Vous êtes sur la page 1sur 20

LE THYRISTOR

Images (google) de divers types de thyristors

Qu’est ce qu’un thyristor ?


« Un thyristor est un interrupteur électronique semi-conducteur à l'état solide constitué de quatre couches, alternativement
dopées N et P. C'est un des composants essentiels de l'électronique de puissance. Il tire son nom du grec « thura » qui signifie porte
et du suffixe « istor » qui provient du mot transistor » (Wikipedia).

Avant de voir le thyristor, je ferai une petite introduction de manière à fixer quelques idées.

I. COMPOSANTS « SPECIAUX »
1°) La jonction PNPN
La figure 1 montre une structure PNPN qui, dans le cas de figure ne conduira pas car la jonction du milieu J2 est
polarisée en inverse. Mais si la
tension appliquée dépasse la
tension de claquage de J2 toute
la structure passe en conduction
sous avalanche, comme le
montre la caractéristique I(V) de
cette jonction.

Figure 1
Jonction PNPN

La tension de claquage étant très élevée (plusieurs centaines de volts), ce composant n’a pratiquement pas
d’applications. On s’est aperçu (figure 2) que le fait d’injecter un courant dans la jonction bloquée abaissait nettement
la valeur de la tension de
claquage. Mieux encore, il
suffit d’une impulsion de ce
courant pour faire rentrer
toute la structure en régime
d’avalanche : on obtient le
thyristor que nous étudierons
plus loin.

Figure 2
Jonction PNPN
1
2°) Le transistor unijonction et le transistor unijonction programmable
a) Le transistor unijonction

Le transistor unijonction (UJT : Unijunction Transistor) est un composant qui a disparu !


Pourquoi alors en parler ? Parce qu’il a été remplacé (peut-être dans les années 70) par un composant quasiment
identique du point de vue fonctions mais avec de meilleures performances, le transistor unijonction programmable
(PUT : Programmable Unijunction Transistor). Mais pour comprendre le problème, il est préférable d’en parler
rapidement.
Comme son nom l’indique, le transistor unijonction ne possède qu’une seule jonction et présente une
caractéristique avec une résistance négative (figure 3).

Figure 3
Transistor unijonction

On voit sur la figure le barreau de silicium de type N faiblement dopé avec au milieu une région de type P fortement
dopée qui est l'émetteur (il existe aussi des types P, plus rares). Les deux autres extrémités s’appellent bases B1 et B2.
On obtient la caractéristique VE(IE) de façon classique en appliquant une tension variable VEE.
rb1
On voit que VM =VBB tant que VM>VE (la diode D est bloquée). Comme (rb1+rb2) valent plusieurs kΩ (faible
rb1 +rb2
dopage), il n’y a pratiquement pas de courant qui les traverse, sauf un faible courant de fuite.
Lorsque VE>VM , D conduit et un phénomène d’avalanche se produit qui fait que le barreau devient très conducteur
et on obtient donc la caractéristique de la figure.
rb1
On appelle η= rapport intrinsèque de l’UJT. Il varie entre 0,4 et 0,8. On peut admettre que la tension de
rb1 +rb2
pic (à partir de laquelle se produit cette avalanche) vaut Vp=ηVBB+0,6 (0,6=seuil de la diode)
Son schéma d’application de base (figure 4) montre qu’il est capable à lui tout seul, avec si peu de composants, de
générer trois type de signaux différents : voilà pourquoi il était si utile (on peut même enlever la résistance R1 qui ne
sert qu’à limiter le courant).
L’impulsion sur la base B1 est souvent utilisée
pour déclencher les thyristors et triacs.
Ses inconvénients (qui sont à l’origine de sa
disparition) sont, entre autres, que la tension
maximum qu’il supporte est relativement faible
(une vingtaine de volts), que ses impulsions ne sont
pas très énergiques,

Figure 4
Générateur de signaux à UJT
2
b) L’UJT programmable

Le transistor unijonction programmable qui a donc détrôné l’UJT est aussi une structure PNPN avec une gâchette
mais contrairement au thyristor, cette gâchette est disposée dans la zone N mitoyenne de l’anode (figure 5)

Figure 5
Constitution et symbole du PUT
Il fonctionne tout à fait de la même façon que l’UJT « normal » et on a aussi Vpic=ηVBB+VD mais ici, le rapport
R2
intrinsèque vaut η= , R1 et R2 étant extérieures ce qui fait qu’on peut « programmer » les caractéristiques
R1 +R 2
de cet UJT.

On s’aperçoit aussi que les impulsions qu’il délivre sont suffisamment énergiques pour déclencher la plupart des
thyristors ou autres dispositifs. Les tensions qu’il supporte sont bien plus élevées que celles supportées par l’UJT. En
annexe, vous trouverez un sheet du 2N6027 qui est un PUT.

La figure 6 montre le schéma d’utilisation classique du PUT

Figure 6
Schéma classique d’utilisation du PUT

Tant que la tension aux bornes de la capacité (qui se charge à travers R avec la constante de temps RC) n’a pas
atteint Vpic, le PUT est bloqué. Tout de suite après que la tension aux bornes de C atteint Vpic (qu’on programme
avec les résistances R1 et R2), le PUT s’allume et génère une impulsion sur sa cathode.

Nous allons certainement rencontrer l’UJT au cours de nos travaux.

3
II. LE THYRISTOR
1°) Principe de fonctionnement
On a donc constaté qu’une jonction PNPN (3
diodes en série) était toujours bloquée mais qu’elle
devenait conductrice en injectant un courant dans
une zone P (explications en séance) : c’est le
principe du thyristor. La figure 7 montre sa
constitution schématique, son symbole et sa
caractéristique I(V) :

Figure 7
Principe du thyristor

Notez que le thyristor est connu sous le nom de « SCR » pour « Silicon Controlled Rectifier », (redresseur au
Silicium contrôlé). Nous verrons bientôt pourquoi.
Un thyristor peut être vu comme une association de deux transistors (figure 8) . Le courant sera alors estimé par:

α2IG +IC01 +IC02


IA =
1-(α1 +α2 )

Figure 8
Modèle simplifié du thyristor

4
2°) Amorçage et blocage d’un thyristor (figure 9)
• Pour mettre en conduction (amorcer) un thyristor, il y a deux conditions principales :
- Il faut que la ddp entre son anode et sa cathode VAK soit supérieure à sa tension de
seuil : VAK >Vth
Il faut que le courant de gâchette IG soit supérieur au courant d’amorçage IGT (avec
un courant anode supérieur à une valeur dite « latching current »)
• Pour arrêter un thyristor, il faut
- ou bien que la ddp entre son anode et sa cathode VAK soit inférieure à sa tension de
seuil : VAK <Vth
Figure 9
- ou bien que le courant anode soit inférieur au courant de maintien Ih (dite « hold
current) IAK<Ih
-
Exemple de caractéristiques (voir caractéristiques détaillées en annexe)

2°) Commande du thyristor


Un thyristor se commande donc par une simple impulsion car une fois amorcé (avec VAK <Vth), il ne s’arrêtera
que si son courant tombe au-dessous du courant de maintien Ih.
C’est cette propriété qui fait que les principales applications du thyristor sont dans le redressement et c’est
d’ailleurs ce qui lui vaut son nom anglais :SCR, Silicon Controlled Rectifier. Le grand principe apparait à la figure 10.

Figure 10
Commande du thyristor

5
Exercice : Redresseur commandé

Le montage de la figure 11 qui utilise un thyristor supposé idéal est un redresseur commandé mono alternance.
Le thyristor est excité par des impulsions avec un angle de retard α=30°. Quelle est l’expression de la tension de
sortie vs ?

Figure 11
Redresseur commandé
Réponse :
1 T V 230 2
vs = 
T α
(Vmsinωt)dωt= m (1+cosα)=
2π 2
(1  cos(30°))=96,6V

On voit bien qu’en changeant l’angle de conduction, on pourra commander la valeur moyenne de la tension de
sortie. (D’où donc l’appellation « SCR »).

3°) Caractéristique du gate


La caractéristique VGK(IG) est précisée par le constructeur (figure 12). Le point de fonctionnement du circuit gate
devra se situer dans la zone verte : au dessous de VGmin, le thyristor ne s’amorce pas et au dessus de VGmax, il est
détruit (aussi simple que ça. Vérifiez donc les caractéristiques).

Figure 12
Commande du gate
Plus la tension VGK et le courant IG sont grands, plus tON sera petit (plus vite s’allumera le thyristor) mais le
constructeur indique les limites à ne pas dépasser (voir data sheet).

6
Courant « d’accrochage1 » (latching current)
Le tON d’un thyristor est défini comme le temps qui correspond à 10% du courant gate produisant 90% du courant
anode.
Dans la pratique, l’impulsion sur le gate devra être maintenue jusqu’à ce que le courant anode s’établisse et
dépasse une valeur dite latching current (courant d’accrochage ?). Au-delà, maintenir l’impulsion est mauvais car elle
ne sert qu’à dissiper de la puissance inutile dans le gate.

Exercice : Soit un thyristor chargé par une self de 50mH (r=5Ω ) et alimenté par une tension continue de 100V (figure
13). Quelle est la durée PW de l’impulsion à appliquer pour allumer ce thyristor qui a un latching current de
IL=50 mA ?
Réponse :
On sait que le courant i obéit approximativement à di donc
r
L +ri=E
E -L t dt
i(t)= e
r La variation du courant r
di(t) E - L t (« slew rate »)
est = e
dt L
Elle est linéaire autour de zéro  di(t)  E
 dt  = L
t=0

iL E L
Donc on peut admettre que = soit PW=i L
PW L E

50.10-3
Figure 13 Ainsi, on a PW=50.10-3 =25µs
100

4°) Désamorçage d’un thyristor


Une fois amorcé, un thyristor restera en conduction tant que le potentiel de son anode est supérieur à celui de
sa cathode et que son courant est supérieur à son courant de maintien (hold current).
Pour diverses raisons, on pourrait être amené à arrêter le thyristor. En AC, l’arrêt est automatique au passage à
zéro de la tension. En DC, il existe plusieurs manières pour le faire . La figure 14 montre quelques exemples :

Figure 14
Blocage d’un thyristor

1
Ce que j’ai traduit par « courant d’accrochage », en anglais dans les datasheet « latching current » est la valeur minimale du
courant dans le thyristor qui permet sa mise en conduction. Le « holding current» donné dans les caractéristiques, traduit par
« courant de maintien » est la valeur minimale du courant du thyristor qui le garde en conduction lorsqu’il n’y a pas de courant
gate.
7
• En (a), on éteint le thyristor soit en ouvrant K (le courant thyristor s’annule donc devient plus petit que
le hold current) ou en fermant K en (b) (la tension VAK s’annule donc devient plus petite que VAKth). Le
grand inconvénient est que les interrupteurs devront supporter le courant du thyristor (qui peut
atteindre des centaines d’Ampères !).
• En (c) l’interrupteur K de la figure (b) est remplacé par un transistor.
• En (d), l’ouverture de K va faire baisser le courant au-dessous de la valeur de maintien
• En (e) , la tension inverse du condensateur sera appliquée au thyristor à la fermeture de K ce qui rendra
VA<VK et le bloquera.

En fait, et même en « alternatif » (dans les hacheurs, les onduleurs,…), le courant dans le thyristor ne s’annule pas
et on est obligé d’ajouter des dispositifs qui vont annuler le courant en inversant la tension aux bornes du thyristor
comme le fait le circuit de la figure 14e.
La figure 15 montre un exemple de dispositif de blocage qui fonctionne en faisant osciller le circuit lC ce qui va
appliquer une tension négative au thyristor principal et l’arrêter.

Figure 15
Hacheur de Jones

D’autres schémas existent (un exemple est en figure 17) mais une solution à ce problème a été amenée par un
thyristor spécial dit à blocage par la gachette : le GTO (Gate Turn Off) que nous verrons par la suite.

Figure 16
Blocage d’un thyristor

On bloque TH1 en amorçant TH2 ce qui applique une tension négative sur l’anode se TH1 et le bloque.

8
5°) Protection des thyristors
Les thyristors doivent être protégés contre les di/dt et les dv/dt.

Il ne faut pas que dans un montage, on ait un dv/dt ou un (di/dt) supérieurs à ceux spécifiés par le constructeur :

Exemple de spécifications:

Type
5STF 23H2040 2000 V (dIT/dt)cr Critical rate of rise of on-state current IT = ITAVm, half 800 A/µs
de ABB 2322 A sine waveform, f = 50 Hz, VD = 2/3 VDRM, tr = 0.3 µs,
IGT = 2 A
dVD/dt Critical rate of rise of off-state voltage VD = 2/3 VDRM 1000 V/µs
BTW69-1200 1200V dv/dt VD=69,7%VDRM, Gate open Min 1000 V/µs
de ST 50A

VWO 140-12io1;
Thyristor type
VWO 140-14io1; VWO 140-16io1

Manufacturer IXYS

Three Phase AC Controlled


Thyristor kind
Modules

Max. repetitive off-state peak voltage, V VDRM , VRRM 1200, 1400, 1600

Max. on-state RMS current (for 85ºC), A IT (RMS) 101 (per phase)

Max. average on-state current, A IT (AV) 46

Peak, 1/2 cycle surge current, A ITSM 1040

Max. peak forward on-state voltage, V VTM 1.5

Max. required DC gate current, mA IGT 100

Max. off-state leakage current, mA IDRM , IRRM 5

Critical rate of rise off-state voltage, V/µs dV/dt 1000


Critical rate of rise on-state current, A/µs
dI/dt 150
Max. holding current (gate open), mA
IH 200
Max. latching current, mA
IL
450
Turn-On time, µs tgd
2
Turn-Off time, µs tq
150
Max. junction operating temperature, ºC Tj
125

9
On protège donc les thyristors contre les (di/dt) avec une self et contre les (dv/dt) par une capacité comme nous
l’avons déjà vu dans le calc des BJT.

Figure 17
Protection pour un thyristor (snubber)

(explication du di/dt : Quand le thyristor commence à conduire, le courant commence à se concentrer dans une
zone limitée à proximité du gate ce qui risque d’endommager le composant)

On montre que pour se prémunir de ce phénomène, il faut insérer une self dont la valeur est donnée par
l’expression :
Vp
L> L en µH, (di/dt) donné par le constructeur en A/µs, Vp tension de pic
(di/dt)max

Pour la protection contre les dv/dt, on place un dipôle ρϒ dimensionné comme suit :

VDRM VDRM
> 
R L (dv/dt)max (di/dt)max

La diode en parallèle sur la résistance ρ augmente l’efficacité du snubber : lorsque (dv/dt) est important, la diode
court-circuite ρ et quand (di/dt) est important, cette diode est déconnectée.

Notez que beaucoup d’utilisateurs utilisent la formule suivante pour déterminer les valeurs de ρ et de ϒ :
dv Vp Vp
=0,632 Avec ρ= Idec étant le courant de décharge du condensateur
dt ργ Idec
Exercice : Dans le circuit suivant qui utilise un thyristor avec un (di/dt) de 50A/µs, trouvez la valeur de la self L à utiliser
pour ne pas endommager le thyristor.

Réponse :

VDRM 500
L> = =10µH
(di/dt)max 50

Figure 18

10
6°) Association des thyristors
Comme pour les autres dispositifs, on peut être amené à associer des thyristors soit pour augmenter une tenue en
tension, soit pour commander des courants plus importants. Un exemple est dans la figure suivante :

Figure 19
Association de thyristors

7°) Les différentes familles de thyristors


Notre thyristor a une famille nombreuse ! Elle est même trop nombreuse pour qu’on puisse entrer dans ses détails.
Voici cités en vrac les membres de cette tribu :

1. Anode Gate Thyristor (AGT) : un thyristor dont la gâchette est connectée à la couche dopée N près de
l'anode.
2. Thyristor asymétrique , Asymmetrical SCR (ASCR).
3. Bidirectional Control Thyristor (BCT) : un composant de commutation contenant deux structures de
thyristors avec deux gâchettes séparées.
4. Breakover Diode (BOD) : un thyristor sans gâchette s'amorçant uniquement grâce à l'effet d'avalanche.

• Diac : deux thyristors en tête-bêche sans gâchette servant à amorcer les Triac (vu plus loin).
• Dynistor : dispositif unidirectionnel servant à l'amorçage.
• Diode Shockley : thyristor sans gâchette
• Sidac : composant de commutation bidirectionnel.
• Trisil , Sidactor : composant de protection bidirectionnel.

5. Thyristor GTO (GTO) : thyristor commandé par la gâchette à la fermeture et à l'ouverture.


6. Thyristor ETO (ETO) : thyristor commandé à la fermeture et à l'ouverture grâce à un MOSFET.
7. Integrated gate-commutated thyristor (en) (IGCT) : thyristor commandé à la fermeture et à l'ouverture (un
GTO qui ne nécessite pas de calc)
8. Distributed Buffer – gate turn-off thyristor (DB-GTO) : thyristor commandé à la fermeture et à l'ouverture.
9. Modified anode gate turn-off thyristor (MA-GTO) : GTO modifié.

11
10. Thyristor à commande optique : thyristor amorcé grâce à la lumière.
Les thyristors amorcés optiquement utilisent la lumière en lieu et place du courant pour activer la gâchette.
Cette dernière est alors placée au centre du thyristor. Le faisceau lumineux, en général des infrarouges, est
transmis grâce à une fibre optique. Cette solution est utilisée dans les applications très haute tension,
typiquement les HVDC, pour ne pas avoir à placer l'électronique de la gâchette au potentiel des thyristors .
11. Thyristor MCT : thyristor avec deux MOSFET intégrés.
12. Silicon Controlled Switch (SCS) ou Thyristor Tetrode : un thyristor avec une gâchette pour l'anode et une
pour la cathode.
13. Thyristor à induction statique (SITh) aussi appelé Field Controlled Thyristor : thyristor dont la gâchette est
conçue afin de pouvoir interrompre le courant venant de l'anode.
14. Thyristor à conduction inverse:
Un thyristor à conduction inverse possède une diode intégrée montée tête-bêche par rapport au thyristor . Cela
permet d'économiser une diode de roue libre dans certains circuits. Par ailleurs, les deux éléments ne conduisant
jamais simultanément, un système de refroidissement commun peut être employé. Ils sont souvent utilisés dans les
onduleurs et les changeurs de fréquence.
15. Thyristor au carbure de silicium :
Le carbure de silicium (SiC) est un matériau pouvant remplacer le silicium dans la construction des thyristors. Il a
l'avantage de supporter des températures ambiantes allant jusqu'à 350 °C. Leur utilisation est relativement récente.
16. Triac (Triode for Alternating Current) : deux thyristors montés en tête-bêche avec gâchette commune. On le verra
plus loin.
17. ACS et ACST.
Ce sont des interrupteurs (AC switch) qui ont été développés spécialement pour des applications domestiques et
commandables par signaux logiques. Ils sont protégés contre les surtensions de manière interne. Ci-dessous les
caractéristiques limites de composants proposés par ST

Figure 20
Les switch AC de ST
18. Ignitors :
Ce sont des dispositifs intégrés qui génèrent une THT utilisée dans les starters pour tubes à néon par exemple ou dans
l’allumage de fours à gaz en provoquant une étincelle par décharge capacitive. Ces dispositifs sont protégés par des
sortes de snubbers intégrés.

D’une façon générale, ces composants sont des dérivés intégrés de thyristors-MOS-
diodes… comme le montre l’ETO ci contre.

Figure 21

12
III. LE GTO (Thyristor commandable à l’extinction)

Le GTO (Gate Turn Off) est un thyristor qui peut être commandé de l'état off à l'état on par une impulsion de
courant brève appliquée sur la gâchette tout comme le SCR qu’on vient de voir mais le GTO peut en plus être
commandé de l'état on à l'état off par application d'une tension Gâchette-Cathode négative, créant un fort courant
négatif de gâchette. Ce fort courant négatif de gâchette doit seulement être maintenu pendant quelques
microsecondes (le temps de commutation on-off).

La chute de tension à l'état on (2 à 3V) aux bornes d'un GTO est supérieure à celle d'un thyristor classique. Les
temps de commutation pour un GTO sont de l'ordre de quelques microsecondes. De par leur capacité à supporter des
tensions importantes (supérieures à 4,5kV) et de forts courants (supérieurs à plusieurs kA), les thyristors GTO sont
utilisés dans les applications de très forte puissance, à des fréquences allant de quelques centaines de Hz à 10kHz.

Sa caractéristique et son symbole apparaissent à la figure 22

Un GTO est limité :


• En tension et courant maximums
(plusieurs kV et kA)
• en vitesse de croissance du courant à
la mise en conduction (dI/dt typique :
300A/µs),
• en vitesse de croissance de la tension
au blocage (dV/dt typique : 400V/µs),

Figure 22
Symbole et caractéristique I(V) du GTO

Le GTO pourrait être modélisé par le circuit de la figure 23 :

Figure 23
Modèle du GTO
13
Commande du GTO :
Un circuit de commande possible est le suivant :

Le GTO est allumé lorsque le transistor Q1 conduit et Q2


bloqué. C1 se charge. (La diode D2 pourrait être une zener
pour limiter sa tension).

Quand Q2 conduit, il bloque Q1 et décharge C1 ce qui génère


un courant négatif qui va éteindre le GTO.

Les impulsions de contrôle sont de polarité opposée.

Figure 24
Circuit de commande pour GTO

Les applications usuelles du GTO sont les onduleurs, redresseurs et hacheurs pour la vitesse variable et la
conversion d'énergie, mais également les FACTS (Flexible Alternating Current Transmission System).

IV. LE TRIAC ET LE DIAC


Le triac (de Triode Alternative Current) est l’équivalent de deux thyristors
montés tête bêche (figure 26 )

L’idée est partie du fait qu’un thyristor n’utilise qu’une seule alternance,
celle pour laquelle son anode est positive par rapport à sa cathode ce qui
fait qu’on perd la moitié de la puissance.

En plaçant un second thyristor de la manière indiquée sur la figure, on


pourra utiliser l’autre alternance2.

De là est donc venue le triac qui est l’intégration de ces deux thyristors
avec une gâchette unique (figure 25 )
Figure 25
Conduction double alternance

2
Pour les puissances élevées, le triac n’est pas adapté en raison des limites de ses caractéristiques et on utilise la configuration
« thyristors tête-bêche »
14
La figure 27 montre la constitution, le symbole et la caractéristique d’un triac. Ses électrodes principales ne sont
pas polarisées, on les nomme MT1 et MT2 (de mains terminal)

Figure 26

La commande du triac peut s’effectuer sur les 4 quadrants, c’est-à-dire qu’on peut appliquer une impulsion positive
ou négative que l’alternance soit positive ou négative cependant, le constructeur spécifie toujours la bonne méthode
(en général, ce sont les modes 1 et 3 qui sont privilégiés)

Figure 27
Mode de fonctionnement du triac

15
c) Le Diac
Le diac (de Diode Alternative Current) est un dipôle qui a pour caractéristique de passer en conduction dès que la
tension à ses bornes dépasse une certaine valeur (entre 28 et 36V). Son (dv/dt) est de l’ordre de 10V/ms.
Il est essentiellement utilisé comme élément déclencheur pour triac.

Figure 28
Le diac

Le montage classique de la paire diac-triac est le gradateur, très utilisé tant dans l’éclairage (« dimmer ») que dans
le petit électroménager et la commande de vitesse de petits moteurs alternatifs.

Le gradateur est un convertisseur alternatif-alternatif qui module la puissance d’une source (sinusoïdale en
général) et l’applique à une charge.

Dans le schéma de principe (figure 29 ci-dessous, à gauche), le triac est désamorcé durant la charge de la capacité
C. Lorsque la tension de celle-ci atteint la valeur de claquage du diac (vers 32V), le diac se court-circuite et cela envoie
une impulsion qui amorce le triac. Le schéma d’utilisation comporte un fusible, un potentiomètre pour le réglage de
la puissance et un filtre pour éliminer les nombreux parasites qui sont générés par ce système (comme d’ailleurs par
tous les systèmes qui fonctionnent par avalanche. Il ne sera pas possible par exemple d’entendre une radio à proximité
de ces dispositifs).

Figure 29
Le gradateur

16
C’est en raison de ce problème qu’on préfère souvent utiliser des gradateurs à train d’ondes dans lesquelles les
commutations s’effectuent au passage à zéro de la tension (ou du courant) ce qui évite la formation de parasites.
(à propose des trains d’ondes, notez qu’on utilise parfois des trains d’impulsions pour amorcer certains thyristors qui ont des
gâchettes « dures »)

Figure 30
Gradateur à train d’ondes

Quelques circuits intégrés ont été développés dans ce but, citons le TDA1023 de Phillips destiné à la régulation de
fours électriques (note d’applications APPCH6, p.546) ou le S576 de Siemens.

Figure 31
Gradateur à train d’ondes de Phillips

Nous verrons probablement en exercices d’autres applications des thyristors et triacs.

17
EXERCICES

EXERCICE 1 : Interrupteur électronique

Pour remplacer l’interrupteur


mécanique K qui commande l’ampoule
RL de résistance 10R (figure gauche), on
utilise le montage avec un thyristor
BTW69-1200 qui a pour caractéristiques
VDRM/VTRM=1200V, IT(RMS)=50A,
IGTmax=50mA
(caractéristiques détaillées en annexe)

1°) Quelle devra-être la valeur et la puissance de la résistance R ?


3°) Trouvez la valeur moyenne et la valeur efficace de la tension s aux bornes de la charge.
4°) Trouvez la puissance dissipée dans l’ampoule. Quel est l’inconvénient de montage ?

EXERCICE 2 : Soit le montage suivant rencontré à la figure 17 avec les valeurs suivantes : VCC=200V, R1=10Ω,
R2=100Ω, C=1µF. Le thyristor TH1 étant conducteur, on amorce le thyristor TH2 à l’instant t=0. Tracez la tension
vc(t).

18
EXERCICE 3 : Soit un thyristor qui a un latching current de 50 mA chargé par une self de 50mH (r=5Ω ) et alimenté
par une tension continue de 100V (figure 13). Quelle devra être la durée PW d’une impulsion à appliquer avec un
angle de retard de π/4 pour allumer ce thyristor?

EXERCICE 4 : Soit le circuit suivant alimenté par une tension sinusoïdale e=Esinωt (E=230√2 Volts, ω=100π rd/s)

Les thyristors sont excités avec un retard à l’amorçage α = 60°

a) Représentez la tension de sortie s(t) et le déphasage du


courant dans RL par rapport à la tension d’entrée e(t)
b) Montrez que la valeur efficace de s(t) dépend de l’angle α
c) Trouvez la puissance dissipée dans la résistance pour α=0,
α=45°, α=90°. Conclusion.

EXERCICE 5 : Le schéma suivant est celui d’un pont redresseur mixte qui alimente un circuit RL (qui pourrait être un
moteur DC).

1°) Trouvez la valeur de l’angle de retard


d’amorçage de commande des thyristors pour
obtenir une tension moyenne de sortie de 80V

2°) Représentez sur un même graphique la tension


secondaire du transformateur et vs(t).

19
EXERCICE 6 : Soit le gradateur suivant qui utilise un UJT du type 2N2646 (on prendra η=0,60) qui commande un
thyristor 2N6397.
1°) Tracez la tension au point A
2°) Calculez la valeur moyenne
de la tension précédente et
utilisez cette valeur pour
trouver la puissance délivrée à
la lampe.
3°) Quelle valeur donner à R2
pour délivrer une puissance de
75W ?

EXERCICE 7 : Mêmes questions que précédemment pour le gradateur ci-dessous qui utilise cette fois un PUT

EXERCICE 8 : Le schéma suivant est aussi celui d’un gradateur qui module l’éclairage d’une ampoule selon la position
du potentiomètre P. C’est ce schéma que vous trouvez dans les gradateurs (bas de gamme) des commerces.

1°) Redessinez ce
schéma avec un
filtre en amont
calé sur une
centaine de Hz
2°) Quelle est la
valeur de P qui
conduit à la demi-
puissance de la
lampe ?

20