Ecole Nationale de Carthage A.

U 2020/2021

1ère Année Ingénieurs en Génie Informatique

Travaux dirigés de physique des semi-conducteurs

Série n°3 (jonctions)

Exercice 1
On considère une jonction PN d’un SC dans laquelle le profil de dopage vari linéairement (pente a) avec
la distance x comme l’indique la figure ci-dessous. Le contact métallurgique (position qui sépare la zone
N de la zone P) est choisi pour origine de l’axe des x. on note xd la largeur de la zone de déplétion et φ0 le
potentiel de diffusion de la jonction.
1/ déterminer la densité des charges ρ(x) dans la zone de charge
d’espace (ZCE)
2/ écrire l’équation de Poisson et déterminer le champ électrique en
fonction de x (le champ électrique doit être nul dans les régions
neutres)
3/ déterminer l’expression du potentiel φ(x) (on prendra φ(x=0)=0)
4/ déduire la largeur de la ZCE, xd, en fonction de φ0 puis donner son
expression pour une polarisation directe ou inverse, vapp, de la
jonction
5/ déterminer la capacité de la jonction polarisée et déduire son
expression à polarisation nulle

Exercice 2
Dans tout le problème on fera l’hypothèse de complète déplétion.
On considère une diode à jonction Si-N+/Si-P dont les caractéristiques sont résumées dans le tableau
suivant
Type Epaisseur Dopage (Cm-3) minoritaires
N XN=0,1 m 5.1019 30 ns
P Xp=0,05 m 1018 0,3 s

On rappelle les équations de dérive-diffusion

 et 
et
Dans la zone de charge d’espace, le terme G-R est de la forme ni/2. On donne ni=1010cm-3.

I- Diode non polarisée

1) Expliquer comment se forme une zone de charge d’espace au niveau de la jonction N+P et comment
s’établit un champ électrique, préciser le sens de ce champ. On tracera également l’allure du
diagramme de bandes d’énergie le long de la jonction en précisant les notations employées.
2) Exprimer le potentiel de diffusion D en fonction des dopages. Calculer sa valeur numérique.
3) Représenter l’allure de la densité de charges (en valeur algébrique) à l’équilibre thermodynamique, en
précisant la nature des charges.
4) Déterminer l’allure du champ électrique et du potentiel le long de la structure. Exprimer le champ
électrique maximal Emax en fonction de la largeur de la zone de charge d’espace W et du potentiel de
diffusion D.

II- Diode polarisée en inverse

La diode est polarisée en inverse sous une tension VR (VR<0).
1) Comment doit être branché un générateur de tension continue aux bornes de la diode pour obtenir
cette polarisation inverse ?
2) Calcul du courant de génération
a) Etablir l’équation permettant de calculer le courant de génération dans la diode polarisée en
inverse
b) Donner les conditions aux limites que l’on justifiera
c) Résoudre l’équation établie en a) permettant de calculer le courant de génération.
Montrer que le courant peut se mettre sous la forme
, donner l’expression de JG0. On donne

Exercice 3 (rattrapage 2016/2017)

On considère une diode à jonction PN à base de Si avec une densité d’atomes accepteurs NA et une
densité d’atomes donneurs ND. On note Lp et LN les largeurs des zones N et P, respectivement, dP et dN les
largeurs des zones de déplétion de côtés N et P, respectivement, p0p (n0p) la densité des trous (électrons)
dans la zone P avant contact, p0n (n0n) la densité des trous (électrons) dans la zone N avant contact, et pp
(np) la densité des trous (électrons) dans la zone P après contact, pn (nn) la densité des trous (électrons)
dans la zone N après contact. La position du contact métallurgique
est confondue avec l’axe des x.
1. Tracer les diagrammes des bandes énergétiques dans les
deux compartiments P et N au moment du contact et à
l’équilibre thermodynamique.
2. Etablir l'expression donnant le potentiel de diffusion ΦD en
fonction de K, T, q, NA, Nd et ni. Avec K est la constante de Boltzmann, T la température, q la
charge élémentaire et ni la densité intrinsèque des charges.
3. Expliquer la distribution de charges dans le volume entier et indiquer les porteurs
minoritaires et les porteurs majoritaires dans chaque zone.
4. On polarise la jonction par une d.d.p égale à va>0. Expliquer la nature du courant qui
traverse la jonction et donner son expression en fonction des densités des charges et des
constantes de diffusion Dp et Dn des trous et des électrons, respectivement.
5. Les densités des porteurs de charges minoritaires dans chaque zone sont données par :

Avec désigne le potentiel dans la zone neutre P, et désigne le potentiel dans la zone
neutre P. Soit .
Etablir les densités de porteurs de charges en excès, et , en fonction de va.
6. Donner les équations de continuités (on négligera les termes de recombinaison) et déduire
leurs expressions au régime stationnaire.
7. Résoudre les équations différentielles obtenues et déduire les densités des charges en en
excès dans chaque zone. On se place au régime des faibles injections et on suppose qu’aux
extrémités de la jonction les densités des charges sont à l’équilibre thermique.
8. Déduire l’expression finale de courant qui traverse la jonction.