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On utilise la diode du type DPG60I300HA de IXYS dans le montage suivant, excité par la tension e(t).
On suppose que Tj=50°C.
1°) Trouvez à l’aide des caractéristiques fournies (figure 1 du datasheet) le modèle linéaire de la diode.
2°) Trouvez sa puissance dissipée par conduction
3°) Trouvez sa puissance dissipée par commutation, en supposant que la pente du courant dIF/dt vaut 100A/µs
4°) En supposant qu’on travaille sous une ambiante de 30°C et que cette diode est disposée sur un radiateur
de 10°C/W, la température de la jonction sera-telle de 50° ?
SOLUTION
1°) Expression de vF
On trace la droite de charge pour voir où se situe le point de repos (il faut évidemment supposer que le signal
est continu : Pour le signal e(t), ce point se déplacera entre zéro (pour e=-200V, i=0) et le point que nous allons
trouver.
1 T 1 T rIF2 t0 E I t0
P VF (t)IF (t)dt (rIF (t) E0 )IF (t)dt dt 0 F dt
T 0 T 0 t t0 T 0 T 0
P rIF E0IF
2 0
T T
Avec t0=4ms, T=5ms et IF=50A, on trouvera que la puissance dissipée vaut P=13,2W+40W=53,2W
La figure 2 des caractéristiques donne l’évolution de la charge recouvrée Qrr qui nous sert à déterminer les
pertes par recouvrement :
Mais comme les valeurs sont données pour une température de boitier de 125°C, il faudra les corriger pour
les ramener à 50°C à l’aide de la figure 4 qui donne le coefficient correctif (0,26 dans notre cas).
Qrr=0,26x0,37=0,0962 µC
-6
Les pertes par commutation valent donc P’=QrrVRRf=0,0962.10 x200x200=3,85mW
3°) Calcul de radiateur
Nous prendrons comme résistance thermique de la diode (sans radiateur)
Rth(j-h)=0,55+0,25=0,8°C/W
Mais nous devons aussi utiliser la figure 8 du datasheet qui donne la résistance thermique transitoire
Tj=30+{0,16+0,2x(10+0,8)}.53,2=153,4°C
Remarque :
Pour des calculs plus précis (mais tout à fait inutiles dans la pratique), on devrait corriger les coefficients
qui avaient été calculés pour une température TJ de 50°C et refaire certaines estimations.