Vous êtes sur la page 1sur 4

TP

PAR
SIMULATION

Mohcene Aouadj Djemai Narimane Maria Mekli

TP DIODE
Réalisation du montage :
Les résultats sont représentés dans le tableau ci-dessous :

E V(v) I(A)

1 0.601 0.1

2 0.678 0.331

3 0.72 0.57

4 0.753 0.812

5 0.782 1.055

6 0.807 1.298

7 0.831 1.542

8 0.854 1.787

9 0.875 2.031

10 0.896 2.276 L’équation : VF=0.4154IF+0.2986

-5 -5 -1.015E-06

-10 -10 -2.001E-06

2- Résultat de la simulation :

Le trr est de : 100 ns, il est supérieur au 30 ns mentionner sr le datasheet comme trr.

TP MOS/IGBT
MOS IRF540
1-Mesure de la tension de seuil :

1.1 On place le ….
VGS(V 0.5 1 1.5 2 3 4 5 10 12 15
)
ID(A) 0.043 0.043 0.043 0.043 0.043 1.865 2.977 2.985 2.985 2.985
m m m m m m

La tension de seuil trouvée es de : 4 V


2-La puissance dissipée :
Le temps de crossover trouvée : 20 µs
L’énergie dissipée à l’état OnP=Rdson . Id 2 = 0.055*(
L’énergie dissipée à l’état OFF:

IGBT IRGC20F
1-Mesure de la tension de seuil :

VGS(V 0.5 1 1.5 2 3 4 5 10 12 15


)
ID(A) 6.834 6.821 6.818 6.784 6.771 6.737 6.66µ 2.848 2.856 2.861
µ µ µ µ µ µ

La tension de seuil trouvée es de : 10V


2-La puissance dissipée :
Le temps de crossover trouvée :
L’énergie dissipée à l’état On :
L’énergie dissipée à l’état OFF:

TP Thyristor
VG(V) IG(mA) IA(A) VA(A)
0.5 3840 1.984 0.806
1
1.5
2
2.5
3