Conception des circuits intégrés analo giques MR-EGING-E 2, Eléments de base des circuits intégrés Résistances actives, sources (sinks) de courant, miroirs de courants, références de tension ou de courant. Exemple de conception: Amplificateur opérationnel i i ! Inverseur i i Reference de tension - \ Va Wat Amplificateur \ 7, 7 sate fn” Vo ! i i i i i ppt 1 i i i i i i i a! ! pL i ‘Miroir de courant Figure 19 : Structure simplifiée d’amplificateur 2.1. Résistances actives = LeexxV V2) NPN ENE 0 ¥ Ia I,e™ avec V=|Veel 1, courant de saturation inverse dela jonction émetteur base ‘V3=0,026V @ température ambiante chéma équivalent petits signaux(figure 20) La conductance équivalente du transistor en résistance active est donnée par I’équation adil 89 Fyn yy te epresle schema N. HASSENConception des circuits intégrés analo giques MR-EGING-E 1+h Ihgg +B os Bp ey + qi B-C i, Die v Dei Toe ¥ - E 4 Figure 20 : Schéma équivalent d’un transistor en diode nt tt dvega 2.2. Sources de courant (sinks de courant) 2.2.1. Sources idéale 4l Figure 21 : Source de courant idéale 2.2.2.Caractéristique pratique I-V Ve Vy Sink de courant Source de courant N. HASSENConception des circuits intégrés analo giques MR-EGING-E 0 Vian Ve-Vw Van 0 Sink de courant Source de courant Figure 22 : Schéma de principesource de courant réel Exemple 1 ‘Sink de courant Vee 0 Vexn=Ver ge Figure 23 : Source/sink de courant simple Yap Vp Pour V>Versn & ‘Va. tension d’Early Par simulation : Vae=0,7V, [s=0,48A, Ba=100, Va=200V, Vasw=0.2V, 1=2190A -->Ro=913kQ Exemple2 : Toe ced } v R Dy SnVoe=Balo Vee iy Figure 24 : Source/sink de courant par réaction négative N. HASSENConception des circuits intégrés analo giques MR-EGING-E toll + (Gm + Bo) (hie //R) G2 Augmentation dela résistance de sortie Ropar une réaction négative de R. Exemple3 (figure 25) y © est egale a i Ro = fall + Gna + By) fo) 6 Application -D’aprés les valeurs del’ exemple! Em? = 8,456mS, tp) = 197 = 913KQ eth;, = 11,826KQ—>Ry L’ effet Early devient négligeable et la source est presque parfaite Larésistance de sortie ,05MQ p+ Ton i ~ Gm2Vbe2 y sey fy co he iy Ba Ve T Tot = Veea Figure 25 : Source/sink de courant a 2 transistors en cascade 2.3. Miroirs des courants 2.3.1, Polarisation des transistors bipolaires intégrés Veo In e ers la charge an Teo Ic Q Tey Qa = = @) Figure 26 :(a) Circuit miroir de courant, (b)Circuit équivalent de Norton du miroir de courant N. HASSENConception des circuits intégrés anal MR-E&ING-E Le circuit de la figure 26 illustre la configuration typique de polarisation des C.1. Un tel circuit et ses semblables sont appelés des sources de courant ou des miroirs de courant et sont concus pour maintenir le courant Ic une valeur constante La figure 26-b est le circuit équivalent de la source de courant, La résistance rp montre que les sources réelles ne sont pas idéales Les deux transistors sont identiques Vem Vae2 Tey = Oglgse VF etIc2 = oalgse VE Ga) On néglige I’ effet Early Vse.-Vae2 qo e YF avec Vari=Var=Var D'ou Iev=Ier=Ic, il vient Isr Le courant de référence Veo-Vi |, com Be G5) et In-Ict2Ip avec Ic Bala 21, 8 =lo+ Tf =ig( ) sk a1; Ip = Ie lc R Ba Bax? Veo nV fe= 5 cae 66) a+? Ic=lgest pratiquement constant sur une large gamme de Ba Ba>>1 >Ba/(Ba +: Ione varie que 3% pour 50 différe de l’unité. Les tensions Vegi et Veen peuvent étre trés différentes. En raison © pour Qo -Vem=Vae=0,7V, alors que la valeur typique de Ver va de 14 10V (par exemple). Lorsque Veri augmente, I’effet Early fait croitre le courant Ici a partir N. HASSENConception des circuits intégrés analo giques MR-EGING-E de Ic et le multiple par (1+Vce/Va). Puisque Ver=0,7V<1. Pour une grande tension Vex, Ici/Icapeut differer de l’unite de 20%. * La résistance de sortie de plusieurs circuits traités ci-dessous est supérieure a celle donnée par V’équation r=Va/Ic. La tension effective d’Early augmente donc notablement et rend Ici/Ie2 plus proche de 1 Exemple 1 @ Considérons le circuit de la figure26-a Déterminer R pour que Ic=lmA Les paramétres des transistors sont Vge=0.7V, Ba=100 et on suppose que la tension d’Early est infinie. Vec=15V. b- Considérer R calculer en (a) et déterminer la variation en pourcent de Icpour Be Reprendre la partie a)pour I¢ =50UA. Ba Voc-Vag_ 100 15-07 - = 1 =! ek eR 00+2 R PRELKO be Tg = 00587 1 00099 ma 30042 -R 1,0099-1 Variation en %== = 100= 0.99% c- Appliquons de nouveau I’ équation du courant Ie Ig =0, woe et R=280kQ Répéteurs de courant La figure 27-a représente un tel circuit appelé un répéteur de courant ou une source polymorphique. Si tous les transistors sont identiques, alors en négligeant I'effet Early, les courant Ici, Ic2,...., lox sont identiques et =Ip Veco 2 Ik fe la le len & Q 5 @ ® Figure 27° (a) Répéteur de courant, (b)Repéteur de courant a transistor a plusieurs collecteurs pour économiser|'aire de puce N. HASSENConception des circuits intégrés anal MR-E&ING-E On obtient de courants Ic1, Iez,.......lew différents en proportionnant les aires des émetteurs de Qi. Q2....Qn. En raison des limitations de fabrication, le rapport de courant collecteur maximal ou courant collecteur minimal obtenu par cette méthode est d’environ de 10 Remarquons @ la figure 27-b que les bases des transistors sont reliées et que les émetteurs sont mis ala masse. D’ou I'avantage fréquent de remplacer les N transistors par un seul transistor fusionné a plusieurs collecteurs (Figure.27-b). Que remplace Qi,Qz. Qu. Pour obtemr de différents courants collecteurs, il suffit de proportionner les aires des collecteurs. 2.3.2. Miroir de courant de WIDLAR Selon les réponses des parties a et b de I’exempleprécédentJa stabilité de la polarisation fournie par le circuit représenté 4 la figure 26-a, a valeurs de composants bien proche des limites de fabrication, est bonne.Tel n'est pas le cas toutefois dans la partie c)de ce méme exemple od il n’est possible de fabriquer une résistanceR de 280 KQ. La source de courant WIDLAR (Figure. 28) est souvent utilisée pour construire des sources de petit courant. On suppose que les 2 transistors sont identiques. La fonction de Re rendre Var et Varo différente VariS Vazz~->le1Sle2 Q. Vee et R établissent un courant de référence Ip et la valeur de Re détermine a quel point Ie: est inférieur a Ip Vee Ip Re Figure 28 : Miroir de courant de Widlar Vee2=Veei + (IprtIc1)Re Dow AVee=Var-Veri = (Isrtlen) Re Gy Var Var avec Ig) = Oglgse “F , Icey = Gales “F > Vara - Vor = AVge = Vln 2 G8) ct N. HASSENConception des circuits intégrés analo giques MR-EGING-E Egalons AVpr des équations (37)-(38). Il vient: pg = Vt jy Joa lads g la IgeIer+Isz+Tp1 Ip 044). (39) Ba Ba Comme nous désirons Ic1 inférieur @ Ico, nous pouvons négliger le terme Ici /Ba dans I’équation G9) Bat, = Ba Yec~Vpeo ,, Voc = Vae2 40) Pati Patil oR R Exemple 2 :Déterminer Re du circuit représenté @ la figure (28) pour Vec=15V.R =14KQ, ‘Vagm=0.7V,Ba=100 et le courant Ici désiré de 50uA (Va=25mV). Solution : 100 15-07 5 =1.0lmA kc Batt ®~ T0041 14.107 vy 0.025, 101 Ta =149kQ) La résistance de sortie R, de la source de courant de WIDLAR a l'aide du circuit équivalent petits signaux du transistor bipolaire Ry *fo(1+ Bm Re) @yy Cette résistance est égale a plusieurs fois ry L’augmentation de R, est donc due ala présence de Re > Il est parfois commode de construire des sources de courant a résistances d’émetteur de Quet 29). Qureprésentées ala figure Voc hie Io UR Tea Q Q Iss Ist Ry . Figure 29 : Miroir de courant de Widlar 2 résistances N. HASSENConception des circuits intégrés analo giques MR-EGING-E Si Ri=Ra, le circuit se comporte comme un miroir simple. Pour Ry>R2 le comportement est celui dela source de WIDLAR présentée ala figure 28 La résistance de sortie de cette source de courant est supérieure 4 re en raison des résistances d°émetteur. On utilise aussi le circuit a I’aide des transistorsQy et Q; identiques. Le rapport de Ici/Ic2 est proportionnel au rapport Ro/Ry. 2.3.3. Miroir de courant a trois transistors : Pour rendre Icy plus proche de Ip, comme I’ exigent certaines applications, on utilise souvent des miroirs de courant 4 trois transistors. Les deux types les plus fréquents de tels miroirs de courant sont le miroir de WILSON (figure 30-a) et les miroirs de courant a gain (figure 30-b). Les transistors de ces miroirs (figure. 30) sont le plus souvent identiques Mee. Vec_ ¥ le=lou R ky IRy | R 1 = Q |v Iss “ by | 3 FQ Tes, ‘Ve I ' le ay i Tar oe YB 2 Fo, a Ne I a |, Pee 7 Ares Ves\ : @ = = ® Figure 30: Miroirs de courant a trois transistors. (a) Miroir de courant de WILSON (b) Miroir de courant a gain Si on considére la figure 30-a, ona Ip = Nec = Vpei = Varo R R = Nec Tg3+Ip, avec Ig3=1e) Tey _ Ion +1p) +13 _ Ie) + 2Tpp fat! Ratt fat! avec Vegi = Va 2g PaBa +) TpBaGa+D _, 1. __Ina(Ba + — Read = 4+ I, PaBa+D+Bat2 *" Raat D+ Par? ™ 30 N. HASSENConception des circuits intégrés analo giques MR-EGING-E p= nba@atD ig = BBa@a+d. Ba +2Ba+2 Bi +Ba Ba+2Ba+2° Ba InG- (Fat 2Bat 2° FF Payp, 2 1, Ba+2Ba+2 IpBa@a+2) _ Ba@a+2) Veco -2Vpe a) lo = baa?) @ Ba+2Ba+2 Ba + 2Ba+? R Ladifférence Igy Ig =I. Cette différence est extrémement petite méme pour un petit By + 2Ba+2 Ba Ter _ 200 Exemple o=20> 52 = 57,. 18 difference de ler, par rapport a Ip est moins de 0.5% in 2 Tey _ 5100 Si Be=100> 4 = —— i Be I, 5101 Selon ces valeurs, la variation de Ba modifié peu Ic * Si on considére la figure 30-b, on a Veo -2¥5 2 + 1g3 = Ie, + 13 <— BE 1 Tg3 = Ip, + Ip2 = 2p = 2-2 ie3~ Tn) + pp = 2g = 252 2 2 2 etlpg- #3. -_7la_ y=) 4 _- 1, Pat Pat? Bat! Ba®a+t) RCL 6,6, +D Ba(Ba +) Toy = FAD gy = Pa Pa +) Vor = Va 3) A+ht+2° BtHt2 RF Les équations (42)et (43) étant similaires, le courant Ici de la source représentée ala figure 30-b est pratiquement indépendant de Ba. La résistance de sortie de cette source est égale a la résistance re de Qh Cette résistance peut étre augmentée par les résistances d’émetteur de Qi et Qo, comme dans le ent circuit de la figure 29. Les 2 résistances d’émetteur peuvent aussi servir pour rendre Icy diff dele ~ Calcul de la résistance de sortie Ry de miroir de WILSON (figure. 30-a) 31 N. HASSENConception des circuits intégrés analo giques MR-EGING-E Barter ba &) Cs 193 ExBo, Co icine it ma CG ros Al Baisa=KD} Vou | bs Meno Vou S303 > is Es B Banter Bus¥be3 Bltes [ M Veer bat Re = 2037 ing gViug + oes Bat gt Baan * t+ he 1+ ho Rlkg3 Blog _ Rigg thy __ Rrgg + hy (R+%3) a= "1 “ig lit) Reus) + e.gRtg) T+ Gna(Plig3) (R+%3) + BnaRras) ose, 8" Rig pa(R+ba) Reba 1 toxl+ mah) gma Ena Vo- Ve 1 1 1 jig = Batigy + “2H avec Vig = mig — = ig(— —) = 2 1 End Bm2 Sma Sat + Bad 198m3_ 5, Balms 8m2 + Ema Sm2 + 8m3 Dow v i+ Sober] 44) to a2 + Bas. Gm + Bar 32 N. HASSENConception des circuits intégrés analo giques MR-EGING-E tobas 2 La résistance de sortie pour un miroir de courant simple (figure 19) est de ro1. Pour le montage a miroir de WILSON (figure30-a) cette résistance est multipliée par Bay/? 3.3.4, Source de courant cascode (cascade) ou miroir de courant en cascode. Vee: et Vees(Vces) Veeples deux dliminer la variation de Ica/leida a Ro On suppose que les 4 transistors sont identiques. Quand Vi sources de courant fonctionnent correctement et permettent d’ Veffet EARLY. cee Figure 32° Miroir de courant cascode Soient - Ip = 153 +Ia1 | |, I, * Naa = Top Tn = Bag +7. Hn = PHBL Tn = Dea = ptm ty = PSD’ od < I, Ba Ip = Tey + E+ Pa, Teg = Te Rela +T et Gg pp aveclee= te Ba Ip=(+ +t i, RON TeBa” eBay Ip = Ba 24 4Ba ip = Pe At Pa, aay @5) kal ga 4) Tr fgetoo 100 De plus, la résistance de sortie est de, # Ba too On obtient presque une source de courant parfaite 33 N. HASSENConception des circuits intégrés analo giques MR-EGING-E 2.4. Références de tension et de courant : Les références de tension ou de courant sont normelement indépendantes aux perturbations extemes de I’alimentation ou ala variation de la température. On désigne par Ves: la tension de laréférence - La sensibilité de Veer par rapport a la variation de la tension d’alimentation Vcc est donné par AVppeV Veo a; Wot = Vcc 49 REF REF) = Cc EF 46) « AVec!Vec Vper Neg En connaissant cette sensibilité, on peut trouver AVRER as Vret Noe VREF Voc = Si SY =1Sune variation de 10% de Vcc provoque un changement de 10% sur Vase 1 Vt < [pp °s satisfaisante pour un Circuit Integré ~ Si Vpur est indépendante de Vecla sensibilité SY est nulle. - La sensibilité de Vagr par rapport ala variation de la température T est done x; T Veer syrer._7 Weer Veer oT On définit le coefficient fractionnaire de température par 1 W\per _ 1 Vane ‘TCs (Vper: St @7) Exemple Yrer __! . spREF = et T=300°K 100 TCp(Vper) = 106 = 33,3 ppm/°c eeekEP?™ 300 100 Si TC; (Vggg) <50 ppm/°C: les références de tension ou de courant sont stables par rapport ala température 2.4.1. Références de tension Exemple 1 - Diviseur de tension passive Vee Veer s\rer = Veo WVRer 3 cc Veer Veo RK) oy a R. Ye| Ry Ry Vee |RidT Ro Ry Vee a = [TC,(R,)-TC,AR, - Ry Vee [rc,®,)-TC,R,)] Figure 33 « Référence de tension a résistances 34 N. HASSENConception des circuits intégrés analo giques MR-EGING-E Ry et Ro dépendent de la température et Vcc ne dépend pas. Si les coefficients fractionnaire de température TCx(Ra) et TCx(R1) sont égaux STCe(Vaee)=0 I est meilleur de fabriquer Ri et R: par des couches identiques (par exemples diffusion, polysilicium...) pour avoir des variations proportionnelles des valeurs de Ry et Ro. Exemple :Ry =2Q et Rx=1Q> Ves=1/3Vec Variation 10%9R 3 =1,19 etR'1=2,22>Vper=1/3Vec Exemple 2 Veo, Figure 34: Référence de tension Vref a charge active “montage a diode” avec Vec >> Veer > Vrer # Vn Yee s Veer 1 —____ (49) “Vee ~ ia(Voc/ BIg) @) Si Voc=5V et R=43kQ et Is=0.4fA> SY! = 0,0379 Pour une variation de 10% de Vec, Vag change de 0.379% Le comportement de la variation en température est plus complexe, car Vs, R et Is dépendent de la température soit azar _ Veer T En supposant que: I, =kT?e Vt Eg. tension de gap (#1,2V pour le silicium) 5% 36, aT Tp Le coefficient fractionnaire de la température de Veer est Var — 3V; -E, TC p(Vggg) = VEE Ee =i | (0) Vel Veer LR OF Si Vegr = 0,7V et TCr(R) = 1500 ppm/°C, ala température ambiante T=300K 35 N. HASSENConception des circuits intégrés analo giques MR-EGING-E TCr (Vier) = -2776-56 = -2832 ppm/°C Ce coefficient de température est trés grand pour une référence de tension Exemple 3: amv /°C Vee Figure 35 : Référence de tension a multiplicateur de Vg Exempled:Référence de tension en utilisant une diode Zener Vee I a {ve ae | Arete ie + 015 En supposant (Vas)ainde=(VBE) transistor Rp Rp R 2 Vz -2V; 2)+V; 1 Ri+Ry 7 BER eR Si on suppose que la tension est indépendante de la température, on trouve 36 N. HASSENConception des circuits intégrés analo giques MR-EGING-E ‘ee Wyse __ Ra Ri_ Wee _ 9 OT R,+R, T “Ri+R, OT R +R, T Nz 7 4 - si-2 52 ~~ Oee Rp oo ar Figure 37: Référence de tension a diode Zener et ajonction PN = Sile rapport Ry/Ro est indépendant de la température, il est de 3,5 L’ équation de la maille (voir igure)donne Vz =3Vpg + (By Bolo et Veer = Ral, + Vag La contrainte de ce circuit est que la tension de référence ne dépasse pas Vege = Référence de tension a Bandgap de Widlar Vpgi ~ Vag = Balm = Baler D’aprés I’ équation (36) paragraphe 2.3.2 on a Sg I Vpet ~ Vaz? = Vein I lea Ri R | V2 Figure 39 :Reférence de tension a bandgap de Widlar La tension Vr est générée par le miroir de courant Qy et Qo, la tension de référence est donc 64) ‘wes +R,1, aver G= P21. h BR, G —- =10,2 nh acy Voy h J=lmA 3 =0,lmA, > B3= Ph 1-609 8) =6100 Exemple =e 10=> a choisisant 38 N. HASSENConception des circuits intégrés analo giques MR-EGING-E o e Figure40 : Reférence de tension a bandgap a basse d'un Ampli-Op En supposant que’ amplificateur opéretionnel est parfait, [Rah = Ral /ge1 = Vae2 + Rolo = Vg ~ Vago = Rolo V-=V+> Exemple : Surface Emetteur base de Qi Am et pour le transistor Q:=Am,on suppose 2.4.2. Références de courant Exemple 1: Référence de courant é miroir de courant simple Ce circuit est deja étudie au paragraphe précédent (2.3.1). C’est un miroir de courant avec Vee — Vas Iyer = Ing 39 N. HASSENConception des circuits intégrés analo giques MR-EGING-E Ter Figure 41 :Référence de courant a miroir de courant simple Vee Pratiquement Voc >> Var => Tnur * Le coefficient de température de Iper est —) | Wee 15] 56 Tope) [2 Ha 66) ov, En remplagant zee Je résultat trouvé au paragraphe?-4-1(Exemple 2)en remplagant Veer L [eee 67 Top(rer) * —| cr Crer) ie Er pour Vz << (Vee ~ Vas) Exemple d’application numérique : Tgp =100WA avec Vag = 0,682 et Ig = 0,484 SiR =43KQ et TCpR) = 1500ppm°IC et T = 300K ‘TCpOppr) = 466ppm/°C -1500ppm/°C =-1034ppm/°C > Top Gree) < 0, i est possible d'obtenir TCp ppp) = 0 Mettant ’équation deTop ppr) = 0 Eg+ 3V7- Vee 1, OR. ry ® QP (68) IpgrR = Vec - Veg = 40 N. HASSENConception des circuits intégrés analo giques MR-EGING-E I faut résoudre I'équation pour trouver la valeur de Vee correspond a Toy, (ger) = 0 Le résultat est Vec=2.018V. Veo -Vi D’oit la valeur de R = CC BE 3.36KQ Ther Exemple2 : Vee th ef] eer ay Veet [Ra Figure 42 - Référence de courantcontrélé par Var La méthode consiste a obtenir un courant de référence indépendante de I’alimentation(Vcc). Ce courant est fixé par la tension Vag Vy EE (oe neglige) = SE ig Ie 59 Sle RMT 69) La sensibilité de Ipsr par rapport a Vec est égale shy = Voc lem). Veo 9 [Vry,| Trey OVec Trev 8Vec [Ra (60) AIK et la sensibilite SYFEF = 0,035 Si Ipy =1mA Iggy =100uA et yy = 0,44 Ry ye 41 N. HASSEN