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TP N°1 : Etude Electrostatique

Etude d’un condensateur plan constitué de deux disques placés dans l’air. Cette
application permet notamment de calculer la valeur de la capacité électrique et de
la force appliquée entre deux armatures lorsqu’on applique une différence de
potentiel. Le calcul de la capacité sera réalisé grâce au calcul de l’énergie
électrostatique emmagasinée dans l’air. Le calcul de la force électrostatique
appliquée entre les deux armatures du condensateur sera réalisé par la méthode
des tenseurs de Maxwell.

Les paramètres qu’on fera varier seront :

- Le rayon des disques


- La distance entre les deux armatures.

Rappels théoriques :

ε 0 π R2
Calcul analytique de la capacité : C=
D
ε 0 π R2 V 2
Calcul analytique de la force électrostatique : F=
2 D2

Propriétés

Différence de potentiel entre les deux armatures : V = 2 Volts,


Rayon nominal des disques : R = 50 mm,
D
Distance nominale D entre les deux armatures = 1 mm,
R Permittivité du vide : ε 0=8.85 E−12 F / m

Travail à réaliser :

- Faire varier le rayon R de 10 à 80 mm avec un pas de 10 mm


- Faire varier la distance D de 1 mm à 9 mm avec un pas de 1 mm
- Tracer l’évolution de la capacité C et de la force F en fonction de R et de D
- Comparer les résultats avec le calcul analytique
- Conclusion
TP N°2 : Etude Electrocinétique

Contrôle Non Destructif : caractérisation d’une fissure à partir de la mesure


d’une résistance électrique

Présentation

Il s’agit de caractériser la géométrie d’une fissure à partir de la mesure d’une


résistance électrique. Cette application permet de mettre en œuvre une des
techniques de Contrôle Non Destructif (ici CND par conduction ou par injection de
courant).

Objectifs

Calcul de la valeur de la résistance électrique d’un composant fissuré. Les


paramètres que l’utilisateur pourra faire varier seront : - La largeur de la fissure, la
hauteur de la fissure et la conductivité du matériau constituant le composant.

Rappels théoriques

Calcul analytique de résistances électriques élémentaires de composants décrits


sous la forme de parallélépipèdes ou de prismes.

Face B

Hf
H

Face A L
f

L
P

La méthode analytique consiste à calculer les valeurs de résistances électriques


élémentaires de composants décrits sous une forme de parallélépipèdes (modèle 1)
ou de parallélépipède + prismes (modèle 2). Les résistances élémentaires sont
ensuite mises en série et une résistance globale équivalente peut être calculée.

Modèle 1 :

R=R 1+ R 2+ R 3

R1 R3
( L−L f )
R1=R 3=
R2 2σ ( H . P )

1 Lf
R 2=
σ ( H −H f ) P
Modèle 2 :
R=R 1+ R 2+ R 3

Lf
R1=R 3=
2σ L ( H−H f )
R1 R3
R2 1 ( L−Lf ) H
R 2=
σ PHf (
ln
H−H f )
Propriétés

Différence de potentiel entre les deux faces A et B : V = 1 Volt,


L = 100 mm ; H = 50 mm ; P = 40 mm
Hf = 45 mm ; Lf = 5 mm
Résistivité électrique : ρ=1.78 E−8 Ω m

Travail à réaliser :

- Calculer la Résistance du dispositif pour les données fournies.


- Calculer la résistance en faisant varier la hauteur de la fissure de 5 à 45 mm
- Tracer l’évolution de la résistance R en fonction de Hf
- Comparer les résultats avec le calcul analytique en utilisant les deux
modèles
- Conclusion