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UNIDAD 6 – GANANCIA Y LÍNEAS DE CARGA DE TRANSISTOR

OBJETIVO DE LA UNIDAD
Al completar esta unidad, usted será capaz de demostrar cómo las condiciones de operación
y ganancia afectan las corrientes del circuito transistor usando un transistor CD o línea de
carga.

FUNDAMENTOS DE LA UNIDAD

Un transistor es un dispositivo que controla corriente. Una pequeña corriente de base (IB)
controla una gran corriente de colector (IC). La corriente de colector es igual a la de emisor
menos la de base: IC = IE - IB.

La unión base-emisor debe ser polarizada directamente para que la corriente de base (BASE
CURRENT) fluya. Cuando el voltaje base-emisor (VBE) está entre 0.5 Vcd y 0.75 Vcd, la
corriente de base (IB) empieza a aumentar rápidamente con un pequeño aumento en VBE.
Cuando la unión base-emisor es polarizada directamente y la unión base-colector es
polarizada inversamente, la corriente de colector (IC) es proporcional a la corriente de base
(IB). La proporción de la corriente de colector (IC) a la corriente de base (IB) es la ganancia
de corriente (ßDC). La ganancia de corriente (ßDC) para un transistor puede estar en el rango
de 50 a 300.
UNION BASE-EMISOR UNION BASE-COLECTOR
SATURACION POLARIZACION DIRECTA POLARIZACION DIRECTA
ACTIVO POLARIZACION DIRECTA POLARIZATION INVERSA
DE CORTE POLARIZATION INVERSA ______

La tabla de arriba muestra el voltaje de polarización de las uniones base-emisor y base-


colector, necesarios para que el transistor esté en los estados de saturación, activo o corte.

Una línea de carga (LOAD LINE) de CD es una porción de la corriente de colector (IC)
contra el voltaje colector-emisor (VCE). La región activa está entre el punto de saturación
(SATURATION POINT) y el punto de corte (CUTOFF POINT).

NUEVOS TÉRMINOS Y PALABRAS


Línea de carga (load line) – Una curva de la corriente del colector versus el voltaje del
colector, usada para determinar el mejor punto de operación del transistor.
Punto de corte (CUTOFF POINT) – el punto de operación del transistor polarizado
inversamente (no conduce).
Punto de saturación (SATURATION POINT) – el punto de operación en el que la
corriente máxima fluye en un transistor polarizado directamente.
Punto quiescente (Quiesecent point) o punto-Q (Q-POINT) – el punto de operación CD
de un transistor igual a aproximadamente la mitad del suministro de voltaje.

EQUIPO REQUERIDO
Unidad de base de FACET
Tablero de circuitos DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES (SEMICONDUCTOR
DEVICES)
Multímetro
Ejercicio 1 – Potencial de polarización

OBJETIVO DEL EJERCICIO


Cuando haya completado este ejercicio, usted será capaz de demostrar la relación entre el
voltaje base-emisor del transistor y la corriente base usando un circuito de transistor.
Verificará sus resultados con un multímetro.

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO


Las características de CD de polarización inversa y directa de una unión base-emisor son
muy similares a las de la unión de un diodo PN.
Los transistores de silicio tienen una caída de voltaje directa entre 0.5 Vcd y 0.75 Vcd. Los
transistores de germanio tienen una caída de voltaje directa entre 0.15 Vcd y 0.3 Vcd.
Cuando se alcanza la caída de voltaje directo de un transistor, la corriente directa empieza a
fluir y aumenta rápidamente con un pequeño aumento en el voltaje.
La unión base-emisor de un transistor no puede tolerar voltajes inversos que sean mayores
de 5 Vcd a 6 Vcd.
La unión base-colector del transistor la cual es polarizada inversamente, puede tolerar
voltajes de polarización inversos de un rango de 60 Vcd a 75 Vcd. Este voltaje de
polarización inverso máximo es documentado en la hoja de especificación del transistor y
se conoce como voltaje de ruptura.
Si se excede el voltaje de ruptura, éste “perforará” la barrera de la unión y destruirá el
transistor.
Cuando la unión base-emisor es polarizada en forma directa y la corriente de base fluye a
través de la unión, la corriente también fluye a través de la unión base-colector sin importar
su polarización.
Cuando un transistor opera en la región lineal, la unión base-emisor es polarizada
directamente y la unión base-colector inversamente.
Cuando un transistor se satura con la corriente máxima que fluye a través del colector,
ambas uniones base-emisor y base –colector son polarizadas directamente.
Sin embargo, la corriente no puede fluir (excepto la corriente diminuta de fuga) a través de
la unión base-emisor, si esta es polarizada inversamente.

Este ejercicio demostrará la relación entre la caída de voltaje base-emisor y la corriente de


base con el colector abierto. BEO significa base-emisor con el terminal colector abierto.
PROCEDIMIENTO DEL EJERCICIO

3. La unión base-emisor de Q1 (NPN) está


a. polarizada directamente.
b. polarizada inversamente.

4. Mida el voltaje base-emisor de Q1 con el colector abierto (VBEO).


VBEO = Vcd

5. ¿Está fluyendo corriente de base directa?


a. sí
b. no
7. Mida VBEO.
VBEO = Vcd

8. Con el cambio en el circuito, la unión base-emisor, ¿está polarizado directa o


inversamente?
a. directamente
b. inversamente
21. ¿Hay alguna similitud entre sus datos de IBEO contra VBEO, para un transistor con la
relación de la corriente directa contra la caída de voltaje directo de un diodo?
a. sí
b. no
CONCLUSIONES

PREGUNTAS DE REPASO

1. La unión base-emisor de un transistor:


a. sólo puede ser polarizada inversamente sin importar la polaridad del voltaje aplicado.
b. sólo puede ser polarizada directamente sin importar la polaridad del voltaje aplicado.
c. puede ser polarizado directa o inversamente dependiendo de la polaridad del voltaje
aplicado.
d. tiene características de polarización directa CD completamente diferentes a las del diodo.

2. Los diodos y transistores de silicio


a. tiene diferente caída de voltaje directo.
b. tienen voltajes de caída directo en un rango de 0.5 a 0.75 Vcd.
c. se diferencian en que la unión de un transistor no tiene voltaje de ruptura inverso.
d. tienen una relación entre voltaje y corriente de polarización directa diferente.

3. Aquí se muestra la curva IBEO contra VBEO. Cuando el voltaje directo base-emisor
(VBEO) es 0.50 Vcd, la corriente directa base-emisor (IBEO) de un transistor de silicio
a. es más de 2 mA.
b. empieza a aumentar muy rápido.
c. empieza a disminuir rápidamente.
d. es menos de 20 µA.
4. En la curva, la corriente de base-emisor (IBEO) comienza a aumentar con el colector
abierto en el rango de los cientos de microamperios, después que el voltaje directo base
emisor (VBEO)
a. excede 0.70 Vcd.
b. excede 0.60 Vcd.
c. es mayor que 0.40 Vcd pero menor que 0.55 Vcd.
d. excede 0.75 Vcd.
5. Observe la curva. Cuando la corriente base-emisor (IBEO) excede 2 mA, la caída de
voltaje directo de base-emisor
a. comienza a disminuir.
b. es menor que 0.5 Vcd.
c. puede ser considerada constante.
d. aumenta muy rápidamente.

Ejercicio 2 – Corriente/colector contra corriente/base

OBJETIVO DEL EJERCICIO


Cuando haya terminado este ejercicio, usted será capaz de demostrar la relación entre
corriente de colector y corriente de base usando un circuito con transistor. Verificará sus
resultados con un multímetro.

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

El circuito usado en este ejercicio, tiene dos fuentes de voltaje: una para polarizar la base y
otra para suministrar la corriente de colector.
Para variar la corriente de base, ajuste el potenciómetro (R2).
La unión base-emisor está polarizada directamente porque la base es más positiva que el
emisor. Ya que la base es más negativa (menos positiva) que el colector, la unión base-
colector esta polarizada inversamente.
Con estas condiciones de polarización de circuito, la corriente fluye por Q1.
La corriente del emisor (IE) es igual a la suma de las corrientes de base (IB) y colector (IC):
IC = IB + IC.
En el ejercicio anterior, demostró que la corriente fluye entre base y emisor cuando la unión
esta polarizada en forma directa.
La corriente del colector fluye debido a la polarización inversa de la unión base-colector
cuando la unión base-emisor esta polarizada en forma directa.
La razón por la cual fluye corriente entre las uniones de base y colector, aun cuando la
unión este polarizada inversamente, es que la región base es delgada y ligeramente dopada
comprada con las regiones de colector y emisor.
Ya que la región base es delgada y ligeramente dopada, los electrones del emisor pasan más
fácilmente hacia la región fuertemente dopada de colector que hacia el exterior del terminal
de base. Esta condición permite que la corriente fluya entre las uniones del colector y base,
aun cuando la unión este polarizada inversamente. En general, más del 95% de la corriente
de emisor fluye al colector; menos del 5% es corriente base.

• Ganancia
Para un transistor dado, la ganancia de la corriente de CD, es la razón de las corrientes de
colector y base (IC/IB) cuando el transistor este funcionando en la región lineal (cuando la
unión base-emisor esta polarizada directamente y la unión base-colector esta polarizada
inversamente) y se representa por los símbolos βDC o hFE.
βDC = hFE = IC/IB

Beta (βDC) puede estar entre 10 y 500, y aumentar con la temperatura de operación; El
transistor NPN usado en este procedimiento tiene una especificación de ganancia de
corriente entre 50 y 300.
La ganancia de corriente es una propiedad importante del transistor, ya que una pequeña
corriente de base puede controlar una gran corriente de colector.
La ganancia define el grado, en el cual el transistor amplifica una pequeña señal de entrada
en señales de salida mayores.

PROCEDIMIENTO DEL EJERCICIO

5. Complete la siguiente tabla, ajustando el potenciometro para fijar las caidas de voltaje de
VR9 según se indican para fijar las IC correspondiente, Mida la caída de voltaje en R6 y
calcule IB.
VR9 IC=( VR9/100Ω) x103 VR6 IC=( VR9/100Ω) x103
Vcd mA (Vcd) mA
0.20 2.00
0.60 6.00
1.00 10.00
6. La tabla de arriba muestra la corriente de colector IC contra la corriente de base IB con los
datos que acaba de obtener.

7. El grafico muestra IC contra IB para transistores con ganancias de 300 y 50. Compare sus
datos con el grafico IC contra IB.
8. Sus datos IC comparados con IB ¿están las líneas de ganancias 300 y 50?
a. si
b. no
9. De sus datos, calcule la IB requerida para aumentar IC de 2 mA a 10 mA.
Cambio en IB = µA
10. Calcule la ganancia βDC de Q1 utilizando el cambio de IB calculado para un cambio de 8
mA en IC.
βDC = mA
11. Su ganancia calculada de (ßDC) anteriormente a partir de los valores medidos de
corriente de colector y base, ¿está entre los límites de especificación de ganancia de 50 y
300?
a. sí
b. no
CONCLUSIONES

PREGUNTAS DE REPASO
1. La propiedad ganancia de corriente de un transistor permite a
a. una pequeña corriente de colector (IC) controlar una corriente de base (IB) grande.
b. una pequeña corriente de base (IB) controlar una corriente de colector (IC) grande.
c. una pequeña corriente de emisor (IE) controlar una corriente de colector (IC) grande.
d. la corriente de colector (IC) fluir cuando la unión base-emisor está en polarización
inversas.

2. La corriente de ganancia CD (ßDC) es expresada por, ¿cuál de las siguientes?


a. ßDC= IC/IB
b. ßDC= IB/IC
c. ßDC= IB/IE
d. ßDC= IC/IE

3. La ganancia de corriente de CD (ßDC) del transistor usado en este ejercicio estuvo entre
a. 5 y 30.
b. 50 y 300.
c. 300 y 500.
d. 30 y 50.
4. Suponga que se requiere una corriente de colector (IC) de 10 mA para un transistor de
ganancia (ßDC) de 200. Calcule la corriente de base (IB) usando la relación de ganancia
(ßDC=IC/IB).
a. 0.02 mA
b. 0.02 mA
c. 0.05 mA
d. 0.05 mA

5. La corriente de base (IB) de un transistor es usualmente


a. El 95% de la corriente de emisor (IE).
b. El 50% de la corriente de emisor (IE).
c. El 50% de la corriente de colector (IC).
d. Menos del 5% de la corriente de emisor (IE).

Ejercicio 3 – Voltajes de CD del circuito transistor

OBJETIVO DEL EJERCICIO


Cuando haya completado este ejercicio, usted será capaz de demostrar las condiciones de
operación en CD de un circuito transistor, usando un transistor NPN. Verifique sus
resultados con un multímetro.

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO


Las tres condiciones de voltaje de CD, de un circuito transistor son: (1) en el punto de
saturación, (2) en la región activa (lineal) donde la corriente de colector es
proporcionalmente línea a la corriente de base o (3) en el punto de corte, donde la corriente
es cero.
En el punto de saturación, ambas uniones del transistor están polarizadas directamente.
En la región activa, la unión base-emisor se polarizada directamente y la unión base-
colector inversamente.
En el punto de corte, la unión base-emisor se polariza inversamente.
Un circuito transistor NPN es usado en este ejercicio. La fuente de voltaje de base es 15
Vcd y la fuente del circuito colector es puesta en 10 Vcd.
Todos los voltajes son medidos en referencia al voltaje de emisor. Debido a que no hay
resistencia de emisor, lo siguiente es verdadero: VB = VBE y VC = VCE
El potenciómetro R2 es ajustado para calibrar la corriente de base.
• Voltajes de saturación

En este circuito se muestra las condiciones de voltaje de CD cuando el transistor Q1 es


operado en saturación.
Las uniones base-emisor y base colector son polarizadas directamente: la base es más
positiva que el emisor o el colector.
Las condiciones de saturación están presentes, cuando la unión base-colector se polariza
directamente, donde el VCE se aproxima a 0 Vcd, y el transistor actúa como un interruptor
cerrado.
La corriente de colector es máxima e igual al voltaje de la fuente de colector dividido por el
total de las resistencias del circuito colector.
IC = (10.0-VCE)/(R9+R7) = (10-0.1)/(4.8 kΩ) = 2.04 mA
En el punto de saturación, la corriente del colector no es igual a la corriente de base por
veces ßDC porque la unión base-colector es polarizada directamente.
• Voltajes región activa

Un circuito transistor que está en operación en la región activa, puede tener un punto de
operación en algún lugar entre el punto de saturación y corte.
En la región activa, la unión base-emisor está polarizada directamente y la unión base-
colector inversamente. La corriente de colector es linealmente proporcional a la corriente
de base. La corriente de colector es igual a la corriente de base por beta.
IC = ßDC x IB
IC es calculada de las condiciones de circuito como sigue:
IC = (10.0-VCE)/(R9+R7) = (10.0-5.0)/(4.8 kΩ) = 1.04 mA
IB es calculada de las condiciones de circuito como sigue:
IB = VR6/ 1 kΩ

• Voltajes de corte

El punto de corte ocurre cuando la corriente y el voltaje de base están en cero, porque la
unión base-emisor no está polarizada directamente. La corriente de colector es cero. VCE es
igual a la fuente de voltaje del colector. El circuito transistor actúa como un interruptor
abierto.
Hay que destacar que la caída de voltaje directo de la unión base-emisor tiene que estar en
el rango de 0.5 Vcd a 0.8 Vcd para que una corriente de base fluya.

PROCEDIMIENTO DEL EJERCICIO


4. Basado en su valor medido de VBE, la unión base-emisor está
a. en polarización directa.
b. en polarización inversa.
5. Mida el voltaje colector-emisor de Q1.
VCE= Vcd
6. De acuerdo a las medidas tomadas del voltaje base Q1 y el voltaje de colector, la unión
base-colector, ¿está polarizada directamente?
a. sí
b. no
7. Mida la caída de voltaje en la resistencia R9 (100Ω) de colector.
VR9= Vcd
8. Basado en su valor medido de VR9, Calcule la corriente del colector
IC = mA
9. Mida la caída de voltaje en la resistencia de base R6 (1 kΩ).
VR6= Vcd
10. Basado en su valor medido de VR6, Calcule la corriente de base
IB = mA
12. Basado en su valor medido de VBE, la unión base-emisor, ¿está polarizada
directamente?
a. sí
b. no
13. Mida VCE.
VCE= Vcd
14. Según su medición de voltaje de base de Q1 en el punto 11, y el voltaje de colector
medido en 13. La unión base-colector está
a. en polarización directa.
b. en polarización inversa.
15. Mida VR9
VR9= mVcd
16. Basado en su valor medido de VR9, la corriente de colector es
IC = mA
17. Mida VR6
VR6= mVcd
18. Basado en su valor medido de VR6, la corriente de base es
IB = mA

20. Basado en su valor medido de VBE, la unión base-emisor, ¿está polarizada


directamente?
a. sí
b. no
21. Usted fijo el voltaje colector-emisor en 5 Vcd. De acuerdo al voltaje de base medido de
Q1, La unión base-colector, ¿está polarizada directamente?
a. sí
b. no
22. Mida VR9.
VR9= Vcd
23. Basado en su valor medido de VR9, la corriente de colector es
IC = mA
24. Mida VR6.
VR6= Vcd
25. Basado en su valor medido de VR6, la corriente de base es
IB = mA

CONCLUSIONES
Tabule los datos medidos y calculados en la siguiente tabla
Condición del VBE VCE IB IC
transistor Vcd Vcd mA mA
Saturación
Activo 5.00
Corte

• En saturación, la corriente del transistor es máxima y VCE se aproxima a 0 Vcd;


ambas uniones están polarizadas directamente.
• En corte, la corriente del transistor es cero y VCE iguala al voltaje de la fuente de
colector de 10.0 Vcd; la unión base-emisor es polarizada inversamente.
• En la región activa, la unión base-emisor es polarizada directamente y la unión
base-colector es polarizada inversamente; las corrientes del transistor están entre las
condiciones de saturación y corte.
PREGUNTA DE REPASO

1. Este circuito muestra las condiciones de voltaje del


circuito transistor. El transistor NPN (Q1) está operando
a. en el punto de saturación.
b. en el punto de corte.
c. en la región activa.
d. con la unión colector base abierta.

2. Este circuito muestra las condiciones de voltaje para el


circuito transistor. El transistor NPN
(Q1) está operando
a. en el punto de corte.
b. en el punto de saturación.
c. en la región activa.
d. con un corto en la unión base-emisor.

3. Este circuito muestra el voltaje para el circuito


transistor. Q1 está operando
a. con un corto entre colector y emisor.
b. en la región activa.
c. en el punto de corte.
d. en el punto de saturación.
4. Este circuito muestra las condiciones de voltaje del
circuito transistor. Q1 está operando
a. en el punto de corte.
b. en la región activa.
c. en el punto de saturación.
d. con un corto entre colector y emisor.

Ejercicio 4 – Líneas de carga del transistor

OBJETIVO DEL EJERCICIO


Cuando haya completado este ejercicio, usted será capaz de determinar la línea de carga de
CD para un circuito transistor. Verifique sus resultados con un multímetro.

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

La figura muestra la línea de carga CD sobre la curva característica de la corriente del


colector. Es un gráfico de la corriente de colector contra el voltaje colector-emisor como
una función de corriente base.
Para un circuito con corriente de base constante, la corriente de colector aumenta muy poco
cuando VCE aumenta. Este incremento ocurre porque la ganancia de corriente CD ßDC es
casi constante en la región activa del transistor.
La línea de carga de CD se intersecta con el eje Y en el punto de saturación y con el eje X
en el punto de corte.
El punto Q o punto quiescente es aquel en el cual la línea de carga se intersecta con IB y es
determinado por las condiciones de polarización de CD, del circuito transistor. Las
condiciones de operación CD del circuito transistor (1C, IB y VCE) se intersectan en el punto
Q. Este punto se determina por las condiciones de polarización CD (corrientes y voltajes)
del circuito transistor.
Los circuitos del transistor usados para una pequeña señal de amplificación son usualmente
diseñados para tener el punto Q en el centro de la línea de carga. Ésto proporciona un rango
de operación en la región activa para aplicar una señal de CA.
La determinación de la línea de carga será afectada con cambios en la fuente de voltaje del
colector o el valor de la resistencia del colector.
Al trazar la línea de carga, considere el punto de saturación aquel donde VCE (SAT) es igual a
0 Vcd.
Sin embargo, el transistor realmente pasa de la región activa a la de saturación en un VCE
ligeramente mayor a 0 Vcd, cuando la unión base-colector se polariza directamente.

Para el circuito mostrado, la corriente de colector en el punto de saturación (IC (SAT)), es


considerada igual al voltaje suministrado en el colector (VA) dividido por la resistencia de
colector (RC):
IC (SAT) = VA/RC
Ya que VCE es considerado cero en saturación, todo VA disminuye a través de RC.
El punto de corte es donde IC e IB son cero.
El voltaje colector-emisor en corte (VCE (CORTE)) es igual al voltaje de fuente en el colector
(VA) pues el transistor actúa como un interruptor abierto.
La región activa del circuito transistor esta entre los puntos de saturación y corte. En algún
punto en la línea de carga para el circuito mostrado, puede calcular la corriente de colector
con la siguiente ecuación:
IC = (VA- VCE)/RC
Un circuito transistor es usualmente diseñado para que tenga el punto Q cerca al centro de
la línea de carga.
Para el circuito mostrado, una buena localización del punto Q seria en un voltaje colector-
emisor (VCE) igual a la mitad del voltaje de fuente del colector (VA).
Un punto Q localizado en el centro de línea de carga entrega un apreciable rango de
operación cuando una señal de CA es aplicada al circuito.
La línea de carga de CD será diferente si el voltaje de fuente en el colector (VA) o el valor
de la resistencia de colector (RC) cambia.
El valor de la resistencia de base (RB) no afecta la línea de carga.
PROCEDIMIENTO DEL EJERCICIO

2. Ajuste la fuente variable positiva (VA) en el circuito colector a 10.0 Vcd.


3. En el punto de saturación, ¿cuál sería la caída de voltaje entre colector y emisor (VCE
(SAT))?

a. 0.0 Vcd.
b. 10.0 Vcd.

4. En el punto de saturación, la caída de voltaje a través de las resistencias de colector


(R8+R9) se considera igual a
a. 0.0 Vcd.
b. 10.0 Vcd.

5. En el circuito, la resistencia del colector RC es R8 mas R9 (1.1 kΩ). Calcule la corriente


de saturación.
IC(SAT)= VA/RC= 10.0 Vcd/1.1 kΩ
IC(SAT)= mA
6. En el punto de corte, la corriente de colector es
a. mayor que 5.0 mA.
b. 0.0 mA.

7. En el punto de corte, el voltaje entre colector y emisor se considera igual a


a. 0.0 Vcd.
b. 10.0 Vcd.
9. Gire la perilla R2 totalmente hacia la derecha para poner el circuito transistor en
saturación. Mida el voltaje colector-emisor de Q1. ¿Puede VCE considerarse cercano a 0
Vcd, como lo muestra el gráfico de línea de carga?
a. sí
b. no

10. Mida la caída de voltaje a través de R9 (100Ω) de manera que se pueda determinar la
corriente de saturación del colector.
VR9= Vcd
IC (SAT) = mA

11. Basado en su valor medido de VR9, dentro de las tolerancias de medición, el valor
calculado IC (SAT), ¿concuerda con su valor calculado de línea de carga IC (SAT) del punto 5?
a. sí
b. no

12. Gire la perilla R2 totalmente hacia la izquierda para poner el circuito transistor en corte.
Mida el voltaje colector-emisor de Q1. ¿Puede VCE (CORTE) considerarse cercano a 10?0
Vcd, como lo muestra el gráfico de línea de carga?
a. sí
b. no

13. Mida la caída de voltaje a través de R9 (100Ω) de manera que se pueda determinar la
corriente de corte del colector.
VR9= mVcd
14. Basado en su valor medido de VR9, dentro de las tolerancias de medición, el valor
calculado IC (CORTE), ¿concuerda con su valor calculado en la línea de carga IC (CORTE) 0 mA?
a. sí
b. no

15. De la línea de carga CD mostrada, determine IC con un VCE de 5.0 Vcd.


IC= mA

Ajuste R2 para fijar VCE en 5.0 Vcd.


17. Mida la caída de voltaje a través de R9 VR9
VR9= mVcd
IC = mA

18. Basado en su valor medido de VR9, y la corriente de colector calculada, dentro de las
tolerancias de medición, el valor calculado de IC, ¿concuerda con su valor calculado de IC
en la línea de carga con un VCE de 5.0 Vcd?
a. sí
b. no
19. Mida la caída de voltaje a través de R6 (1 kΩ) para que pueda calcularse la corriente de
base (IB) con VCE en 5.0 Vcd.
VR6= Vcd
20. Basado en la medición anterior de VR6, IB es igual a
IB = µA

21. Con VCE en 5.0 Vcd, el valor de IC calculado en el punto 17 e IB calculado en el punto
anterior, el circuito transistor está operando en:
a. corte.
b. la región activa.
c. saturación.

22. El punto en la línea de carga en el cual VCE es igual a 5.0 Vcd, es donde el circuito
transistor está operando. Este es el punto
a. Q.
b. activo.

24. Un incremento en RC de 1.1 kΩ a 4.8 kΩ,


a. aumenta la corriente de saturación de colector.
b. disminuye la corriente de saturación de colector.
25. Para el circuito conectado, RC= R7 + R9 = 4.8 kΩ. Calcule la corriente de saturación de
colector.
IC (SAT)= VA/RC= 10.0 Vcd/4.8 kΩ
= mA

26. ¿Cambió el punto de corte con el aumento en la resistencia de colector a 4.8 kΩ?
a. sí
b. no

28. Gire la perilla R2 totalmente hacia la derecha para colocar el circuito transistor en
saturación.

29. Mida la caída de voltaje a través de R9 para poder determinar la corriente de saturación
del colector
VR9= Vcd
IC (SAT)= mA

30. Basado en su medida de VR9 y la IC (SAT) calculada. Con las mediciones dentro de la
tolerancia, el anterior valor calculado IC (SAT), ¿coincide con su valor calculado en la línea
de carga IC (SAT) del punto 25?
a. sí
b. no

31. Compare las líneas de carga para RC igual a 1.1 kΩy a 4.8 kΩ. ¿Cuál resistencia de
carga proporciona un mejor rango de corriente colector, con un voltaje fuente de 10.0 Vcd?
a. 4.8 kΩ
b. 1.1 kΩ
CONCLUSIONES

PREGUNTAS DE REPASO

1. En el circuito mostrado, la línea de carga está determinada


por
a. VAy RC.
b. RB y IC.
c. ICy VCE.
d. VA y IB.

2. Una línea de carga de CD de un circuito transistor puede ser usada para determinar
a. el punto de quiescente óptimo (punto Q).
b. la resistencia del circuito de base.
c. la caída de voltaje óptima de base-colector.
d. la caída de voltaje de base-emisor.