Fonctions et composants

élémentaires de l ’électronique
Le transistor bipolaire
 Le transistor bipolaire
• Constitution-symbole
• Caractéristiques – Fonctionnement
• Utilisation – Modes de fonctionnement
• Modélisation
• Caractéristiques constructeur
• Choix d’un transistor
• Applications
 Constitution- Symbole
NPN PNP
COLLECTEUR COLLECTEUR

N P

BASE P BASE N
N P

EMETTEUR
EMETTEUR

COLLECTEUR COLLECTEUR

BASE
BASE

EMETTEUR
EMETTEUR
 Caractéristiques - Fonctionnement
• Caractéristiques d’entrée IB=f(VBE)
• Caractéristiques de Transfert IC=f(IB)
• Caractéristiques de sortie IC=f(VCE)
• Résumé – réseau de caractéristiques
Caractéristiques d’entrée IB=f(VBE)
Schéma de principe Caractéristique d’entrée
IC IB(µA)
IB
VCE

VBE

Evolution temporelle des signaux

VBE(V)

IB(µA)

VBE(V)
 Caractéristiques de Transfert
IC=f(IB)
Schéma de principe Caractéristique de transfert
IC IC(mA)
IB
VCE

VBE

Evolution temporelle des signaux

VBE(V)

IB(µA) IC(mA)

IB(µA)
Caractéristiques de sortie IC=f(VCE)
Evolution temporelle des signaux
Schéma de principe
VCE(V)
IC
IBo
VCE

VBEo IC(mA)

Caractéristique de sortie
IC(mA)
IB(µA)
IB1> IBo
IB1
IBo IBo

VBEo VBE(V)
VBE1
VCE(V)
Réseau de caractéristiques
IC(mA)

IB3> IB2

IB2> IB1
À VCE= constante
IB1> IB0

IB0>0

IB=0

IB(µA) VCE(V)

À VCE= constante

VBE(V)
 Utilisation – Mode de
fonctionnement
• Fonctionnement statique
• Fonctionnement dynamique
 Fonctionnement statique
On parle de fonctionnement statique quand
toutes les grandeurs (courants et tensions)
sont des grandeurs continues, c’est-à-dire
qui ne varient pas dans le temps.

On les notera en MAJUSCULE.

 Fonctionnement statique
Caractéristique d’entrée
RB IBo

IB(µA)
VP VBEo

Point de
fonctionnement
Circuit d’attaque VP
RB
Le point de fonctionnement est IBo
imposé par le circuit d’attaque. On
peut le déterminer graphiquement en
traçant la droite d’attaque,
d’équation: 1 V
I B = − VBE + P
RB RB

Généralement, VP est connue et il

faut choisir RB pour fixer IB0. VBEo VBE(V)
 Fonctionnement statique
Caractéristique de transfert
IC0 IC(mA)

RC

RB IBo VCC

VP IC0

IB0 étant fixé, on en déduit IC0 par:

IC0 = b IB0
Ce qui est vrai si on autorise
IB0
l’existence d’un courant IC => un IB(µA)

circuit de charge
 Fonctionnement statique
Caractéristique de sortie
IC0
IC(mA)
RC VCC
RC
RB IBo VCC
IBo
IC0
VP

VCE0 VCC VCE(V)

La valeur de VCE0 est fixée par VCC

et RC, et peut être déterminée
graphiquement en traçant la droite
de charge d’équation:
1 V
I C = − VCE + CC
RC RC
La droite de charge passe
forcément par IC0.
En pratique, VCC est
généralement connue, on choisit
alors RC pour fixer IC0 et VCE0.
 Fonctionnement statique
• VP et RB fixe le courant IB0.
• VCC et RC fixe la tension VCE0.

C’est ce qu’on appelle POLARISER le

transistor.
 Montages de polarisation
VCC VCC VCC
VCC VCC VCC

VCC

VCC R1 RC
E1 RC RC
RB
RB
E1
Q1
E1 Q1
R2
Q1

Montage à Montage à Montage à

résistance de base contre réaction pont de base
collecteur base
 Fonctionnement dynamique
On parle de fonctionnement dynamique
quand toutes les grandeurs (courants et
tensions) sont des grandeurs variables
dans le temps.
On les notera en MINUSCULE.
Généralement l’étude se fait en régime
sinusoïdal, autour du point de
polarisation.
 Fonctionnement dynamique
• Généralement l’étude se fait en régime
sinusoïdal, autour du point de polarisation,
c’est-à-dire pour VP+v(t).
• v(t)=V.sin(2pft)
ve(t)
VP
VP+V
t VP-V
v(t)
V
t
-V t
 Fonctionnement dynamique
Caractéristique d’entrée
RB IBo

v(t) IB(µA)
ve(t) VP VBEo
VP + V
RB
B
Circuit d’attaque
Lorsque v(t) varie de –V à +V, ve(t) IBo
VP − V
varie de VP-V à VP+V. La droite RB
d’attaque se déplace alors dans le
A
plan (IB,VBE) et le point de
fonctionnement se déplace entre les
points A et B au rythme (à la
fréquence) de v(t).
VBEo VBE(V)
 Fonctionnement dynamique
IB(µA) IB(µA)

IBo

t VBEo VBE(V)

Le signal variable v(t) conduit à une

variation de VBE et IB entre les point A et B. VBE(V)

t
 Fonctionnement dynamique
L’exploitation de la caractéristique de transfert permet de la même façon de
déterminer les variations du courant IC autour de IC0.

IC(mA)
IC(µA)

ICM

IC0

ICm

t IB0 IB(µA)

t
 Fonctionnement dynamique
D’après le schéma, lorsque IC varie, la IC
tension au bornes de la résistance de
polarisation RC varie également et par RC

conséquent la tension VCE aussi. RB VCC

Graphiquement, la variation de IB autour v(t)

de IB0 se traduit par le balayage de ve(t) VP
toutes les caractéristiques de sortie
(translation) correspondant aux
différentes valeurs de IB parcourues.
IC(mA)
On retrouve alors les même variations VCC
RC
de IC entre ICm et ICm qu’avec la
caractéristique de transfert. On retrouve ICM IBo
IC0
également la variation de la tension VCE ICm
entre:
VCEm = VCC-RCICM
VCE0 VCC VCE(V)
VCEm VCEM
VCEM = VCC-RCICm
 Fonctionnement dynamique
IC(mA) IC(mA)

IB3> IB2

IB2> IB1

À VCE= constante IB1> IB0

IB0>0

IB=0

IB(µA) VCE(V)

À VCE= constante

Dans ce cas le fonctionnement

VBE(V)
est linéaire.
 Fonctionnement dynamique
IC(mA) IC(mA)

ICSAT IB3> IB2

IB2> IB1

IB1> IB0

IB0>0
Mais que se passe t-il si on IB=0
augmente l’amplitude du signal v(t)? VCE(V)
IB(µA) VCESAT

Saturation

VBE(V)
Blocage
 Modélisation
• En fonctionnement linéaire
• En commutation
 Modélisation
iB
IB(µA) IB(µA)

IBo Mo
vBE

A
On va raisonner sur la caractéristique d’entrée. Puis on
En fonctionnement
utilisera la même linéaire les autres
méthode pour modéliser
caractéristiques.

t VBEo VBE(V)

VBE(V)

t
 Modélisation
iB
La caractéristique ib=f(vBE) est une droite. Elle
traduit donc une relation du type:
vBE = h11 . ib
Où h11 à la dimension d’une résistance et
correspond à l’inverse du coefficient directeur de
diB vBE la droite (dérivé autour du point de
fonctionnement).
dvBE
h11 =
diB Mo
Ce qui se traduit par le schéma
dvBE électrique équivalent suivant:
B iB

vBE h11

E
 Modélisation
En exploitant l’ensemble du réseau de caractéristique du transistor, on aboutit
au schéma équivalent en régime sinusoïdal:

B iB iC=h11*iB C

vBE h11 vCE

1/h22

E
dvBE diC
h11 = h21 =
diB Mo
diB Mo

1 dv
= CE
h22 diC Mo
 Modélisation
En commutation
C
Au blocage, on a:
IB= 0 et IC = 0 quelque soit VCE. Le transistor est
donc équivalent à un interrupteur ouvert entre
collecteur et émetteur. E

A la Saturation, on a: C

IC = ICSAT<bIB et VCE= VCESAT0. Le transistor est

donc équivalent à un circuit fermé entre
collecteur et émetteur.
E
 Caractéristiques constructeurs
• Valeurs limites
• Caractéristiques statiques
• Caractéristiques dynamiques
 Caractéristiques constructeurs
Valeurs limites de fonctionnements
IC(mA)
ICM: Courant collecteur maximum
admissible.

VCEoM: Tension collecteur-émetteur

maximale admissible à l’état
bloqué.

PTOT: Puissance maximale IB(µA) VCE(V)

consommée par le transistor.
Ptot = VCEM*ICM

VBE(V)
 Caractéristiques constructeurs
Valeurs limites de fonctionnements
VCBoM: Tension collecteur-base maximale admissible à l’état bloqué.

VBEoM: Tension négative base-émetteur maximale admissible à l’état

bloqué.

TJ: Température maximum de la jonction en fonctionnement. Fortement

lié à la puissance consommée par le transistor.
 Caractéristiques constructeurs
Caractéristiques Statiques
VCEsat: Tension collecteur-émetteur minimale existant quand le transistor
est saturé.
VBEsat: Tension base-émetteur minimale existant quand le transistor est
saturé.
IEB0: Courant résiduel maximum parcourant la jonction base émetteur à
l’état bloqué.
ICB0: Courant résiduel maximum parcourant la jonction collecteur base à
l’état bloqué. Ce courant varie énormément avec la température.

hFE: Gain en courant (b) du transistor en régime linéaire.

 Caractéristiques constructeurs
Caractéristiques Dynamiques
En régime de fonctionnement linéaire

CBC0: Capacité parasite entre la base et le collecteur (de l’ordre de

10pF). A prendre en compte en HF. b
fT:Fréquence de transition. Le gain hFE
en courant chute en fonction de la
fréquence. On note fT la fréquence
pour laquelle b=1.
1 f
fT
 Caractéristiques constructeurs
Caractéristiques Dynamiques
En régime de commutation
IB
Switching caractéristiques

td: Delay time: temps de retard t

entre l’application d’un courant Ib IC td ts
et le début de variation de IC.
100%
tr: Rise time: temps de montée du 90%
courant IC.
ton: Switch on time: temps de 10%
saturation du transistor. 0%
tf t
tr
ts: stockage time: temps de retard
entre l’annulation d’un courant IB ton toff
et le début de variation de IC.

tf: Fall time: temps de descente du toff: Switch off time: temps de
courant IC. blocage du transistor.
 Choix d’un transistor
Commutation Linéaire

Limites d’emploi ICM ICM

VCEoM VCEM
VBEoM VBE0M
TJ TJ
Ptot Ptot
Performances ton hFE
toff fT
Défauts et dérives VCEsat h21=f(Ic)
ICB0 VBE =f(T°)
CBCo CBCo en HF
 Applications
• En fonctionnement linéaire:
Amplification, oscillateur, multiplieur, à la
base de tous les circuits intégrés
analogiques (AOps, Multiplieur, etc.)
• En commutation:
Amplificateur de courant ( à la base de tous
les circuits logiques TTL), pilotage de
moteur pas à pas, de LED, etc.