Conception des circuits intégrés anal MR-E&ING-E 3. Les amplificateurs : 3.1. Amplificateur inverseur Vee —_ Vo Charge Teta bloqué | \giem restin ! ee Ves! Voo Vor . mal va] Bat conducts Vou Wi ~Vss Figure34 : Différents circuits possibles : inverseur contrélé par Sinkcourant et a charge active Vop 3 - i typ le F “Hyon fe Vour , shew 2 ” 1 1 1 1, ey M [a se a abs vee a b c Vss 4 a Figure. 35 : Inverseur contrélé par sinkde courant a- A charge active pMOS enrichissement, b- A charge source de courant, c- A charge active nMOS enrichissement, d- A charge active nMOS déplétion Les transistors Mz fonctionnement en régime active (transistors) saturés - Analyse de l'inverseur de la figure 35-4 Transistor M2 - Vg = Vp = Vp = Veg => Vem > Vos ~|Va0] ‘Transistor tue Og Wie)? # eZ lan Voor- Wen? Transistor Ml on #intéresse ala zone amplification : transistor My saturé. Condition de saturation Vpsi > Ves: — Viw > Vour~Vss > Vin Vss ~ Vaw > Vour > Vin ~ Vi On peut écrire (on néglige I’ effet de modulation de canal) In #Kp Ky Wy > KpWy > ae War Ves Van? = SE Von — Voor” Mra) = Voo-Vour-Vio_ [Ru WiL Vyy-Vas Vow VE Waly 99 N. HASSENConception des circuits intégrés analo giques MR-EGING-E On peut en déduire le gain en tension petits signaux Wous| _ Your. _ [Ew Wis __ Sm 65) Bae by Vax Vp Wala Sn Oum, W2=Sum, Ly=10um T5V, Vip = -0,75V, Ky = 240ANV? 15.10 i ae 1 Mest bloqué IN eee Si Vegi = Vaw Va < Vis +V inv [ Vpy <-5+0.75 => Vpy <—4.25V Figure 36 : Simulation SPICE Modéle petits signaux en basse fréquence . Gain en tension aay + Em give + EE SaV2 Tas fsa Fast v2 Aves: Vp — Sat Vv Iran | Voxe Figure 37: Modéle petits signaux en basse fréquence Th © Résistance d’entrée -®, 100 N. HASSENConception des circuits intégrés analo giques MR-E&ING-E Vox (4) uo Wy, | ae © Etude en haute fréquence Con Ce == an Q Tea Cod Ca y, bs r Cs 1 Va . > Vout Fast ['/8m2 reed Vet Figure 38 : Schema équivalent en haute fréquence Avec C= Cet Cg Cy = Cy +Cyr + Cran + Coat C3= Coa ByaiVin + 8n2Veut + Vout Baer + Saez +IC2@) — Vig ~ Vert )C30= 0 © VeulBno+ Baa + 842 + (C2+C3)0]=—Vin Ga iC39) 101 N. HASSENConception des circuits intégrés analo giques MR-EGING-E A, = Note = Gai ~ 1030) Va Baa + Bai + Baa +) (C2 +C3) 0 q-12 = Sm2*8ert8a2 Sm WG +G a Sm2 + 8a + 8052 - = Sm = — Sat 0 Sm? + Basi + Bacr m2 gy = m2 * Basi + Basa _ Sma + Basi + Bac2 7 C,+C Copa + Cga + Com + Coan + Cg La pulsation de coupure a-3dB est 4g = Og) 4 |arla 20log|A.9| : Odb ° Arg As(w)) 180) 135° 90 45 0 o ot 62 Figure 39 : Simulation de module et de phase Exemple: Ww, 15m W, Spm ve =sv Trio’ Tet dom 7 Won Ms = Surface et périmétre drain-source de My est 150um? et 50 um et pour le Mz: 50 um’ et 30 um,A 20 Point de fonctionnement en statique lorsque Vout WW, 86) 1-% - Ve.) (5—0,75)° = 36uA, 3L, pp, za) 2010 ° y H 102 N. HASSENConception des circuits intégrés analo giques MR-EGING-E My est saturé > - Gain en tension Simi = 50,91 Us, Eger = 0,36 US, m2 = 16,97 US, Eden = 0,72 us A = 50,91 ae = 7697 +036+072 - Résistance de sortie - Royy = ———___1-____= 554K (16,97 + 0,36+0,7 4S - Pulsation angulaire de coupure a -3dB, Cyan = 30,93F , Cog = 24,430, Cyqy = 16,04F , Coy = 4,73, Com 18,0510 a = 234Mirtls (0,93 + 25,43+16,04+ 4,73) x10 Ora fag = 37M Pour l’inverseur de la figure 35-c:: il est presque identique au circuit précédent (fig 35-a). Il ala méme caractéristique du transfert. Il a en plus une transconductance gas qui est dea I’effet substrat On trouve Ay =-1,56, Ry =30,7KQ. f.ggy = 42,8MHz Etude Uinverseur de la figure Mp: est saturé si Vey > Vag -|Vre|=> Von - Vour > Von ~ Var ~|Vze|= Vour < Var + [Vee] My est saturé si Vpgy > Vegi — Vinx = Vour > Vay - Vaw Voir caractéristique de transfert (figure 40) Calcul du gain en tension KW, Le courant dans un transistor est: 1p = KW, 2 ‘Wes ~ Vix)" + AV ps) Soit Ip) = Ip) > Ky ay ov ~ Vss~ Vane) [+ AayVour - Vs > ~ Va ~ Wap)"[l+ Aeon - Vour)] En dérivant cette égalité Ky 24 = Vig — Van) hy Moe = Og Vis = Vd ar 103 N. HASSENConception des circuits intégrés analo giques MR-EGING-E Wy 2Ly Ve _ Voge)? Ayte MoUt (om Van ~ Va Aat- aE) Mou K KW, BAL (Vi, — Vs — Vin)" Aas +2 Va — = Noa. WV, Ly Ly fan ~ |Vrp)? Ap) Ky 2h, (Vin ~ Vs ~ Vawll + Aas (Yoru ~ V55)] Qt Ap) Bast + Bar Figure 40 » Résultat de simulation Schema équivalent petits signaux (basse fréquence) A=? Tas2 gat Vay = — OUT falas = Emi gal gm Vax rast | Vow Taal Basi + Basa = Basi + Bas2 104 N. HASSENConception des circuits intégrés analo giques MR-EGING-E Schema équivalent petits signaux (haute fréquence) C3 rar OP? Vat TJ , = C: Ban Val] Va® tt C a a1 Va Coa Cen Avec Cy= Cn + Cyn Cy = Coa + Sgn + Cuan » Cs = Cyn Bint yp + ——* 5 —~ Vine - Vou) sale! — Cy Vourl€ gg1 + G42 + PC + PC3 = -Vns(Gar- PCs) Ay = Vouz = Gi= PCs) = @mi~ j0Cs) G6) Vax Bast + Bao + P(C2 + C3) Ban * Ban + 10(C, + C3) aeol - ees) A, ( Bert Baa Bm ° > 7+ Gn) ja(C, +C, 14 10C2 + Cs) je Bai + Bar pp La pulsation de coupure a -3dB est = Sai +8e0 Baa 8a (3) a CytCy Gg $C gy + Cyn + Cg Exemple AN : W,_15um Wy Sym L, 10um’ L, 10um Yap =2V_ Vp =—Vs Surface et périmetre de My - 150um” (50 um) et Mp -90 um? (30 um) KyW, 2 T= SE (po ~ Var ~ Was)? [1+ Aa (Vo0 ~ Vou] G9) 2Ly = 6- (0,75)? (1+ 0,1) =11,14pA, 105 N. HASSENConception des circuits intégrés analo giques MR-EGING-E 0.5 2IpLa [2ai14 x10 Von = V3 0,75 + [>t O10 Ay say cr oo 75+ Garay . KyW, A4pS, Bay = 0,228 Gar = 28,325, Bar = 0.115, gino Ay 28,32 011+ 0,22 1 (O.11+0,22)10°¢ @. 3a) = 6,13Mrdl/s, £345 = 0,976MHz, Cyai = 30,934F, Ceiz = 2, 18F, Cyao= 16,048F, Cyan = 4,73 F -84,74 2,99M, Etude inverseur Push-pull Wy = Sum, Ly = 10um, Wy = 15pm, Ly = 10m, Vp Condition de saturation de My Vour > Vin Vin Condition de saturation de Mz Vor xu@n ] Pan | Ay bob J tL ke 40) Daly + dplp 106 N. HASSENConception des circuits intégrés analo giques MR-EGING-E m1 +82 Bai +842 +2) Ip Schéma équivalent petits signaux Sm Var ra — & ete = 1035 ut + Cg + Conn fa Vin ran | Vou Figure 42 : Schéma équivalent en petits signaux ‘Comparison of the small signal performance of MOS inverters aC ac Veltae utp Figere jain oa pannel Stet ! Kavetoes 358 chums! 35h ‘tive lat Sta = Be eee mie source load a sinking iene ohana asa as ‘pet od sing iver Push-pull al w= 107 N. HASSENConception des circuits intégrés analo giques MR-EGING-E 3.2. Amplificateur inverseur cascode : ast —- Vo ‘Vee saw Ves —i" © |__Vour o Cet psD2 Vex { t o>) Tt Hw © De, [Ju] eer resi woe “ In av e, += Rs | Vss S1-92-02-6 Figure 43 : Amplificateur inverseur cascode C= Cont Con Cy = Cay + Cg + Ca En basse fréquence Feat Va (Bast + Gn 3 + Ganea + Bass )= ~ Ba V1 + Vou Bass w Voxe fsa = (Gin + Gas V2 — (Vena ~ V2 )eaes Vout (Baa + Bass )= (Gn3* Gaus + Bass V2 ® =v, (a2 + 453) dans (1) > Bina + Buna * Baa NoalBan * 23) (4, + 05+ fans * Bas) = ~Ei¥i + Vous Sm3 + Bmp3 + Bass Ay = ew = 8mi(Bm3 +8mns + Bas) ee Smt Vi See2 Gai +8m3+8an3t8as)+8ei8e3s Bar Exemple AN Guy = 28,3218 Sa2 = 0,11uS SA, =-2575 108 N. HASSENConception des circuits intégrés anal jiques MR-E&ING-E Augmentation du gain Voo Vep fm —L™ b Vor Vex | Vss ™ ve lal x [" Mi 4 Vss Figure 44: Augmentation de gain Diminution du gain Vi Vap ” eu | _Vowr Ven = Vss M3 ‘Var Ibi —_ Ip My Vss Figure 45 : Diminution de gain N. HASSEN 2K Wil Sw Lilpytp2 Baa Ip =!p2 +o ew | 4] (« Lidpa Le gain est augmenté du facteur (+ =A, @1) Le gain est diminué de 109Conception des circuits intégrés analo giques MR-EGING-E Montage cascode symetrique Vop Ver. ~BmiBm38 mnt @) ot Bal SmiSas + Sa2maBaed V: L “Evo fet = a eo) ° > Gaifaa . BanBan 93 Voor Baa + Gna + Bans + Bas Baa + Bas + Bune + Bae Ia oe vss ee 7 Tout Cea + Caps + Cara + Cou) 1 “—f M Vss Figure 46 - Montage cascode symétrique Exemple: A, 10716, fay = 601MQ, @ gy = 30.93¢dls, Egy = 4 9°KH2 3.3. Amplificateur différentiel CMOS 3.3.1. Configuration générale : Caractéristique de transfert TA Charge active wpe Vo e—| tp: ey uw Veo Voie. MI we a VSS M, = M.=Vna= Vie Ka= Ke On néglige I’ effet de la modulation du canal. Vp = Var ~ Vez Vos ~ Vom KW L En posant : B= 110 N. HASSENConception des circuits intégrés analo giques MR-EGING-E Vp- [8 i= 4) Ty Pry Quand B= Iss =I. +Ip2 45) (44) et (45) donnent isVp| 8 _8'Vp 46 2 lz Alyy 9) aya Vp] 8 PVD ca Ine oy [E gg? a s relations du circuit sont valables seulement si Me 2 [=] et si My et Mp sont saturés. Vp) > Ve, — Ving Vo2 2 Ven — View Les équations (46) et (47) sont représentées sur la figure 47, La pente de ces courbes définit la transconductance différentielle de I’ amplificateur. f iss Vp=0 48) Transconductance de sortie: Baa Top Ip - Ipo a9) M1 N. HASSENConception des circuits intégrés analo giques MR-EGING-E © Caractéristique de transfert de tension (Figure 48) On pose Ry la résistance équivalente de la charge active Voatt= Voi = Von -B x Ips et Vouta En mode différentiel ¥, Vai SB, Ve = Done la condition de saturation de My et Mz est Vy Voi 2 Ver ~ Vow Vo = POV VopRiles i 3.3.2. Exemples : configuration pratique : Vop Yeo ’ Von if ~ M3 J iM Ms “HT [t™ 7} L, 3 Vor Yoo [ ven_| loa Vp, Ys reo com ye uM [%o, Yox / Ibu Ibn ie Ie de be te 8 Xx “7 IN , 7 Ves Sex Vos Sess veo Iss Ves Iss Iss Veo a MS Yoo e—| Ms Veo a Ms Vss _| vss Vs @ G Charge active Charge: sowce de courant Charge : mir NMOS ensichissement de cowent Figure 48 : Exemples de configurations pratiques N. HASSENConception des circuits intégrés analo giques MR-EGING-E a. Etude en mode différentiel : a1 Btude du montage * figure48-a © Etude en grand signal Voi = Vop ~ Voss Voss = Vosiat + Vi Voi = Vp ~ Vosssa ~ Vine = Vop — Ving (60) Vo = Vop - Venu ~ | 222 (61) />2 = Vop ~ Vinw VB KW Avec = L Gain en tension entrée différentielle une seule sortie ee Sa1-(220}(22) Ny \ Api Mp. 62) L’équation (5) 4 1) (63) 2 B3 Ce gain est identique a celui de l'inverseur de la figure 35-c “ Goit V,- “2 et a, =- fe pour l'inverseur) 2 2 © Etude en petits signanx (Schema équivalent Fig 48-2) > Mode d’excitateur : Mode différentiel Ya Via yey + +) val? 1 eave K - ° PY | rast Vos}| jas | Var + Tass D\ -val? Deve [yar ve fh Va ~ ei gs ie . 113 N. HASSENConception des circuits intégrés analo giques MR-EGING-E + +\val2 Vv # val? = «= Tast us | Van + Ves vial? Vea oe as? 7 Var Vegas fa + Routt eval fytas tu ¥) ew Vel = Bt "2 2Gns+ Gin + Bas) 2ems 2] (Wy Kya| 2 = Su -ve == Va (Gat * Barr + Bau) Gain en entrée différentielle et sortie en différentielle Aca, = Ned _ Ya Veo _—8m1_ Gt _ > Bm vad == Va Va Bas Ms et My sont identiques donc gus“ Résistance de sortie 1 Row =————_——_ NY Bua + Ban +2a3 N. HASSENConception des circuits intégrés analo giques MR-EGING-E 1 1 Bms+Ba2tBqc4 Smt Résistance de sortie différentielle 1,1 2 +e 83 Sm4 Sm3 Roa = Routt tRout2 @.2,_Btude en petite signaux: Figure 48-b Le schéma équivalent petits signaux est identique ala figure 48-a, seulement on a Vesi=Vesi=0 ce qui implique que VgssGas=Vepefin=0 Var 7 Sm Ava = = Sm Oe" Va 2am + as) Vo Aya = 22 Smt Via 2@ast + Sas3) Avaa = Vol Sm1__ Smt Va Sait8a3 a2 +Sa4 Rot=———! Baa =—— Baa tBu Baa +Bas Roa = Sai +8as3 © Etude figure 48-c G,Ds.G4 + eval? a : et Tras Ve|[ as | var * Tass Baie + s I. val? Veo Qe" rasa we + Bat gt De " 115 N. HASSENConception des circuits intégrés anal MR-E&ING-E + 2 Meas )\val2 Vy wad + Tass I fo oe + > val? Ver oe" fe Dewva py... | V2 a Vai Smt Aaa Ay ia 2@m3+ Sant + Sas) no + BiVa + Car +8e4)Vea = bots + (610 + Basin =0 ~ Sno + 8m ——) + Bar + Sas) = 2 (Guna + Sari + Baca) Smifms _1 Su3*SaitSa3 Sa2 Sas _—__~ 8a Gaug + Bint 1 2@ma+Bei+8as) 2 Bust Be1tBa3 Car +8as) 78m 1 m1 Bn 1 S Bat _ 2 (gy + SetBmty_"_) gma 2 8m3 842 + Baa avec Gna" Bin et Gent Bma 78m &, Avg = - l_= m3 Sa2 t+ Sars 1 Wiz 2yelss 4)? Ly (y+ Ass 1 2 1 © Gaz t8an) Oates Mss 116 N. HASSENConception des circuits intégrés anal MR-E&ING-E b. Etude en mode commun VerVer=Ve= (VortVen)/2 5.1. Détermination des valeurs minimale et maximale de Vet Vexe (exemple48-c) © Valeurs minimale et maximale de Voi ‘M; saturé implique que Vper=-Vnn . Vpe1 = Vpp— Vsp3— Vai = Vop— Vse3 — Ven (a Vsas = Vane + Vepal= | >? +1 Viral V Bs (2, D3 Vpei = Vop ~ 3 | Vaesl -Ver V Bs Vor est maximale si Voei=-Van fis. Veanee= Vop ~ |S 1Vepal+¥; cine Yop ‘real +Ven VBs Vv Vv J Zi “ y. {I Z J. pes Vew = Von eVert Han Vi 7 Autrement : Voi = Vee + Voss +Ves1 Votmm = Vis + Voss +Vosise + Vin © Valeurs minimales et maximales de Vow Veos = Von ~ Vsp3 ~ Vout = Von ~ Vse3 ~ Vout Mg saturé = => Veps=-[Vrpd iE oo fS VBS v Vor ee)= WVrp31+1Vzpel Voecain) = Verma ~ Vara, Voaeany = Vss + Vossen +Vosine Ps, fle + [ss VB, Voagasy” Ves + oatany™ Vos = VB M17 N. HASSENConception des circuits intégrés analo giques MR-EGING-E b.2.Etude en petits signaux : Exemple Fig43-b . Pp) Ve + Vs =) Ve ? BeaV en [tar . Var Smi a3 Ve Vo Tag = Sautese 1+ 28501 Tacs D’oitle gain en mode commun a - Me _ Va 2 = Smiles Ve Ve 14+ 28milas - Taux de rejection en mode commun mt apuc < curr — Ava! 2@ai +848) [Ayel_ Smifag 1+ 28 ntfass Bas3 1 + 28mttas5) TRMc = 8430+ “Smits? = 2@a2 + Bas) |S St Si Gao © Bass © Basg => TRMC = Bata 118 N. HASSENConception des circuits intégrés anal MR-E&ING-E 3.4. Etage de sortie classe AB: Yop Vous fT" Ms vee x , {fe 0 Vs Vote Vox rim Vsost Vos=Veut Vier VsestVes=cte si le courant de polarisation de Ms est constant. Dans cette condition, Vaugmentation de Vgs fait diminuer Vgso et vice-versa © Quand Vsos+Ves implique que Vig 2 - Pour Mi conducteur: le courant drain #0 et Vgi?Vinv - Pour Mp conducteur : le courant drain #0 et Vg2 My et Mp ne peuvent pas étre conducteur simultanément : classe B de fonctionnement. Quand Veu>0 implique : Mj fonctionne en source suiveuse et Mp est bloqué. Quand Veu<0 implique : Mp fonctionne en source suiveuse et My est bloqué. © VsestVesi>0 ; M et Mz sont les deux conducteurs quand Vow =0: l'étage de sortie fonctionne dans la zone classe AB. Si Vna= Vins et Virz= Vaws avec [IpsF| Ins] donc |_2Ips {ta \EROMDs \KnODe [KO Si Vou=0, alors ler=llarl 2s 119 N. HASSENConception des circuits intégrés analo giques MR-EGING-E 1» Kp 5 t Kp Oe Ce point clef permet un bon choix de courant de polarisation © Vow maximale Vou?0, Ve? Vnii Mi source suiveuse Vest = Vop-Veia-Vest ‘Vees minimale donc | Veasea/=[Ves3-Val Voramy= Voo-lVeasset |-Vast sa-Vnen © Vow minimale Vou, Vig? [Va Vea= Vss+Vass*Vign avec Vs5=- Veo =-Vont Vast Vier Veins) =~ Voot Vass sat Voge 120 N. HASSEN