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Composants et amplification EL51 Licence EEAII L3

TDN°3 : Jonction PN (2ème partie)

On considère une jonction N+P abrupte dont les caractéristiques à 300 K sont les
suivantes :
S = 1 cm2 ni = 1010 cm-3  = 10-12 F.cm-1
dopage mobilité Durée de vie Largeur
Région N+ : Nd = 1019 cm-3 p = 60 cm2.v-1.s-1 p = 1 s Wn = 1m
Région P : Na = 1016 cm-3 n = 900 cm2.v-1.s-1 n = 10 s Wp = 10m

1°) Montrez que l’on peut négliger les recombinaisons dans les ZQN avec une bonne
approximation.

2°) Calculez le potentiel thermodynamique Vd et la largeur W0 de la ZCE à l’équilibre


thermodynamique.

On applique à cette jonction une tension de 600 mV en direct.

3°) Tracez l’allure des distributions de porteurs dans la structure. En déduire les valeurs
des courants d’électrons Jn et de trous Jp ainsi que l’efficacité d’injection  = Jn / Jp.

4°) Dans chacune des ZQN, calculez la charge Qs stockée par les porteurs minoritaires et
comparez la à la charge Q0 des dopants (ou charge stockée par les porteurs majoritaires). La
ZQN considérée est elle en faible ou en fort niveau d’injection ?

5°) Calculez le temps de transit des électrons dans la ZQN P

6°) Donnez le schéma équivalent petit signal de la jonction pour ce point de


fonctionnement. Quelle est la limite de validité de ce schéma en amplitude et en fréquence.