9V
0V
t
Umax
0V t
Umin
Le signal en dents de scie
UAB ( V)
0 T t (s ) o u (ms )
Le signal carré : Le signal carré est généralement employé pour transporter une information.
u(t)
TH
Umax
Signal carré : TH = TB
1
Le signal rectangulaire :
u(t) TH TH
Umax
0V
t
Umin
TB TB
Signal rectangulaire : TH ≠ TB
TH TH
Son Rapport Cyclique : Rc T T T (le rapport cyclique est toujours compris entre 0 et 1)
H B
1) Le signal sinusoïdal :
Une tension sinusoïdale est très utilisée dans le monde de l’électricité car elle est très facile à créer
(avec les alternateurs dans les centrales nucléaires, par exemple) et présente les avantages suivants :
Il est très facile de modifier (l’augmenter ou la diminuer) l’amplitude d’un signal sinusoïdal avec un transformateur,
Il est également très facile d’obtenir une tension continue à partir d’une tension sinusoïdale (redressement).
1ms
Expression mathématique de la valeur instantanée d’une grandeur sinusoïdale :
L’équation u(t) de la tension sinusoïdale est : u(t) = A x sin(2πxfxt + φ0), avec :
u(t) : la valeur instantanée en volts t : le temps en secondes (c’est l’axe des abscisses)
A : Amplitude φ0 le déphasage à l’origine
F : la fréquence
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I- Composants de base en électronique industrielles.
1- Les résistances :
a- Définition :
Une résistance est constituée de matériau ayant une forte résistivité. Elle s’oppose au passage du courant
dans un circuit électrique. On l’utilisera donc en général pour limiter le courant dans un circuit.
Le passage de ce courant provoque un échauffement de la résistance.
Elle s'exprime en Ohms et se mesure avec un ohmmètre.
Attention : Pour mesurer une résistance, l'élément à mesurer doit être isolé du circuit.
Exemple :
R1 rouge, rouge orange argent : R2 brun, noir, noir argent :
Puissance maximale
une résistance dissipe une certaine puissance sous forme thermique : c’est l’effet Joule. Pour un composant donné,
il existe une limite technologique de dissipation. Si l’on dépasse cette puissance maximale autorisée, l’élément
risque de se dégrader : sa résistance est modifiée sans que cela change forcément l’aspect du composant. Si la
limite est fortement dépassée, la résistance noircit et peut même se détruire. Les résistances ordinaires ont une
puissance maximale de 1/4W. On utilise également des résistances de puissance supérieure lorsque c’est nécessaire
1/2W, 1 W, 2 W, 5 W. Les éléments de puissance sont nettement plus encombrants sur les circuits imprimés et
évidemment plus chers. Il importe donc de chiffrer correctement la puissance nécessaire afin d’utiliser ces
composants à bon escient.
Par exemple, on branche une résistance de 4,7 kΩsous une tension continue de 12 V. La puissance dissipée par
effet Joule est alors :
P=U2/R = 0,03W
Une résistance1/4 W convient parfaitement. Sous la même tension de 12 V, on connecte un élément de 470 Ω. La
puissance est dans ce cas
P=0,3W
Une dissipation de 1/4 W est insuffisante. Il faut au moins 1/2W. On voit que l’on a intérêt à choisir des résistances
de valeurs élevées lorsque c’est possible : les puissances dissipées restent alors faibles
Technologies De nombreuses technologies existent pour la fabrication des résistances, mais seules quelques-unes
apparaissent fréquemment. Les résistances à couche de carbone sont de loin les plus répandues. Leurs
performances sont correctes et leur prix est faible
Les résistances à couche métallique ont des caractéristiques supérieures, mais leur prix est un peu plus élevé
3
application diviseur de tension
2- Les condensateurs
Introduction :
10 kΩ
100nf
Soumis à une tension U, un condensateur possède la propriété de se charger et de conserver une charge
électrique Q, proportionnelle à U. Cette énergie est restituée lors de la décharge du condensateur. Ces
phénomènes de charge et de décharge ne sont pas instantanés; ce sont des phénomènes transitoires, liés à
une durée.
La capacité du condensateur, qui s'exprime en farads (symbole F)
On trouve dans le marché une grande variété des condensateurs essentiellement les condensateurs
chimiques de grand capacité (polarisés qui possèdent un pole ‘+’ et un pole ‘-‘, ils ont un sens de
branchement) et les Condensateurs non-polarisés
Sa capacité, exprimée en farad, qui indique quelle "quantité" d'électricité il pourra conserver,
Sa tension de service, exprimée en volts, qui est la tension maximale à ses bornes
Sa précision ou tolérance
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a- Symboles :
Les semi-conducteurs
Introduction
Les matériaux semi-conducteurs ne font partie ni de catégorie des conducteurs comme le cuivre ou
l’aluminium ni de catégorie des isolants comme le caoutchouc ou le bois. Ils sont des matériaux qui
appartiennent à une catégorie intermédiaire ; ils peuvent être soit conducteurs, soit des isolants selon les
conditions d’utilisation. Exemple le silicium (Si), le germanium (Ge). Les composants à base de semi-
conducteur sont les diodes, transistors et circuits intégrés parmi
Les Diodes
I ) Symbole et Caractéristiques
Caractéristique Id =f(Vd)
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Cas classique : diode parfaite
En polarisation directe la diode est esquivant à un générateur :
En polarisation inverse la diode est esquivant à un interrupteur ouvert
Cas réel
En polarisation directe la diode est esquivant à un générateur et une résistance en série :
Avec : E0 : tension de seuil : Qui vaut 0,6 à 0,7V pour une diode au silicium
Qui vaut 0,2 à 0,3V pour une diode au germanium
Vc : Tension de claquage inverse :
C’est la tension inverse pour laquelle la diode devient passante, Appelé aussi VRRM.
Valeurs limites d’utilisation - Maximum ratings
Critères de choix
Symbole Expression Unité Définition
Valeurs limites d’utilisation -
IF Forward Current A Courant direct continu
Maximum ratings Caractéristiques électriques
VLes
RRM
valeursReverse
d’utilisation sont définies Vpar le Tension inverse
Repetitive Cesmaximum
valeurs sont intrinsèques au composant. On ne peut pas
répétitive
montage autour du composant Diode. C’est au les modifier. Elles sont la conséquence de leurs caractéristiques
Maximum Voltage
concepteur du montage de s’assurer que les de fabrication et des conditions d’utilisation.
Ptot limites d’utilisation
valeurs Total power ne serontW pas Dissipation de puissance totale
dépassées. dissipation
TVJ Junction °C Température de jonction
Temperature
Caractéristiques électriques
Symbole Expression Unité Définition
VF Forward Voltage V Tension directe
220V 12V D3 D1
50Hz
es
4 x 1N4004
D2 D4 +
URc
1k
-
Réaliser le montage et dessiner la forme d'onde présente aux bornes de la résistance de charge Rc alignée
avec es.
En utilisant les instruments adéquats et en prenant les mesures appropriées, remplir le.
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Tableau
es crête: 17V
URc crête: 16,3V
URc moyen: 10,4V
fréquence du signal aux bornes de Rc: 100Hz
PIV de la diode: 16,3V
Tracer sens de courant pour la demi alternance positive et le sens de courant pour la demi alternance
négative avec deux couleurs différents
Diodes passantes Diodes bloquées
Demi-alternance positive
Demi-alternance négative
On peu
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Le transistor « bipolaire »
Les Transistors :
Le transistor bipolaire possède trois bornes La base (B), le collecteur (C), l’émetteur (E)
Il existe deux types de transistor bipolaire
C
C
C
NPN N
B
P =
B = B la lettre E pour l'émetteur.
la lettre B pour la base.
N
E la lettre C pour le
E E
PNP collecteur
C
C
C
P
B = B = B
N
P
E
E E
• s’il y a un courant de base (dans le sens direct : iB> 0), le transistor est dit passant.
Le courant de base est donc un courant de commande.
VBE=Vseuil =0.6V
Il existe alors deux régimes de fonctionnement.
a- Fonctionnement en régime linéaire
Le courant de collecteur est proportionnel au courant de base : iC= βiB
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β >>1 donc iC>> iB
D’autre part : iE= iB+ iC iE≈ iC
b- Fonctionnement en régime de saturation
Au dessus d’une certaine valeur du courant de base (iBsat), le courant de collecteur « sature » :
La tension vCE est alors très proche de zéro :vCE sat≈ 0,2 V.
Caractéristiques des transistors
IC
IB + UCC
UCE (=UCE)
UBB RB -
Figure 9-1
Le transistor est une source de courant contrôlée. La source de courant est le collecteur et le
courant de base est le contrôleur. En variant UBB on variera de même IB où IB=(UBB - UBE). En
variant UCC on varie par le fait même U CE. Pour différentes valeurs de IB fixes et en variant UCE on
retrouve le graphique de la Error: Reference source not found.
Observations :
- La fonction Ic = f(Vce) est maîtrisée par la valeur du courant de base. Celle-ci comporte
essentiellement deux domaines ; la partie où Ic est peu variable pour unevaleur de Ib c’est le régime
linéaire, la partie coudée où la transistor est en régime saturé.
- La fonction Vbe = f(Ib) est celle d’une jonction PN entre la base et l’émetteur.
10
- La fonction Ic = f(Ib) caractérise « l’effet transistor » en régime linéaire. C’est une droite de pente
β(ordre de grandeur de β ≈100).
- En régime linéaire Ic ≈ β.Ib et en régime saturé Ic < β.Ib.
- En régime saturé Vce < 1Volt.
- Au point M0 le transistor est bloqué. Entre son collecteur et son émetteur le transistor est
équivalent à un interrupteur ouvert.
- Au point M1 le transistor est saturé. Entre son collecteur et son émetteur le transistor est
équivalent à un interrupteur fermé.
- Par la variation spontanée du courant Ib de 0 à Ib4 ou inversement on peut passer de M0 à
M1 ou inversement. Dans ce type de fonctionnement tout ou rien on dit que le transistor fonctionne en
commutation.
- En faisant varier Ib tout en conservant le transistor en régime linéaire on peut utiliser le
transistor en amplificateur de courant.
Exemple
a) Fonctionnement en commutation
En commutation, le transistor est soit saturé, soit bloqué.
β=100.
La tension d’entrée peut prendre deux valeurs : 0 V ou 5 V
Circuit de commande : Le circuit de puissance alimente une ampoule
qui consomme 1 A sous 6 V
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b) Fonctionnement en régime linéaire
• Exemple : principe d’un amplificateur de tension
Vérification
La méthode de vérification la plus simple consiste à utiliser un multimètre sur la
fonction testdiode. Étant donné qu'un transistor bipolaire est constitué de deux jonctions PN en
déterminant la polarité de l'appareil, on peut déterminer le type de transistor soit NPN ou PNP. La
méthode comporte trois étapes.
Identifier la base: La borne de la base est la seule jonction commune aux deux autres bornes
du transistor. À l'aide du mutimètre, en mesurant les trois paires de combinaisons possibles,
on pourra déterminer par élimination la borne de la base. En effet, la paire de connections (qui
dans les deux sens de polarisation indique nulle ou over load) contient la borne du collecteur et
del'émetteur. L'autre borne est forcément la base.
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Et un exemple pour stabiliser tout ceci :
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1 - Nous voulons calculer la valeur de r'e, 3300
Vb = _____________ x 12 = 2,59V
pour ce faire, nous devons connaître Ie.
3300 + 12000
Calculons la tension sur la base Vb
2 - calculons la tension Ve sur l'émetteur Ve = Vb - 0,7 = 1,89V
3 - calculons Ie Ie = Ve/re 1,89/ 1200 = 1,57 mA
4 - nous pouvons maintenant calculer r'e 25 25
r'e = _____ = _______ = 16
Ie 1,57
5 - calculons l'amplification A = Rc/ r'e 2700/ 16 = 169
6 - calculons l'impédance d'entrée Zi = R1//R2 (approximativement)
Zi = 2588
7 - calculons l'impédance de sortie Zo = Rc Zo = 2700
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