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Chapitre3 : Transistors Bipolaires

Chapitre 3 :

Transistors Bipolaires

I- Propriétés fondamentales du transistor :

1- Introduction :

La structure du transistor comporte deux jonctions, il existe deux types de transistors bipolaires : NPN
et PNP

Collecteur Collecteur Emetteur


Emetteur P N P
N P N

Base Base

PNP
NPN

C C

Symboles : B B

E E

Un transistor comporte deux jonctions que doivent être polarisées correctement par des tensions
continues.

Jonction B.E polarisée en directe


Jonction B.C polarisée en inverse : Zone d’appauvrissement

N P N
Emetteur Collecteur

Base

Les électrons injectés de l’émetteur traversent la jonction B.E polarisée en directe vers la base où ils
sont attirés vers le collecteur par le champ électrique de la jonction B.C.

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Dans le cas d’un transistor NPN :

Il faut que et ,

En effet la jonction B.E est polarisée en directe et la jonction B.C est polarisée en inverse,
puisque

Lorsque la base est ouverte, un courant faible passe entre le collecteur et l’émetteur. La
relation entre et est donnée par :

Où est un coefficient sans dimension caractéristique du transistor.

Généralement on néglige car

En plus d’où

En plus donc

On peut écrire :

avec est voisin de 1.

Si on a une variation du courant de la base on aura à la sortie

Le transistor joue le rôle d’un amplificateur de courant.

2- Relations entre les courants et les tensions :

On considère le circuit suivant :

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La jonction B.C est polarisée en inverse.

La jonction B.E est polarisée en directe, donc elle se comporte comme une diode, sa tension
est :

A l’entrée du circuit l’équation est

A la sortie on a

2- Caractéristiques de sortie :

Région 1 Région 2 Région 3

Région 1 : c’est la région de saturation dont laquelle les deux jonctions sont polarisées en directe.

Région 2 : c’est la région active, elle commence lorsque dépasse la tension seuil 0,7V. La
jonction B.C devient polarisée en inverse. Le courant est presque constant. C’est la région
opérationnelle active du transistor.

Région 3 : c’est la région de claquage, lorsque la tension devient très élevée elle atteint la tension
inverse de claquage de la jonction B.C. le courant augmente rapidement.

En choisissant d’autres valeurs de on obtient d’autres courbes avec la même allure.

Pour le transistor est dans la région de blocage.

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Région de blocage

4- Caractéristiques entrée-sortie :

Droite de charge statique

en v

0,7V

en v

Le réseau de courbes caractéristiques du transistor sont :

Caractéristique d’entrée

Transfert en tension

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Transfert en courant

Caractéristique de sortie

II- Polarisation du transistor :


Dans cette partie on s’intéresse aux circuits de polarisation des transistors. On considère le cas des
transistors NPN.

1- Polarisation par la base :

On utilise un seul générateur de polarisation.

On a :

Le point de polarisation est caractérisé par les équations suivantes :

L’inconvénient de ce type de polarisation est le fait que le courant dépend de qui varie en
fonction de la température, d’où le point de polarisation n’est pas stable lorsque la température varie.

2- Polarisation par l’émetteur :

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Si on choisit , on obtient :

Le courant est indépendant de donc le point de polarisation est stable face aux variations de la
température.

3- Polarisation par réaction de collecteur :

Lorsque le courant augmente la tension diminue et la tension aux bornes de la résistance


diminue, par conséquent diminue et s’oppose à l’accroissement de , car ( .

4- Polarisation par un pont diviseur de tension :

Dans le cas d’un courant le potentiel au point B reste presque constant :

diviseur de tension.

On a

on constate que est indépendant de donc le point de


polarisation est stable.

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III- Transistor en régime variable :

1- Introduction :

On utilise deux condensateurs à l’entrée et à la sortie du montage pour empêcher les


résistances et de modifier les tensions de polarisation. On suppose que ces
condensateurs se comportent comme des courts-circuits pour les signaux variables à la
fréquence de travail.

On applique une tension sinusoïdale

On note les courants variables par : , ,

La droite de charge en régime variable est appelée droite de charge dynamique, elle passe par
le point de fonctionnement.

Droite de charge dynamique

en V

0,7V

en v

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Un courant variable donne à la sortie un courant amplifié.

En régime variable le point de polarisation P se déplace sur la droite de charge dynamique, il faut donc
choisir le point de polarisation au milieu de la droite pour que le signal de sortie ne soit pas écrêté.

2- Circuits équivalents du transistor en régime variable

Le transistor est un cas particulier de quadripôle (tri-pôles), et son circuit équivalent peut être analysé
par les paramètres hybrides.

est une impédance, est une admittance.

et sont des nombres sans dimension.

représente la résistance dynamique de la jonction d’entrée

est très faible, généralement négligeable, car la caractéristique est presque


indépendante de

Généralement on utilise la représentation sous forme de résistance .

 Circuit équivalent du transistor :


B C

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est très faible, généralement négligeable, le circuit peut être simplifié :

B C

3- Etude de quelques montages à transistor bipolaire:

On s’intéresse aux trois montages fondamentaux, émetteur commun, collecteur commun et base
commune.

3.1- Montage émetteur commun :

L’étude se fait sur deux étapes, étude statique et étude dynamique :

Etude statique :

L’étude statique consiste à déterminer le point de polarisation, donc on considère que les
condensateurs sont des circuits ouverts et on détermine les équations de la droite de charge d’entrée et
la droite de charge de sortie.

Le point de polarisation de ce montage est caractérisé par les équations suivantes :

Droite de charge d’entrée

Droite de charge de sortie

Etude dynamique :

Dans l’étude dynamique les tensions de polarisation continues sont nulles, dans ce montage le point E
sera mis à la masse. Si on considère que les condensateurs des courts-circuits aux fréquences utilisées,
on obtient :

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Ensuit en remplace le transistor par son circuit équivalent, on obtient le schéma équivalent du montage
pour des petits signaux sinusoïdaux :

Dans le cas où

B C

Impédance d’entrée :

Pour une charge quelconque on a :

Donc

Généralement on choisit on obtient .

Gain en tension à vide :

On calcul le gain à vide pour

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D’après le schéma on obtient : où

A l’entrée du montage on a

D’où

est la pente du transistor.

On note le signe (-) dans l’expression du gain en tension à vide, ce que signifie que la tension de sortie
est en opposition de phase avec la tension d’entrée.

Impédance de sortie :

Pour calculer l’impédance de sortie on court-circuite la sortie et on détermine le courant de


court-circuit .

Avec est la tension d’entrée quand .

3.2- Montage collecteur commun :

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Etude statique :

Le point de polarisation de ce montage est caractérisé par les équations suivantes :

Droite de charge d’entrée

Droite de charge de sortie

Etude dynamique :

On annule la tension de polarisation continue, et on remplace les condensateurs par des courts-circuits
on obtient le schéma suivant:

Le schéma équivalent du montage pour des petits signaux sinusoïdaux est obtenu on remplaçant le
transistor par son circuit équivalent :

E
B

Impédance d’entrée :

Pour une charge quelconque on a :

D’où

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Dans ce montage l’impédance d’entrée est très grande elle dépend de la charge .

Gain en tension à vide :

E
B

D’après le schéma on a :

On a

Le gain est presque égal à 1.

Impédance de sortie :
E
B

Pour calculer l’impédance de sortie on court-circuite la sortie et on détermine le courant de


court-circuit . (Remarque : le courant dans ce cas est différent de considéré dans les cas
précédents)

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L’impédance de sortie est faible d’où l’intérêt pour l’adaptation d’impédance.

3.3- Montage base commune :

Etude statique :

On considère que les condensateurs sont des circuits ouverts, le montage devient :

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En utilisant le modèle Thévenin équivalent on obtient le montage suivant :

Avec :

et

D’où les équations du point de polarisation :

Droite de charge d’entrée

Droite de charge de sortie

Etude dynamique :

On annule les tensions de polarisation continues, et on remplace les condensateurs par des courts-
circuits on obtient le schéma suivant:

E
C

En remplaçant le transistor par son circuit équivalent, on obtient :

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Pour simplifier le calcul dans ce cas on suppose que donc .

Impédance d’entrée :

Pour une charge quelconque on a :

avec

L’impédance d’entrée est très faible.

Gain en tension à vide :

On remarque que le gain est le même que dans le cas d’un émetteur en commun mais sans déphasage
entre l’entrée et la sortie.

Impédance de sortie :

Pour on a

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On résume les propriétés des trois montages dans le tableau suivant :

Emetteur commun collecteur commun Base commune


Grand gain Gain 1 Grand gain
Signal de sortie déphasé Signal de sortie en phase Signal de sortie en phase avec
par rapport à l’entrée avec l’entrée l’entrée
Impédance d’entrée élevée Grande impédance Faible impédance d’entrée
ou moyenne d’entrée
Impédance de sortie élevée Faible impédance de Impédance de sortie élevée ou
ou moyenne sortie d’où l’intérêt pou moyenne
l’adaptation
d’impédance

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