Vous êtes sur la page 1sur 7

MCIL2

Module : EF1 Chapitre III : Le transistor bipolaire

LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

I. Définition

Un transistor bipolaire est constitué d’un petit monocristal de semi-conducteur


(Germanium et surtout Silicium) comportant deux jonctions de même type de conductibilité
disposées en série mais dans des sens opposés séparés par une très mince région de type
opposé. Les deux régions externes sont appelées : Emetteur (E) et Collecteur (C), la région
intermédiaire est appelée Base (B).

II. Types et symboles d’un transistor bipolaire 

Il existe deux types de transistor bipolaire:

1. Transistor NPN: C’est un transistor dans lequel une mince couche de type P est
comprise entre deux zones de type N.
C
B B
E N PN C E

2. Transistor PNP: La mince couche centrale est de type N.


C
B
B E
E P NP C

En général, une jonction est presque le triple de l’autre.


L’émetteur est repéré par une flèche qui indique le sens direct de la jonction émetteur-
base et le sens réel du courant.

III. Paramètres caractéristiques d’un transistor


VCB IC
C
IB B VCE
VBE E
VCE  VCB  VBE
 IE
I E  I B  IC

Un transistor peut être assimilé à deux diodes à jonction en opposition.


1
C(N) C(P)

B(P) B(N)
NPN PNP
MCIL2

Module : EF1 Chapitre III : Le transistor bipolaire

IV. Différents montages à transistors


Le transistor étant constitué de trois électrodes, il peut être considéré comme un
quadripôle dont l’une des électrodes est commune à l’entrée et à la sortie.
On distingue trois cas :
1. Le transistor en émetteur commun 
Les bornes d’entrée : B, E
B IB IC C
Les bornes de sortie : C, E
B VCE
VBE
Les entrées : IB, VBE IE
E E
Les sorties : IC, VCE

2. Le transistor en base commune 


Les bornes d’entrée : E, B E IE IC C
Les bornes de sortie : C, B VEB VCB
IB
B
Les entrées : IE, VEB
Les sorties : IC, VCB
3. Le transistor en collecteur commun  B IB IE E
Les bornes d’entrée : B, C
B VEC
Les bornes de sortie : E, C VBC
IC
C C
Les entrées : IB, VBC
Les sorties : IE, VEC

V. Polarisation du transistor bipolaire

2
MCIL2

Module : EF1 Chapitre III : Le transistor bipolaire

Dans l’étude suivante, on considère uniquement un transistor NPN ; pour un PNP, il


suffit d’inverser les sens de polarisation et par conséquent, les sens des courants.

Dans le montage considéré, la jonction base-émetteur E IE


N P N
IC C
B IB
VBE VCB
est polarisée en direct alors que la jonction-base collecteur

est polarisée en inverse.

Pour simplifier, il est possible d’assimiler le transistor E IE IC C


D1 D2
à deux diodes à jonction du montage ci-contre : B IB
VBE VCB
1. L’effet transistor 

La diode D1 conduit, un courant circule de la base vers l’émetteur. La diode D 2 est


bloquée, normalement, aucun courant ne doit être perçu au niveau du collecteur, mais en
réalité, on constate la présence d’un fort débit de courant avoisinant celui de l’émetteur.

C’est ce qu’on appelle l’effet transistor. Ce phénomène existe à condition que :

 La base soit légèrement dopée : Quelques électrons provenant de la région N


vont se recombiner aux trous de la région P (puisque la jonction base-émetteur
est polarisée en direct, les électrons libres de la région N de l’émetteur vont
diffuser vers la région P de la base). 

 L’épaisseur de la base soit très mince : les électrons libres restants vont
franchir la base mince et diffuser vers le collecteur.

2. Coefficients d’amplification du transistor :

 On définit α le coefficient d’amplification en courant d’un montage base

IC

commune : IE

Comme : I E  I C  I B    1

3
MCIL2

Module : EF1 Chapitre III : Le transistor bipolaire

 On définit β le coefficient d’amplification en courant d’un montage émetteur

IC

I B et donc I E     1 I B
commun :

3. Montage émetteur commun :

Le montage le plus employé pour l’étude d’un circuit à transistor, le schéma


de base est le suivant :
IC

RC

VCC

RB IB
VBB VCE
IE
VBE

VI. Réseaux de caractéristiques du transistor bipolaire:

1. Caractéristiques statiques :

C’est l’ensemble des courbes représentant la dépendance entre tensions et


continus d’un transistor (IB, IC, VBE et VCE)

IC
Caractéristiques de transfert Caractéristiques de sortie
en courant IC=f(IB) pour IC=f(VCE) pour différents IB
différents VCE

IB VCE
Caractéristiques d’entrée Caractéristiques de transfert
VBE=f(IB) pour différents VCE en tension

VBE
Réseaux de caractéristiques

4
MCIL2

Module : EF1 Chapitre III : Le transistor bipolaire

A partir de ce réseau, on peut déterminer :

 Les régions de fonctionnement du transistor : la région active, la région de


saturation et la région de blocage.

 Le point de polarisation (IB0, IC0, VBE0 et VCE0).

 Les paramètres d’amplification.

2. Réseau de caractéristiques de sortie 

 Région de saturation 
IC
Le courant de base IB n’est pas
Région de saturation Région activeRégion d’ avalanche
proportionnel au courant du collecteur.

Cette région est limitée par VCEsat

 Région de blocage 
IB
Le transistor ne fonctionne pas IB=k3

(IC ≈ 0) : la zone hachurée


IB=k2
 Région active 
IB=k1
Le courant IC est indépendant
IB=k0
de la tension VCE, c’est la région
Région de blocage
d’amplification linéaire. VCEsat VCEmax VCE

 Région d’avalanche 

Si VCE dépasse une certaine valeur

VCEmax, il en résulte un très fort courant

5
MCIL2

Module : EF1 Chapitre III : Le transistor bipolaire

3. Droite de charge statique 

D’après le circuit du montage émetteur commun présenté précédemment, on a:

VCC =R C IC + VCE IC
M
 VCE =VCC - R C IC Droite de charge statique

C’est l’équation de la droite de charge statique

qui passe par les points N et M correspondants P


IC0
au point de blocage et celui de la saturation.

IC  0  VCE =VCC VCE


VCC
VCE = 0  IC  VCE0 N
RC

Le point d’intersection P(VCE0,IC0) de la caractéristique de sortie avec la droite de


charge statique est appelé point de fonctionnement.

4. Droite d’attaque 
IB IB0
D’après le circuit du même montage, on a: VBB/RB
Caractéristique d’entrée

VBB =R B I B + VBE
 VBE =VBB - R B I B Droite d’attaque

VBE0
P’
C’est l’équation de la droite d’attaque.
VBB
I B  0  VBE =VBB VBE
VBB
VBE = 0  I B 
RB

Le point P’(IB0 ,VBE0) est le point d’intersection de la caractéristique d’entrée avec la


droite d’attaque.

IIV. Polarisation statique du transistor bipolaire:

6
MCIL2

Module : EF1 Chapitre III : Le transistor bipolaire

La polarisation statique du transistor permet de définir les grandeurs continues


statiques IB, IC, VBE et VCE. Pour fixer le point de fonctionnement, il existe trois
procédés de polarisation :

1. Polarisation directe 

Dans ce type de configuration, on utilise


RC

deux sources d’alimentation VBB et VCC. RB


VCC

VBB

2. Polarisation par pont de base 

On utilise un pont de résistances pour


R1 RC
économiser une source d’alimentation et
VCC
polariser le transistor
R2

3. Polarisation par résistance base collecteur 

Ce type de polarisation dérive du montage

qui emploie la polarisation


RC directe.
RB VCC

Pour plus de détails, voir TD.