GELE5223 Chapitre5 PDF

GELE5223 Chapitre 5 :
Circuits actifs
Gabriel Cormier, Ph.D.
Université de Moncton
Automne 2010
Gabriel Cormier (UdeM) GELE5223 Chapitre 5 Automne 2010 1 / 76

Introduction
Contenu
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Bruit

Introduction
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Bruit
Gamme dynamique

Introduction
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Bruit
Gamme dynamique
Amplificateurs hyperfréquences

Introduction
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Bruit
Gamme dynamique
Gain

Introduction
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Bruit
Gamme dynamique
Gain
Stabilité

Introduction
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Bruit
Gamme dynamique
Gain
Stabilité
Design

Bruit
Effet indésirable qui affecte la performance des circuits

hyperfréquences.
Réduit l’efficacité d’un système à détecter un signal.
Provient de plusieurs sources : agitation thermique des électrons,
rayonnement cosmique, etc.

Bruit
On veut vérifier combien de bruit est ajouté par notre système.

Plancher de bruit : puissance de bruit à l’entrée d’un système.
Pour détecter un signal, sa puissance doit être plus grande que le
plancher de bruit + un certain SNR.

Types de bruit
Bruit thermique : bruit causé par des vibrations d’atomes ou

d’électrons.
Shot noise : bruit causé par des variations aléatoires des porteurs de
charge.
Flicker noise : bruit causé par des fluctuations des conducteurs.
Proportionnel à 1/f .

Bruit thermique
Bruit thermique
Un corps noir, à une température T , produit une puissance de bruit
Pn = kT B
où k = 1.38 × 10−23 J/K (constante de Boltzmann) et B est la

largeur de bande.
Température de bruit : température d’une composante qui
produirait la même quantité de bruit.
Le bruit thermique a une densité spectrale constante selon la
fréquence : c’est un bruit blanc gaussien.

Bruit thermique
Bruit thermique
Pn = kT B
Selon l’équation précédente,

Si B → 0, Pn → 0. Des systèmes à faible largeur de bande ramassent
moins de bruit.
Si T → 0, Pn → 0. Des systèmes à très faible température génèrent
moins de bruit.
Si B → ∞, Pn → ∞. Ceci est faux ; l’équation précédente est une
simplification d’une équation plus complexe.
Les résistances sont les sources les plus communes de bruit thermique.

Bruit thermique
Bruit thermique
Si une composante (ex : résistance) génère du bruit blanc, on

modélise ceci par une source ayant une température de bruit Te .
Ps
Te =
kB
où Ps est la puissance du bruit généré par la composante.
On utilise typiquement une résistance comme modèle de la source de
bruit.

Bruit thermique
Bruit thermique : modèle de résistance
Modèle : source de tension et résistance

Puissance fournie par la source à la
R
charge :
√ + vn2 4kT R
vn = 4kT R RL Pn = = = kT [W/Hz]
− 4R 4R
quand R = RL .
La puissance totale est obtenue en multipliant par la largeur de bande.

Bruit thermique Exemple
Bruit thermique : exemple
Calculer la puissance de bruit d’un système ayant une largeur de bande de

1Hz à une température de 290K.
Pn = kT B = (1.38 × 10−23 )(290)(1)

= (−228.6 + 24.6 + 0) dBW/Hz
= −204.0 dBW/Hz
= −174.0 dBm/Hz
Ce chiffre (-174 dBm/Hz) représente le plancher de bruit d’un système

ayant une largeur de bande de 1Hz.

Bruit thermique Exemple
Bruit thermique : exemple
Calculer la puissance de bruit d’un système ayant une largeur de bande de

200kHz à une température de 290K.
Pf = −174 + 10 log(200 × 103 ) = −121 dBm

Bruit thermique SNR
Rapport signal-à-bruit (SNR)
Le SNR est définit selon :

S
SN R =
plancher de bruit
où S est la puissance du signal.
Pour détecter correctement un signal, on doit avoir un SNR de 7dB à
17dB typiquement, selon le type de système et la modulation utilisée
(QPSK, etc).

Bruit thermique Mesure de Te
Mesure de Te
On utilise une méthode appelée Y-factor (T1 > T2 ) :
Source 1 (T1 )
Applique T1 et T2
G, B, Te P1 , P2
Mesure P1 et P2
Source 2 (T2 )
On obtient Te selon :
P1 T1 − Y T2
Y = Te =
P2 Y −1

Bruit thermique Figure de bruit
Figure de bruit
Autre méthode pour caractériser le bruit.

Mesure de la dégradation du SNR dans un système.
SN Ri
F = ≥1
SN Ro
Dans certains manuels, F est le facteur de bruit, et la figure de bruit
N F est 10 log(F ).

Figure de bruit
Par définition, l’IEEE a adopté que le bruit d’entrée Ni d’un système

est Ni = kT0 B, où T0 = 290K.
La figure de bruit d’un système est calculée selon :
Te
F =1+
T0

Figure de bruit : composants passifs
Pour un composant passif (ayant des pertes), on définit un coefficient

de pertes :
1
L= >1
G
La figure de bruit est :
T
F = 1 + (L − 1)
T0
où T est la température ambiante.
De façon générale, F = L.

Figure de bruit : systèmes en cascade
Soit des systèmes en cascade, ayant chacun un gain et une figure de bruit.
G1 , F1 G2 , F2 G3 , F3
La figure de bruit totale est :

F2 − 1 F3 − 1
Ft = F1 + + + ···
G1 G1 G2
Le premier composant est critique.

Figure de bruit : exemple

Calculer la figure de bruit.
Filtre
passe-bas
Câble L = 2dB Ampli 1 Ampli 2

L = 3dB G = 15dB G = 20dB
F = 1.0dB F = 2.0dB
On suppose que T = T0 , donc F = L. La figure de bruit totale est :

1.58 − 1 1.26 − 1 1.58 − 1
Ft = 2.0 + + +
0.5 (0.5)(0.63) (0.5)(0.63)(31.6)
= 4.04 = 6.06 dB

Figure de bruit : exemple 2

Le même système dans une configuration différente.
Filtre
passe-bas
Ampli 1 Ampli 2 Câble L = 2dB

G = 15dB G = 20dB L = 3dB
F = 1.0dB F = 2.0dB
La figure de bruit totale est :

1.58 − 1 2.0 − 1 1.58 − 1
Ft = 1.26 + + +
31.6 (31.6)(100) (31.6)(100)(0.5)
= 1.28 = 1.07 dB

Bruit thermique Gamme dynamique
Gamme dynamique
Les systèmes réels ne sont pas toujours linéaires : ils sont seulement
linéaires pour une gamme d’entrées.
Ex : un ampli a un gain de 10dB ; pour une entrée de -15dBm, la sortie
sera -5dBm. Mais une entrée de +15dBm ne donnera pas
nécessairement +25dBm à la sortie.
Gamme dynamique : plage d’entrées où la sortie est proportionnelle
à l’entrée.

Gamme dynamique
Le point où un amplificateur cesse de fonctionner de façon linéaire est

définit comme suit :
P1dB est le point où il y a 1dB de différence entre la sortie réelle et la
sortie idéale.
Le signal minimum détectable (MDS) est :
MDS = Pf + F + SNRmin
où Pf est le plancher de bruit.

Gamme dynamique = P1dB − MDS

Gamme dynamique
Pout
Ampli idéal
1dB
Saturation
Gamme P1dB
dynamique
MDS
Plancher de bruit
Pin

Bruit thermique Intermodulation
Distorsion d’intermodulation
Distorsion d’intermodulation : Autre mesure de linéarité d’un

système. C’est une indication de l’effet des harmoniques.
Point d’intermodulation d’ordre 3 (IP3) : la puissance à laquelle la
fondamentale et les produits de 3e ordre sont égaux.

Produits d’intermodulation
De façon générale, les harmoniques croissent selon leur ordre : pour

1dB d’augmentation de la fondamentale, les produits de 2e ordre
augmentent de 2dB, les produits de 3e ordre de 3dB, etc.
Il ne faut pas opérer un système à une puissance trop élevée : les
harmoniques risquent de dominer et causer de la distorsion du signal.

Si deux signaux de fréquence similaire f1 et f2 sont appliqués à un

système, il y aura modulation : des composantes apparaı̂tront à DC,
f1 , f2 , 2f1 , 2f2 , 2f1 − f2 , 2f2 − f1 , etc.
Les composants à 2f1 − f2 et 2f2 − f1 sont très près de la
fondamentale et ne peuvent pas être filtrés.
On utilise ces composants pour déterminer le IP3.

Pout
OIP3 Ampli idéal
Saturation IIP 3 = P1 + 0.5(P1 − P3 )

P1
OIP 3 = IIP 3 + G
P3
P1dB = IIP 3 − 9.66dB
MDS
Plancher de bruit
Pin
IIP3

IIP3 : exemple
Soit un amplificateur à 2GHz ayant un gain de 10dB. On applique 2

signaux de puissance égale à l’entrée : un à 2.0GHz, et l’autre à 2.01GHz.
À la sortie, on mesure 4 fréquences : 1.99GHz (-70dBm), 2.0GHz
(-20dBm), 2.01GHz (-20dBm) et 2.02GHz (-70dBm). Calculer IIP3 et
P1dB .
Les 2 signaux utiles sont ceux à 1.99GHz et 2.02GHz (2f1 − f2 = 1.99GHz

et 2f2 − f1 = 2.02GHz).
Alors,
P1 = Po − G = −20 − 10 = −30 dBm

IIP 3 = P1 + 0.5(P1 − P3 ) = −30 + 0.5(−20 + 70) = −5 dBm
P1dB = IIP 3 − 9.66 = −14.66 dBm

IIP3 et P1dB de systèmes en cascade
On doit transformer les IIP3 de chaque composant à l’entrée, et prendre le

plus faible.
Filtre
X
passe-bas
Mélangeur
L = 3dB Câble Ampli (LNA) G = 10dB
L = 1dB G = 13dB F = 12dB
F = 2.5dB IIP 3 = 0dBm
IIP 3 = −5dBm
IIP3 du système
IIP3 du LNA à l’entrée est : −5 + 1 + 3 = −1dBm
IIP3 du mélangeur à l’entrée est : 0 − 13 + 1 + 3 = −9dBm

Amplificateurs
Partie II
Amplificateurs

Amplificateurs
Amplificateurs
Les premiers amplificateurs hyperfréquences utilisaient des tubes ou

des klystrons.
Maintenant, les télécommunications sont basées sur des circuits
intégrés, dont les amplificateurs à base de transistors.
Les plus populaires : FET sur GaAs, transistors bipolaires, ou HEMT
(transistors à haute mobilité d’électrons).
On peut se servir de transistors pour amplifier des signaux jusqu’à
environ 10GHz (bipolaire) et 100GHz (FET). On a même réussi à
faire opérer un FET à 1THz (mars 2004).

Amplificateurs
Transistors hyperfréquences
Dans l’analyse de circuits à transistors, on utilise les paramètres S au

lieu de considérer le comportement physique.
On verra rapidement les modèles des différents transistors, mais la
partie importante est les paramètres S.
Généralement, on mesure les paramètres S des transistors.

Amplificateurs
Transistors hyperfréquences
f FET GaAs HEMT GaAs Bipolaire Si HBT GaAs

GHz Gain Fmin Gain Fmin Gain Fmin Gain Fmin
4 20 0.5 – – 15 2.5 – –
8 16 0.7 – – 9 4.5 – –
12 12 1.0 22 0.5 6 8.0 20 4.0
18 8 1.2 16 0.9 – – 16 –
36 – – 12 1.7 – – 10 –
60 – – 8 2.6 – – 7 –
Note : Données de 2004

Modèles de transistors
FET
Modèle petit-signal d’un FET :

Paramètres typiques :
Cgd
Grille Drain Ri = 7Ω
Ri Rds = 400Ω
Rds
+
gm Vc Cds Cgs = 0.3 pF
Vc Cgs Cds = 0.12 pF
−
Source Cgd = 0.01 pF
gm = 40 mS
Cgd est très faible : c’est le seul paramètre qui détermine S12 .
Si on ignore Cgd , alors S12 = 0, et le transistor est dit unilatéral.

FET
Modèle petit-signal d’un FET :

Cgd
Grille Drain
Fréquence à laquelle le gain du
Ri Rds transistor est 1 (0dB) :
gm Vc Cds
+ gm
Vc Cgs fT =
− 2πCgs
Source

Transistor bipolaire
Modèle petit-signal d’un transistor bipolaire :

Paramètres typiques :
Cc
Grille Drain
Rb = 7Ω
Rb
+ Rπ = 110Ω
Rπ Cπ Vc g m Vc gm
− Cπ = 18 pF fT =
2πCπ
Cc = 18 pF
Source
gm = 900 mS
Cc est trop grand pour que le transistor soit unilatéral.
gM élevé : meilleur gain à basses fréquences.
Parasites élevés : gain faible à haute fréquences.

Gain
Gain d’un système à 2 ports
Soit un réseau à 2 ports :
Zs
Système
Vs à 2 ports ZL
[S], Z0
Γs Γin Γout ΓL
On peut démontrer que :

S12 S21 ΓL S12 S21 ΓS
Γin = S11 + Γout = S22 +
1 − S22 ΓL 1 − S11 ΓS

Gain
On peut définir 3 gains :

Gain G = PL /Pin : rapport entre la puissance dissipée dans la charge
et la puissance délivrée à l’entrée du réseau.
Gain disponible GA = Pavn /Pavs : rapport entre la puissance
disponible du réseau sur la puissance disponible à la source.
Gain transducteur GT = PL /Pavs : rapport entre la puissance
disponible à la charge sur la puissance disponible à la source.
La différence entre ces gains dépend du type d’adaptation entre la charge
et la source. Le gain maximum se produit lorsque la source et la charge
sont adaptées ; dans ce cas, G = GT = GA .

Gain
Les gains sont :
|S21 |2 (1 − |ΓL |2 )
G=
(1 − |Γin |2 )|1 − S22 ΓL |2
|S21 |2 (1 − |ΓS |2 )
GA =
(1 − |Γout |2 )|1 − S11 ΓS |2
|S21 |2 (1 − |ΓS |2 )(1 − |ΓL |2 )
GT =
|1 − ΓS Γin |2 |1 − S22 ΓL |2
Si le transistor est unilatéral,
|S21 |2 (1 − |ΓS |2 )(1 − |ΓL |2 )

GT =
|1 − S11 ΓS |2 |1 − S22 ΓL |2

Gain
Amplificateur à 1 étage
Modèle d’un amplificateur à 1 étage :

Zs
Réseau Réseau
d’adaptation Transistor d’adaptation
Vs ZL
à l’entrée [S], G0 à la sortie
GS GL
Γs Γin Γout ΓL
Trois gains :
1 − |ΓS |2 1 − |ΓL |2
GS = G0 = |S21 |2 GL =
|1 − Γin ΓS |2 |1 − S22 ΓL |2
Si le transistor est unilatéral, Γin = S11 et Γout = S22 .

Stabilité
Stabilité
On ne peut pas considérer l’amplificateur et ses réseaux d’adaptation

séparément.
Des réflexions à l’entrée peuvent être amplifiées et réfléchies à
nouveau vers l’entrée, ce qui produirait S11 > 1 : le circuit oscille.
Pour certaines combinaisons de charge, S12 et S11 , l’amplificateur
peut osciller tout seul.
Un circuit instable implique que l’impédance à l’entrée ou la charge a
une partie réelle négative : |Γin | > 1 ou |Γout | > 1.

Stabilité
Stabilité
On définit 2 types de stabilité :

Stabilité inconditionnelle : Le circuit est stable pour toutes les
combinaisons de charge et source. |Γin | < 1 et |Γout | < 1
Stabilité conditionnelle : Le circuit est stable seulement pour
certaines valeurs de charge ou de source. On appelle aussi cet état
potentiellement instable.
La stabilité d’un circuit est fonction de la fréquence.

Stabilité
Stabilité
Lors du design d’un amplificateur, il faut s’assurer que le circuit est

stable pour toutes les fréquences.
Ceci peut être difficile pratiquement ; on s’assure qu’il soit impossible
que la combinaison de charges qui rend le circuit instable puisse exister.
Qu’arrive-t’il si un circuit est instable à une fréquence autre que celle
du design ?
Il est possible que le circuit ne fonctionne pas du tout, ou qu’il oscille à
une autre fréquence.

Stabilité
Stabilité
Les 2 critères à satisfaire sont :

S12 S21 ΓL S12 S21 ΓS
|Γin | = S11 +
<1 et |Γout | = S22 +
<1
1 − S22 ΓL 1 − S11 ΓS
Ce sont des équations qui décrivent des cercles sur l’abaque de Smith : on
définit des cercles de stabilité à l’entrée et la sortie.
Pour un circuit unilatéral, la condition est :
|Γin | = |S11 | < 1 et |Γout | = |S22 | < 1

Stabilité
Cercle de stabilité : sortie
Les cercles sont définis selon :

j1 1
(S22 − ∆S11 ∗ )∗
cL
cL =
rL
|S |2 − |∆|2
22
j0.33 j3 S12 S21
rL =

|S22 |2 − |∆|2
r=0 r = 0.33 r=1 r=3 1
∆ = S11 S22 − S12 S21
-1 0
où cL est le centre du cercle, et rL
est le rayon.
−j0.33 −j3
−j1 -1

Stabilité
Cercle de stabilité : sortie
Si |S11 | < 1, Si |S11 | > 1,

Γ = 0 ⇒ j1 1
cL
Γ = 0 ⇒ j1 1
cL
stable instable
rL rL
Zone Zone
Stable Instable
j0.33 j3 j0.33 j3
r=0 r = 0.33 r=1 r=3 1 r=0 r = 0.33 r=1 r=3 1

-1 0 -1 0
−j0.33 −j3 −j0.33 −j3
−j1 -1 −j1 -1

Stabilité
Cercle de stabilité
On peut faire la même analyse pour les cercles de stabilité à l’entrée.

On inverse S11 et S22 .
∗ )∗

(S11 − ∆S22 S12 S21
cS = rS =
|S11 |2 − |∆|2 |S11 |2 − |∆|2
On peut dessiner les cercles de stabilité à l’entrée sur l’abaque de

Smith. On doit distinguer les 2 cas où |S22 | < 1 et |S22 | > 1.

Stabilité
Critère de stabilité
On peut définir des critère de stabilité comme suit :

Inconditionnellement stable :
||cL | − rL | > 1 si |S11 | < 1

||cS | − rS | > 1 si |S22 | < 1
Si |S11 | > 1 ou |S22 | > 1, le circuit ne peut pas être

inconditionnellement stable.

Stabilité
Critère de stabilité (2)
Un autre critère qui permet de vérifier la stabilité sans tracer les

cercles sur l’abaque de Smith est le suivant : un circuit est stable
selon deux paramètres k et b1 , si k > 1 et b1 > 0.
1 − |S11 |2 − |S22 |2 + |∆|2

k=
2|S12 S21 |
b1 = 1 + |S11 |2 − |S22 |2 − |∆|2

Stabilité
Critère de stabilité (3)
Un troisième critère de stabilité a été développé en 1992 :
1 − |S11 |2
µ= ∗ ∆| + |S S |
|S22 − S11 21 12
Pour qu’un système soit stable, il faut que µ > 1. De plus, plus µ est
grand, plus le système est stable.
Ce critère devient de plus en plus populaire.

Stabilité
Amélioration de la stabilité
Comment améliorer la stabilité ?

On peut seulement donner des directives générales, puisque chaque
circuit est différent.
De façon générale, il faut réduire le gain pour augmenter la stabilité,
ce qui implique un certain compromis à faire.

Stabilité
Courbe typique de µ d’un transistor non stabilisé.
1.4
1.2
0.8
µ
0.6
0.4
0.2
0
0 10 20 30 40 50 60 70
Fréquence (GHz)

Stabilité
On utilise une résistance en série ou en parallèle à l’entrée et/ou à la

sortie pour stabiliser le transistor.
Si les cercles de stabilité sont du côté des faibles résistances, on utilise
une résistance en série.
Si les cercles de stabilité sont du côté des hautes résistances, on utilise
une résistance en parallèle.
Généralement, il est suffisant de stabiliser à l’entrée. Cependant, ceci
augmente le bruit de l’amplificateur. Stabiliser à la sortie aura moins
d’impact sur le bruit.

Stabilité
Exemple :
j1 1
cL
Ajouter une résistance en
rL série dont la valeur est
déterminée par le cercle qui
j0.33 j3
est tangent au cercle de
stabilité, ou
r=0 r = 0.33 r=1 r=3 1 Ajouter une résistance en
-1 0 parallèle, déterminée par le
cercle de conductance qui est
tangent.
−j0.33 −j3
−j1 -1

Stabilité
Comment réduire l’effet des résistances sur le gain ?

Résistances en série : On ajoute un condensateur en parallèle, qui
produit une faible impédance à la fréquence d’intérêt.
Résistances en parallèle : On ajoute un condensateur entre la
résistance et GND, ce qui empêche le DC de s’échapper par cette
résistance. Le condensateur doit avoir une faible impédance à la
fréquence d’intérêt.

Stabilité
Ajouter une inductance à la source du transistor :

Utiliser une inductance
Utiliser une ligne de transmission terminée par un court-circuit
ou

Stabilité
Ex : Microphotographie d’un mélangeur à 38.9GHz
FET
Résistance de
700Ω pour
stabilisation
100µm

Design
Design d’amplificateurs
Il y a trois types de design :

Design pour un gain maximum : l’adaptation est faite au conjugué
des charges, pour un transfert maximal de puissance.
Design pour un gain spécifique : l’adaptation est faite à un gain
plus faible que le maximum, pour améliorer la largeur de bande.
Design pour faible bruit : l’adaptation est faite pour minimiser le
bruit ; on réduit le bruit au dépend du gain.

Design Design pour gain maximum
Design pour gain maximum
Puisque le gain G0 d’un transistor est fixe, les deux gains GS et GL

sont les 2 paramètres à optimiser.
Le transfert maximal de puissance se produit lorsque Γin = Γ∗S et
Γout = Γ∗L .
On utilise les équations des pages 36 et 38 pour faire le design.

Design pour gain maximum
On peut démontrer que les coefficients de réflexion à l’entrée et à la sortie

doivent être :
p p
B1 ± B12 − 4|C1 |2 B2 ± B22 − 4|C2 |2
ΓS = ΓL =
2C1 2C2
où
2
B1 = 1 + |S11 | − |S22 |2 − |∆|2
2
B2 = 1 + |S22 | − |S11 |2 − |∆|2
∗
C1 = S11 − ∆S22
∗
C2 = S22 − ∆S11

Design pour gain maximum : unilatéral
Si le transistor est unilatéral,

∗ ∗
ΓS = S11 ΓL = S22
Le gain maximum est :

1 1
GT Umax = |S21 |2
1 − |S | | {z } 1 − |S |2
2
| {z 11 } G0 | {z 22 }
GS GL

Design Design pour un gain spécifique
Design pour un gain spécifique
On trace des cercles de gain constant sur l’abaque de Smith.

Ces cercles permettent d’obtenir le gain voulu et les coefficients de
réflexion (à l’entrée et la sortie) pour obtenir ce gain.
On ne fait pas l’adaptation à Z0 ; on le fait à d’autres valeurs qui
donnent un gain plus faible.
On considère le cas unilatéral seulement.

Design pour un gain spécifique
Les gains maximums des réseaux à l’entrée et à la sortie sont :

1 1
GSmax = et GLmax =
1 − |S11 |2 1 − |S22 |2
ce sont le gain supplémentaire obtenu si les impédances d’entrée et de

sortie sont bien adaptées.
À l’aide de ces équations, on peut tracer des cercles sur l’abaque de
Smith.

Cercles de gain
On calcule les centres selon :

j1 1 ∗
gS S11
G1 > G2 cS =
1 − (1 − gS )|S11 |2
cmax √
j0.33 j3 1 − gS (1 − |S11 |2 )
G1 rS =
1 − (1 − gS )|S11 |2
G2
GS
r=0 r = 0.33 r=1 r=3 1 gS =
-1 0
GSmax
où cS est le centre du cercle de

−j0.33 −j3
gain (entrée) et rS est le rayon.
La partie variable est gS .
−j1 -1

Cercles de gain
On peut faire la même chose pour les cercles de gain à la sortie. On

remplace S11 par S22 .
Les centres de ces cercles sont tous sur une ligne droite qui débute au
∗ ou S ∗ .
centre de l’abaque et qui passe par S11 22
On peut aussi démontrer que le cercle de 0dB (GS = 1 ou GL = 1)
passe toujours par le centre de l’abaque.
Lorsque le gain est maximum, le rayon est 0.

Design Design pour bruit minimum
Design pour bruit minimum
Comme le design à gain spécifique, si on veut faire un design avec un

bruit minimum, il faut faire certains compromis.
La procédure de design pour bruit minimum est la même que celle
pour un gain spécifique : on trace des cercles de bruit sur l’abaque de
Smith.
Un amplificateur à faible bruit (LNA) est typiquement le premier
composant d’un système de communication hyperfréquences.

Design pour bruit minimum
La figure de bruit d’un amplificateur est :
4Rn |ΓS − Γopt |2

F = Fmin +
Z0 (1 − |ΓS |2 )|1 + Γopt |2
où Fmin , Γopt et Rn sont des paramètres fournis par le manufacturier.

Ce sont les paramètres de bruit du transistor.
À l’aide de cette équation, on peut tracer des cercles de bruit, où la
figure de bruit est constante.

Cercles de bruit
On calcule les centres selon :

j1 1
Γopt
F2 > F1 cF =
N +1
Γopt p
j0.33 j3 N (N + 1 − |Γopt |2 )
F1 rF =
N +1
F2
(F − Fmin )Z0
r=0 r = 0.33 r=1 r=3 1 N= |1 + Γopt |2
4Rn
-1 0
où cF est le centre du cercle de

bruit et rF est le rayon. La partie
−j0.33 −j3
variable est F .
−j1 -1

Linéarité
Amélioration de la linéarité :
Ajouter de l’inductance à la source du transistor
Ajouter une résistance de feedback entre le drain et la grille
Ajoute du bruit
Réduit le gain

Polarisation des transistors
La polarisation des transistors lors de l’utilisation à très haute

fréquences est un peu différente des techniques habituelles.
Il faut faire attention pour que le signal d’entrée ne se propage pas le
long du circuit de polarisation et demeure plutôt dans le bon chemin.
Le point d’opération du transistor affecte aussi le bruit, la puissance
et le courant.

Le point d’opération affecte le comportement du transistor.

VGS = 0 De façon générale :
IDSS
0.9IDSS I : faible bruit, faible
II puissance
II : faible bruit, puissance
moyenne
0.5IDSS
III III : haute puissance
IV : haut rendement
0.15IDSS
I IV
0.5 1 1.5 2 2.5

VDS (V)

Les circuits de polarisation doivent présenter une faible impédance à

DC et une haute impédance aux fréquences d’opération.
On a aussi besoin de condensateurs de blocage pour éviter que le DC
se propage dans le reste du circuit.
Deux méthodes principales :
Inductance en série avec la source,
Ligne de transmission λ/4 terminée par un condensateur.

Option 1 : inductance
Inductance :
impédance nulle +
à DC, et haute VD
−
impédance à f
Condensateur :
bloque DC
Cependant, parfois difficile d’utiliser des inductances à hautes fréquences.

Option 2 : ligne λ/4

a
Au point a, c’est presque un
+
VD
court-circuit à f .
λ/4 −
Au point b, la ligne transforme
b
le court-circuit à un circuit
Condensateur :
ouvert.
bloque DC
À basses fréquences, la ligne peut être trop longue ; mais plus la fréquence
augmente, plus la ligne devient courte.

Polarisation
Ex : Microphotographie d’un mélangeur à 38.9GHz
FET
Ligne de 90˚ à
38.9GHz
Condensateur
de 5pF : 0.8Ω à
38.9GHz
DC appliqué ici
100µm

Conclusion
Conclusion
Les points clés de ce chapitre sont :

Figure de bruit, IIP3, P1dB .
Gain et stabilité des transistors.
Méthodes de design d’amplificateurs.
Polarisation des transistors.

Problèmes suggérés
Problèmes suggérés
Dans le manuel de Pozar :

10.1, 10.5, 10.6, 11.1, 11.3, 11.11
Et aussi les exemples du PDF.

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Gabriel Cormier, Ph.D.

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Gabriel Cormier (UdeM) GELE5223 Chapitre 5 Automne 2010 2 / 76

Effet indésirable qui affecte la performance des circuits

Gabriel Cormier (UdeM) GELE5223 Chapitre 5 Automne 2010 3 / 76

On veut vérifier combien de bruit est ajouté par notre système.

Gabriel Cormier (UdeM) GELE5223 Chapitre 5 Automne 2010 4 / 76

Bruit thermique : bruit causé par des vibrations d’atomes ou

Gabriel Cormier (UdeM) GELE5223 Chapitre 5 Automne 2010 5 / 76

Un corps noir, à une température T , produit une puissance de bruit

où k = 1.38 × 10−23 J/K (constante de Boltzmann) et B est la

Gabriel Cormier (UdeM) GELE5223 Chapitre 5 Automne 2010 6 / 76

Selon l’équation précédente,

Gabriel Cormier (UdeM) GELE5223 Chapitre 5 Automne 2010 7 / 76

Si une composante (ex : résistance) génère du bruit blanc, on

Gabriel Cormier (UdeM) GELE5223 Chapitre 5 Automne 2010 8 / 76

Bruit thermique : modèle de résistance

Modèle : source de tension et résistance

Gabriel Cormier (UdeM) GELE5223 Chapitre 5 Automne 2010 9 / 76

Bruit thermique : exemple

Calculer la puissance de bruit d’un système ayant une largeur de bande de

Pn = kT B = (1.38 × 10−23 )(290)(1)

Ce chiffre (-174 dBm/Hz) représente le plancher de bruit d’un système

Gabriel Cormier (UdeM) GELE5223 Chapitre 5 Automne 2010 10 / 76

Bruit thermique : exemple

Calculer la puissance de bruit d’un système ayant une largeur de bande de

Pf = −174 + 10 log(200 × 103 ) = −121 dBm

Gabriel Cormier (UdeM) GELE5223 Chapitre 5 Automne 2010 11 / 76

Rapport signal-à-bruit (SNR)

Le SNR est définit selon :

Gabriel Cormier (UdeM) GELE5223 Chapitre 5 Automne 2010 12 / 76

On utilise une méthode appelée Y-factor (T1 > T2 ) :

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Autre méthode pour caractériser le bruit.

Gabriel Cormier (UdeM) GELE5223 Chapitre 5 Automne 2010 14 / 76

Par définition, l’IEEE a adopté que le bruit d’entrée Ni d’un système

Gabriel Cormier (UdeM) GELE5223 Chapitre 5 Automne 2010 15 / 76

Figure de bruit : composants passifs

Pour un composant passif (ayant des pertes), on définit un coefficient

Gabriel Cormier (UdeM) GELE5223 Chapitre 5 Automne 2010 16 / 76

Figure de bruit : systèmes en cascade

La figure de bruit totale est :

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Figure de bruit : exemple

Câble L = 2dB Ampli 1 Ampli 2

On suppose que T = T0 , donc F = L. La figure de bruit totale est :

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Figure de bruit : exemple 2

Ampli 1 Ampli 2 Câble L = 2dB

La figure de bruit totale est :

Gabriel Cormier (UdeM) GELE5223 Chapitre 5 Automne 2010 19 / 76

Gabriel Cormier (UdeM) GELE5223 Chapitre 5 Automne 2010 20 / 76

Le point où un amplificateur cesse de fonctionner de façon linéaire est

où Pf est le plancher de bruit.

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