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EXERCICE 1

Trouvez pour les deux signaux ci-dessous leur valeur moyenne et leur valeur efficace.

Solution
• Signal (a) :
− La valeur moyenne est représentée par l’aire au dessous de la courbe du signal, c’est-à-
dire par le produit E0.t1 (c’est un rectangle) qu’il faut multiplier par la fréquence.

1 T 1 t1 t
e(t)=<e(t)>=
T 0
e(t)dt =
T 0
E0dt = E0 1 = E0 t1 f
T
<e(t)>=2V

− La valeur efficace (dite aussi valeur rms de Root-mean-square) est e rms = (e(t))
2

T t1
1 1 t
erms =
T0 e(t)2dt =
T0 E 02dt =E 0 1 =E 0 t1 f
T
erms=3,16V

• Signal (b)

E0
L’équation du signal est e(t)=- t+E 0
T
− Valeur moyenne :
T E
Aire sous la courbe : <e(t)>=(E 0) xf = 0 (<e>=2,5V)
2 2
T
1 E E T E T E0 E
Par calcul e(t)=<e(t)>=  (- 0 t+E0 )dt=- 20  tdt+ 0  dt = − + E0 = 0
T0 T T 0 T 0 2 2
E0
− Valeur efficace eeff = e
3
T
1 E E T t E
eeff = 
T0 T
(- 0 t+E 0 ) 2dt = 0
T 
0
(1- ) 2dt = 0
T 3

eeff=2,88V

1
EXERCICE 2

Trouvez la valeur efficace de cette tension

Solution
5
eeff =E 0
7
Détails :

Une méthode est la suivante : on élève le signal au carré et on calcule sa moyenne :

Deux rectangles de surface :


3T 2 2T 2 5T 2
s= .E 0 + .E 0 = .E 0
7 7 7

5
On en déduit que eeff =E 0
7

2
EXERCICE 3

Trouvez la valeur moyenne et la valeur efficace du signal triangle de la figure suivante :

Solution
V2 -V1
On a v(t)= kt +V1 avec k=2. pour une partie et v(t)= -kt +2V2-V1 pour l’autre partie
T
1 T
T 0
• Valeur moyenne : v moyen =<v(t)>=v(t)= v(t)dt

1 T/2  V2 -V1  1 T  V -V 
v(t)=
T 0 

2
T
t+V1 dt+   2 1 2 t+2V2 -V1 dt
 T T/2
 T 

V1 +V2
v(t)= =18V
2
• Valeur efficace :

2 T/2 2
T 0
On a v2 (t)=V12 +2V1kt+k 2 t 2 donc Veff =Vrms = v (t)dt

T/2
2 2 t 2 2 t3 
Soit Veff =  (V1 t+2V1k +k
T 2 3  0

2 T k 2T 2 (V -V ) 2
On obtient alors Veff = (V1 +k + ) = V12 +V1 (V2 -V1 )+ 2 1
2 12 3

(V2 -V1 ) 2
Soit finalement Veff = V1V2 + Veff=18,33V
3

3
EXERCICE 4

Soit le montage suivant qui utilise une diode idéale alimentée


par le secteur e(t)=240V2sin100πt
Trouvez le courant qui traverse la diode.

Solution

Z = R2 + L22 = 1, 40 E = 240 2 = 339, 4V


E E −t L
i(t) = sin(t − ) + sin e  avec  = = 3,18ms
Z Z R
L  L
 = Atg = Atg(1) = rd  = = 3,18ms  = 1rd
R 4 R

i(t) = 230 sin(t − ) + 169, 7e−314t (A)
4
On aura i(t)=0 pour ωt=β, β étant l’angle correspondant à i(t)=0

 
0 = 230 sin( − ) + 169, 7e− ou 0 = sin( − ) + 0, 707e−
4 4
Une équation transcendante qui donne comme solution β=3,94 radians.
La tension moyenne aux bornes de la charge est
1  E 339, 4
Vmoy = 
2 0
Esin td(t) = (1 − cos ) =
2 2
(1 − cos 3, 94) = 91, 7V

Puisque la tension moyenne aux bornes de l’inductance est nulle, le courant moyen sera

Vmoy 91, 7
Imoy = = = 91, 7 A
R 1

4
EXERCICE 5

On considère le montage redresseur suivant, les diodes et le transformateur étant supposés


idéaux. On prend Vsec(t)=Vmsinωt avec ω= 100π rd/s (f=50Hz), Vm=100V.
On prend aussi R=10Ω et C=500µF1

1°) Trouvez comment évoluent vs(t) et les courants dans la résistance et dans la capacité au
moment où on ferme l’interrupteur K (la capacité est déchargée au départ).
2°) Dessinez le graphe de vsec(t) et de vs(t) en régime permanent.
3°) Quelle est l’ondulation de la tension de sortie vs (en régime permanent)?
3°) Quelle valeur donner à la capacité C pour que la tension ondulée ait une amplitude maximale
limitée à 10 V ?

1
Notez que la valeur de C n’est pas du tout adaptée. Elle conduit à une ondulation >60V

5
Solution

1°) Evolution de vs(t) et des courants à t=0+

vs (t) dv (t) v (t) dv (t)


On a i R (t)= et i C (t)=C s donc i(t)=i R (t)+i C (t)= s +C s
R dt R dt
π Vm
Comme vs(t)=Vmsinωt, on a i(t)=Vm Cωsin(ωt+ )+ sinωt 2 (Voir note en bas de page)
2 R

1
Ce qu’on peut écrire i(t)=Imsin(ωt+φ) avec I m =Vm 2
+C2 ω2 et φ=Atg(RCω)
R

Im=18,6A et φ=57,52°
Donc i(t)=18,6sin(314,16t+57,52°)

Le moment où les diodes vont se bloquer correspondra à i(t)=0 soit sin(314,16t+57,52°)=0.


On tire (après transformation des degrés en radians : 57,52°≈1 rd)
t0=1/100π=3,18ms
V
On pourra en déduire i R (t 0 )= m sinωt 0 =10sin(100.π.3,18.10 )=8,41A et
-3

R
π π
ic (t 0 )=Vm Cωsin(ωt 0 + )=15,7sin(100. .3,18.10-3 + )=8,49A
2 2
(normalement, iR(t0)=iC(t0) mais les approximations sur t0 et sur π entrainent ces petits écarts)

En régime transitoire, lorsque les diodes se bloquent, C se décharge dans R selon


t
- t
vc (t)  vs (t)=Vm e RC  Vm (1- ) car pour x petit, e-x ≈1-x
RC

L’instant t1 qui correspond au moment où les diodes redeviennent passantes correspond à l’égalité
t1
Vmsinωt1 =Vm (1- ) soit sin(314,15t1)=1-200t1
RC

On trouve t1≈2ms et vs(t1)≈58,8V

2
Dans la simulation page suivante, vous ne trouverez pas exactement les mêmes valeurs car Orcad tiendra
compte des chutes de tension dans les diodes du pont et ne fera pas d’approximations de calculs.

6
2°) Graphe de vsec(t) et de vs(t)

t
-
A partir de 30ms par exemple, le condensateur se décharge selon vc (t)=Vme RC
t
-
A quel moment aura-t-on vc=vsec ? rep : t=1,18ms et VS=34,6V car e RC
= sin(100 t )
3°) Ondulation de la tension de sortie vs en régime permanent
Figure ci-dessus. On voit que l’ondulation vaut ≈(100-34,6)=65,4V.

4°) Valeur de la capacité C pour obtenir 10V d’ondulation


En fait, il est difficile d'évaluer exactement le temps ∆t pendant lequel le pont redresseur
conduit et charge la capacité.
C’est l’expérience qui a permis de l’estimer au
dixième de la période : ∆t=0,1T
On a donc Δt=2ms
On en déduit que le temps pendant laquelle elle
se décharge vaut 8ms
Ce sont évidemment des approximations.
t 0,008
- - 0,008 0,008
Avec vc (t)=Vme RC
, on veut que 90=100e 10C
donc 0,045= et C = = 0, 0177 F
10C 0,45

C=17700 µF
IT I 10
Avec notre formule approchée du cours, on trouve C= = 20 mF
ΔV f.ΔV 50.10

, ce qui est un peu la même chose puisque c’est une valeur standard (2x10000µF)

7
Autre calcul:
D’une façon générale, le schéma d’une als linéaire est le suivant :

• Pendant la charge du condensateur (de t1 à t2), en estimant que Vc=Vsec2sinωt, on a

dvc
ic =C =CωVsec 2cosωt
dt
• Avec, on voit que l’instant t2 où le courant s’annule est donné par :
-is
CωVsec 2cosωt 2 +is 0 soit t 2 =Arccos( )
CωVsec 2
• De l’instant t2 à t1+π, les diodes sont bloquées et c’est le condensateur qui est chargé
de fournir le courant à la charge. Pour simplifier, admettons donc que son courant de
décharge est constant et égal à iS :
dvc -1 -is
ic =C =-is (puisqu'il se décharge) donc vc = is dt t+Cste
dt C C
Avec Cste=vc(t2)= Vsec2sinωt2
Finalement,
vc(t1)= Vsec2sinωt1
-is
ou vc (t1 )= (π+t1 )-t 2 +Vsec 2sint 2
C

-is
On tire alors sinωt1 -sinωt 2 + (π+t1)-t 2 =0
CVsec 2

Equation à résoudre en choisissant d’une façon générale vc(t1)=VE(min)+10%, les 10%


correspondant aux fluctuations du secteur (c’est la norme).

8
Nous avons ainsi tous les éléments pour calculer le condensateur :
On choisit l’ondulation désirée V=(Vsec2-2VF)-( VE(min)+10%) et on calcule t1 (VF est la chute de
tension aux bornes d’une diode : de 0,7 à 2-3V selon le courant, voir datasheet)

1 ΔV
On a donc V=Vsec2(1-sinωt1) soit t1 = Arcsin(1- )
ω Vsec 2

-is
Avec t 2 =Arccos( ) déjà calculé, on trouve C avec l’équation encadrée
CωVsec 2
précédente.

• Note1 : Certains assimilent à des droites les variations de tension du condensateur ce


qui donne, avec Vmax=Vsec2-nVF

n =1 pour redressement simple alternance ou à


point milieu
n=2 pour redressement en pont
dvc IT I
ic =C C= =
dt ΔV f.ΔV
V est l’ondulation

• Note2 : On a dit en ce qui nous concerne de prendre 1000µF/A pour ce fameux


condensateur.
Vous savez sans doute que les condensateurs sont d’un type électrolytique et que leur
tolérance dépasse les 50% !

Quel est le courant secondaire Isec ?


t2
1
Isec =id =ic +is =CωVsec 2cosωt+is et I = 2
sec (is CωVsec 2cosωt) 2dt
T t1

Nous supposons que iS (courant de sortie) est constant et que la chute de tension dans le pont est
négligeable.

Avec T=π et (is +CωVsec 2cosωt)2 =is2 +2isCωVsec 2cosωt+C2ω2Vsec


2
cos 2 2ωt+C2ω2 Vsec
2

On aura (pas facilement) :


t2
1
2
I =
sec (is2 +2is CωVsec 2cosωt+C2 ω2 Vsec
2
cos 2 2ωt+C2 ω2 Vsec
2
)dt
π t1

Soit enfin
1 2 2 sin2t 2 -sin2t1
Isec = (is (t 2 -t1 )+2is CωVsec (sint 2 -sint1 )+C2 ω2 Vsec +C2 ω2 Vsec
2
(t 2 -t1 )
π 2

Il faut remarquer que le courant secondaire est proportionnel à la valeur du condensateur.


On pense qu’un bon compromis (sans doute l’expérience des techniciens) serait que le
condensateur obéisse à
CωVsec 2
=10
is
(ω=200π et is fixés, on trouve la bonne valeur de Vsec ou de C, c’est selon…).

9
Il reste à calculer le courant dans la diode :
Le courant moyen vaut :
t2
1 (t 2 -t1 ) 1
<id>= (is +CωVsec 2cosωt)dt= is + CωVsec 2(sinωt 2 -sinωt1 )
T t1
T T

On choisira évidemment une diode pour laquelle le constructeur donne

IF> <id> (idmoyen ) et VRRM>Vsec(max)2


IFRM> iS+ic(t1) puisque id est maximum à l’instant t1
IFRM >is +CωVsec 2cosωt1

Le cas le plus défavorable se produit à la mise sous tension puisque le condensateur étant déchargé
et se comportant comme un court-circuit, le courant (IFSM) ne sera limité que par les résistances
secondaires et les éventuels défauts du condensateur :is =t1=0 et I FSM =CωVsec 2

Exemple pour une diode de la série 1N400x (x détermine la tension inverse max : VRRM=50V pour
x=1, 100V pour x=2,….1000V pour la 1N4007)
Si on prend cet exemple et dans le cas de notre exercice, les diodes du pont devraient avoir IFSM=22,2A et les
1N400x ne conviennent pas (de toutes façons, elles ne conviennent pas d’avance en raison de leur IFAV trop petit)

10
EXERCICE 6

On reprend le montage redresseur précédent réalisé avec les mêmes éléments supposés
idéaux. On prend Vsec(t)=Vmsinωt avec ω= 100π rd/s (f=50Hz), Vm=100V.
On garde aussi R=10Ω et C=500µF

1°) Quelles doivent être les caractéristiques des diodes à utiliser, c’est-à-dire leur
tensions/courants VRRM et IFAV ?

2°) Tracez le signal de sortie vs(t) en supposant que la diode D2 est coupée.

3°) Même question en supposant que cette même diode est court-circuitée.

11
Réponse
1°) Caractéristiques des diodes :

• En tension, la diode devra supporter au minimum Vsec (max) = 100V donc on choisira
des diodes qui supportent cette valeur avec un petit intervalle de sécurité (soit 150V
par exemple). D’autant que le secteur a des variations autour de la valeur nominale qui
atteignent 10% (la tension secondaire vaudrait alors 110V au lieu de 100V)
• En courant, le coutant continu vaut 10A . Avec un intervalle de sécurité, on choisira des
diodes qui supportent 1,5 fois ce courant, donc IFAV=15A.

2°) Quand D2 est coupée, l’alternance positive de la tension vsec ne passe pas. On se retrouve dans le
cas d’un redressement mon alternance.

3°) Même chose lorsque D2 est court-circuitée, l’alternance positive s’écoule (grâce à la diode D3) mais
l’alternance négative est bloquée et on se retrouve aussi dans le cas d’un redressement mon
alternance.

12
EXERCICE 7

Soit le redresseur triphasé (PD3) de la figure suivante dans lequel on suppose que les
tensions sont équilibrées. On note les tensions secondaires v1(t)=V1 2sinωt ,
2π et 2π
v 2 (t)=V2 2sin(ωt- ) v3 (t)=V3 2sin(ωt+ )
3 3

1. Dessinez sur un graphe l’évolution de ces tensions


2. On veut que la valeur moyenne de la tension de sortie vs(t) soit égale à 100V.
a) Quelle valeur devra avoir la tension efficace de la tension v1(t) ?
b) Quelle est la valeur efficace du courant i1(t) dans le secondaire du transformateur ?

13
Réponse
1°) Valeur moyenne de la tension redressée

La tension redressée a une période de π/3.


Pour simplifier le calcul, on effectue un changement de variable (ϴ=t-π/6) pour intégrer entre
 π π  pour avoir une symétrie
 - 6 et 6 
La tension redressée est vs =U 2cos θ avec U, tension composée (=v12=v13=v23).

U=V 3 si on appelle V la tension efficace des tensions simples ( v1, v2, v3).
π π
Sa valeur moyenne est donc vs = 3 6π udθ= 6 2 V1 sinθ  6 = 3 3 V1 = 0,827V1
 π -
6 π0

On trouve alors V1 =0,827.<vs (t)>=82,7 V


La valeur efficace U des tensions composées vaut donc U=V 3  143, 24V
2°) Valeur efficace de i1(t)
Le courant moyen dans une diode vaut I0 lorsque la diode est passante durant 1/3 de la période et
il est nul quand cette diode est bloquée .
La valeur moyenne du courant dans une diode est donc I0 /3 =3,33A
Sa valeur efficace est I = I2
Defficace Dmoyen
1 I
2
I Dmoyen vaut I02 pendant de la période donc IDefficace = 0 = 5, 77A
3 3

Quant au courant dans les secondaires, les calculs exacts sont assez complexes comme on peut
l’imaginer lorsqu’on voit la figure suivante obtenue avec Orcad :

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On peut admettre par approximation que le courant i1(t) est égal à IS lorsque la diode
D1 est passante et égal à -IS lorsque c’est D4 qui est passante.

La technique de calcul de la valeur efficace qui a été utilisée dans le document que j’avais est la
suivante : On élève le signal au carré ce qui va donner deux rectangles de cotés T/3 et I2S
On obtient alors
1 2T 2
Ieff = IS = I S
T 3 3
Ainsi, avec IS=10A, Ieff=8,16A
2 2 2 2
Notez qu’on peut aussi dire que i1 est égal à I S pendant de la période ce qui donne Ieff = IS
3 3

15
EXERCICE 8
Comparez les tensions continues de sortie pour les deux redresseurs suivants si la tension triphasée
qu’on leur applique (en sortie du transfo) est de 500V

Réponse

• Pour le redresseur tri diodes, la tension DC est donnée par

3 3 2.500
VS = v avec vi = 408V
2π i 3

3 3
Alors, VS = .408=337,4V

• Pour le redresseur six diodes, la tension DC est donnée par

3 3
VS = vi = 2.500=675,23V
π π

C’est exactement le double de la valeur précédente.

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EXERCICE 9

On utilise une diode du type RURG5060


(600V/50A) du fabricant Fairchild dont la
caractéristique directe est indiquée ci-
dessous. Après avoir approximée cette
caractéristique par une droite pour 25°C,

a) Trouvez la tension à ses bornes lorsqu’elle est traversée par un courant de 40 A d’un rapport
cyclique de 2/3
b) Trouvez le courant efficace qui la traverse
c) Trouver ses pertes moyennes

Solution

17
EXERCICE 9

Une diode du type 1N3880 est utilisée dans un convertisseur flyback. Le courant qui la traverse est
triangulaire de valeur crête 20A et de rapport cyclique 0,5.
Le constructeur donne: E0=1,1V rd=25mΩ

Calculer la puissance dissipée dans la diode.

Réponse

La diode est modélisée par vF=E0+rdIF soit vF=1,1+0,025IF


1 1 1 1
La puissance dissipée sera PD =
T  VF I Fdt =  (E 0 +rd I F )I Fdt = E0  I Fdt + rd  I F2 dt
T T T
2
PD =E0 Imoy +rd Ieff
Calculons donc les courant moyen et efficace :
30µs 30µs
2.106 1 1 2.106
On a i F (t)= t donc Imoy =  i F (t).dt=  t.dt=6A
3 T 0 T 0 3

2
 2.106 
30µs 30µs
1 1
 
2
Ieff = i (t).dt=  3 t. dt =2,45A
T 0
F 50µs 0  

2
La puissance dissipée vaut alors PD =E0Imoy +rd Ieff = 1,1.6 + 0, 025.(2,45) 2 =6,75W

18
EXERCICE 10

Ne disposant que deux diodes de 2000V pas tout à fait identiques pour redresser une tension de
3000V (e(t)=3000sinωt), on place ces diodes en série pour qu’elles puissent tenir en tension.
La caractéristique inverse de ces diodes est fournie.

1°) Quelle est la tension supportée par chacune des diodes ?


2°) Quelle valeur de résistance parallèle R devra-t-on placer pour que la tension aux bornes d’une
diode ne dépasse jamais 1600V ?

Réponse
On cherche les équations de ces caractéristiques en les linéarisant. Comme elles passent par zéro, on
écrit IR=aVR

• Pour la diode D1, -1=a.1570 soit a=-0,64.10-3 : son équation est IR= -0,64.10-3 VR (en mA)
• Pour la diode D2, -1,2=b.1000 soit b=-1,2.10-3: son équation est IR= -1,2.10-3 VR (en mA)
Comme les diodes sont traversées par le même courant, on devra avoir
-0,64.10-3 V1=-1,2.10-3 V2 avec V1+V2=3000
On tire de ces deux équations V2=1043V et V1=3000-1043=1957V

19
2°) Valeur de R
Supposons alors que chaque diode aura 1500V à ses bornes. On écrit
• Pour la diode D1, pour VR=1500V, on devra avoir IR= -0,96mA
• Pour la diode D2, pour VR=1500V, on devra avoir IR= -1,8mA

20
EXERCICE 11

Une diode modélisée par la figure ci-dessous possède un courant inverse de 2mA@150°C

La chute de tension en conduction est


de 1,5V.

Quelle est la puissance dissipée par


cette diode ?

Réponse
DF et DR sont les diodes idéales.

On détermine la résistance rR par e=( RL +rR)IR donc RL +rR=250kΩ. On peut garder rR=250 kΩ car RL
négligeable devant rR

La puissance dissipée au blocage sera alors P1=rRI2R=(250.103).(2.10-3)2=1W

En conduction, avec rD<<R, le courant dans la diode est pratiquement égal à e/RL=100A

La puissance dissipée sera donc VF.IF=150W

21
EXERCICE 12

Deux diodes possédant des caractéristiques approximées l’une (D1) par vD=0,80+2,510-4iD et
l’autre (D2) par vD=0,77+2,710-4iD sont placées en parallèle (schéma a).

a) Le courant dans le circuit valant 1200A, quel est le courant


traversant chacune des diodes ?
b) Quelle est la puissance dissipée par chacune d’entre elles ?
c) Quelle serait la valeur d’une résistance Rx à placer en série
avec l’une de ces diodes (laquelle ?) pour tenter d’équilibrer leur
courant (schéma b)?

Solution
a) Courant des diodes
On a : 0,80+2,510-4iD1=0,77+2,710-4iD2 avec iD1+ iD2=1200
calculs:
(0,80-0,77)104=2,7iD2 - 2,5iD1
300=2,7(1200-iD1) - 2,5iD1 ----→ 300=3240-2,7iD1 - 2,5iD1----------→ 5,2 iD1=2940
----→ iD1=565,38A
iD2=1200-565,38 → iD2=634,62A

b) Puissance dissipée:
PD1=(0,80+2,510-4.565.38).565,38=532,21W
PD2=(0,77+2,710-4634.62). 634.62=597,39W

c) Calcul de Rx
La diode D2 passe le plus de courant, c’est donc dans cette diode qu’il faudra placer la
résistance
Mettons une résistance R en série avec D2:

0,80+2,510-4iD1=0,77+2,710-4 iD2 +R iD2 et iD1= iD2=600A

0,8+0,15=0,77+0,162+600R -------0,95=0,932+600R-------- 0,018=600R---- R=0,03mΩ


(puissance 10,8W)

NOTE: Dans la réalité, on ne cherchera pas à égaliser exactement les courants mais on laisse
une marge de quelques % (5-10% par exemple) et on placera une résistance en série avec
chacune des diodes.

22
EXERCICE 13

Dans le montage suivant dans lequel les deux diodes sont identiques, leur équation étant linéarisée
par l’expression V =0,25+3,510-4I , trouvez la valeur de la tension V
D D

Solution

LA CATHODE DE D2 EST A DES POTENTIELS POSITIFS. ELLE EST DONC BLOQUEE !!!

On a V=VD1+5=E-RiD1
0,25+3,5.10-4iD1+5=10-10iD1
10 iD1=4,75 --→iD1=475mA
Alors V=10-4,75=5,25V

V=5,25V

Même chose si VD=0,5+2,510-4ID


0,5+2,5.10-4iD1+5=10-10iD1
10 iD1=4,5 --→iD1=450mA

V=5,5V

23
EXERCICE 14

La diode D du type BYT71-600 qui possède un temps de recouvrement inverse trr=300ns (diode du
type soft recovery avec S=0,6) est utilisée dans le schéma suivant dans lequel Le représente une self
parasite d’une valeur estimée à 20µH.
Le schéma à droite rappelle la signification des paramètres du recouvrement. t1 est le temps que met
la diode pour se bloquer lorsqu’on ferme l’interrupteur K.

En supposant que le régime est permanent avec un courant constant dans la charge valant 10A,
trouvez à chaque fermeture de K , en linéarisant les allures du recouvrement :
a) Le temps t1
b) Le courant de pic IRR
c) La charge stockée QRR
d) La tension de pic VRR

24
Solution

(A la fermeture de K, la diode passe d’un état de conduction à un état de blocage)

a) Temps t1
diD
En régime permanent, la variation de tension sera due à Le : v e =-L e
dt
die d(i -i )
puisque IL = iD +ie v e =L e =L e L D
dt dt
On a donc puisque iL est supposé constant
diD v Le Le
Avec =− e ou dt = diD on pourra écrire, t1 = IL t1 étant le temps que
dt Le ve ve

met le courant de la diode pour s’annuler. A-N : t1=0,5µs

b) Courant IRR

Avec une approximation linéaire pour le comportement du recouvrement, on pourra écrire


diD t di avec t on aura et trr
IRR = tr = rr D S = f = 0, 6 Q RR = IRR
dt 1 + S dt tr 2
diD diD 400
Lorsque la diode se bloque, donc v e =-L e =− = −20A /µs
dt dt 20.10−6

trr diD 0, 3.10−6


Alors IRR == = .20.106 = 3, 75A
1+S dt 1, 6

trr 0, 3.10−6
et
Q RR = IRR = 3, 75. = 0, 5625µC
2 2
d) A ce moment, le courant inverse est maximum et la diode se bloque et sa tension vaudra

diD I 3, 75
VRR = Ve + Le  Ve + L e RR = 400 + 20.10−6. = 1066, 7V
dt tf 0,112510−6

(Une tension élevée qui dépend de Le)

25
EXERCICE 15

Soit le hacheur de la figure suivante qui utilise une diode D qui possède un temps de recouvrement
inverse trr=1µs (diode du type soft recovery avec S=0,6). Le représente une self parasite d’une valeur
estimée à 30µH.
1°) En supposant que le régime est permanent
avec un courant constant dans la charge valant
100A, trouvez à chaque fermeture de K :
a) La charge stockée QRR
b) Le courant de pic IRR
c) La tension de pic VRR
2°) Quelle est la valeur d’une capacité snubber
CS utilisée pour limiter la tension de pic VRR ?

26
Réponse

(A la fermeture de K, la diode passe d’un état de conduction à un état de blocage)

diD
En régime permanent, la variation de tension sera due à Le : v e =-L e
dt
die d(i -i ) puisque IL = iD +ie
v e =L e =L e L D
dt dt
diD v
On a donc puisque iL est supposé constant =− e
dt Le
Le
Avec dt = diD ou on pourra écrire, t1 =
Le
IL
ve ve
t1 étant le temps que met le courant de la diode pour s’annuler.
Avec une approximation linéaire pour le comportement du recouvrement, on pourra écrire
trr t diD t diD
Q RR = IRR et avec S = f = 0, 6 on aura IRR = tr = r
2 tr dt 1 + S dt

diD diD 600


Lorsque la diode se bloque, v e =-L e donc =− = −20A /µs
dt dt 30.10−6

t di 1.10−6 trr 1.10−6


Alors IRR == rr D = .20.106 = 12, 5A et Q RR = IRR = 12, 5. = 6, 25µC
1+S dt 1, 6 2 2
A ce moment, le courant inverse est maximum et la diode se bloque et sa tension vaudra

diD I 12, 5
VRR = Ve + Le  Ve + L e RR = 600 + 30.10−6. = 1600V
dt tf 0, 375.10−6

(Une tension élevée qui dépend de Le)

2°) Snubber :

Il faut raisonner en termes d’énergie : la capacité devra absorber l’excès d’énergie stockée dans
l’inductance Le.
1 1
W= CV2 = LI2
2 2

27
VRR2 (IL + IRR )2 − IL2 
On observe donc une surintensité IL+IRR durant tf : on écrit donc Cs =L e
2 2

die
La self est calculée d’après ve =L e − vD durant le toff de la diode
dt

ve 600
Puisque ie+iD=iL avec vD≈0, L e =- = = 12µH
diD 50.10−6
dt
IL2 PS 16.103
Le courant dans la charge vaut, avec Ps =- = 16kVA donc IL = = = 400A
R R 0,1

diD t diD
Le graphe du recouvrement diode étant considéré comme triangulaire, on a IRR = tr = r
dt 1 + S dt

tf 1.10−6
avec S= = 0, 6 donc IRR = 50.106 = 31, 25A
tr 1, 6
L’équation de l’énergie donne alors :

2 (IL + IRR )2 − IL2  2 (400 + 31, 25)2 − 4002 


-6 
Cs =( 2 )L e =( )12.10 = 0, 86µF
VRR 2 6002 2

die LI 1+ S
Sans capacité, la tension inverse de recouvrement serait VRR =Ve -Le  Ve + e RR = Ve + LeIRR
dt tf Strr
1,6
VRR =600+12.10-6 *31,25* = 1600V
0,6.10-6

28
EXERCICE 16

Soit un transistor qui commute une source de 100V sur une charge résistive de 2,5Ω (figure
suivante).
1°) Trouvez le courant moyen et le courant efficace qui passe à travers l’interrupteur K.
(Interrupteur qui pourrait être un BJT, un MOS, un IGBT ou un thyristor par exemple).

2°) Même question si la charge est une self de 10mH avec une résistance parasite de 1Ω. Entre quelles
valeurs varie le courant dans la self ?

Solution
1°) Charge résistive :
Appelons τ la durée de l’état haut (0,8ms)
1 0,8
a) Tension moyenne Vmoy = e(t)dt=E =100 =80V
T 0 T 1
(Sur le graphe, on pourra dire que la tension moyenne correspond à l’aire de la courbe :
τ 0,8
Vmoy =E =100 =80V )
T 1
Vmoy 80
Le courant moyen dans la charge est donc I Rmoy = = =32A
R 2,5
b) Tension efficace
1
V =Vrms e2 (t)dt E 100 0,8 89, 4V
eff T 0 T
V 89,4
Le courant efficace vaudra Ieff = eff = =35,76A
R 2,5
La puissance dans la résistance sera P=RI2eff ≈3197W

29
2°) Charge selfique

1 0,8
La tension moyenne reste inchangée : Vmoy = e(t)dt=E =100 =80V
T 0 T 1
Vmoy 80
Le courant moyen vaudra I Lmoy = = =80A
r 1
- Durant l’instant τ pendant lequel K est fermé (état ON), on aura
- t r - t r
E
i(t)= (1-e L )+Imin e L
r
Avec r/L=100, constante de temps
Le courant est maximum dans la self à l’instant τ : i(t)=IMAX=100(1-e-0,08)+Imin e-0,08=76,88+
-r t
0,92Imin Durant l’instant pendant lequel K est fermé (état OFF), on aura i(t)=IMAX eL
-rT
Imin
=I MAX eL 0,9I
MAX

Ces deux équations vont donner IMAX=76,88+ 0,92(0,9IMAX) et IMAX=446,97A, Imin=402,27A


ΔIL=44,7A

30
DETAILS DU CALCUL

- K fermé :
E (p)=ri (p)+Lpi (p)+i(0)
di(t)
On a e(t) ri(t) L
donc
dt
Réponse à un échelon :
r
I (p)= E (p) E 1 E 1 1 E t
( ) donne i(t)= (1 e L )
r Lp p r Lp r p r r
p
L

E 1 e p
Transformée du signal d’entrée E (p) ( )
r 1 e Tp
- t r
di(t)
e(t) ri(t) L donne i(t)=Ae L
dt
En régime permanent (non transitoire), i(t) démarre à la valeur Imin et s’arrête à IMAX
di(t) -r t
Entre 0 et τ : E ri(t) L donne i(t)=Ae L E
dt

t=0 : i(0)=Imin=A+E
-r
t=τ : i( )=I MAX =(I min -E)e L E

- t r
di(t)
Entre τ et T : 0 ri(t) L donne i(t)=Ae L
dt
-r t
A t=T (ou t=0), i(T)=A=Imin donc i(t)=I min e L

31
EXERCICE 17

Le montage suivant utilise un transistor du type BD177 dont les caractéristiques (utiles pour cette
question) sont indiquées ci-après.

Le signal e(t) est un créneau d’amplitude 5V, de fréquence 100Hz


et de rapport cyclique 0,4.

1°) On veut que le transistor soit saturé avec un coefficient de


sursaturation supérieur ou égal à 2.
Calculer le courant de base nécessaire ainsi que la valeur maximum
de RB.
2°) Quelle est la puissance dissipée par ce transistor ?

Solution

1°) Valeur de RB

Quand le transistor est saturé, on prendra VCEsat=0,8V :


VCC − VCEsat 24 − 0, 8
le courant collecteur qui va circuler est certainement IC = = = 2, 32A
RC 10
plus grand que 1A (la valeur de test) mais le VCEsat sera certainement plus petit.
Le courant base IB sera déterminé avec hFE2 (pour que les calculs soient valables que les
caractéristiques du transistor soient avec les valeurs minimales ou maximales)
IC 2, 32
IB = = = 0,155A
hFE2 15

Avec un coefficient de sursaturation égal à 2, on devra prendre IB=310mA

Ve − VBEsat 5 − 1, 3
On en déduit alors
RB = =  12
IB 0, 31
2°) Puissance dissipée par le transistor

(il s’agit d’une puissance de conduction). On la calcule par VBE.IB+VCE.IC

PD = (VBE .IB +VCE .IC )=0,4.(1,3x 0,31+0,8x2,32)  0,90W

32
EXERCICE 18

1°) Soit un transistor qui commute une source de 100V sur une charge résistive de 2,5Ω (figure
suivante).
Trouvez le courant moyen et le courant efficace qui passe à travers
l’interrupteur K.
(Interrupteur qui pourrait être un BJT, un MOS, un IGBT ou un thyristor par
exemple).
2°) Même question si la charge est une self de 10mH avec une résistance
parasite de 1Ω. Entre quelles valeurs varie le courant dans la self ?

Solution
1°) Charge résistive :
Appelons τ la durée de l’état haut (0,8ms)
1 0,8
c) Tension moyenne Vmoy = e(t)dt=E =100 =80V
T 0 T 1
(Sur le graphe, on pourra dire que la tension moyenne correspond à l’aire de la courbe :
τ 0,8
Vmoy =E =100 =80V )
T 1
Vmoy 80
Le courant moyen dans la charge est donc I Rmoy = = =32A
R 2,5
d) Tension efficace
1
V =Vrms e2 (t)dt E 100 0,8 89, 4V
eff T 0 T
V 89,4
Le courant efficace vaudra Ieff = eff = =35,76A
R 2,5
La puissance dans la résistance sera P=RI2eff ≈3197W

2°) Charge selfique

1 0,8
La tension moyenne reste inchangée : Vmoy = e(t)dt=E =100 =80V
T 0 T 1
Vmoy 80
Le courant moyen vaudra ILmoy = = =80A
r 1
- Durant l’instant τ pendant lequel K est fermé (état ON), on aura
- t r - t r
E
i(t)= (1-e L )+Imin e L
r
Avec r/L=100, constante de temps
Le courant est maximum dans la self à l’instant τ :
i(t)=IMAX=100(1-e-0,08)+Imin e-0,08=7,69+ 0,92Imin

33
-r t
Durant l’instant pendant lequel K est fermé (état OFF), on aura i(t)=IMAX eL
-rT
I
min
=IMAX eL 0,9IMAX

Ces deux équations vont donner IMAX=7,69+ 0,92(0,9IMAX) et IMAX=44,71A, Imin=40,24A

ΔIL=4,47A

34
EXERCICE 19

Soit le montage suivant qui utilise le transistor 2N3055 caractérisé par βsat=10, td=4µs
tr= 15µs ts= 6µs tf= 10µs.
Ce transistor est excité par un signal carré d’amplitude +5V et de fréquence 10 kHz (rapport
cyclique=0,5).

1°) Utilisez la caractéristique fournie (« ON VOLTAGE ») pour trouver la valeur de RB qui sature le
transistor.
2°) On place une résistance R’B de façon à ce que le courant qui la traverse valle IB/4. Trouvez cette
fois les valeurs de RB et de R’B qui saturent Q
3°) Quelles seront les pertes totales de ce transistor ?

35
Solution

1°) Il est clair que IC ne dépassera jamais 4,8A et que VCEsat est compris entre 0,6 et moins que 0,75V
et VBEsat entre 1,5 et 1,7V. (Plutôt 1,6V puisque IC<5A)

Avec VCEsat=0,7V, IC=4,7A et IB=4,7/10=0,47A (Pour VCEsat=0,6V, IC=4,74A et IB≈4,7/10=0,47A)

e-VBEsat 10-1,6
On aurait donc VBEsat  1,6V, d'où R= = = 17,9 18
IB 0,47

2°) Valeur de RB
V 1,6
VCEsat ,VBEsat et IBsat ne changeant pas, on devra avoir R B = BEsat = = 13,6 14
'

IB / 4 0,47/4
e-VBEsat 1,6
Et R B = = = 4,53
3IB / 4 3x0,47/4
3°) Pertes

Pcond=VCEsatxICsat=0,7*4,7=3,29W
1 VI 1 48x4,7
Pcommut= Pcommutation = (t ON +t OFF )= (19.10-6 +16.10-6 )=78,96  79W
2 T 2 T
Pertes totales : 82,29W
(les pertes sont trop élevées, mauvaise commutation)

36
EXERCICE 20

On utilise le transistor BU508 pour commuter sur charge inductive en conduction continue, un
courant de 4 A sous 400 V à la fréquence de 20 kHz.
Données constructeur :
VCE0=1500V
ICMAX=5A
PMAX=125W
Tjmax=150°C
Rthj-c=1°C/W
ts=7µs
tf=1µs

1°) Le signal d’entrée à 20kHz de rapport cyclique égal à 0,8 ayant une amplitude de 10 V, trouvez la
valeur de la résistance R convenable.
2°) Quelle est la puissance perdue par conduction ?
3°) Quel est le temps de montée du courant ? Trouvez la puissance perdue par commutation à la
fermeture.
4°) Quelles sont les pertes à l’ouverture ?
5°) Quelle est la température atteinte par la jonction si ce transistor est monté sur un système
refroidisseur de résistance thermique jonction-ambiance Rth j-a = 3,5 °C/W ?
6°) Quelle solution faudra-t-il adopter si on veut garder ce montage?

37
Solution

1°) La courbe fournie nous propose un courant IB de 2A et conduit à avoir VBEsat=1V et VCEsat=0,28V
e-VBEsat 10-1
Dans ce cas, R= = = 4,5
IB 2
2°) Puissance perdue par conduction Pcond=VBEsatxIB+VCEsatxIC=1x2+0,28x4=3,12W
3°) Temps de montée du courant et puissance perdue par commutation à la fermeture.
di di 4
On a v L =L soit dt=L donc t ON =2.10-3 =20µs
dt vL 400
1 VI 1
PON = t ON = x400x4x20.10-6 x20.103 =320W
2 T 2

4°) Pertes à l’ouverture


1 VI 1
POFF = t OFF = x400x4x(7.10-6 +1.10-6 )x20.103 =128W
2 T 2

5°) Température atteinte par la jonction


Les pertes totales s’élèvent à P=Pcond+PON+POFF=3,12+32+128=163,12W
On aura Tj=Ta+Rthj-a.P=25+3,5*128=295,92°C ! (la jonction fondra)
6°) Circuit CALC pour ce transistor.
Ce sont les pertes par commutation qui sont élevées. Un calc est nécessaire pour les atténuer.

38
a) CALC à la fermeture
Le calc à la fermeture agira de façon à ce que la montée de
courant soit ralentie jusqu’à ce que la tension soit nulle.

La résistance r1 et la diode d1 sont placées pour décharger la


self à l’ouverture.
Du point de vue transitoire, à l’instant t0, Q conduit et le
potentiel du collecteur tombe à zéro ce qui fait que C’est au
potentiel V puisque la diode D conduit.
Donc vλ=VC’-VC=+V
A l’instant t1, D se bloque et tout le courant passe par la self
L (la charge) et le potentiel du point C’ passe à zéro car la self correctrice λ a une valeur très faible devant L. La
diode d1 impose le sens du courant.

(Notez qu’en général, λ est bien plus faible que L qui vaut plusieurs milli Henry habituellement).
di I t 2
vλ =VC' -VC =λ =λ C soit λ=v λ r =400 =200µH
dt tr IC 4
Cette self aura emmagasiné une énergie 1/2 λI2 qu’elle devra dissiper rapidement dans r1 pour que le calc soit
réinitialisé. Ainsi la constante de temps λ/r1 devra être faible devant la fréquence de découpage.
Si on appelle τ la durée de l’état haut du signal de commande e(t), on peut choisir
λ λ 200µs
τ=3 donc r1 =3 =3 =15Ω
r1 τ 40µs
Comme r1 est parcourue par un courant qui peut être important, il faudra estimer sa puissance :
1 1
r1 devra dissiper l’énergie emmagasinée par λ : Pr = λI 2 . f = 200µH.42 .20kHz=32W
(Ce devra être une résistance bobinée) 2 2

b) CALC à l’ouverture
C’est le condensateur placé en parallèle sur l’interrupteur qui va limiter la croissance de la tension et fera en
sorte que cette tension n’apparaisse que lorsque le courant s’annule (le cas idéal bien sûr). Le condensateur se
charge à travers la diode d2 et la résistance r2 limite la décharge du condensateur dans l’interrupteur à la fermeture
suivante.
IC t f
Les spécialistes calculent la valeur de γ selon en γ=k prenant k=4/9 qui selon eux, est le meilleur
2V
compromis. Dans ce cas, on trouvera 4 4.1µs
γ= =2,2nF
9 2.400
L’interrupteur devant rester fermé durant la décharge de γ , on doit avoir comme constante de temps 3γr2=τ
d’où
τ 40µs
r2 = = =6kΩ
3γ 3.2,2nF
(L’énergie 1/2CV2=176µJ) du condensateur dissipée dans r2 est faible donc la puissance dans r2 sera de petite
puissance ( égale à 176µ.20kHz=156mW).

Notez qu’un CALC n’améliore pas le rendement : c’est la même puissance qui sera dissipée dans les
résistances r1 et r2 au lieu que ce soit dans le transistor.

39
EXERCICE 21
On utilise le transistor BUV48A pour commuter un courant de 20A sous une tension de 300V dans une
charge selfique (figure a).

Le signal de commande est une tension PWM d’amplitude égale à +5V de fréquence 50kHz avec
un rapport cyclique de 0,4.
1°) Proposez un schéma utilisable pour ce montage.
2°) Quelles seront les pertes du transistor ?
3°) Pour réduire ces pertes, on utilise un calc selon la figure (b) ci après :

Ce calc servira à ralentir la montée


de la tension lors du blocage

Quelle valeur de capacité choisir


pour minimiser ces pertes ?

40
Solution
1°) Schémas utilisables

Dans tous les cas, la tension base devra être décalée, la pwm ne pouvant être directement
appliquée sur la base.

On utilisera par exemple soit une attaque par transformateur, soit un bootstrap mais beaucoup
d’autres configurations existent.

2°) Pertes du transistor

• Pertes par conduction : On les calcule avec Pcond=(VBE.IB+VCE.IC).δ


Estimation des valeurs de signaux selon le datasheet :
IB=20/8=2,5A, VBEsat=1,6V VCEsat=5V
Pcond=(1,6.2,5+20.5).0,4=41,6W

• Pertes par commutation (VI/2).f


La charge étant selfique (un moteur ou une bobine en général), ces pertes se produisent
essentiellement au blocage.
VI 300.20
Pcomm = (t on +t off ).f= (3,1310-6 ).50.103 =469,5W
2 2

Les pertes totales s’élèvent donc à 511,1W

41
3°) Détermination de C

Les évolutions de iC(t) et de vc(t) linéarisées


apparaissent dans le graphe ci-contre.
t
L’équation de ic(t) est i c (t)=I 0 -I 0
t1

(Nous prendrons ensuite t1=5,4µs, la valeur


estimée de toff à 125°C).

t0
Au temps t1, la capacité est complètement chargée. Sa charge est q= i c (t)dt=CV
2 0
1 t0 t t
On tire C= I0 dt=I 0 0

V 0 t1 2Vt1

Calculons les pertes : q 1 2V I0 t t2


La tension v s’écrit vc = = ic (t)dt= t1. dt=V 2
C C I0 t 02 t1 t0

t0 t1
t2 t t
Pertes par commutation : Pcom = v(t)i(t)dt= VI0 2 (1- )dt+ VI0 (1- )dt
0
t0 t1 t0
t1

t 2t 0 t 02
Pcom =VI0 ( 1 )
2 3 4t1

L’énergie stockée dans la capacité qui constitue, une partie des pertes, est 1 VI t 2
W= CV2= 0 0
2 4t 2
Les pertes totales sont donc t1 2t 0 t 02
Ptotales =VI0 ( )
2 3 2t1
Ptotales
On dérive par rapport à t0 pour voir comment minimiser ces pertes : 0
t0
Ptotales 2 t
0=- + 0
t0 3 t1
4 t12 2I
Les pertes seront minimales lorsque t0=(2/3)t1 : Alors C= I0 . = 0 t1 =80nF
9 2Vt1 9V

42
EXERCICE 22
Un transistor de résistance thermique Rthj-c=4,5°C/W placé sur un radiateur de résistance thermique
totale égale à 3°C/W .

a) Quelle puissance maximale pourra-t-il dissiper ? On prend Tjmax=225°C et Ta=40°C


b) La réponse thermique transitoire de ce transistor est représentée ci-dessous. Quand ce
transistor est excité par un signal carré de fréquence 1 kHz avec un rapport cyclique de 0,2.
Quelle sera la température atteinte par sa jonction s’il dissipait la même puissance ?

Solution
1°) Puissance maximale dissipable

Tj=Ta+PDxRth soit 225=40+Pmax x7,5 donc Pmax=24,66W

2°) Cas du signal carré

On a tON=0,2ms et on lit sur la figure r(t)=0,3 : La résistance j-c ne vaudra cette fois que
0,3x4,5=1,35°C/W
Ainsi, tout se passe comme si la résistance thermique totale ne vaut que
3+1,35=4,35°C/W et la température de la jonction vaudra Tj=40+(24,66x4,35)=147,3°C

43
EXERCICE 23

On relève sur le datasheet du transistor SPB13009 (High Voltage Fast-Switching NPN Power
Transistor 400V/12A/100W) du fabricant SemiWell:

a) Quelle sera la valeur de R du schéma (a) qui sature le transistor ?


b) Pour quelle raison arrive-t-il qu’on utilise le schéma (b) ?
c) R1=R2=R/2. Comment calculer le condensateur C sachant que le fabricant ne donne aucune
autre caractéristique de commutation en dehors de ts et tf?
Indication : Dans une jonction PN conductrice, son modèle dynamique est tel que le produit rc=durée
de vie des porteurs minoritaires (estimée à 1µs)

Solution

On récupère le tableau des paramètres :


IC (A) IB (A) VCEsat (V) VBEsat (V)

5 1 0,5 1,2

8 1,6 1 1,6

12 3 1,5

Le courant dans notre circuit n’atteindra jamais le maximum (qui se trouverait à VCE=0) ,
maximum qui vaut 24/2=12A.
• Le courant vaudrait donc au minimum (24-1,5)/2=11,25A puisque VCEsat ne sera
jamais supérieur à 1,5V.

44
• On voit que le gain en courant vaut 4 lorsqu’on dépasse 8A donc nous aurons
IB=11,25/4=2,8A
• Pour VBEsat, on fait une règle de 3 (en supposant une linéarité)
IB=1A ------------→ VBEsat=1V
IB=1,6A-----------→ VBEsat=1,6V

Donc pour IB=2,8A, on trouvera VBEsat=1,97V # 2V


On trouvera alors R=1Ω

3°) Calcul de la capacité C

Première solution proposée : (pas bonne)


On sait qu’une diode est modélisée par une résistance r en // avec une capacité c donc il
en est de même pour la jonction base-émetteur du transistor. La constante rc est égale à la
durée de vie des porteurs minoritaires qui est de l’ordre de 1µs (voir cours technologie des
semi-conducteurs)
Attention : c’est un ordre de grandeur car selon le type de diode, selon la concentration,
selon la nature des dopants,… ce chiffre varie.
Alors, accélérer la commutation consistera à égaliser les constantes de temps. Voir courbes
ci-après.

Deuxième solution :
Les temps de commutation du tableau sont nettement plus petits que dans notre cas car
les conditions de mesure qui ont été tenues ont conduit au blocage rapide du transistor (on
lui a appliqué un courant base négatif). Soyez sûr que le toff typique dans notre cas est
supérieur à 1,66µs mais comme nous n’avons pas le choix, on fera avec :
R2C = (ts+tf)=1,66µs d’où C=3,12µF

Meilleure solution : On voit


que la réponse la plus rapide
s’obtient pour R1C1=R2C2 mais
cette valeur ne crée pas le
dépassement négatif
nécessaire pour bloquer le
transistor. C’est pourquoi on
choisit R1C1>R2C2 et on garde
R1C1=5(R2C2)

Le dessin suivant montre l’effet


de la capacité d’accélération : en
rouge, sans capacité et en vert, la
réponse avec la capacité (choisie
pour avoir τ1= τ2)

45
s R 2 //C R2 R2 1
= = =
e R 1 +R 2 //C R 1 +R 2 +R 1R 2Cp R 1 +R 2 1+ R 1R 2 C p
R 1 +R 2 s
RR C
τ= 1 2
R 1 +R 2

6.0V

4.0V

2.0V

0V
0s 10us 20us 30us 40us 50us
V(C2:2)
Time

46
EXERCICE 24
Soit le montage suivant qui utilise des diodes de clamping (Baker Clamp) telles que VD1= VD4=0,9V
et VD2= VD3=1,1V. (Le transistor est évidemment utilisé en commutation et on supposera d’abord que
VCEsat=1V, VBEsat =1,6V et Tj=25°C. Hors saturation, VBE=0,7V)

1°) Sans aucune de ces diodes ne soit placée, trouvez la valeur de RB


2°) Expliquez en 4 lignes max le fonctionnement du dispositif de clamping (4 lignes max pour la
réponse. Zéro point si plus). Quel est le rôle de D4 (1 ligne)?
3°) Que devient la tension VCE avec le dispositif de clamping ? Conclusion.

47
EXERCICE 25
Soit le montage suivant réalisé avec le MOS du type IRF840 dont les caractéristiques sont fournies
par le constructeur.

1°) On veut faire commuter le MOS pour appliquer toute la tension VDD à la résistance de charge RD.
Quelle est la tension VGS qu’on devra tenter d’appliquer ?
Quelle valeur de résistance RG choisir et pourquoi ?

2°) On applique une tension e du type PWM de fréquence 100kHz, d’amplitude 12V et de rapport
cyclique de 0,5.
Quelles seront les pertes par conduction du transistor ?
Les valeurs typiques des temps de commutation fournies par le constructeur sont :

- A quoi correspond le paramètre tc ?


- Déterminez les pertes par commutation et les pertes totales.

48
Solution

1°) Tension VGS


En bleu, une estimation de la caractéristique
pour VGS=15V

12V (plus rarement 15V) est en général la


tension qu’on applique à VGS pour saturer un
MOS.
(Notez que récemment, on trouve des MOS
qu’on peut commuter à des tensions de 5V).

La pente de la caractéristique donne RDSON


On l’estime par Rdson=0,86Ω

c) Résistance RG à choisir
• En continu, RG n’est pratiquement
traversée par aucun courant donc sa valeur n’a aucune importance : 1 Ω ou 1 MΩ conduisent
au même résultat.
• En impulsions, on voit que la capacité d’entrée Ciss dont la valeur est en nF va retarder la
montée de la tension VGS (existence d’une constante de remps RG.Ciss). Il faut que cette
constante soit la plus petite possible, donc RG la plus petite possible, car pour limiter les pertes
par commutation, ces commutations devant être rapides, il est courant de rencontrer des
dVDS/dt de l’ordre de plusieurs kV/μs à la mise en conduction des MOS/IGBT
Il faut donc que la charge gate soit complète pour pouvoir commuter le mos, soit 45 à 50nC.
On envoie alors des courants qui peuvent dépasser 3-4A pour certains composants!
Conclusion : On peut choisir en standard RG=50Ω

2°) Pertes du transistor


• Par conduction : Pcond= rdsonI2δ
Le courant efficace dans le transistor vaut
pratiquement 4Vδ ≈ 2,83A donc Pcond≈6,9W
• Par commutation :

VS IS VI
Pcom =Pon +Poff = t cf+ S S t cf
6 6
200.4
Pcom =2( 20.10-9 .105 )  0,54W
6

Pertes totales : ≈ 7,5W

Le temps de cross-over ou temps de croisement correspond à la durée de l’existence


simultanée du courant et de la tension

49
EXERCICE 26

On utilise le MOS type IRFP360 du fabricant Intersil pour commuter un courant de 20A sous une
tension de 300V.

Les données utiles pour cet exercice sont les suivantes :

1°) Quelle devrait être la valeur minimale du courant gate pour commander ce transistor ?
2°) Ce MOS est utilisé pour commuter à la fréquence de 100Hz avec un rapport cyclique de 0,5 la
charge supposée selfique. Quelle sera la température qu’atteindra sa jonction s’il est placé sur un
radiateur de résistance thermique totale égale à 5°C/W ?(la température ambiante est de 40°C)

50
Réponse

1°) Courant de commande

Sachant que la tension VGS de commande pour


saturer un MOS est comprise entre 12 et
15V3,(15V est meilleur mais 12V est une valeur
« standard ») ; on voit que la charge gate est
estimée à l’ordre de 80nC.

Il faudra charger les condensateurs de ce gate :


Qg 80
Le courant nécessaire vaudra alors I G = = =0,46A
t don +t r 33+140

2°) Température atteinte par la jonction

On calcule les pertes du transistor

Pertes par conduction Pcond=rdson.ID.δ=0,20. 20.0,5=2W

1 VI 1
Pertes par commutation Pcom = (t ON +t OFF )= x300x20.(140.10-9 +219.10-9 ).100=0,1W
2 T 2
Pertes totales :2,1W

La température atteinte par la jonction sera Tj=Ta+P.Rth

Tj =Ta +P.R th =40+2,1.(5+0,5)= 51,55°C

Ces pertes sont si faibles qu’on peut se passer de radiateur car sans radiateur , la température atteinte
serait de 103°C, bien inférieure à la température max
Tj =Ta +P.R th =40+2,1.(30)= 103°C

3
La tension max est de ±20V. Notez que certains MOSFET récents peuvent commuter à des tensions de 5V

51
EXERCICE 27
Le MOS canal N du type IRFPS37N50A est utilisé dans un hacheur pour découper une tension de
300V. Il est excité par un signal PWM d’amplitude 15V, de fréquence 20kHz et de rapport cyclique
variable.
Les caractéristiques de ce MOS sont les suivantes :
rdson=0,13Ω, Rthjc=0,28 °C/W, tdon=23ns, tr=98ns , tdoff=52ns, tf=80ns
La diode utilisée est supposée idéale.

1°) La charge de ce hacheur est une résistance.


a) Dessinez le schéma de ce montage.
b) Quelle valeur minimale donner à la résistance pour que le transistor fonctionne dans
sa zone de sécurité ?
c) R=100Ω. Quel sera le courant qui traversera cette résistance si le rapport cyclique de
la PWM est fixé à 0,5 ?
2°) Comment varient vds(t) et id(t) ?
3°) Quelle sera la puissance dissipée par ce MOS ? Un radiateur de 5°C/W conviendra-t-il ?

52
Réponse

53
EXERCICE 28

Un IGBT du type BSM 30 GD 60 DLC (module du fabricant Eupec) dont la caractéristique statique est
fournie ci-après est utilisé dans le montage suivant :

1°) Quelle peut-être la tension de blocage (Vth=threshold) de cet IGBT?

2°) On l’excite avec une source de signal carré d’amplitude 12V, de fréquence 1kHz et de rapport
cyclique variable. Le constructeur fournit les courbes suivantes :

a) Quelle valeur affecter à la résistance RG ?


b) Au pire des cas (worse case), quelles seront les pertes de conduction de cet IGBT ?

c) Les valeurs typiques des pertes en commutation sont fournies par le constructeur

Quelles sont ces pertes si le rapport cyclique vaut 0,5 ?

54
Solution
1°) Tension de blocage

On pourra estimer cette


tension par une
interpolation qui montre
que Vth est de l’ordre de
6V.

D’ailleurs le constructeur
indique

2°) Valeur de RG

La courbe du constructeur indique la valeur


optimale qui minimise les pertes.

C’est donc cette valeur proche de 18R qui


convient

3°) Pertes de conduction maximales

Au pire des cas, le rapport cyclique vaudra 1 (0,999999). Tout se passe donc comme si on appliquait
une tension continue de 12V à l’entrée.

La tension de saturation étant négligeable


devant VCC (elle est de l’ordre de 2 à 3V), le
courant collecteur est proche de 26,7A ce qui
conduit alors, selon la caractéristique typique, à
une tension VCE de 2,25V

Les pertes sont alors égales à :

2,25x(400-2,25)/15=59,66W

4°) Pertes par commutation

Ces pertes valent Eonxf=0,3*1=0,3W

55
EXERCICE 29

Le thyristor 2N4441 de Motorola

56
EXERCICE 30

Soit un thyristor qui a un latching current de 50 mA chargé par une self de 50mH (r=5Ω ) et alimenté
par une tension continue de 100V (figure 13). Quelle devra être la durée PW d’une impulsion à
appliquer avec un angle de retard de π/4 pour allumer ce thyristor?

Second exercice :

Même question que précédemment, l’impulsion étant appliquée avec un angle α de 45° (figure 14)

57
Solution

r
Vmax  - t
sin(ωt+α- )+sin( -α)e L  avec Z = r +L ω  16,5 donc
2 2 2
On a i(t)=
Z  

di(t) Vmax  r -r t  di(t)  Vmax  r 


= ωcos(ωt+α- )- sin( -α)e L  et  dt  =  ωcos(α- )- sin( -α) 
dt Z  L  t=0 Z  L 

Lω 0,05.100π
 =Atg =Atg( ) = 72,3
r 5
 di(t)  50  5 
 dt  = 16,5 314cos(45-72,3)- 0,05 sin(72,3-45)  = 769,34 A/s
 
De la même façon que précédemment (di/dt constant), on applique   = h =769,3
t=0
di I
 dt  PW
t=0

0,05
La largeur de l’impulsion devra donc être égale à PW=  65µS
769,3

58
EXERCICE 31

Soit le circuit suivant alimenté par une tension sinusoïdale e=Esinωt (E=230√2 Volts, ω=100π rd/s)

Les thyristors sont excités à chaque demi-période avec


un retard à l’amorçage α = 60°

a) Représentez la tension de sortie s(t) et le


déphasage du courant dans RL par rapport à la tension
d’entrée e(t). Représentez aussi la tension vQ aux
bornes des thyristors.
b) Montrez que la valeur efficace de s(t) dépend
de l’angle α
c) Trouvez la puissance dissipée dans la résistance
pour α=0, α=45°, α=90°. Conclusion.

Solution
1°) Représentation des signaux

2°) Valeur efficace S de s(t)

1  2 2E 2  2 1-cos(ωt)
S= 
π 0
s (ωt)d(ωt)=
π 0 sin (ωt)d(ωt) et avec sin 2 (ωt)=
2
π
E sin(2θ)  α sin2α
S=  (θ)-  soit S=E 1- +
π 2 α π 2π

59
S2 E 2 α sin2α
2°) Puissance P= = (1- + )
RL RL π 2π

3°) Puissance à différents α


E2
• Pour α=0, sin0=0 donc P=Pmax =
RL
E2
• Pour α=45°=π/4, sin2α=1 donc P=0,66
RL
E 2 Pmax
• Pour α=90°= π/2 donc P=0,5 =
RL 2
• Pour α= π, P=0

Conclusion :
En faisant varier α de 0 à π , on règle S de E à 0 et P de Pmax à 0
L’angle de retard à l’amorçage permet de moduler la puissance dans la charge. On a bien un
gradateur.

60
EXERCICE 32

Le schéma suivant est celui d’un pont redresseur mixte qui alimente un circuit RL (qui pourrait être un
moteur DC).

1°) Trouvez la valeur de l’angle de


retard d’amorçage de commande des
thyristors pour obtenir une tension
moyenne de sortie de 80V

2°) Représentez sur un même


graphique la tension secondaire du
transformateur et vs(t).

Solution
v
1°) On sait que <vs >= e (1+cosθ) donc on devra avoir
π
  <vs >    .80 
θ=Acos  − 1 = Acos  − 1 = 56,95
 ve  115* 2 

2°) Représentation de vs(t)

61
EXERCICE 33

On utilise le thyristor type 2N6397 dans le montage suivant,

Si un court-circuit de la lampe se produit, quel serait le


temps de réaction maximal du fusible pour éviter la
destruction du thyristor ?

Solution
On a : tc
tc 1000
0 = 0 ( 230 ) dt = 40(A s)
2 2 2
i dt

18,9tc=40 tc=2,11
2,11
Le temps nécessaire vaudra donc t= = 39, 8µs
2302

62
EXERCICE 34

Un pont d’onduleur triphasé alimente une charge résistive de 15 en étoile (figure). Trouvez le courant
efficace dans la charge, la puissance délivrée à cette charge dans les deux cas suivants :
a) L’angle de conduction du thyristor est de 120°
b) L’angle de conduction du thyristor est de 180°

Solution

a) Angle de conduction de 120°

• L’amplitude du courant dans la charge est


600/(2x15)=20A

• Le courant efficace vaut

1  23 2 5

IRMS =  0 d(t) +  202 d(t) = 16, 33A
6
20
2  

• Puissance dans la charge PL=16,332x15x3=12kW


202
• Courant efficace du thyristor : ITRMS = = 11, 5A
3

63
b) Angle de conduction de 180°
• A chaque instant, la charge de l’onduleur est 15+15/2=22,5Ω
VE 600 I
I1 = = = 26, 67 A I2 = 1 = 13, 33 A
22, 5 22, 5 2
• Courant efficace

1  23 2
2 
IRMS =  0  +   +   13, 33 d(t) = 18, 85 A
2 2 2
13, 33 d( t) 3
 26 , 67 d( t)
2 
2 4
3 3 

• Les thyristors sont traverses par un courant de 26,67A pendant


1/6 de cycle et par un courant de 13,33A pendant un demi-cycle . Le
courant efficace dans un thyristor est alors
I
ITH−RMS = L = 13, 33 A
2

La puissance dans la charge est alors 18,852x15x3=15,99 kW

64
EXERCICE 35

2On constate que, lorsque ce thyristor qui


possède un courant de latch de 40mA (latching
current=courant d’accrochage) est excité au
temps t=5ms par une impulsion d’une durée
de 50µs, il ne s’allume pas. Quelle valeur de la
résistance R’ placée en parallèle sur la charge
lui permettra-t-elle de s’allumer ?

Solution

di
v = Ri + L
dt

On a ou en calcul symbolique V(p)=(R+Lp)I(p)

−R t
cos(t − ) − cos .e L
D’où l’on tire i(t) = 100
R 2 + L2 2

L R2 + L22 = 189,8
 = Atg = 83, 34 = 1, 45 rd
R −R t
cos(t − ) − cos .e L
Ce qui va donner à l’instant t=50µs : i(t) = 100
R 2 + L2 2

cos(0, 0157 − 1, 45) − cos1, 45.e−36 ,7.50.10


−6
0, 32 − 0, 30.0, 99
i(t) = 100 = 100 = 8, 32mA
189, 8 10, 48

Valeur insuffisante pour allumer le thyristor.

Avec R’, le courant du thyristor vaudra it=i+i’ et il faudra avoir it=40mA donc i’=40-8,32=31,68mA

La résistance additionnelle devra valoir R’=100/31,68=3,15kΩ

65
EXERCICE 36

On modélise un GTO par les deux


transistors Q1 et Q2 indiqués sur la figure
ci-dessous.

a)En appelant α1 le gain en courant de Q1


et α2 celui de Q2, trouvez à quelle
condition le courant à travers l’anode et
la cathode ne dépendra plus du courant
gate.
b) Trouvez la condition pour que le GTO
se bloque

Solution
On a

IA= (α1+1)IB1+ICB01 et
IK= (α2+1)IB2+ICB02
avec IK=(IB1+ IB2) et IB2 = IA- IB1+ IG
1IG + ICB 0
On IA = trouve
1 − 1 −  2

ICB0 rassemblant les courants de fuite

Si (α1+α2)=1, IA devient infini et le courant s’auto-entretient.

Il faut que
(En général, α1 le gain du PNP<α2 gain du NPN)

66
c) Pour maintenir la conduction de Q2, il faut que le courant
base soit égal à (1- α2)IK =( α1IA-IG)
Il faut donc (α1IA-IG)< (1- α2)IK
Comme IK=IA-IG, la condition de blocage du GTO est
(1 +  2 − 1)
IG  IA
2

On appelle « gain de blocage » d’un GTO le rapport IA/IG. Sa valeur


maximale vaut
I 2
= A =
IG (1 +  2 − 1)

67
EXERCICE 37

Dans le gradateur suivant (dans lequel on aurait mieux fait d’utiliser un triac- pourquoi ?), entre
quelles valeurs variera la puissance fournie à la lampe lorsque la résistance variable prend des valeurs
entre 10K et 300K ?
Que se passe-t-il si la résistance est réglée à son maximum de 470k ?
(On prendra 32V comme seuil du diac DB3 )

Solution
La tension secteur s’écrit e(t)=EMsinωt ou E=EMejωt
1 1 1
Z =R+ et Z = R2 + 2 2  = Atg Avec
jC C RC
230 2
Diac bloqué, le courant dans le condensateur vaudra i = e j(t−)
1
EM R2 + 2 2
i(t) = sin(t + ) C
Z
1
La tension aux bornes de la capacité vaut v c = i.
jC
1 230 2 
v c (t) = sin(t +  − )
C 1 2
R2 + 2 2
C

Le thyristor sera excité quand |vc| dépasse 32V.


A quel instant ?

• Pour R=0, on peut dire que la charge du condensateur est instantanée puisque la tension
secteur totale lui est directement appliquée :
230V2 sinωt=32V → 325,27sin ωt =32 ωt=0,098 rd donc t=0,31ms
Quasiment toute l’alternance positive est délivrée à la charge :
P=250W

68
C’est l’inconvénient du thyristor car nous perdons la moitié de l’énergie, ce que nous aurions
gagné avec un triac.

• Pour R=10kΩ , vc(t)= 310,32sin(ωt+Φ-π/2) avec Φ=1,266rd (=72,56°)



sin(t +  − ) = 0,1031
2
Toujours avec l’égalité |vc|=32V, va conduire à t=1,3ms qui est l’instant de
déclenchement (angle=23,35,75°=0,40rd)
E  sin 2
La tension efficace aux bornes de la lampe est donnée par VLeff = M 1 − +
2  2
VLeff=161,5V
Avec la résistance de la lampe qui est R=2302/500≈106Ω, la puissance est P≈265W

• Pour R=100kΩ , vc(t)= 98,66sin(ωt+Φ-π/2) avec Φ=0,308rd (=17,65°)



sin(t +  − ) = 0, 098
2
Toujours avec l’égalité |vc|=32V, va conduire à t=5ms qui est l’instant de déclenchement
(angle=91,26°=1,59rd)
VLeff=113,37V
Puissance=121,25W

• Pour R=300kΩ , vc(t)= 34,32sin(ωt+Φ-π/2) avec Φ=0,105rd (=6,05°)



sin(t +  − ) = 0, 93
2
Toujours avec l’égalité |vc|=32V, va conduire à t=8,5ms qui est l’instant de
déclenchement (angle=152,75°=2,67rd)
VLeff ≈ 24V
Puissance=5,4W

• Pour R=470kΩ, compte tenu de ce que devient la constante de temps RC (0,47s), la tension de
déclenchement de 32V ne pourra pas être atteinte en une ½ période et la charge ne sera pas
alimentée.

69
EXERCICE 38
Un convertisseur buck fonctionnant à la fréquence de 10kHz et alimenté par une tension de 24V est
chargé par une résistance de 10Ω. La capacité de sortie vaut 22µF.

a) Trouvez la valeur de l’inductance pour que le fonctionnement soit en conduction continue.


b) Que doit valoir le rapport cyclique pour obtenir 10V en sortie ?
c) Quelle est l’ondulation de la tension de sortie ?

Solution
• Valeur de l’inductance :
VS
On sait que la limite de la conduction continue est donnée par (1 − ).T  IS
2L

VS V T
Au worse case, δ=0, on aura .T  IS soit L  S .
2L IS 2
RL 10
L = = 0, 5mH
2f 20.103

• Valeur de δ :
V 10
= S = = 0, 417
VS 24
Q
• Ondulation de la tension de sortie : VS =
C
1 T IL T E − VS (1 − )E 2
On voit que Q = = . ..T = .T
22 2 8 L 8L

(1 − )VS
Q =
8Lf 2
L’ondulation de la tension de sortie est donc

VS (1 − ) (1 − 0, 417)
= =  0, 066
VS 8LCf 2
8.0, 5.10 −3.22.10 −6108

ΔVS≈0,7V

70