Universidad Simón Bolívar

EC1177 Circuito Electrónicos I

Práctica 3: BJT

Rafael Moreno 13-10936

Miguel Pérez 15-11116

Septiembre del 2020

1. Resumen

En esta práctica se estudia el funcionamiento del BJT 2N3904 en la región activa en un circuito
emisor-común con resistencia en el emisor de la Fig. 1.

Fig. 1 Circuito amplificador emisor común con resistencia de emisor para polarización.

En primer lugar, se generan las curvas características del BJT, tomando en cuenta la curva
correspondiente al punto de operación debido a la corriente de base 𝐼𝐵𝑄 generada por la configuración
del circuito.
 Posteriormente, se calcula el voltaje base-emisor 𝑉𝐵𝐸𝑄 la corriente del colector 𝐼𝐶𝑄 y el voltaje
colector-emisor 𝑉𝐶𝐸𝑄 del punto 𝑄 de operación en el que se encuentra el circuito.

Se determina la ganancia de voltaje 𝐴𝑉 , la ganancia de corriente 𝐴𝐼 , la resistencia de entrada 𝑅𝑖 y

la resistencia de salida 𝑅𝑜 sin carga correspondiente.

Utilizando python, se determina el early voltage 𝑉𝐴 a partir de las curvas generadas en Multisim
utilizando el BJT-Analyzer XLV1.
Por último, se realiza el montaje del circuito y las mediciones en el laboratorio para comparar los
resultados obtenidos a través del cálculo teórico y la simulación en Multisim.

2. Pre laboratorio

En primer lugar, se calculó teóricamente 𝐼𝐵𝑄 , para ello se requiere obtener el valor de la ganancia
de corriente 𝛽 y realizar el análisis del circuito en DC.

El valor 𝛽 esta dado en el datasheet del fabricante y esta denotado por ℎ𝐹𝐸 como se muestra a
continuación.

Symbol Parameter Test Conditions Min. Max.

𝐼𝐶 = 10 𝑚𝐴, 𝑉𝐶𝐸 = 1 𝑉 60
𝐼𝐶 = 1 𝑚𝐴, 𝑉𝐶𝐸 = 1 𝑉 80
ℎ𝐹𝐸 DC Current Gain 𝐼𝐶 = 10 𝑚𝐴, 𝑉𝐶𝐸 = 1 𝑉 100 300
𝐼𝐶 = 50 𝑚𝐴, 𝑉𝐶𝐸 = 1 𝑉 60
𝐼𝐶 = 100 𝑚𝐴, 𝑉𝐶𝐸 = 1 𝑉 30
Tabla 1 Ganancia de corriente 𝛽

Por los valores dados para el circuito, se supone un 𝑉𝐶𝐸 > 1 𝑉, por lo que 𝛽 obtendría el valor
máximo 𝛽 = 300. Esta suposición es válida siempre y cuando se obtengan valores coherentes para 𝐼𝐶𝑄
y 𝑉𝐶𝐸𝑄 , la unión base-emisor esté polarizada en directo y la unión colector-base esté polarizada en
reverso.
a. Análisis en DC.

Fig. 2 Circuito equivalente en DC.

En la Error! Reference source not found. se ilustra el circuito equivalente en DC, en donde no está
presente la fuente AC ni los capacitores, ya que este último se comporta como un abierto en
condiciones de DC.

Fig. 3 Blakesley de fuente DC

Después de aplicar el teorema de Blakesley para la fuente de 20 𝑉, se procede a aplicar el teorema

de Thevenin entre la base del transistor y la referencia a tierra para tener un circuito simple. Las
ecuaciones de voltaje y resistencia de Thevenin están dadas por:
𝑅𝐵1 . 𝑅𝐵2
𝑅𝑡ℎ = = 4,06 𝑘Ω
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2
𝑅𝐵2
𝑉𝑡ℎ = 𝑉1 ( ) = 2,71 𝑉
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2
 Fig. 4 Teorema de Thevenin

Una vez obtenido el circuito de la Fig. 4, supondremos que el transistor se encuentra en la

región activa, esto quiere decir que la unión base-emisor se encuentra polarizada en directo. Para
transistores de silicio esto es:
𝑉𝐵𝐸 = 0,7 𝑉

i. Malla en la base-emisor:

Por la ley de Kirchhoff de voltaje (KVL) en la malla base-emisor, tenemos:

−𝑉𝑡ℎ + (𝑅𝑡ℎ . 𝐼𝐵 ) + 𝑉𝐵𝐸 + (𝑅𝐸1 . 𝐼𝐸 ) = 0 (1)

Pero sabemos que, en la región activa entre la corriente del emisor 𝐼𝐸 y la corriente de la base
𝐼𝐵 se cumple que:

𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵 (2)

De ec. (1) y ec. (2), despejando 𝐼𝐵 tenemos:

𝑉𝑡ℎ − 𝑉𝐵𝐸 2,71𝑉 − 0,7𝑉
𝐼𝐵 = = ≅ 31,28 𝜇𝐴
𝑅𝑡ℎ + (𝛽 + 1)𝑅𝐸1 4,06𝑘Ω + (300 + 1)200Ω

También sabemos que entre la corriente del colector y la corriente se base se cumple:

𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 = (300)(31,28 𝜇𝐴) ≅ 9,38 𝑚𝐴

Por la ley de Kirchhoff (KCL) de corriente en el BJT, tenemos:

𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 = 9,38 𝑚𝐴 + 31,28 𝜇𝐴 ≅ 9,41 𝑚𝐴

Por último, se determina el voltaje del colector y de la base, para determinar si la unión
colector-base se encuentra en reverso, validando nuestra hipótesis sobre la región de operación en la
que se encuentra el BJT. Tenemos entonces que el voltaje del colector 𝑉𝐶 es:

𝑉𝐶 = 20 𝑉 − 𝑅𝐶 𝐼𝐶 = 20 𝑉 − 1 𝑘Ω ∗ 9,38 𝑚𝐴 ≅ 10,62 𝑉
 Para el voltaje de la base 𝑉𝐵 se tiene que:

𝑉𝐵 = 𝑉𝑡ℎ − 𝑅𝑡ℎ ∗ 𝐼𝐵 = 2,71 𝑉 − 4,06 𝑘Ω ∗ 31,28 𝜇𝐴 ≅ 2,58 𝑉

Se concluye entonces que nuestra hipótesis fue correcta debido a que la unión colector-base se
encuentra en reverso, ya que:

𝑉𝐶 > 𝑉𝐵

ii. Malla en la colector-emisor:

Por KVL en la malla colector-emisor, tenemos:

𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸
𝑉𝐶𝐸 = 20 𝑉 − 9,38 𝑚𝐴 ∗ 1 𝑘Ω − 9,41 𝑚𝐴 ∗ 200 Ω ≅ 8,72 𝑉
Por lo que el punto 𝑄(𝑉𝐶𝐸 , 𝐼𝐶 ) de operación del BJT es:

𝑄 (8,2 𝑉, 9,38 𝑚𝐴)

iii. Curvas características del BJT.

Las curvas de la corriente 𝐼𝐵 vs el voltaje 𝑉𝐶𝐸 se ilustran a continuación:

Fig. 5 Curvas característica del BJT

b. Análisis en AC

En el análisis AC, se quitan las fuentes DC y los capacitores se comportan como cortocircuito, es
decir, un cable. Además, haciendo el empleo del modelo pi (π) para análisis en pequeña señal del
transistor, se calculan los parámetros del modelo por lo que:
𝑉𝑇 25 𝑚𝑉
𝑟𝜋 = = ≅ 800Ω
𝐼𝐵 31,28 𝜇𝐴
𝐼𝐶 9,38 𝑚𝐴
𝑔𝑚 = = ≅ 375,2 Ω−1
𝑉𝑇 25 𝑚𝑉

Modelo Pi

Fig 6.

El voltaje de salida sería la corriente que pasa por todas las resistencias por el paralelo
de todas las resistencias.:

Vπ = Vi => Vo = −g 𝑚 . Vi (𝑅𝑜 || 𝑅𝐶1 ||𝑅𝐿1 )

Así, la ganancia de voltaje nos queda:

𝑅𝑜 . 𝑅𝐶1
𝑅𝑜 + 𝑅𝐶1 . 𝑅𝐿1 𝑉
𝐴𝑣 = −𝑔𝑚 . = −375
𝑅𝑜 . 𝑅𝐶1 𝑉
𝑅𝑜 + 𝑅𝐶1 + 𝑅𝐿1
𝑨𝒗 = −𝟑𝟕𝟓

La resistencia de entrada y salida:

𝐑 𝒊𝒏 = 𝟒, 𝟎𝟔𝐤Ω||𝐫𝛑 = 𝟔𝟔𝟖, 𝟑𝟏Ω

𝐑 𝒐 = 𝟏𝐤Ω

La ganancia de Corriente:
Io
AI =
Iint
Iout = −IC = −9,3837mA
VB 2,583V
Iin = = = 3,8649𝑚𝐴
R in 668,31Ω

−9,3837mA
AI =
3,8649𝑚𝐴
𝐀𝐈 = −𝟐, 𝟒𝟐𝟕𝟖

Datos y graficas Obtenidas en Multisim para el Circuito amplificador emisor común con
resistencia de emisor para polarización. (Fig. 1)

En la siguiente gráfica se importaron datos de la simulación de multisim del circuito y se

consiguieron las curvas de corriente-voltaje para el circuito emisor común, entre ellas la
correspondiente a la del punto de operación usado.

Fig7. Curva característica de salida del transistor 2N3904

De esta gráfica sabemos que la pendiente de la zona lineal (zona activa) es el inverso de la
resistencia de base r0. de los datos de Multisim escogimos el último punto medido y el punto de
operación, una línea recta entre estos puntos tiene pendiente
𝟏 𝟗,𝟏𝟖 𝒎𝑨−𝟖.𝟖𝟕 𝒎𝑨
= = 𝟖, 𝟏𝟕𝟎𝟏 𝒌𝛀
𝒓𝒐 𝟏𝟏,𝟗𝟓 𝑽 −𝟗,𝟑𝟓 𝑽

También se calculó el voltaje de Early extrapolando la región lineal hasta el eje horizontal:
 Fig 8. Cálculo gráfico del voltaje de Early

Simulación usando Multisim:

Fig 9. Análisis en DC, Punto de operación

Fig 10. Análisis transient correspondiente al voltaje de entrada y salida del Amplificador emisor común
con resistencia en el emisor

Fig 11. AC sweep: fcl=155.8139 hz, fch=39.9096 Mhz BW=39.9095 Mhz

Fig 12 Desfasaje en las frecuencias de corte fcl:-116.6 gra, fch:-227.7 gra.

Fig 13. Primer punto a tomar en el análisis frecuencial.

Fig 14. Segunda punto a tomar en el análisis frecuencial

Fig 15 Tercer punto en el análisis frecuencial.

Fig 16. Cuarto punto en el análisis frecuencial

Fig 17 Quinto punto en el análisis frecuencial.

 Fig 18 Sexto punto en el análisis frecuencial.

3. Presentación y análisis de resultados

Como primer paso, antes de montar el circuito, se procedió a medir los valores reales de los
elementos circuitales:

Con el “Multímetro Digital” para las resistencias:

Resistencias Valor Teórico Valor Obtenido % de Error

RB1 30KΩ 29,8KΩ 0,67%

RB2 4.7KΩ 4,72KΩ 0,42%

RC 1KΩ 982Ω 0,6%

RL 1KΩ 976Ω 1,2%

RE 200Ω 202Ω 0,99%

Tabla 2

Para los condensadores con el “LCR METER”:

 Condensadores Valor Teórico Valor Obtenido % de Error

C1 22μF 19,38μF 13,51%

C2 1μF 991,9nF 0,81%

CE 470μF 370μF 27,02%

Tabla 3

Se observó la curva característica del Transistor 2N3904

Fig 19.

Luego se procedió a montar el circuito de la Figura 1 en el ProtoBoard:

Figura 20
 Figura 21
Después de haber conectado debidamente solo la Fuente DC ajustada a 20V, se procedió a
medir el punto de operación del transistor:

VBE IC VCE

0,662 V 7,13 mA 11,64 V

Tabla 4
Luego, para observar el comportamiento en AC del Circuito se apagó la fuente DC y en adición se
le conecto el generador de funciones a la entrada de este mismo. Para proceder con el análisis primero
se encendió la fuente DC y luego la AC.

Se observó la señal de entrada del circuito (Canal CH1) y la de salida de este (Canal CH2) en el
Osciloscopio Digital:

Figura 22
 Se ajustaron las escalas para observar de manera adecuada las señales:

Figura 23

Posteriormente, se fue aumentando el valor de voltaje de la entrada con el generador de

funciones hasta obtener una máxima salida sin distorsión:

Figura 24
 Figura 24

Se obtuvo como voltaje máximo de entrada para que no se sature el circuito:

Vip max = 35,2 mV

Con las siguientes configuraciones de conexión de la Figura 26 se midieron cualitativamente las

ganancias de corriente y voltaje, y las resistencias de entrada y salida sin carga:

Figura 26

Para las ganancias de voltaje y corriente entre la entrada y salida del circuito:

Vi Vo AV = Vo/ Vi ii io Ai = io/ ii
 10 mV 1,02 V -102 V 28 μA 1,0450 mA -37,3214 A

Tabla 5

Para las resistencias de entrada y salida del circuito:

Vi ii Ri = Vi/ ii Vc ic Ro = Vc/ ic

7,2 mV 26μA 276,92 Ω 2V 1,0655 mA 1,877 kΩ

Tabla 6

Finalmente, se realizó el Análisis en frecuencia para el circuito a través del simulador

Multisim utilizando los valores de resistencias reales obtenidos en el laboratorio, se midió
la amplitud de la ganancia de voltaje en función de la frecuencia y la fase de la ganancia de
voltaje en función de la frecuencia, manteniendo constante el voltaje de entrada. Se
registraron los resultados en la siguiente tabla:

Figura 27
 Frecuencia Vi (mV) Vo (V) Vo/Vii desfasaje
(Hz)

94.72 10 0.6988 69.88 -89.87

107.49 10 0.7872 78.72 -96.88

124.19 10 0.8853 88.58 -105.18

155.81 10 1.0279 102.79 -116.55

195.07 10 1.1457 114.57 -127.21

225.39 10 1.2076 120.76 -133.40

251.18 10 1.2471 124.71 -137.68

Tabla 7

4. Análisis de Resultados

Comparación de curvas características

La figura 7 y la figura 19 corresponden a las curvas características de salida del transistor BJT
2N3904.La primera se obtuvo importando datos de Multisim y graficándolos en Excel mientras que la
segunda se obtuvo mediante un trazador de curvas en el laboratorio. En ambas se puede apreciar la zona
de saturación donde el voltaje emisor colector es aproximadamente 0,2 V y la corriente de colector puede
tener un valor muy alto y también se aprecia la zona de amplificación que es donde, mediante la
polarización, colocamos el punto de operación del transistor.

Adicionalmente, en la figura 19 se logra apreciar también la zona de corte que es cuando la

corriente en el colector es aproximadamente cero mientras el voltaje colector emisor puede variar. Esto
en la figura 7 no se aprecia dado que escogimos solo unas pocas corrientes de base cercanas a la corriente
de base del punto de operación. Además, en la figura 19 se puede ver que para la curva en la cual la
corriente de base es menor y el voltaje colector emisor es suficientemente grande se pierde la
característica lineal debido a que se supera el voltaje máximo para el cual las regiones P-N del transistor
están diseñadas para trabajar.

Comparación Voltajes de entrada y salidas

En las figuras 10, 24 y 25 se observa el voltaje de entrada y de salida correspondientes al montaje

experimental realizado. Tanto en la simulación como en el laboratorio. La entrada en ambos circuitos se
escogió una señal senoidal de 10 mV de amplitud y 5 Khz de frecuencia. como se puede apreciar en las
imágenes obtenidas en el laboratorio (24 y 25), esta señal tiene una gran cantidad de ruido inyectado por
el generador al usarse los voltajes más bajos sin embargo intentamos que la mitad de la amplitud del ruido
estuviera en la marca de los 10 mv.
 Con respecto a la salida, los cálculos teóricos arrojaron que el voltaje de salida debe ser (-169.07
V/V)*(10 mV) = -1.69 V mientras que en multisim la salida es de -1.51 V y en el laboratorio obtuvimos una
salida de -1.50 V como se muestra en los cursores del osciloscopio, obteniendo una diferencia máxima de
0.19 V es decir 11.24% entre los resultados teóricos y el resultado obtenido en en laboratorio. El menos
es debido al desfase de 180 grados entre la entrada y la salida.

Comparación de ganancias de voltaje

La ganancia de voltaje obtenida en el laboratorio fue de (suponiendo Vt= 25mV):

𝑨𝒗 = −𝟏𝟎𝟐
Si comparamos esta ganancia con la teórica podemos notar que la diferencia es de %Error = 267%,
un valor inaceptable debido a que la diferencia muy grande, sin embargo, se puede considera que se
trabajó con un β = 300, siendo este el máximo que puede soportar en transistor en estudio.

Análisis de ganancia de corriente

Sobre la ganancia de corriente como se puede ver en la tabla #4 la corriente tiene una amplitud de i_in=-
17.131 uA mientras que la corriente de salida es i_out=-17.131 uA lo que implica que la ganancia obtenida
haciendo mediciones en multisim es de Av=-77.6370 A/A mientras que la ganancia de corriente teórica es
deAv= -74.7961 A/A esto es una diferencia de 3.65%.

Análisis de resistencia de entrada y de salida

Con respecto a la impedancia de entrada, se obtuvo como se muestra en la tabla 6 Rin=571,3673𝛀
que en relación con el valor teórico esperado Rin_Teo= 442,376𝛀 se presentó un porcentaje de error del
29,15%, error relativamente alto que pudo deberse a que el cálculo de la impedancia de entrada se calculó
utilizando el modelo equivalente del circuito del amplificador emisor común de manera indirecta en
Multisim. Sin embargo, se logró obtener un valor de impedancia ligeramente mayor con respecto al valor
teórico esperado.

Con respecto a la impedancia de salida, tal como se muestra en la misma tabla se obtuvo un valor
de Rout=888,7183𝛀 que con respecto al valor teórico de Rout_Teo=898.652𝛀 presenta un porcentaje de
error del 1.12%, error relativamente bajo.

Análisis de frecuencias de corte/ desfase

En la figura 11 se puede observar el barrido frecuencia del transistor. Este barrido permite conocer
cuál es su región del funcionamiento lineal, también llamado como zona “Flat” (plana), con la cual nos
define el ancho de banda dispositivo y se determina la máxima ganancia que puede ofrecer. Este ancho
de banda determina la región donde la ganancia no se puede hacer más grande, es decir, se vuelve
aproximadamente constante. Esta zona está determinada por las frecuencias de corte del dispositivo, las
cuales son la frecuencia en donde el transistor empieza a cambiar su comportamiento de dejar de
amplificar a mantener su ganancia aproximadamente constante, llamada frecuencia de corte baja, y la
frecuencia en donde ya no puede mantener la amplificación y esta empieza a decaer, conocida como
frecuencia de corte alta. En este laboratorio se iba a ver el comportamiento del transistor para diferentes
frecuencias, sin embargo, por falta de tiempo y problemas con el montaje del circuito, no se logró terminar
dicha parte del laboratorio. Por otro lado, el análisis del comportamiento se verificará de manera
simulada, en la cual se tomarán diferentes frecuencias, cercanas a la frecuencia de corte, y se analizará su
comportamiento. Los puntos tomados para el análisis se encuentran representados de la figura 11 a la 15.

Primero que nada, es importante destacar que la frecuencia de corte del transistor es de 155.81Hz
y esto se determinó debido a que la frecuencia de corte se encuentra 3 dbs por debajo de la ganancia
máxima. La ganancia máxima del transistor es de 43.21 db, por ende, la frecuencia de corte se encuentra
donde la ganancia es de 40.21 db. Por otro lado, en la tabla 12, se puede observar el comportamiento del
transistor a medida que va aumentando la frecuencia. Se puede ver como hay un cambio en la tasa de
crecimiento de su ganancia a medida que va aumentando la frecuencia, es decir, se puede observar el
cambio de la pendiente de la curva mientras que la frecuencia del circuito aumenta. El crecimiento en la
ganancia es acelerado hasta que se llega a la frecuencia de corte, en donde, a partir de este punto, su
crecimiento empieza a ser mucho más lento. La pendiente de la curva, antes de la frecuencia de corte, es
de 0.54 y luego de la frecuencia de corte su pendiente es de 0.23, hasta que prácticamente se vuelva cero
como se puede ver en la figura #5. Esto ocurre debido a que el transistor no puede amplificar más la señal
ya que la ganancia máxima del transistor viene dada gracias a su comportamiento en DC y su punto de
operación, hay que tomar en cuenta que dependiendo de su punto de operación, el transistor tendrá un
comportamiento diferente, en este caso, el punto de operación es (8.75V, 9,4624mA) haciendo que su
mayor ganancia posible sea la que se presentó en la parte teórica. Finalmente, se debe recordar que este
análisis aplica tanto para la frecuencia de corte baja como la frecuencia de corte alta pero, en este último
caso se interpreta de manera contraria, en vez de que el transistor amplifique, la ganancia empieza a
decaer debido a que un transistor BTJ es una unión NPN o PNP que, gracias a esto en altas frecuencias,
posee capacitancias parásitas que hacen que el dispositivo se comporte como un filtro elimina banda.

5. Conclusiones

Durante este laboratorio se pudo realizar el estudio del transistor BJT e identificar los parámetros
más importantes indicados en la hoja de datos. Adicionalmente se realizó un análisis detallado de su
funcionamiento como amplificador emisor comun con degeneracion en el emisor e igualmente se
realizaron sobre este circuito distintas mediciones para determinar sus características más importantes a
nivel de diseño relacionadas con la ganancia de voltaje, ganancia de corriente, resistencia de entrada,
resistencia de salida y análisis en frecuencia.

La práctica no se pudo concluir en su totalidad en el laboratorio debido a que se tuvo

complicaciones para ajustar el voltaje de entrada de la señal AC de 10 mvp @ 5khz con el osciloscopio y
el generador de funciones adicionalmente por ser un voltaje pequeño, la señal obtenida en el osciloscopio
presento un ruido considerable esto debe tomarse en consideración ya que pudo afectar la precisión de
los resultados obtenidos para el cálculo de la ganancia de voltaje del circuito. En relación a las mediciones
correspondientes al análisis de la ganancia de corriente, la medición de la impedancia de entrada,
impedancia de salida y análisis en frecuencia, se tuvieron que realizar mediante el simulador Multisim
utilizando los valores de resistencias que se midieron en el laboratorio.
 Con respecto a los resultados obtenidos mediante la simulación, variaron significativamente en
relación a los cálculos teóricos realizado. Específicamente, en el caso de la ganancia de corriente, se
obtuvo una ganancia cercana al valor esperado. Como se vio en las clases de teoría la resistencia en el
emisor hace que todo el circuito sea poco B-dependiente con respecto al circuito sin degeneración en el
emisor. Sin embargo, la dependencia existe y puede ser la causante de estas pequeñas diferencias en las
ganancias calculadas.

En el caso de la impedancia de entrada y salida se obtuvieron valores con menor precisión, pero
cercanos al valor teórico esperado. Si consideramos ambos resultados obtenidos, podemos corroborar
que el amplificador emisor común está trabajando de manera adecuada debido a que se obtuvo tal cual
como se esperaba de sus características principales tener un valor de resistencia de entrada bajo y un
valor alto para la resistencia de salida.

Finalmente, en relación al análisis en frecuencia, este no se pudo realizar en el laboratorio, pero

de manera simulada, los resultados obtenidos presentan una pequeña variación, con frecuencias de corte
y una región de funcionamiento cercana a lo esperado y en general, se pudo corroborar el
comportamiento del circuito para distintas frecuencias
6. Anotaciones del Laboratorio