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Eléments de Base et Circuits Electroniques (partie 27)

Mr. K. Louzazna.
Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.

28 novembre 2020

Document destiné aux étudiants de 1ére année (MI)

Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.


Eléments de Base et Circuits Electroniques (partie 27) 28 novembre 2020 1 / 36
Sommaire

1 Section no.1

*/ Transistors BJFE’s : BJT & FET.

*/ Transistors à Jonctions NPN & PNP (BJT).

*/ Transistors à Effet de Champs (FET) ou (MOS).

*/ Schèmas équivalents des BJFE’S (BJT & FET).

*/ Modèles de Calculs et Applications des BJFE’s.

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Eléments de Base et Circuits Electroniques (partie 27) 28 novembre 2020 2 / 36
Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.


En pratique, les transistors BJFE’s qui vont représenter des éléments de
base de la branche de l’électronique sont divisés en deux (02) grandes
classes 1 :

*/ la classe des transistors à base de contacts entre matériaux


Semiconducteurs BJT dits transistors bipolaires à jonctions NPN ou PNP
(Biploar Junctions Transistor, BJT) 2 .

*/ la classe des transistors à base de contacts entre trois (03) matériaux


de nature électrique différente (Conducteur/Isolant/Semiconducteur) dits
transistors FET à Effet de Champs (Field Effect Transistors, FET) ou
transistors MOS à base de contacts Métal/Oxide/Semiconducteur
(Metal/Oxyde/Semiconductor, MOS).
1. Par définition, le mot transistor est une combinaison de ”TRANSfer” et ”varISTOR”
2. Par définition, une jonction (Junction) entre deux matériaux (A) et (B) est le lieu
de contact A/B formé par leur dépôt l’un sur l’autre.
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Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.

En général, les transistors BJFE’s sont constitués de trois (03) régions


distinctes (EBC) pour la classe des BJT’s et (DGS) pour la classe des
FET’s :

Pour le cas de la classe des BJT’s :


*/ la région de l’Émetteur (Emitter, E).
*/ la région de la Base (Base, B).
*/ la région du Collecteur (Collector, C).

Pour le cas de la claase des FET’s :


*/ la région du Drain (Drain, D).
*/ la région de la Grille (Gate, G).
*/ la région de la Source (Source, S).

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Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.

Figure – Photographies des deux (02) premieres générations de Transistors à


point-de-contact (Point-Contact Transistor, PCT : J.Bardeen and W.W.Brattain
1947) et à jonctions (Junctions Transistor, JT : Schockley 1948).

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Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.

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Eléments de Base et Circuits Electroniques (partie 27) 28 novembre 2020 6 / 36
Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.


*/ cas des transistors BJT (NPN et PNP) :

En général, un transistor BJT est conçu à partir d’un dépôt physique


(atomique) ou chimique (par évaporation) en sandwiches N/P/N (ou
P/N/P) de trois (03) couches minces semiconductrices, alternées et de
dopages opposés de manière à constituer une juxtaposition de deux (02)
jonctions N/P et P/N (ou P/N et N/P).

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Eléments de Base et Circuits Electroniques (partie 27) 28 novembre 2020 7 / 36
Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.


D’un point de vue électrique, les deux schèmas équivalents respectifs aux
transistors BJT de type NPN et PNP sont représentés sur la figure
ci-dessous. L’intensité du courant électrique de l’émetteur (E) est ainsi
défini comme une somme des deux (02) intensités de courants de la base
(B) et du collecteur (C) :
IE = IB + IC [A]SI

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Eléments de Base et Circuits Electroniques (partie 27) 28 novembre 2020 8 / 36
Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.

En pratique, le courant électrique d’entrée IC parcourant la région du


collecteur (C) est décrit à partir du courant électrique de sortie IE de la
région de l’émetteur (E) par l’équation linéaire suivante :

IC = ACE
I .IE = α.IE

IC
ACE
I (ou α) représentant un gain en courant : ACE
I = IE

Sur la base d’une application de la loi des courants de Kirchoff (KCL) :

IE = IC + IB → IE = α.IE + IB → (1 − α).IE = IB

1
→ IE = .IB
(1 − α)

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Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.


Ainsi, le courant électrique IC parcourant la région du collecteur (C) est
définie à partir du courant électrique IB de la région de la base (B) par une
équation linéaire de forme :
α
IC = α.IE = .IB = ACB
I .IB = β.IB
(1 − α)
ACB
I (ou β) représentant un gain en courant du transistor BJT :
   
α β
β= → α=
1−α 1+β

Le gain en courant d’un transitor BJT est ainsi défini par (sans unité) :
ACE
 
CB I IC
AI = CE
=
1 − AI IB
1
→ IE =  
β
1− 1+β
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Eléments de Base et Circuits Electroniques (partie 27) 28 novembre 2020 10 / 36
Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.

Aprés une substitution dans l’équation du courant de l’émetteur (E)


précédente :  
1 β
IE = .IB avec α =
1−α 1+β
1
→ IE = β
.IB = (1 + β).IB
1 − ( 1+β )

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Eléments de Base et Circuits Electroniques (partie 27) 28 novembre 2020 11 / 36
Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.


*/ Assemblage des transistors BJT’s (NPN ou PNP) :
En pratique, l’assemblage des transistors BJT’s (NPN ou PNP) dans les
différents montages électriques (ou électroniques) est réalisé suivant l’un
des trois (03) schémas représentés sur figure ci-dessous :
- schéma en l’émetteur-commun (Common-Emitter, CE) avec un émetteur
(E) é à la terre (ground, GRD), un collecteur (C) et une base (B) polarisés
avec des sources de tensions électriques externes. C’est ce schèma qui le
plus largement appliqué dans les montages en question.

- schéma en collecteur-commun (Common-Collector, CC) avec un


collecteur (C) raccordé à la terre (GRD), un émetteur (E) et une base (B)
polarisés avec des sources de tensions électriques externes.

- schéma en base-commune (Common-Base, CB) avec une base (B)


raccordée à la terre (GRD), un collecteur (C) et un émetteur (E) polarisés
avec des sources de tensions électriques externes.
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Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.

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Eléments de Base et Circuits Electroniques (partie 27) 28 novembre 2020 13 / 36
Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.


*/ Polarisatioons et Modes opératoires des BJT’s :

En pratique, les quatre (04) modes opératoires des transistors BJT (NPN
et PNP) représentés sur la figure ci-dessous sont régis par la nature des
polarisations (directe ou iverse) appliquées aux différentes régions de la
base (B), de l’émetteur (E) et du collecteur (C).

Par définition, la polarisation électrique d’une jonction (ou contact) P/N


est dite directe (forward bias) si la polarité des deux électrodes (anode +
et cathode -) est concordante avec le signe de chacune des régions P
(Positive) et N (Négative) constituants cette jonction :
(+, P) et (−, N)
Dans le cas contraire, la polarisation est dite inverse (reversed bias) :
(−, P) et (+, N)
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Eléments de Base et Circuits Electroniques (partie 27) 28 novembre 2020 14 / 36
Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.


Pour le cas du montage en émetteur-commun (CE) du tansistor
BJT(NPN) de la figure ci-dessous :

- le mode direct-inverse (Froward-Reverse, FR) correspondant à une


polarisation drecte (+,P) de la base (B) et une polarisation inverse (+,N)
du collecteur (C), figure (haut-gauche). Dans ce mode (FR), le transistor
BJT est en état d’activation (active state) et est utilisé pour
l’amplification (amplifier) des signaux électriques d’entrée :

VBE < 0 → VE − VB < 0 → VE < VB
NPN :
VBC > 0 → VC − VB > 0 → VC > VB


VBE > 0 → VE − VB > 0 → VE > VB
PNP :
VBC < 0 → VC − VB < 0 → VC < VB

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Eléments de Base et Circuits Electroniques (partie 27) 28 novembre 2020 15 / 36
Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.

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Eléments de Base et Circuits Electroniques (partie 27) 28 novembre 2020 16 / 36
Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.

- le mode direct-direct (Forward-Forward, FF) résultant d’une polarisation


directe (+,P) de la base (B) et une polarisation directe (-,N) du collecteur
(C), figure (haut-droite). Pour ce mode FF, le transistor BJT est en état
de saturation (saturation state) et est utilisé comme un interrupteur fermé
(closed switch).

VBE < 0 → VE − VB < 0 → VE < VB
NPN :
VBC < 0 → VC − VB < 0 → VC < VB


VBE > 0 → VE − VB > 0 → VE > VB
PNP :
VBC > 0 → VC − VB > 0 → VC > VB

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Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.


- le mode inverse-direct (Reverse-Forward, RF) avec une polarisation
inverse (-,P) de la base (B) et une polarisation directe (-,N) du collecteur
(C), figure (bas-gauche). Dans ce mode RF, le transistor BJT est en état
de coupure (cut-off state) et est utilisé comme un interrupteur fermà c
(closed switch).

VBE > 0 → VE − VB > 0 → VE > VB
NPN :
VBC > 0 → VC − VB > 0 → VC > VB


VBE < 0 → VE − VB < 0 → VE < VB
PNP :
VBC < 0 → VC − VB < 0 → VC < VB

- le mode inverse-inverse (Reverse-Reverse, RR) résultant d’une


polarisation inverse (-,P) de l’émetteur (E) et d’une polarisation inverse
(+,N) du collecteur (C), figure (bas-droite), le transistor BJT est en mode
d’inversion (inverted state) sans utilité pratique.
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Eléments de Base et Circuits Electroniques (partie 27) 28 novembre 2020 18 / 36
Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.


Modèles de calcul des transistors BJT

*/ Modèle hybride des paramètres H (H-hybrid Model) :


D’un point de vue théorique, un transistor BJT (NPN ou PNP) est
substitué par un schéma électrique équivalent introduit par un modèle
hybride des paramétres-H (H-parameters Model) représenté sur la figure
ci-dessous. Ce modèle est basé sur les relations hybrides (mixtes) de
correspondance entre les grandeurs des intensités de courants d’entrée et
de sortie du BJT et de ses tensions d’entrée et de sortie :
 BJT
Vin = H11 .IinBJT + H12 .Vout BJT
BJT = H .I BJT + H .V BJT
Iout 21 in 22 out

En notation matricielle :
 BJT     BJT 
Vin H11 H12 Iin
BJT = . BJT
Iout H21 H22 Vout
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Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.


Ainsi, les quatre (04) éléments de cette matrice [H] sont définies par :

VinBJT VinBJT

H11 = BJT , H12 = BJT
Iin V BJT =0 Vout I BJT =0
out in

BJT BJT

Iout Iout
H21 = BJT , H22 = BJT
Iin V BJT =0 V out IinBJT =0
out

En unités-SI, les éléments H12 et H21 qui vont constituer des grandeurs
sans unités vont définir respectivement l’inverse d’un gain en tension et le
gain en courant du transistor BJT :
BJT VinBJT

Iout BJT 1
H21 = BJT = AI , H12 = BJT = BJT
Iin V BJT =0 Vout I BJT =0 AV
out in

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Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.

A la différence, les éléments H11 et H22 qui vont manifester les unités
respectivement d’une résistance [Ω] et de l’inverse d’une résistance [Ω−1 ]
vont définir la résistance (impédance) d’entrée du BJT et l’inverse de sa
résistance (impédance) de sortie :

VinBJT BJT

Iout 1 
BJT
= BJT Ω−1

H11 = BJT = Rin [Ω] , H22 = BJT
Iin V BJT =0 Vout I BJT =0 Rout
out in

Ainsi, la matrice [H] correspondante est donnée par :


BJT 1
!
Rin AVBJT
[H] = 1
ABJT
I R BJT out

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Eléments de Base et Circuits Electroniques (partie 27) 28 novembre 2020 21 / 36
Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.

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Eléments de Base et Circuits Electroniques (partie 27) 28 novembre 2020 22 / 36
Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.

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Eléments de Base et Circuits Electroniques (partie 27) 28 novembre 2020 23 / 36
Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.


Sur la base d’une application de la loi des tensions de Kirchoff (KVL) aux
trois (03) boucles (1), (2) et (3) constituants le montage électrique en
émetteur-commun (CE) traité :
(
BJT .I + 1 .V
vo (t) − R01 .Ib1 − Rin b1 ABJT CE + VBB = 0
V
BJT .I + ABJT .I .R BJT = 0
RL .Ib2 + Vcc + Rout b2 I b1 out

tels que :
VinBJT = VBE , IinBJT = IB = Ib1

BJT BJT
Vout = VCE , Iout = IC = −Ib2

le courant de lémetteur est défini à partir de la loi des cournats de Kirchoff


(KCL) appliquée au point (noeud) E :
IE = IB + IC = Ib1 − Ib2
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Eléments de Base et Circuits Electroniques (partie 27) 28 novembre 2020 24 / 36
Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.


Les courants des boucles (1) et (2) sont ainsi donnés par :
1
vo + ABJT
.VCE + VBB
V
Ib1 = BJT

R01 + Rin

−ABJT BJT .I − V
 
I .Rout b1 CC −ABJT
I
BJT
.Rout VCC
Ib2 = BJT
 = BJT
 .Ib1 − BJT

RL + Rout RL + Rout RL + Rout
 
1
BJT
−AI .Rout BJT vo + AVBJT .V CE + V BB VCC
= . −
BJT BJT BJT
 
RL + Rout R01 + Rin RL + Rout
 
1
−ABJT .R BJT vin + ABJT .VCE VCC
I out V
= BJT
.  BJT
 − BJT

RL + Rout R01 + Rin RL + Rout
avec :
vin = vo + VBB
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Eléments de Base et Circuits Electroniques (partie 27) 28 novembre 2020 25 / 36
Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.


avec :
IB = Ib1 , IE = Ib1 − Ib2 et IC = −Ib2
La tension de sortie du montage (CE) traité est définie par :

vout = RL .Ib2
   
1
BJT
RL .Rout v in + BJT
AV
.VCE VCC 
→ vout = BJT
 . −ABJT
I . BJT
  − BJT
RL + Rout R01 + Rin Rout

Ainsi, le gain en tensions et le gain en courants de ce montage en


émetteur-commun (CE) sont respectivement donnés par :

Vout Iout Ib2


ACE
V = et ACE
I = = = −ABJT
I
Vin Iin Ib1

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Eléments de Base et Circuits Electroniques (partie 27) 28 novembre 2020 26 / 36
Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.


Tenant compte de la faible valeur de la tension VCE ≈ 0.01[V ] et de la
valeur elevée du gain en tension du BJT ABJT
V ≈ 100, le produit
1
ABJT
.VCE ≈ 0 va constituer une grandeur de valeur négligeable (égale à
V
zéro). La tension sortie résultante :
" " # #
BJT
RL .Rout v + V V
o BB CC
vout = BJT
 . −ABJT
I . BJT
 − BJT
RL + Rout R01 + Rin Rout

Pour le cas d’un transistor BJT manifestant une résistance externe de trés
BJT >>), la tension de sortie de ce montage électrique en
large valeur (Rout
émetteur-commun (CE) :
" " # #
BJT vo + VBB
vout ≈ RL . −AI . BJT
 −0
R01 + Rin
(vo + VBB )
≈ −RL .ABJT
I . BJT

R01 + Rin
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Eléments de Base et Circuits Electroniques (partie 27) 28 novembre 2020 27 / 36
Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.

la fonction de transfert résultante :


vout RL
ACE
V = ≈ −ABJT
I . BJT
 avec vin = vo + VBB
vin R01 + Rin

Dans le cas d’une substitution de la résistance d’entrée du BJT par un fil


BJT ≈ 0, le gain en tension résultant :
conducteur Rin

vout RL
ACE
V = ≈ −ABJT
I .
vin R01
Le gain en courant correspondant :
BJT

Ib2 vin R01 + Rin
ACE
I = BJT
= −AI . BJT
. = −ABJT
I
Ib1 R01 + Rin vin

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Eléments de Base et Circuits Electroniques (partie 27) 28 novembre 2020 28 / 36
Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.


Les relations de correspondance propres aux trois (03) montages
principaux :

*/ Montage en Emetteur-Commun (CE) :


   CE CE
  
VBE H11 H12 IB
= CE H CE .
IC H21 22 VCE

*/ Montage en Base-Commun (CB) :


   CB CB
  
VEB H11 H12 IE
= CB H CB .
IC H21 22 VCB

*/ Montage en Collecteur-Commun (CC) :


   CE CE
  
VBC H11 H12 IB
= CE H CE .
IE H21 22 VEC
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Eléments de Base et Circuits Electroniques (partie 27) 28 novembre 2020 29 / 36
Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.


*/ Modèle des paramétres-Y (Y-parameters Model) :

Par analoqgie au modèle hyride des paramètres-H, il est possble de


substituer le transistor BJT (NPN ou PNP) par un schéma électrique
équivalent introduit par le modèle des paramétres-Y (Y-parameters Model)
représenté sur la figure ci-dessous. Ce modèle est basé sur les relations de
correspondance entre les grandeurs des intensités de courants d’entrée et
de sortie du BJT et de ses tensions d’entrée et de sortie :
 BJT BJT
Iin = Y11 .VinBJT + Y12 .Vout
BJT = Y .V BJT + Y .V BJT
Iout 21 in 22 out

en notation matricielle :
 BJT     BJT 
Iin Y11 Y12 Vin
BJT = . BJT
Iout Y21 Y22 Vout

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Eléments de Base et Circuits Electroniques (partie 27) 28 novembre 2020 30 / 36
Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.


Les quatre (04) éléments de la matrice [Y ] sont définis par :
I BJT

1
Y11 = VinBJT BJT = R BJT
in V
out =0 11
I BJT 1
Y12 = VinBJT BJT = R BJT
out V
in =0 12
BJT
Y21 = VIoutBJT
BJT =0
1
= R BJT
in Vout 21
BJT
Y22 = VIoutBJT BJT
1
= R BJT
out Vin =0 22

En unités-SI, ces quatre (04) éléments qui vont manifester l’unité de


l’inverse d’une résistance (impédance) vont constituer des admittances 3 .
3. Par définition, la grandeur de l’admittance Y est l’inverse d’une impédance
Z = R + j.X :
 
1 1 1
Y = = avec j +2 = −1 (complexe)
Z R + j.X Ω

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Eléments de Base et Circuits Electroniques (partie 27) 28 novembre 2020 31 / 36
Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.

Note :

En pratique, les transitiors BJT sont appliqués comme interrupteurs


(swiches) automatiques dans les montages électroniques de manière à
autoriser ou à bloquer la circulation du courant électrique dans les
éléments des montages avec lequels ils sont assemblés. Ces transistors
BJT’s sont aussi utilisés dans les circuits intégrés ”logiques” dits TTL
(Transistor-Transistor Logic) servants dans les calculateurs numériques et
qui sont de plus en plus substitués par des circuits intégrés de type
MOSFET (MOS complémentaire, CMOS) de plus faible consommation en
énergie électrique.

De même, les transitions FET sont aussi utilisés comme interrupteurs


parfaits en raison de la couche d’Oxyde (isolant électrique) les
constituants.
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Eléments de Base et Circuits Electroniques (partie 27) 28 novembre 2020 32 / 36
Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.

Caractéristiques des transistors BJT :


- un gain en tension de valeur élevée.
- un gain en courant de valeur élevée.
- une impédance d’entree de valeur élevée.
- un niveau de bruit faible.
- un temps de réponse rapide.
- un coût de fabrication élevé.

Caractéristiques des transistors FET :


- un gain en tension de valeur élevée.
- un gain en courant de valeur réduite.
- une impédance d’entrée de valeur réduite.
- un niveau de bruit moyen.
- un temps de réponse moyen.
- un coût de fabrication réduit.
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Eléments de Base et Circuits Electroniques (partie 27) 28 novembre 2020 33 / 36
Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.

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Eléments de Base et Circuits Electroniques (partie 27) 28 novembre 2020 34 / 36
Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.

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Eléments de Base et Circuits Electroniques (partie 27) 28 novembre 2020 35 / 36
Section no.1

Transistors BJFE’s : BJT & FET.

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Eléments de Base et Circuits Electroniques (partie 27) 28 novembre 2020 36 / 36