Dispositifs usuels à deux ports Coupleur directif

Chap 1 : Circuits micro-ondes Ligne de transmission

Règles de réduction

Matrice Z Matrice Z normalisée Règles de réduction

Loi série

Matrice Y Matrice Y normalisée ⇔

Circuit déphaseur idéal Loi parallèle

⇔
Matrice H Matrice H normalisée

Matrice G Matrice G normalisée Loi antiparallèle

Matrice Ch Matrice Ch normalisée Atténuateur

⇔
Une boucle doit contenir au moins
Conversion des représentations
Isolateur une branche entrante

⇔
Loi de la boucle

Combinaison des quadripôles

en cascade en parallèle en série Amplificateur idéal

Coupleur hybride à 90°

Dispositifs usuels à trois ports Loi de scission
série-parallèle parallèle-série
Remarque préliminaire

⇔
Un dispositif à trois ports ne peut pas être
Matrice S
simultanément adapté, réciproque et sans pertes
Diviseur de puissance résistif

Splitter Le Té magique

a2=0

a1=0

si Z0=Z1=Z2 ∈ R
Circulateurs
Coupleur hybride à 180°
S vers Z Z vers S

Caractérisation des réseaux

Réciprocité

tout réseau passif ne contenant pas de

matériaux anisotropes est réciproque

Dispositifs passifs et actifs

Un dispositif passif ne contient pas de source

d’énergie qui augmente la puissance du signal

d’entrée Remarques
Dispositifs usuels à quatre ports Graphe de fluence
préliminaires
Un dispositif actif exploite une énergie externe Générateur + charge + quadripôle
Il existe des
afin d’augmenter la puissance d’un signal.
dispositifs à
Dispositif unilatéral
quatre ports
Réseau adapté
sans pertes,
Réseau sans pertes Un réseau est dit sans
adaptés et
pertes s’il ne dissipe
réciproques
pas de l’énergie.

Réseau avec pertes simultanément.

Chap 2 : Dispositifs actifs en radiofréquences C-Diode varicap Chap 3 : Amplificat°des petits signaux en MO Définitions des gains
A-La diode schottky
b)Lorsqu’elles sont polarisées
Théorème de Thévenin revisité
en directe : L’effet capacitif
Stabilité d’un réseau Th : désactiver le générateur
Modèle de la diode classique :
disparaît et la résistance (bTh=0),mesurer le coefficient de

de la jonction est très réflexion vu entre les points A et B .

V0(silicium)=0,5V
Modèle petits signaux :
faible => Très faible impédance bTh : mesurer b0 quand a0=0,
V0(GaAs)=1,3V
ΓL=0 .
V : tension inverse
Pour que a0=0, prendre une charge
1-Commutation à une entrée et une sortie C0 : capacité sans polarisation, avec
Adaptation conjuguée
Rs : Résistance d’accès à la jonction.
configuration série
γ : dépend du profil de dopage de la zone tirer un max de puissance du générateur,

La RF est transmise quand + la condition l’interconnexion des quadripôles.

intrinsèque
la diode est passante, D-Transistor bipolaire avec Puissance

La RF est réfléchie Modèle en T disponible

Gains en courant en BF
Ls : inductance des broches,
(circuit-ouvert) Puissance
quand la diode est absorbée
Cp : Capacitance parasite des broches,
Les zones de stabilité conditionnelle
bloquée. Gain transducique
Rs : résistance d’accès à la jonction,
Dans le plan de la charge
configuration parallèle :
Rj (V ) Résistance dynamique de la jonction
La RF est transmise
Cj (V ) capacitance de la jonction.
quand la diode est bloquée. Gain disponible GA
1. Redressement et détection La RF est réfléchie
Dans le plan de la source
(court-circuit) quand la

diode est passante. La transconductance

Gain opérationnel Gp
gm en BF

el bi n o p si d ni a g =
stabilité inconditionnelle : les points de ’abaque
Commutation et pertes par insertion

Des pertes par insertion sont à prévoir dans La résistance Γ

de Smith tels que | |<1 (plan de la charge ou
Après FPB, il reste : et dynamique r e Gain transducique unilatéral GTU

xa m
le cas passant, Une atténuation finie est à plan de la source) doivent appartenir à une

Sensibilité en courant et en tension prévoir dans le cas bloqué Quelques caractéristiques BF zone stable,cad , il ne doit pas y avoir
Sensibilité en courant : Rapport du courant de
d’intersections entre le cercle de stabilité le
sortie sur la puissance d’entrée. Adaptation conjuguée simultanée
gain en tension cercle unitaire de l’abaque de Smith.
possible uniquement si K >1
1-Stabilité inconditionnelle – Rollet
le gain transducique est max
conditions nécessaires de
et K=1, gain stable max ( MSG )
stabilité inconditionnelle
cas série
pour avoir stabilité conditionnelle côté charge,
Cercles de gain constant
lieux de ΓL tq GP=cst
Sensibilité en tension : Rapport de la tension aux

bornes de la diode par rapport à la puissance

cas parallèle
d’entrée :

Modèle en π
2-Redressement et détection (Démodulation)

lieux de ΓS tq GA=cst
l’expression du courant : on remplace v(t)dans i (t)
Modèle en hautes fréquences pour avoir stabilité conditionnelle côté source,

Limite de la zone quadratique

diode comme détecteur : Si le signal entrant est

2-Commutation à une entrée et deux sorties
trop faible, il sera noyé dans le bruit, Si le signal
Facteur de bruit
est trop fort alors la loi quadratique n’est plus Fréquence de coupure et de transition Le rapport signal sur bruit signal de puissance Si
vérifiée car la diode est saturée. bruit de puissance Ni

A la sortie du quadripôle, Facteur de bruit

stabilité conditionnelle côté source + charge,

La fréquence de transition f T correspond à la

quadripole sans bruit
fréquence pour laquelle le module du gain en
Formule de Friis
3-Circuit déphaseur (Phase Shifter) courant vaut l’unité : |h21|=1. mise en cascade

03 familles de déphaseurs à diode PIN : La fréquence de coupure f β correspond à la N quadripôles

B-Diode PIN Déphaseurs à ligne commutée 2-Facteur μ d’ Edwards et Sinsky

fréquence pour laquelle le gain chute de 3 dB.
Plus les valeurs de μ sont
Facteur de mérite
a) Lorsqu’elles sont polarisées en inverse : Elles
Déphaseurs à ligne chargée
Lieux des ΓS tq f =cte
Déphaseurs à réflexion grandes plus la
présentent une très faible
M d'un quadripôle
capacitance (capacités
zone d’instabilité est
Pour les calculs :
en série) et une résistance éloignée.

élevée => Forte impédance