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LES TP

PAR
SIMULATION
NOMS :
1. Maria MEKLI
2. Djemai Narimane
3. Aouadj Mohcene
TP DIODE
Réalisez le montage suivant :

Remplir le tableau suivant et tracez la caractéristique I(V) :

E V I
(volts
)
1 0.6 99.84m
2 0.69 327.5m
3 0.738 565.5m
4 0.773 806.6
5 0.803 1.049
6 0.828 1.293
7 0.852 1.537
8 0.873 1.782
9 0.894 2.027
10 0.913 2.272

-5 - 4.999 -61.50n
-10 -9.999 -85.85n

L’équation VF(IF) : VF = 0.2496 IF + 0.455


II Réalisez le montage suivant, la self L figurant une self parasite due aux diverses
connexions.

Observez le courant de la diode qui devrait ressembler à ceci :

Quel est le temps de recouvrement observé ?


trr= 30ns

Est -il comparable aux 30ns donnés dans le datasheet ?


Oui, nous avons retrouvé la même valeur.
TP MOS
I. Mesure de la tension de seuil
Réalisez le montage suivant et fixez VDD=30V
1°) Placez le MOS IRF540

VGS (V) ID(A)


0,5 67.51µ
1 67.51µ
1,5 67.51µ
2 67.51µ
3 67.51µ
4 2.927
5 2.969
10 2.982
12 2.983
15 2.984

Quelle est la tension de seuil trouvée? Vth=


3.143V
2°) Puissance dissipée
On remplace la source VGG par une source de signal carré de fréquence 500Hz et
d’amplitude 0-20V.
Les évolutions du courant drain et de la tension drain :

Quel est le temps de crossover mesuré  tc= 100 ns


l’énergie dissipée à l’état ON  EON= 0.5*Vmax*Imax*tON=0.5*30*3*400*10^(-9)= 18µJ
l’énergie dissipée à l’état OFF  EOFF= 0.5*Vmax*Imax*tOFF=0.5*30*3*100*10^(-9)= 4.5µJ
II. On remplace le MOS par l’IGBT :
III. Mesure de la tension de seuil
Réalisez le montage suivant et fixez VDD=30V
1°) Placez le IGBT IRGPC20F

VGS (V) ID(A)


0,5 5.935µ
1 5.935µ
1,5 5.935µ
2 5.935µ
3 5.935µ
4 5.935µ
5 5.935µ
10 2.862
12 2.872
15 2.879

Quelle est la tension de seuil trouvée? Vth=


5.64V
2°) Puissance dissipée
On remplace la source VGG par une source de signal carré de fréquence 500Hz et
d’amplitude 0-20V. Les évolutions du courant drain et de la tension drain :

Quel est le temps de crossover mesuré  tc= 40 ns


l’énergie dissipée à l’état ON  EON= 0.5*Vmax*Imax*ton = 0.5*30*2.88*299*10^(-9)=12.91µJ
l’énergie dissipée à l’état OFF EOFF= 0.5*Vmax*Imax*tOFF=0.5*30*2.88*100*10^(-9)=4.32µJ
Comparez la dissipation de puissance des deux transistors.
le MOS IRF540 dissipe plus d’énergie à l’état ON que le IGBT IRGPC20F.
le MOS IRF540 et dissipe un peu plus d’énergie à l’état OFF que le IGBT IRGPC20F

TP THYRISTOR
I. Mesure de VGT
Réalisez le montage suivant et remplissez le tableau :

VG(V) IG(mA) IA(A) VA(V)


0.5 3.572 6.355µ 100
1 19.09 1.986 0.719
1.5 44.89 1.986 0.719
2 77.59 1.986 0.719
2.5 110.7 1.986 0.719
3 144 1.986 0.719

Quelle est la tension d’amorçage ? VGT=0.642V


II. Variateur de vitesse

1. Le fonctionnement de ce variateur de vitesse :


A chaque fois que le curseur de R3 change, la densité du courant injecté dans la gâchette du
thyristor varie, et donc, l’angle d’amorçage également. Et cela va faire changer délivrée au moteur,
et donc sa vitesse.
2. Le rôle de L et de C1 : un filtre
L : inductance pour protéger contre les (di/dt)
C1 : condensateur pour protéger contre les (dv/dt)
3. Pour chacune des les trois positions extrêmes de R3 (au milieu, à gauche, à droite) :
a) Indiquez l’angle d’amorçage du thyristor,
b) Relevez la tension et le courant moteur sur les graphes suivants :

Curseur de R3 à gauche (R3+R4 en série)

Curseur de R3 à droite (R2+R3 en série)


Curseur de R3 au milieu

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