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Institut National des Sciences Appliquées et de Technologie

Département de Génie Physique et Instrumentation

Electronique 2
Notes de Cours
et Exercices de Travaux Dirigés

Support Pédagogique préparé pour :

La filière : 2ème année Instrumentation et Maintenance Industrielle.

Par :

M. Nejmeddine SIFI
Mme Raja MAGHREBI - SIFI

Mise à jour: Juin 2016


AVANT-PROPOS

Ce document rassemble, dans une première partie, les notes de cours


relatives au module « Electronique 2 » dispensé aux étudiants en 2ème
année de la filière « Instrumentation et Maintenance Industrielle / IMI »
de l’I.N.S.A.T conformément au nouveau plan des études.

Le contenu de ce module est une suite logique des connaissances que


les étudiants admis en 2ème année universitaire ont pu acquérir lors des
modules « Circuits Electriques » et « Electronique » dispensés en 1ère
année « Maths-Physique-Informatique / MPI ».

Ce document, qui englobe aussi l’ensemble des exercices de travaux


dirigés traité en classe, représente un support pédagogique de base
pour l’étudiant mais non exclusif de toute autre référence bibliographique
permettant d’étendre les connaissances autour des sujets traités dans le
cadre de ce module.

Les auteurs de ce document, qui assurent ce module dans sa globalité


(cours, travaux dirigés et travaux pratiques) depuis plusieurs années,
seront très reconnaissants aux lecteurs qui voudront bien faire part de
leurs critiques, remarques et suggestions afin d’améliorer ce support.
REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES

[1] « Cours d’Electronique », Francis MILSANT, Tomes 1, 2, 3, 4 et 5, Editions


Eyrolles, 1984.

[2] « Problèmes d’Electronique », Francis MILSANT, Tomes 1, 2 et 3, Editions


Eyrolles, 1984.

[3] « Principe d’Electronique », Albert Paul MALVINO, McGraw-Hill Editeurs, 1979.

[4] « L’Electronique », Bernard GROB, McGraw-Hill Editeurs, 1983.

[5] « Circuits Electroniques : cours et problèmes », Edwin C. LOWENBERG, Serie


Schaum, McGraw-Hill Editeurs, 1975.

[6] « Electronique : cours et problèmes », M. KAUFMAN & J. A. WILSON, Serie


Schaum, McGraw-Hill Editeurs, 1982.

[7] « Electronique : cours et exercices », T. GERVAIS, Editions Vuibert, 2003.

[8] « Cours Pratique d’Electronique », J. C. REGHINOT & J. C. PIANEZZI, Editions


Radio, 1985.

[9] « Transistors à Effet de Champ », J. –P. OEHMICHEN, Editions Radio, 1977.

[10] « Circuits et composants électronique : cours et TP », J. AUVRAY, Editions


Hermann, 1983.

[11] « Electronique : exercices avec solutions », M. BORNAND, Tomes 1 et 2,


Editions Vuibert, 1985.

[12] « Guide du technicien en électronique », C. CIMELLI & R. BOURGERON,


Edition Hachette, 1999.

[13] « Travaux pratiques d’électronique », M. VAUCHELLES, Editions Ellipses,


1997.

[14] « Formation pratique à l’électronique moderne », M. ARCHAMBAULT, Editions


ETSF, 1999.

[15] « Electronique », J. NIARD & R. MERAT, Editions NATHAN, 1982.


TABLE DES MATIERES

AVANT-PROPOS

REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES

LES CLASSES D’AMPLIFICATEURS ................................................................................. 5

I- Introduction ........................................................................................................................... 5
1- La fonction "amplification" ................................................................................................. 5
2- Caractéristiques des amplificateurs .................................................................................. 5
a- Modèle linéaire ............................................................................................................. 5
b- Non linéarité et décalage .............................................................................................. 6
c- Bande passante............................................................................................................ 7
d- Puissance de sortie ...................................................................................................... 8

II- Classes de fonctionnement des amplificateurs ................................................................. 9


1- L'amplification en classe A.............................................................................................. 10
a- Polarisation ................................................................................................................. 10
b- Fonctionnement en petits signaux AC........................................................................ 11
c- Bilan de puissance en régime sinusoïdal ................................................................... 12
2- L'amplification en classe B.............................................................................................. 13
a- Montage Push Pull...................................................................................................... 13
b- Suppression de la distorsion de croisement............................................................... 14
c- Bilan de puissance en régime sinusoïdal ................................................................... 16
d- Montage mono-tension ............................................................................................... 18
3- L'amplification en classe C.............................................................................................. 18
a- Principe de fonctionnement ........................................................................................ 18
b- Utilisation d'un circuit sélectif...................................................................................... 21
c- Bilan de puissance en régime sinusoïdal ................................................................... 22

REACTION ET CONTRE REACTION ................................................................................. 23


I- Introduction.......................................................................................................................... 23

II- Classification des amplificateurs : différentes structures ............................................. 24


1- Montage tension – tension (série-parallèle).................................................................... 24
a- Exemple 1 : Suiveur de tension.................................................................................. 24
b- Exemple 2 : Amplificateur non inverseur .................................................................... 25
2- Montage parallèle-parallèle (courant – tension) ............................................................. 26
a- Exemple 1................................................................................................................... 26
b- Exemple 2................................................................................................................... 27
3- Montage série - série (tension – courant) ....................................................................... 27
4- Montage parallèle - série (courant – courant)................................................................. 28

III- Influence de la contre réaction sur la fluctuation de l’amplification.............................. 28

LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS ................................................................... 30


I- Introduction.......................................................................................................................... 30

II- Structure des amplificateurs opérationnels ..................................................................... 30


1- Etage différentiel ............................................................................................................. 30
2- Schéma de principe des AOp ......................................................................................... 32
3- Schéma équivalent de l'AOp........................................................................................... 34

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III- Les montages de base ....................................................................................................... 34
1- Fonctions linéaires .......................................................................................................... 34
a- Amplificateur non inverseur ........................................................................................ 34
b- Amplificateur inverseur ............................................................................................... 36
c- Sommateur inverseur ................................................................................................. 36
d- Soustracteur ............................................................................................................... 37
e- Dérivateur ................................................................................................................... 37
f- Intégrateur .................................................................................................................. 37
2- Fonctions non linéaires ................................................................................................... 37
a- Trigger inverseur......................................................................................................... 37
b- Trigger non inverseur.................................................................................................. 38

IV- Les limites des AOp ............................................................................................................ 39


1- Les défauts statiques ...................................................................................................... 39
2- Imperfections dynamiques .............................................................................................. 40

V- Les AOp à transconductance............................................................................................. 42


1- Présentation .................................................................................................................... 42
2- Montages de base .......................................................................................................... 43
a- Amplificateur non inverseur ........................................................................................ 43
b- Trigger inverseur......................................................................................................... 44

VI- Les amplificateurs d'instrumentation................................................................................ 45

LES OSCILLATEURS SINUSOÏDAUX ............................................................................... 47


I- Introduction.......................................................................................................................... 47

II- Tension d’amorçage des oscillations ............................................................................... 47

III- Différents types d’oscillateurs ........................................................................................... 48


1- Oscillateurs à réseau RC simples................................................................................... 48
a- Oscillateur à pont de Wien ......................................................................................... 48
b- Oscillateur à réseau déphaseur (« phase shift RC ») ................................................ 49
2- Oscillateurs à réseau LC................................................................................................. 49
a- Oscillateur Colpitts...................................................................................................... 50
b- Oscillateur Hartley ...................................................................................................... 51
c- Oscillateur Clapp ........................................................................................................ 51
3- Contrôle automatique du gain de boucle ........................................................................ 52
a- Contrôle automatique du gain par diodes en tête bêche............................................ 53
b- Contrôle automatique du gain par diodes Zener. ....................................................... 53

TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP ............................................................................... 54

I- Introduction ......................................................................................................................... 54
II- T. E.C. à jonction à canal N................................................................................................. 54
1- Description. ..................................................................................................................... 54
a- Composant discret schématisé. ................................................................................. 54
b- Le composant réel ...................................................................................................... 54
2- Constitution interne. ........................................................................................................ 55
3- Symbole et choix d'orientations. ..................................................................................... 55
a- Symbole ...................................................................................................................... 55
b- Courants ..................................................................................................................... 56
c- Tensions ..................................................................................................................... 56

III- Caractéristique ID(VDS) pour VGS=0; pincement............................................................ 56


1- Montage .......................................................................................................................... 56
2- Relevés ........................................................................................................................... 57

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3- Courbe ID(VDS) .............................................................................................................. 57
4- Justification physique de la forme de la caractéristique. ................................................ 57
a- Comportement ohmique ............................................................................................. 57
b- Le rétrécissement du canal et sa cause. .................................................................... 57
c- Conséquences du rétrécissement. ............................................................................. 58
d- Remarques ................................................................................................................. 59
e- Conclusion .................................................................................................................. 59

IV- Réseaux de caractéristiques .............................................................................................. 59


1- Montage .......................................................................................................................... 59
2- Les grandeurs variables.................................................................................................. 60
3- Réseau de sortie. ............................................................................................................ 60
a- Définition ..................................................................................................................... 60
b- Exemples .................................................................................................................... 60
c- Le blocage. ................................................................................................................. 61
d- Remarque ................................................................................................................... 61
e- Région ohmique.......................................................................................................... 61
f- Domaine linéaire......................................................................................................... 61
4- Réseau de transfert. ....................................................................................................... 61
a- Définitions ................................................................................................................... 61
b- Tracé........................................................................................................................... 62
c- Étude du réseau expérimental.................................................................................... 62
5- Caractéristiques de transconductance ........................................................................... 62
6- Remarques...................................................................................................................... 63

V- Polarisation du T.E.C .......................................................................................................... 63


1- Montages fondamentaux ................................................................................................ 63
a- Montage source commune ......................................................................................... 63
b- Montage grille commune ............................................................................................ 65
c- Montage drain commun.............................................................................................. 65
2- Limitations ....................................................................................................................... 66
a- Température interne ................................................................................................... 66
b- Hyperbole (H) de dissipation maximale...................................................................... 66
c- Choix du point de repos.............................................................................................. 66

VI- Le transistor à effet de champ en regime variable.......................................................... 66


1- Principe de l’amplification ............................................................................................... 66
2- Notion de droite de charge dynamique ........................................................................... 68
3- Paramètres du TEC ........................................................................................................ 68
4- Schéma équivalent aux variations .................................................................................. 69
5- Montages fondamentaux ................................................................................................ 70
a- Montage source commune ......................................................................................... 70
b- Montage grille commune ............................................................................................ 70
c- Montage drain commun.............................................................................................. 71
6- Remarques...................................................................................................................... 72

VII- Utilisation du T. E.C............................................................................................................. 72


1- Les deux états statiques du T. E. C. ............................................................................... 72
a- État bloqué.................................................................................................................. 72
b- Etat passant (quelconque).......................................................................................... 72
2- Commutation................................................................................................................... 72
a- Définition ..................................................................................................................... 72
b- Étude d'un cas ............................................................................................................ 72

VIII- Autres transistors à effet de champ. ................................................................................ 73


1- T.E.C. à jonction à canal P. ............................................................................................ 73
2- T.E.C. à grille isolée à canal N diffusé............................................................................ 73
a- Description.................................................................................................................. 73
b- Polarisation des électrodes ........................................................................................ 74
c- Principe du fonctionnement ........................................................................................ 74

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d- Remarque ................................................................................................................... 75
e- T.E.C. à grille isolée, à canal P diffusé....................................................................... 75
f- Caractéristiques.......................................................................................................... 75
3- T.E.C. à grille isolée à canal induit.................................................................................. 76
a- Description (substrat P) .............................................................................................. 76
b- Principe sommaire du fonctionnement ....................................................................... 77
c- Symbole ...................................................................................................................... 78
d- Remarque ................................................................................................................... 78
e- T.E.C. à grille isolée, à canal P induit......................................................................... 78
f- Caractéristiques.......................................................................................................... 78
4- Propriétés des T.E.C. à grille isolée................................................................................ 79
a- Courant réel d'entrée .................................................................................................. 79
b- Fragilité ....................................................................................................................... 79

EXERCICES DE TRAVAUX DIRIGES ................................................................................ 80

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Chapitre 1- Les classes d’amplificateurs

LES CLASSES D’AMPLIFICATEURS


I- INTRODUCTION

La réalisation d'amplificateurs de tension est simplifiée par l'utilisation d'Amplificateurs


opérationnels. Mais les limites en fréquence et en puissance ne font pas de l'amplificateur
opérationnel la panacée universelle. Dès lors, les réalisations à transistors bipolaires
demeurent d'actualité. On présente ici les principales structures d'amplificateurs à
transistors bipolaires. En particulier, on abordera les questions relatives à la linéarité et au
rendement de ces structures qui constituent souvent deux caractéristiques antagonistes et
qui nécessiteront donc des choix.

1- La fonction "amplification"

II arrive que la tension, ou l'intensité, ou plus souvent la puissance délivrée par un dipôle
actif soit insuffisante. La solution consiste à placer entre le dipôle actif et la charge (ou
l'étage d'entrée de la chaîne électronique) un quadripôle amenant la grandeur considérée à
une valeur convenable: ce quadripôle est un amplificateur. Les amplificateurs peuvent être
décrits par le schéma figure 1.1.

Source d’énergie
externe

Source de AMPLIFICATEUR Charge


commande

fig.1.1

D'une façon générale, l'amplificateur augmente la puissance fournie par le dipôle actif : il
est donc lui-même actif. Le supplément de puissance est prélevé sur la source continue qui
réalise la polarisation du composant actif de l'amplificateur (AOp, transistor, amplificateur
intégré).

2- Caractéristiques des amplificateurs

a- Modèle linéaire

En première approximation, les amplificateurs peuvent être assimilés à des quadripôles


linéaires. Ils peuvent donc être modélisés par une impédance, vu de l'entrée, et par un
générateur équivalent de Thevenin, vu de la sortie comme le montre la figure 1.2. En
pratique, les impédances d'entrée et de sortie sont souvent des résistances. Il faut noter que
le dipôle actif branché en entrée de l'amplificateur présente généralement une impédance
interne. Si le signal utile est la tension alors l'amplificateur devra présenter une résistance

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Chapitre 1- Les classes d’amplificateurs

d'entrée aussi grande que possible afin de limiter la chute de la tension d'entrée lors de
l'association des deux étages.

Rs

uE RE Av.uE uS RL

fig.1.2

La résistance de sortie, quant à elle, devra être :


- faible devant l'impédance d'entrée de l'étage suivant pour limiter la chute de tension
lorsque celle ci constitue le signal utile,
- égale à la charge pour réaliser l'adaptation d'impédance en vue d'un transfert optimal
de puissance.
Si ce n'est pas le cas, il faudra réaliser une adaptation par quadripôle réactif ou par
transformateur.

b- Non linéarité et décalage

La relation entre uS et uE n'est pas toujours rigoureusement linéaire comme le montre la


caractéristique de transfert en tension figure 1.3.

uS

uSoff
uE

fig.1.3

La courbe n'est pas tout à fait une droite. Ainsi, la forme du signal de sortie ne sera pas
rigoureusement identique à celle du signal d'entrée. La distorsion de non linéarité ∆
introduite par l'amplificateur doit être aussi faible que possible de telle sorte que :

DS = DE + ∆ ≈ DE

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Chapitre 1- Les classes d’amplificateurs

Rappel : le taux de distorsion harmonique D d'un signal périodique u(t) est donné par :

U 2 − U12 U 22 + U 32 + ... + U 2n + ...


D= =
U1 U1

Un : valeur efficace de l'harmonique de rang n du signal.


∆ correspond au taux de distorsion du signal de sortie lorsque le signal d'entrée est
sinusoïdal pur (DE = 0 %).
Enfin, la courbe montre que uS est non nulle lorsque uE = 0 : l'amplificateur peut également
introduire un décalage appelé " offset ".

c- Bande passante
Gain

Fréquence (Hz)
100 10M

fig.1.4

L'amplificateur n'a les performances prévues que dans un certain domaine de fréquence
comme le montre la courbe de réponse de la figure 1.4. Les limites de la bande passante
sont données par les fréquences de coupure à -3dB. Le composant actif utilisé pour réaliser
l'amplificateur est un élément déterminant dans la limitation haute de la bande passante. A
la sortie comme à l'entrée d'un amplificateur, la tension n'a pas forcément une valeur
moyenne nulle à cause des composantes continues imposées par la polarisation du
composant actif. Or, dans la majorité des cas, le signal utile est la composante alternative
de ce signal. La séparation des composantes peut être réalisée au moyen de condensateurs
de liaison équivalents à des interrupteurs ouverts vis à vis du continu. Ils doivent être
dimensionnés de sorte que leur impédance soit négligeable à la fréquence de travail de
l'amplificateur. Les amplificateurs peuvent donc être classés suivant leur gamme de
fréquence de travail comme le montre la figure 1.5 :
domaine d'étude

TBF BF MF HF THF UHF Hyper


3 30k 300k 3M 30M 300M 3G f (Hz)

fig.1.5

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Chapitre 1- Les classes d’amplificateurs

d- Puissance de sortie
Ps = u s .i s Exprimée en Watt (W)

La puissance est parfois exprimée en dBm (puissance normalisée). Elle revient à comparer
P
la puissance à une puissance de référence PREF = 1mW : Ps(dBm) = 10 log s Notons que
PREF
pour une charge donnée, la puissance maximale de sortie dépend généralement de la
source de polarisation de l'amplificateur (figure l.6).

uS

+VCC
VCC
uE uS RL

VCC t

-VCC
2
VCC
PS max =
2R L
uS

+VCC
VCC uE uS RL

0
t
V2
PS max = CC
fig.1.6 8R L

L'élévation de la puissance maximale de sortie ne peut se faire qu'en augmentant la tension


de polarisation. Pour les fortes puissances, il est courant d'utiliser des alimentations à
découpage permettant d'obtenir des tensions continues élevées. Le rendement doit être
maximum afin de limiter les problèmes de refroidissement des composants (la puissance
fournie par l'alimentation et non Transférée à la charge est dissipée dans l'amplificateur et
contribue à son échauffement).

alimentation
PF

PS sortie

source de P
E
commande
PS P
perte Rendement : η = ≈ S
PE + PF PF
fig.1.7

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Chapitre 1- Les classes d’amplificateurs

II- CLASSES DE FONCTIONNEMENT DES AMPLIFICATEURS

Considérons le schéma de la figure 1.8 (émetteur commun).


VCC

RB RC

C
T

VCE
uE

fig.1.8

Les différentes classes de fonctionnement du montage correspondent à différentes


positions du point de repos P en DC sur la droite d'attaque et sur la droite de charge
statique comme le montre la figure 1.9.

iB iC

VBB
droite VCC
d’attaque
RB RC droite de charge
statique

classe A
P1
IC0 IB0

IB0 P1
classe B

classe B
P3 P2 P2
0,6V VBE0 VBB VBE VCE0 VCC VCE
classe C

fig.1.9

Classe A : P1 se situe au milieu de la droite de charge statique


VBE0 > 0,6V ; VCE0 = VCC/2 ; IC0 = VCC/2RC

L'excursion du point de fonctionnement est symétrique autour du point de repos : le


transistor est n'est jamais bloqué ni saturé. La tension VCE recopie la forme de uE(t) : le
fonctionnement du transistor est toujours linéaire (distorsion faible).

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Chapitre 1- Les classes d’amplificateurs

Classe B : P2 se situe au pied de la droite de charge statique


VBE0 = 0 ; VCE0 = VCC ; IC0 = 0

Au repos, le transistor est bloqué. L'excursion du point de fonctionnement ne peut pas être
symétrique autour du point de repos : le transistor n'est conducteur que durant l'alternance
positive de uE(t) et son fonctionnement est donc non linéaire. Notons qu'en classe B, aucun
circuit de polarisation n'est nécessaire puisque IB0 = 0.

Classe C : P3 se situe dans la partie VBE < 0 de la caractéristique d'entrée.

P3 est donc confondu avec P2 sur la droite de charge statique.


VBE0 < 0 ; VCE0 = VCC ; IC0 = 0

Au repos, le transistor est bloqué. Le transistor ne pourra conduire que pendant une courte
durée au cours de l'alternance positive de uE(t) et son fonctionnement est non linéaire.

1- L'amplification en classe A

Le transistor est n'est jamais bloqué ni saturé.

a- Polarisation

Considérons le schéma de la figure 1.10 (émetteur commun à liaison capacitive). Les


condensateurs C1 et C2 sont des capacités de liaison : ils arrêtent le continu et laissent
passer l'alternatif.
VCC

RB RC
C2

C1
T RL

VCE uS
uE

fig.1.10

VCC − VBE
La résistance RB permet le réglage de IB0 : I B0 =
RB
Pour un fonctionnement en classe A, la résistance RB est généralement choisie au milieu de
la droite de charge statique c'est-à-dire :
VCE0 = VCC/2 ; IC0 = VCC/2RC

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Chapitre 1- Les classes d’amplificateurs

b- Fonctionnement en petits signaux AC

En première approximation, le transistor peut être décrit par le modèle de la figure 1.11.

B C
C

h11 β.ib

E
E
fig.1.11

Les condensateurs de liaisons sont équivalents à des courts-circuits. L'alimentation


continue VCC maintient à ces bornes une différence de potentiel constante : elle est donc
perméable aux signaux variables c'est à dire qu'elle équivaut elle aussi à un court-circuit
vis à vis des composantes AC. Le Schéma AC en petits signaux de l'amplificateur est
donné par la figure 1.12.

B ib ic C

uE RB h11 β.ib vce uS


RC RL

fig.1.12
−1
La relation qui lie ic à vce est, dans le repère AC : ic = v ce
R C // R L
Une tension alternative uE(t) appliquée en entrée via C1 produit une variation de ib autour
de IB0 et par conséquent, une variation ic(t) autour de Ic0 et Vce(t) autour de VCE0. La tension
us(t) correspond à la composante alternative de vCE(t). L'amplification en tension réalisée
par ce montage est :
u − β i b (R C // R L ) − β
Av = S = = (R C // R L )
uE h 11i b h 11

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Chapitre 1- Les classes d’amplificateurs

IC
iC Repère AC

ic VCC
RC droite de charge
statique

t P1 vce
IC0
IB0

droite de charge
dynamique

VCE0 VCC VCE

vce
Limite d’écrêtage

fig.1.13
t

c- Bilan de puissance en régime sinusoïdal

Pour faire ce bilan, prenons RL=RC pour simplifier.

2
VCC
- Puissance fournie par l'alimentation VCC : PF=VCC . IC0 =
2R C

2
U Seff U2 U2
- Puissance de sortie (fournie à RL) : PS = = S max = S max
RL 2R L 2R C

- Puissance dissipée dans Rc :


2
U2 V  U2 V2 U2
PRC = PDC + PAC = R C .I + seff = R C  CC
2
C0
 + seff = CC + s max
RC  2R C  RC 4R C 2R C
- Puissance dissipée dans le transistor :

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Chapitre 1- Les classes d’amplificateurs

VCC VCC U V2 U2
PT= PDC + PAC =VCE0.IC0 - vce . ic= − U seff seff = CC − S max
2 2R C R C / 2 4R C RC
Notons que : PAC = vce . ic . cos(π) = - vce . ic (vce et ic sont en opposition de phase)
Le principe de conservation de l'énergie est vérifié : PF = PS + PRC + PT
La puissance de sortie Ps est égale au mieux à 1/16 soit 6% de la puissance fournie PF par
l'alimentation VCC. En d'autres termes, cela veut dire que pour 100W fournis au montage,
au mieux 6W seront effectivement transmis à la charge. On retiendra que le rendement
d'un tel montage est très faible ce qui le rend, en pratique, inutilisable pour les fortes
puissances, mais sa linéarité est excellente. On peut chercher les limites d'un tel montage
en admettant que la charge soit directement la résistance de collecteur. Une étude similaire
permettrait de montrer que la puissance utile de sortie (correspondant à la composante AC
uniquement) représenterait au mieux 25% de la puissance fournie. C'est mieux mais
insuffisant. En fait, la limite du rendement est essentiellement due aux pertes engendrées
par le courant de repos qui traverse la résistance de collecteur. II existe une solution qui
consiste à remplacer la résistance de collecteur par un transformateur à "ferrite" (large
bande passante) dont le secondaire alimente la charge (figure 1.14). Vis à vis du continu,
la bobine du primaire présente en effet une résistance quasi nulle (pas de perte). Dans ces
conditions, le rendement peut alors atteindre 50%.

Vcc

RL uS
RB

C1

uE

fig.1.14

2- L'amplification en classe B

Le transistor est bloqué au repos.

a- Montage Push Pull


L'excursion du point de fonctionnement ne pouvant pas être symétrique autour du point de
repos, il est nécessaire d'associer deux transistors complémentaires NPN et PNP pour
pouvoir amplifier les deux alternances du signal d'entrée (figure 1.15). L'ensemble est
alimenté par une source symétrique ±Vcc. Comme le montre la figure 1.16, lorsque
l'amplificateur est attaqué par un signal sinusoïdal, T1 et T2 conduisent alternativement
pendant chaque demi période de uE(t) dès lors que |uE| ≥ 0,6V (seuil de conduction des
transistors).

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 13


Chapitre 1- Les classes d’amplificateurs

+VCC

iC1

T1

RL

uS

uE T2

iC2

-VCC
fig.1.15

uE
uS

0,6V
t
-0,6V

T1 T2 T1 T2

fig.1.16
A cause du seuil de conduction des transistors (0,6V), il existe des intervalles de temps
pendant lesquels aucun transistor ne conduit : la tension us(t) est donc déformée par rapport
à uE(t). L'amplificateur classe B introduit une distorsion dite de croisement ou distorsion à
faible niveau : ce défaut de linéarité est d'autant plus sensible que l'amplitude de uE est
faible.

b- Suppression de la distorsion de croisement

iB
Pour rendre l'amplificateur linéaire, il faut que
les transistors conduisent dès que |uE| > 0.
Pour cela le point de repos des transistors doit
être légèrement remonté de sorte que la
tension |VBE0| ≈0,6V: c'est la classe AB
(proche de B). classe B
(bloqué) classe AB
P’2 (limite de conduction)

fig.1.17 P2 0,6V VBE0 VBE

Suppression par polarisation de la base

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 14


Chapitre 1- Les classes d’amplificateurs

+VCC

R iC1

B1 T1

D1
0,6V
RL
A

uS
-0,6V D2
uE B2 T2

R iC2

-VCC

fig.1.18
Pour des raisons de symétrie, les points A et B sont au même potentiel.
Au repos (uE=0), A et B sont au potentiel 0V, vBE1=uE+0,6=0,6V et vBE2=uE-0,6=-0,6V :
les transistors sont donc à la limite de la conduction.
Dès que la tension uE devient positive, la tension vBE1 tend à devenir supérieure à 0,6V ce
qui entraîne la conduction de T1. Dès lors uS = uE+0,6 - vBE1 ≈ uE et l'amplificateur
fonctionne en suiveur de tension.

Le même raisonnement peut être fait lorsque uE ≤ 0. La distorsion de croisement est ainsi
éliminée. Les diodes D1et D2 doivent conduire quelle que soit la valeur de us (dans la limite
de VCC.) ce qui impose de choisir R << β RL.

Suppression à l'aide d'un Aop

+VCC

iC1

T1

RL
uD

v uS

T2
uE
iC2

-VCC

fig.1.19

L'AOp délivre sur sa sortie une tension v = AD . uD avec AD >> 1 (de l'ordre de 105).

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 15


Chapitre 1- Les classes d’amplificateurs

Par ailleurs le circuit est régi par les équations :

uD = uE - uS et v = uS + vBE
d’où : vBE = AD(uE – uS) – uS = AD.uE – uS(AD+1) ≈ AD(uE - uS)

Le transistor T1 commence à conduire (uS = 0) dès que la tension vBE=0,6V c'est à dire dès
que la tension uE vérifie :

0,6
0,6 ≤ AD.uE ⇒ uE ≥≈0
AD
Dès lors que T1 conduit, l'AOp fonctionne en régime linéaire ce qui entraîne uD=0. Il vient
alors uS = uE : l'amplificateur fonctionne en suiveur de tension. Le même raisonnement
peut être fait pour T2. La distorsion de croisement est donc éliminée. L'ensemble constitué
par l'AOp et les deux transistors est finalement équivalent à un AOp de puissance. Dès
lors, les structures classiques des amplificateurs de tension à AOp peuvent être envisagées
avec cet AOp de puissance. On réalise alors une amplification en tension et en puissance.

R1 R2

+VCC
uE
iC1

T1

RL

uS
v
T2

iC2

-VCC
AOp de puissance

fig.1.20 : Amplificateur inverseur

c- Bilan de puissance en régime sinusoïdal

Pour faire ce bilan, on considère le montage de base qu'on suppose linéaire en première
approximation (VBE = 0) : US = UE. Représentons les courants de collecteur.

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 16


Chapitre 1- Les classes d’amplificateurs

uS

uSmax

iC1
iC2
u Smax
RL

fig.1.21

• Puissance fournie par l'alimentation :


T
2
1 U s max VCC U s max
( )
T ∫0 R L
Alimentation (+VCC) : PF1 = VCC . IC1moy = VCC sin ω t dt =
πR L

VCC U s max
Alimentation (-VCC) : PF2 = PF1 =
πR L
2
U Seff U2
• Puissance de sortie (fournie à RL) : PS = = S max
RL 2R L

• Puissance dissipée dans les transistors :


D’après le principe de conservation :

PF1 + PF 2 − PS VCC U S max U S2 max


PT1 = PT2 = = +
2 πR L 4R L

Dans l'hypothèse où vCEmin = VCEsat ≈ 0 alors USmax = Vcc.


Dans ces conditions, la puissance de sortie Ps est égale au mieux à π/4 soit 78% de la
puissance fournie PF par les alimentations ±Vcc. En d'autres termes, cela veut dire que
pour 100W fournis au montage, environ 70W seront en pratique transmis à la charge
lorsque la tension de sortie sera à la limite de la saturation. On retiendra que le rendement
d'un tel montage est assez satisfaisant mais que sa linéarité n'est pas parfaite. Il est parfois
utilisé dans les amplificateurs audio (avec correction de la distorsion de croisement bien
sûr).

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 17


Chapitre 1- Les classes d’amplificateurs

d- Montage mono-tension
La tension uE(t) appliquée en entrée via C1 produit une variation du potentiel du point A
autour de la valeur Vcc/2 imposée par le pont de résistances R.

+VCC

T1
VCC/2

C1 C2
A
B

uE T2 uS
RL

fig.1.22

Lorsque T1 conduit (uE > 0), la charge est alimentée par la source VCC. Lorsque T2 conduit
(uE < 0), c'est le condensateur C2 qui sert de source d'alimentation (réservoir d'énergie).
Tout se passe comme si, l'amplificateur était alimenté par une alimentation symétrique
±VCC/2.

3- L'amplification en classe C

Le transistor est polarisé négativement.

a- Principe de fonctionnement

Considérons le schéma de la figure 1.23 (émetteur commun) :

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Chapitre 1- Les classes d’amplificateurs

+VCC

RL uS

C1

LC
uE

E0 < 0

fig.1.23
Le condensateur C1 est une capacité de liaison : il arrête le continu et laisse passer
l'alternatif. L'inductance LC est une self de choc : elle laisse passer le continu et arrête
l'alternatif. La tension uE(t) = UEmax cos(θ) appliquée en entrée via C1 produit une variation
du potentiel de la base autour de E0 < 0 imposée par la source continue (figure 1.24).
On a VBE = E0 + uE.

• La conduction du transistor dure moins d'une demi période : l'angle 2δ


correspondant est appelé l'angle d'ouverture. En notant VS, le seuil de conduction
du transistor (VS = 0,6V), le demi angle δ vérifie alors la relation :
Vs + E 0
Vs = E0 + uE = E0 + UEmax cosδ ⇒ cos δ =
U E max
L'angle d'ouverture 2δ diminue (0 < δ < π/2) lorsque |E0| augmente.

• Lorsque T conduit, la portion de caractéristique iB(vBE) correspondante est une


droite d'équation iB = (vBE -Vs)/h11. Le courant collecteur ic(t) peut donc être relié à
la tension vBE(t) :
VBE − VS
ic = β.iB = β.
h11
Sachant que :
vBE = E0 + uE(t) = E0 + UEmax cos(θ) et Vs = E0 + UEmax cosδ, la relation devient :

iC = β
(E 0 + U Emax cosθ) - (E 0 + U Emax cosδ) = βU Emax (cosθ − cosδ)
h11 h11

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 19


Chapitre 1- Les classes d’amplificateurs

iB
Pente
1/h11
iB

θ=ωt 0,6V VBE0 VBE


E0

vBE
θ=ωt

fig.1.24

C'est une sinusoïde (terme en cosθ) décalée verticalement (terme constant en cosδ) comme
le montre la courbe représentée sur la figure 11.25 mais ic(t) correspond seulement à la
partie positive.

iC

ICmax
θ = ωt

-δ δ
β.U E max
cos δ
h11

β.U E max
cos θ
h11

fig.1.25
β.U E max
L’amplitude le correspond ic(0) soit I c max = (1 − cos δ)
h11
• D'après le théorème de Fourier, le courant ic(t), périodique, peut être vu comme la

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 20


Chapitre 1- Les classes d’amplificateurs

superposition de plusieurs harmoniques de courant :


ic(t) = Icmoy + I1max.cosθ + I2max.cos2θ + ... + + Inmax.cosnθ + ...
II n'y a que des termes en cosinus car la fonction est paire.

b- Utilisation d'un circuit sélectif

Ainsi, pour obtenir une tension sinusoïdale en sortie, il faut que la charge soit sélective
(fig.l.26). En outre, elle doit présenter un facteur de qualité suffisant et être accordée sur la
fréquence du fondamental de ic(t) c'est à dire la fréquence du signal d'entrée uE(t). Le
calcul des coefficients du développement en série de Fourier de ic(t) permet d'établir que :
β U E max
I cmoy = (sin δ − cos δ)
πh 11
β U E max  sin 2δ 
I1max = δ − 
πh 11  2 

A la résonance (f0=f), l'impédance du circuit RLC est maximale et se réduit à sa résistance


RL. Elle est quasi nulle en dehors (figure l.27). Ainsi, en première approximation, la
tension us(t) se limite au fondamental, les autres harmoniques de courant étant multipliés
par zéro :
βR L U E max  sin 2δ 
u S ( t ) ≈ R L i C1 ( t ) = δ −  cos(ωt ) = U s max cos(ωt )
πh 11  2 

Spectre de ic

fondamental

fréquence

0 f 2f 3f 4f 5f

+VCC Impédance Z du circuit résonant

C L RL uS
fréquence

0 f 2f 3f 4f 5f

iC
Spectre de us
T fondamental

fréquence

0 f 2f 3f 4f 5f

fig.1.26 fig.1.27

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 21


Chapitre 1- Les classes d’amplificateurs

c- Bilan de puissance en régime sinusoïdal

• Puissance fournie par l'alimentation VCC :

VCC .β.U E max


PF = VCC .I cmoy = (sin δ − δ cos δ )
πh 11

• Puissance de sortie (fournie à RL)

U S max .I1max β.U E max U S max  sin 2δ 


PS = U Seff .I1eff = = δ − 
2 2πh11  2 

A la résonance, RL est parcourue par le fondamental i1 de iC seulement.

• Puissance dissipée dans le transistor :

D’après le principe de conservation : PT = PF - PS

Le calcul de rendement conduit, après simplification, au résultat suivant :


PS U s max 2δ − sin 2δ
η= =
PF 4VCC sin δ − δ cos δ

L'application numérique pour δ = 0 donne 100%. Mais la puissance de sortie est alors nulle
puisque l'angle d'ouverture est nul. Etudions alors la puissance de sortie. Elle est en fait
maximale lorsque δ = π/2 et USmax = VCC ce qui conduit à :
β U E max VCC PS 1
PS max = ⇒
= (2δ − sin 2δ )
4h 11 P π S max

La courbe représentée sue la figure 11.28 donne l'évolution du rendement et de la


puissance de sortie en fonction de l'angle d'ouverture lorsque USmax=VCC :

η PS
PS max

100%

78%

0 δ π/2

fig.1.28

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Chapitre 2 - Réaction et contre réaction

REACTION ET CONTRE REACTION


I- INTRODUCTION

Considérons un amplificateur A attaqué par une source S et qui attaque lui-même un circuit
de charge C :

S1 Amplificateur S2
Source Charge
Gain : A

Ce montage est dit en boucle ouverte. S1 est le signal en entrée de l’amplificateur et S2 est
le signal en sortie de l’amplificateur

S2 = A . S1

Mais le gain de l’amplificateur peut varier à cause de différents paramètres extérieurs tels
que : température, dérive des tensions d’alimentation, changement d’un composant, Etc…
Il faut donc trouver le moyen de stabiliser le gain de l’amplificateur. Le moyen le plus
simple consiste à réinjecter une partie du signal de sortie, S2, en entrée de l’amplificateur
(c’est à dire sommer cette partie de S2 avec S1). On dit alors que l’on opère une réaction de
la sortie sur l’entrée (on parle aussi d’asservissement de l’entrée par la sortie). Le système
est dit alors en boucle fermée. Deux cas se présentent alors :

o Le signal réinjecté à l’entrée est en phase avec le signal d’entrée, on parle alors de
réaction positive (que l’on désignera tout simplement par réaction). Nous verrons
par la suite que la réaction est à l’origine de la conception des oscillateurs.
o Le signal réinjecté à l’entrée est en opposition de phase avec le signal d’entrée, on
parle alors de réaction négative (que l’on désignera plus simplement par contre-
réaction

Amplificateur S2=A.S1
Source S S1= S - Sr Charge C
Gain : A

S2
B
Sr=B.S2

B est le gain de la chaîne de contre-réaction. B comme A peut être réel ou complexe


Dans le système contre-réactionné le gain global, comme nous allons le voir, est différent
du gain de l’amplificateur utilisé seul. Nous avons en effet :

S2 A
A CR = =
S 1 + AB

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 23


Chapitre 2 - Réaction et contre réaction

II- CLASSIFICATION DES AMPLIFICATEURS : DIFFERENTES STRUCTURES

Nous allons voir maintenant les différentes possibilités de contre-réaction :

• Le signal prélevé à la sortie étant le signal d’entrée de la haine de retour, il peut être
soit une tension soit un courant. S’il y a prélèvement de tension, on dit qu’on a une
réaction de tension et s’il y a prélèvement de courant, on dit qu’on a une réaction de
courant.
• Le signal de retour Sr est soit un courant soit une tension. S’il s’agit d’une tension,
il sera réinjecté en série avec la tension délivrée par la source S, on dit qu’on a une
réaction série ; et s’il s’agit d’un courant, il sera réinjecté en parallèle avec le
courant délivré par la source S, on dit qu’on a une réaction parallèle.

On a donc 4 structures à étudier :


Association série-parallèle (tension - tension)
Association parallèle-parallèle (courant - tension)
Association série-série (tension - courant)
Association parallèle-série (courant – courant)

1- Montage tension – tension (série-parallèle)


i1 i2

e A V2 ZC

Rg

V1 i1

Eg

VCR B V2

Gain :

e = V1-VCR = V1 – B.V2 et V2 = A.e = A.(V1-VCR) = A.(V1-B.V2)


V A
⇒ A CR = 2 =
V1 1 + AB

Impédance d’entrée :

e = Ze.I1 et V1 = ZeCR.I1
V1
V1 = e+VCR = e+B.V2 = e(1+AB) D’où : ZeCR = = Ze(1 + AB)
I1
Zs
Impédance de sortie : ZsCR =
1 + AB
a- Exemple1 : Suiveur de tension

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 24


Chapitre 2 - Réaction et contre réaction

+
A V2
-

R
V0 V1

1 R 
T1 =  
B=1
0 1 
1 0
T2 =  
0 0 
1 0
T1xT2 =  
0 0
V A A
A CR = 2 = = =1
V1 1 + AB 1 + A
V2 = V1.

b- Exemple2 : Amplificateur non inverseur

+
A V2
-

R
V0 V1

R2
1 R 
T1 =   VCR R1 R1
0 1  B=
R1 + R 2
 1 
0
T2 =  A CR
 
 0 0
 1 
0
T1xT2 =  A CR
 
 0 0
V A R + R2
A CR = 2 = = 1
V1 1 + AB R1

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Chapitre 2 - Réaction et contre réaction

2- Montage parallèle-parallèle (courant – tension)


i2
i1 ie
Eg Rg
V1 A V2 RC

iCR

VCR B V2

B est une admittance et A une résistance

Gain :

V2 A
Ie = I1-ICR = I1-B.V2 et V2 = A.Ie d’où : A CR = =
I1 1 + AB
Ze
Impédance d’entrée : V1 = ZeCR.I1 = Ze.Ie d’où : ZeCR = << Ze
1 + AB
Zs
Impédance de sortie : ZsCR =
1 + AB
a- Exemple1
i1 ie
-
V1 A V2
+

iCR

R2
V1 V2

V1-R2ICR = -V2 et V2 = A.V1


R i
d’où : V1 = 2 CR convertisseur courant-tension
A +1
V1 = − A.V1 ≈ −R 2i CR = − R 2i1
 1 
−A 0
⇒ T2 =  1  C’est comme si l’on avait une masse virtuelle sur l’entrée inverseuse.
− 0
 R 2 

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 26


Chapitre 2 - Réaction et contre réaction

b- Exemple2

i1 ie
R1 -
V0 V1 A V2
+

1 R1 
T1 =   iCR
0 1 

R2
V1 V2
 1 
−A 0
T2 =  1 
− 0
 R 2 

  1 R1  
−  +  0
  A R 2   R
⇒ T = T1xT2 = ⇒ V2 ≈ − 2 V1
 1  R1
 −R 0
 2 

3- Montage série -série (tension – courant)

i1 i2

e A

Rg

V1 i1 i2 V2 RC

Eg

VCR B

Gain :

V1 = e +VCR = e + B.i2
i2 = A.e
i A
A CR = 2 =
V1 1 + AB

Impédance d’entrée :

e = Ze.i1 et V1 = ZeCR.i1
D’où : ZeCR = Ze(1 + AB)

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Chapitre 2 - Réaction et contre réaction

Impédance de sortie
ZsCR = Zs(1 + AB)

4- Montage parallèle-série (courant – courant)


i2
i1 ie
Eg Rg
V1 A

iCR i2 V2 RC

VCR B

Gain :

ie = i1 - iCR = i1 - B.i2
I2 = A.e
i A
A CR = 2 =
i1 1 + AB

Impédance d’entrée :

V1 = ZeCR.i1e = Ze.ie
Ze
D’où : ZeCR = << Ze
1 + AB

Impédance de sortie

ZsCR = Zs(1 + AB) >> Zs

III- INFLUENCE DE LA CONTRE REACTION SUR LA FLUCTUATION DE


L’AMPLIFICATION

La fonction de transfert A de l’amplificateur n’est pas stable, les variations sont dues entre
autres à la variations de la température lors du fonctionnement, aux vieillissements des
composants électroniques, changement de composants lors d’un dépannage, ….. ACR varie
moins que l’amplification A du système direct cd qui constitue un avantage de la contre
réaction.
A
A CR =
1 + AB

∆A ∆A CR 1 ∆A
Si A varie de ∆A alors : ∆A CR = soit : =
(1 + AB)2 A CR 1 + AB A

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Chapitre 2 - Réaction et contre réaction

∆A CR ∆A 1
⇒ < car <1
A CR A 1 + AB

Donc le système contre-réactionné est beaucoup plus stable (division par (1+AB)) que le
système en boucle ouverte, mais le gain obtenu est plus faible. Il faut donc qu’au départ le
gain de l’amplificateur soit très grand (c’est d’ailleurs pour cela que l’on utilise très
souvent des amplificateurs opérationnels dont le gain peut dépasser les 105). On peut alors
définir le facteur de sacrifice (ou taux de rétroaction) comme étant le rapport de A à ACR
A
soit : S = = 1 + AB
A CR
La contre réaction diminue l’impédance d’entrée et améliore le comportement du circuit en
hautes fréquences.

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 29


Chapitre 3 - Les amplificateurs Opérationnels

LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS


I- INTRODUCTION

Un amplificateur opérationnel (AOp) est un


élément actif qui est généralement un +VCC
amplificateur de tension. Il comporte plusieurs e+
étages à transistors polarisés à partir de deux vD VS
tensions symétriques ±VCC. Il présente deux e-
entrées symétriques produisant des effets en -VCC
opposition de phase.

Un amplificateur opérationnel est caractérisé par :

• un gain en tension élevé ~ 103 à 106


• une impédance d’entrée très grande ~ 104 à 109
• une impédance de sortie très faible ≤ 100 Ω

Un amplificateur opérationnel parfait est caractérisé par

• Gain en tension infini


• Impédance d’entrée infinie
• Impédance de sortie nulle
• Pas d’écart de zéro, c'est-à-dire la tension de sortie est nulle lorsque la tension
d’entrée est nulle.

II- STRUCTURE DES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS

Un amplificateur opérationnel est constitué de trois parties comme le présente la figure


suivante :

e+
Amplificateur Amplificateur Amplificateur VS
e- différentiel Emetteur commun de puissance

Étage d’entrée Étage intermédiaire Étage de sortie

1- Etage différentiel

Soit le schéma de la figure 3.1 dans lequel les deux transistors sont supposés parfaitement
identiques. Ils ont la même amplification statique en courant β (et la même résistance de
base h11). Le montage est alimenté à l'aide des tensions symétriques +VCC et -VCC.

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 30


Chapitre 3 - Les amplificateurs Opérationnels

+VCC

RC RC

e1 e2

RE

-VCC

fig.3.1

Schéma équivalent en petits signaux AC :

h11 ib1 (β+1)ib1 (β+1)ib2 ib2 h11

β.ib1 β.ib2
e1 e2
RE

RC RC s

fig.3.2

• Calcul de l'amplification :

S = -β.RCib2

Calcul de ib2 :

e1 = h11ib1 + R E (β + 1)(ib1+ib2 ) e1 + e2 = [h11 + 2R E (β + 1)](ib1+ib2 )


 ⇒ 
e2 = h11ib2 + R E (β + 1)(ib1+ib2 ) e1 − e2 = h11ib1 − h11ib2

 e1 + e 2
i b1 +i b 2 = h + 2R (β + 1) e1 − e 2 e1 + e 2
 11 E
⇒ ⇒ 2i b 2 = +
i − i = e1 − e 2 h11 h11 + 2R E (β + 1)
 b1 b 2 h11

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Chapitre 3 - Les amplificateurs Opérationnels

βR C (e1 − e 2 ) β R C (e1 + e 2 ) (e1 + e2 )


⇒s = − ⇒ s = A D (e1 − e 2 ) + A MC
2h11 2[h11 + 2R E (β + 1)] 2

βR C
Avec : A D = : Amplification différentielle
2h11

− β R C (e1 + e 2 )
A MC = : Amplification en mode commun
2[h11 + 2R E (β + 1)]

− RC
On a Souvent β >> 1 et βRC >> h11 de sorte que A MC ≈
2R E

AD
>> 1 . On définit le Taux de
Pour avoir s ≈ AD.(e1 - e2) , il faut avoir AD >> AMC soit
A MC
Réjection en Mode Commun (TRMC ou CMRR=Common-Mode Rejection Ratio) par :

AD βR E
TRMC(dB) = 20 log ⇒ TRMC(dB) ≈ 20 log
A MC h11

Le TRMC doit donc être le plus grand possible.

Si RE >> RC alors AMC ≈ 0 ce qui conduira à un TRMC très important c'est à dire à une
bonne réjection de la tension de mode commun.

C’est pratiquement le cas lorsque la résistance RE est remplacée par une source de courant
de résistance interne infinie que l'on peut réaliser comme le montre la figure 3.3.

+VCC

RC
I0=(UZ-0,6)/RZ

RZ

-VCC
fig.3.3

2- Schéma de principe des AOp

Polarisation :

I0
On doit avoir uS = 0V lorsque V+ = V- = 0V soit : + VCC − R C − 1,2 = 0
2

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 32


Chapitre 3 - Les amplificateurs Opérationnels

Fonctionnement en petits signaux AC

On admet que T3 prélève un courant négligeable sur l'étage différentiel, donc d'après les calculs
βR C +
précédents on déduit : vB =
2h11
(
V − V− )

+VCC

RC RC
T3
+
IN T4
T1 T2 VB
Vd OUT

-
IN

T5 uS
I0
RE

-VCC

étage différentiel d'entrée étage collecteur étage push-pull


commun de sortie

fig.3.4 : structure simplifiée

Schéma équivalent des étages collecteur commun et push-pull de sortie :

h11 ib (β'+1)ib

VB β'ib RE uS

fig.3.5 :

L'étage Push-pull peut être considéré comme un suiveur en tension :

VB − u S R E (β'+1)
u S = R E (β'+1) ⇒ uS = VB ≈ VB
'
h 11 h + R E (β'+1)
'
11

βR C +
On déduit : u S ≈
2h 11
( )
V − V− = AD V+ − V− ( )

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 33


Chapitre 3 - Les amplificateurs Opérationnels

3- Schéma équivalent de l'AOp

OUT
Rcom
IN
- IS
ρs
vd Rdiff

uS
IN
+ A0vd
Rcom

fig.3.6

On peut dans de nombreuses applications prendre les valeurs suivantes:

R diff → ∞ R com → ∞ ρS ≈ 0 RD → ∞

Ce qui conduit à i+ = i- = 0.

On obtient ainsi le modèle de l'AOp idéal qui est décrit par le schéma f ig.3.7.

uS

- OUT
IN Usat
IS
vd
A0vd
+ uS
IN 0
Vd

-Usat

fig.3.7

III- LES MONTAGES DE BASE :

1- Fonctions linéaires
a- Amplificateur non inverseur

Le montage est donné f ig.3.8.

La tension différentielle d'entrée de l'AOp a pour expression :

R1  R   R 
vD = u E − uS ⇒ u S = 1 + 2  v D + 1 + 2 u E équation1
R1 + R 2  R1   R1 

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 34


Chapitre 3 - Les amplificateurs Opérationnels

+VCC

vD
IS
-VCC

R2
uE uS

R1

fig.3.8

Le point de fonctionnement de l'amplificateur est donné par l'intersection de la droite


correspondant à l'équation 1 (pour une valeur donnée de uE) et la caractéristique propre
uS=f(vD>) de l'AOp (figure 3.9).

uS

saturation

Usat
Pente –(1+R2/R1)

fonctionnement linéaire
vD
0
augmentation de uE
-Usat

saturation

fig.3.9

Suivant la valeur de uE, ce point peut être soit en zone linéaire (|us| < Usat et vD = 0) soit en
zone de saturation si |vE| est élevé comme le montre la figure 3.9.

Le fonctionnement en amplificateur correspond à un point situé dans les limites de la zone


 R 
linéaire pour laquelle vD = 0. L'équation 1 devient alors : u S = 1 + 2 u E
 R1 

L'amplification réalisée par le montage non inverseur est donc :

uS R
A= = 1 + 2 > 0 (A ≥ 1)
uE R1

Le fonctionnement est linéaire tant que |uS| < Usat soit |uE| < Usat/A.

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 35


Chapitre 3 - Les amplificateurs Opérationnels

La caractéristique de transfert en tension de l'amplificateur non inverseur est représentée


sur la figure 3.10.

uS saturation

Usat
Pente –(1+R2/R1)

uE
0 Usat/A
fonctionnement linéaire

-Usat

saturation

fig.3.10

Le courant d'entrée est quasi nul puisque l'entrée du montage se fait directement sur l'AOp
et la sortie correspond à l'étage de sortie de l'AOp (source de tension idéale) d'où :
RE → ∞ RS = 0

b- Amplificateur inverseur

R2

R1 +VCC
uS R
A= =− 2 <0
uE R1
uE uS
-VCC
fig.3.11

c- Sommateur inverseur

R1 R2

R1 +VCC
R2
u2 uS = − (u 1 + u 2 ) < 0
R1
u1 uS
-VCC
fig.3.12

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 36


Chapitre 3 - Les amplificateurs Opérationnels

d- Soustracteur

R2

R1 +VCC
R2
R1 uS = (u1 − u 2 ) < 0
R1
u2 -VCC
R2 uS
u1
fig.3.13

e- Dérivateur

C +VCC
du E
u S = −RC
dt
uE uS
-VCC
fig.3.14

f- Intégrateur

+VCC
R
1
RC ∫
uS = − u E dt
uE uS
-VCC
fig.3.15

2- Fonctions non linéaires

a- Trigger inverseur

0 +VCC

vD
IS
-VCC
R2
uE
R1 uS
fig.3.16

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 37


Chapitre 3 - Les amplificateurs Opérationnels

Dans le circuit de la figure 3.16, la tension différentielle d’entrée de l’AOp a pour


expression :

R1  R   R 
vD = uS − u E ⇒ u S = 1 + 2  v D − 1 + 2  v E équation1
R1 + R 2  R1   R1 

Le point de fonctionnement du trigger est donné par l'intersection de la droite


correspondant à l'équation 1 (pour une valeur donnée de uE) et la caractéristique propre
uS=f(vD) de l'AOp (figure 3.17). On montre que seuls les points de fonctionnement situés
en zone de saturation correspondent à des états stables de l'AOp.

uS saturation

Usat

instable
vD
Pente 0
(1+R2/R1)
-Usat

fig.3.17
saturation

L’AOp est donc toujours saturé et uS ne peut prendre que les valeurs ±Usat suivant uE :

R1
* uS = + Usat si vD > 0 soit u E < U sat
R1 + R 2

− R1
* uS = - Usat si vD < 0 soit u E > U sat
R1 + R 2

La caractéristique de transfert en tension du trigger inverseur est représentée à la figure


3.18.

uS

Usat 2R 1
U sat
R1 + R 2

uE
0

fig.3.18
-Usat

b- Trigger non inverseur

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 38


Chapitre 3 - Les amplificateurs Opérationnels

R2
uS

R1 +VCC 2R 1 Usat
U sat
R2

uE uS uE
-VCC 0

-Usat
fig.3.19
IV- LES LIMITES DES AOP :

1- Les défauts statiques

• Au repos (uE = 0), les montages à AOp délivrent généralement une tension uE
≠ 0 Ce phénomène est dû en partie aux courants de polarisation d'entrée
appelés courants de bias (quelques nA) de l'AOp réel qui circulent dans les
résistances du montage (figure 3.20) et qui font que vD ≠ 0. Pour compenser
cet effet, il suffit d'ajouter une résistance R3 au montage afin d'obtenir V+ = V-.

R2

R1 +VCC
I-

vD = 0

I+≈I-
uE = 0 -VCC uS ≈ 0
R3

fig.3.20

En admettant que I+≈I-, R3 doit être telle que les entrées de l'AOp voient la même
résistance. Ici, R3 devra être égale à la résistance équivalente à R1 et R2 en parallèle :
R 1R 2
R3 =
R1 + R 2

Ainsi I+ crée une chute de tension aux bornes de R3 qui est égale à celle produite par la
circulation de I- dans l'association parallèle de R1 et de R2. On réduit alors de façon
significative la tension différentielle vD. A cause de leur impédance d'entrée élevée, les
AOp BiFET (transistors bipolaires et JFET en entrée) possèdent des courants de
polarisation plus faibles que les AOp à technologie bipolaire ce qui rend souvent inutile
leur compensation.

• La tension de sortie devrait être nulle à vD= 0. En fait, une tension résiduelle
de sortie (de 10µV pour les AOp de précision à 5mV pour les AOp à usage

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 39


Chapitre 3 - Les amplificateurs Opérationnels

général) subsiste à cause des disparités des transistors internes


indépendamment des courants de polarisation. Ce défaut peut être ramené à
l'entrée : la tension résiduelle d'entrée appelée tension d'offset correspond à la
tension différentielle VD0 qu'il faudrait appliquer pour avoir uS = 0. Avec le
montage suiveur, la tension d'offset équivaut à la tension d'entrée annulant uS
(figure 3.21).

+VCC

vD0

-VCC uS = 0
uE=Voff

fig.3.21

Certains AOp possèdent deux bornes prévues pour la compensation de l'offset. La figure
3.22 précise la structure généralement préconisée par les constructeurs pour réaliser cette
compensation. Il suffit de régler le potentiomètre pour annuler la tension résiduelle en
sortie à uE = 0.

5
1 10kΩ
fig.3.22 : UA741 ou du TL081
-VCC

La tension d'offset dépend généralement de la température θ. La compensation faite à une


∆v
température de 20°C ne sera plus valable à 35°C. La dérive en température α = D0
∆θ
varie, suivant le modèle d'AOp, de lµV/°C à 20µV/°C. Ce paramètre aussi important que
l'offset lui même doit être également pris en compte dans le choix de l'AOp.

2- Imperfections dynamiques

Deux phénomènes sont à l'origine des limitations de la rapidité des amplificateurs à AOp :

- la bande passante,
- la vitesse maximale de variation de la tension de sortie.

• A fréquence élevée, le modèle de l'AOp idéal est insuffisant. En particulier,


l'amplification différentielle n'est plus constante et diminue avec la fréquence tel un filtre
passe-bas (figure 3.23). En première approximation, la fonction de transfert de l'AOp
correspond à une fonction de transfert du premier ordre :

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 40


Chapitre 3 - Les amplificateurs Opérationnels

A0
AD = A0 représente l'amplification statique et fo la fréquence de coupure à -3dB.
f
1+ j
f0

Gain en boucle

20log A0
pente
-20dB/dec

Fréquence (Hz)
f0

Fig .3.23 : réponse en fréquence typique en boucle ouverte.

Les fabricants d'AOp donnent généralement le facteur de mérite M=A0.f0 également appelé
produit gain-bande. Pour I'UA741 par exemple, A0 est de l'ordre de 105 et f0 de l'ordre de
l0Hz soit M=1MHz. Le facteur de Mérite d'un montage à AOp a la propriété d'être
constant de sorte qu'un montage d'amplification A << A0 voit sa bande passante élargie :

M
M=A0.f0 = A f-3dB ⇒ f − 3dB =
A

La courbe de réponse de l'amplificateur est donc abaissée mais élargie comme le montre
la figure 3.24.

Gain

20log A0
AOp en boucle ouverte

Amplificateur à AOp
20log A

f0 f-3dB Fréquence (Hz)

Fig .3.24

• En réalité, la fonction de transfert de l'AOp correspond à une fonction du second ordre.


Pour amortir les régimes transitoires, les fabricants placent généralement une capacité dite
de compensation dans l'étage de sortie de l'AOp ce qui permet d'augmenter le coefficient
d'amortissement m >> l. Cette capacité empêche toutes les variations brusques de la
tension de sortie et freine son évolution. La contrepartie est une limitation de la vitesse
maximale de variation de la tension de sortie caractérisée par le "slew-rate"
 du 
s =  s  qui peut varier de 0,5V/µs à 500V/µs pour les AOp vidéo très rapides. Dans
 dt  max
le cas d'un signal sinusoïdal uS=USmaxsin(ωt) , la vitesse de variation est donnée par la
du s
dérivée de us(t) : = U S max ω cos(ωt ) .
dt

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 41


Chapitre 3 - Les amplificateurs Opérationnels

Pour éviter la déformation du signal, il faut avoir USmax.ω ≤ s. Pour une amplitude USmax
s
donnée, la fréquence maximale de travail est donc limitée : f m = .
2πU S max

Si la vitesse imposée par le signal d'entrée est trop grande, il apparaît alors une distorsion
caractéristique du signal de sortie (f ig.3.25).

uS
forme quasi
allure théorique triangulaire
uSmax

fig.3.25

Les parties linéaires de la courbe correspondent à une charge à courant constant de la


capacité de compensation et traduisent le phénomène de plafonnement de la vitesse de
variation de la tension en sortie de l'AOp. La diminution du niveau d'entrée ou de la
fréquence fera disparaître cette distorsion. Les différentes limites en fréquence peuvent être
résumées par la courbe représentée à la figure 3.26.

USmax

limitation par saturation


Usat
limitation par
slew-rate
(hyperbole)

fS f-3dB Fréquence (Hz)

Fig. 3.26 : réponse en fréquence typique en boucle ouverte.

V- LES AOP A TRANSCONDUCTANCE

1- Présentation

Les AOp conventionnels sont avant tout des amplificateurs de tension : la tension de
sortie est égale à la tension d'entrée multipliée par l'amplification. L'AOp à
transconductance (O.T.A.) représenté sur la figure 3.27 est essentiellement un
amplificateur tension-à-courant dans lequel le courant de sortie correspond à la tension
d'entrée multipliée par un coefficient g, appelé transconductance (g = i/u), s'exprimant en
Siemens.

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 42


Chapitre 3 - Les amplificateurs Opérationnels

+VCC ip

is
vd

v- RL
-VCC vS
v+

fig.3.27

Comme l'AOp conventionnel, l'OTA possède deux bornes pour l'entrée différentielle, une
impédance d'entrée importante et un TRMC très élevé. Son étage de sortie est constitué
d'une source de courant contrôlée qui délivre is. La transconductance de l'OTA est le
rapport : g = is / vd

Comme le montre la caractéristique de la figure 3.28, la transconductance est déterminée


par le produit d'une constante k propre à l'OTA multipliée par le courant de polarisation Ip
imposé par un circuit externe : g = k.ip.

105

104

103
g(µS)

102
∆g
101 k=
∆I p

1
0,1 1 10 100 1000
Ip(µA)
fig.3.28

Le courant de sortie est donc contrôlé par la tension différentielle vd et le courant de


polarisation Ip :

is = g.vd = k.ip.vd

2- Montages de base

La particularité de l'OTA est qu'il peut fonctionner en régime linéaire non seulement
lorsqu'il est soumis à une réaction négative mais également en boucle ouverte.

a- Amplificateur non inverseur

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 43


Chapitre 3 - Les amplificateurs Opérationnels

ip
up
Rp
+VCC

is
vd

-VCC uS
RL
uE

fig.3.29
uS
us = RL.is = RL.g.vD = RL.k.ip.uE ⇒ A= = k.R L .i p
uE

L'amplification A dépend de la charge et du courant ip. La relation qui lie ip à up est souvent
donnée par les constructeurs. Elle est généralement de la forme :
u − (− VCC ) − V0
ip = p avec V0 qui dépend de l'OTA.
Rp

u p − (− VCC ) − V0
kR L
Dans ces conditions, l'amplification devient : A = kR L u p + c te =
Rp Rp
Ainsi, l'amplification A peut être contrôlée en tension par up. Supposons que up(t) soit
tension TTL de fréquence l00Hz et appliquons en entrée une tension sinusoïdale de
fréquence 1kHz. On obtient alors en sortie une onde porteuse de 1kHz modulée en
amplitude par le signal TTL.

b- Trigger inverseur

+VCC
ip

Rp
+VCC
is
vd
uE
-VCC

RL
uS

fig.3.30

Soumis à une réaction positive, l'OTA fonctionne désormais en régime non linéaire. Le
courant de sortie iS est alors maximal en intensité et égal à Ip. La tension de sortie uS ne
peut donc prendre que les valeurs ±RL.Ip suivant uE :

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 44


Chapitre 3 - Les amplificateurs Opérationnels

• uS = +RL.Ip=V1 si vD > 0 soit uE < V1


• uS = -RL.Ip=V2 si vD < 0 soit uE > V2

La caractéristique de transfert en tension du trigger inverseur est représentée par la figure


3.31.

uS

V1 uS V1

uE

V2 uE
V2 0 V1

V2

fig.3.31

VI- LES AMPLIFICATEURS D'INSTRUMENTATION

Vin-
+VCC
R R

-VCC

+VCC
R
uD Rg
R

-VCC uS

+VCC
R

Vin+ R
-VCC

Vref

fig.3.32

Ce sont des amplificateurs à entrée différentielle. Une simple résistance externe permet de
régler l'amplification de 1 à 104. Ils sont particulièrement adaptés pour l'amplification des
tensions délivrées par les capteurs dans les chaînes d'acquisition compte tenu de leur
excellente linéarité (erreur sur l'amplification inférieure à 1%), de leur précision (VD0 de
l'ordre de 50µV) et leur faible dérive en température (α de l'ordre de 0,l µV/°C)

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 45


Chapitre 3 - Les amplificateurs Opérationnels

De plus, une entrée permet parfois d'opérer un décalage de la tension de sortie à partir
d'une tension de référence. Dans les chaînes de mesure associant capteur, amplificateur
d'instrumentation et CAN, la possibilité de réaliser une translation d'échelle est souvent
intéressante pour faire correspondre la plage de variation de la tension amplifiée à la
gamme d'entrée du CAN ; toute l'échelle du CAN est alors exploitée de Sorte que la
précision est optimisée. La structure interne des amplificateurs d'instrumentation comporte
deux ou plus généralement trois AOp de précision comme le montre la figure 3.32.

• Dans l'hypothèse où tous les AOp sont en régime linéaire, on montre que :

u S = A D [vin + − vin − ] + V ref = A D u D + V ref

2R
Avec A D = 1 + (amplification différentielle).
Rg

Cette expression est théorique car elle suppose que toutes les résistances R ont
rigoureusement la même valeur et que les AOp de l'étage d'entrée sont parfaitement
symétriques. En pratique, on constate que la tension de sortie dépend également de la
tension de mode commun (vin+.+ vin- ) :

v in + + vin −
u S = A D [vin + − vin − ] + A MC + V ref
2

AMC représente l'amplification de mode commun.

Le terme de mode commun constitue un défaut et doit être le plus petit possible devant le
terme différentiel. On doit alors avoir AD >> AMC. Comme pour l'AOp, la qualité de
l'amplificateur d'instrumentation est indiquée par son Taux de Réjection en Mode
Commun :
A
TRMC(dB) = 20 log D
A MC
Le TRMC doit donc être le plus grand possible. Il est communément de l'ordre de l00dB
pour AD=1 c'est à dire que le rapport AD/AMC ≈ 105.

• Les courants d'entrée sont quasiment nuls puisque l'entrée du montage se


fait directement sur des AOp. La sortie peut être assimilée à une source idéale de tension
puisqu'elle correspond à l'étage de sortie d'un AOp. Ainsi :

RE → ∞ RS = 0

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 46


Chapitre 4 - Les oscillateurs sinusoïdaux

LES OSCILLATEURS SINUSOÏDAUX


I- INTRODUCTION

Un oscillateur est un générateur de signaux périodiques sinusoïdaux ou non sinusoïdaux.


En effet, suivant la nature des signaux fournis, on distingue :

– Les oscillateurs à relaxation qui produisent un signal non sinusoïdal (signal


rectangulaire, triangulaire, …etc.)
– Les oscillateurs sinusoïdaux qui fournissent un signal sinusoïdal.

Pour construire un signal sinusoïdal, il faut un amplificateur à réaction positive. On


( )
applique un signal de réaction au lieu d’un signal d’entrée. Si le gain de boucle βG et la
( ( ))
phase arg βG sont convenables, on obtient un signal de sortie même en l’absence de
signal externe d’entrée. Il faut retenir qu’un oscillateur ne crée pas de l’énergie mais
transforme l’energie continue de l’alimentation en énergie alternative.

vs
G

fig. 4.1
βG : gain de boucle

II- TENSION D’AMORÇAGE DES OSCILLATIONS

Dans le cas des oscillateurs, l’entrée ve étant nulle. D’où provient le signal sinusoïdal de
sortie ? Chaque composant électronique comporte quelques électrons libres, en raison de
la température ambiante, ces électrons se déplacent de façon aléatoire dans différentes
directions et génèrent une tension de bruit entre les bornes du composant. Ce mouvement
aléatoire comporte des fréquences supérieures à 1000GHz. Chaque composant se comporte
comme une petite source de tension alternative produisant toutes les fréquences. Lorsqu’on
applique la tension d’alimentation, les seuls signaux du système sont les tensions de bruit
générées par les composants. Ces tensions de bruit amplifiées apparaissent entre les bornes
de sortie. Le bruit amplifié attaque le circuit résonnant de réaction. Par conception
délibérée, on peut annuler le déphasage autour de la boucle à la fréquence de résonance.
Alors les oscillations obtenues ont une fréquence unique.

La condition de Barkhausen.
Les oscillations seront entretenues lorsque le produit des gains sera unitaire. Donc, s’il

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 47


Chapitre 4 - Les oscillateurs sinusoïdaux

existe une pulsation ω0 pour laquelle β(ω0 ).G (ω0 ) = 1 , on obtient un signal sinusoïdal et
dans ce cas l’amplificateur avec sa contre réaction constitue un oscillateur sinusoïdal.
La condition β(ω0 ).G (ω0 ) = 1 se traduit par :

 β(ω0 ). G (ω0 ) = 1

( ) ( )
arg β(ω0 ) + arg G (ω0 ) = 2kπ

Quel que soit le type d’oscillateurs, le principe de fonctionnement est le même à savoir que
la source initiale qui va donner naissance aux oscillations est le bruit électronique (bruit
blanc) présent dans le circuit. Un circuit accordé sélectionne dans ce bruit une fréquence
particulière que l’amplificateur en aval du circuit accordé va se charger d’amplifier. Ce
signal amplifié puis à nouveau filtré par le circuit accordé est alors réinjecté, en phase avec
le signal initial, à l’entrée de l’amplificateur (réaction positive).

III- DIFFERENTS TYPES D’OSCILLATEURS


1- Oscillateurs à réseau RC simples : On les utilise pour les basses fréquences
a- Oscillateur à pont de Wien
R2 G

R1

C1 R3
β

v C2 R4 vS

fig. 4.2
 R  R 4C1
La condition des oscillations : 1 + 2  =1
 R 1  R 4 (C1 + C 2 ) + R 3C1
1
La pulsation des oscillations : ω0 =
R 3R 4C1C 2
Si R3 = R4 = R et C = C1 = C2

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 48


Chapitre 4 - Les oscillateurs sinusoïdaux

 1
ω0 = RC
R
 2 =2
 R1
En pratique on prend : R2 légèrement supérieure à 2R1 pour le démarrage des oscillations.

b- Oscillateur à réseau déphaseur (« phase shift RC »)

R2 G

C C C R1

R R R’ βvs

fig. 4.3

En choisissant R’//R1=R, on obtient :

1
La pulsation des oscillations : ω0 =
6RC

La condition d’oscillation :R2 = 29 R1

Remarque : on peut utiliser un réseau β :

R R R

C C C

fig. 4.4

2- Oscillateurs à réseau LC
Ces oscillateurs sont couramment utilisés en hautes fréquences. Les réseau de contre
réaction ont la forme suivante :

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 49


Chapitre 4 - Les oscillateurs sinusoïdaux

Z3

oscillateur Z1 Z2 Z3
Z1 Z2
Colpitts fig. 4.1
C1 C2 L
Hartley L1 L2 C
Clapp C1 C2 L et C3 (série)

fig. 4.5

a- Oscillateur Colpitts
R 2 C2
La réaction est de type tension série. La condition des oscillations : =
R 1 C1
1 1 1 
La pulsation des oscillations : ω0 =  + 
L  C1 C 2 
R2

R1
R

C1
L vS
C2
ve

fig. 4.6

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 50


Chapitre 4 - Les oscillateurs sinusoïdaux

b- Oscillateur Hartley

R2

R1
R

L1

C vS

ve L2

fig. 4.7
R 2 L1 1
La condition des oscillations : = / La pulsation des oscillations : ω0 =
R1 L2 C(L1 + L 2 )

c- Oscillateur Clapp
R 2 C2
La condition des oscillations : = / La pulsation des oscillations :
R 1 C1
1 1 1 1
ω0 =  + + 
L  C1 C 2 C 

R2

R1
R

C
C1
vS
C2 L
ve

fig. 4.8

Il existe d’autres variantes des oscillateurs Colpitts, Hartley et Clapp à base de transistor
bipolaire ou de transistor à effet de champ.

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 51


Chapitre 4 - Les oscillateurs sinusoïdaux

Exemple : Oscillateur Colpitts utilisant un montage à base de transistor bipolaire à émetteur


commun.

+VC
C

R1 L1

C1
R2 R3 L vS
C2

fig. 4.9

3- Contrôle automatique du gain de boucle

La condition d’oscillation β.G = 1 étant très difficile à réaliser. Ainsi :

Si β.G < 1 ⇒ les oscillations ne peuvent prendre naissance et si elles existent elles
s’amortiront
Si β.G > 1 ⇒ l’amplitude des oscillations aura tendance à croître. On obtient un
signal écrêté dont l’amplitude dépend de l’alimentation de l’amplificateur.

Le contrôle des oscillations sinusoïdales nécessite donc un montage d’asservissement de


gain de boucle β.G=1. On fixe β.G légèrement supérieur à 1 de façon a assurer le
démarrage des oscillations, lorsque elles atteignent une amplitude suffisante, le contrôle
automatique de gain réalise la condition de Barkhausen.

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 52


Chapitre 4 - Les oscillateurs sinusoïdaux

a- Contrôle automatique du gain par diodes en tête bêche.


R2

R1

C R

C R

fig. 4.10

b- Contrôle automatique du gain par diodes Zener.

R4

R3

R2

R1

C R

C R

fig. 4.11

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 53


Chapitre 5 - Transistors à Effet de Champ

TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP


I- INTRODUCTION

Le Transistor à Effet de Champ (T. E. C.), en anglais Field Effect Transistor (F.E.T), est un
transistor unipolaire; il n'y circule qu'un seul type de porteurs, les porteurs majoritaires.
Sous l'effet d'un champ électrostatique, la section utile de la partie conductrice varie :
l'intensité du courant qui y circule peut ainsi être réglée. Les T. E.C. peuvent être regroupés
en deux catégories :

• Les T. E. C. à jonction (en anglais JFET : Jonction Field Effect Transistor).


• Les T. E. C. à grille isolée (en anglais IGFET : Insulated Gâte Field Effect Transistor,
parfois appelé MOSFET : Métal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor).

II- T. E.C. A JONCTION A CANAL N.


1- Description.
a- Composant discret schématisé.

Le corps du T. E. C. est un substrat (qui sert de support) de type P au dessus duquel une
zone N a été formée. Cette zone N a été ensuite presque totalement séparée en deux par
une zone P; seul subsiste, à l'intérieur du composant, un étroit "couloir" de type N appelé
canal (figure 5.1).
S G D

N P N

substrat P

fig.5.1 : Coupe schématisée d’un T.E.C

Aux extrémités de ce canal N sont soudées deux connexions (Le contact est assuré par une
soudure qui ne crée pas de jonction représentée en noir sur les figures. L'une d'elles est
appelée source (S) et l'autre drain (D). En fait, le composant est le plus souvent symétrique
et la distinction entre les deux électrodes S et D n'apparaît alors qu'après la polarisation. La
connexion soudée à la zone P est la grille (G). Intérieurement, le substrat est
électriquement relié à la grille; nous avons tracé extérieurement cette liaison (trait noir fin).
Les dimensions de la partie active d'un T. E. C. sont petites; en millimètres : 0,5 x 0,5 x
0,2; l'épaisseur du canal est de l'ordre de un micromètre.

b- Le composant réel

La forme des électrodes varie avec l'usage auquel le composant est destiné. Nous donnons
les vues de dessus (figures 5.2 et 5.3) de deux T. E. C. dont la source et le drain sont en

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Chapitre 5 - Transistors à Effet de Champ

forme de peignes (ou de doigts); sur la figure 5.3, la grille située au-dessous n'est pas
visible.

fig.5.2 fig.5.3

2- Constitution interne.

• Lors de la fabrication, une jonction s'est formée entre la grille G (zone P) et le canal
N; une autre jonction s'est également formée entre le canal N et le substrat P. Entre les
zones P (en gris foncé) et la zone N (en gris clair), il y a (en blanc) deux zones de
transition dépourvues de porteurs (figure 5.4).

Remarque : pour simplifier et clarifier nos dessins, nous ne représentons que la portion de
transistor située sous la grille.
S G D
P

canal N

substrat P

fig.5.4 : Vue partielle de la partie active.


• Dans les montages, une tension continue est appliquée entre D et S de façon que, dans
le canal, les porteurs majoritaires circulent de la source vers le drain. Avec un canal N,
ces porteurs sont des électrons et le drain doit être polarisé positivement par rapport à la
source (figure 5.5).

S - G D +

- -

substrat P

fig.5.5

3- Symbole et choix d'orientations.


a- Symbole

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Chapitre 5 - Transistors à Effet de Champ

Le sens de la flèche placée sur l'électrode G (unique puisque les deux zones P sont
électriquement réunies) correspond au sens passant de la jonction PN. Pour le T. E.
C. à canal N, elle va de G vers l'ensemble D-S (figure 5.6).

fig.5.6

b- Courants
Les connexions aboutissant à D et G sont orientées vers le composant (figure 5.7). La loi
des nœuds donne : IS = ID + IG

c- Tensions
Elles sont notées par la lettre V accompagnée en indice des deux lettres désignant les
électrodes concernées. Ces deux lettres doivent être ordonnées comme les potentiels des
électrodes dont nous effectuons la différence. Nous aurons ainsi :
VGS = VG – VS VDS = VD – VS VDG = VD – VG

La loi des mailles donne :


VDS = VDG + VGS
ID

D
VDG
IG
G
VDS
S
VGS IS

fig.5.7

III- CARACTERISTIQUE ID(VDS) POUR VGS=0; PINCEMENT.


1- Montage

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 56


Chapitre 5 - Transistors à Effet de Champ

ID
A
Le drain est polarisé positivement
par rapport à la source; la grille et D
la source sont réunies par une
connexion extérieure de résistance G
VDS V VDD
négligeable (figure 5.8) :
donc vG = vS et VGS = 0. S

fig.5.8

2- Relevés
Nous relevons les valeurs de l'intensité ID du courant de drain pour plusieurs valeurs de
VDS :

VDS (V) 0 1 2 3 4 5 10 20
ID (mA) 0 6 12 15,3 16,5 16,99 17 17,001

3- Courbe ID(VDS)
Nous y distinguons trois parties (figure 5.9) :
ID (mA)
B C
17

10

2 5 10 15 VDS (V)
fig.5.9 : Caractéristique ID(VDS) pour VGS = 0.
• pour les petites valeurs de la tension (inférieures à 2 V), c'est une droite passant par
l'origine le transistor se comporte comme un résistor linéaire;
• pour une tension comprise entre 2 et 5 V, le courant croît de moins en moins
rapidement;
• au-delà de 5 V, la caractéristique est rectiligne et les très faibles accroissements de
courant sont proportionnels aux accroissements de tension.

4- Justification physique de la forme de la caractéristique.


a- Comportement ohmique
Tant que la tension VDS est faible (inférieure à 2 V), le canal conserve la section qui lui a
été donnée à la fabrication et sa résistance est sensiblement constante : la portion OA de
caractéristique est rectiligne; le T.E.C a un comportement ohmique.

b- Le rétrécissement du canal et sa cause.

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 57


Chapitre 5 - Transistors à Effet de Champ

Supposons qu'une tension VDS=10V soit appliquée entre drain et source et considérons les
potentiels des points se trouvant de part et d'autre d'une jonction (figure 5.10).

• à l'intérieur de la grille tous les points sont au potentiel de la source, soit zéro.
• à l'intérieur du canal, le potentiel croît de la source vers le drain.

De ce fait, les jonctions PN sont sous une tension inverse d'autant plus grande que les
points considérés sont plus proches du drain. Le champ électrostatique appliqué s'ajoute au
champ interne, le champ résultant croît de S vers D et les zones de transition dépourvues
de porteurs libres s'élargissent au détriment de la largeur du canal : celui-ci rétrécit tout le
long de la jonction mais davantage du côté du drain (figure 5.11); il prend une forme
"conique".

Potentiel uniforme : ZERO


ZONE P

E2 E4 E6 E8
S D
CANAL N

2 4 6 8
Potentiels croissants de S vers D

fig.5.10

S G D
P

canal N

substrat P

fig.5.11 : Rétrécissement du canal


c- Conséquences du rétrécissement.

• Pour une tension VDS faible, le rétrécissement est faible (comportement ohmique).
• Pour une tension VDS variant de 2 à 5 V, le rétrécissement devient sensible, la résistance
du canal croît et l'intensité du courant n'est plus proportionnelle à la tension.
• Pour des tensions supérieures à 5V, le rétrécissement est important et les accroissements
de l'intensité du courant sont très faibles, presque nuls :

la caractéristique est rectiligne ;


La résistance dynamique est constante et très grande ;
le canal est devenu très étroit : il y a pincement. La tension VDS à partir de laquelle ID

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Chapitre 5 - Transistors à Effet de Champ

est pratiquement constante (5 V dans le transistor étudié) est appelée : "tension de


pincement Vp"

d- Remarques :
• Le rétrécissement n'est dû qu'à la chute de tension produite par le courant ID, il est donc
totalement dépendant de l'existence de ce dernier. Par conséquent, il est impossible qu'une
forte augmentation de VDS produise une annulation ou même une diminution de ID : quand
VGS est nulle, le canal ne peut être fermé.
• Au contraire, une forte augmentation de la tension VDS ferait atteindre, à la tension
appliquée en inverse aux jonctions, la valeur dite d'avalanche; le courant ID augmenterait
fortement et le T. E.C. serait détruit (figure 5.12).

ID (mA)

Avalanche

0 30 VDS (V)
fig.5.12

e- Conclusion

Le canal du T. E. C. est comparable à un conducteur dont la section diminue quand


augmente le champ électrostatique transversal dans lequel il est placé : le transistor est à
effet de champ.

IV- RESEAUX DE CARACTERISTIQUES.


1- Montage

Nous étudions le T. E. C. à canal N en montage "source commune" (figure 5.13).

ID
A

VDG D

G
VDS V VDD
IG

V S
VGG VGS
IS

fig.5.13

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Chapitre 5 - Transistors à Effet de Champ

• Le circuit d'entrée, ou de commande, est polarisé par un générateur de tension


continue réglable VGG qui permet d'appliquer la tension VGS entre la grille et la
source. Cette tension est négative afin que les jonctions PN soient sous tension
inverse. Dans ces conditions, l'intensité du courant IG a une valeur absolue
nettement inférieure à un microampère, donc négligeable : IG ≈ 0.
• Le circuit de sortie est polarisé par un générateur de tension réglable VDD qui
polarise positivement le drain par rapport à la source et qui fournit le courant ID.

2- Les grandeurs variables.


Elles sont au nombre de six, liées entre elles par deux relations déjà rappelées :
o les courants IG, ID et IS qui, avec les orientations choisies pour les
connexions, donnent la relation (loi des nœuds) : Is = ID + IG.
o Les tensions VGS, VDS et VDG pour lesquelles la loi des mailles s'écrit :
VDS = VDG + VGS
Compte tenu des deux relations, nous ne nous intéresserons qu'aux quatre
grandeurs principales : {IG, ID, VGS, VDS}
En outre, puisque VGS<0 ⇒ IG = 0, il ne reste plus que trois grandeurs pour fixer
l'état du transistor : {VGS, VDS, ID}

3- Réseau de sortie.
a- Définition
C'est l'ensemble des caractéristiques ID(VDS) tracées pour différentes valeurs constantes de
VGS. La courbe correspondant à VGS = 0 a déjà été tracée. Les autres courbes ont la même
allure (figure 5.14) mais, quand la valeur de VGS (nombre négatif) diminue :
• la tension VDS de pincement diminue,
• la valeur maximale atteinte par ID diminue. Ces faits expérimentaux s'expliquent
facilement en considérant la tension VDG = VDS - VGS, donc le module du champ
électrostatique à travers la jonction.
ID (mA)

17 VGS=0

VGS=-1

VGS=-2
10

VGS=-3

VGS=-4

5 10 15 VDS (V)

fig.5.14 : Réseau de sortie

b- Exemples :
Soit à obtenir la valeur VDG = 5 V :
• si VGS = 0, cette valeur est atteinte pour VDS = 5V;
• si VGS = -2 V, cette valeur est atteinte pour VDS = 3 V, et le pincement se manifeste
plus tôt.

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Chapitre 5 - Transistors à Effet de Champ

Soit VDS = 6 V
• si VGS = 0 nous avons VDG = 6V;
• si VGS = -2 V, alors VDG = 6 - ( - 2) = 8 V et le pincement est plus important.

c- Le blocage.
• Pour les faibles valeurs de VDS, la résistance entre source et drain augmente quand VGS
diminue (le coefficient directeur de la partie rectiligne ayant diminué).
• Pour VGS égale ou inférieure à -5V, le courant reste nul quelle que soit la valeur de la
tension source-drain : cette valeur de VGS est une tension de blocage (du courant). En
anglais, elle est appelée "pinch-off voltage". (VPO); on trouve dans cette appellation et
l'idée de pincement (pinch) et l'idée de suppression (off) :
Pincement de suppression = blocage
Cette tension sera notée VB, elle est négative. Nous avons donc, quelle que soit la tension
VDS inférieure à la valeur d'avalanche :
VGS ≤ VB ⇒ ID = 0

d- Remarque
La tension VGS de blocage a pratiquement même valeur absolue (5V) que la tension VP de
pincement pour VGS = 0. Il en résulte parfois une confusion dans les termes employés pour
les désigner.
Il est important de noter que le pincement résulte de la tension VGS et du courant ID et non
plus de ce dernier seul, comme c'était le cas avec VGS = 0. L'existence du courant n'est
donc plus indispensable au pincement et c'est pourquoi le blocage est possible.

e- Région ohmique
Pour les faibles valeurs de VDS( < 1 V), les caractéristiques sont rectilignes et sur chacune
d'elles ID est proportionnelle à VDS (le TEC est équivalent à une résistance commandée par
VGS)
L'augmentation de |VGS| diminue la conductance et augmente la résistance. Le T.E.C. peut
ainsi être utilisé comme une résistance réglable par champ électrostatique.

f- Domaine linéaire
Au-delà de VDS = 5 V, les caractéristiques sont rectilignes, et sensiblement parallèles à
l'axe des tensions (zone pentode). En outre, pour VGS ≥ -3V, ces portions rectilignes de
caractéristiques sont presque régulièrement échelonnées : la partie sur fond gris foncé de la
figure 5.14 est le domaine linéaire.

4- Réseau de transfert.
a- Définitions
• Une courbe est dite de transfert quand elle associe les variations d'une grandeur de sortie
à celles d'une grandeur d'entrée.
• Le réseau de transfert est l'ensemble des caractéristiques ID(VGS) tracées pour différentes
valeurs constantes de VDS.

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Chapitre 5 - Transistors à Effet de Champ

ID (mA) 0

E’ E
-1

10
D’ D

-2

C’ C

-3
B’ B

A’ A -4
VGS(V)
-5 -4 -3 -2 -1 0 2 VDS (V)

Figure 5.15 : Construction de ID(VGS) pour VDS = 2V.

b- Tracé
Il peut être effectué directement avec des relevés de valeurs ou déduit, par construction, du
réseau de sortie. Cette construction est effectuée sur la figure 5.15. Le point C’, associé à
C, a même ordonnée que lui et son abscisse (-2 V) est lue sur la caractéristique où se
trouve C. La courbe A’B’C’D’E’ ainsi obtenue correspond à VDS = 2 V.

c- Étude du réseau expérimental


Les caractéristiques sont distinctes les unes des autres tant que la tension VDS est faible;
dès que VDS est supérieure à la valeur de pincement ( VP) de la courbe tracée pour VGS = 0,
les caractéristiques sont confondues.
Le point d'abscisse VGS = VB est commun à toutes les courbes.
ID(mA)
17
VDS≥5V

12
VDS=2V

VDS=1V 6

VB VGS(V)
-5 -4 -3 -2 -1 0

Figure 5.16 : Caractéristique de transfert

5- Caractéristiques de transconductance
Pour une tension VDS située dans le domaine d’utilisation, il est alors facile de déterminer

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Chapitre 5 - Transistors à Effet de Champ

la caractéristique ID = f(VGS) à VDS constante. Cette caractéristique ayant une allure


parabolique peut être exprimée sous la forme suivante :
2
 V 
I D = I DSS 1 − GS 
 Vp 

Relation appelée aussi l’équation fondamentale du TEC, elle est valable pour les tensions
VDS ≥ VGS - Vp (zone pentode)
où : IDSS est le courant de drain pour VGS=0 et Vp est la tension de pincement.

6- Remarques

L'application d'une tension VGS positive placerait les jonctions PN sous tension directe. Dès
que cette tension dépasserait 0,5 V, le courant IG positif atteindrait une valeur telle que la
puissance dissipée au niveau des jonctions, serait destructive. Il est donc prudent de
n'opérer qu'avec des valeurs VGS ≤ 0

V- POLARISATION DU T.E.C
1- Montages fondamentaux
a- Montage source commune
La tension, entre la source et le drain, et l'intensité du courant ID doivent pouvoir varier
spontanément quand la tension VGS est modifiée. Pour cela, une résistance R0 est placé
dans le circuit, en série avec le canal du T.E.C. (figure 5.17). Le montage est dit à source
commune; le circuit qui contient la grille est le circuit d'entrée, l'autre est le circuit de
sortie.
ID

RD RDID

D
RG
G
VDS VDD
IG

S
VGG VGS
IS





circuit d’entrée circuit de sortie

fig.5.17

Tension d'attaque
La tension VGS0 d'attaque est, pour le montage, égale à la tension VGG du générateur de
tension qui polarise la grille. Cette tension VGS0 ne dépend ni de la tension VDS, ni du
courant ID. Dans le réseau de transfert ID(VGS), le point P0' qui représente l'état de
polarisation du T.E.C., ou point de repos, se trouve sur la droite A parallèle à l'axe des
courants, et dont l'abscisse est VGS0 (figure 5.18). Cette droite est la droite d'attaque,
d'équation : VGS = VGG

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Chapitre 5 - Transistors à Effet de Champ

Droite de charge – Point de repos


L'application de la loi des mailles, au circuit où circule ID, nous donne :
VDD - RD ID - VDS = 0
Cette relation écrite sous la forme ID(VDS) est l'équation de la droite D, dite de charge :
V − VDS
I D = DD
RD
La droite de charge coupe les axes en deux points A et B (figure 5.18) :
 V 
• l'axe des courants en A 0; DD 
 RD 
• l'axe des tensions en B(VDD ;0).
Le point P(VDS;ID), image de l'état électrique du transistor, se trouve sur la droite de
charge D. Si la tension d'attaque est constante, soit VGS0, le point P est alors le point de
repos P0; il se trouve à l'intersection de D et de la caractéristique VGS0 du réseau de sortie
(figure 5.18). Les points P0' et P0 ont évidemment la même ordonnée ID0 et peuvent se
déduire graphiquement l'un de l'autre.
ID

VDD
A
RD
0

P0' P0 VGS0
ID0

(D )
VB B
VGS VDS
VGS0 0 VDS0
fig.5.18 : Droite de charge et points de repos

L’inconvénient de ce montage est l’utilisation de deux sources d’alimentation. Le montage


de polarisation automatique évite cet inconvénient.(figure 5-18bis)
ID

RD

G VDS
IG VDD
S
RG
VGS RS





circuit d’entrée circuit de sortie

fig.5.18bis

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Chapitre 5 - Transistors à Effet de Champ

Ce n’est pas un montage source commune mais aux variations (en plaçant un condensateur
entre la source et la masse), la source sera placée à la masse, on aura ainsi un montage
V − VDS
source commune. L’équation de la droite de charge statique est : I D = DD
RD
VGS=VG-VS=0-RSID=-RSID ⇒
V
L’équation de la droite de polarisation (droite d’entrée ou droite d’attaque) est : I D = − GS
RS
Remarque : A partir de la droite de charge statique, on trace la caractéristique de transfert.
En traçant la droite de polarisation, on déduit graphiquement les coordonnées du point de
repos (VGS0, ID0, VDS0)

b- Montage grille commune


Le signal d’entrée variable est appliqué entre la source et la grille. La sortie est prélevée
entre drain et grille. L’étude en continu de ce montage est identique à celle du montage
source commune
RD
D

∼ RS
VDS
VDD
S

fig.5.19

c- Montage drain commun

G
S
RG
VGS R1 VDD

R2

fig.5.20

Aux variations le drain est mis à la masse. Le signal d’entrée est appliqué entre la grille et
la masse. La sortie est prélevée entre la source et la masse. L’équation de la droite de
V − VDS
charge statique relative à ce montage est : I D = DD
R1 + R 2
V
L’équation de la droite de polarisation est : I D = − GS
R1

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Chapitre 5 - Transistors à Effet de Champ

2- Limitations

a- Température interne
La température interne θi du T.E.C. doit être au plus égale à une limite θm fixée par le
fabricant. D'une part, la source lui fournit la puissance P = VDSID et d'autre part, le T.E.C.
dissipe dans le milieu ambiant une puissance dont la valeur absolue est P'.

Compte tenu de la température ambiante θa, de l'environnement et de la limite θm, la


puissance dissipée ne peut dépasser un maximum Pm, appelé : puissance maximale
dissipable. La condition θi ≤ θm exige donc : VDSID ≤ Pm

b- Hyperbole (H) de dissipation maximale


C'est l'ensemble des points où Pm = Cte; son équation est (figure 5.21) :
P
VDSID = Pm ⇒ ID = m
VDS
ID (H)

IDm

VDSm
Pm

VDS
0

fig.5.21

c- Choix du point de repos


Il doit se trouver à l'intérieur de la zone bordée de hachures et dont les frontières sont
(figure 5.21) :
• les axes de coordonnées;
• la tension maximale VDSm, au-delà de laquelle il y a risque d'avalanche;
• le courant maximal IDm qui, en pratique, correspond à la caractéristique VGS0 = 0;
• l'hyperbole H précédente.

VI- LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP EN REGIME VARIABLE


1- Principe de l’amplification

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Chapitre 5 - Transistors à Effet de Champ

ID
RD

D
Cl
VDS
VDD
RG S
e(t) ∼
VGG

fig.5.22
e(t) = VMsinωt
Cl: Condensateur de liaison, il présente une impédance négligeable à la fréquence du
signal e(t).

La tension appliquée à l'entrée est : VGS = VGS0 + VGMAX sin ωt


Le point P', représentant l'état du transistor dans le réseau de transfert, se déplace donc de
part et d'autre de P0' entre P1' et P2' (figure 5.23) et dans le réseau de sortie, le point P se
déplace de part et d'autre de P0, entre P1, et P2.

ID

iD
P1
P'1

ID0 P0 t
P'0

P'2 P2

A’
VGS VGS0 VDS0 B
0 VDS
vG vD'S'
S

t t
fig.5.23

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Chapitre 5 - Transistors à Effet de Champ

A un instant déterminé, l'intensité du courant de drain est : ID = ID0 + iD(t)


Pour que la partie variable iD(t) soit sinusoïdale, il faut que P1' P2' soit un segment de droite;
nous aurons alors : iD(t)= IDMAX sin ωt

Nous notons que iD est en phase avec vGS (voir graphique).

A un instant déterminé, la tension drain-source est : VDS= VDS0+vDS(t)


Le condensateur C élimine la composante continue VDS0 de VDS ; nous avons donc :
vD'S' = vDS

Si le courant de drain est sinusoïdal, la tension vDS de sortie l'est également. Nous
remarquons que VDS décroît lorsque ID augmente : les grandeurs sinusoïdales vDS et iD sont
en opposition de phase : vDS(t) = - VDMAX sin ωt

Lorsque les conditions qui précèdent sont réunies, l'amplification est dite linéaire.

ν DS − VDS max sin ωt V


L’amplification en tension est : A ν = = = − DS max
ν GS VGS max sin ωt VGS max

La condition précédente (P'1P'2= segment de droite) sera sensiblement réalisée si, dans le
réseau de sortie le point de repos P0 est assez éloigné du domaine où les caractéristiques
sont incurvées et éloigné, aussi, de l'axe des tensions. Cela sera obtenu en choisissant
convenablement les valeurs de VDD et de RD, compte tenu du transistor utilisé. Il faut
également que l'amplitude du signal d'entrée soit limitée, afin que les déplacements du
point P soient maintenus dans le domaine linéaire; c'est ce que nous avons supposé sur la
figure. En outre, pour obtenir une assez grande amplification pratiquement linéaire, il faut
que P0 soit situé vers le milieu de la droite de charge AB.

2- Notion de droite de charge dynamique

VDS(t) = VDS0 + vDS(t) = VDS0 - RDiD(t)


Si on s’intéresse uniquement aux variations, vDS(t)=-RDiD(t) ⇒ le point de fonctionnement
v
se déplace sur la droite i D = − DS , droite ayant pour origine le point de repos. Cette droite
RD
est appelée droite de charge dynamique. On remarque qu’à la droite de charge dynamique
correspond une caractéristique de transfert dynamique. Autour du point de repos et aux
faibles variations, cette caractéristique coïncide avec celle de transfert statique. La droite de
charge statique et la caractéristique de transfert statique servent à déterminer le point de
repos alors que la droite de charge dynamique et la caractéristique de transfert dynamique
permettent l’étude aux variations.

3- Paramètres du TEC

En supposant que le dispositif est localement linéaire autour du point de repos, on peut lui
appliquer le théorème de superposition et effectuer séparément les études en continu et aux
variations.

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Chapitre 5 - Transistors à Effet de Champ

∂I D 
Le terme  représente l’inverse de la résistance interne du transistor. D’où :
∂VDS  V
GS = cte

∆VDS
rD =
∆I D

∂I D 
Le terme  représente la pente ou transconductance du transistor notée par s ou
∂VGS  V = cte
DS

∆I D ∆I D
gm. D’où : g m = =
VGS1 − VGS 2 ∆VGS
La pente du T. E.C. est, à VDS = Cte, le quotient (figure 5.24) :

ID

M
∆ID
∆VGS

VGS
Figure 5.24 : Détermination de la pente

rD et gm sont déterminés graphiquement et dépendent du point de repos.

4- Schéma équivalent aux variations

Si on suppose les caractéristiques sont assimilables à des segments de droites équidistantes


v
et parallèles, on peut écrire l’équation du TEC comme suit : i D = DS + g m v GS
rD

Cette équation peut être écrite en fonction du coefficient d’amplification µ :


∆VDS
i D = v DS + µv GS où : µ = = g m .rD
∆VGS

On en déduit le schéma équivalent du transistor à effet de champ aux variations (figure


5.25)

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Chapitre 5 - Transistors à Effet de Champ

G D iD

vGS rD
gmvGS

D
G S

S G rD iD D

vGS
µvGS
fig.5.25
S
Remarque ; Aux fréquences élevées, au modèle de la figure précédente s’ajoutent les
capacités inter électrodes (CGS, CGD et CDS)

5- Montages fondamentaux
a- Montage source commune

ID

RD
D

S VDD
v2
v1(t) ∼ RG
RS CS

fig.5.26

Gain en tension : Av = -gm(rD//RD)

Impédance d’entrée : Re=RG

Impédance de sortie : RS= rD//RD

b- Montage grille commune

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Chapitre 5 - Transistors à Effet de Champ

Cl C' l
S D

G RD

v1 ∼ RS
RL
v2
VDD

fig.5.27
R D // R L
Gain en tension : Av = (1 + µ )
(R D // R L ) + rD

Impédance d’entrée : Re= R S //


(R D // R L ) + rD
1+ µ

1
RL et rD >>RD ⇒ Re= R S //
gm

Impédance de sortie : RS= rD//RD

c- Montage drain commun

VDD

R2
D

S
v1(t) ∼ R1 RS v2(t)

fig.5.28

µR S
Gain en tension : Av =
(1 + µ )R S + rD
Impédance d’entrée : Re= R1 // R 2

1
Impédance de sortie : RS= R S //
gm

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 71


Chapitre 5 - Transistors à Effet de Champ

6- Remarques
Amplification en courant :
Pour un T.E.C. idéal, l'intensité du courant de grille serait nulle alors que celle du courant
de drain ne l'est pas; nous aurions donc : Ai = ∞
Si, pour un T.E.C. réel, IGmax = 100 nA et IDmax = 1 mA = 106 nA, cela donne encore une
10 6
amplification considérable : Ai = = 10 4
100
Amplification en puissance :
L’amplification Ap = |Av Ai| dépasse couramment 105.

VII- UTILISATION DU T. E.C.

Le T.E.C. est donc un composant pour lequel les grandeurs de sortie ID et VDS sont
commandées en tension par les variations de VGS.

1- Les deux états statiques du T. E. C.


a- État bloqué
Cet état correspond à un courant de drain nul; il est obtenu si : VGS ≤ VB
soit |VGS| ≥ |VB|
L'image de l'état du transistor est alors le point B (figure 5.30) et VDS= VDD.

b- Etat passant (quelconque)


Dès que VGS > VB, le transistor est débloqué ou passant, l'intensité du courant ID n'est plus
nulle. L'image de cet état se trouve sur le segment de droite CB, B exclu.

2- Commutation.
a- Définition
ID (mA) VGS=0 VGS
A
15 0
C
-1
VGS=-1
10 P2
-2

VGS=-2 -3
P0
-4
VGS=-3
P1 VB(de blocage)
-5
B
5 10 15 VDS (V)
fig.5.30-a fig.5.30-b
La commutation d'un circuit est le passage d'un état à un autre. Par extension, on dit
qu'un composant fonctionne "en commutation", quand il n'est utilisé que dans deux
états et que le basculement d'un état dans l'autre est rapide. Il en est ainsi d'un transistor
à effet de champ quand la tension grille-source, qui lui est appliquée, ne prend que
deux valeurs différentes, dont l'une au moins correspond à l'état passant. Avec la
courbe VGS(t) de la figure 5.30-b, les deux images des états sont P1, et P2 (figure. 5.30-
a). Si la valeur inférieure VGS1 est plus petite que VB, le point P1 vient en B.

b- Étude d'un cas

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 72


Chapitre 5 - Transistors à Effet de Champ

Nous supposons que les deux valeurs de VGS sont 0 et VB (ou moins). Les deux états du
transistor sont, avec VDD = 15 V et RD = 1 kΩ (l'ordonnée du point A est alors de 15 mA) :
ETAT Image VGS ID VDS
Bloqué B ≤ VB(≈ -5 V) 0 15 V
Passant C 0 ≈ 13 mA ≈2V

VIII- AUTRES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP.

1- T.E.C. à jonction à canal P.


Le canal est un semi-conducteur de type P et la grille est dopée N (figure 5.31). La
flèche du symbole est inversée. Dans le montage (figure 5.32), par rapport à la source,
le drain est polarisé négativement et la grille l'est positivement. Les orientations étant
conservées, par rapport au T.E.C. à canal N, les grandeurs de la polarisation en continu
ont changé de signe.
Les propriétés sont analogues à celle du T.E.C. à canal N; les caractéristiques sont
celles des figures 5.14 et 5.16 avec changement de signe des trois grandeurs.
S G D

P N P

substrat N

fig.5.31

ID

RD RDID

G
VDS VDD
IG

S
VGG VGS

fig.5.32

2- T.E.C. à grille isolée à canal N diffusé.


a- Description
Grâce à une couche isolante d'oxyde de silicium (O), la grille métallique (M) est isolée du
reste du transistor (figure 5.33).
Les électrodes de source et de drain sont disposées sur des régions N fortement dopées. Le

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 73


Chapitre 5 - Transistors à Effet de Champ

canal, de type N aussi, est moyennement dopé; son épaisseur est de l'ordre de un
micromètre et sa longueur de quelques dizaines de micromètres.
Le substrat de type P est faiblement dopé; il est électriquement relié à la source (la liaison
BS est réalisée en cours de la fabrication).

S Métal G Oxyde D
(M) (O)

N
N N

substrat P
fig.5.33 : M.O.S à canal N diffusé

b- Polarisation des électrodes


Nous portons les renseignements sur le symbole (figure 5.34). La tension VDS et l'intensité
du courant ID sont positives comme pour le transistor à jonction à canal N; en revanche, la
tension VGS n'est pas nécessairement négative.
D
ID

G
B VDS

VGS
S

fig.5.34 : M.O.S. à canal N diffusé : symbole avec le nom


des électrodes et leur polarisation

c- Principe du fonctionnement
La couche d'oxyde de silicium constitue le diélectrique d'un condensateur dont une
armature est l'électrode de grille et l'autre est la partie du canal N placée en regard. Ce sont
les porteurs majoritaires (électrons) de ce canal N qui en circulant de la source vers le
drain, engendrent le courant ID.
Première possibilité : la tension VGS est négative.
La grille se charge négativement. Cette charge négative chasse les électrons de la portion
de canal située sous la couche d'oxyde : il y a une zone de déplétion (diminution locale).
Cette zone (en blanc sur le schéma de la figure 5.35) ne contient plus que les ions positifs
fixes; dépourvue de porteurs majoritaires, elle n'est plus conductrice; il y a eu striction du
canal (figure 5.35). On dit que le transistor fonctionne en régime d'appauvrissement (en
porteurs).

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 74


Chapitre 5 - Transistors à Effet de Champ

VDS

VGS

S G D

substrat P
Zone de déplétion fig.5.35
Deuxième possibilité : la tension VGS est positive.
La grille se charge positivement et il y a afflux d'électrons dans le canal; le transistor
fonctionne en régime d'enrichissement (en porteurs).

d- Remarque
Nous avons choisi d'appeler ce transistor : "T.E.C. à grille isolée à canal N diffusé", parce
que le mot "diffusé" nous rappelle que le canal a été créé à la fabrication. Ce composant est
également désigné par : T.E.C. à grille isolée à déplétion ou à striction ou à
appauvrissement-enrichissement.

e- T.E.C. à grille isolée, à canal P diffusé


Le drain et la source sont de type P aussi; le substrat est de type N (figure 5.36). Les
propriétés sont les mêmes que pour un canal N. Les grandeurs VDS et ID (figure 5.37) sont
négatives. Si VGS est positive, il y a appauvrissement; si VGS est négative, il y a
enrichissement.

G D
S Métal Oxyde D ID

G
B VDS
P
P P
VGS
B S

substrat N
fig.5.37 : M.O.S. à canal P diffusé : symbole avec le
fig.5.36 : M.O.S à canal P diffusé
nom des électrodes et leur polarisation

f- Caractéristiques
Nous les donnons pour le T.E. C. à canal N diffusé (figure 5.38). Les caractéristiques du
T.E.C. à canal P sont identiques mais les signes des trois grandeurs sont changés.

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Chapitre 5 - Transistors à Effet de Champ

ID (mA)

∀ VDS > 5V

VGS(V)
-5 -4 -3 -2 -1 +1 +2

ID (mA)
VGS=+2

4
VGS=+1

VGS=0

VGS=-1

VGS=-2

VGS=-3
VGS=-4
5 10 15 VDS (V)

Figure 5.38 : Caractéristiques d'un T. E.C. à canal N diffusé

3- T.E.C. à grille isolée à canal induit.


a- Description (substrat P)
La grille purement métallique étant isolée, ce T. E. C. est toujours de nature M.O.S. Le
drain et la source de type N ont été diffusées sur un substrat de type P, peu dopé (figure
5.39). Le substrat s'étend jusqu'à l'oxyde isolant : à la fabrication aucun canal n'a été prévu.
C'est la polarisation convenable de la grille qui va créer un canal; ce dernier est appelé
"canal induit".
S G D

N N

substrat P

fig.5.39

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Chapitre 5 - Transistors à Effet de Champ

b- Principe sommaire du fonctionnement


Par rapport à la source (et au substrat), le drain est polarisé positivement.
Si la tension VGS est nulle, l'emplacement du futur canal (entre D et S) reste
occupé par les porteurs positifs du substrat. La jonction PN qui existe entre celui-ci et le
drain est sous tension inverse : il ne peut y avoir de conduction, le transistor reste bloqué
(figure 5.40).
VDS

VGS=0(ou<0)
S D
G

N N

substrat P

fig.5.40
Si la tension VGS est négative, les porteurs positifs du substrat s'accumulent
sous la couche d'oxyde; ces porteurs majoritaires ne peuvent toujours pas traverser la
jonction PN drain-substrat.
Si la tension VGS est rendue positive les porteurs positifs majoritaires du
substrat sont repoussés du voisinage de la couche d'oxyde tandis que les porteurs négatifs
minoritaires sont attirés :
• pour les faibles valeurs (1 ou 2 V), les porteurs P restent les plus nombreux, il
y a toujours blocage (revoir figure 5.40);
• pour une plus grande valeur de VGS, (8 V par exemple), les porteurs N sont
devenus les plus nombreux dans une zone sous-jacente à la couche d'oxyde : la
conduction entre D et S est assurée (figure 5.41). La frontière qui sépare les
deux régions N et P est la couche d'inversion.
VDS

VGS

S G D

N
N N

B couche
d’inversion
substrat P

fig.5.41
La tension pour laquelle intervient, dans cette zone dite d'enrichissement, le
changement de majorité, est la tension de seuil VT; elle est comprise entre 2 et 4 V.
Pour cette tension, le canal N commence à s'ouvrir côté drain alors qu'il est déjà large côté

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 77


Chapitre 5 - Transistors à Effet de Champ

source (figure 5.42).

S D
N
N P N

fig.5.42

c- Symbole
Nous le donnons avec l'identification des électrodes et les polarisations usuelles (figure
5.43).

d- Remarque
A l'opposé des T.E.C. précédemment étudiés, le M.O.S. à enrichissement est bloqué quand
VGS est nulle et ne devient conducteur qu'après la polarisation convenable de la grille.

e- T.E.C. à grille isolée, à canal P induit


Le drain et la source sont de type P et le substrat de type N. Les polarisations sont
évidemment inversées par rapport au transistor précédent (figure 5.44).

+ -

D D
G G
+ B - B

S S

fig.5.43 : M. O. S. à canal N induit : symbole avec fig.5.44 : M. O. S. à canal P induit : symbole avec
le nom des électrodes et leur polarisation le nom des électrodes et leur polarisation

f- Caractéristiques
Nous les donnons pour un canal N induit (figure 5.45). Pour un canal P, il faut changer
tous les signes.

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 78


Chapitre 5 - Transistors à Effet de Champ

ID (mA)
1

∀ VDS > 5V

VGS(V)
0 +2 +4 +6 +8

ID (mA)
VGS=+9

1
VGS=+8

VGS=+7

VGS=+6

VGS=+5

VGS=+4
VGS=+3
5 10 15 VDS (V)

Figure 5.45 : Caractéristiques d'un T. E.C. à canal N induit

4- Propriétés des T.E.C. à grille Isolée.


a- Courant réel d'entrée
Son intensité est de l'ordre du picoampère (10-12 A) donc beaucoup plus petite que pour
un T.E.C. à jonction.

b- Fragilité
La couche isolante d'oxyde est très mince : 0,1 µm environ. Placée entre deux couches
conductrices, elle forme avec celles-ci un condensateur qui ne peut supporter qu'une faible
tension |VGS|. Pour éviter l'accumulation de charges électrostatiques, G et S doivent être
électriquement reliées pendant les périodes de non utilisation. En cours de fonctionnement,
il est nécessaire de placer entre G et S une diode Zener (par exemple) pour limiter |VGS|.

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Exercices de Travaux Dirigés

EXERCICES DE TRAVAUX DIRIGES

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Exercices de Travaux Dirigés

Cours "Electronique 2".


Filière 2ème année IMI.
Semestre I.

Travaux Dirigés - Série 1

Exercice 1

Le transistor 2N3904 représenté à la figure ci-dessous présente les limites suivantes :


Ic=200mA et VCE=40V.

1- Déterminer l’équation de la droite de charge statique.


2- Déterminer les coordonnées du point de repos (VCE0, IC0)
3- Déterminer l’équation de la droite de charge dynamique.
4- Représenter, sur le même graphe, la droite de charge statique et la droite de charge
dynamique. Placer le point de polarisation
5- Quelle est la dynamique du signal alternatif de sortie.
6- Montrer qu’on ne dépasse pas ces limites durant un cycle alternatif.

VCC 10V

R1 RC
10kΩ 3,6kΩ

Re 2N3904

1kΩ RL
R2 1,5kΩ
2,2kΩ
RE
1kΩ

Figure -1-

Exercice 2

On considère l’amplificateur à émetteur commun de la figure 1.

On donne :
• le gain en tension AV = -46
• le gain en courant Ai = 150

Déterminer :
1- le gain en puissance AP
2- la puissance maximale de charge PLmax

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Exercices de Travaux Dirigés

3- le courant total consommé IS


4- la puissance d’entrée en continu PS
5- le rendement de l’étage η

Exercice 3
VCC
30V

R1
T1

Vi R2

R2
T2
RL
R1

Figure -2-

La figure 2 représente un amplificateur push-pull classe B.

1- Déterminer l’équation de la droite de charge statique et celle de la droite de charge


dynamique.
2- On donne RL = 100Ω. Calculer la dynamique du signal de sortie et la puissance
maximale de charge.
3- Sachant que cet amplificateur a une tension d’alimentation de 30V, un courant de
polarisation de 1mA et un courant collecteur de repos de 1mA, calculer :
a. Le courant d’alimentation en l’absence de signal
b. Le courant d’alimentation à signal maximal ou plein signal.
c. Le rendement par étage.

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Exercices de Travaux Dirigés

Cours "Electronique 2".


Filière 2ème année IMI.
Semestre I.

Travaux Dirigés - Série 2

Exercice 1

On considère le montage amplificateur inverseur- non inverseur à gain variable dont le


circuit est représenté ci-dessous :

R0 M R1 R2

ve vs
R0 N R1-r r O

L’amplificateur opérationnel est supposé idéal, on posera X=R0 + R1.


vs
1- Calculer le gain en tension de cet amplificateur en fonction de R2, X et du
ve
R+r
paramètre α =
R+X
2- On veut que ce montage fonctionne en amplificateur inverseur - non inverseur, de
gain variant entre -3 et +0,5 par déplacement du curseur. on impose R2 = 20kΩ et
X= 4kΩ. calculer les résistances R0, R1 et R qu’il faut adopter dans ces conditions.
3- On se place dans les conditions où α est minimal (Curseur en O). Déterminer la
résistance R pour que le montage ait même gain (en module) lorsque M est mis à la
masse ou N est mis à la masse.
4- Calculer R et le module du gain pour R0= 1kΩ, R1= 3kΩ, R2 = 20kΩ.

Exercice 2

On considère le montage d’un amplificateur de tension et de courant

E1
vs
R
E2
R1
R = 1kΩ
R0
R0 = 180 kΩ
R1 = R2 =1,5kΩ
R2

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 83


Exercices de Travaux Dirigés

L’amplificateur opérationnel est supposé idéal.

1- Amplificateur de tension non inverseur

La borne E1 est portée au potentiel v1 et la borne E2 est mise à la masse. Déterminer le gain
vs
en tension en fonction des résistances ; simplifier le résultat obtenu lorsque la
v1
résistance R0 est très supérieure aux résistances R, R1 et R2. Application numérique.

2- Amplificateur de tension inverseur

La borne E1 est mise à la masse et la borne E2 est portée au potentiel v2. Déterminer le gain
v
en tension s en fonction des résistances ; simplifier le résultat obtenu lorsque la
v2
résistance R0 est très supérieure aux résistances R, R1 et R2. Application numérique.

3- Amplificateur de courant

La borne E1 est maintenue à la masse. Un générateur de courant maintient un courant Ie


I
dans R. Déterminer le gain en courant s1 , où Is1 est le courant ascendant qui parcourt R1.
Ie
Application numérique

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Exercices de Travaux Dirigés

Cours "Electronique 2".


Filière 2ème année IMI.
Semestre I.

Travaux Dirigés - Série 3

Exercice 1

On considère l’amplificateur d’instrumentation de la figure ci-dessous.


1. Déterminer la relation donnant vAB en fonction de v1 , v2 , R2 et R3.
2. Déterminer la relation donnant vS en fonction de v1 , v2 , R2 et R3.
On donne R2 = 25kΩ et on définit le coefficient d'amplification AV = vS / (v1 - v2).
3. Calculer AV1 pour R3 = 5556Ω.
4. Calculer AV2 pour R3 = 505,1Ω.

V2 +VCC
R1 R1

-VCC

+VCC
R2
B
R3
R2
A
-VCC uS

+VCC
R1
V1
R1
-VCC

Exercice 2

On considère le montage électronique de la figure ci-dessous :

- si ai = 0 , l’interrupteur est relié à la masse


- si ai = 1 , l’interrupteur est relié à l’entrée e- de l’AOp .

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 85


Exercices de Travaux Dirigés

R R R R

Uref 2R 2R 2R 2R 2R
U3 U2 U1 U0
a3 a2 a1 a0

I 2R
I3 I2 I1 I0

US

1. Démontrer les relations suivantes : U3 = Uref / 2 ; U2 = Uref / 4 ; U1 = Uref / 8 et U0 =


Uref / 16.
2. Calculer les valeurs respectives des courants Ii en fonction des coefficients ai de R
et de Uref.
3. Appliquer le théorème de superposition et en déduire US en fonction des
coefficients ai et de Uref.

Exercice 3

On considère le montage électronique de la figure ci-dessous. Il s'agit d'un montage de


thermométrie par diode. Une étude préliminaire a permis de linéariser la variation de la
tension aux bornes de la diode en fonction de la température (Vd(T)) comme suit :
Vd,lin (T) = 1196,83 − 2,00T [mV] où T représente la température en K. Cette linéarisation a été
obtenue en supposant vérifiées les conditions suivantes :

Type de diode : 1N914


Sensibilité à 25 °C pour I0 = 2,5 mA : -2,00 mV/°C
Etendue de msure (E.M.) : [0 .. 50] °C
Température de la jonction PN de la diode : < 80 °C
Tension de la jonction PN de la diode : > 150 mV
Résistance interne de la diode à 25 °C : 10 Ω

1. En supposant idéaux les amplificateurs opérationnels utilisés, établir la relation


entre R1 et R2 afin que le courant dans la diode soit I0 = 2,5 mA. On donne V = 12V
et R3 = 1 kΩ.
2. Déterminer les relations respectivement entre R4 et R5 d'une part et R6 et R7 d'autre
part afin que la tension V5 soit de la forme V5 = 0,1.t où t représente la température
en °C.
3. Le convertisseur analogique-numérique étant un convertisseur de n = 8 bits,
déterminer la relation entre R8 et R9 afin que la variation minimale de température
détectable, associée à un quantum q, soit égale à 0,2 °C
Remarque : q = Eréf /2n ; q est exprimé en volt.

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 86


Exercices de Travaux Dirigés

R7
D R3
1N914
4
4 R6 4
2 741
2 741 V3 2 741 V5
R2 V1 3 R5 V4
3 V2 3
7 741
1 5
E R4
7 7
1 5 1 5
E 12 V
12 V R1
E

R8
Vmes CAN Vref V6

R9

Figure 1 : Chaîne d’acquisition d’un signal de mesure de température

Exercice 4

Dans une structure symétrique, la symétrie doit être assurée d'une part par l'amplificateur
différentiel et d'autre part par le circuit de mesure. Considérons l'amplificateur différentiel
de la figure 1. Il présente deux entrées et deux sorties isolées par rapport à la masse.

On définit : *) la tension d'entrée différentielle : Vid = Vi2 – Vi1 (1)


*) la tension d'entrée de mode commun : Vic = (Vi2 + Vi1)/2 (2)

Dans la pratique, on a Vo2 = 0, la tension de sortie se réduit à Vo = Vo1. Un amplificateur


idéal serait caractérisé par :
Vo = G (Vi2 – Vi1) (3)

G étant un coefficient de proportionnalité.


La dissymétrie du dispositif fait que les signaux d'entrée sont amplifiés différemment, ceci
permet d'écrire la tension de sortie sous la forme générale suivante :

Vo = A2 Vi2 - Al Vi1 (4)

Vi1 Vi2 VO2 VO1

Figure 1 : Réjection de mode commun d'un amplificateur différentiel

1. Exprimer la tension de sortie Vo fonction de la tension de mode différentiel, de celle de


mode commun, du gain en tension de mode différentiel Gd et du taux de réjection de
mode commun TRMC, sachant que : Gd = (A2 + A1)/2 et TRMC = (A2 +
A1)/2(A2 – A1).

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 87


Exercices de Travaux Dirigés

2. Quelle est la condition à vérifier pour que l’amplificateur différentiel soit idéal ?
3. Par rapport aux résultats de 1° et 2°, quel est le modèle équivalent d’un amplificateur
différentiel (figure 2).

Vi1 Vi2 VO

Figure -2-

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Exercices de Travaux Dirigés

Cours "Electronique 2".


Filière 2ème année IMI.
Semestre I.

Travaux Dirigés - Série 4

Exercice 1

Pour réaliser un signal sinusoïdal, on utilise un pont de Wien représenté sur la figure 1

R1 C1

v1 R2 C2 v2

Figure -1-

On choisit R1= R2= R = 10kΩ. et C1= C2= C = 1 nF


V2
1- Etablir l’expression de la transmittance complexe du pont de Wien β( jω) = en
V1
fonction de R et C.
2- Donner l’allure du diagramme de Bode de ce circuit
3- Déterminer l’expression et la valeur de la pulsation ω0 pour laquelle ce circuit
donne un déphasage nul. Déterminer l’atténuation de ce circuit pour ω= ω0.
4- Si on veut utiliser le pont de Wien comme quadripôle de réaction dans un
oscillateur, quels devront être l’amplification et le déphasage introduits par la
chaîne directe. Proposer des valeurs pour les résistances et calculer la fréquence
d’oscillation du montage.

Exercice 2

On considère le montage du circuit déphaseur de la figure 2.constitué de 3 cellules RC :

C C C

v1 R R R v2

Figure -2-

On donne l’expression de la transmittance complexe de ce circuit déphaseur :


V
β( jω) = 2 =
( jRCω)3
V1 1 + 5 jRCω + 6( jRCω)2 + ( jRCω)3

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 89


Exercices de Travaux Dirigés

On choisit R = 10kΩ et C = 1 nF

1- Déterminer la fréquence f0 pour laquelle le déphasage entrée-sortie est égal à π.


2- Quelle est l’atténuation de ce circuit pour f= f0.
3- Si on veut utiliser ce circuit comme quadripôle de réaction dans un oscillateur,
quels devront être l’amplification et le déphasage introduits par la chaîne directe.
Proposer des valeurs de résistances permettant le démarrage et le fonctionnement
de l’oscillateur et un schéma de montage de l’oscillateur.

Exercice 3

Un oscillateur LC à amplificateur opérationnel a la structure suivante :

R2

R1

C1
v2 R3
v1
K
C2 L

Figure -3-

On choisit C1= 100 pF, C2= 330 pF


CC
On pose : C = 1 2
C1 + C 2
V2
1- Etablir l’expression de la transmittance de boucle T ( jω) = , K étant ouvert.
V1
2- Lorsqu’on ferme K, à quelle condition le montage est-il le siège d’oscillations
sinusoïdales ? en déduire l’expression de la fréquence d’oscillation f0 et calculer
L pour que f0 soit égale à 1MHz.

Exercice 4

On considère le montage de la figure 4 dans lequel l’amplificateur opérationnel est supposé


idéal.
1- Déterminer la fonction de transfert T1(jω) de ce montage.
2- On met en cascade deux opérateurs identiques au montage précédent, l’un
caractérisé par R, R0, C0 et l’autre par R ' , R '0 , C '0 . Déterminer la fonction de
transfert T(jω) du circuit ainsi obtenu.
3- Montrer que, pour une pulsation particulière ω0, la tension de sortie est déphasée de
π par rapport à la tension d’entrée. Donner l’expression de ω0.

Electronique 2 / Nejmeddine SIFI & Raja MAGHREBI-SIFI 90


Exercices de Travaux Dirigés

4- Montrer qu’il est envisageable de réaliser un oscillateur en utilisant les résultats du


2- ainsi qu’un montage à base d’un amplificateur opérationnel.
5- Donner la condition d’oscillation, l’expression de la pulsation des oscillations, ainsi
qu’un schéma du montage de l’oscillateur.

R
ve vs
R0

C0

Figure -4-

6- Si on suppose que les amplificateurs opérationnels ne sont pas idéaux, que devient
l’expression de la fonction de transfert T(jω) ?

a+b
N.B : arctg(a ) + arctg(b) = arctg( )
1 − ab

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Exercices de Travaux Dirigés

Cours "Electronique 2".


Filière 2ème année IMI.
Semestre I.

Travaux Dirigés - Série 5

Exercice 1
VDD
30V
Un transistor à effet de champ à jonction tel que
IDSS = 3mA et Vp = 2,4V est utilisé dans le RD 12kΩ
montage ci-contre. Déterminer successivement D
VGS, ID et VDS. G
S
RG RS
Figure -1- 1MΩ 470Ω

Exercice 2
VDD 10V

R1
Le transistor utilisé dans le circuit de la figure ci-contre 2,2MΩ
D
est tel que IDSS = 10mA et Vp = -4V. G
Quelle valeur faut-il donner à RS pour que VDS.= 5V S
R2 RS
1MΩ
Figure -2-

Exercice 3
VDD
15V

On considère le montage de la figure 3 où les diodes D1 RD 2kΩ


et D2 peuvent être représentées par leur schéma
D
équivalent (V = 0.6V ; rD = 20 Ω) et le transistor T est G
un 2N3819 (IDSS=7.5mA, Vp = -2,7V). Déterminer le S
point de fonctionnement RG D2
1MΩ
Figure -3- D1

Exercice 4

Montrer que si deux transistors à effet de champ identiques sont montés en parallèle, ils
sont équivalents aux variations à un transistor unique de pente (gm) double et de résistance
interne (rd) égale à la moitié de celle de chaque transistor. Vérifier que µ reste inchangé.

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Exercices de Travaux Dirigés

Exercice 5

Le montage de la figure 4 comporte un transistor à effet de champ 2N4302 dont les


caractéristiques sont : IDSS = 2mA, Vp = -4V, rDS = 200kΩ et rGS= 109 Ω.

1. Pour quelles raisons on place la résistance RG = 1 MΩ?, Quel est le rôle des
condensateurs C1, C2 et CS?
2. Déterminer le point de fonctionnement du montage.
3. Représenter ce point sur la caractéristique d'entrée du transistor.
Ce point est-il bien choisi pour une faible distorsion? Sinon comment faut-il agir
pour avoir une faible distorsion ?
4. Calculer la pente gm (transconductance) du transistor.
5. Donner le schéma équivalent du montage dans la bande passante. On supposera que
C1, C2 et CS se comportent comme des courts-circuits.
6. Etablir et calculer le gain du montage.
7. Quelle est l'impédance d'entrée du montage?
8. Déterminer l'impédance de sortie par deux méthodes différentes (On prendra le cas
d'une attaque en tension).

VDD 30V

C1 D
G C2
S
CS
RG RS
1MΩ 600Ω

R
Figure -4-
10kΩ

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