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5) Transport électronique

5.1 Modèle de Drude (mécanique classique)


5.1.1 Equations du mouvement E
Electron = particule classique

m  F  (frottement) t0

m0 v
F  eE frottement  t
e
champ électrique
e : temps moyen
entre 2 collisions
d v v
m  eE  m
dt e

Solution stationnaire

d v e e E
0 v 
dt m
Paul Drude 1863-1906

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5) Transport électronique
5.1.2 conductivité électrique
n nombre d’électrons par unité de volume
 conductivité
j  E
ne2 e  résistivité
j  ne v  E
m ne e2
1
  nee  e Mobilité
m  électronique
5.1.3 Temps de relaxation
t

e
E  0  v (t )  v0 e e : temps de retour à l'équilibre

Ordre de grandeur (cas du cuivre)


A température ambiante: Tamb  6, 41 107  1m 1 Tamb  1,56 108 m  1,56 cm
4
n 3
 8,5 1028 m3
(3, 61Å)
m
e  1,6 10 19
C e  3 1014 s
ne2
m  9,1 1031 kg

A basse T et pour un matériau très pur 0 104 Tamb   1010 s

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5) Transport électronique
Elément 77K 273K 373K   / T 373K
  / T 273K
Li 1.04 8.55 12.4 1.06
Na 0.8 4.2 Melted
K 1.38 6.1 Melted Resistivities in microohm centimeters are given at
Rb 2.2 11.0 Melted 77 K (the boiling point of liquid nitrogen at atmospheric pressure),
cs 4.5 18.8 Melted 273 K, and 373 K.
Cu 0.2 1.56 2.24 1.05 The last column gives the ratio of /T at 373 K and 273 K to display
Ag 0.3 1.51 2.13 1.03 the approximate linear temperature dependence of the resistivity
Au 0.5 2.04 2.84 1.02 near room temperature.
Be 2.8 5.3 1.39 Source :
Mg 0.62 3.9 5.6 1.05 G.W.C. Kaye and T.H. Laby, Table of Physical and Chemical
Ca 3.43 5.0 1.07 Constants, Longmans Green, London, 1966.
Sr 7 23
Ba 17 60
Nb 3.0 15.2 19.2 0.92
Fe 0.66 8.9 14.7 1.21
Zn 1.1 5.5 7.8 1.04
Cd 1.6 6.8
Hg 5.8 Melted Melted
Al 0.3 2.45 3.55 1.06
Ga 2.75 13.6 Melted
In 1.8 8.0 12.1 1.11
Tl 3.7 15 22.8 1.11
Sn 2.1 10.6 15.8 1.09
Pb 4.7 19.0 27.0 1.04
Bi 35 107 156 1.07
Sb 8 39 59 1.11

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5) Transport électronique
5.1.4 libre parcours moyen
l  v0 e
v0 107 cm/s (T ambiante)
1 2 3
Équipartition de l’énergie mv0  kBT
2 2

En réalité: nature quantique + exclusion de Pauli

v0  vF 108 cm/s (cuivre) et indépendant de la température

T = 373 K = 1.9 · 10−14 s l = 3 · 10−6 cm = 300 Å


T = 77 K = 21 · 10−14 s l = 3.3 · 10−5 cm = 3300 Å

A très basse température dans un matériau très pur on peut trouver des
libre parcours moyen de l’ordre du cm..
Incompatible avec collision des électrons sur les ions du réseau

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5) Transport électronique
5.1.5 Loi de Joule
Lors d’une collision les électrons cèdent de l’énergie cinétique au solide

 eE 
2

W  12 m v2   
1
2m
 eEt  
2

2m
t2

Dans le modèle de Drude la probabilité qu’un électron subisse une collision


pendant le temps dt est dt/ et elle est de (1- dt/) qu’il ne subisse pas de
collision pendant l’intervalle de temps dt

Soit Pnc(t) la probabilité de non collision entre 0 et t


t
dPnc dtPnc 
Pnc (t  dt )  Pnc (t )(1  )    Pnc (t )  e  Pnc (0)  1
 dt 
Soit un électron qui subit une collision à t=0 et qui subit sa prochaine
collision entre t et t+dt. La probabilité d’occurrence de ce phénomène est
t

 
t
dt e 1
Pnc (t )  dt  P (t )dt  P (t )  e 
  

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5) Transport électronique

Temps moyen entre deux chocs t   tP(t)dt  
0

t 2

  t P(t)dt  2
2 2 t n
  t n P(t)dt  n!n
0
0

 eE   eE 
2 2
Energie dissipée par un choc W  t2 
2m m

Energie dissipée par unité de volume et de temps

n  eE 
2
ne2  2 i2
w  E  E   i 2
2

 m m 
Energie dissipée dans un fil de longueur l et section s

l
s l
E W  lsi  RI 2 2
R
I  is s

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5) Transport électronique
5.1.6 Digression sur les propriétés optiques du gaz d’électrons
x
Equation du mouvement mx  m  eEx
e
Champ électrique oscillant Ex (t )    Ex, eit 
x(t )    x eit 
e 1
x  Ex ,
m 2  i 

Courant oscillant jx  nex    jx,eit 

ne2  1
jx,  E x,  E x,
m 1  i

j   E   0 (1  i)1

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5) Transport électronique

Equations de Maxwell divE  0 divB  0


 
 B  E
rotE   rotB   0 j  0 0
 t  t

j 2 E
 E   0   0 0 2   (  E)  (.E)   E
t t


E (t )   E  e  it
 B(t )   B e  it
 
j (t )   j  eit 

E  i 0 j  i00 E 
j   E   0 (1  i)1
2  i0 1  2
 E    2 1   E    2  E 
c  0 1  i   c

 i0 1 
 
Constante diélectrique complexe   1  
  0  1  i  

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5) Transport électronique
Modes de propagation

 2p  ne2 2   0 propagatif


Si  1   1  2  p   E    2  E 
   0 m
  c   0 atténuation
c p
Longueur d’onde plasmon  p  Fréquence plasmon p 
p 2


transparent opaque
p 
p 

atténuation propagation
Exemple: Argent

 p (nm)  140 (ultraviolet)


Fortement modifié dans le cas de couches minces

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5) Transport électronique
5.2 Transport électronique dans un gaz de Fermions
5.2.1 Gaz d’électrons libres
Ondes planes dans une boite (r )  Aei k .r

k  kF
kF3 kF2 2 2
Ne
3 n 
2/3
n  EF   2

 3 2 2m 2m

5.2.2 évolution temporelle


 2
i (r, t)   (r, t) (r, t)  Aei(k.r (k)t)
t 2m

k22
p2 E
  
2m 2m

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5) Transport électronique
5.2.3 Paquet d’ondes libres
g(k)
1

3D (r, t)  i(k.r (k)t ) 3
 g(k) dk  1
2
g(k)e dk
 2 
3/ 2

1

i(k.x (k)t )
1D (x, t)  g(k)e dk
2 k
k22 k
(k)  k0
2m

d
(k)  0  vg (k  k 0 ) 0  (k 0 ) vg  
1 dE
dk k k0 dk

Propagation du paquet d’onde à une vitesse de groupe v g


i(k 0 vg 0 t)
(x, t)  e (x  vg t,0)

Rq: un paquet d’onde gaussien reste gaussien 2 2


t
au cours du temps se déplace à la vitesse de groupe x(t )  a 1  animation
et s’élargit au cours du temps 4m a 4
2

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5) Transport électronique
5.2.4 Equation semi-classique (Drude+principe de Pauli)

1 k dvg dk
vg   k E(k)  m   F  eE
m dt dt

E ky
eEe
k 
2k 2F k
ne 
4 3

kx 2 2 kF
v  vF 
3 3 m

4 3  e2  ne 2  Le miracle fortuit de Drude!!


i  n e v e  k F 3 E E
3 4 m m (Moins d’électrons impliqués
 Mais vitesse plus grande)
n  3
k 3F
2

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5) Transport électronique
•Signification de e
Principe de Pauli: seuls les électrons au niveau de Fermi sont concernés

e Temps moyen entre deux « collisions » des électrons au niveau de Fermi


kF
vF Vitesse de Fermi vF 
m

Libre parcours moyen le  vF e (E F )


•Ordres de grandeur (cas du cuivre)
ee
e 3 1014 s ve   E 5 103 E
m
k k ve
 
kF kF vF

ve 50 m/s vF pour E  104 V / m  k  104 k F

le 5 108 m  500Å A température ambiante


le 5 104 m  mm!!! A 4K

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5) Transport électronique
5.2.5 Equation de Boltzmann et conductibilité électrique

v t  dt g(x, v, t) Fonction de distribution

t  g 
g(x  vdt, v  dt, t  dt)  g(x, v, t)    dt
dv  t coll

g  g 
 v. r g  . v g   
t  t coll
dx x

g  g0
Régime stationnaire v.r g  . v g   Hypothèse du temps de relaxation
(v)
1 1
Gaz de Fermions g 0 (r, k, t)  3 (E(k) )
4 e 1

On retrouve l’expression de la conductibilité électrique….

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5) Transport électronique

5.3 Electrons dans un réseau: dynamique des électrons de Bloch


5.3.1 vitesse de groupe et pseudo moment

H  T  V (r ) H  n,k (r )  En (k ) n,k (r )

•Fonction de Bloch  n,k (r )  ei k .r un,k (r )


•Energie propre En ( k )
•Le « pseudo moment » k

 n,k (r ) n’est pas vecteur propre de l’opérateur quantité de mouvement P  i 

d d du ( x )
( x )  eikx uk ( x )  ik ( x )  eikx k
dx dx dx

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5) Transport électronique
•Vitesse moyenne de l’électron

m vn,k   n,k P  n,k   n,k (r)  i r   n,k (r)d3r

1
On montre que vn,k  k E n (k)
2
2
k
Cas des électrons libres E(k)   m vk  pk  k
2m

Cas unidimensionnel Cas général

vn,k  E n (k)  cte


v

 
 k
a 0 a

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5) Transport électronique
Remarque importante

Pour un électron dans un état de Bloch sa vitesse est bien définie


et est indépendante du temps

L’électron ne subit pas de collision par le potentiel cristallin

Ce ne sont pas les « chocs » sur les noyaux qui déterminent le temps de collision 

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5) Transport électronique
5.3.2 Equation du mouvement
Force appliquée F Hypothèse
Travail dW  F.vdt  dE n (k) faible excitation
lentement variable
1
 F. k E n (k)dt  k E n (k).dk

dk
F
dt

dk 1
accélération  n,k  k vn,k .  2 k k E n (k)  .F
dt

Fm 

1 1  2 E n (k)
Tenseur de masse effective    2
 m   , k  k 

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5) Transport électronique
5.3.3 Masse effective
1 1  2 E n (k) Courbure de la
Tenseur de masse effective    2 =
 m   , k  k  structure de bandes

E(k) 
2
k 2
x  k z2  k 2y  1
     ,
1
Cas de électrons libres
2m  m   , m
Signe de la masse effective

E
m  0 maximum

 
 k
a 0 
m  0 minimum
a

Comportement paradoxal?

Non car dans le cristal l’électron est aussi dp


soumis au potentiel cristallin  F ext  F réseau
dt

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5) Transport électronique
5.3.4 Les oscillations de Bloch
Equation du mouvement pour une chaine linéaire en liaisons fortes
dk eEt
 eE  k  
dt

E(k)  2 cos ka
0 2a
dx  aeEt  2a  aeEt 
 sin     sin  
dx 1 E dt    
v 
dt k

2  aeEt  2
Oscillations de Bloch x(t)   cos   TBloch 
eE   aeE
Impossible à observer dans un solide car  TBloch
a  2Å e  1, 6 1019 C
A.N. TBloch 109 s 1014 s
E = 104 V / m  1, 05 10-34 Js

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5) Transport électronique
5.3.5 Conductivité électrique dans un cristal

e
j  e  v(k)     k E n (k)
k occupés k occupés

En l’absence de champ électrique le courant est nul

E
E(k)  E(k)

vk vk
 
 k
a 0 a

k En (k)  k E n (k)

v k  vk

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5) Transport électronique
Application d’un champ électrique

j  e  v(k+k)
k occupés

E
eEe
E k 

EF
 
 k k
a 0 a

ne2 F
j  E  
m
F

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5) Transport électronique
Conductivité d’une bande pleine

j  e  v(k+k)
k bande pleine

eEe
k 
E E
2
g
a
EF
 
 k
a 0 a

j  e   k E n (k)  0
k bande pleine

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5) Transport électronique
5.3.6 Classification des matériaux
Métal= bande non remplie
EF
D(E )

E
Isolant= bande pleine
EF Eg  3eV Isolant
D(E )
Eg  2eV Semi-conducteur

Eg E

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5) Transport électronique
5.4 Effets de la Température
5.4.1 Métaux
  0  1 (T) Systèmes avec « impuretés »

1 (T) T

0 Système « pur »

1 (T) T5 T
0 Résistivité « résiduelle » caractéristique de la
concentration d’impuretés
Dépend de la température, peu dépendant de la
1 (T)
qualité de l’échantillon

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5) Transport électronique

•Loi de Matthiessen m
 2
ne e

1 1 1
  0  1 (T)   
e 0 1 (T)

0 Indépendant de la température, dépend de la pureté

Diffusion (élastique) sur les défauts

Dépendant de la température, peu dépendant de


1 (T)
la qualité de l’échantillon

Diffusion (inélastique) par les phonons

A haute température u2 T  1 (T) T

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5) Transport électronique
5.4.2 Semi-conducteurs (intrinsèques)
Eg Eg

(T)  0e 2k BT (T)  0e 2k BT

ln 

Régime Régime extrinsèque


intrinsèque (effet des impuretés)

1
hautes T basses T
k BT
5.4.3 Les supraconducteurs

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5) Transport électronique
5.5 Electrons, trous et dopage dans les semi-conducteurs
5.5.1 électrons et trous
Bande presque vide
électron
"E F "
trou
 

a a k
Bande presque pleine

jt  e  v(k)  e  v(k)  ev(k 0 )  ev(k 0 )


k occupés k bande pleine

eE
v(k 0 ) 
m
k k0

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5) Transport électronique

 e  n t e2 
jt  n t e     mt  0
 mt  mt

Tout se passe comme si un trou (manque d’électron) avait une masse


négative et une charge positive

•Conductivité totale

  n eee  n t et

e e
e  t 
me mt

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5) Transport électronique
5.5.2 semi-conducteurs intrinsèques

D(E)
1
f (E)  E 

1 e k BT

Ev Ec E
Excitation thermique


n e   D(E)f (E)dE
Ec

E 

(E  ) k BT  f (E) e k BT
(statistique de Boltzman)

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5) Transport électronique
 
3/2
2 mc
Dc (E )  E  Ec  A E  Ec (gaz d’électrons libres)
3
 2

 (E  Ec )  (Ec  ) (Ec  )  (E  Ec )


ne  A E  Ec e dE  Ae  E  Ec e dE
Ec Ec

 
x  (E  Ec ) 0
xe x dx  ( 32 ) 
2
3/ 2
1  2mc  (Ec  )
ne   2   k BT 
3/ 2
e
4  

(Ec  )
n e  Ne (T)e

Même calcul pour les trous

( E v )
n t  N t (T)e

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5) Transport électronique
•Semi-conducteur intrinsèque ne  n t
Eg

n e  n t  n e n t  Ne (T)N t (T)e 2k BT

3/ 2 Eg
1  2k T  
n e  n t   B2 
4  
m m 

t
 3/ 4
e e 2k BT


(E c  E v  2  )  m 3/ 2 
ne N (T) E c  E v  2  k BT ln  e  
1 e e k BT

nt N t (T)  m t  

Ec  E v 3  mt  Ec  E v
  (k BT) ln    
T 0

2 4  me  2

Ec  E v
E F (T  0) 
2

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5) Transport électronique
3/ 4 3/ 4 Eg
 mt   me   T   2k BT
•Ordre de grandeurs n e  n t  2,5      e 1019 cm3
 m   m   300K 
Fraction d’électrons thermiquement excités

Eg   Eg  type
 2 kBT 
exp

4eV 10-35 isolant isolant


2eV 10-17 limite
0.25eV 10-2 SC SC

cristal type Gap (eV)

C indirect 5.4 Pour un métal


Si indirect 1.17 n(T  300K)  1010 cm3
n 1022 cm3
Ge indirect 0.74
n(T  300K)  1013 cm3
-Sn direct 0.00

GaP indiect 2.32

GaAs direct 1.52

GaSb direct 0.81

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5) Transport électronique
5.5.2 semi-conducteurs extrinsèques
•On rajoute une pincée (qq ppm: 10-6) d’Arsenic dans Si

Si e-
As=e-+As+
Si As+ Si

Si

e- soumis à un potentiel Coulombien

Masse ≠ m0(masse effective) m0  m  0,3m0 e2


Mais: Vc (r)  
Constante diélectrique ≠ 0 0  0 40 r

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5) Transport électronique
Atome d’hydrogène
me 4
E1   2  13.6058 eV
2 (4 0 )2

2 E1
a1  (4 0 )  0.529 A En 
me 2
n2

Atome hydrogenoïde

E1 m a1d  
m0
E  2
d a
 1
1
 m0 m

  10 a1d  16Å dinteratomique E1d  40meV


m  0,3m0

Cours de Physique de la Matière Condensée, 2012 35


5) Transport électronique
5.5.3 Donneurs et accepteurs

•Donneur (Arsenic) EF
D(E)
T
SC dopé n
Ed

Ev Ec E
A basse température l’électron du donneur est lié au centre du donneur.
A plus haute température les donneurs vont progressivement s’ioniser et
le nombre d’électrons de conduction est ne=Nd

(Ec  ) N   1023 
n e  Ne (T)e    E c  k BT ln  d    E c  0.025eV ln  25  0.11eV
 Ne   10 

A partir d’une certaine température il faut aussi prendre en compte les


électrons « intrinsèques » thermiquement excités

Cours de Physique de la Matière Condensée, 2012 36


5) Transport électronique
•Accepteur (Bore)
D(E) EF

SC dopé p T
Ea

Ev Ec E
A basse température le trou de l’accepteur est lié au centre de l’accepteur.
A plus haute température les accepteurs vont progressivement s’ioniser et
le nombre de trous de conduction est nt=Na

(  E v ) N 
n t  N t (T)e    E v  k BT ln  t 
 Na 

A partir d’une certaine température il faut aussi prendre en compte les


trous « intrinsèques » thermiquement excités

Cours de Physique de la Matière Condensée, 2012 37


5) Transport électronique
5.5.4 Ingénierie des porteurs de charge

système Densité
kF  3 3 2n
électronique
métal
n 10 cm 22 3 kF  Å -1

SC intrinsèque 3 1
n 10 cm12
kF  Å -1
1000
SC extrinsèque n 101419 cm3  1 1  -1
kF   , Å
 10 100 

Cours de Physique de la Matière Condensée, 2012 38


5) Transport électronique
5.5.5 Dispositifs électroniques Association judicieuse et souvent complexe
de SC dopés n et p

I Diode parfaite

Jonction p-n
 keVT 
I  I0  e B  1
 
p n  

FET MOSFET
VG

p métal isolant semi-conducteur


n

VD V
Cours de Physique de la Matière Condensée, 2012 39