Module : EF1 MCIL2 Chapitre I : Généralités sur les semi-conducteurs

N.Melizi

Série n°1
Exercice1
L’aluminium est trivalent et a :
 une masse atomique de 27g.
 et une masse volumique de 2700 kg/m3.
1. Calculer la concentration des électrons libres, on admettra que chaque atome de métal
perd 3 électrons.
2. Si la mobilité des électrons libres est de 10 -3 m2/Vs, quelle est la résistivité de
l’aluminium.
Exercice2
Un fil de cuivre de 2mm de diamètre et 2m de longueur est parcouru par un courant électrique de 10A.
La température du cuivre est telle que sa résistivité est égale à 1,8.10 -8 Ω.m.
1. Si la concentration des électrons libres est de10 29 électrons /m3. Quelle est la vitesse moyenne
de ces électrons ?
2. Calculer el champ électrostatique dans le fil.
3. En déduire la mobilité des électrons libres.
Exercice 3
Soit un cristal de silicium dopé de type N, avec le taux de 2.10 -7
1. Calculer la concentration des majoritaires et la concentration des minoritaires.
2. En déduire que les majoritaires sont 450 milliards de fois plus nombreux que les minoritaires.
3. Déterminer la proportion d’atomes de silicium ionisés.
On adoptera que la concentration en atomes de cristal de silicium est de 5.10 28 at/m3 et la
concentration intrinsèque du semi conducteur est de 1,5.10 16 at/m3.
Exercice 4
On considère un barreau de silicium de type N de section : 0,1 x 5mm x et de longueur 5 cm
1. On applique entre les extrémités une d.d.p de 100 V et on obtient un courant de 2 mA.
En déduire la résistivité du silicium.
2. La concentration en atomes donneurs vaut 1020 at /m3. En déduire :
 La concentration des électrons.
 La concentration des trous.
 Le taux de dopage.
On adoptera comme concentration intrinsèque 1,5.10 16 at /m3 et on rappelle que la concentration en
atomes du cristal de silicium est de 5.1028 at/m3.
3. Calculer pour les électrons libres.
 La mobilité
 La vitesse moyenne.

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N.Melizi

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