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ELE004 2007-2008

TD 11

Les trois montages fondamentaux E.C, B.C, C.C ; comparaisons et propriétés. Association
d’étages.
*** :exercice traité en classe

***exercice 11.1
On considère le montage ci-dessous :
VCC = 10 V

RC
R1
Cs
Rg

vs
Ce
RL
R2
ve CE
eg
RE

RE = 500 Ω, RC = RL = 4,5 kΩ, Rg = 50 Ω, R1 // R2 = 4,5 kΩ, R2 / R1 = 0,14. RL = ∞.Les


paramètres du transistor sont : r = 2,5 kΩ, β = 100, ρ = 40 kΩ.
1. De quel montage s’agit-il ? Donner l’expression de la droite de charge statique et la tracer.
Trouver la valeur du point de fonctionnement.
2. On s’intéresse au comportement de ce montage dans le domaine des fréquences moyennes.
Que deviennent les condensateurs ?
3. Donner le schéma équivalent au montage dans le domaine des petits signaux. En déduire
l’expression de la droite de charge dynamique et la tracer. Donner l’excursion maximale de
la tension de sortie du montage (le transistor fonctionnant en régime linéaire).
4. Calculer les gains en tension et en courant ainsi que les impédances d’entrée et de sortie.
vs
5. Calculer le gain composite de ce montage.
eg

exercice 11.2
On se propose d’étudier le montage élémentaire précédant utilisant un transistor bipolaire npn,
et deux alimentations symétriques +10V et -10V. Les caractéristiques statiques du transistor
sont fournies par les figures suivantes:

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Rb 10V
Rg = 1 kΩ
C1
ig
C2

RL = 10 kΩ
eg
Re = 10 kΩ
VL
Ve iL

-10V

Générateur Amplificateur Charge

Re = RL = 10 kΩ ; Rg = 1 kΩ.

Figure 3 : gain statique en courant hFE = β en fonction du courant IC


Figure 13: courant IC en fonction de la tension VBE.

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A Etude générale et polarisation.


1. Quel est le type de montage utilisé pour réaliser cet amplificateur? (E.C.; B.C; C.C.)
2. Quelles sont les propriétés d’un tel étage? (sans faire de calculs!)
3. Quel sont les rôles des condensateurs C1 et C2 ?
4. Dessiner le schéma valable pour la polarisation.
5. Donner l'équation de la droite de charge statique et tracer cette droite
6. On désire que le point de repos soit ICR = 1,5 mA et VCER. = 5V. (indice R pour repos).
En déduire la valeur de la résistance Rb nécessaire pour obtenir ce point de repos.

B Détermination du paramètre h11 du transistor.


1. Donner la valeur du paramètre h11e que l'on déduira des deux graphes du constructeur.
βVT
2. Comparer cette valeur à la relation du cours h 11 = .
IE

C Etude en petits signaux.


Pour cette étude on supposera que les condensateurs présentent une impédance nulle à la
fréquence de travail. On donne les caractéristiques dynamiques du transistor :
h11e = 3kΩ ; h12e = 0 ; h21e = 180 ; h22e = 0.
1. Dessiner le schéma équivalent du montage valable pour les petits signaux.
2. Donner les expressions littérales puis numériques de l’impédance d’entrée, des gains
Av= vL/ve ; Avc = vL/eg ; Ai = iL/ig ; et de l’impédance de sortie de l’amplificateur.
Re = RL = 10 kΩ ; Rg = 1 kΩ; Rb = 510 kΩ;

exercice 11.3
On considère le montage ci-dessous constitué d'un transistor bipolaire npn, d'un générateur
d'entrée (eg, Rg) en petits signaux et d'une résistance de charge RL en sortie.

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VCC = 10 V

RC
R1
Cs
Rg

Ce
RL
R2
ve
eg vs
RE1

RE2 CE

Les éléments du circuit ont pour valeur :


RE1 = 180 Ω, RE2 = 820 Ω, RC = 3,6 kΩ, Rg = 600 Ω, R1 = 10 kΩ, R2 = 2,2 kΩ; RL = 10 kΩ.
Les paramètres statiques du transistor sont : VBE on = 0,7 V ; β = 200.
Les paramètres dynamiques du transistor sont :
h11 = r = 5 kΩ, h21 = β = 200, 1/h22 = ρ = 100 kΩ.

1. De quel montage élémentaire s’agit-il ?


1. Dessiner le schéma équivalent du montage dans le domaine des petits signaux aux
fréquences moyennes.
2. Calculer les gains en tension et en courant ainsi que les impédances d’entrée et de sortie.
vs
3. Calculer le gain composite de ce montage.
eg

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Réponses 11.1
1. C’est un montage émetteur commun. Equation de la droite de charge
VCC − VCE
statique : I C = . Point de fonctionnement : VCE = 5 V, IC = 1 mA.
RC + R E
2. Les condensateurs se comportent comme des court-circuits.
− v ce
3. Equation de la droite de charge dynamique : i c = . Excursion maximale : 9,5 V crête
RC
à crête.
Rg
i ic
B C
ib
iL

vs
eg ve RB h11e h21e.ib ρ
RC

On cherche ici le courant dans la résistance Rc qui représente la charge.


iL β. ρ RB −β
4. A i = = . = -58. Av = .(ρ//R C ) = -160. Ze = h11e / / R B = 1,6 kΩ.
i ρ + R C R B + h11e (h 11e )

Zs = RC // ρ = 500 Ω. (on cherche vis-à-vis de la sortie)


5. A vc ≅ A v = -160.

Réponses 11.2
Partie A
1. Montage C.C.
2. Gain en tension voisin de 1; gain en courant élevé; impédance d'entrée élevée; impédance
de sortie faible. C'est un adaptateur d'impédance.
3. Bloquer la composante continue vis à vis du générateur d'attaque et de la charge.
4. On obtient le schéma suivant:

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IB Rb IC 10V

Vce

Re = 10 kΩ

-10V

5. Ic = (20- VCE)/ RE soit la droite:

IC

2 mA

Q
1,5 mA

VCE

0V 5V 20 V

6. On a l'équation 20 = RBIB+VBE+RE IC On lit sur la courbe 13 que pour IC = 1,5mA on


obtient VBE ≈ 0,65 V . et β =175 (figure 3) soit RB ≈ 0,51 MΩ.
Partie B
1. Il faut étudier les petites variations sur la courbe 13. On prendra le point Ic = 1 mA et le
point Ic = 2 mA. h11e = ∆VBE/∆IB. On trouve h11e = 175. 20mV/1mA = 3,5 kΩ.
2. Le calcul donne 175 .0,025V/1,5mA = 2,9 k Ω. La différence est faible compte tenu de la
dispersion des caractéristiques des composants.
Partie C
1. le schéma équivalent en petits signaux est le suivant:

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ig Rg B E

iL
ib h11e

vs
eg ve RB h21e.ib
RL
RE

2.a Ze = RB//(h11+β RE//RL) = 510k//900k = 320 kΩ. L'impédance d'entrée est bien très
élevée.
2.b Avc = +β RE//RL /(h11+β RE//RL). En effet Rg est négligeable devant Ze.
Comme h11 << +β RE//RL alors Avc ≈1 . Le gain est voisin de 1.
2.c Ai = iL/ig = vL/RL . Ze/eg = Avc.Ze/RL = 32. Le gain en courant est élevé.
2.d On retire RL et on court-circuite eg voir la figure ci-dessous. Attention ib n'est pas nul!
YS = 1/RE + β/(h11+(RB//RG)) soit Zs = 22Ω . La résistance de sortie est bien très faible.
Rg B E

iS
ib h11e

vs
RB h21e.ib
RE

Réponses 11.3
1. Montage E.C. (avec contre réaction d'émetteur)
2.
Rg h11 iB βiB

RL

Ve VL
R1//R2
RE1
eg RC

3. Av ≈-(RC//RL)/RE1 = -13; ZE= R1 // R2 //(h11 + βRE1 ) ≈ 1,7 kΩ

RC R1 // R2
Ai = − β • = -2,2 ; ZS = RC = 3,6 kΩ.
RC + RL R1 // R2 + h11 + βRE1

4. AVC = Av ZE/(ZE+Rg) ≈ -10

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