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Trouvez pour les deux signaux ci-dessous leur valeur moyenne et leur valeur efficace.
Solution
• Signal (a) :
− La valeur moyenne est représentée par l’aire au dessous de la courbe du signal, c’est-à-
dire par le produit E0.t1 (c’est un rectangle) qu’il faut multiplier par la fréquence.
1 T 1 t1 t
e(t)=<e(t)>=
T 0
e(t)dt =
T 0
E0dt = E0 1 = E0 t1 f
T
<e(t)>=2V
− La valeur efficace (dite aussi valeur rms de Root-mean-square) est e rms = (e(t))
2
T t1
1 1 t
erms =
T0 e(t)2dt =
T0 E 02dt =E 0 1 =E 0 t1 f
T
erms=3,16V
• Signal (b)
E0
L’équation du signal est e(t)=- t+E 0
T
− Valeur moyenne :
T E
Aire sous la courbe : <e(t)>=(E 0) xf = 0 (<e>=2,5V)
2 2
T
1 E E T E T E0 E
Par calcul e(t)=<e(t)>= (- 0 t+E0 )dt=- 20 tdt+ 0 dt = − + E0 = 0
T0 T T 0 T 0 2 2
E0
− Valeur efficace eeff = e
3
T
1 E E T t E
eeff =
T0 T
(- 0 t+E 0 ) 2dt = 0
T
0
(1- ) 2dt = 0
T 3
eeff=2,88V
1
EXERCICE 2
Solution
5
eeff =E 0
7
Détails :
5
On en déduit que eeff =E 0
7
2
EXERCICE 3
Solution
V2 -V1
On a v(t)= kt +V1 avec k=2. pour une partie et v(t)= -kt +2V2-V1 pour l’autre partie
T
1 T
T 0
• Valeur moyenne : v moyen =<v(t)>=v(t)= v(t)dt
1 T/2 V2 -V1 1 T V -V
v(t)=
T 0
2
T
t+V1 dt+ 2 1 2 t+2V2 -V1 dt
T T/2
T
V1 +V2
v(t)= =18V
2
• Valeur efficace :
2 T/2 2
T 0
On a v2 (t)=V12 +2V1kt+k 2 t 2 donc Veff =Vrms = v (t)dt
T/2
2 2 t 2 2 t3
Soit Veff = (V1 t+2V1k +k
T 2 3 0
2 T k 2T 2 (V -V ) 2
On obtient alors Veff = (V1 +k + ) = V12 +V1 (V2 -V1 )+ 2 1
2 12 3
(V2 -V1 ) 2
Soit finalement Veff = V1V2 + Veff=18,33V
3
3
EXERCICE 4
Solution
0 = 230 sin( − ) + 169, 7e− ou 0 = sin( − ) + 0, 707e−
4 4
Une équation transcendante qui donne comme solution β=3,94 radians.
La tension moyenne aux bornes de la charge est
1 E 339, 4
Vmoy =
2 0
Esin td(t) = (1 − cos ) =
2 2
(1 − cos 3, 94) = 91, 7V
Puisque la tension moyenne aux bornes de l’inductance est nulle, le courant moyen sera
Vmoy 91, 7
Imoy = = = 91, 7 A
R 1
4
EXERCICE 5
1°) Trouvez comment évoluent vs(t) et les courants dans la résistance et dans la capacité au
moment où on ferme l’interrupteur K (la capacité est déchargée au départ).
2°) Dessinez le graphe de vsec(t) et de vs(t) en régime permanent.
3°) Quelle est l’ondulation de la tension de sortie vs (en régime permanent)?
3°) Quelle valeur donner à la capacité C pour que la tension ondulée ait une amplitude maximale
limitée à 10 V ?
1
Notez que la valeur de C n’est pas du tout adaptée. Elle conduit à une ondulation >60V
5
Solution
1
Ce qu’on peut écrire i(t)=Imsin(ωt+φ) avec I m =Vm 2
+C2 ω2 et φ=Atg(RCω)
R
Im=18,6A et φ=57,52°
Donc i(t)=18,6sin(314,16t+57,52°)
R
π π
ic (t 0 )=Vm Cωsin(ωt 0 + )=15,7sin(100. .3,18.10-3 + )=8,49A
2 2
(normalement, iR(t0)=iC(t0) mais les approximations sur t0 et sur π entrainent ces petits écarts)
L’instant t1 qui correspond au moment où les diodes redeviennent passantes correspond à l’égalité
t1
Vmsinωt1 =Vm (1- ) soit sin(314,15t1)=1-200t1
RC
2
Dans la simulation page suivante, vous ne trouverez pas exactement les mêmes valeurs car Orcad tiendra
compte des chutes de tension dans les diodes du pont et ne fera pas d’approximations de calculs.
6
2°) Graphe de vsec(t) et de vs(t)
t
-
A partir de 30ms par exemple, le condensateur se décharge selon vc (t)=Vme RC
t
-
A quel moment aura-t-on vc=vsec ? rep : t=1,18ms et VS=34,6V car e RC
= sin(100 t )
3°) Ondulation de la tension de sortie vs en régime permanent
Figure ci-dessus. On voit que l’ondulation vaut ≈(100-34,6)=65,4V.
C=17700 µF
IT I 10
Avec notre formule approchée du cours, on trouve C= = 20 mF
ΔV f.ΔV 50.10
, ce qui est un peu la même chose puisque c’est une valeur standard (2x10000µF)
7
Autre calcul:
D’une façon générale, le schéma d’une als linéaire est le suivant :
dvc
ic =C =CωVsec 2cosωt
dt
• Avec, on voit que l’instant t2 où le courant s’annule est donné par :
-is
CωVsec 2cosωt 2 +is 0 soit t 2 =Arccos( )
CωVsec 2
• De l’instant t2 à t1+π, les diodes sont bloquées et c’est le condensateur qui est chargé
de fournir le courant à la charge. Pour simplifier, admettons donc que son courant de
décharge est constant et égal à iS :
dvc -1 -is
ic =C =-is (puisqu'il se décharge) donc vc = is dt t+Cste
dt C C
Avec Cste=vc(t2)= Vsec2sinωt2
Finalement,
vc(t1)= Vsec2sinωt1
-is
ou vc (t1 )= (π+t1 )-t 2 +Vsec 2sint 2
C
-is
On tire alors sinωt1 -sinωt 2 + (π+t1)-t 2 =0
CVsec 2
8
Nous avons ainsi tous les éléments pour calculer le condensateur :
On choisit l’ondulation désirée V=(Vsec2-2VF)-( VE(min)+10%) et on calcule t1 (VF est la chute de
tension aux bornes d’une diode : de 0,7 à 2-3V selon le courant, voir datasheet)
1 ΔV
On a donc V=Vsec2(1-sinωt1) soit t1 = Arcsin(1- )
ω Vsec 2
-is
Avec t 2 =Arccos( ) déjà calculé, on trouve C avec l’équation encadrée
CωVsec 2
précédente.
Nous supposons que iS (courant de sortie) est constant et que la chute de tension dans le pont est
négligeable.
Soit enfin
1 2 2 sin2t 2 -sin2t1
Isec = (is (t 2 -t1 )+2is CωVsec (sint 2 -sint1 )+C2 ω2 Vsec +C2 ω2 Vsec
2
(t 2 -t1 )
π 2
9
Il reste à calculer le courant dans la diode :
Le courant moyen vaut :
t2
1 (t 2 -t1 ) 1
<id>= (is +CωVsec 2cosωt)dt= is + CωVsec 2(sinωt 2 -sinωt1 )
T t1
T T
Le cas le plus défavorable se produit à la mise sous tension puisque le condensateur étant déchargé
et se comportant comme un court-circuit, le courant (IFSM) ne sera limité que par les résistances
secondaires et les éventuels défauts du condensateur :is =t1=0 et I FSM =CωVsec 2
Exemple pour une diode de la série 1N400x (x détermine la tension inverse max : VRRM=50V pour
x=1, 100V pour x=2,….1000V pour la 1N4007)
Si on prend cet exemple et dans le cas de notre exercice, les diodes du pont devraient avoir IFSM=22,2A et les
1N400x ne conviennent pas (de toutes façons, elles ne conviennent pas d’avance en raison de leur IFAV trop petit)
10
EXERCICE 6
On reprend le montage redresseur précédent réalisé avec les mêmes éléments supposés
idéaux. On prend Vsec(t)=Vmsinωt avec ω= 100π rd/s (f=50Hz), Vm=100V.
On garde aussi R=10Ω et C=500µF
1°) Quelles doivent être les caractéristiques des diodes à utiliser, c’est-à-dire leur
tensions/courants VRRM et IFAV ?
2°) Tracez le signal de sortie vs(t) en supposant que la diode D2 est coupée.
3°) Même question en supposant que cette même diode est court-circuitée.
11
Réponse
1°) Caractéristiques des diodes :
• En tension, la diode devra supporter au minimum Vsec (max) = 100V donc on choisira
des diodes qui supportent cette valeur avec un petit intervalle de sécurité (soit 150V
par exemple). D’autant que le secteur a des variations autour de la valeur nominale qui
atteignent 10% (la tension secondaire vaudrait alors 110V au lieu de 100V)
• En courant, le coutant continu vaut 10A . Avec un intervalle de sécurité, on choisira des
diodes qui supportent 1,5 fois ce courant, donc IFAV=15A.
2°) Quand D2 est coupée, l’alternance positive de la tension vsec ne passe pas. On se retrouve dans le
cas d’un redressement mon alternance.
3°) Même chose lorsque D2 est court-circuitée, l’alternance positive s’écoule (grâce à la diode D3) mais
l’alternance négative est bloquée et on se retrouve aussi dans le cas d’un redressement mon
alternance.
12
EXERCICE 7
Soit le redresseur triphasé (PD3) de la figure suivante dans lequel on suppose que les
tensions sont équilibrées. On note les tensions secondaires v1(t)=V1 2sinωt ,
2π et 2π
v 2 (t)=V2 2sin(ωt- ) v3 (t)=V3 2sin(ωt+ )
3 3
13
Réponse
1°) Valeur moyenne de la tension redressée
U=V 3 si on appelle V la tension efficace des tensions simples ( v1, v2, v3).
π π
Sa valeur moyenne est donc vs = 3 6π udθ= 6 2 V1 sinθ 6 = 3 3 V1 = 0,827V1
π -
6 π0
2π
Quant au courant dans les secondaires, les calculs exacts sont assez complexes comme on peut
l’imaginer lorsqu’on voit la figure suivante obtenue avec Orcad :
14
On peut admettre par approximation que le courant i1(t) est égal à IS lorsque la diode
D1 est passante et égal à -IS lorsque c’est D4 qui est passante.
La technique de calcul de la valeur efficace qui a été utilisée dans le document que j’avais est la
suivante : On élève le signal au carré ce qui va donner deux rectangles de cotés T/3 et I2S
On obtient alors
1 2T 2
Ieff = IS = I S
T 3 3
Ainsi, avec IS=10A, Ieff=8,16A
2 2 2 2
Notez qu’on peut aussi dire que i1 est égal à I S pendant de la période ce qui donne Ieff = IS
3 3
15
EXERCICE 8
Comparez les tensions continues de sortie pour les deux redresseurs suivants si la tension triphasée
qu’on leur applique (en sortie du transfo) est de 500V
Réponse
3 3 2.500
VS = v avec vi = 408V
2π i 3
3 3
Alors, VS = .408=337,4V
2π
• Pour le redresseur six diodes, la tension DC est donnée par
3 3
VS = vi = 2.500=675,23V
π π
16
EXERCICE 9
a) Trouvez la tension à ses bornes lorsqu’elle est traversée par un courant de 40 A d’un rapport
cyclique de 2/3
b) Trouvez le courant efficace qui la traverse
c) Trouver ses pertes moyennes
Solution
17
EXERCICE 9
Une diode du type 1N3880 est utilisée dans un convertisseur flyback. Le courant qui la traverse est
triangulaire de valeur crête 20A et de rapport cyclique 0,5.
Le constructeur donne: E0=1,1V rd=25mΩ
Réponse
2
2.106
30µs 30µs
1 1
2
Ieff = i (t).dt= 3 t. dt =2,45A
T 0
F 50µs 0
2
La puissance dissipée vaut alors PD =E0Imoy +rd Ieff = 1,1.6 + 0, 025.(2,45) 2 =6,75W
18
EXERCICE 10
Ne disposant que deux diodes de 2000V pas tout à fait identiques pour redresser une tension de
3000V (e(t)=3000sinωt), on place ces diodes en série pour qu’elles puissent tenir en tension.
La caractéristique inverse de ces diodes est fournie.
Réponse
On cherche les équations de ces caractéristiques en les linéarisant. Comme elles passent par zéro, on
écrit IR=aVR
• Pour la diode D1, -1=a.1570 soit a=-0,64.10-3 : son équation est IR= -0,64.10-3 VR (en mA)
• Pour la diode D2, -1,2=b.1000 soit b=-1,2.10-3: son équation est IR= -1,2.10-3 VR (en mA)
Comme les diodes sont traversées par le même courant, on devra avoir
-0,64.10-3 V1=-1,2.10-3 V2 avec V1+V2=3000
On tire de ces deux équations V2=1043V et V1=3000-1043=1957V
19
2°) Valeur de R
Supposons alors que chaque diode aura 1500V à ses bornes. On écrit
• Pour la diode D1, pour VR=1500V, on devra avoir IR= -0,96mA
• Pour la diode D2, pour VR=1500V, on devra avoir IR= -1,8mA
20
EXERCICE 11
Une diode modélisée par la figure ci-dessous possède un courant inverse de 2mA@150°C
Réponse
DF et DR sont les diodes idéales.
On détermine la résistance rR par e=( RL +rR)IR donc RL +rR=250kΩ. On peut garder rR=250 kΩ car RL
négligeable devant rR
En conduction, avec rD<<R, le courant dans la diode est pratiquement égal à e/RL=100A
21
EXERCICE 12
Deux diodes possédant des caractéristiques approximées l’une (D1) par vD=0,80+2,510-4iD et
l’autre (D2) par vD=0,77+2,710-4iD sont placées en parallèle (schéma a).
Solution
a) Courant des diodes
On a : 0,80+2,510-4iD1=0,77+2,710-4iD2 avec iD1+ iD2=1200
calculs:
(0,80-0,77)104=2,7iD2 - 2,5iD1
300=2,7(1200-iD1) - 2,5iD1 ----→ 300=3240-2,7iD1 - 2,5iD1----------→ 5,2 iD1=2940
----→ iD1=565,38A
iD2=1200-565,38 → iD2=634,62A
b) Puissance dissipée:
PD1=(0,80+2,510-4.565.38).565,38=532,21W
PD2=(0,77+2,710-4634.62). 634.62=597,39W
c) Calcul de Rx
La diode D2 passe le plus de courant, c’est donc dans cette diode qu’il faudra placer la
résistance
Mettons une résistance R en série avec D2:
NOTE: Dans la réalité, on ne cherchera pas à égaliser exactement les courants mais on laisse
une marge de quelques % (5-10% par exemple) et on placera une résistance en série avec
chacune des diodes.
22
EXERCICE 13
Dans le montage suivant dans lequel les deux diodes sont identiques, leur équation étant linéarisée
par l’expression V =0,25+3,510-4I , trouvez la valeur de la tension V
D D
Solution
LA CATHODE DE D2 EST A DES POTENTIELS POSITIFS. ELLE EST DONC BLOQUEE !!!
On a V=VD1+5=E-RiD1
0,25+3,5.10-4iD1+5=10-10iD1
10 iD1=4,75 --→iD1=475mA
Alors V=10-4,75=5,25V
V=5,25V
V=5,5V
23
EXERCICE 14
La diode D du type BYT71-600 qui possède un temps de recouvrement inverse trr=300ns (diode du
type soft recovery avec S=0,6) est utilisée dans le schéma suivant dans lequel Le représente une self
parasite d’une valeur estimée à 20µH.
Le schéma à droite rappelle la signification des paramètres du recouvrement. t1 est le temps que met
la diode pour se bloquer lorsqu’on ferme l’interrupteur K.
En supposant que le régime est permanent avec un courant constant dans la charge valant 10A,
trouvez à chaque fermeture de K , en linéarisant les allures du recouvrement :
a) Le temps t1
b) Le courant de pic IRR
c) La charge stockée QRR
d) La tension de pic VRR
24
Solution
a) Temps t1
diD
En régime permanent, la variation de tension sera due à Le : v e =-L e
dt
die d(i -i )
puisque IL = iD +ie v e =L e =L e L D
dt dt
On a donc puisque iL est supposé constant
diD v Le Le
Avec =− e ou dt = diD on pourra écrire, t1 = IL t1 étant le temps que
dt Le ve ve
b) Courant IRR
trr 0, 3.10−6
et
Q RR = IRR = 3, 75. = 0, 5625µC
2 2
d) A ce moment, le courant inverse est maximum et la diode se bloque et sa tension vaudra
diD I 3, 75
VRR = Ve + Le Ve + L e RR = 400 + 20.10−6. = 1066, 7V
dt tf 0,112510−6
25
EXERCICE 15
Soit le hacheur de la figure suivante qui utilise une diode D qui possède un temps de recouvrement
inverse trr=1µs (diode du type soft recovery avec S=0,6). Le représente une self parasite d’une valeur
estimée à 30µH.
1°) En supposant que le régime est permanent
avec un courant constant dans la charge valant
100A, trouvez à chaque fermeture de K :
a) La charge stockée QRR
b) Le courant de pic IRR
c) La tension de pic VRR
2°) Quelle est la valeur d’une capacité snubber
CS utilisée pour limiter la tension de pic VRR ?
26
Réponse
diD
En régime permanent, la variation de tension sera due à Le : v e =-L e
dt
die d(i -i ) puisque IL = iD +ie
v e =L e =L e L D
dt dt
diD v
On a donc puisque iL est supposé constant =− e
dt Le
Le
Avec dt = diD ou on pourra écrire, t1 =
Le
IL
ve ve
t1 étant le temps que met le courant de la diode pour s’annuler.
Avec une approximation linéaire pour le comportement du recouvrement, on pourra écrire
trr t diD t diD
Q RR = IRR et avec S = f = 0, 6 on aura IRR = tr = r
2 tr dt 1 + S dt
diD I 12, 5
VRR = Ve + Le Ve + L e RR = 600 + 30.10−6. = 1600V
dt tf 0, 375.10−6
2°) Snubber :
Il faut raisonner en termes d’énergie : la capacité devra absorber l’excès d’énergie stockée dans
l’inductance Le.
1 1
W= CV2 = LI2
2 2
27
VRR2 (IL + IRR )2 − IL2
On observe donc une surintensité IL+IRR durant tf : on écrit donc Cs =L e
2 2
die
La self est calculée d’après ve =L e − vD durant le toff de la diode
dt
ve 600
Puisque ie+iD=iL avec vD≈0, L e =- = = 12µH
diD 50.10−6
dt
IL2 PS 16.103
Le courant dans la charge vaut, avec Ps =- = 16kVA donc IL = = = 400A
R R 0,1
diD t diD
Le graphe du recouvrement diode étant considéré comme triangulaire, on a IRR = tr = r
dt 1 + S dt
tf 1.10−6
avec S= = 0, 6 donc IRR = 50.106 = 31, 25A
tr 1, 6
L’équation de l’énergie donne alors :
die LI 1+ S
Sans capacité, la tension inverse de recouvrement serait VRR =Ve -Le Ve + e RR = Ve + LeIRR
dt tf Strr
1,6
VRR =600+12.10-6 *31,25* = 1600V
0,6.10-6
28
EXERCICE 16
Soit un transistor qui commute une source de 100V sur une charge résistive de 2,5Ω (figure
suivante).
1°) Trouvez le courant moyen et le courant efficace qui passe à travers l’interrupteur K.
(Interrupteur qui pourrait être un BJT, un MOS, un IGBT ou un thyristor par exemple).
2°) Même question si la charge est une self de 10mH avec une résistance parasite de 1Ω. Entre quelles
valeurs varie le courant dans la self ?
Solution
1°) Charge résistive :
Appelons τ la durée de l’état haut (0,8ms)
1 0,8
a) Tension moyenne Vmoy = e(t)dt=E =100 =80V
T 0 T 1
(Sur le graphe, on pourra dire que la tension moyenne correspond à l’aire de la courbe :
τ 0,8
Vmoy =E =100 =80V )
T 1
Vmoy 80
Le courant moyen dans la charge est donc I Rmoy = = =32A
R 2,5
b) Tension efficace
1
V =Vrms e2 (t)dt E 100 0,8 89, 4V
eff T 0 T
V 89,4
Le courant efficace vaudra Ieff = eff = =35,76A
R 2,5
La puissance dans la résistance sera P=RI2eff ≈3197W
29
2°) Charge selfique
1 0,8
La tension moyenne reste inchangée : Vmoy = e(t)dt=E =100 =80V
T 0 T 1
Vmoy 80
Le courant moyen vaudra I Lmoy = = =80A
r 1
- Durant l’instant τ pendant lequel K est fermé (état ON), on aura
- t r - t r
E
i(t)= (1-e L )+Imin e L
r
Avec r/L=100, constante de temps
Le courant est maximum dans la self à l’instant τ : i(t)=IMAX=100(1-e-0,08)+Imin e-0,08=76,88+
-r t
0,92Imin Durant l’instant pendant lequel K est fermé (état OFF), on aura i(t)=IMAX eL
-rT
Imin
=I MAX eL 0,9I
MAX
30
DETAILS DU CALCUL
- K fermé :
E (p)=ri (p)+Lpi (p)+i(0)
di(t)
On a e(t) ri(t) L
donc
dt
Réponse à un échelon :
r
I (p)= E (p) E 1 E 1 1 E t
( ) donne i(t)= (1 e L )
r Lp p r Lp r p r r
p
L
E 1 e p
Transformée du signal d’entrée E (p) ( )
r 1 e Tp
- t r
di(t)
e(t) ri(t) L donne i(t)=Ae L
dt
En régime permanent (non transitoire), i(t) démarre à la valeur Imin et s’arrête à IMAX
di(t) -r t
Entre 0 et τ : E ri(t) L donne i(t)=Ae L E
dt
t=0 : i(0)=Imin=A+E
-r
t=τ : i( )=I MAX =(I min -E)e L E
- t r
di(t)
Entre τ et T : 0 ri(t) L donne i(t)=Ae L
dt
-r t
A t=T (ou t=0), i(T)=A=Imin donc i(t)=I min e L
31
EXERCICE 17
Le montage suivant utilise un transistor du type BD177 dont les caractéristiques (utiles pour cette
question) sont indiquées ci-après.
Solution
1°) Valeur de RB
Ve − VBEsat 5 − 1, 3
On en déduit alors
RB = = 12
IB 0, 31
2°) Puissance dissipée par le transistor
32
EXERCICE 18
1°) Soit un transistor qui commute une source de 100V sur une charge résistive de 2,5Ω (figure
suivante).
Trouvez le courant moyen et le courant efficace qui passe à travers
l’interrupteur K.
(Interrupteur qui pourrait être un BJT, un MOS, un IGBT ou un thyristor par
exemple).
2°) Même question si la charge est une self de 10mH avec une résistance
parasite de 1Ω. Entre quelles valeurs varie le courant dans la self ?
Solution
1°) Charge résistive :
Appelons τ la durée de l’état haut (0,8ms)
1 0,8
c) Tension moyenne Vmoy = e(t)dt=E =100 =80V
T 0 T 1
(Sur le graphe, on pourra dire que la tension moyenne correspond à l’aire de la courbe :
τ 0,8
Vmoy =E =100 =80V )
T 1
Vmoy 80
Le courant moyen dans la charge est donc I Rmoy = = =32A
R 2,5
d) Tension efficace
1
V =Vrms e2 (t)dt E 100 0,8 89, 4V
eff T 0 T
V 89,4
Le courant efficace vaudra Ieff = eff = =35,76A
R 2,5
La puissance dans la résistance sera P=RI2eff ≈3197W
1 0,8
La tension moyenne reste inchangée : Vmoy = e(t)dt=E =100 =80V
T 0 T 1
Vmoy 80
Le courant moyen vaudra ILmoy = = =80A
r 1
- Durant l’instant τ pendant lequel K est fermé (état ON), on aura
- t r - t r
E
i(t)= (1-e L )+Imin e L
r
Avec r/L=100, constante de temps
Le courant est maximum dans la self à l’instant τ :
i(t)=IMAX=100(1-e-0,08)+Imin e-0,08=7,69+ 0,92Imin
33
-r t
Durant l’instant pendant lequel K est fermé (état OFF), on aura i(t)=IMAX eL
-rT
I
min
=IMAX eL 0,9IMAX
ΔIL=4,47A
34
EXERCICE 19
Soit le montage suivant qui utilise le transistor 2N3055 caractérisé par βsat=10, td=4µs
tr= 15µs ts= 6µs tf= 10µs.
Ce transistor est excité par un signal carré d’amplitude +5V et de fréquence 10 kHz (rapport
cyclique=0,5).
1°) Utilisez la caractéristique fournie (« ON VOLTAGE ») pour trouver la valeur de RB qui sature le
transistor.
2°) On place une résistance R’B de façon à ce que le courant qui la traverse valle IB/4. Trouvez cette
fois les valeurs de RB et de R’B qui saturent Q
3°) Quelles seront les pertes totales de ce transistor ?
35
Solution
1°) Il est clair que IC ne dépassera jamais 4,8A et que VCEsat est compris entre 0,6 et moins que 0,75V
et VBEsat entre 1,5 et 1,7V. (Plutôt 1,6V puisque IC<5A)
e-VBEsat 10-1,6
On aurait donc VBEsat 1,6V, d'où R= = = 17,9 18
IB 0,47
2°) Valeur de RB
V 1,6
VCEsat ,VBEsat et IBsat ne changeant pas, on devra avoir R B = BEsat = = 13,6 14
'
IB / 4 0,47/4
e-VBEsat 1,6
Et R B = = = 4,53
3IB / 4 3x0,47/4
3°) Pertes
Pcond=VCEsatxICsat=0,7*4,7=3,29W
1 VI 1 48x4,7
Pcommut= Pcommutation = (t ON +t OFF )= (19.10-6 +16.10-6 )=78,96 79W
2 T 2 T
Pertes totales : 82,29W
(les pertes sont trop élevées, mauvaise commutation)
36
EXERCICE 20
On utilise le transistor BU508 pour commuter sur charge inductive en conduction continue, un
courant de 4 A sous 400 V à la fréquence de 20 kHz.
Données constructeur :
VCE0=1500V
ICMAX=5A
PMAX=125W
Tjmax=150°C
Rthj-c=1°C/W
ts=7µs
tf=1µs
1°) Le signal d’entrée à 20kHz de rapport cyclique égal à 0,8 ayant une amplitude de 10 V, trouvez la
valeur de la résistance R convenable.
2°) Quelle est la puissance perdue par conduction ?
3°) Quel est le temps de montée du courant ? Trouvez la puissance perdue par commutation à la
fermeture.
4°) Quelles sont les pertes à l’ouverture ?
5°) Quelle est la température atteinte par la jonction si ce transistor est monté sur un système
refroidisseur de résistance thermique jonction-ambiance Rth j-a = 3,5 °C/W ?
6°) Quelle solution faudra-t-il adopter si on veut garder ce montage?
37
Solution
1°) La courbe fournie nous propose un courant IB de 2A et conduit à avoir VBEsat=1V et VCEsat=0,28V
e-VBEsat 10-1
Dans ce cas, R= = = 4,5
IB 2
2°) Puissance perdue par conduction Pcond=VBEsatxIB+VCEsatxIC=1x2+0,28x4=3,12W
3°) Temps de montée du courant et puissance perdue par commutation à la fermeture.
di di 4
On a v L =L soit dt=L donc t ON =2.10-3 =20µs
dt vL 400
1 VI 1
PON = t ON = x400x4x20.10-6 x20.103 =320W
2 T 2
38
a) CALC à la fermeture
Le calc à la fermeture agira de façon à ce que la montée de
courant soit ralentie jusqu’à ce que la tension soit nulle.
(Notez qu’en général, λ est bien plus faible que L qui vaut plusieurs milli Henry habituellement).
di I t 2
vλ =VC' -VC =λ =λ C soit λ=v λ r =400 =200µH
dt tr IC 4
Cette self aura emmagasiné une énergie 1/2 λI2 qu’elle devra dissiper rapidement dans r1 pour que le calc soit
réinitialisé. Ainsi la constante de temps λ/r1 devra être faible devant la fréquence de découpage.
Si on appelle τ la durée de l’état haut du signal de commande e(t), on peut choisir
λ λ 200µs
τ=3 donc r1 =3 =3 =15Ω
r1 τ 40µs
Comme r1 est parcourue par un courant qui peut être important, il faudra estimer sa puissance :
1 1
r1 devra dissiper l’énergie emmagasinée par λ : Pr = λI 2 . f = 200µH.42 .20kHz=32W
(Ce devra être une résistance bobinée) 2 2
b) CALC à l’ouverture
C’est le condensateur placé en parallèle sur l’interrupteur qui va limiter la croissance de la tension et fera en
sorte que cette tension n’apparaisse que lorsque le courant s’annule (le cas idéal bien sûr). Le condensateur se
charge à travers la diode d2 et la résistance r2 limite la décharge du condensateur dans l’interrupteur à la fermeture
suivante.
IC t f
Les spécialistes calculent la valeur de γ selon en γ=k prenant k=4/9 qui selon eux, est le meilleur
2V
compromis. Dans ce cas, on trouvera 4 4.1µs
γ= =2,2nF
9 2.400
L’interrupteur devant rester fermé durant la décharge de γ , on doit avoir comme constante de temps 3γr2=τ
d’où
τ 40µs
r2 = = =6kΩ
3γ 3.2,2nF
(L’énergie 1/2CV2=176µJ) du condensateur dissipée dans r2 est faible donc la puissance dans r2 sera de petite
puissance ( égale à 176µ.20kHz=156mW).
Notez qu’un CALC n’améliore pas le rendement : c’est la même puissance qui sera dissipée dans les
résistances r1 et r2 au lieu que ce soit dans le transistor.
39
EXERCICE 21
On utilise le transistor BUV48A pour commuter un courant de 20A sous une tension de 300V dans une
charge selfique (figure a).
Le signal de commande est une tension PWM d’amplitude égale à +5V de fréquence 50kHz avec
un rapport cyclique de 0,4.
1°) Proposez un schéma utilisable pour ce montage.
2°) Quelles seront les pertes du transistor ?
3°) Pour réduire ces pertes, on utilise un calc selon la figure (b) ci après :
40
Solution
1°) Schémas utilisables
Dans tous les cas, la tension base devra être décalée, la pwm ne pouvant être directement
appliquée sur la base.
On utilisera par exemple soit une attaque par transformateur, soit un bootstrap mais beaucoup
d’autres configurations existent.
41
3°) Détermination de C
t0
Au temps t1, la capacité est complètement chargée. Sa charge est q= i c (t)dt=CV
2 0
1 t0 t t
On tire C= I0 dt=I 0 0
V 0 t1 2Vt1
t0 t1
t2 t t
Pertes par commutation : Pcom = v(t)i(t)dt= VI0 2 (1- )dt+ VI0 (1- )dt
0
t0 t1 t0
t1
t 2t 0 t 02
Pcom =VI0 ( 1 )
2 3 4t1
L’énergie stockée dans la capacité qui constitue, une partie des pertes, est 1 VI t 2
W= CV2= 0 0
2 4t 2
Les pertes totales sont donc t1 2t 0 t 02
Ptotales =VI0 ( )
2 3 2t1
Ptotales
On dérive par rapport à t0 pour voir comment minimiser ces pertes : 0
t0
Ptotales 2 t
0=- + 0
t0 3 t1
4 t12 2I
Les pertes seront minimales lorsque t0=(2/3)t1 : Alors C= I0 . = 0 t1 =80nF
9 2Vt1 9V
42
EXERCICE 22
Un transistor de résistance thermique Rthj-c=4,5°C/W placé sur un radiateur de résistance thermique
totale égale à 3°C/W .
Solution
1°) Puissance maximale dissipable
On a tON=0,2ms et on lit sur la figure r(t)=0,3 : La résistance j-c ne vaudra cette fois que
0,3x4,5=1,35°C/W
Ainsi, tout se passe comme si la résistance thermique totale ne vaut que
3+1,35=4,35°C/W et la température de la jonction vaudra Tj=40+(24,66x4,35)=147,3°C
43
EXERCICE 23
On relève sur le datasheet du transistor SPB13009 (High Voltage Fast-Switching NPN Power
Transistor 400V/12A/100W) du fabricant SemiWell:
Solution
5 1 0,5 1,2
8 1,6 1 1,6
12 3 1,5
Le courant dans notre circuit n’atteindra jamais le maximum (qui se trouverait à VCE=0) ,
maximum qui vaut 24/2=12A.
• Le courant vaudrait donc au minimum (24-1,5)/2=11,25A puisque VCEsat ne sera
jamais supérieur à 1,5V.
44
• On voit que le gain en courant vaut 4 lorsqu’on dépasse 8A donc nous aurons
IB=11,25/4=2,8A
• Pour VBEsat, on fait une règle de 3 (en supposant une linéarité)
IB=1A ------------→ VBEsat=1V
IB=1,6A-----------→ VBEsat=1,6V
Deuxième solution :
Les temps de commutation du tableau sont nettement plus petits que dans notre cas car
les conditions de mesure qui ont été tenues ont conduit au blocage rapide du transistor (on
lui a appliqué un courant base négatif). Soyez sûr que le toff typique dans notre cas est
supérieur à 1,66µs mais comme nous n’avons pas le choix, on fera avec :
R2C = (ts+tf)=1,66µs d’où C=3,12µF
45
s R 2 //C R2 R2 1
= = =
e R 1 +R 2 //C R 1 +R 2 +R 1R 2Cp R 1 +R 2 1+ R 1R 2 C p
R 1 +R 2 s
RR C
τ= 1 2
R 1 +R 2
6.0V
4.0V
2.0V
0V
0s 10us 20us 30us 40us 50us
V(C2:2)
Time
46
EXERCICE 24
Soit le montage suivant qui utilise des diodes de clamping (Baker Clamp) telles que VD1= VD4=0,9V
et VD2= VD3=1,1V. (Le transistor est évidemment utilisé en commutation et on supposera d’abord que
VCEsat=1V, VBEsat =1,6V et Tj=25°C. Hors saturation, VBE=0,7V)
47
EXERCICE 25
Soit le montage suivant réalisé avec le MOS du type IRF840 dont les caractéristiques sont fournies
par le constructeur.
1°) On veut faire commuter le MOS pour appliquer toute la tension VDD à la résistance de charge RD.
Quelle est la tension VGS qu’on devra tenter d’appliquer ?
Quelle valeur de résistance RG choisir et pourquoi ?
2°) On applique une tension e du type PWM de fréquence 100kHz, d’amplitude 12V et de rapport
cyclique de 0,5.
Quelles seront les pertes par conduction du transistor ?
Les valeurs typiques des temps de commutation fournies par le constructeur sont :
48
Solution
c) Résistance RG à choisir
• En continu, RG n’est pratiquement
traversée par aucun courant donc sa valeur n’a aucune importance : 1 Ω ou 1 MΩ conduisent
au même résultat.
• En impulsions, on voit que la capacité d’entrée Ciss dont la valeur est en nF va retarder la
montée de la tension VGS (existence d’une constante de remps RG.Ciss). Il faut que cette
constante soit la plus petite possible, donc RG la plus petite possible, car pour limiter les pertes
par commutation, ces commutations devant être rapides, il est courant de rencontrer des
dVDS/dt de l’ordre de plusieurs kV/μs à la mise en conduction des MOS/IGBT
Il faut donc que la charge gate soit complète pour pouvoir commuter le mos, soit 45 à 50nC.
On envoie alors des courants qui peuvent dépasser 3-4A pour certains composants!
Conclusion : On peut choisir en standard RG=50Ω
VS IS VI
Pcom =Pon +Poff = t cf+ S S t cf
6 6
200.4
Pcom =2( 20.10-9 .105 ) 0,54W
6
49
EXERCICE 26
On utilise le MOS type IRFP360 du fabricant Intersil pour commuter un courant de 20A sous une
tension de 300V.
1°) Quelle devrait être la valeur minimale du courant gate pour commander ce transistor ?
2°) Ce MOS est utilisé pour commuter à la fréquence de 100Hz avec un rapport cyclique de 0,5 la
charge supposée selfique. Quelle sera la température qu’atteindra sa jonction s’il est placé sur un
radiateur de résistance thermique totale égale à 5°C/W ?(la température ambiante est de 40°C)
50
Réponse
1 VI 1
Pertes par commutation Pcom = (t ON +t OFF )= x300x20.(140.10-9 +219.10-9 ).100=0,1W
2 T 2
Pertes totales :2,1W
Ces pertes sont si faibles qu’on peut se passer de radiateur car sans radiateur , la température atteinte
serait de 103°C, bien inférieure à la température max
Tj =Ta +P.R th =40+2,1.(30)= 103°C
3
La tension max est de ±20V. Notez que certains MOSFET récents peuvent commuter à des tensions de 5V
51
EXERCICE 27
Le MOS canal N du type IRFPS37N50A est utilisé dans un hacheur pour découper une tension de
300V. Il est excité par un signal PWM d’amplitude 15V, de fréquence 20kHz et de rapport cyclique
variable.
Les caractéristiques de ce MOS sont les suivantes :
rdson=0,13Ω, Rthjc=0,28 °C/W, tdon=23ns, tr=98ns , tdoff=52ns, tf=80ns
La diode utilisée est supposée idéale.
52
Réponse
53
EXERCICE 28
Un IGBT du type BSM 30 GD 60 DLC (module du fabricant Eupec) dont la caractéristique statique est
fournie ci-après est utilisé dans le montage suivant :
2°) On l’excite avec une source de signal carré d’amplitude 12V, de fréquence 1kHz et de rapport
cyclique variable. Le constructeur fournit les courbes suivantes :
c) Les valeurs typiques des pertes en commutation sont fournies par le constructeur
54
Solution
1°) Tension de blocage
D’ailleurs le constructeur
indique
2°) Valeur de RG
Au pire des cas, le rapport cyclique vaudra 1 (0,999999). Tout se passe donc comme si on appliquait
une tension continue de 12V à l’entrée.
2,25x(400-2,25)/15=59,66W
55
EXERCICE 29
56
EXERCICE 30
Soit un thyristor qui a un latching current de 50 mA chargé par une self de 50mH (r=5Ω ) et alimenté
par une tension continue de 100V (figure 13). Quelle devra être la durée PW d’une impulsion à
appliquer avec un angle de retard de π/4 pour allumer ce thyristor?
Second exercice :
Même question que précédemment, l’impulsion étant appliquée avec un angle α de 45° (figure 14)
57
Solution
r
Vmax - t
sin(ωt+α- )+sin( -α)e L avec Z = r +L ω 16,5 donc
2 2 2
On a i(t)=
Z
Lω 0,05.100π
=Atg =Atg( ) = 72,3
r 5
di(t) 50 5
dt = 16,5 314cos(45-72,3)- 0,05 sin(72,3-45) = 769,34 A/s
De la même façon que précédemment (di/dt constant), on applique = h =769,3
t=0
di I
dt PW
t=0
0,05
La largeur de l’impulsion devra donc être égale à PW= 65µS
769,3
58
EXERCICE 31
Soit le circuit suivant alimenté par une tension sinusoïdale e=Esinωt (E=230√2 Volts, ω=100π rd/s)
Solution
1°) Représentation des signaux
1 2 2E 2 2 1-cos(ωt)
S=
π 0
s (ωt)d(ωt)=
π 0 sin (ωt)d(ωt) et avec sin 2 (ωt)=
2
π
E sin(2θ) α sin2α
S= (θ)- soit S=E 1- +
π 2 α π 2π
59
S2 E 2 α sin2α
2°) Puissance P= = (1- + )
RL RL π 2π
Conclusion :
En faisant varier α de 0 à π , on règle S de E à 0 et P de Pmax à 0
L’angle de retard à l’amorçage permet de moduler la puissance dans la charge. On a bien un
gradateur.
60
EXERCICE 32
Le schéma suivant est celui d’un pont redresseur mixte qui alimente un circuit RL (qui pourrait être un
moteur DC).
Solution
v
1°) On sait que <vs >= e (1+cosθ) donc on devra avoir
π
<vs > .80
θ=Acos − 1 = Acos − 1 = 56,95
ve 115* 2
61
EXERCICE 33
Solution
On a : tc
tc 1000
0 = 0 ( 230 ) dt = 40(A s)
2 2 2
i dt
18,9tc=40 tc=2,11
2,11
Le temps nécessaire vaudra donc t= = 39, 8µs
2302
62
EXERCICE 34
Un pont d’onduleur triphasé alimente une charge résistive de 15 en étoile (figure). Trouvez le courant
efficace dans la charge, la puissance délivrée à cette charge dans les deux cas suivants :
a) L’angle de conduction du thyristor est de 120°
b) L’angle de conduction du thyristor est de 180°
Solution
1 23 2 5
IRMS = 0 d(t) + 202 d(t) = 16, 33A
6
20
2
63
b) Angle de conduction de 180°
• A chaque instant, la charge de l’onduleur est 15+15/2=22,5Ω
VE 600 I
I1 = = = 26, 67 A I2 = 1 = 13, 33 A
22, 5 22, 5 2
• Courant efficace
1 23 2
2
IRMS = 0 + + 13, 33 d(t) = 18, 85 A
2 2 2
13, 33 d( t) 3
26 , 67 d( t)
2
2 4
3 3
64
EXERCICE 35
Solution
di
v = Ri + L
dt
−R t
cos(t − ) − cos .e L
D’où l’on tire i(t) = 100
R 2 + L2 2
L R2 + L22 = 189,8
= Atg = 83, 34 = 1, 45 rd
R −R t
cos(t − ) − cos .e L
Ce qui va donner à l’instant t=50µs : i(t) = 100
R 2 + L2 2
Avec R’, le courant du thyristor vaudra it=i+i’ et il faudra avoir it=40mA donc i’=40-8,32=31,68mA
65
EXERCICE 36
Solution
On a
IA= (α1+1)IB1+ICB01 et
IK= (α2+1)IB2+ICB02
avec IK=(IB1+ IB2) et IB2 = IA- IB1+ IG
1IG + ICB 0
On IA = trouve
1 − 1 − 2
Il faut que
(En général, α1 le gain du PNP<α2 gain du NPN)
66
c) Pour maintenir la conduction de Q2, il faut que le courant
base soit égal à (1- α2)IK =( α1IA-IG)
Il faut donc (α1IA-IG)< (1- α2)IK
Comme IK=IA-IG, la condition de blocage du GTO est
(1 + 2 − 1)
IG IA
2
67
EXERCICE 37
Dans le gradateur suivant (dans lequel on aurait mieux fait d’utiliser un triac- pourquoi ?), entre
quelles valeurs variera la puissance fournie à la lampe lorsque la résistance variable prend des valeurs
entre 10K et 300K ?
Que se passe-t-il si la résistance est réglée à son maximum de 470k ?
(On prendra 32V comme seuil du diac DB3 )
Solution
La tension secteur s’écrit e(t)=EMsinωt ou E=EMejωt
1 1 1
Z =R+ et Z = R2 + 2 2 = Atg Avec
jC C RC
230 2
Diac bloqué, le courant dans le condensateur vaudra i = e j(t−)
1
EM R2 + 2 2
i(t) = sin(t + ) C
Z
1
La tension aux bornes de la capacité vaut v c = i.
jC
1 230 2
v c (t) = sin(t + − )
C 1 2
R2 + 2 2
C
• Pour R=0, on peut dire que la charge du condensateur est instantanée puisque la tension
secteur totale lui est directement appliquée :
230V2 sinωt=32V → 325,27sin ωt =32 ωt=0,098 rd donc t=0,31ms
Quasiment toute l’alternance positive est délivrée à la charge :
P=250W
68
C’est l’inconvénient du thyristor car nous perdons la moitié de l’énergie, ce que nous aurions
gagné avec un triac.
• Pour R=470kΩ, compte tenu de ce que devient la constante de temps RC (0,47s), la tension de
déclenchement de 32V ne pourra pas être atteinte en une ½ période et la charge ne sera pas
alimentée.
69
EXERCICE 38
Un convertisseur buck fonctionnant à la fréquence de 10kHz et alimenté par une tension de 24V est
chargé par une résistance de 10Ω. La capacité de sortie vaut 22µF.
Solution
• Valeur de l’inductance :
VS
On sait que la limite de la conduction continue est donnée par (1 − ).T IS
2L
VS V T
Au worse case, δ=0, on aura .T IS soit L S .
2L IS 2
RL 10
L = = 0, 5mH
2f 20.103
• Valeur de δ :
V 10
= S = = 0, 417
VS 24
Q
• Ondulation de la tension de sortie : VS =
C
1 T IL T E − VS (1 − )E 2
On voit que Q = = . ..T = .T
22 2 8 L 8L
(1 − )VS
Q =
8Lf 2
L’ondulation de la tension de sortie est donc
VS (1 − ) (1 − 0, 417)
= = 0, 066
VS 8LCf 2
8.0, 5.10 −3.22.10 −6108
ΔVS≈0,7V
70