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UEF2.1.

2 Semestre : S3
Matière 1: Electronique fondamentale 1 (VHS: 45h, Cours : 1h30, TD :1h30)

Objectif de l’enseignement :
Expliquer le calcul, l’analyse et l’interprétation des circuits électroniques. Connaitre les propriétés, les modèles
électriques et les caractéristiques des composants électroniques : diodes, transistors bipolaires et amplificateurs
opérationnels.

Connaissances préalables recommandées : Notions de physique des matériaux et d’électricité fondamentale.

Contenu de la matière :
Chapitre 1 – Régime continu et Théorèmes fondamentaux : 3 semaines
Définitions (dipôle, branche, noeud, maille), générateurs de tension et de courant (idéal, réel), relations tension-
courant (R, L, C), diviseur de tension, diviseur de courant. Théorèmes fondamentaux : superposition, Thévenin,
Norton, Millmann, Kennelly, équivalence entre Thévenin et Norton, Théorème du transfert maximal de puissance.
Chapitre 2 - Quadripôles passifs : 3 semaines
Représentation d’un réseau passif par un quadripôle. Matrices d’un quadripôle, associations de quadripôles.
Grandeurs caractérisant le comportement d’un quadripôle dans un montage (impédance d’entrée et de sortie, gain
en tension et en courant), application à l’adaptation. Filtres passifs (passe-bas, passe-haut, …), Diagramme de Bode,
Courbe de gain, Courbe de phase, Fréquence de coupure, Bande passante.
Chapitre 3 - Diodes : 3 semaines
3.1 Rappels élémentaires sur la physique des semi-conducteurs : Définition et structure atomique d’un semi-
conducteur. Si cristallin, Si polycristallin, Notion de dopage, Semi-conducteurs N et P, Bandes d’énergie, Jonction PN,
Barrière de potentiel.
3.2 Théorie de la diode : Constitution et fonctionnement d’une diode, polarisations directe et inverse, caractéristique
courant-tension, régime statique et variable. Résistance différentielle (ou dynamique), Schéma équivalent.
3.3 Les applications des diodes : Redressement simple et double alternance. Stabilisation de la tension par la diode
Zener. Ecrêtage. Multiplicateur de tension. Autres types de diodes : Varicap, DEL, Photodiode.
Chapitre 4 - Transistors bipolaires : 3 semaines
4.1 Transistors bipolaires : Effet transistor, modes de fonctionnement (blocage, saturation, …), réseau de
caractéristiques statiques, polarisations, droite de charge, point de repos, …
4.2 Etude des trois montages fondamentaux : EC, BC, CC, schéma équivalent, gain en tension, gain en décibels,
bande passante, gain en courant, impédances d’entrée et de sortie, …,
4.3 Etude d’amplificateurs à plusieurs étages BF en régime statique et en régime dynamique, condensateurs de
liaisons, condensateurs de découplage.
4.4 Autres utilisations du transistor : Montage Darlington, transistor en commutation, …
Chapitre 5 - Les amplificateurs opérationnels : 3 semaines
Principe, Schéma équivalent, Ampli-op idéal, contre-réaction, caractéristiques de l’ampliop, Montages de base de
l’amplificateur opérationnel : inverseur, non inverseur, sommateur, soustracteur, comparateur, suiveur, dérivateur,
intégrateur, logarithmique, exponentiel, …

Mode d’évaluation : Contrôle continu : 40 % ; Examen final : 60 %.

Références bibliographiques: (Selon la disponibilité de la documentation au niveau de l'établissement, Sites


internet...etc.)
1. A. Malvino, Principe d’Electronique, 6ème Edition Dunod, 2002.
2. T. Floyd, Electronique Composants et Systèmes d’Application, 5ème Edition, Dunod, 2000.
3. F. Milsant, Cours d’électronique (et problèmes), Tomes 1 à 5, Eyrolles.
4. M. Kaufman, Electronique : Les composants, Tome 1, McGraw-Hill, 1982.
5. P. Horowitz, Traité de l'électronique Analogique et Numérique, Tomes 1 et 2, Publitronic-Elektor, 1996.
6. M. Ouhrouche, Circuits électriques, Presses internationale Polytechnique, 2009.
7. Neffati, Electricité générale, Dunod, 2004
8. D. Dixneuf, Principes des circuits électriques, Dunod

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Chapitre 1 : Régime continu et théorèmes fondamentaux
En régime continu, les courants et les tensions sont constants dans le temps.

1.1 Définitions, vocabulaire

Source de courant
+ noeud dipôle quelconque
E -
i
Source de tension
e
continue

branche Source de tension maille


quelconque
Dipôle : tout ensemble d’éléments électriques situés ente deux nœuds.

Branche : ensemble de dipôles placés en série entre deux nœuds

Maille : ensemble de branches constituant une boucle fermée.

Source de tension (ou générateur de tension) : composé d’une fem et d’une résistance interne en série. La
résistance interne doit être de valeur faible en principe. Une source idéale a une résistance nulle. La source
peut être indépendante ou liée (commandée) si elle dépend d’une tension ou d’un courant du réseau.

Source de courant (ou générateur de courant) : constitué d’un générateur de courant idéal en parallèle
avec une résistance interne de valeur élevée. La source de courant idéale a une résistance interne infinie.
La source peut être indépendante ou liée (commandée) si elle dépend d’une tension ou d’un courant du
réseau.

1.2 Courant électrique

Définition : un courant électrique est un déplacement de charges électriques


Charge électrique de l’électron : q = -e = - 1,6.10-19 coulomb (C).
Le sens conventionnel du courant électrique est le sens inverse du mouvement des électrons.
Sens Sens
Sens
I>0 conventionnel I<0 conventionnel
conventionnel

E
+ R E + R électron
- -

Définition : l’intensité i du courant électrique est la quantité d’électricité transportée par unité de temps:

I = dq / dt unité : Ampère [A] = [C] / [s]

A.N. : Intensité du courant dans un fil où le débit est de 1012 électrons par seconde :
I = 1012 x 1,6.10-19 =0,16µA

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Un ampèremètre mesure l’intensité du courant qui le traverse : il se branche en série

Loi des nœuds ( 1ère loi de Kirchhoff) :


Un nœud est un point de jonction de plusieurs
i1 I2
conducteurs électriques.
La somme des intensités des courants arrivant à un I4 noeud I3
nœud est égale à la somme des intensités des courants qui en sortent.
I1 + i4 = I2 + i3

1.3 Tension électrique

Définition: une tension électrique est une différence de potentiel électrique (ddp)

I UAB = VA - VB
A
UAB : tension entre les points A et B
+
E R UAB VA : potentiel électrique du point A
- masse terre
VB : potentiel électrique du point B
B

La référence des potentiels électriques est la masse électrique ; c’est le « 0V », différente avec la terre.
La tension est une grandeur algébrique : UAB = - UBA
L’unité de la tension électrique est le volt (V).
Un voltmètre mesure la tension présente entre ses bornes.
Loi des mailles (2e loi de Kirchhoff) :
La somme des tensions le long d’une maille est nulle. UAB
A - B
Exemple : Pour le schéma de la figure ci-contre,
calculer la tension aux bornes de la résistance sachant R UBC
que E= 12V et que la lampe a à ses bornes 6V: UAN +
E - C
UAN - UAB - UBC – UCD – UDN =0  UBC = UAN - UAB – UCD – UDN lampe UCD
UBC = UAN – UCD = 12V – 6V =6V
Car les tensions UAB et UDN sont nulles. N D
UDN

1.4 Relation courant-tension dans un dipôle


i R
Résistance : dans une résistance, tension et courant sont proportionnels
u
Loi d’Ohm : u = R.i [V]=[].[A] ou i = G.u
R est une résistance et G la conductance : G=1 / R ( R est en Ohm () et G en mho ( -1)ou siemens(S)).
La résistance est une grandeur positive.
Résistance électrique d’un conducteur ohmique (en ) : R = l /S
2
l : longueur du conducteur (en m), S : section (en m )
 : résistivité du conducteur (en .m) L
i
u
Bobine : u(t) = L.di(t) / dt L : self induction de la bobine en Henry ( H)
i C
Condensateur : i(t) = C.du(t) / dt C :capacité en Farad (F)
u

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1.5 Association de résistances

Une association de résistances se comporte comme un dipôle de résistance équivalente Req.

Association série : R1 R2 Rn
I I Req
Loi des mailles : U = U1 + U2 +…+ Un Un
U1 U2 U
Loi d’Ohm : U1 = R1.I , U2 = R2.I ,…, Un = Rn.I
d’où : U = (R1 + R2 +…+ Rn)I = Req.I =∑

Association parallèle : I1 R1

I = (G1 + G2 +…+ Gn)I = Geq.U I2 R2 Req


I

In Rn U
= =
U
.
Cas particulier de 2 résistances : =  = I

Diviseur de tension: R1 U1
U
U1 = R1.I , U2 = R2I , U = (R1 + R2)I d’où = = R2 U2

Formulation générale : =

Diviseur de courant : I
I1 I2
= = = U R1 R2

Formule générale : =

1.6 Méthode des courants des mailles

Cette méthode est basée sur la loi des mailles. La procédure à suivre est la suivante :
1- Déterminer le nombre de mailles indépendantes : M = B - (N -1) , B le nombre de branches et N le
nombre de nœuds,
2- Attribuer à chaque maille indépendante mk un courant de maille Jk avec un sens de parcours.
3- Ecrire pour chaque maille, l’équation de maille dont les inconnues sont les courants de mailles.
4- Résoudre le système d’équations établi précédemment. Calculer les courants de branches à partir des
courants de mailles. Déduire les ddp entre deux nœuds.
R1 R2 R5 i
Exemple : i1 A i2 B 5
i3 i4
Appliquer la méthode des courants de mailles au réseau
de la figure ci-contre e1 R3 R4 e2
J1 J2 J3
1- N= 3 , B=5  M= 5 – (3 – 1) = 3 : m1 , m2 et m3 m1 m2 m3
2- Courant de mailles : J1, J2 et J3 C C

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3- Equations aux mailles :
e1 - R1.J1 - R3.(J1 - J2) = 0 e1 – (R1 + R3).J1 + R3.J2 = 0
- R2.J2 + R3.(J1 - J2) - R4.(J2 - J3) = 0  R3. J1 – (R2 + R3 + R4) .J2 + R4.J3 =0
- e2 - R5.J3 + R4.(J2 - J3) = 0 - e2 + R4.J2 – (R4 + R5). J3 =0

4- Résoudre le système de 3 équations à 3 inconnues par la méthode de substitution ou la règle de Kramer


(approche matricielle) : on obtient les valeurs de J1 , J2 et J3.

5- Calcul des courants de branches : i1 = J1 , i2 = J2 , i3 = J1 - J2 , i4 = J2 - J3 , i5 = J3

1.7 Théorème de superposition

Théorème :
Si un circuit est soumis à plusieurs sources d’excitation, la réponse de ce circuit est égale à la
somme algébrique des réponses à chacune des sources d’excitation prise séparément.

Exemple : Déterminer le courant i dans la branche AB du circuit suivant :


R1 R2 R1 A R2 R1 A R2
A
i i1 i2
e1 R3 e2 e1 R3 R3 e2

B B B

Décomposer le réseau en autant de sous réseaux qu’il y a de générateurs. Dans chaque sous réseaux, ne
garder qu’un seul générateur, les autres devant être éteints (générateurs de tension remplacés par des
court-circuits et générateurs de courant par des circuits ouverts).

Dans le premier sous réseau, e2 est remplacé par un court-circuit.

=  = = =

Dans le deuxième sous réseau, e2 est remplacé par un court-circuit.

=  = = =

Le théorème de superposition donne : = + =

1.8 Théorème de Thévenin

Tout sous réseau d'un réseau peut être remplacé par un générateur de Thévenin, c'est-à-dire par un
générateur de tension idéal de fem eT en série avec une résistance interne RT.

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RT
i i
A A

dipôle u = eT – RT.i
u eT u

B B

eT = tension uAB mesurée à vide


RT = résistance vue entre A et B lorsque toutes les excitations du dipôle sont éteintes (générateurs de
tension idéaux remplacés par des courts-circuits et générateurs de courants idéaux remplacés par des
circuits ouverts).

Calcul du générateur de Thevenin :

 Isoler le réseau (c'est à dire retirer tous les éléments qui ne font pas partis du sous réseau pour
lequel on désire connaître le générateur de Thevenin ).
 Remplacer les sources de tension par des courts-circuits et les sources de courant par des circuits
ouverts.
 Calculer la résistance de Thevenin (résistance équivalente du circuit).
 Rebrancher les sources (annuler l'étape 2) calculer la tension de Thevenin (tension équivalente
entre les deux bornes du réseau pour lequel on cherche le générateur de Thevenin).

1.9 Théorème de Norton

Tout sous réseau d'un réseau peut être remplacé par un générateur de Norton, c'est-à-dire par un
générateur de courant idéal iN en parallèle avec une résistance RN.

i i
A A

dipôle u iN u I = iN – GN.u avec GN = 1/RN


RN

B B

Le courant iN est le courant de sortie lorsque l’on court-circuite les bornes A et B.


La résistance RN est la résistance vue des bornes A et B lorsque l’on annule toutes les sources d’excitation
du circuit.

Calcul du générateur de Norton :

 Pour déterminer la résistance, on annule toutes les sources du réseau et on détermine la résistance
équivalente vue des deux bornes du réseau.
 Pour calculer le générateur de courant équivalent il suffit de calculer le courant de court-circuit
circulant entre les deux bornes du réseau.

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1.10 Equivalence Thevenin-Norton RT i
i

Le générateur de Thevenin peut être remplacé par eT iN


u RN u
le généateur de Norton équivalent et inversement.

RN =RT et iN = eT / RT

1.11 Théorème de Kennely

Le théorème de Kennely permet de passer d'un schéma en triangle (Y) à un schéma en étoile (π) et
inversement :

RA RB RAB
A B A B

RC RAC RBC

C C

Théoreme de kennely

Transformation triangle - étoile Transformation étoile- triangle-

 RA = (RAB * RAC) / (RAB + RAC + RBC) RAB = (RA * RB + RA * RC + RB * RC) / RC


 RB = (RAB * RBC) / (RAB + RAC + RBC) RAC = (RA * RB + RA * RC + RB * RC) / RB
 RC = (RAC * RBC) / (RAB + RAC + RBC) RBC = (RA * RB + RA * RC + RB * RC) / RA

Démonstration du théorème de Kennely triangle vers étoile :

Appliquer la règle d’association des dipôles en série et en parallèle après avoir débranché le pole B du
circuit extérieur puis le pole C et ensuite le pole A :

RA + RC = RAC (RAB + RBC)/(RAB + RAC + RBC)

RA + RB = RAB (RAC + RBC)/(RAB + RAC + RBC)  RA + RB + RC = (RAB*RAC + RAB*RBC + RAC*RBC)/(RAB + RAC + RBC)

RB + RC = RBC (RAB + RAC)/(RAB + RAC + RBC)

En retranchant chacune des 3 premières équations de la dernière, on obtient les expressions de RA, RB et RC
en fonction de RAB, RAC et RBC.

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Chapitre 2 : Les quadripôles passifs

2.1 Quadripôle i1 i2
générateur v1 Quadripôle v2 charge
i1 i2
Circuit à 4 bornes groupées par paire.

R
Exemples :
C

2.1 Description matricielle et schémas équivalents du quadripôle

4 représentations matricielles permettent de relier les courants et les tensions d'entrée et de sortie du
quadripôle : matrice impédance, matrice admittance, matrice hybride et matrice de transfert ou matrice
chaine.

2.1.1 Matrice impédance

Equations reliant les tensions et les courants Schéma équivalent


Z11 Z22
I1 I2
V1 = Z11I1 + Z12I2 et V2 = Z21I1 + Z22I2

Sous forme matricielle : = V1 Z12I2 Z21I1 V2

ou V = Z.I

Si Z12= Z21 , le quadripôle est dit réciproque; c’est le cas des quadripôles passifs.
Si Z11 = Z22 ou Z = ZT , le quadripôle est dit symétrique.

Les éléments de Z se calculent par les définitions suivantes :

Z11 est l’impédance d’entrée, sortie du quadripôle en circuit ouvert : =

Z22 est l’impédance de sortie, entrée du quadripôle en circuit ouvert : =

Z12 est l’impédance de transfert inverse, entrée du quadripôle en circuit ouvert : =

Z21 est l’impédance de transfert directe, sortie du quadripôle en circuit ouvert : =

2.1.2 Matrice admittance

Equations reliant les tensions et les courants : I1 = Y11V1 + Y12V2 et I2 = Y21V1 + Y22V2

Sous forme matricielle : = ou I = Y.V et Y = Z-1

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I1 I2
Schéma équivalent :
V1 Y11 Y12V2 Y21V1 Y22 V2
Calcul des éléments de Y:

Y11 est l’admittance d’entrée, sortie du quadripôle en court-circuit : =

Y22 est l’admittance de sortie, entrée du quadripôle en court-circuit : =

Y12 est l’admittance de transfert inverse, entrée du quadripôle en court-circuit : =

Y21 est l’admittance de transfert directe, sortie du quadripôle en court-circuit : =

2.1.3 Matrice hybride

Equations reliant les tensions et les courants Schéma équivalent :


I1 h11 I2
V1 = h11I1 + h12V2 et I2 = h21I1 + h22V2

ℎ ℎ V1 h12V2 h21I1 h22 V2


Forme matricielle : = =
ℎ ℎ

La matrice hybride est utilisée en particulier dans l’étude des transistors.

h11 est l’impédance d’entrée, sortie du quadripôle en court-circuit : ℎ =

h22 est l’admittance de sortie, entrée du quadripôle en circuit ouvert : ℎ =

h12 est le gain en tension inverse, entrée du quadripôle en circuit ouvert : ℎ =

h21 est le gain en courant, sortie du quadripôle en court-circuit : ℎ =

2.1.4 Matrice chaine

Matrice utilisée pour la mise en cascade de quadripôles :


I1 I2 -I2 I3

V1 Q1 V2 Q2 V3

Equations reliant les tensions et les courants : V1 = a11V2 - a12I2 et I1 = a21V2 - a22I2

Sous forme matricielle : = ou =


− −

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2.2 Association de quadripôles

La matrice de représentation est choisie selon l’association de quadripôles.

2.2.1 Association série


I1 I 1’ I 2’ I2
V1 = V1’ + V1’’ et V2 = V2’ + V2’’
V1’ Q’ V2’
I1 = I1’= I1’’ et I2 = I2’= I2’’
V1 V2
I1’’ I2’’
V1’ = Z’11. I1’ + Z’12. I2’ V1’’ = Z’’11. I1’’ + Z’’12. I2’’
V1’’ Q’’ V2’’
V2’ = Z’21. I1’ + Z’22. I2’ V2’’ = Z’’21. I1’’ + Z’’22. I2’’

d’où V1 = Z11. I1 + Z12. I2 = (Z’11 + Z’’11). I1 + (Z’12 + Z’’12) . I2

V2 = Z21. I1 + Z22. I2 = (Z’21 + Z’’21). I1 + (Z’22 + Z’’22) . I2

La matrice impédance du quadripôle équivalent est égale à la somme des matrices impédances le
constituant : [Z] = [Z’] + [Z’’]

2.2.2 Association parallèle I1 I 1’ I 2’ I2


I1 = I1’ + I1’’ et I2 = I2’ + I2’’ V1 V1’ Q’ V2’ V2

V1 = V1’= V1’’ et V2 = V2’= V2’’ I2’’


I1’’
I1’ = Y’11. V1’ + Y’12. V2’ I1’’ = Y’’11. V1’’ + y’’12. V2’’ V1’’ Q’’ V2’’

I2’ = Y’21. V1’ + Y’22 V2’ I2’’ = Y’’21. V1’’ + Y’’22. V2’’

d’où I1 = Y11. V1 + Y12. V2 = (Y’11 + Y’’11). V1 + (Y’12 + Y’’12) . V2

I2 = Y21. V1 + Y22. V2 = (Y’21 + Y’’21). V1 + (Y’22 + Y’’22) . V2

La matrice admittance du quadripôle équivalent est égale à la somme des matrices admittances le
constituant : [Y] = [Y’] + [Y’’]

2.2.3 Association en cascade


I1 I 1’ I 2’ I1’’ I2’’ I2

V1 V1’ Q’ V2’ V1’’ Q’’ V2’’ V2

′ ′ ′′ ′′
Matrices de transfert des deux quadripôles : [ ′] = et [ ′′] =
′ ′ ′′ ′′

′ ′ ′′ ′′
= [ ]. = = [ ′] . = [ ′] . = [ ′]. [ ′′]. = [ ′]. [ ′′].
− ′ −′ ′′ − ′′ −

La matrice chaine de 2 quadripôles en cascade est égale au produit des mes matrices chaines des 2
quadripôles : [a] = [a’].[a’’]

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2.3 Grandeurs caractéristiques d’un quadripôle

Soit un quadripôle Q alimenté par un générateur Zg I1 I2

de tension (eg , Zg) et chargé par une impédance ZL eg V1 Q V2 ZL

Les grandeurs caractérisant le quadripôle sont :

- L’amplification en tension : GV = V2 / V1
- L’amplification en courant : GI = I2 / I1
- L’impédance d’entrée : Ze= V1 / I1
- L’impédance de sortie : Zs= V2 / I2

Equation côté générateur : V1 = eg - Zg. I1

Equation côté charge : V2 = - ZL. I2

En utilisant la matrice hybride : = , nous avons : V1 = h11I1 + h12V2 et I2 = h21I1 + h22V2

Gain en courant :

I2 = - V2/ZL = h21I1 + h22V2 = h21I1 - h22. ZL. I2  GI = I2 / I1= h21/(1+ h22. ZL)

Gain en tension :

=− =−  = − (h + )


= − h + + h =−  =−

Impédance d’entrée :


=h −h =h −h =h −  =

Impédance de sortie :
Zg h11 ZT
I1
Icc
eg V1 h12V2 h21I1 h22 V2 ET Zs = ZT = ET/Icc ; V2 = ET

h22V2 = - h21I1
=( + h ) +h = [h − ( + h )]  = = −∆

= −h = −h ; = =∆  =

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2.4 Exemples de quadripôles passifs de premier ordre R

2.4.1 Filtre passe-bas s(t)


e(t) C
La fonction de transfert (gain) en régime sinusoïdal du circuit ci-contre est :

1 1 1 1
( )= = = = =
1 1+ 1+ 2
( + ) 1+

fc =1/2πRC est appelée fréquence de coupure

Le diagramme de Bode d'un système de réponse fréquentielle g( f) est une représentation graphique
composée de deux tracés :
 Le gain (ou amplitude) en décibels (dB) : G(f) = 20 log|g(f)|
 la phase en radian ou en degré : (f) = arg (g(f)) = arctg(g(f))

L'échelle des fréquences est logarithmique et est exprimée en Hz.

G(f) en dB Droite asymptotique


Pente :-0db/octave 1 2 3 4 5 10 20
0 0,1 f (kHz)
-3 Droite asymptotique
-6 Pente :-6db/octave
-10

-20

-30
Bande passante fc :fréquence de coupure
Courbe de gain
(f)
0 f

Courbe asymptotique

-π/4

-π/2
Courbe de phase

La fréquence de coupure est telle que : |g(fc)|=|g(f)max|/2 ou G(fc)= G(f)max - 3dB


On appelle bande passante, la bande de fréquence en dehors de laquelle l’atténuation est supérieure à
3dB.

Pour le cas précédent, le module du gain est : |g | = 1 +

En décibel (db), ce gain devient : = 20 (| |) = −10 1+

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En ce qui concerne l’étude de la phase, l’argument de g(f) est donné par : =−
Etude des asymptotes :
Si ftend vers 0 : G tend vers 0 : asymptote : droite 0 dB
 tend vers 0 : asymptote : droit 0 rad
Si f tend vers ∞ : G tend vers -20log(f/fc) asymptote : droite de pente -6dB/octave ou -20dB/décade.
 tend vers –π/2 : asymptote : droit –π/2
Pour f = fc , G = -3 dB et  = –π/4.
C
2.4.2 Filtre passe-haut
e(t) R s(t)
La fonction de transfert (gain) en régime sinusoïdal du circuit ci-contre est :

2
( )= = = = =
1 1+ 1+ 2
( + ) 1+
fc =1/2πRC est la fréquence de coupure
L'échelle des fréquences est logarithmique et est exprimée en Hz.

Le module du gain est : |g| = 1+

Le gain en décibel (db) est : = 20 (| |) = 20 − 10 1+


Etude des asymptotes :
Si ftend vers 0 : G tend vers 20log(f/fc) ; asymptote : droite pente +6dB/octave ou +20dB/décade.
Si f tend vers ∞ : G tend vers 0dB
Pour f = fc , G = -3 dB
L’argument de g(f) est donné par : = −

Droite asymptotique
G(f) en dB
Pente : 0db/octave
0 0,1 1 2 3 4 5 10 20 f (kHz)
-3
-6
-10

-20 Droite asymptotique


Pente :+6db/octave
-30
Bande passante fc :fréquence de coupure
Courbe de gain
(f)
+π/2

Courbe asymptotique

+π/4

0 f
Courbe de phase

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Chapitre 3 : Les diodes

3.1 Les semi-conducteurs

3.1.1 Semi-conducteur intrinsèque

Un cristal de semi-conducteur intrinsèque est un solide dont les noyaux atomiques sont disposés aux
nœuds d’un réseau géométrique régulier. Les atomes de semi-conducteur sont tétravalents. Chaque
atome est relié à 4 voisins par des liaisons de valence qui résultent de la mise en commun de deux
électrons appartenant chacun à deux atomes voisins de la maille cristalline.

A la température ambiante, certaines liaisons se cassent du fait de l’agitation thermique. Un certain


nombre d’électrons de la bande de valence ont assez d’énergie pour passer à la bande de conduction. Un
électron qui quitte sa place laisse un vide appelé trou. Un trou comme un électron peut contribuer à la
conduction dans un semi-conducteur.
Si p est le nombre de trous et n le nombre d’électrons libres dans un semi-conducteur intrinsèque, nous
avons la relation : n = p = ni : concentration intrinsèque.

3.1.2 Semi-conducteur extrinsèque

Un semi-conducteur extrinsèque ou impur est obtenu par ajout (dopage) d’impuretés connues au sein du
semi-conducteur intrinsèque.

- Semi-conducteur de type N : dopage du semi-conducteur pur (silicium (Si) par exemple) avec des
impuretés ayant 5 électrons de valence (antimoine (Sb) par exemple).
4 électrons de Sb forment des liaisons de valence avec les 4 électrons du Si, le 5 eme électrons reste libre
et nécessite une énergie faible pour le déplacer. Ces impuretés sont donneurs d’électrons et le semi-
conducteur obtenu est dit de type N. Dans un semi-conducteur de type N, les électrons sont
majoritaires et les trous minoritaires.

- Semi-conducteur de type P : dopage du semi-conducteur pur (Si) avec des impuretés ayant 3 électrons
de valence (In, Ga). Un certain nombre de liaisons covalentes manqueront de 1 électron. Ce manque
d’électrons ou trous va pouvoir se déplacer librement. Ces impuretés sont dites accepteurs d’électrons.
Le semi-conducteur obtenu est dit de type P. Les trous y sont majoritaires et les électrons minoritaires.

A l’équilibre thermique, dans un semi-conducteur dopé, les concentrations des électrons et des trous sont
telles que : np = ni2

A 300° K , ni =1,5.1010/cm3 pour Si et ni =2,5.1013/cm3 pour Ge.

Si le semi-conducteur est soumis à un champ électrique E, la mobilité d’une charge se déplaçant à la


vitesse v est : µ = v / E
La conductivité est :  = q(nµn + pµp) où q est la charge de l’électron, µn et µp les mobilités des électrons
et des trous respectivement.

La densité de courant (A/m2) due aux électrons dans un semi-conducteur de type N est : Jn =nµnqE
La densité de courant due aux trous dans un semi-conducteur de type Pest : Jp =pµpqE
Densité de courant global : J = Jn + Jp = E

3.1. 3 Phénomène de diffusion

La diffusion est un changement de la répartition des porteurs dû à l’agitation thermique.


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Densité du courant de diffusion dû aux trous : =−

Le signe ″- ″ est dû au fait que la densité des porteurs diminue dans l’espace.

Densité du courant de diffusion dû aux électrons : =

dp/dx et dn/dx sont les gradients des concentrations des trous et des électrons, Dp et Dn sont des
coefficients de diffusion des trous et des électrons.

Dans le cas de présence d’un champ électrique (gradient de potentiel) et d’un gradient de concentration,
les densités des courants sont :

pour les trous : = μ − et pour les électrons : = μ +

3.1. 4 Jonction PN

On appelle jonction PN, une zone d’un monocristal comprise entre une région de type P et une région de
type N. Elle est réalisée à partir d’un unique substrat semi-conducteur (Ge ou Si). Seuls le taux et la nature
des impuretés y varient d’un point à un autre.
P N
+e +e +e -e -e -e Représentation d’une jonction avec les porteurs libres (+e : trous et
+e -e - e +e - e -e –e : électrons
+e +e +e -e Région P : trous majoritaires et électrons minoritaires
Région N : électrons majoritaires et trous minoritaires

3.1. 5 Jonction PN non polarisée- Barrière de potentiel

Dans une jonction, en l’absence de champ extérieur, les trous porteurs majoritaires de la région P se
trouvant au voisinage de la jonction diffusent vers la région N donnant naissance à un courant de diffusion
Idp. De même, les électrons porteurs majoritaires de la région N se trouvant au voisinage de la jonction
diffusent vers la région P formant un courant de diffusion Idn. Ces deux mouvements de charges
additionnent leurs effets donnant un courant total de diffusion de P vers N : Id = Idp + Idn dit courant direct.

Ces mouvements tendent à uniformiser la répartition des charges de part et d’autre de la jonction. Les
porteurs majoritaires, en quittant leur région d’origine, laissent des ions ″+″ du côté N et des ions ″–″ du
côté P. Il y a ainsi création d’un champ électrique interne dirigé de N vers P. Ce champ tend à freiner la
diffusion des porteurs majoritaires. On dit qu’il apparait une barrière de potentiel qui s’oppose à la
diffusion des porteurs majoritaires.

L’action de ce champ favorise le déplacement des porteurs minoritaires : nous aurons un courant dit
inverse Ii = Iip + Iin allant de la région N vers la région P. A l’équilibre : Id = Ii

On admet que : + = + = = : courant de saturation

k: constante de Boltzmann (=1,3.10-23J/°K)


V0 : barrière de potentiel (0,6V à 0,7V pour Si et 0,2V à 0,3V pour Ge)

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3.1. 5 Jonction PN polarisée en direct E
P N
La ddp externe crée aux bornes de la jonction un champ électrique
externe Eext qui s’oppose au champ interne E : la barrière de potentiel
diminue et il y a passage d’un plus grand nombre de porteurs Eext
majoritaires dans les deux sens. Nous avons : I
V
( )
= + = + = = I

Tant que V<V0 , le courant inverse dû aux porteurs minoritaires reste constant : Ii = Is
Le courant direct résultant est donc : = − = ( − 1)

La figure ci-contre montre la caractéristique directe de la jonction. V


0
0,6V
3.1. 5 Jonction PN polarisée en inverse

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