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LES AMPLIFICATEURS ACCORDES

Un amplificateur accordé a pour but d'amplifier une bande étroite de fréquences réparties autour
d'une fréquence centrale f0.
Ce type d'amplificateurs trouve une large utilisation dans les étages intermédiaires des récepteurs de
radio, de radar, de télévision ainsi que dans de nombreux appareils de métrologie.

Pour comprendre l'intérêt de tels amplificateurs, rappelez-vous, ainsi que nous l'avons vu, que le
facteur de mérite d'un amplificateur est constant (produit gain-bande-passante). Si on voulait par
exemple amplifier 100 fois un signal à une fréquence de 1 MHz, avec un amplificateur « normal », il
faudra que cet amplificateur ait une bande passante minimale de 1 MHz et son facteur de mérite serait
de 108 ! Cela ne pourrait s'effectuer qu'avec une série d'étages, avec tous les problèmes d'adaptation,
de contre-réaction, etc... que cette structure implique. Par contre, un seul amplificateur accordé à 1 MHz
avec une bande passante de 10 kHz suffirait pour régler ce problème. Cet exemple illustre bien l'intérêt
de ce type d'amplificateurs et explique leur fréquent usage.

Aux basses fréquences (au-dessous de 100 kHz), il est difficile de construire des circuits oscillants avec
de faibles bandes passantes et on se tourne plutôt vers des réseaux RC. On parle alors
« d'amplificateurs sélectifs ». Le schéma le plus courant utilise un amplificateur avec un filtre « double
T » dans sa boucle de contre-réaction (figure 1). On réalise ainsi un réjecteur de bande dont la qualité
dépend essentiellement de celle du quadripôle de réaction.

Figure 1
Amplificateur sélectif et courbe de réponse

Exercice : L’amplificateur de cette figure utilisant un AO considéré comme idéal, tracez la réponse
harmonique de ce montage.

1
1°) Réseaux de couplage
Le réseau de couplage entre étages est constitué de circuits accordés LC du type que nous
connaissons. On peut rencontrer les 4 configurations de la figure 2 mais ce sont les deux premiers
types (a et b) qui sont essentiellement utilisés.

Figure 2

C'est dans les anciens schémas à base de tubes électroniques que les circuits utilisés étaient à double
accord.

a) Couplage parallèle-parallèle:

C'est pratiquement le mode de couplage que l'on rencontre le plus souvent. Le réseau de couplage est
constitué par un transformateur (k=1) accordé par un condensateur C (figure 3):

Figure 3

Le transformateur est défini par:


- son rapport de transformation n=n1 /n2 ,
- la valeur de l'inductance L mesurée au primaire.,
- la résistance d'amortissement rp de cette inductance.,
- la capacité parasite Cp .

Le schéma équivalent à la figure3sera alors celui de la figure 4 ci-dessous:

Figure 4

2
Vous remarquez que c'est le modèle en paramètres admittances qui a été utilisé pour le transistor et
non le modèle de Giacoletto. Nous supposons aussi, ce qui est justifié pour les transistors actuels et
ce, jusqu'à de très hautes fréquences, que la réaction interne du transistor est nulle.

C1
L'accord est réalisé lorsque L et C t  C  C2  Cp  résonnent sur la fréquence f0 c'est à dire
n2
1
lorsque 02 
LC t
1 1
Le coefficient de surtension de l'inductance L est alors: Q0  d 'où g p 
L0g p Q0 L0
Calculons l'affaiblissement composite de puissance entre la sortie du premier étage (g2) et l'entrée du
second (g1 /n2):,
2
i
- Puissance maximale fournie par le 1er étage: P1  0
4g 2
g1 2
i0
P2  n2
- Puissance reçue à l'entrée du second: 2
g1 1
g 2  g p  2  jC t  
n jL

L'affaiblissement composite est donné par le rapport P1/P2. A la fréquence d'accord, il vaudra:
2
 g 
 g 2  g p  12 
0  1  
P n 
P2 g
4 12 g 2
n

Déterminons la largeur de bande du réseau de couplage: c'est la différence des deux fréquences ω1
et ω2 auxquelles l'affaiblissement a doublé par rapport à α0:
g1   g  
(g 2  g p  )L0  2  0 et (g 2  g p  12 )L0  1  0
n 2
0 2 n 0 1

2 0 1 0 2(2  1 ) 
La largeur de bande étant étroite,    
0 2 0 1 0 0
g1 
On a donc (g 2  g p  )L0 
n 2
0
0
On définit le coefficient de surtension de l'étage par Q 
 2

2 g 
g1 
 2 n 2 
L'affaiblissement α0 s'exprime alors selon:    Q0  
 
 Q0  Q 
0
g
4g 2 12
n
g1
α0 est minimal si g 2  c'est à dire à l'égalité des résistances de source et de charge. Alors:
n2 2
 Q0 
 0min  
 Q0  Q 

3
b) Exemple:

Soit à réaliser un amplificateur accordé à 455 kHz (c'est la F.I de la radio) de largeur de bande totale
égale à 10 kHz (à 3dB). L'affaiblissement dû au réseau de couplage doit être inférieur à 3 dB.,
On donne comme caractéristiques pour les éléments utilisés:
β0=80; ge =(1/30)S; rp =110Ω; Cc =10µF; fα =13 MHz;

Les valeurs calculées correspondantes de g1 , g2 et du gain composite GC à l'adaptation sont:


g1 =1,54mS; g2 =0,72 mS; (GC )adap =392 (soit 26 dB) ,

2
 Q0 
L'affaiblissement  0min    3dB donne, avec Q=450/10=45, d'où Q0 = 155.
 Q0  Q 
g1
Le rapport de transformation à utiliser vaut n  1, 45
g2
La valeur de l'inductance à utiliser est alors:

Q0
1
1 Q 2, 4
L    3,5µH
Q00 g p Q  (g  g1 ) 4.450.10 .155.7.2.104
2

0 0 2
n2
Cette valeur, comme c'est souvent le cas, est trop faible pour être réalisée avec le coefficient de
surtension Q0 . On pourra prendre une inductance L1 plus élevée avec une prise intermédiaire (figure
5)
n1 nombre de spires entre A et B
n3 nombre de spires de L1
On a
n3 2
L1  L( )
n1

Figure 5

Nous allons donc dans notre cas réaliser un transformateur dont l'inductance primaire est de 380µH
avec un coefficient de surtension de 155. La valeur de 3,8 µH sera obtenue avec une prise au 1/10
du nombre total de spires.
1
La capacité totale d'accord est Ct   31nF
L02
Devant cette valeur, on peut négliger C2 , C1/n2 et Cp . Le condensateur C, ramené aux bornes de
l'inductance de 380 µH, aura pour capacité 310 pF environ.

Le gain composite total de l'étage amplificateur et du réseau de couplage est égal à 26-3=23 dB.,

La figure 6 donne le schéma de cet étage:

4
VCC

R1 R3
R2
C1

380µH

C2
TR2 310pF

Q1

TR1

Q2

R6 R7
R5 C4 C3
R4

Figure 6

c) Couplage parallèle-série:

Ce mode de couplage est utilisé lorsque le mode précédent (parallèle-parallèle) nécessite un rapport
de transformation n trop élevé. C'est le cas par exemple pour deux étages en base commune. Le
schéma de principe est celui de la figure 7.

Figure 7

Il n'y a aucune difficulté à adapter à ce cas les calculs précédents pour trouver la valeur de L et du
rapport de transformation à utiliser.

2°) Autres modes de liaison:


Lorsqu'on désire une meilleure sélectivité, la liaison par transformateur accordé est supérieure à une
liaison par circuit simple. Nous le savons déjà après notre cours sur le couplage magnétique. Il faudra
ici travailler au couplage critique.
Dans ce cas, la prise intermédiaire est rarement nécessaire.

5
3°) Autre exemple:
Soit à réaliser un amplificateur accordé
centré sur 455 kHz avec une bande passante
de 10 kHz en utilisant un transistor qui
possède pour caractéristiques:
gm=50mA/V, rb’e=3kΩ, Cb’e=1nF, Cb’c=10pF

Par ailleurs, ri =5kΩ et RL =1 kΩ, et on


supposera RC >>RL

Figure 8

On suppose aussi que la bobine possède un coefficient de surtension élevé, ce qui permet de remplacer
le dipôle (L, rS ) par son équivalent parallèle (L, r')
L 2
(rappelons que r '  rS ( )  rSQ2  LQ )
rS
De plus, en appliquant le théorème de Miller qui va ramener à l'entrée la capacité parasite Cb’c du
transistor, on aura le schéma équivalent suivant (figure 9) avec: C=C’+CL+Cb’e+(1+gmRL)Cb’c

Figure 9

Sont donc inconnues C+C' et L (avec sa résistance série r).


g m v b'e
Le gain en courant de cet amplificateur est Ai 
ie
En posant R=(ri //r'//rb’e ), on aura:

Rie g m R
v b'e  d 'où Ai 
1 1
1  jR(L  ) 1  jR(L  )
C C

g m R
ou encore, en introduisant le coefficient de surtension Q: Ai 
 
1  jQ(  0 )
0 
Le gain est maximal pour ω= ω0 1et vaut -gmR.
 0 2
La bande passante est donnée par l'équation 1  Q2 (  ) 2
0 
2 2
En appelant ∆ω= ω - ω0=πB (B étant la largeur de bande), l'équation précédente se réduira à Q( ) 1
0
car on suppose Q>>1 et ω + ω0≈2 ω0

6
0 1
On a alors B 
2Q 2RC

Pour revenir à l'exercice :


C=C’+CL+10-9+(1+0,05.103)10-12
0,85108
En remplaçant dans l'expression de B, on trouve: C
45,5
1
Il faut donc impérativement avoir Q > 45,5 Q
1
Choisissons Q=100: C'+CL =14100 pF et C=15600 pF, d'où L  7,8µH
C02
Q
et, avec r '  on tire r'=2,2 kΩ et alors R≈1 kΩ
C0
Le gain de l'étage est donc gm R = 50 à la fréquence de résonance.

Si on ne peut pas se procurer une inductance avec un coefficient de surtension suffisant, il faudra
passer par un transformateur pour adapter les impédances (c'est en fait un auto-transformateur
constitué par une bobine avec une prise intermédiaire, solution qui s'avère préférable dans la plupart
des cas).

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EXEMPLES

Amplificateur FI à 480 kHz


http://www.pascalchour.fr/index.htm

C’est l’amplificateur accordé type : il s’agit de l’amplificateur FI d’un récepteur superhétérodyne. Il serait accordé
sur la fréquence de 480kHz avec une bande passante de 5kHz

C6 = 240pF C7 = 10µF C8 = 10kpF C9 = 10kpF C10 = 240pF C11 = 10kpF C12 = 10kpF
C13 = 240pF C15 = 100µF/12 V C14 = 10kpF
R5 = 8,2kΩ R6 - 220kΩ R7 = 33OΩ R8 = 330Ω R9 = 820Ω R10 = 15kΩ R11 = 330Ω
R12 = 150Ω
TR2 et TR3 dont de vieux transistors au Ge (des SFT307) et la diode est une OA81

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Amplificateur cascode à fréquence intermédiaire
(http://bernard.decaestecker.free.fr/?p=2145)

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Exemple de système utilisant les amplis accordés : le récepteur radio
(http://home.nordnet.fr/fthobois/MRA-10.htm)

Les signaux captés par l'antenne apparaissent aux bornes de L1 et sont amplifiés par T0
avec collecteur accordé par L2 et L3 sur la fréquence reçue. ( ampli HF )
Le transistor T1 est le "mixer". Il reçoit sur sa base les signaux captés et l'oscillation
locale générée par le BC251 associé au quartz Qz. La FI 455 kHz est disponible sur le
collecteur de T1. Elle est amplifiée par T3 et T4 et filtrée par des bobines 455 kHz, FI1 à
FI4.
Enfin une détection en négatif par 0A90 fournit en S le signal BF utile et une tension
négative de CAG ajustant le gain de T0 et T3 selon le niveau HF capté. Remarquer la 0A90 sur
L1 ajoutée pour reculer le seuil de saturation.

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