergie thermo- photovoltaïque

Semblable à tous les principes de la conversion d'énergie, la conversion

Figure 1.1 : Le concept de conversion d'énergie

2- Utilisé un émetteur corps gris (émittance constante) et un filtre passe bande.

3- Utilisé un réflecteur qui reflète les photons d'énergie bas à l'émetteur.

C'est possible de combiner tous les méthodes

3. Comparaison entre la conversion thermo-photovoltaïque et la

Le principe de la conversion TPV des radiations est le même que celui de la

Un autre aspect clé qui caractérise et rend la technologie TPV différente de

4. Les applications TPV

Au début, il paraîtrait qu'un système TPV solaire (STPV) n'aurait aucun

Qu'est-ce qui peut être gagné en ajoutant un émetteur ou un émetteur avec

En ajoutant un émetteur sélectif ou un émetteur plus filtre pour rendre le

Un système TPV alimenté par le radio-isotope (RTPV) est un système

La TPV conduite par les matières combustibles a beaucoup d'applications

1. les composants TPV :

La génération TPV d'électricité est une technologie très interdisciplinaire.

Figure 2.1 : Petit TPV prototype [3]

Fondamentalement le dispositif TPV est composé des parties principales

1-1. Le système thermique:

Il libère la chaleur nécessaire pour réchauffer l'émetteur. Dans un dispositif

chaleur (ex. le brûleur récupérateur, le concentrateur solaire et la réaction

1-2. Le système optique:

Il est composé de l’émetteur, un filtre et un cadre réflecteur minimisant les

1-3. La Cellule thermo-photovoltaïque:

La cellule thermo-photovoltaïque convertit la radiation en électricité. Sa

2. Les sources thermiques pour la TPV