Cours 2020

Conversion/Traitement Energie Electrique
(CTEE)
Enseignant : David Eon Février 2020

1
Electronique de puissance
La conversion de l’énergie électrique a pour but de permettre l’ajustement de l’énergie électrique
entre une source et un usage
Ajustement possible
Source Usage (charge)
• Continue/Alternative Changement de fréquence • Continue/Alternative
• Tension faible ou fort Changement de tension/courant • Tension faible ou fort
• Courant faible ou fort • Courant faible ou fort
Idéalement la puissance en entrée égale la puissance en sortie

Ainsi pour limiter la puissance de conversion, l’interrupteur est le composant de base de la conversion électrique moderne (pas de puissance
consommée si ouvert ou fermé). L’astuce est d’ouvrir et de fermer régulièrement des interrupteurs pour permettre le transfert de puissance
entre la source et la charge ainsi que sa mise en forme.
2
Plan du cours
Rappels et définitions
• Rappel de base sur les signaux et l’écriture complexe
• Equation d’ordre 2, résolution et représentation
• Transformée de Fourier et initiation à la transformée de Laplace
• Définition des puissances
• Quelques composants de base en électronique de puissance
Convertisseurs DC/DC
• Combinaison source de courant et source de tension
• Exemple d’usage sur une cellule solaire
• Conversion avec séparation galvanique
• Alimentation moteur continu
Exemple de contrôle d’un convertisseur
Convertisseurs AC/DC (principe de PFC)
3
Les impédances complexes
Comportement harmonique des composants passifs
𝑢 𝑡 = 𝑈𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 = 𝑅𝑒 𝑈𝑒 𝑗𝜔𝑡 𝑢 𝑗𝜔 = 𝑈𝑒 𝑗𝜔𝑡 𝑈 Amplitude

complexe
𝑖 𝑡 = 𝐼𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 − 𝜑 = 𝑅𝑒 𝐼𝑒 𝑗 𝜔𝑡−𝜑
= 𝑅𝑒 𝐼𝑒 −𝑗𝜑 𝑒 𝑗𝜔𝑡 𝑖 𝑗𝜔 = 𝐼𝑒 −𝑗𝜑 𝑒 𝑗𝜔𝑡 𝐼𝑒 −𝑗𝜑
Ecriture dans l’espace réel de la tension et Ecriture dans l’espace complexe
du courant de la tension et du courant
Résistance Capacité Inductance

u u u 𝑈 𝑗𝜑
𝑍= 𝑒 Impédance
𝐼
i i i
𝑑𝑢 𝑡 𝑑𝑖 𝑡
𝑖 𝑡 =𝐶 𝑢 𝑡 =𝐿
𝑢 𝑡 = 𝑅𝑖 𝑡 𝑑𝑡
𝑑𝑡
𝑈 = 𝑅𝐼 𝐼 = 𝑗𝜔𝐶𝑈 𝑈 = 𝑗𝜔𝐿𝐼
1 1 −𝑗𝜋 𝜋
𝑅 = 𝑒 2 𝑗𝐿𝜔 = 𝐿𝜔𝑒 𝑗 2
𝑗𝐶𝜔 𝐶𝜔
1 1 𝐿𝜔 ∞
∞ 0 𝐿𝜔 0
𝜔→0 𝜔→∞
𝐶𝜔 𝜔→0 𝐶𝜔 𝜔→∞
4
Les résistances
U
𝑈 = 𝑅𝐼
Ω.m Il s’agit de la loi d’Ohm
R en ohm (Ω)
Ordre de grandeur pratique :

1kΩ au 1MΩ
5
Les capacités
Q=CUAB et comme I = dQ/dt
Capacité
u
i
𝑑𝑢 𝑡
𝑖 𝑡 =𝐶
𝑑𝑡
Le courant circule dans une branche

de circuit qui contient une capacité
uniquement si la tension est variable
dans le temps.
Ordre de grandeur pratique : 100pF au 1µF Les capacités s’opposent aux

variation de tension
6
Les inductances
Inductance
u
𝑑𝑖 𝑡
𝑢 𝑡 =𝐿
𝑑𝑡
Une tension apparaît au borne d’une

inductance lorsque la courant qui
circule est variable dans le temps.
Les inductances s’opposent

Ordre de grandeur pratique : 1µH a 10mH aux variation de courant
7
Les sources continues
Les sources idéales Les sources réelles
Source de tension Source de courant Source de tension Source de courant
Ig
Ig Ig
R R
E E R R
Allumée Eteinte Allumée Eteinte Allumée Eteinte Allumée Eteinte

V V V V
R
E E R
I I I I
Ig Ig
8
Les signaux variables dans le temps
s(t) Signaux périodiques : signal qui prend une

𝑠𝑀+
valeurs identiques en des instants séparés par
𝑠𝑒𝑓𝑓 une durée caractéristique T (période en s)
+ 1
+ t • Fréquence en Hertz (Hz) 𝑓 =
𝑇
T/2 T • Pulsation (rad/s) =2f
- -
𝑠𝑀−
Signaux alternatifs : cas particulier d’un signal
périodique dont la valeur moyenne sur une
période est nulle
1 𝑇
𝑠 𝑡 = න 𝑠 𝑡 𝑑𝑡 = 0
𝑇 0
Pour les signaux alternatifs
1 𝑇 2
Valeur efficace : 𝑠𝑒𝑓𝑓 = ‫𝑠 ׬‬ 𝑡 𝑑𝑡 c’est une grandeur caractéristique importante
𝑇 0
Amplitude positive SM+ (resp. négative SM-): grandeur maximale lors des alternances positives
(resp. négatives)
9
Décomposition d’un signal
Tout signal peux se décomposer en la somme d’une composante
continue (statique) et d’un signal alternatif (dynamique)
S(t)
s(t)
t
𝑆 𝑡 =𝑆+𝑠 𝑡
Composante continue Composante alternative

Régime statique Régime dynamique
Valeur moyenne du signal Régime de petit signaux
Point de polarisation
Point de repos
Linéarisation
Décomposition en série de
Fourier
10
Signaux sinusoïdaux
S0 s(t)
t

t

T/2 T
-S0
Vecteur tournant à la pulsation  Trace de l’extrémité des vecteurs tournants en fonction du temps
Un signal sinusoïdale est défini par trois paramètres

2𝜋
• Sa pulsation (rad/s) 𝜔 = = 2𝜋𝑓
𝑇
• Son amplitude S0 ou sa tension efficace Seff
• Et potentiellement sa différence de phase avec un autre signal (rad) 
𝑠1 𝑡 = 𝑆01 sin 𝜔𝑡 Déphasage

𝑠2 𝑡 = 𝑆02 sin 𝜔𝑡 + 2
Amplitude Pulsation
11
L’approche complexe et rappels
Im(z) Un nombre complexe z peut s’écrire sous deux formes
z Forme algébrique : 𝑧 = 𝑅𝑒 𝑧 + 𝑗𝐼𝑚 𝑧

• 𝑅𝑒 𝑧 la partie réelle
 • 𝐼𝑚 𝑧 la partie imaginaire
Re(z)
• j le nombre complexe pour lequel j²=-1
Forme trigonométrique : 𝑧 = 𝑧 exp 𝑗𝜑

𝑧 = 𝑧 cos 𝜑 + 𝑗 sin(𝜑)
• 𝜑 la phase ou l’argument
Représentation dans le plan
• 𝑧 le module
complexe d’un nombre z
Ainsi 𝑅𝑒 𝑧 = 𝑧 cos 𝜑 et 𝐼𝑚 𝑧 = 𝑧 sin 𝜑
2 2 𝐼𝑚 𝑧
Ou inversement 𝑧 = 𝑅𝑒 𝑧 + 𝐼𝑚 𝑧 et 𝜑 = tan
𝑅𝑒 𝑧
Dans un circuit où toutes les grandeurs sont à la même fréquence 𝜔 il est possible de
passer à l’écriture complexe. Ainsi appliqué aux signaux sinusoïdaux :
𝑠1 𝑡 = 𝑆01 cos 𝜔𝑡 = 𝑅𝑒 𝑆01 𝑒 𝑗𝜔𝑡
𝑠2 𝑡 = 𝑆02 cos 𝜔𝑡 − 𝜑2 = 𝑅𝑒 𝑆02 𝑒 𝑗 𝜔𝑡−𝜑2 = 𝑅𝑒 𝑆02 𝑒 −𝑗𝜑2 𝑒 𝑗𝜔𝑡
• 𝑆0 𝑒 𝑗𝜑 s’appelle l’amplitude complexe
𝑠2 𝑡 𝑆02 −𝑗𝜑
• = 𝑒 2 donne la fonction de transfert entre le signal 1 et 2
𝑠1 𝑡 𝑆01
12
Plan du cours
13
Pourquoi utiliser l’écriture complexe ?
Pour se simplifier les calcules…. Si, si je vous assure
𝑑𝐼 𝑡 𝑑𝑉𝐶 𝑡
Loi des mailles : 𝐸 𝑡 = 𝑅𝐼 𝑡 + 𝐿 + 𝑉𝐶 𝑡 et 𝐼 𝑡 = 𝐶
𝑑𝑡 𝑑𝑡
+ I 𝑑 2 𝑉𝐶 𝑡
E R L VC Ainsi 𝐸 𝑡 = 𝑅𝐶 𝑑𝑉𝐶 𝑡 + 𝐿𝐶 + 𝑉𝐶 𝑡 il s’agit d’une équation
𝑑𝑡 𝑑𝑡 2
 C différentielle d’ordre 2 de la forme
- 𝐴𝑥ሷ + 𝐵𝑥ሶ + 𝐶𝑥 = 𝐸 𝑡
Approche temporelle par résolution de l’équation différentielle

La solution est la somme de la solution générale sans second membre 𝑥1 𝑡 et d’une solution particulière avec second
membre 𝑥2 𝑡 .
𝐵 𝑅 𝐶 1
𝑥1 𝑡 : Déterminant réduit :  = 2 − 𝜔02 avec  = = (l’atténuation) et 𝜔02 = = (la pulsation naturelle)
2𝐴 2𝐿 𝐴 𝐿𝐶
et on pose 𝛼 = 2 − 𝜔02 et 𝛼 ′ = 𝜔02 − 2 (noté aussi 𝜔𝑝 la pulsation propre)
>0 =0 <0

𝑥1 𝑡 = 𝑒 −𝑡 𝐴1 𝑒 𝛼𝑡 + 𝐴2 𝑒 −𝛼𝑡 𝑥1 𝑡 = 𝑒 −𝑡 𝐴1 𝑡 + 𝐴2
𝑥1 𝑡 = 𝑒 −𝑡 𝐴1 𝑒 𝑗𝛼 𝑡 + 𝐴2 𝑒 −𝑗𝛼
′ ′𝑡
ou
𝑥1 𝑡 = 𝑒 −𝑡 𝐵1 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑝 𝑡 + 𝐵2 𝑠𝑖𝑛 𝜔𝑝 𝑡
ou
Avec A1, A2, B1, B2, C1 et 1des constantes d’intégration.
𝑥1 𝑡 = 𝑒 −𝑡 𝐶1 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑝 𝑡 + 𝜑1
14
Comme vu précédemment tout signal peux s’écrire 𝑬 𝒕 = 𝑬 + 𝒆 𝒕
Réponse pour la partie statique pour E

𝐸
𝑥2𝑠 𝑡 est une constante 𝑥2𝑠 =
𝐶
Réponse harmonique (ou régime forcé) dans le cas où 𝒆 𝒕 = 𝑲𝒔𝒊𝒏 𝝎𝒕 solution particulière:
𝑥2 𝑡 : est une fonction sinusoïdale 𝑥2 𝑡 = 𝐴3 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 + 𝐴4 𝑠𝑖𝑛 𝜔𝑡 qui doit respecter l’équation différentielle
𝐴𝑥2ሷ + 𝐵𝑥2ሶ + 𝐶𝑥2 = 𝐾 𝑠𝑖𝑛 𝜔𝑡
Après dérivation de 𝑥2 𝑡 et identification des termes en sinus et cosinus on détermine

2𝑚𝜔
𝐾 𝜔0
𝐴3 = − 2
𝐶 𝜔2 2𝑚𝜔 2
−𝐾𝐵𝜔 1− 2 + 𝜔
𝐴3 = 𝜔0
𝐴3 𝐶 − 𝐴𝜔2 + 𝐵𝜔𝐴4 = 0 𝐶 − 𝐴𝜔 2 2 + 𝐵 2 𝜔 2 0
൝
−𝐵𝜔𝐴3 + 𝐶 − 𝐴𝜔2 𝐴4 = 𝐾 𝐾 𝐶 − 𝐴𝜔2 𝜔2
𝐴4 = 1−
𝐶 − 𝐴𝜔 2 2 + 𝐵 2 𝜔 2 𝐾 𝜔02
𝐴4 = 2
𝐶 2
 𝑅 𝐶 𝜔2
1− 2 +
2𝑚𝜔
En notant le coefficient d’amortissement 𝑚 = = 𝜔0 𝜔0
𝜔0 2 𝐿
𝐾 1 𝜔2 2𝑚𝜔
𝑥2 𝑡 = 2 1− 2 𝑠𝑖𝑛 𝜔𝑡 − 𝜔 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡
𝐶 𝜔2 2𝑚𝜔 2 𝜔0 0
1− 2 +
𝜔0 𝜔0
2𝑚𝜔
𝐾 1 𝜔0
𝑥2 𝑡 = 𝐻 𝑠𝑖𝑛 𝜔𝑡 − 𝜑 Avec 𝐻 = 2
et 𝑡𝑎𝑛 𝜑 = 𝜔2
𝐶 𝜔2 2𝑚𝜔 2 1− 2
𝜔0
1− 2 +
𝜔0 𝜔0
15
La solution générale en régime harmonique forcé (dans le cas où  < 𝟎) est :
𝑥 𝑡 = 𝑥1 𝑡 + 𝑥2𝑠 + 𝑥2 𝑡
𝑥 𝑡 = 𝑒 −𝑡 𝐵1 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑝 𝑡 + 𝐵2 𝑠𝑖𝑛 𝜔𝑝 𝑡 + 𝐴3 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 + 𝐴4 𝑠𝑖𝑛 𝜔𝑡
Il reste à déterminer B1 et B2 selon les conditions initiales. Si à t=0 :
𝐸
𝑥 0 =0 𝑥 0 = 𝐵1 + 𝐴3 + = 0
𝐶
𝑥ሶ 0 = 0 : 𝑥ሶ 𝑡 = −𝑒 −𝑡 𝐵1 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑝 𝑡 + 𝐵2 𝑠𝑖𝑛 𝜔𝑝 𝑡 + 𝑒 −𝑡 −𝐵1 𝜔𝑝 𝑠𝑖𝑛 𝜔𝑝 𝑡 + 𝐵2 𝜔𝑝 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑝 𝑡 − 𝐴3 𝜔𝑠𝑖𝑛 𝜔𝑡 + 𝐴4 𝜔𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡
2𝑚𝜔
𝑥ሶ 0 = −𝐵1  + 𝐵2 𝜔𝑝 + 𝐴4 𝜔 = 0
𝐾 𝜔0 𝐸
𝐵1 = 2 +
𝐶 𝜔2 2𝑚𝜔 2 𝐶
𝐸 1− + 𝐾 𝐸
𝐵1 = −𝐴3 + 𝜔02 𝜔0 𝐵1 = 𝐻 𝑠𝑖𝑛 𝜑 +
𝐶 𝐶 𝐶
𝐴4 𝜔 − 𝐵1  𝜔2 2𝑚𝜔 𝐾 𝜔𝑐𝑜𝑠 𝜑 − 𝑚𝜔0 𝑠𝑖𝑛 𝜑
𝐵2 = − 𝜔 1− − 𝑚𝜔0 𝐵2 = − 𝐻
𝜔𝑝 𝐾 𝜔02 𝜔0 𝐶 𝜔𝑝
𝐵2 = − 2
𝐶 𝜔2 2𝑚𝜔 2
𝜔𝑝 1− +
𝜔02 𝜔0
𝐸 𝐾 𝐸 𝜔𝑐𝑜𝑠 𝜑 − 𝑚𝜔0 𝑠𝑖𝑛 𝜑

𝑥 𝑡 = + 𝐻 𝑒 −𝑚𝜔0 𝑡 𝑠𝑖𝑛 𝜑 + 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑝 𝑡 − 𝑠𝑖𝑛 𝜔𝑝 𝑡 − 𝑠𝑖𝑛 𝜑 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 + 𝑐𝑜𝑠 𝜑 𝑠𝑖𝑛 𝜔𝑡
𝐶 𝐶 𝐾𝐻 𝜔𝑝
2𝑚𝜔
𝐸 𝐾 Avec 𝐻 =
1
et 𝑡𝑎𝑛 𝜑 =
𝜔0
𝑥 𝑡 = + 𝐻 𝐻𝑡 𝑒 −𝑚𝜔0 𝑡 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑃 𝑡 + 𝜑𝑡 + 𝑠𝑖𝑛 𝜔𝑡 − 𝜑 𝜔2

2
2𝑚𝜔 2
𝜔2
1− 2
𝜔0
𝐶 𝐶 1− 2
𝜔0
+
𝜔0
Transitoire Forcé 𝑠𝑖𝑛 𝜑 +

𝐸
𝐾𝐻 𝜔𝑐𝑜𝑠 𝜑 −𝑚𝜔0 𝑠𝑖𝑛 𝜑
Avec 𝐻𝑡 = et 𝑡𝑎𝑛 𝜑𝑡 = 𝐸
𝑐𝑜𝑠 𝜑𝑡
Statique Dynamique 𝜔𝑝 𝑠𝑖𝑛 𝜑 +
𝐾𝐻
La résolution complète est longue, de plus il apparait que le premier terme s’atténue rapidement
avec une constante de temps 1/m0 = 2L/R pour ne laisser que le terme de régime forcé 16
Pourquoi utiliser l’écriture complexe ?
Pour se simplifier les calcules…. Si, si je vous assure
𝑑𝐼 𝑡 𝑑𝑉𝐶 𝑡
Loi des mailles : 𝐸 𝑡 = 𝑅𝐼 𝑡 + 𝐿 + 𝑉𝐶 𝑡 et 𝐼 𝑡 = 𝐶
𝑑𝑡 𝑑𝑡
+ I 𝑑 2 𝑉𝐶 𝑡
E R L VC Ainsi 𝐸 𝑡 = 𝑅𝐶 𝑑𝑉𝐶 𝑡 + 𝐿𝐶 + 𝑉𝐶 𝑡 il s’agit d’une équation
𝑑𝑡 𝑑𝑡 2
 C différentielle d’ordre 2 de la forme
- 𝐴𝑥ሷ + 𝐵 𝑥ሶ + 𝐶𝑥 = 𝑓 𝑡
Approche fréquentielle par utilisation de l’écriture complexe

Cette approche consiste à écrire l’équation différentielle sous une forme complexe :
𝐴𝑥ሷ + 𝐵𝑥ሶ + 𝐶𝑥 = 𝐾𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 devient 𝐴𝑧ሷ + 𝐵𝑧ሶ + 𝐶𝑧 = 𝐾𝑒 𝑗𝜔𝑡
Et à chercher les solutions de la forme 𝑧 𝑡 = 𝑍𝑒 𝑗𝜑 𝑒 𝑗𝜔𝑡 ce qui donne −𝐴𝜔2 + 𝑗𝐵𝜔 + 𝐶 𝑍𝑒 𝑗𝜑 𝑒 𝑗𝜔𝑡 = 𝐾𝑒 𝑗𝜔𝑡
𝐶 1 1 1
On obtient ainsi la fonction de transfert 𝐻 𝑗𝜔 = 𝑍𝑒 𝑗𝜑 = 𝐵 𝐴 = 𝐵 𝐴 = 2𝑚 𝜔2
𝐾 1+𝑗 𝜔− 𝜔2 1+𝑗 𝜔− 𝜔2 1+𝑗 𝜔− 2
𝐶 𝐶 𝐶 𝐶 𝜔0 𝜔0
2𝑚𝜔
1 𝜔0
Avec le module 𝐻 = 2
et la phase 𝑡𝑎𝑛 𝜑 = − 𝜔2
𝜔2 2𝑚𝜔 2 1− 2
1− 2 + 𝜔0
𝜔0 𝜔0
𝐾
Ce qui permet de retrouver l’expression temporelle du signal du régime forcé 𝑥2 𝑡 = 𝐻 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 + 𝜑
𝐶
L’équation différentielle devient une simple équation algébrique , toutefois on ne retrouve que la
solution du régime forcée 17
Mise en équation et représentation
Utilisation classique des lois des réseaux linéaires
+ I généralisés aux impédances complexes
E R L VC
1
 C Loi des mailles : 𝐸 = 𝑅𝐼 + 𝑗𝐿𝜔𝐼 + 𝑉𝐶 et 𝑉𝐶 = 𝐼
𝑗𝐶𝜔
- Ainsi 𝐸 = 𝑗𝑅𝐶𝜔 − 𝐿𝐶𝜔2 + 1 𝑉𝐶
𝑉𝐶 1 1 1
On obtient ainsi la fonction de transfert 𝐻 𝑗𝜔 = = = 𝜔2
= 𝜔2
𝐸 1+𝑗𝑅𝐶𝜔−𝐿𝐶𝜔2 2𝑚
1+𝑗 𝜔− 2 1+𝑗
1
𝜔− 2
𝜔0 𝜔0 𝑄𝜔0 𝜔0
1 𝑅 𝐶 1
si on pose 𝜔02 = 𝐿𝐶 (la pulsation naturelle) et 𝑚 = (le coefficient d’amortissement) ou 𝑄 = 2𝑚 (le coefficient de qualité)
2 𝐿
La fonction de transfert permet de connaitre le comportement harmonique du circuit i.e. en fonction

de la pulsation  d’entrée (ou de la fréquence f(Hz)).
Il existe plusieurs façon de représenter graphiquement ce résultat. La plus courante est la représentation de Bode :
• Recherche du module et de la phase de la fonction de transfert
2𝑚𝜔
1 𝜔0
module 𝐻 = 2
phase 𝑡𝑎𝑛 𝜑 = − 𝜔2
𝜔2 2𝑚𝜔 2 1− 2
1− 2 + 𝜔0
𝜔0 𝜔0
• Le module est appelé le gain du montage. Pour la représentation de Bode il est exprimé en décibel (dB)
𝑃𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒
Par définition le décibel est 𝐻𝑑𝐵 = 10𝑙𝑜𝑔 il s’agit normalement d’un rapport de puissance toutefois comme 𝑃𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒 = 𝑍𝑉 2
𝑃𝑒𝑛𝑡𝑟é𝑒
𝑉𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒
𝐻𝑑𝐵 = 20𝑙𝑜𝑔 = 20𝑙𝑜𝑔 𝐻
𝑉𝑒𝑛𝑡𝑟é𝑒
• Finalement on représente le gain en dB (et la phase) en fonction de la pulsation ou de la fréquence sur un

diagramme semi-logarithmique 18
Les échelles logarithmiques
𝑉𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒
𝐻𝑑𝐵 = 20𝑙𝑜𝑔 = 20𝑙𝑜𝑔 𝐻 inversement 𝐻 = 10𝐻𝑑𝐵 /20
𝑉𝑒𝑛𝑡𝑟é𝑒
• Si le gain 𝐻 >1 ou 𝐻𝑑𝐵 > 0 on parle d’amplification car 𝑉𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒 > 𝑉𝑒𝑛𝑡𝑟é𝑒
• Si le gain 0< 𝐻 <1 ou 𝐻𝑑𝐵 < 0 on parle d’atténuation car 𝑉𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒 < 𝑉𝑒𝑛𝑡𝑟é𝑒
• Un changement de +(-)20dB correspond une multiplication (resp. une division) par 10 de la tension
𝑉 1
• Une réduction de 3dB correspond à 𝑉 𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒 = = 0,71 (la définition vient de la puissance qui pour une réduction de 3dB revient à
𝑒𝑛𝑡𝑟é𝑒 2
dire que la puissance est divisée par 2)
Représentation semi-logarithmique
100
Amplification
80
60
40
Pulsation  (rad/s)
20 ou
HdB
0
2 3 4 6 8 20 30 40 60 80 la fréquence f (Hz)
5 7 9 50 70 90
1 10 100 1 000 10 000 100 000 1 000 000

-20
Atténuation
-40
-60
-80
-100 19
Exemple de diagramme de Bode
2 2 2 2
𝑉𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒 1 𝜔2 2𝑚𝜔 𝜔2 2𝑚𝜔
𝐻𝑑𝐵 = 20𝑙𝑜𝑔 = 20𝑙𝑜𝑔 = 20𝑙𝑜𝑔 1 − 10𝑙𝑜𝑔 1− 2 + = −10𝑙𝑜𝑔 1− 2 +
𝑉𝑒𝑛𝑡𝑟é𝑒 2 2 𝜔0 𝜔0 𝜔0 𝜔0
𝜔2 2𝑚𝜔
1− +
𝜔02 𝜔0
Comportements asymptotiques :
2 2 2 2 2
𝜔2 2𝑚𝜔 𝜔2 2𝑚𝜔 2 𝜔2 2𝑚𝜔 2 𝜔2
𝐻𝑑𝐵 = −10𝑙𝑜𝑔 1− + − 10𝑙𝑜𝑔 1 𝐻𝑑𝐵 = −10𝑙𝑜𝑔 1− + − 10𝑙𝑜𝑔 + ≈ −10𝑙𝑜𝑔
𝜔02 𝜔0 𝜔≫𝜔0 𝜔02 𝜔0 𝜔02
𝜔02 𝜔0 𝜔≪𝜔0
𝜔
=0 = −40𝑙𝑜𝑔 = 40𝑙𝑜𝑔 𝜔0 − 40𝑙𝑜𝑔 𝜔
𝜔0
20
10 On balaye une décade

lorsque partant d’une
0
fréquence f on arrive sur la
Gain (dB)
-10 fréquence 10 f ou 0,1 f
-20
-30
-40
0,1 1 f/f0 10
20
Effet de l’amortissement sur le diagramme de Bode
Valeur du gain pour  = 0 :
2 2
𝜔2 2𝑚𝜔 2
𝐻𝑑𝐵 = −10𝑙𝑜𝑔 1− 2 + − 10𝑙𝑜𝑔 2𝑚 = −20𝑙𝑜𝑔 2𝑚 = −20𝑙𝑜𝑔 1/𝑄
𝜔0 𝜔0 𝜔=𝜔0
Suivant le facteur d’amortissement (ou le coefficient de qualité) le gain pour 0 prend différentes valeurs
Valeur du gain maximal et la pulsation correspondante :
𝐻𝑚𝑎𝑥𝑑𝐵 = −20𝑙𝑜𝑔 2𝑚 1 − 𝑚2 pour 𝜔 = 𝜔0 1 − 2𝑚2
1 1
Ainsi si m> (ou Q< ) il n’existe pas de gain supérieur à 0dB
2 2
20 Q=12
Q=6
10 Q=1 Q=3
Q=0,707
Q=0,5 Q=2
Q=1,3
0
Gain (dB)
Q=0,4
Q=0,3
-10
-20
-30
-40
0,1 1 f/f0 10
21
Interprétation d’un diagramme de Bode
20 Q=12
Q=6
10 Q=1 Q=3
Q=0,707
Q=0,5 Q=2
Q=1,3
0
Gain (dB)
Q=0,4
Q=0,3
-10
-20
-30
-40
0,1 1 f/f0 10
Pour les basses fréquences le gain A proximité de 0 , selon Pour les hautes fréquences le gain
est nul l’amortissement, il est possible d’avoir décroit
Passage des signaux sans une amplification (on parle de Forte atténuation des signaux
atténuation ni amplification résonance) ou une atténuation
Un tel circuit ce comporte comme un filtre de fréquence qui laisse

passer les basses fréquences et bloque les hautes.
On parle de filtre passe-bas.
22
Plan du cours
23
Somme de sinusoïdes
1,4 1,4 1,4 1,4
1,2 1,2 1,2 1,2
1 1 1 1
0,8 0,8 0,8 0,8
0,6 0,6 0,6 0,6
0,4 0,4 0,4 0,4
Intensité
Intensité
Intensité
Intensité
0,2 0,2 0,2 0,2
0 0 0 0
-0,2 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 -0,2 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 -0,2 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 -0,2 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
-0,4 -0,4 -0,4 -0,4
-0,6 -0,6 -0,6 -0,6
-0,8 -0,8 -0,8 -0,8
-1 -1 -1 -1
-1,2 -1,2 -1,2 -1,2
-1,4 -1,4 -1,4 -1,4
temps temps temps temps
𝑠𝑖𝑛 2𝜋𝑓0 𝑡 𝑠𝑖𝑛 2𝜋𝑓0 𝑡 𝑠𝑖𝑛 2𝜋𝑓0 𝑡 𝑠𝑖𝑛 2𝜋𝑓0 𝑡

1 1 1
+ 𝑠𝑖𝑛 2𝜋 3𝑓0 𝑡 + 𝑠𝑖𝑛 2𝜋 3𝑓0 𝑡 + 𝑠𝑖𝑛 2𝜋 3𝑓0 𝑡
3 3 3
1 1
+ 𝑠𝑖𝑛 2𝜋 5𝑓0 𝑡 + 𝑠𝑖𝑛 2𝜋 5𝑓0 𝑡 + ⋯
5 5
1,4 1,4 1,4 1,4
1,2 1,2 1,2 1,2
1 1 1 1
0,8 0,8 0,8 0,8
0,6 0,6 0,6 0,6
0,4 0,4 0,4 0,4
Intensité
Intensité
Intensité
Intensité
0,2 0,2 0,2 0,2
0 0 0 0
-0,2 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 -0,2 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 -0,2 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 -0,2 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
-0,4 -0,4 -0,4 -0,4
-0,6 -0,6 -0,6 -0,6
-0,8 -0,8 -0,8 -0,8
-1 -1 -1 -1
-1,2 -1,2 -1,2 -1,2
-1,4 -1,4 -1,4 -1,4
temps temps temps temps
𝑐𝑜𝑠 2𝜋𝑓0 𝑡 𝑐𝑜𝑠 2𝜋𝑓0 𝑡 𝑐𝑜𝑠 2𝜋𝑓0 𝑡 𝑐𝑜𝑠 2𝜋𝑓0 𝑡

1 1 1
+ 𝑐𝑜𝑠 2𝜋 3𝑓0 𝑡 + 𝑐𝑜𝑠 2𝜋 3𝑓0 𝑡 + 2 𝑐𝑜𝑠 2𝜋 3𝑓0 𝑡
32 32 3
1 1
+ 2 𝑐𝑜𝑠 2𝜋 5𝑓0 𝑡 + 2 𝑐𝑜𝑠 2𝜋 5𝑓0 𝑡 + ⋯
5 5
24
Transformée de Fourier
Tout signal ayant une évolution périodique dans le temps peut être décomposé en une
somme de fonctions sinusoïdales de base.
𝒆𝝎 (𝒕)
T ∞ 𝟐 𝑻/𝟐
𝒆𝝎 𝒕 =
𝒂𝟎
+ ෍ 𝒂𝒏 𝒄𝒐𝒔 𝒏𝝎𝒕 + 𝒃𝒏 𝒔𝒊𝒏 𝒏𝝎𝒕
𝒂𝒏 = න 𝒆𝝎 𝒕 𝒄𝒐𝒔 𝒏𝝎𝒕 𝒅𝒕 k 0
Forme 1 𝑻 −𝑻/𝟐
𝟐
𝒏=𝟏 𝟐 𝑻/𝟐
Valeur moyenne
an et bn : coefficients de Fourier 𝒃𝒏 = න 𝒆𝝎 𝒕 𝒔𝒊𝒏 𝒏𝝎𝒕 𝒅𝒕
𝑻 −𝑻/𝟐 k1
 Pulsation fondamental
∞ 𝑨𝒏 = 𝒂 𝒏 𝟐 + 𝒃𝒏 𝟐
Forme 2 𝒆𝝎 𝒕 = 𝑨𝟎 + ෍ 𝑨𝒏 𝒄𝒐𝒔 𝒏𝝎𝒕 − 𝝋𝒏 𝒃𝒏
𝒏=𝟏
𝒕𝒂𝒏 𝝋𝒏 =
𝒂𝒏
𝑨𝒏
∞
𝑪𝒏 = 𝟏 𝑻/𝟐
𝒆𝝎 𝒕 = ෍ 𝑪𝒏 𝒆𝒋𝒏𝝎𝒕 𝟐 𝑪𝒏 = න 𝒆𝝎 𝒕 𝒆−𝒋𝒏𝝎𝒕 𝒅𝒕 -< k <
Forme 3 𝑻 −𝑻/𝟐
𝒏=−∞ 𝒂𝒓𝒈 𝑪𝒏 = −𝝋𝒏
25
Représentation graphique
∞
𝑨𝒏 = 𝒂𝒏 𝟐 + 𝒃𝒏 𝟐
Partant de la forme 2 𝒆𝝎 𝒕 = 𝑨𝟎 + ෍ 𝑨𝒏 𝒄𝒐𝒔 𝒏𝝎𝒕 − 𝝋𝒏 𝒃𝒏
𝒏=𝟏 𝒕𝒂𝒏 𝝋𝒏 =
𝒂𝒏
An Fondamental
1
La présence d’harmoniques paires indique une absence de
harmoniques symétrie par rapport à la moyenne du signal.
5
2
5
3 4 4,5
4
6

3,5
7 3
2,5
2
1,5
Intensité
1
n 0,5
0
+
-0,5 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
-1
-1,5
-2
-2,5
-3

-3,5
-4
temps
-
Représentation fréquentielle Représentation temporelle
26
Le signal de base en puissance: le signal PWM
Créneau [0,1V]
Période T = 10µs
Temps On T = 3,3µs Représentation
Rapport cyclique: = T/T Temporelle
Enveloppe Signal
Calcul de la série de Fourier :
∞ 𝑠𝑖𝑛 𝑘 ∆𝑇 𝜋
∆𝑇 𝑇 𝑡
Fondamental
𝑈𝑆𝐼𝑅 𝑡 =
𝑇
𝑉𝐶𝐶 1 + 2 ෍
∆𝑇
𝑐𝑜𝑠 2𝑘𝜋
𝑇 Représentation
𝑘=1 𝑘 𝜋
𝑇 Fréquentielle
k=1 2 3
Qualitativement: le signal PWM temporellement réclame pour représenter les créneaux des
variations de tension forte sur des ∆𝑡 courts ce qui implique des fréquences élevées
27
Signal d’entrée
Filtrage d’un signal PWM
Signal de sortie
Créneau [0,1V] Filtre passe bas
Période T = 10µs Avec un faible coefficient Signal sinusoïdale à la
Temps On T = 3,3µs d’amortissement résonnant à 100kHz fréquence fondamentale
Temporelle Temporelle
Enveloppe Signal
Fondamental
Fréquentielle
k=1 2 3 28
Signal d’entrée
Signal de sortie
Période T = 10µs Avec un faible coefficient Signal sinusoïdale à la
Temps On T = 3,3µs d’amortissement résonnant à 1kHz fréquence fondamentale
Enveloppe Signal
Fondamental
Fréquentielle
k=1 2 3 29
Signal d’entrée
Signal de sortie
Période T = 10µs Avec un faible coefficient Signal amortie à 1,5kHz qui tend
Temps On T = 3,3µs d’amortissement résonnant à 1,5 kHz vers la valeur moyenne ∆𝑇 𝑉𝐶𝐶
𝑇
∆𝑇
𝑉
𝑇 𝐶𝐶
Enveloppe Signal De 10ms à 50ms
De 0 à 5ms
Fondamental
Fréquentielle
k=1 2 3 30
Passage vers la transformée de Laplace
Au-delà de j
Quelques remarques :
• Pour l’écriture complexe, nous avons utilisé que la partie imaginaire j d’un nombre complexe
• L’approche fréquentielle ne permet d’avoir que la solution en régime forcé contrairement à l’approche temporelle (résolution équation différentielle) qui
donne aussi le régime transitoire
• Les phénomènes d’atténuation sont masquées par l’approche purement fréquentielle
Conclusion : Utiliser que le partie imaginaire j restreint fondamentalement l’étude à une seule pulsation  et donc uniquement la réponse à un signal sinusoïdal
Idée: Utiliser aussi la partie réelle en notant p= + j avec  traduisant les phénomène d’atténuation ou de croissance de la réponse (𝑒 𝑡 )
Exemple ordre 2 pour un déterminant <0
On retrouve la représentation
j
p1 Module de H(p) fréquentielle de Bode par
𝜔0 intersection de la fonction H(p)
𝜔𝑝 = 𝜔0 1 − 𝑚2
sur l’axe des imaginaire de p
𝐻 𝑝 est une fonction complexe
c’est-à-dire que p est complexe et
𝑚𝜔0 que le résultat de la fonction est
aussi complexe (avec une partie
 réelle et une partie imaginaire/ un
module et une phase)
𝜔𝑝 = −𝜔0 1 − 𝑚2
p2
Plan complexe vision 2D

Phase de H(p)
1 𝜔02 𝜔02
𝐻 𝑝 = 2 = 2 2
=
2𝑚 𝑝 𝜔0 + 2𝑚𝜔0 𝑝 + 𝑝 𝑝 − 𝑝1 𝑝 − 𝑝2
1+𝑝 +
𝜔0 𝜔02
𝜔02
=
𝑝 − 𝜔0 −𝑚 + 𝑗 1 − 𝑚2 𝑝 − 𝜔0 −𝑚 − 𝑗 1 − 𝑚2
p1 et p2 sont des pôles complexes conjugués
31
Passage vers la transformée de Laplace
Au-delà de j
Module de H(p)
On retrouve la représentation fréquentielle de Bode par intersection de la fonction H(p) sur l’axe des imaginaires de p
Orientation
Passage à une de la figure
échelle
logarithmique 10 100 0.01 0.1 1 10 100
pour j 1
0.01
0.1 j
Exemple pour m=0.7 et 0=100
20 Q=12
Q=6
10 Q=1 Q=3
Q=0,707
Q=0,5 Q=2
Q=1,3
0
Gain (dB)
Q=0,4
Q=0,3
-10
-20
-30
Exemple pour m=0.1 et 0=100 Résonance marquée
le pôle étant proche
de l’axe des -40
imaginaires 0,1 1 f/f0 10
32
Plan du cours
33
Valeurs efficaces de signaux quelconques
I(t)
Exemple : Sur une charge donnée:
V(t) 1 𝑇
Courant efficace 𝐼𝑒𝑓𝑓 = 𝑖2 = ‫ 𝑖 ׬‬2 𝑡 𝑑𝑡
𝑇 0
On montre que 𝐼𝑒𝑓𝑓 = 𝑖 2 + σ∞ 2

𝑛=1 𝐼𝑒𝑓𝑓𝑛 = 𝑖 2 + 𝐼𝑒𝑓𝑓12 + 𝐼𝑒𝑓𝑓22 + ⋯
1 harmoniques
Valeur moyenne Fondamental Harmonique de rang 2
Fondamental
2 𝐼𝑒𝑓𝑓 2 = 𝑖 2 + 𝐼𝑒𝑓𝑓12 + 𝐼𝐻𝑀2

3
Valeur moyenne Fondamental Valeur efficace des
4 5 harmoniques
1 𝑇
Tension efficace 𝑉𝑒𝑓𝑓 = 𝑣2 = ‫ 𝑣 ׬‬2 𝑡 𝑑𝑡
𝑇 0
On montre que 𝑉𝑒𝑓𝑓 = 𝑣 2 + σ∞ 2
𝑛=1 𝑉𝑒𝑓𝑓𝑛 = 𝑣 2 + 𝑉𝑒𝑓𝑓12 + 𝑉𝑒𝑓𝑓22 + ⋯
Valeur moyenne Fondamental Harmonique de rang 2
𝑉𝑒𝑓𝑓 2 = 𝑣 2
+ 𝑉𝑒𝑓𝑓12 + 𝑉𝐻𝑀2
Valeur moyenne Fondamental Valeur efficace des

harmoniques 34
Puissance instantanée en régime sinusoïdal sur charge linéaire
Exemple :
La source 𝑣 𝑡 = 𝑉𝑒𝑓𝑓 2𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 dans le cas général 𝑖 𝑡 = 𝐼𝑒𝑓𝑓 2𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 − 𝜑
La puissance instantanée 𝑝 𝑡 = 𝑣 𝑡 𝑖 𝑡 = 2𝑉𝑒𝑓𝑓𝐼𝑒𝑓𝑓 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 − 𝜑
La forme 1: 𝑝 𝑡 = 𝑉𝑒𝑓𝑓 𝐼𝑒𝑓𝑓 𝑐𝑜𝑠 𝜑 + 𝑐𝑜𝑠 2𝜔𝑡 − 𝜑
La puissance moyenne est : 𝑉𝑒𝑓𝑓𝐼𝑒𝑓𝑓 𝑐𝑜𝑠 𝜑

La puissance peut être positive ( la source fournie à la charge)
Ou négative (le circuit restitue de la puissance à la source)
R= 100
R= 1
+ + + + + + + +
- - - -
- - - -
Présence de puissance active ET de Pratiquement que de la puissance
puissance réactive
𝑝 𝑡 = 𝑉𝑒𝑓𝑓𝐼𝑒𝑓𝑓 𝑐𝑜𝑠 𝜑 + 𝑐𝑜𝑠 2𝜔𝑡 − 𝜑 réactive
Forme 2 : 𝑝 𝑡 = 𝑣 𝑡 𝑖 𝑡 = 2𝑉𝑒𝑓𝑓𝐼𝑒𝑓𝑓 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 − 𝜑

𝑝 𝑡 = 2𝑉𝑒𝑓𝑓 𝐼𝑒𝑓𝑓 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 − 𝜑 + 𝜑 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 − 𝜑
𝑝 𝑡 = 2𝑉𝑒𝑓𝑓 𝐼𝑒𝑓𝑓 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 − 𝜑 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 − 𝜑 𝑐𝑜𝑠 𝜑 − 𝑠𝑖𝑛 𝜔𝑡 − 𝜑 𝑠𝑖𝑛 𝜑
𝑝 𝑡 = 𝑉𝑒𝑓𝑓 𝐼𝑒𝑓𝑓 𝑐𝑜𝑠 𝜑 1 + 𝑐𝑜𝑠 2 𝜔𝑡 − 𝜑 − 𝑉𝑒𝑓𝑓 𝐼𝑒𝑓𝑓 𝑠𝑖𝑛 𝜑 𝑠𝑖𝑛 2 𝜔𝑡 − 𝜑
Puissance active instantanée Puissance réactive instantanée

toujours >0 valeur moyenne nulle et
De valeur moyenne 𝑉𝑒𝑓𝑓 𝐼𝑒𝑓𝑓 𝑐𝑜𝑠 𝜑 d’amplitude 𝑉𝑒𝑓𝑓 𝐼𝑒𝑓𝑓 𝑠𝑖𝑛 𝜑
35
Les différentes puissances (généralisation)
Puissance apparente (en V.A) S = Veff.Ieff
1 𝑇 ∞
Puissance active (en W) P = 𝑝 = 𝑣. 𝑖 = ‫׬‬0 𝑣 𝑡 𝑖 𝑡 𝑑𝑡
𝑇
∞ Puissance réactive (en VAr) Q = ෍ 𝐼𝑒𝑓𝑓𝑛𝑉𝑒𝑓𝑓𝑛𝑠𝑖𝑛 𝜑𝑛
On montre que 𝑃 = 𝑣 𝑖 + ෍ 𝐼𝑒𝑓𝑓𝑛𝑉𝑒𝑓𝑓𝑛𝑐𝑜𝑠 𝜑𝑛 𝑛=1
𝑛=1
𝑃= 𝑣 𝑖 + Composantes continues 𝑄=
𝐼𝑒𝑓𝑓1𝑉𝑒𝑓𝑓1𝑐𝑜𝑠 𝜑1 + Composantes Fondamentales 𝐼𝑒𝑓𝑓1𝑉𝑒𝑓𝑓1𝑠𝑖𝑛 𝜑1 +
𝐼𝑒𝑓𝑓2𝑉𝑒𝑓𝑓2𝑐𝑜𝑠 𝜑2 + Composantes Harmonique de rang 2 𝐼𝑒𝑓𝑓2𝑉𝑒𝑓𝑓2𝑠𝑖𝑛 𝜑2 +
𝐼𝑒𝑓𝑓3𝑉𝑒𝑓𝑓3𝑐𝑜𝑠 𝜑3 + ⋯ Composantes Harmonique de rang 3 𝐼𝑒𝑓𝑓3𝑉𝑒𝑓𝑓3𝑠𝑖𝑛 𝜑3 + ⋯
Puissance transformable→ Puissance non-transformable mais très
Chaleur, lumière, action mécanique … Facteur de puissance PF = P/S courante (transformateur, moteur…)
Facteur de déplacement DPF = 𝑐𝑜𝑠 𝜑1
Puissance déformante (VAd) D = 𝑆 2 − 𝑃2 + 𝑄2
Valeur efficace des harmoniques

Taux de distorsion harmonique THD =
Valeur efficace du fondamental
VHM IHM
Pour la tension THDv = Pour le courant THDi =
Veff1 Ieff1
36
Quelques exemples importants (1)
Tension alternative purement sinusoïdale sur une charge linéaire. 𝑣 𝑡 = 𝑉𝑒𝑓𝑓1 2sin(𝜔𝑡)
Charge linéaire
• exemple : Résistance (ampoule à filament), condensateur, bobine…
• Tension et courant sont à la même fréquence, le déphasage et l’impédance Z = V/I sont fonction uniquement de la fréquence
Le courant sur la charge est alors purement sinusoïdal 𝑖 𝑡 = 𝐼𝑒𝑓𝑓1 2sin(𝜔𝑡 − 𝜑1 )
• Valeur efficace : Veff1 ; Ieff1 • Puissance apparente : S =Veff1 . Ieff1

• Valeur efficace des harmoniques : VHM=0 ; IHM = 0 • Puissance active : P =Veff1 . Ieff1 cos(1)
• Taux de distorsion : THDv= 0 ; THDi = 0 • Puissance réactive: Q =Veff1 . Ieff1 sin(1)
• Puissance déformante : 𝐷 = 𝑆 2 − 𝑃2 + 𝑄 2 = 0
• Facteur de puissance: FP = cos(1)
1 • Facteur de déplacement : DPF = cos(1)
Ex: Circuit RLC série : 𝑍 = 𝑅 + 𝑗 𝐿𝜔 − 𝐶𝜔
𝑉𝑒𝑓𝑓1 On dit que la capacité fournie de l’énergie réactive et les inductances
𝐼𝑒𝑓𝑓1 𝑒 −𝑗𝜑1 = 1 ainsi
𝑅+𝑗 𝐿𝜔−
𝐶𝜔 consomment de l’énergie réactive
𝑉𝑒𝑓𝑓1
Le module donne : 𝐼𝑒𝑓𝑓1 = La puissance réactive n’est pas imaginaire même si elle se représente souvent
1 2
𝑅2 + 𝐿𝜔−
𝐶𝜔 sous forme complexe. Le déphasage 1 est indique un retard (ou une avance) du
1
𝐿𝜔−
𝐶𝜔
courant sur la tension, donc pour avoir un Q il faut un courant dans la ligne
Et la phase : tan 𝜑1 = d’alimentation et une consommation d’énergie de la source.
𝑅
S
Q
𝜔
𝐼𝑒𝑓𝑓1
𝜑1 𝜑1
O
𝑉𝑒𝑓𝑓1 P
Représentation vectorielle des
Vecteurs des grandeurs primaires puissances 37
Quelques exemples importants (2)
Tension alternative purement sinusoïdale sur une charge non-linéaire et symétrique.
Ainsi pour n>2 Veffn =0 𝑣 𝑡 = 𝑉𝑒𝑓𝑓1 2sin(𝜔𝑡)
Charge linéaire
• exemple : Ampoule basse consommation, néon, alimentation à découpage, moteur à courant continu avec variateur
La valeur efficace du courant est alors 𝐼𝑒𝑓𝑓 = 𝐼𝑒𝑓𝑓12 + 𝐼𝑒𝑓𝑓22 + 𝐼𝑒𝑓𝑓32 + ⋯ ( la charge symétrique implique que <i>=0)
• Valeur efficace : Veff1 ; Ieff  Ieff1

• Valeur efficace des harmoniques : VHM=0 ; IHM = = 𝐼𝑒𝑓𝑓22 + 𝐼𝑒𝑓𝑓32 + ⋯
• Taux de distorsion : THDv= 0 ; THDi  0
• Puissance apparente : S =Veff1 . Ieff
• Puissance active : P =Veff1 . Ieff1 cos(1)
I(t)
V(t) • Puissance réactive: Q =Veff1 . Ieff1 sin(1)
• Puissance déformante : 𝐷 = 𝑆 2 − 𝑃2 + 𝑄 2 =
Veff12 . Ieff2 − Veff12 . Ieff12 = Veff1 Ieff2 − Ieff12 = Veff1IHM
Les harmoniques supérieures à 2 ne changent pas la puissance

1 active et réactive mais augmente la puissance déformante
Veff1 . Ieff1 cos(1) I cos(1)

Fondamental
𝑃
harmoniques • Facteur de puissance: FP = 𝑆 = Veff1 . Ieff = eff1 I
eff
=
Ieff1 cos(1)
cos(1) =
Ieff1 +IHM
2 2 1+THD𝑖 2
3
2 5
4 Le taux de distorsion du courant dégrade le facteur de puissance
38
Plan du cours
39
Principe d’un interrupteur
Iint Iint
Iint
Vint OFF state

OFF state
Vint Vint
Iint
ON state
ON state
Un interrupteur simple à deux états :
• Etat Ouvert (Off-state) i.e. Iint = 0 et Vint ≠ 0 OFF state
• Etat Fermé (On-state) i.e. Iint ≠ 0 et Vint = 0 Vint
ON state
Un interrupteur manuel fonctionne dans les 4 quadrants
Un interrupteur automatique peut fonctionner sur : OFF state

• 1 quadrant (Iint>0 et Vint >0)
• 2 quadrants : bidirectionnel en tension
Vint
ou bidirectionnel en courant
• 4 quadrants bidirectionnel en tension et en courant
ON state
40
Principe d’un interrupteur
exemple typique Iint
Iint
ON state
Il existe des interrupteurs passifs
C’est la polarité de la tension ou le sens du Vint
courant fixés par une source externe qui décide de OFF state
l’ouverture ou la fermeture de l’interrupteur
(point de polarisation) Vint
La diode
ID VK: Cathode
Iint VA: Anode
VD= VA-VK
Vint
exemple typique Iint
Iint
ON state
Il existe des interrupteurs actifs Control
Une commande électrique décide de Vint OFF state
l’ouverture ou la fermeture de l’interrupteur
Drain Vint
ID
Le transistor
IG 0 VDS
Grille
Il existe aussi d’autres composants (Thyristor, Diac) IS=ID

ou des combinaisons de ces deux principes VGS Source 41
Commutation interrupteur idéal
Interrupteur fermé
ON
Vs/100
Interrupteur ouvert
OFF
Vs
OFF-> ON : Fermeture de l’interrupteur
• Aucune perte de conduction à l’état ON ou OFF
• La commutation étant très rapide, pas de perte
ON-> OFF : Ouverture de l’interrupteur spécifique de commutation
42
Commutation interrupteur réel
1/RON
ON
OFF
1/ROFF
RON=ron//ROFF
𝑉𝑠 𝑅𝑂𝐹𝐹𝑉𝑠
𝑅𝑆 + 𝑅𝑂𝑁 𝑅𝑆 + 𝑅𝑂𝐹𝐹
ON OFF
Perte de Perte de
𝑅𝑂𝑁𝑉𝑠 𝑉𝑠 conduction conduction
𝑅𝑆 + 𝑅𝑂𝑁 𝑅𝑆 + 𝑅𝑂𝐹𝐹
Pas de perte spécifique lors de la commutation

43
Commutation interrupteur réel avec capacité parasite
1/RON
ON
OFF
1/ROFF
𝑉𝑠
𝑅𝑆 + 𝑅𝑂𝑁 𝑅𝑂𝐹𝐹𝑉𝑠
𝑅𝑆 + 𝑅𝑂𝐹𝐹 Pertes de
ON OFF commutation
𝑉𝑠
𝑅𝑂𝑁𝑉𝑠 𝑅𝑆 + 𝑅𝑂𝐹𝐹
𝑅𝑆 + 𝑅𝑂𝑁
OFF-> ON
44
Commutation sur charge inductive interrupteur réel
𝑅𝑂𝐹𝐹𝑉𝑠
Surtension
𝑉𝑠 ON -> OFF
𝑉𝑠
𝑅𝑂𝑁𝑉𝑠
𝑅𝑆 + 𝑅𝑂𝑁 𝑅𝑂𝐹𝐹𝑉𝑠
𝑉𝑠
𝑅𝑆 + 𝑅𝑂𝐹𝐹
OFF-> ON 𝑅𝑆 + 𝑅𝑂𝐹𝐹
𝑅𝑂𝑁𝑉𝑠
𝑅𝑆 + 𝑅𝑂𝐹𝐹 𝑉𝑠
𝑅𝑆 + 𝑅𝑂𝐹𝐹
Pas de perte de
Très forte perte
commutation
de commutation
supplémentaire
45
Commutation sur charge inductive avec diode de roue
libre
Plus de
surtension sur
l’interrupteur
Diode polarisée Diode bloquée
en direct
ON-> OFF
𝑉𝑠
Identique au
circuit sans diode
OFF-> ON
Pas de perte de commutation
supplémentaire
Limitation des
pertes à la
commutation
46
La diode en puissance
La diode est un composant semi-conducteurs non-linéaire
Schéma
VA: Anode ID VK: Cathode
VD= VA-VK 10
Tension de seuil :
Tension de claquage 9 VT ≃ 0.6V pour diode silicium
ID (mA)
8
de la diode Vbrk 7 10
6
9
5
4 8
3 7
2
VD (V) 1 6
ID (mA)
0 5
-100 -90 -80 -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 -1 0 10
4
-2
-3 3
-4 2
-5
1
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Caractéristique courant ID-tension VD
VD (V)
d’une diode silicium Caractéristique directe courant
ID/tension VD d’une diode silicium 47
Le transistor : généralité
Le transistor est un composant avec une entrée de commande qui permet de contrôler le
courant qui circulera en sortie.
C’est un composant semi-conducteur non linéaire qu’il faut polariser en entrée et en sortie.
Commande
Transistor
Commande
Circulation
Courant (ex: bipolaire) du courant
ou
Tension (ex: Effet de champ, JFET, MOS)
48
Le transistor à effet de champ type MOS
Commande en tension avec VGS qui contrôle ID
Schéma: MOS canal N
enrichissement 𝐼𝐷 = 𝐾 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 2
1 + 𝑉𝐷𝑆
Drain
Régime
Grille ID limite Zone de
IG 0 VDS ID (mA)
Pour VDS=VGS-VT saturation
VGS 
IS=ID
VGS
Blocage
Source
Avec : VT
• VT la tension de seuil (V)
𝛽 𝜇𝐶𝑜𝑥 𝑊 0 VT VGS (V) Zone VDS(V)
• 𝐾 = = ohmique
2 2 𝐿 Paramètre du
transistor (Cox, capacité d’oxyde, W 2
𝐼𝐷 = 𝐾 2 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐷𝑆
largeur de grille, L Longueur de grille,
µ mobilité des porteurs) (A/V²)
•  : conductance (négligeable en
première approximation) (S) Caractéristiques 2 quadrants d’un transistor à effet de champ MOS
49
Comparaison MOS type N et type P
Schéma: MOS canal N Schéma: MOS canal P
enrichissement enrichissement
Drain Drain
Grille ID>0 V >0 Grille ID<0 V <0
IG 0 DS IG 0 DS
IS=ID IS=ID
VGS>0 VGS<0
Source Source
Avec VTN>0 Avec VTP<0
Blocage du transistor
VGS<VTN ID=0 VGS >VTP

Saturation
VGS < VTP
VGS>VTN
et VDS<VGS-VTP
et VDS>VGS-VTN
2
𝐼𝐷 = 𝐾𝑁 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 2 𝐼𝐷 = 𝐾𝑃 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑃
50
MOS sur charge résistive: approche statique
Montage inverseur MOS avec une résistance de charge
Droite de charge statique
𝑉𝐷𝐷 = 𝑅𝐷 𝐼𝐷 + 𝑉𝑆
VDD
RD 4.0V
4.5V 3.5V
5.0V 3.0V
2.5V
0.01
ID Approche graphique
VS 0.008
ID (mA)
0.006
Ve VDD/RD P3 2.0V
VGS 5
P1
0.004
4.5
4 0.002 P2
P2 1.5V
Ve=VGS et Vs=VDS 3.5
Bloqué
P1
3 0
1.2V
Vs (V)
2.5 0 1 2 3 4 5
VDS (V)
Ve Vs 2 VDD
1.5
0 VDD 1 P3
0.5 P9
Exemple:
VDD ≃0 0 pour RD = 1000kΩ
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 Et β=10 µA/V²
Fonction logique d’un Ve (V)
inverseur
51
MOS sur charge résistive : Approche numérique
Montage inverseur MOS avec une résistance de charge
𝑉𝐷𝐷 = 𝑅𝐷 𝐼𝐷 + 𝑉𝑆
Trois zones de fonctionnement :
VDD 1. Transistor bloqué Ve < VT donc ID=0 et Vs=VDD
2. Transistor saturé VT < Ve < VS +VT donc :
RD
𝛽 𝛽𝑅
𝐼𝐷 = 𝑉𝑒 − 𝑉𝑇 2 et 𝑉𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐷 𝑉𝑒 − 𝑉𝑇 2
2 2
ID 3. Transistor linéaire Ve > VS + VT donc :
VS
𝛽
Ve 𝐼𝐷 = 2 𝑉𝑒 − 𝑉𝑇 𝑉𝑠 − 𝑉𝑠2 avec 𝑉𝐷𝐷 = 𝑅𝐷 𝐼𝐷 + 𝑉𝑆
2
VGS 𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝑆 𝛽
= 2 𝑉𝑒 − 𝑉𝑇 𝑉𝑠 − 𝑉𝑠2
𝑅𝐷 2
Ve=VGS et Vs=VDS
Dont la solution positive est
Ve Vs 2
1 1 2
0 VDD 𝑉𝑠 = + 𝑉𝑒 − 𝑉𝑇 + + 𝑉𝑒 − 𝑉𝑇 − 𝑉
VDD ≃0 𝛽𝑅𝐷 𝛽𝑅𝐷 𝛽𝑅𝐷 𝐷𝐷
Fonction logique d’un
inverseur
- Consommation de puissance lorsque Vs est à l’état bas
52
La charge active
Dans un circuit intégré les résistances prennent beaucoup de place, on remplace RD
par un transistor
Pour le transistor de charge
0.1 VGSC
0.09
on a la relation : VGSC=VDSC 5.0V
0.08
Transistor VDD 0.07
4.5V
de charge 0.06
VGSC=VDSC
ID (mA)
0.05
4.0V
0.04
VDSC 3.5V
0.03
0.02 3.0V
VGSC 0.01 2.5V
0
0 0.5 1
I2
1.5 DN 2.5V 3 3.5 V
4 4.5 5 0 1 2 3 4 5
VGS (V)DSN s
VDSC (V)
VDS (V)
Ve Le transistor se comporte pratiquement comme une

VGSN
résistance ce qui permet de polariser le transistor de signal
comme le montage précédent avec RD.
Le gain en petit signaux par contre est différent car la
charge vue en petits signaux est grande (a faire par vous-
Transistor même)
de signal
53
Le CMOS pour Complementary MOS
Circuit de base permettant de faire l’ensemble des fonctions logiques des
microcontrôleurs ou microprocesseurs modernes (sans doute le circuit le plus utilisé
au monde
Transistor
de charge
VDD
VGSP
VDSP
IDP
Ve IDN
VDSN Vs
VGSN
Transistor
de signal Tableau donnant les tensions et courants des transistors de la
cellule CMOS
54
Caractéristique (ID, Vs) en fonction de Ve d’un CMOS
En constatant que 𝐼𝐷𝑃 = −𝐼𝐷𝑁 il est possible de tracer les caractéristiques de
transfert du CMOS (voir TD) Vs (V), ID (mA)
Une cellule CMOS ne
VDD consomme de la puissance
VDD III
VGSP IV V
uniquement lors du
I II changement d’état
VDSP VS
IDP VDD
Ve(V)
Ve IDN VTN VE VTP
VDSN Vs
VGSN
Ve Vs
0 VDD La tension VE exacte de basculement est obtenue lorsque les deux transistors sont
VDD 0 saturée
𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝑇𝑃 + 𝑉𝑇𝑃 𝐾𝑁 Τ𝐾𝑃

Fonction logique d’un 𝑉𝐸 =
inverseur 1 + 𝐾𝑁 Τ𝐾𝑃
55
Plan du cours
56
Convertisseur DC/DC et quadrant de fonctionnement
Ie Convertisseur DC/DC Is
Vs Is
Ve =
Ps>0
Ps<0
La sortie utilise la
= La sortie fournie
puissance
de la puissance à
provenant de
Contrôle l’entrée
Feedforward Feedback l’entrée
Source en entrée en Contrôleur Source en sortie en

courant ou en tension courant ou en tension Ps>0 Vs
La sortie utilise la Ps<0
(ici en tension) Pe=Ve.Ie (ici en courant) Ps=Vs.Is
Référence puissance La sortie fournie
provenant de de la puissance à
l’entrée l’entrée
Hacheur série (abaisseur)
Si usage de …
…un quadrant : le convertisseur est
Hacheur parallèle (élévateur) unidirectionnel
…deux quadrants : bidirectionnel en tension
ou en courant
… quatre quadrants : bidirectionnel en
Hacheur à accumulateur tension et en courant
inductif (abaisseur-élévateur)
Hacheur à accumulateur
capacitif (abaisseur-élévateur) 57
Les sources
Les sources idéales Les sources réelles
Source de tension Source de courant Source de tension Source de courant
Ig
Ig Ig
R R
E E R R
Allumée Eteinte Allumée Eteinte Allumée Eteinte Allumée Eteinte

V V V V
R
E E R
I I I I
Ig Ig
58
Combinaisons autorisées et amélioration
Combinaisons Amélioration d’une
source réelle
Ig2
Ig i L i
E2 Ig
R avec L
Ig1 E sans L
t
E1
Ig1 Ig2 v
E1 E2 R
C
avec C
E sans C
t
59
Transformation des sources et équivalence
Transformations Equivalences
Ig
E E
E lissé par C
Les capacités s’opposent

aux variation de tension
Source de courant → Récepteur type

source de tension source de tension
Ig Ig
Ig lissé par L
E E
Les inductances s’opposent
aux variation de courant
Source de tension → Récepteur type

source de courant source de courant
60
Plan du cours
61
Usage sur une cellule solaire
On souhaite transférer l’énergie fournie

par un panneau solaire de façon optimal à
une charge fixe
62
La photodiode : généralité
La photodiode a ne pas Isc : Courant de court-circuit
confondre avec une diode V0 : Tension de circuit ouvert
classique même si sa Ip : courant photonique
caractéristique en l’absence de Iphoto (mA)
lumière est celle d’une diode. Schéma Quadrant récepteur
Il s’agit d’un capteur sensible Non utilisé
au flux lumineux qui engendre
un courant Ip dans le circuit P1
électrique Iphoto Vphoto
Tension
de circuit
ouvert
Vcc V02 V03
V01
Ip1 Isc1 Vphoto (V)
Flux lumineux Ev
Ip2
Isc2
Ip3
Isc3
Quadrant récepteur Quadrant générateur

(Photorécepteur) (photovoltaïque)
63
Le quadrant de fonctionnement des panneaux solaires
Les panneaux solaire utilise des photodiodes dans
le quadrant générateur, le courant Igene circule
dans l’autre sens par rapport à la convention
recepteur Iphoto Iphoto (mA)
Quadrant récepteur
Non utilisé
Igéné
Vphoto=Vgene
P1
Tension
Iphoto de circuit
ouvert
Vcc V02 V03
V01
Ip1 Isc1 Vphoto (V)
Flux lumineux Ev
Ip2
Isc2
Ip3
Isc3
Quadrant récepteur Quadrant générateur

(Photorécepteur) (photovoltaïque)
64
Schéma équivalent d’un panneau solaire
Source de courant
Igene (A)
débitant un courant
RP
Isc3
Rs
Flux lumineux Ev
fonction de la lumière Igene Ip3
reçue
Isc2 Rs
Ip
Vgene Ip2
Rp Isc1
Ip1
Vgene (V)
court-circuit
Courant de
Diode de la jonction Résistances Vco1 Vco3
créer dans le matériau internes Vco2
Tensions de
Exemple: circuit ouvert
Lieu du maximum du
puissance
La résistance optimale permettant d’obtenir le

maximum de puissance de la cellule solaire est
fonction de l’illumination de la cellule.
→ Il faut ajuster la charge en temps réelle 65
Convertisseur hacheur parallèle, élévateur, boost
Ie Is
Ve = Vs
L’objectif de ce circuit c’est fixer la
= tension moyenne <Vs> avec :
• <Vs> > Ve
PWM • <Vs> réglable selon le rapport
Le cyclique de la PWM
Ie Is Is
Vs Ps>0
Ve = Ps<0
La sortie fournie
puissance
de la puissance à
= Cs Rs l’entrée
provenant de
l’entrée
PWM Vs
Ps>0
Le La sortie utilise la Ps<0
Ie Is La sortie fournie
puissance
de la puissance à
Ve Vs provenant de
l’entrée
D l’entrée
T Cs Rs
PWM
66
Circuits équivalents, boost
Le
Ie Is
Ve Vs
D
T Cs Rs
PWM
T bloqué
T bloqué
T saturé
T saturé
T saturé
T t
Le Le
Ve Ie Is=0 Vs Ve Ie Is Vs
D D
T T
Cs Rs Cs Rs
T saturé
T bloqué
L’énergie est stockée dans Le Bascule entre les deux L’énergie est distribuée à la charge avec CS qui
maintient la tension
configurations
67
Simulation d’un circuit Boost
IS
Exemple de circuit avec une PWM à une
Ie 10m
It D IRs fréquence de 100kHz
T
Vei Vs 20% Vs 50% Vs 80%
Evolution de la tension de sortie en fonction du rapport cyclique (20%

50% et 80%)
Formes d’ondes
IS
Ie 10m
It D ICs IRs fréquence de 100kHz (rapport cyclique  20%)
T Courants
Ie IRS
On note: IS
Dans la résistance Rs : Ondulation résiduelle négligeable
Approximation des oscillations faibles:
• Vs(t) = Vs puisque vs(t)  0 La sortie se comporte T bloqué T bloqué T bloqué
D passant
• IRs(t) = IRs puisque iRs(t)  0 bien comme une source D passant D passant
de tension
Le courant Ie :Ondulation faible
Approximation des oscillations faibles: It
• Ie(t) = Ie puisque ie(t)  0 L’entrée se comporte bien
T passant
T passant
D bloqué
D bloqué
comme une source de
T passant
D bloqué
courant
Tensions
Vs Ve Vei
ICS
T passant
T passant
D bloqué
T passant
D bloqué
D bloqué
T bloqué T bloqué T bloqué

D passant D passant D passant
69
Première approche
IS
Ie 10m
It D ICs IRs fréquence de 100kHz (rapport cyclique  20%)
T Courants
Ie IRS
On note:
IS
Dans l’inductance Le : Ie(t) = Ie +ie(t)
Lorsque T passant : It(t) = Ie(t) ↗ et D bloqué
Lorsque T bloqué : It(t) = 0 et D passant IS(t) = Ie(t) ↘
It
Dans le condensateur CS : ICs(t)= IS(t)- IRs
T passant
T passant
D bloqué
D bloqué
T passant
D bloqué
Tensions
Vs Ve Vei
ICS
T passant
T passant
D bloqué
T passant
D bloqué
D bloqué

70
Etude de Le : Tension et courant
IS VLe
Ie 10m
It D ICs IRs
T
Ie
Tension et courant sur Le : 𝑑𝐼𝑒 𝑡 1 𝑉𝑒𝑖

• Pendant T (T passant) : VLe = Vei 𝑉𝐿𝑒 𝑡 = 𝐿𝑒  𝐼𝑒 𝑡 = න 𝑉𝑒𝑖 𝑑𝑡 = 𝑡 + 𝐾1 Courant croissant
𝑑𝑡 𝐿𝑒 𝐿𝑒
𝑑𝐼𝑒 𝑡 1 𝑉𝑒𝑖 − 𝑉𝑠
• Pendant (1- )T (T bloqué) : VLe = Vei –Vs 𝑉𝐿𝑒 𝑡 = 𝐿𝑒  𝐼𝑒 𝑡 = න 𝑉𝑒𝑖 − 𝑉𝑠 𝑑𝑡 = 𝑡 + 𝐾2 Courant décroissant
(en négligeant la tension de diode) 𝑑𝑡 𝐿𝑒 𝐿𝑒
𝑉𝑒𝑖 Pour limiter les ondulations de courant, il faut que Le soit

Ondulation du courant dans Le ∆𝐼𝑒 𝑡 = 𝑇
𝐿𝑒 grand et la fréquence grande
1 𝑇
Continuité du courant dans Le 𝐼𝑒 𝑇 − 𝐼𝑒 0 = න 𝑉𝐿𝑒 𝑡 𝑑𝑡 = 0
𝐿𝑒 0
1 𝑇 1 𝑇 1 𝑇
Valeur moyenne de la tension sur Le 𝑉𝐿𝑒 𝑡 = න 𝑉𝐿𝑒 𝑡 𝑑𝑡 = න 𝑉𝑒𝑖 𝑑𝑡 + න 𝑉𝑒𝑖 − 𝑉𝑠 𝑑𝑡 = 𝑉𝑒𝑖 + 1 −  𝑉𝑒𝑖 − 𝑉𝑠
𝑇 0 𝑇 0 𝑇 𝑇
1
En régime permanent 𝑉𝐿𝑒 𝑡 =0 ainsi 𝑉𝑠 = 𝑉
1 −  𝑒𝑖
71
Etude de Cs : Tension et courant
IS Vs
Ie 10m
It D IRs
ICs
T
ICs
Tension et courant sur Cs : 𝑑𝑉𝑠 𝑡 1 𝑉𝑠 𝑉𝑠

• Pendant T (T passant) : IS = 0 ainsi ICs=-Vs/Rs 𝐼𝐶𝑠 𝑡 = 𝐶𝑆  𝑉𝑆 𝑡 = න − 𝑑𝑡 = − 𝑡 + 𝐾3 Tension décroissante
𝑑𝑡 𝐶𝑆 𝑅𝑠 𝐶𝑆 𝑅𝑠
𝑑𝑉𝑠 𝑡 1 𝑉𝑠 1 𝑉𝑠 Tension croissante

• Pendant (1- )T (T bloqué) : IS = Ie ainsi ICs = Ie - Vs/Rs 𝐼𝐶𝑠 𝑡 = 𝐶𝑆  𝑉𝑆 𝑡 = න 𝐼𝑒 − 𝑑𝑡 = 𝐼𝑒 − 𝑡 + 𝐾4
𝑉𝑠 Pour limiter les ondulations de tension, il faut que Cs
Ondulation résiduelle de la tension sur CS ∆𝑉𝑠 𝑡 = 𝑇
𝐶𝑆 𝑅𝑠 (et ou Rs) soit grand et la fréquence grande
1 𝑇
Continuité de la tension sur CS 𝑉𝑆 𝑇 − 𝑉𝑆 0 = න 𝐼 𝑡 𝑑𝑡 = 0
𝐶𝑆 0 𝐶𝑠
1 𝑇 1 𝑇 𝑉𝑠 1 𝑇 𝑉𝑠 𝑉𝑠 𝑉𝑠
Valeur moyenne du courant dans Cs 𝐼𝐶𝑠 𝑡 = න 𝐼𝐶𝑠 𝑡 𝑑𝑡 = න − 𝑑𝑡 + න 𝐼𝑒 − 𝑑𝑡 = − + 1 −  𝐼𝑒 −
𝑇 0 𝑇 0 𝑅𝑠 𝑇 𝑇 𝑅𝑠 𝑅𝑠 𝑅𝑠
1 𝑉𝑠 1 𝑉𝑒𝑖
En régime permanent 𝐼𝐶𝑠 𝑡 =0 ainsi 𝐼𝑒 = =
1 −  𝑅𝑠 1− 2𝑅
𝑠
72
Pour résumer
1
Valeur moyenne de la tension en sortie 𝑉𝑠 = 𝑉
1 −  𝑒𝑖
Ondulation résiduelle ∆𝑉𝑠 𝑡 𝑇
=
de la tension : 𝑉𝑠 𝐶𝑆 𝑅𝑠
𝑉𝑠
Ondulation résiduelle de la tension ∆𝑉𝑠 𝑡 = 𝑇
𝐶𝑆 𝑅𝑠
En pratique on recherche idéalement un
taux d’ondulation <1% sur la tension
d’entrée
1 𝑉𝑒𝑖
Valeur moyenne du courant demandé en 𝐼𝑒 =
entrée 1− 2𝑅
𝑠
Ondulation ∆𝐼𝑒 𝑡 𝑅𝑠
résiduelle sur le = 1 −  2 𝑇
courant d’entrée : 𝐼𝑒 𝐿𝑒
𝑉𝑒𝑖
Ondulation du courant demandé en entrée ∆𝐼𝑒 𝑡 = 𝑇 L’ondulation sur la courant d’entrée est
𝐿𝑒
fortement dépendante du rapport cyclique
Le maximum d’ondulation est obtenu pour
un rapport cyclique de 1/3
Pour l’application sur la panneau solaire il

𝑉𝑒𝑖 apparait que la variation du rapport
Résistance équivalente de l’entrée du circuit BOOST 𝑅𝑒 = = 1 −  2 𝑅𝑠
𝐼𝑒 cyclique permet d’ajuster la résistance
équivalante
73
Recherche du maximum de puissance sur un panneau
solaire
Résistance équivalente vue de l’entrée d’un boost 𝑉𝑒𝑖
𝑅𝑒 = = 1 −  2 𝑅𝑆 La résistance optimum sera donnée pour un  donné
𝐼𝑒
P<0
P<0
P>0
P>0
P>0
P>0
P>0
P>0
P>0
P>0
74
Plan du cours
75
Séparation galvanique entre la charge et la source
Un circuit de puissance doit alimenter un

circuit de commande. Toutefois, les deux
circuits doivent avoir une isolation
galvanique.
76
Convertisseur hacheur a convertisseur inductif,
abaisseur-élévateur, flyback
Ie Is
Ve = Vs L’objectif de ce circuit c’est fixer la
tension moyenne <Vs> avec :
= • 0 < <Vs> > Ve
• <Vs> réglable selon le rapport
PWM cyclique de la PWM
Ie Is
Ve = Vs Is
Ps>0
= Cs Rs Ps<0
La sortie fournie
puissance
de la puissance à
PWM provenant de
l’entrée
l’entrée
Is Vs
Ie Ps>0 Vs
D La sortie utilise la Ps<0
puissance La sortie fournie
Ve Cs Rs provenant de de la puissance à
T
PWM 77
Les circuits magnétiques
On rencontre souvent des transformateurs en électronique de puissance
Relation de base appliqué à la géométrie ci-contre : Matériau magnétique de perméabilité µ
𝑥2 Surface
Force magnétomotrice : 𝐹 = ‫𝑥׬‬1 𝐻. 𝑑𝑙 = 𝐻𝑙𝑚 perpendiculaire Ac Contour
fermé lm
Flux magnétique :  = ඵ 𝐵. 𝑑𝐴 = 𝐵𝐴𝑐
𝐴𝑐
i(t) courant induit i(t)
𝑑 𝑡 𝑑𝐵 𝑡
Loi de Faraday (1 spire): 𝑢 𝑡 = = 𝐴𝑐
𝑑𝑡 𝑑𝑡 -
(t) u(t)
+
Loi d’Ampère : ර 𝐻. 𝑑𝑙 = ෍ 𝑖 𝑡
𝑐𝑜𝑢𝑝𝑎𝑛𝑡 𝑙𝑒 Champ magnétique uniforme et constant H
𝑐𝑜𝑛𝑡𝑜𝑢𝑟 𝑓𝑒𝑟𝑚é Induction magnétique uniforme et constant B
B= µH
𝐹 = 𝐻𝑙𝑚 = ෍ 𝑖 𝑡 𝐹 = 𝐻𝑙𝑚 = 𝑛𝑖 𝑡
Pour n spires
Faraday 𝑙𝑚
u(t) B(t), (t) 𝐹 = 𝐻𝑙𝑚 =  = 
Circuit Circuit
𝜇𝐴𝑐
électrique magnétique
i(t) H(t), F(t) Résistance magnétique
Ampère
𝑛𝑖 𝑡 = 
2
𝑑𝐵 𝑡 𝑑𝐻 𝑡 𝜇𝑛 𝐴𝑐 𝑑𝑖 𝑡 𝑑𝑖 𝑡
𝑢 𝑡 = 𝑛𝐴𝑐 = 𝜇𝑛𝐴𝑐 = =𝐿
𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝑙𝑚 𝑑𝑡 𝑑𝑡
78
Le transformateur parfait
Circuit magnétique équivalent
n1 spires n2 spires 
i1(t) i2(t) 
u1(t) u2(t) n1i1 n2i2
𝑛1 𝑖1 𝑡 + 𝑛2 𝑖2 𝑡 =  𝑡
𝑑1 𝑡 𝑑2 𝑡 i1(t) n1: n2 i2(t)

Transformateur parfait =0 : n1i1= - n2i2 avec 𝑢1 𝑡 = 𝑛1 𝑢2 𝑡 = 𝑛2
𝑑𝑡 𝑑𝑡
𝑢 𝑡 𝑢2 𝑡
Soit finalement n1i1= - n2i2 et 1 = u1(t) u2(t)
𝑛1 𝑛2 𝑛1
0
𝑢1 𝑛2 𝑢2
Forme matricielle : 𝑖1 = 𝑛2 −𝑖2
0
𝑛1
Augmenter la fréquence de fonctionnement d’un transformateur permet

d’augmenter les tensions induites. Pour une tension fixée une fréquence
élevée permet de réduire la taille du transformateur
Les transformateurs réels
Circuit magnétique équivalent
n1 spires n2 spires 
i1(t) i2(t) 
u1(t) u2(t) n1i1 n2i2
𝑛1 𝑖1 𝑡 + 𝑛2 𝑖2 𝑡 =  𝑡
𝑑1 𝑡 𝑑2 𝑡
Transformateur réel  ≠ 0 𝑛1 𝑖1 𝑡 + 𝑛2 𝑖2 𝑡 =  𝑡 𝑢1 𝑡 = 𝑛1 𝑢2 𝑡 = 𝑛2
𝑑𝑡 𝑑𝑡
𝑛12 𝑑𝑖1 𝑡 𝑛1𝑛2 𝑑𝑖2 𝑡 𝐿1 𝐿1 𝐿2 𝐿1 𝑛1
𝑢1 𝑡 = + 𝑢1 = 𝑢2 − 𝑗𝜔 − 𝑀 𝑖2 𝑢1 = 𝑢 0
 𝑑𝑡  𝑑𝑡 𝑀 𝑀 𝑀 2 𝑢1 𝑛2 𝑢2
Inductance Inductance 𝑖1 = 𝑛2 𝑛2 −𝑖2
1 𝐿2 1 𝐿2
primaire :L1 Mutuelle : M 𝑖1 = 𝑢2 − 𝑖2 𝑖1 = 𝑢2 − 𝑖2
𝑗𝜔𝑀 𝑀 𝑗𝜔𝑀 𝑀 𝑗𝜔𝑛1 𝐿1 𝑛1
𝑛1𝑛2 𝑑𝑖1 𝑡 𝑛22 𝑑𝑖2 𝑡
𝑢2 𝑡 = + En l’absence de fuite magnétique
 𝑑𝑡  𝑑𝑡 𝑢1 𝑡 =
𝑛12 𝑑 𝑛2
𝑖1 𝑡 + 𝑖2 𝑡 = 𝐿1
𝑑𝑖ℎ 𝑡
𝑀
Inductance Inductance On constate que 𝑘 = =1  𝑑𝑡 𝑛1 𝑑𝑡
Mutuelle : M secondaire :L2 𝐿1 𝐿2
i1(t) n2/n1i2(t) n1: n2 i2(t)
𝑛
On note souvent 𝑛 = 𝑛2
1 u1(t) u2(t)
L1
80
Circuits équivalents, flyback
Modèle du transformateur
1:n Is Vs
Ie D
L1
Ve Cs Rs
PWM
T
T bloqué
T bloqué
T saturé
T saturé
T saturé
PWM
T
Is Is Vs
1:n Vs 1:n
Ve Ie
Ie D D
L1 L1
Cs Rs Cs Rs
Ve
T saturé T bloqué
L’énergie est stockée dans L1 L’énergie stockée dans L1 est distribuée à la

Bascule entre les deux charge avec CS qui maintient la tension
configurations 81
Simulation d’un circuit flyback
D IS
Ie 10m
ICs IRs fréquence de 100kHz
It
T
Vs 20% Vs 50% Vs 80%

Elévateur
Vei= 5V
Abaisseur
Evolution de la tension de sortie en fonction du rapport cyclique (20%

50% et 80%)
D
Formes d’ondes
IS
Ie 10m
ICs IRs Exemple de circuit avec une PWM à une
It fréquence de 100kHz (rapport cyclique  20%)
T Courants IRS
Ie
On note: IS
Dans la résistance Rs : Ondulation résiduelle négligeable
Approximation des oscillations faibles:
• Vs(t) = Vs puisque vs(t)  0 La sortie se comporte T bloqué
T bloqué T bloqué
• IRs(t) = IRs puisque iRs(t)  0 bien comme une source
D passant
D passant D passant
de tension
It
T passant
T passant
D bloqué
D bloqué
T passant
D bloqué
Vout-VM Tensions VT
Ve ICS
T passant
T passant
D bloqué
T passant
D bloqué
D bloqué

83
Etude du transformateur
I
: Tension et courant
S
VT
Ie ICs IRs
It
T
Ie
nIs=0 1:n IS=0 nIs 1:n IS

Ie Ie=0
Vei Vei
LP Vse=-nVei LP Vse=-n(Vei - VT)=VsM
Attention à la position
du point chaud
VT
T passant T bloqué
La tension Vei est directement sur LP et le Le courant nIS circule dans LP, La
courant IE traverse LP tension VT>Vei et constante Si Lp est suffisamment
• Pendant T (T passant) : VLp = Vei • Pendant (1- )T (T bloqué) : VLp = Vei –VT grand Is est constant
𝑑𝐼𝑒 𝑡 1 𝑉𝑒𝑖 𝑑𝑛𝐼𝑠 𝑡 1 𝑉𝑒𝑖 − 𝑉𝑇

𝑉𝐿𝑝 𝑡 = 𝐿𝑝  𝐼𝑒 𝑡 = න 𝑉𝑒𝑖 𝑑𝑡 = 𝑡 + 𝐾1 𝑉𝐿𝑝 𝑡 = 𝐿𝑝  𝑛𝐼𝑠 𝑡 = න 𝑉𝑒𝑖 − 𝑉𝑇 𝑑𝑡 = 𝑡 + 𝐼𝑠𝐶
𝑑𝑡 𝐿𝑝 𝐿𝑝 𝑑𝑡 𝐿𝑝 𝐿𝑝
Rappel: Vei-VT<0
Courant croissant Courant décroissant 84
Etude du transformateur
I
: Tension et courant
S
VT
Ie ICs IRs
It
T
Ie
1 𝑇
Continuité du courant dans LP 𝐼𝐿𝑝 𝑇 − 𝐼𝐿𝑝 0 = න 𝑉𝐿𝑝 𝑡 𝑑𝑡 = 0
𝐿𝑝 0
1 𝑇 1 𝑇 1 𝑇
Valeur moyenne de la tension sur LP 𝑉𝐿𝑃 𝑡 = න 𝑉𝐿𝑝 𝑡 𝑑𝑡 = න 𝑉𝑒𝑖 𝑑𝑡 + න 𝑉𝑒𝑖 − 𝑉𝑇 𝑑𝑡 = 𝑉𝑒𝑖 + 1 −  𝑉𝑒𝑖 − 𝑉𝑇
𝑇 0 𝑇 0 𝑇 𝑇
En régime permanent 𝑉𝐿𝑃 𝑡 =0 ainsi 1 En l’absence de perte Joule dans le primaire VT est constant
𝑉𝑇 = 𝑉𝑒𝑖
1− pendant la période de blocage du transistor T

Ainsi la tension sur le secondaire : 𝑉𝑠𝑀 = −𝑛 𝑉𝑒𝑖 − 𝑉𝑇 = 𝑛 𝑉
1 −  𝑒𝑖
Cette tension apparait sur le secondaire pendant la période où le transistor est bloqué
Cette tension est maintenue pendant la saturation de T aux bornes de la capacité
85
Etude de Cs : Tension et courant
D IS
VsM
Ie 10m
ICs IRs
It
T
ICs
Tension et courant sur Cs : 𝑑𝑉𝑠𝑀 𝑡 1 𝑉𝑠𝑀 𝑉𝑠𝑀

• Pendant T (T passant) : IS = 0 ainsi ICs=-VsM/Rs 𝐼𝐶𝑠 𝑡 = 𝐶𝑆  𝑉𝑠𝑀 𝑡 = න − 𝑑𝑡 = − 𝑡 + 𝐾3 Tension décroissante
𝑉𝑒𝑖 −𝑉𝑇 𝐼𝑠𝐶 𝐾2 𝐼𝑠𝐶 𝑑𝑉𝑠𝑀 𝑡 1 𝐼𝑠𝐶 𝑉𝑠𝑀 1 𝐼𝑠𝐶 𝑉𝑠𝑀

• Pendant (1- )T (T bloqué) : 𝐼𝑠 = 𝑡 + ≈ ainsi ICs = - VsM/Rs 𝐼𝐶𝑠 𝑡 = 𝐶𝑆  𝑉𝑠𝑀 𝑡 ≈ න − 𝑑𝑡 = − 𝑡 + 𝐾4
𝑛𝐿𝑝 𝑛 𝑛 𝑛 𝑑𝑡 𝐶𝑆 𝑛 𝑅𝑠 𝐶𝑆 𝑛 𝑅𝑠
Tension croissante
𝑉𝑠𝑀 Pour limiter les ondulations de tension, il faut que Cs (et ou Rs)
Ondulation résiduelle de la tension sur CS ∆𝑉𝑠 𝑡 = 𝑇
𝐶𝑆 𝑅𝑠 soit grand et la fréquence grande
1 𝑇
Continuité de la tension sur CS 𝑉𝑆 𝑇 − 𝑉𝑆 0 = න 𝐼𝐶𝑠 𝑡 𝑑𝑡 = 0
𝐶𝑆 0
1 𝑇
1 𝑇 𝑉𝑠 1 𝑇 𝐼𝑠𝐶 𝑉𝑠 𝑉𝑠 𝐼𝑠𝐶 𝑉𝑠
Valeur moyenne du courant dans Cs 𝐼𝐶𝑠 𝑡 = න 𝐼𝐶𝑠 𝑡 𝑑𝑡 = න − 𝑑𝑡 + න − 𝑑𝑡 = − + 1 −  −
𝑇 0 𝑇 0 𝑅𝑠 𝑇 𝑇 𝑛 𝑅𝑠 𝑅𝑠 𝑛 𝑅𝑠
𝐼𝐶𝑠 1 𝑉𝑠𝑀
En régime permanent 𝐼𝐶𝑠 𝑡 =0 ainsi =
𝑛 1 −  𝑅𝑠
86
Plan du cours
87
Usage sur un moteur
On souhaite alimenter un moteur en

contrôlant sa vitesse et inversement
utiliser le moteur comme génératrice
88
Les machines à courant continu
Deux parties principales Deux modes de fonctionnement
Rotor : la partie mobile qui porte l’induit Moteur Génératrice
Stator : la partir fixe qui porte l’inducteur
Source
M G RL
Rotation  Rotation 
(rad/s) (rad/s)
Energie Energie Energie Energie
Electrique Mécanique Mécanique Electrique
Différentes configurations
Les moteurs à aimants permanents (très Les moteurs à inducteur bobiné Les moteurs sans-balais (Brushless)
courant en faible puissance) • Induit : bobinage • Induit : Aimant permanent
• Induit : bobinage • Inducteur : bobinage • Inducteur : bobinage
• Inducteur : Aimants permanents • La rotation est assurée par le collecteur • La rotation est assurée par une
• La rotation est assurée par le collecteur qui change la polarité dans les bobines alimentation alternatives des bobines
qui change la polarité dans les bobines de de l’induit de l’inducteur
l’induit
Inducteur
Inducteur
Induit
M
Induit
89
Equations de fonctionnement
Schéma équivalent I(t)
Equation mécanique Equation électrique
𝑑(𝑡) 𝑑𝐼(𝑡)
U(t) 𝐽 = 𝐶𝑚 (𝑡) − 𝐶𝑟 (𝑡) 𝑈 𝑡 = 𝐸 𝑡 + 𝑅𝐼 𝑡 + 𝐿
Induit
L 𝑑𝑡 𝑑𝑡
Ex: 𝐶𝑟 (𝑡) = 𝑓(𝑡)
M 𝑈 𝑝 = 𝐸 𝑝 + 𝑅𝐼 𝑝 + 𝐿𝑝𝐼(𝑡)
𝐽𝑝(𝑝) = 𝐶𝑚 (𝑝) − 𝐶𝑟 (𝑝)
Induit
R
Equations de couplage
Rotation 
(rad/s) 𝐶𝑚 (𝑡) = 𝐾𝐼(𝑡) Couple mécanique-courant dans l’induit
E=K Couple mécanique Cm
(N.m) 𝐸 𝑡 = 𝐾′(𝑡) Vitesse de rotation-Force electromotrice
Bilan de puissance (en negligeant les pertes)

Le moteur fait une conversion de puissance
𝐶𝑚 (𝑡)(𝑡) = 𝐸 𝑡 𝐼(𝑡) Implique K=K’
Puissance Puissance
mécanique électrique
Equations bilan couplant action mécanique et électrique
𝐽𝑝(𝑝) = 𝐾𝐼(𝑝) − 𝐶𝑟 (𝑝)
𝑈 𝑝 = 𝐾(𝑝) + 𝑅𝐼 𝑝 + 𝐿𝑝𝐼(𝑡)
90
Fonctionnement statique
Schéma équivalent I(t)
𝐽𝑝(𝑝) = 𝐾𝐼(𝑝) − 𝐶𝑟 (𝑝) 𝑈 𝑝 = 𝐾(𝑝) + 𝑅𝐼 𝑝 + 𝐿𝑝𝐼(𝑡)
U(t)
Induit
L
Vitesse de rotation constant pas d’évolution
M
temporelle (statique) donc p=0
Induit
R
Rotation 
0 = 𝐾𝐼 − 𝐶𝑟 𝑈 = 𝐾 + 𝑅𝐼
(rad/s)
𝐾𝐼 = 𝐶𝑟 𝐶𝑚
𝑈 = 𝐾 + 𝑅
(N.m) 𝐾
𝐶𝑚 = 𝐶𝑟 = 𝑓
𝐸 Les couples s’équilibrent en
= l’absence de charge sur le rotor
𝐾 U croissant
𝐾2 𝐾 𝑈 𝑅
𝑈
𝐶𝑚 = − + 𝑈 ou = − 𝐶
𝐾 𝑅 𝑅 𝐾 𝐾2 𝑚
𝐶𝑟 𝐶𝑚 = 𝐾𝐼
NB: Sans charge le moteur démarre seul

Avec un charge il faut une tension de démarrage 91
Contrôle de la vitesse par la tension
Schéma équivalent I(t) Fonctionnement dynamique (cas d’un régime visqueux)
U(t) 𝐽𝑝(𝑝) = 𝐶𝑚 (𝑝) − 𝐶𝑟 (𝑝)

Induit
L
𝑈 𝑝 = 𝐸 𝑝 + 𝑅𝐼 𝑝 + 𝐿𝑝𝐼(𝑡)
M 𝐶𝑚
𝑈 𝑝 = 𝐾 𝑝 + 𝑅 + 𝐿𝑝
Induit
R 𝐾
𝐽𝑝 𝑝 + 𝑓 𝑝
Rotation  𝑈 𝑝 = 𝐾 𝑝 + 𝑅 + 𝐿𝑝
𝐾
(rad/s) 𝑅𝑓 𝑝 𝐽𝐿 𝑝
𝑈 𝑝 = 𝐾 𝑝 +  𝑝 + 𝐽𝑅 + 𝐿𝑓  𝑝 + 𝑝²
𝐾 𝐾 𝐾
(N.m)
 𝑝 1 1
=
𝑈 𝑝 𝐾 𝑅𝑓 𝐽𝑅 + 𝐿𝑓 𝐽𝐿
1+ +𝑝 + 𝑝²
𝐾² 𝐾² 𝐾²
 𝑝 𝐾 1 1
= = 𝐻0
𝑈 𝑝 𝐾² + 𝑅𝑓 1 + 𝑝 𝐽𝑅 + 𝐿𝑓 + 𝑝² 𝐽𝐿 1 + 𝜏 + 𝛼𝜏𝑒 𝑝 + 𝜏𝜏𝑒 𝑝²
𝐾² + 𝑅𝑓 𝐾² + 𝑅𝑓
Simplification parfois possible :

Fonction de transfert d’un système d’ordre 2
𝐾 La résistance de l’induit est faible ainsi que les frottements:
avec 𝐻0 = le gain statique  𝑝 1
𝐾²+𝑅𝑓
= 𝐻0
𝑅𝐽 𝑈 𝑝 1 + 𝜏𝑝 + 𝜏𝜏𝑒 𝑝²
𝜏= la constante de temps électromécanique
𝐾²+𝑅𝑓
𝐿 L’inertie du moteur est grande (J grand) ainsi la partie électromécanique
𝜏𝑒 = la constante de temps électrique est plus lente que la partie électrique ainsi >> e ( + e)
𝑅
𝑅𝑓
𝛼= le facteur d’amortissement électromécanique  𝑝 1 1
𝐾²+𝑅𝑓 = 𝐻0 = 𝐻0
𝑈 𝑝 1 + 𝜏 + 𝜏𝑒 𝑝 + 𝜏𝜏𝑒 𝑝² 1 + 𝜏𝑝 1 + 𝜏𝑒 𝑝
92
Contrôleur quatre-quadrants
Ie Is
Un contrôleur quatre quadrants permet de changer le
Ve = Vs signe de la tension sur la charge et autorise le double sens
de circulation du courant ce qui permet toutes les
configurations pour la distribution de la puissance
=
PWM Ls
Ie Is
Ve = Vs E Is
Ps>0
= Ps<0
La sortie fournie
puissance
de la puissance à
provenant de
PWM l’entrée
l’entrée
Ps>0 Vs
La sortie utilise la Ps<0
puissance La sortie fournie
provenant de de la puissance à
Contrôleur quatre-quadrants
VDD Interrupteur 2 quadrants
(réversible en courant)
Iint
Ve1 E Ve2
Vint
Ls
Ve2 Ve1 Iint
ON state
OFF state
Vint
ON state 94
Alimentation du moteur (sens de rotation)
Is I s
Ps>0
VDD
Ps>0
Ps<0 Ps<0
La source fait La source fait
La sortie fournie La sortie fournie
tourner le tourner le
de la puissance à de la puissance à
moteur dans le moteur dans le
sens 1 sens 1
Ve1 E Ve2
Ps>0 Vs Ps>0 Vs
La source fait Ps<0 Ps<0
Ls La source fait
tourner le La sortie fournie La sortie fournie
tourner le
moteur dans le de la puissance à de la puissance à
moteur dans le
sens 2 l’entrée l’entrée
sens 2
Ve2 Ve1
Si Ve2=0 et Ve1=VDD Si Ve1=0 et Ve2=VDD
Vs>0 Vs<0
Is>0 VDD VDD Is<0
Ve1 E E
Ve2
Is
Is Ls Ls
Vs Vs
Ve1 Ve2
Contrôle de la vitesse
Pour le sens de rotation 1 VDD
Si Ve2=0 et Ve1=PWM
VDD
PWM
Ve1 E Ve2
Ls
T PWM
Vs
Ve2 Ve1
T
Vs
L’inertie du moteur fait que seul

la tension moyenne permet de
contrôler la vitesse de rotation
T
Is
L’inductance du moteur lisse le

courant d’alimentation du moteur
T
Is Moteur en génératrice Is
Ps>0 VDD Ps>0
Ps<0 Ps<0
La source fait La source fait
Le moteur Le moteur
tourner le tourner le
fournie de la fournie de la
moteur dans le moteur dans le
puissance puissance
sens 1 sens 1
E
Ps>0 Vs Ps>0 Vs
La source fait Ps<0 Ps<0
La source fait
tourner le La sortie fournie Ls tourner le Le moteur
moteur dans le de la puissance à fournie de la
moteur dans le
sens 2 l’entrée puissance
sens 2
Un action mécanique fait Ve Ve Un action mécanique fait

tourner le moteur dans le
tourner le moteur dans le sens 2
sens 1 Avant VDD =0
Avant VDD =0 Apres VDD=-Vs et le courant
Apres VDD=Vs et le courant VDD VDD circule dans les diodes
circule dans les diodes
E E
Is
Is Ls Ls
Vs Vs
Ve Ve Ve Ve
Plan du cours
98
(TP)
99
Plan du cours
100
Réduire la puissance déformante lors d’une conversion
AC/DC
A partir d’une source alternative 220V

50Hz on souhaite obtenir une tension
continu de 900V.
Il faut réduire au maximum la puissance
déformante demandée à la source
101
Pont de diodes conversion AC/DC
Le pont de diodes permet le redressement de la tension sinusoïdale
L’ajout d’une capacité permet d’avoir

une tension en sortie quasi-continu
Le courant demandé à la source à un

taux de distorsion important
cos(1)
Le facteur de puissance: FP = s’éloigne considérablement de 1
1+THD𝑖 2
102
Asservissement en tension
Sortie du pont
de diodes
Il est possible d’asservir la tension de sortie grâce à une boucle,
toutefois le courant a toujours un fort taux de distorsion.
L’asservissement se fait grâce à un intégrateur permettant de
Boucle tension
trouver le bon rapport cyclique:
Charge avec 1
capacité de lissage 𝑉𝑠 = 𝑉
1 −  𝑒𝑖
Avec un proportionnel  = 𝐾𝑃 𝑉𝑠 − 𝑉𝐶𝑜𝑛𝑠𝑖𝑔𝑛𝑒
Il est donc impossible d’avoir la consigne
Le boost seul asservi en

tension ne permet pas
d’améliorer la facteur de
puissance
103
PFC (Power Factor Corrector)
Sortie du pont
de diodes G=0.01
Il s’agit d’un double asservissement du rapport cyclique de
G=0.01 la PWM
1) En tension afin de fixer la tension DC en sortie
2) En courant afin d’avoir une demande en courant
sinusoïdal et en phase avec la tension d’alimentation.
Boucle tension
Charge avec
capacité de lissage
Permet d’approcher le facteur de puissance de 1
Boucle courant
G=100
Consigne en tension DC
Courant demandé quasi sinusoïdal
104
Complement de cours
105
Le transistor bipolaire
Commande en courant avec IB qui contrôle IC
Schéma: transistor NPN
Collecteur
Régime saturé
IC
Base VCE 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐶𝐸
𝐼𝐶 = 𝐼𝑆 𝑒𝑥𝑝 1+
IB Commande du 𝑉𝑇 𝑉𝐴
courant IC par IB IC (mA)
IB 
VBE 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
Réseau de
IE Emetteur caractérisation
IB3 de la sortie
mA µA IB2
IB (A) IB1
IE = I C + I B Régime bloqué VCE(V)
IE  IC Avec :
• Is le courant de saturation (≃10-12A)
• VA la tension d’Early (>100V)
Polarisation de l’entrée 𝑘𝐵 𝑇
VBE (V) • 𝑉𝑇 = = 25𝑚𝑉 à 300K
𝑞
Caractéristiques 3 quadrants d’un transistor bipolaire

106
Polarisation d’un transistor Bipolaire
Solution avec deux résistances
Polarisation en sortie :
𝑉 −𝑉
Relation de passage 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 𝑅𝐶 = 𝐶𝐶 𝐶𝐸
𝐼𝐶
+VCC VCC/RC
IC (mA)
IB 
RC ICpola
P’ P
IC C
RB IB
B VCE IB (A) Ve/RB IBpola
VCE(V)
VCEpola VCC
Ve VBE
E P, P’ et P’’ points de
VBEpola
polarisation permettant
P’’
d’avoir idéalement
VBE (V) 0<VCE<VCC
Polarisation en entrée :
𝑉 −𝑉
𝑅𝐵 = 𝑒 𝐵𝐸
𝐼𝐵
107
Exercice
Tracer la droite d’attaque et la droite de charge statique:
pour RC = 4.7 kΩ et des tensions VCC = 30V et Ve = 5V
Déterminer le point de polarisation pour avoir VCE=VCC/2 et la valeur de RB
8
IC (mA)
4
1
IB (A)
0 0
50 45 40 35 30 25 20 15 10 5 0 5 10 15 20 25 30 35 40
1 VCE (V)
2
VBE (V)
5 108
Le transistor bipolaire en interrupteur
Suivant la tension d’entrée Ve :
• le courant de sortie IC est nul avec une tension VCE non nulle (équivalent d’un 1
interrupteur ouvert)
• Le courant et la tension sont non nuls 2
• Le courant de sortie IC est non nul et la tension VCE est proche de 0 (équivalent à un 3
interrupteur fermé) I (mA)
Interrupteur C
IB 
fermé
Interrupteur commandé par la tension Ve
+VCC
IB (A)
Polarisation en entrée : RC VCE(V)

𝑉 −𝑉 Interrupteur
𝑅𝐵 = 𝑒 𝐵𝐸 ouvert
𝐼𝐵
C
RB IB
B Polarisation en sortie :
𝑉 −𝑉
𝑅𝐶 = 𝐶𝐶 𝐶𝐸 VBE (V)
𝐼𝐶
Ve VBE
E Ve 
Relation de passage
3 2 1
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
109
Approche pratique d’un transistor en interrupteur
Comment calculer les résistances RC et RB ?
Interrupteur ouvert : si Ve = 0 => IB = 0 => IC=0 => VCE = VCC

𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶
Interrupteur fermé : 𝐼𝐶 ≈ => 𝐼𝐵 ≈ =>
𝑅𝐶 𝛽𝑅𝐶
Interrupteur IC (mA)
𝑉𝑒 − 𝑉𝐵𝐸 fermé
IB 
𝑅𝐵 = 𝛽𝑅𝐶
𝑉𝐶𝐶
Pratique: VCC= 5V, Ve=5V, VBE=0,6V et  = 150
𝑅𝐵 ≈ 𝛽𝑅𝐶
IB (A)
+VCC
VCE(V)
Interrupteur
Polarisation en entrée : RC ouvert
𝑉 −𝑉
𝑅𝐵 = 𝑒 𝐵𝐸
𝐼𝐵
C
RB IB
B Polarisation en sortie : VBE (V)
𝑉 −𝑉
𝑅𝐶 = 𝐶𝐶 𝐶𝐸
𝐼𝐶
Ve VBE
E Ve 
Relation de passage 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵

110
Plan du cours
Séance 1
• Rappel sur les composants linéaires
• Signal en électronique et sa décomposition
Séance 2
• Les diodes
• Principe de la polarisation
• Transistor bipolaire 1
Séance 3 ní hái hǎo ba?
• Transistors bipolaire 2
Séance 4
• Transistor à effet de champ
Séance 5
• Circuit complexe 1
Séance 6
111
Solution avec un pont diviseur
• Approche rigoureuse pour déterminer RC, R1 et R2
+VCC Droite de charge statique
+VCC
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 +VCC
𝑅𝐶 =
R1 RC 𝐼𝐶
Relation de passage 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 RC
IC C Droite d’attaque
IB IC C
B VCE 𝑉𝑇ℎ −𝑉𝐵𝐸 = 𝑅𝑇ℎ 𝐼𝐵 RTh IB
B VCE
+VCC
R2 VBE 𝑅2
E 𝑉𝑇ℎ = 𝑉 VTh VBE
𝑅1 + 𝑅2 𝑐𝑐 E
R1 𝑅1 𝑅2
𝑅𝑇ℎ =
𝑅1 + 𝑅2
Transformation de
IB Thévenin
RTh IB
R2 VBE VTh VBE
112
Solution avec un pont diviseur
• Approche rapide pour déterminer RC, R1 et R2
+VCC +VCC 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸
𝑅𝐶 =
𝐼𝐶
R2 RC
Relation de passage 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
IC C Approximation 1 :
IR2 IB
B VCE Considérer que le courant IB<<IR1 ou IR2
IR1
Compromis :
R1 VBE µA mA • Si IR1 >> IB le circuit
E
consomme trop de
Pour le calcul on impose IR1 = 10 IB ainsi IR1 IR2 courant
• IR1 < 10 IB le point de
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅1 + 𝑅2 𝐼𝑅1 polarisation n’est pas
stable
Approximation 2 :
Considérer que la tension VBE  0,6V à 0.7V
𝑉𝐵𝐸 = 𝑅1 𝐼𝑅1
113
Exercice
Déterminer RC avec VCC=30V, IC=5mA et β=160 avec l’approche rigoureuse pour un point de fonctionnement
VCE=4 VCC/10.
Tracer la droite de charge statique
Déterminer un jeu de résistances R1, R2 en traçant la droite d’attaque.
8
IC (mA)
4
1
IB (A)
0 0
50 45 40 35 30 25 20 15 10 5 0 5 10 15 20 25 30 35 40
1 VCE (V)
2
VBE (V)
3
Déterminer R1, R2 et RC avec VCC=30V , IC=5mA et β=160 avec l’approche simplifiée (prendre VBE  0,7V)
Comparer les deux approches
114
Fonctionnement en petit signaux
1
𝑍𝑙 =
• Superposition continu + alternatif : capacité de liaison 𝑗𝐶𝑙 𝜔
1 1
Zone où existe un signal continue ∞ 0
𝐶𝑙 𝜔 𝜔→0 𝐶𝑙 𝜔 𝜔→∞
Bloque les « Laisse passer
Zone où existe un signal alternatif
signaux les signaux
t continus variables »
𝑉𝐵 𝑡 = 𝑉𝐵 + 𝑣𝐵 𝑡
+VCC 𝑉𝐶 𝑡 = 𝑉𝐶 + 𝑣𝐶 𝑡
+VCC
t Cls
R2 RC
IC(t)
Cle IB(t) B C Vs
VCE(t) t
t Ve R1
VBE(t) E
Montage émetteur commun (signal d’entrée sur la base,

signal de sortie sur le collecteur)
115
Fonctionnement en petits signaux
• Superposition continu + alternatif : calcul complet
+VCC 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵 𝑉𝐵
+VCC 𝐼𝐵 = 𝐼𝑅2 + 𝐼𝑅1 + 𝐼𝐶𝑙𝑒 = − + 𝑗𝐶𝑙𝑒 𝜔 𝑉𝑒 − 𝑉𝐵
𝑅2 𝑅1
R2 RC Cls 𝑉𝐶𝐶 1 1
𝐼𝐵 = − 𝑉𝐵 + + 𝑗𝐶𝑙𝑒 𝜔 + 𝑗𝐶𝑙𝑒 𝜔𝑉𝑒
𝑅2 𝑅1 𝑅2
IC(t)
Cle IB(t) B C Vs(t) 𝑅1 + 𝑅2 𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐵 + 𝑗𝐶𝑙𝑒 𝜔 = − 𝑖𝐵 + 𝑗𝐶𝑙𝑒 𝜔𝑉𝑒
𝑅1 𝑅2 𝑅2
VCE(t)
Ve(t) 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅2 𝐼𝐵 + 𝑗𝑅2 𝐶𝑙𝑒 𝜔𝑉𝑒
R1 E 𝑉𝐵 =
VBE(t) 𝑅1 + 𝑅2
+ 𝑗𝑅2 𝐶𝑙𝑒 𝜔
𝑅1
𝜔
𝑅1 𝑉𝑐𝑐 𝑅1 𝑅2 𝐼𝐵 𝑗 𝑅1 +𝑅2
𝜔𝑐
𝑉𝐵 = − + 𝑉 avec 𝜔𝑐 =
𝑅1 + 𝑅2 1 + 𝑗 𝜔 𝑅1 + 𝑅2 1 + 𝑗 𝜔 1 + 𝑗 𝜔 𝑒 𝑅1 𝑅2 𝐶𝑙𝑒
𝜔𝑐 𝜔𝑐 𝜔𝑐
Attention : Expression valable pour une fréquence
Le circuit est alimenté par deux générateurs (un continu (VCC), un à la fréquence fe (Ve)
116
Fonctionnement en petits signaux
• Superposition continu + alternatif : calcul complet
𝜔
𝑅1 𝑉𝑐𝑐 𝑅1 𝑅2 𝐼𝐵 𝑗
𝜔𝑐
Pour un générateur à une fréquence  : 𝑉𝐵 = − + 𝑉
𝑅1 + 𝑅2 1 + 𝑗 𝜔 𝑅1 + 𝑅2 1 + 𝑗 𝜔 1 + 𝑗 𝜔 𝑒
𝜔𝑐 𝜔𝑐 𝜔𝑐
+VCC +VCC
Pour le générateur VCC =0 :
R2 RC Cls 𝑅1 𝑅1 𝑅2
𝑉𝐵𝐷𝐶 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2 𝐵
IC(t) On retrouve l’expression du générateur de Thévenin
Cle IB(t) B C Vs(t)
𝑉𝐵𝐷𝐶 = 𝑉𝑇ℎ − 𝑅𝑇ℎ 𝐼𝐵
VCE(t)
Ve(t)
R1 E Pour le générateur Ve  = e >> c :
VBE(t)
𝑉𝐵𝐴𝐶 = 𝑉𝑒 𝑡
Pour l’ensemble des générateurs : 𝑉𝐵𝑇 = 𝑉𝐵𝐷𝐶 + 𝑉𝐵𝐴𝐶

𝑉𝐵𝑇 = 𝑉𝑇ℎ − 𝑅𝑇ℎ 𝐼𝐵 + 𝑉𝑒 𝑡
Statique Dynamique
117
Décomposition du circuit
+VCC +VCC
• Schéma équivalent en petits signaux
Zone où existe un signal continue R2 RC
IC
Statique
Zone où existe un signal alternatif IB
1 B C
∞
𝐶𝑙 𝜔 𝜔→0
+VCC VCE
+VCC
𝐼𝐶 𝑡 = 𝐼𝐶 + 𝑖 𝐶 𝑡
R1 VBE E
𝐼𝐵 𝑡 = 𝐼𝐵 + 𝑖 𝐵 𝑡
R2 RC Cls
Les sources de
tensions
Cle
B C Vs(t) + continues ne sont
pas variables
𝑉𝐶𝐸 𝑡 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑣𝐶𝐸 𝑡
dans le temps =
masse en petits
Petits signaux (t) R2 RC signaux
Ve(t)
R1 E
𝑉𝐵𝐸 𝑡 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑣𝐵𝐸 𝑡
1 iC(t)
0 iB(t) C vs(t)
𝐶𝑙 𝜔 𝜔→∞ B
? vCE(t)
ve(t)
R1 vBE(t) E
118
Transistor bipolaire en petits signaux
• Schéma équivalent en petit signaux IC (mA)
IB 
𝜕𝐼𝐶
h21 h22
ℎ21 = 𝜕𝐼𝐵 𝑃
≈β
P’ P
De 50 à 200
R2 RC IB (A)
VCEPola VCC
IR2(t) iC(t) VCE(V)
1 iB(t)
0 C vs(t) 1 𝜕𝑉𝐶𝐸 𝑉𝐴 + 𝑉𝐶𝐸𝑝𝑜𝑙𝑎
𝐶𝑙 𝜔 𝜔→∞ h11 = ≈
IR1(t) B ? vCE(t) ℎ22 𝜕𝐼𝐶 𝑃
𝐼𝐶
P’’ 150
ve(t) Exemple :1/ℎ22 = 1𝑚
≈ 150 𝑘Ω
R1 vBE(t) E 𝜕𝑉𝐵𝐸 𝑉𝑇 VBE (V)
ℎ11 = =
𝜕𝐼𝐵 𝑃
𝐼𝐵
25𝑚
Exemple ℎ11 = ≈ 2.5 𝑘Ω
10µ
B iB(t) h21iB iC(t) C
vBE(t) vCE(t)
h11 1/h22
Montage petits signaux et basses fréquences d’un
transistor bipolaire (montage hautes fréquence en TD) E
119
Passage à la transconductance
• Définition de la transconductance
𝑐𝑜𝑢𝑟𝑎𝑛𝑡 𝑒𝑛 𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒
𝑔𝑚 = en S (Siemens)
𝑡𝑒𝑛𝑠𝑖𝑜𝑛 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑚𝑚𝑎𝑛𝑑𝑒 𝑒𝑛 𝑒𝑛𝑡𝑟é𝑒
iC(t) C B iB(t) gmvBE iC(t) C

B iB(t) h21iB
vCE(t)
vBE(t) vBE(t) vCE(t)
h11 h11
E E
𝑖𝑐 ℎ21 𝑖𝐶 ℎ21 𝐼𝐵 𝐼𝐶 𝐼𝐶
𝑣𝐵𝐸 = ℎ11 𝑖𝐵 = ℎ11 soit 𝑖𝐶 = 𝑣 𝑔𝑚 = = = ℎ21 = ℎ21 ≈
ℎ21 ℎ11 𝐵𝐸 𝑣𝐵𝐸 ℎ11 𝑉𝑇 𝛽𝑉𝑇 𝑉𝑇
Pour un transistor bipolaire. Simplifie souvent

les calculs de gain
120
Généralisation sur la polarisation et la linéarisation
Circuit
électronique
𝑬 𝒕 = 𝑬 + 𝒆𝝎 (𝒕) 𝑺 𝒕 = 𝑺 + 𝒔 𝒕 + 𝒔𝝎 𝒕
Statique Régime transitoire Régime

Forcé
Dynamique
• Si le circuit est non-linéaire :
La solution consiste à linéariser autour d’un point de polarisation statique
S(t) P : point de polarisation
La linéarisation consiste à rechercher la dérivée locale
P La recherche de solution se fera uniquement pour des

petits signaux où la linéarisation est correcte
E(t)
121
A faire pour la prochaine séance
Polarisation transistor bipolaire PNP
• Pour passer de NPN à PNP il suffit de changer les signes des courants et des
tensions
A faire : Calculer le point de fonctionnement par
+VCC +VCC l’approche simplifiée respectant le cahier des
charges suivant:
VBE(t) • VCC=5V
R1 E • IC=1mA
• Point de polarisation au milieu de la droite de charge
statique
Ve Cle IB(t) B VCE(t)
Dessiner le schéma petits signaux et en donner
C
IC(t) le gain, l’impédance d’entrée et de sortie:
Cls
RC Vs
R2
h21=β=75
h22≃0
122
Exemple graphique du fonctionnement
8
IC (mA)
7
1
IB (A)
0 0
50 45 40 35 30 25 20 15 10 5 00 0.15 10 15 20 25 30 35 40 45 50
0.2 VCE (V)
Collecteur
Sortie sur
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7 Entrée sur la Base
0.8
VBE (V)
0.9
1
123
Plan du cours
Séance 1
• Rappel sur les composants linéaires
• Signal en électronique et sa décomposition
Séance 2
• Les diodes
• Principe de la polarisation
• Transistor bipolaire 1
Séance 3
• Transistors bipolaire 2
Séance 4
• Transistor à effet de champ
Séance 5
Séance 6
124
Le transistor à effet de champ type JFET
Zone de courbure
Schéma: JFET canal N 𝐼𝐷𝑆𝑆 2
𝐼𝐷 = 2 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑃 𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐷𝑆
𝑉𝑃2
Drain
2
𝑉𝐷𝑆
Grille ID 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆
VDS 𝑉𝑃
IG 0 ID (mA) Régime Régime
Pour Régime limite pincé -VGS 
VDS>VGS+|VP| IDSS non pincé
IS=ID
VGS
Source
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1−
𝑉𝑃
-VGS (V) VDS(V)
VP
Zone
ohmique Avec :
• VP la tension de pincement
𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐷𝑆
𝐼𝐷 = 2𝐼𝐷𝑆𝑆 −1 • IDSS le courant de saturation
𝑉𝑃 𝑉𝑃
Caractéristiques 2 quadrants d’un transistor à effet de champ JFET
125
Polarisation d’un transistor à effet de
champ JFET. Solution d’autopolarisation
Polarisation en entrée : Polarisation en sortie :
−𝑉𝐺𝑆 = 𝑅𝑆 𝐼𝐷 𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝑆 + 𝑅𝐷 𝐼𝐷 + 𝑉𝐷𝑆
Vcc
ID (mA)
-VGS 
IDSS
RD
ID
VGS
P
IG 0 P’
ID -VGS (V) VDS(V)
RG VP VCC
RS
1 MΩ P et P’ points de
polarisation
Caractéristiques 2 quadrants d’un transistor à effet de champ JFET
126
Circuit équivalent en petits signaux
ID (mA)
-VGS 
IDSS
Vcc
gm
RD R≃∞
P
Cls Transconductance P’
ID(t) -VGS (V)
Cle VDS(V)
VGS(t) VP VCC
ve(t) vs(t) Transconductance :

ID
RG 𝜕𝐼𝐷
RS gm vGS D 𝑔𝑚 =
𝜕𝑉𝐺𝑆
1 MΩ G 𝑃
iD(t) 2𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝐺𝑆
vGS = −
𝑉𝑃
1−
𝑉𝑃
𝑃
Schéma petit signaux simplifiés

127
Exemple d’amplificateur JFET
Polarisation
Droite de charge statique 𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝑆 + 𝑅𝐷 𝐼𝐷 − 𝑉𝐷𝑆
G gm vGS D
Droite d’attaque −𝑉𝐺𝑆 = 𝑅𝑆 𝐼𝐷
2
RG vGS 𝑉𝐺𝑆
vs(t) 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1−
ve(t) 𝑉𝑃
RD
S Gain en tension à vide:
𝑣𝑒 = 𝑣𝐺𝑆 + 𝑅𝑆 𝑔𝑚 𝑣𝐺𝑆 𝑣𝑆 𝑅𝐷 𝑔𝑚
RS 𝐴𝑣0 = =−
𝑣𝑠 = −𝑅𝐷 𝑔𝑚 𝑣𝐺𝑆 𝑣𝑒 1 + 𝑅𝑆 𝑔𝑚
2𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝐺𝑆
avec 𝑔𝑚 = − 1−
ID (mA) 𝑉𝑃 𝑉𝑃
𝑃
𝑉𝐶𝐶 -VGS 
IDSS
𝑅𝑆 + 𝑅𝐷
P
P’
-VGS (V) VDS(V)
VP VCC 128
Exercice
12
10
ID (mA)
6
0
Vcc=+15V 4 3.5 3 2.5 2 1.5 1 0.5 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
-VGS (V) VDS (V)
RD
Cls
Cle ID(t) Déterminer le point de polarisation ainsi que les valeurs des
vs(t)
VGS(t) résistances RD et RS permettant d’avoir un amplificateur de gain
5 et un point de polarisation à IDSS/2
ve(t)
ID
RG
RS
1 MΩ
129
Influence du générateur et de la charge sur le gain
d’un amplificateur de tension
• D’un point de vu général les amplificateurs de tension sont sensibles à la
charge et à la résistance interne de la source
ie(t) ZS is(t)
Rg ve(t) vS(t)
e(t) Ze Av0ve RL
Source Amplificateur de tension sans Effet de la charge (is(t) ≠ 0)

charge (is(t)=0)
𝑍𝑒 𝑅𝐿
𝑣𝑒 𝑡 = 𝑒 𝑡 𝑣𝑆 𝑣𝑠 𝑡 = 𝐴 𝑣 𝑡
𝑅𝑔 + 𝑍𝑒 𝐴𝑣0 = 𝑅𝐿 + 𝑍𝑍 𝑣0 𝑒
𝑣𝑒
Gain en tension en charge avec 𝑣𝑆 𝑡 𝑍𝑒 𝑅𝐿
𝐴𝑣 = = 𝐴𝑣0
résistance de source: 𝑒 𝑡 𝑅𝑔 + 𝑍𝑒 𝑅𝐿 + 𝑍𝑆
𝑣𝑆 𝑡
Amplificateur ideal si Ze→∞ et Zs→0 𝐴𝑣 = = 𝐴𝑣0
𝑒 𝑡 130

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Conversion/Traitement Energie Electrique

Enseignant : David Eon Février 2020

Idéalement la puissance en entrée égale la puissance en sortie

𝑢 𝑡 = 𝑈𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 = 𝑅𝑒 𝑈𝑒 𝑗𝜔𝑡 𝑢 𝑗𝜔 = 𝑈𝑒 𝑗𝜔𝑡 𝑈 Amplitude

Résistance Capacité Inductance

Ordre de grandeur pratique :

Q=CUAB et comme I = dQ/dt

Le courant circule dans une branche

Ordre de grandeur pratique : 100pF au 1µF Les capacités s’opposent aux

Une tension apparaît au borne d’une

Les inductances s’opposent

Allumée Eteinte Allumée Eteinte Allumée Eteinte Allumée Eteinte

s(t) Signaux périodiques : signal qui prend une

Composante continue Composante alternative

Un signal sinusoïdale est défini par trois paramètres

𝑠1 𝑡 = 𝑆01 sin 𝜔𝑡 Déphasage

z Forme algébrique : 𝑧 = 𝑅𝑒 𝑧 + 𝑗𝐼𝑚 𝑧

Forme trigonométrique : 𝑧 = 𝑧 exp 𝑗𝜑

Approche temporelle par résolution de l’équation différentielle

et on pose 𝛼 = 2 − 𝜔02 et 𝛼 ′ = 𝜔02 − 2 (noté aussi 𝜔𝑝 la pulsation propre)

>0 =0 <0

Réponse pour la partie statique pour E

Après dérivation de 𝑥2 𝑡 et identification des termes en sinus et cosinus on détermine

𝐸 𝐾 𝐸 𝜔𝑐𝑜𝑠 𝜑 − 𝑚𝜔0 𝑠𝑖𝑛 𝜑

𝑥 𝑡 = + 𝐻 𝐻𝑡 𝑒 −𝑚𝜔0 𝑡 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑃 𝑡 + 𝜑𝑡 + 𝑠𝑖𝑛 𝜔𝑡 − 𝜑 𝜔2

Transitoire Forcé 𝑠𝑖𝑛 𝜑 +

Approche fréquentielle par utilisation de l’écriture complexe

La fonction de transfert permet de connaitre le comportement harmonique du circuit i.e. en fonction

• Finalement on représente le gain en dB (et la phase) en fonction de la pulsation ou de la fréquence sur un

1 10 100 1 000 10 000 100 000 1 000 000

10 On balaye une décade

-10 fréquence 10 f ou 0,1 f

Un tel circuit ce comporte comme un filtre de fréquence qui laisse

𝑠𝑖𝑛 2𝜋𝑓0 𝑡 𝑠𝑖𝑛 2𝜋𝑓0 𝑡 𝑠𝑖𝑛 2𝜋𝑓0 𝑡 𝑠𝑖𝑛 2𝜋𝑓0 𝑡

𝑐𝑜𝑠 2𝜋𝑓0 𝑡 𝑐𝑜𝑠 2𝜋𝑓0 𝑡 𝑐𝑜𝑠 2𝜋𝑓0 𝑡 𝑐𝑜𝑠 2𝜋𝑓0 𝑡

Enveloppe Signal De 10ms à 50ms

Plan complexe vision 2D

p1 et p2 sont des pôles complexes conjugués

On montre que 𝐼𝑒𝑓𝑓 = 𝑖 2 + σ∞ 2

2 𝐼𝑒𝑓𝑓 2 = 𝑖 2 + 𝐼𝑒𝑓𝑓12 + 𝐼𝐻𝑀2

Valeur moyenne Fondamental Harmonique de rang 2

Valeur moyenne Fondamental Valeur efficace des

La puissance moyenne est : 𝑉𝑒𝑓𝑓𝐼𝑒𝑓𝑓 𝑐𝑜𝑠 𝜑

Forme 2 : 𝑝 𝑡 = 𝑣 𝑡 𝑖 𝑡 = 2𝑉𝑒𝑓𝑓𝐼𝑒𝑓𝑓 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 − 𝜑

Puissance active instantanée Puissance réactive instantanée

Facteur de déplacement DPF = 𝑐𝑜𝑠 𝜑1

Puissance déformante (VAd) D = 𝑆 2 − 𝑃2 + 𝑄2

Valeur efficace des harmoniques

Le courant sur la charge est alors purement sinusoïdal 𝑖 𝑡 = 𝐼𝑒𝑓𝑓1 2sin(𝜔𝑡 − 𝜑1 )

• Valeur efficace : Veff1 ; Ieff1 • Puissance apparente : S =Veff1 . Ieff1

• Valeur efficace : Veff1 ; Ieff  Ieff1

Les harmoniques supérieures à 2 ne changent pas la puissance

Veff1 . Ieff1 cos(1) I cos(1)

Vint OFF state

• Etat Fermé (On-state) i.e. Iint ≠ 0 et Vint = 0 Vint

Un interrupteur automatique peut fonctionner sur : OFF state

Il existe aussi d’autres composants (Thyristor, Diac) IS=ID

Pas de perte spécifique lors de la commutation

VGS<VTN ID=0 VGS >VTP

Ve Le transistor se comporte pratiquement comme une

𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝑇𝑃 + 𝑉𝑇𝑃 𝐾𝑁 Τ𝐾𝑃

Source en entrée en Contrôleur Source en sortie en

Allumée Eteinte Allumée Eteinte Allumée Eteinte Allumée Eteinte