Chapitre 2 Eléments électroniques et circuits logiques

II- QUELQUES ELEMENTS D’ELECTRONIQUE

II.1 SEMI-CONDUCTEUR
Un sémi-conducteur est un élément électronique qui ne présente pas la même résistance
électrique selon le sens du courant qui tend à le traverser. Dans une direction, il offre une
résistance négligeable, alors qu’il oppose une très grande résistance à un courant de sens
contraire. Dans le premier cas, on dit que le sémi-conducteur est traversé dans le sens
conducteur, et dans le deuxième, on dit qu’il l’est dans le sens bloquant.
Les trois semi-conducteurs utilisés dans la fabrication des composants électroniques sont les
suivants :
- le silicium Si utilisé majoritairement,
- le germanium Ge,
- l’arséniure de gallium AsGa.
En plaçant ces différents éléments dans la table des éléments chimiques (cf. figure ci-
dessous), on constate que ces éléments sont proches. Ces semi-conducteurs sont formés
d’éléments ayant 4 électrons de valence sur la dernière couche comme le silicium ou le
germanium ou d’un mélange d’éléments ayant 3 et 5 électrons de valence comme le gallium
et l’arsenic.

Une partie de la table des éléments

II.1.1 Semi-conducteur intrinsèque

Au zéro absolu, c’est-à-dire à la température 0°K, la structure du cristal est stable et le
silicium n’est pas conducteur du courant électrique. Lorsque la température augmente, les
électrons possèdent une énergie supplémentaire qui provoque la rupture de certaines liaisons
de covalence. Certains électrons deviennent libres (cf. figure ci-dessous) et le silicium est
alors peu conducteur, d’où le nom de semi-conducteur.

II.1.2 Semi-conducteurs dopés

Dans une substance conductrice, les électrons se déplacent librement à travers le réseau
atomique. Sous l’effet de la différence de potentiel, le mouvement des électrons s’effectue
dans un sens donné constituant ainsi un courant électrique. Dans un matériau isolant, tous les
électrons sont étroitement liés aux atomes ou aux molécules et ne peuvent donc véhiculer
aucune charge électrique.
Dans un matériau sémi-conducteur, la situation est intermédiaire : si les porteurs de charges
libres sont normalement absents, ils peuvent cependant apparaître au prix d’une faible
dépense énergétique.
Le silicium est dopé en introduisant des impuretés dans le cristal. On distingue deux types de
dopage suivant la nature des éléments ajoutés au silicium. On parle de semi-conducteur de
type n (pour négatif) lorsque le dopage est réalisé avec des éléments ayant 5 électrons de
covalence comme le phosphore, l’arsenic et l’antimoine. L’atome avec 5 électrons de
covalence forme 4 liaisons de covalence et garde un électron qui est alors relativement libre
(cf. figure ci-dessous).

On parle de semi-conducteur de type p (pour positif) lorsque le dopage est réalisé avec des
éléments ayant 3 électrons de covalence comme le bore, l’aluminium et le gallium. L’atome
avec 3 électrons de covalence ne peut former que 3 liaisons de covalence. Il y en quelque
sorte un trou d’électron (cf. figure ci-dessous).

II.1.3 Diode
Une jonction entre un semi-conducteur de type n et un semi-conducteur de type p est appelée
une diode. La partie de type n est appelée cathode et la partie de type p est appelée anode. Le
courant électrique ne peut passer à travers une diode que dans un seul sens comme l’évoque
son symbole en forme d’entonnoir. Elle transmet par exemple les signaux de polarité positive,
mais bloque ceux de polarité négative.

Diode
Le principe de fonctionnement de la diode est le suivant. Les électrons libres du semi-
conducteur de type n ont tendance à aller boucher les trous du semi-conducteur de type p. Il
en découle une diffusion des électrons de la région dopée n vers la région dopée p. Chaque
électron qui se déplace laisse un ion positif dans la région n. Il s’ensuit donc un champ
électrique de rappel vers la région n qui conduit à un équilibre. Dans cet équilibre, il y a une
zone, appelée zone de charge d’espace qui ressemble à du silicium non dopé et où il y a en
outre un champ électrique.

Si on applique une tension positive à la cathode et négative à l’anode, les électrons sont attirés
vers le bord de la cathode et les trous vers le bord de l’anode. La zone de charge d’espace
s’étend et la diode n’est pas conductrice. Si on contraire, on applique une tension positive à
l’anode et négative à la cathode qui est supérieure au champ à l’équilibre, les électrons
peuvent circuler de la cathode vers l’anode et la diode est conductrice.

II.1.4 Transistor
Le transistor (TRANSfer resISTOR) est un sémi-conducteur ayant un fonctionnement
asymétrique. Le transistor est la brique avec laquelle sont construits les circuits électroniques
tels les micro-processeurs. Il fonctionne selon le mode « tout ou rien ». Le transistor n’a rien
que deux états possibles : conducteur ou bloqué, les signaux véhiculés ne présentent que deux
états de tension appelés niveau haut et niveau bas. On distingue les transistors à effet de
champ et les transistors à jonction, encore appelés transistors bipolaires.
La technologie actuellement utilisée pour fabriquer les micro-processeurs est la technologie
MOS (Metal-Oxide-Semiconductor). Il existe deux types de transistors MOS : les transistors
de type n et les transistors de type p. Les micro-processeurs actuels utilisent des transistors
des deux types. On parle alors de technologie CMOS (Complementary Metal-Oxide-
Semiconductor).
II.1.4.1 Fonctionnement
Un transistor possède trois broches appelées drain, grille et source. Pour d’autres types de
transistors, elles sont aussi appelées collecteur, base et émetteur. Dans le cas des transistors
MOS, le drain et la source jouent des rôles (presque) symétriques et sont (pratiquement)
interchangeables. Un transistor se comporte comme un interrupteur électrique entre la source
et le drain qui serait commandé par la grille. Le dessin ci-dessous illustre de manière imagée
la façon dont fonctionne un transistor.

Le comportement d’un transistor n-MOS est le suivant. Si la grille est mise à une tension de
2.9V, la source et le drain sont connectés. Si au contraire, la grille est mise à une tension de
0V, le circuit entre la source et le drain est ouvert. Le fonctionnement d’un transistor p-MOS
est l’inverse. Le drain et la source sont connectés lorsque la tension appliquée à la grille est
0V.

II.1.4.2 Composition
Un transistor est formé de deux jonctions np obtenues en intercalant une couche p
(respectivement n) entre deux couches n (respectivement p). Le transistor de type n
correspond aux trois couches n-p-n et le transistor de type p aux couches p-n-p. Il y a en outre
une grille en métal au début de la technique MOS mais maintenant faite en polysilicium. Cette
grille est séparée de la couche intermédiaire par une fine couche d’oxyde de silicium SiO 2
isolant. Le potentiel appliqué à la grille permet de modifier l’état de la couche intermédiaire.

Transistors n-MOS Transistors p-MOS

II.1.4.3 Principe de fonctionnement

On considère un transistor de type n. Si aucune tension n’est appliquée à la grille, les deux
jonctions np et pn se comporte comme des diodes en opposition et aucun courant ne peut
passer entre la source et le drain. Si au contraire une tension positive est appliquée à la grille,
les électrons chargés négativement s’accumulent dans le substrat dans la zone près de la grille.
La région du substrat près de la grille va alors se comporter comme un semi-conducteur dopé
n (cf. figure ci-dessous). Le courant peut alors passer entre la source et le drain.

Formation d’un tunnel n dans le substrat

Diode et transistor à jonction
La diode est composée de deux régions adjacentes, l’une de type n et l’autre de type p, créées
dans un même cristal de silicium. Lorsqu’on applique une tension positive sur une région p et
une tension négative sur une région n, des courants contraires d’électron et des trous
s’établissent. Il en résulte un courant important appelé courant de diode direct. Si l’on inverse
les connexions, les trous s’accumulent à l’extrémité de la région p qui est maintenant chargée
négativement. Les électrons par contre se dirigent vers l’extrémité positive. Aucun courant ne
traverse la jonction p-n. En fait on observe un très faible courant, dit courant inverse, dû aux
impuretés du cristal de silicium.
On obtient un transistor à jonction ou transistor bipolaire, en ajoutant une troisième région
dopée, par exemple une région p intercalée entre deux régions n. Les régions n forment l’une
le collecteur et l’autre l’émetteur alors que la région p intermédiaire constitue la base.

II.2 LES PORTES LOGIQUES

II.2.1 Porte not

Elle est la porte la plus simple. Elle prend en entrée une valeur x qui vaut 0 ou 1 et elle sort la
valeur 1-x.
La porte not peut être réalisée en logique CMOS par un circuit constitué de deux transistors,
un de type n et un de type p. Ce circuit est appelé inverseur.

Table de vérité Schéma symbole

II.2.2 Porte and

La porte and prend en entrée deux valeurs 0 ou 1. La sortie vaut 1 si les deux entrées valent 1
et elle vaut 0 sinon.

Table de vérité Schéma symbole

II.2.3 Porte or
La porte or prend en entrée deux valeurs 0 ou 1. La sortie vaut 0 si les deux entrées valent 0 et
elle vaut 1 sinon. La table de vérité est donnée ci-dessous.

Table de vérité Schéma symbole

II.2.4 Porte nand

La porte nand prend en entrée deux valeurs 0 ou 1. La sortie vaut 0 si les deux entrées valent
1 et elle vaut 1 si au moins une des deux entrées vaut 0. La table de vérité est donnée ci-
dessous.
Un circuit pour réaliser la porte nand en logique CMOS est donné ci-dessous. Il est constitué
de quatre transistors dont deux n-MOS et deux p-MOS.

Table de vérité Schéma symbole

Dans une porte nor, chaque transistor n-MOS est remplacé par un transistor p-MOS et
inversement, on obtient un schéma qui donne théoriquement une porte or. Pourtant, le circuit
de la porte or n’est pas réalisé de cette manière. Cela provient du fait que la source et le drain
des transistors ne jouent pas des rôles complètement symétriques. Pour des raisons de
consommation, les connexions avec le 0 sont toujours commandées par des transistors de type
n et les connexions avec le 1 par des transistors de type p.
Les circuits des portes and et or sont respectivement obtenus en combinant un circuit de la
porte nand et nor avec un inverseur.
II.3 CIRCUITS ELEMENTAIRES
Les décodeurs et multiplexeurs sont des circuits relativement élémentaires mais très souvent
utilisés. Il s’agit de deux briques de base pour la construction de circuits plus élaborés. Ils sont
en particulier présents dans chaque circuit mémoire. Un décodeur y décode l’adresse et active
la ligne correspondante. Un multiplexeur permet d’y sélectionner la bonne sortie lors d’une
lecture.

II.3.1 Décodeurs
Un décodeur k bits possède k entrées et 2k sorties. La sortie dont le numéro est donné par les
entrées est active (valeur 1) alors que toutes les autres sorties sont inactives (valeur 0).
Le décodeur 1 bit a donc une seule entrée A0 et deux sorties S0 et S1. La table de vérité des
sorties S0 et S1 est la suivante.
On remarque que la sortie S0 est la négation de l’entrée A0 alors que la sortie S1 est égale à A0.
On a donc le circuit suivant avec un seul inverseur.

Table de vérité Schéma symbole

Le décodeur 2 bits a deux entrées A0 et A1 ainsi que quatre sorties S0, S1, S2 et S3.

S0 = ¬A1 ∧ ¬A0
S1 = ¬A1 ∧ A0
S2 = A1 ∧ ¬A0
S3 = A1 ∧ A0

Table de vérité Schéma symbole

II.3.2 Multiplexeur
Un multiplexeur est en quelque sorte l’inverse d’un décodeur. Un multiplexeur k bits permet
de sélectionner une entrée parmi 2k disponibles. Un multiplexeur k bits a k + 2k entrées et une
seule sortie. Les k premières entrées A0,…, A2k -1 sont appelées bits d’adresses car elles
donnent le numéro de l’entrée à sélectionner parmi les entrées B0,…, B2k -1 . La sortie S est
alors égale à cette entrée sélectionnée.
Le multiplexeur 1 bit a donc 3 entrées A0, B0 et B1 et une seule sortie S. La formule donnant
la sortie S en fonction des entrées est la suivante. S = (A0 ˄ B1) ˅ (¬A0 ˄ B0)

schéma symbole
Le multiplexeur 2 bit a donc 6 entrées A0, A1, B0, B1, B2 et B3 et une seule sortie S. La
formule donnant la sortie S en fonction des entrées est la suivante.
S = (A1 ˄ A0 ˄ B3) ˅ (A1 ˄ ¬A0 ˄ B2) ˅ (¬A1 ˄ A0 ˄ B1) ˅ (¬A1 ˄¬A0 ˄ B0)

schéma symboles

II.4 LES CIRCUITS LOGIQUES PROGRAMMABLES

Le développement des mémoires utilisées en informatique fut à l’origine des premiers circuits
logiques programmables (PLD : programmable logic device). Ce type de produit peut intégrer
dans un seul circuit plusieurs fonctions logiques programmables par l’utilisateur. Sa mise en
œuvre se fait très facilement à l’aide d’un programmateur, d’un micro-ordinateur et d’un
logiciel adapté

II.4.1 STRUCTURE DE BASE D’UN PLD.

La plupart des PLDs suivent la structure suivante :
- Un ensemble d’opérateurs « ET » sur lesquels viennent se connecter les variables d’entrée et
leurs compléments.
- Un ensemble d’opérateurs « OU » sur lesquels les sorties des opérateurs « ET » sont
connectées.
- Une éventuelle structure de sortie (Portes inverseuses, logique 3 états, registres...).
Les deux premiers ensembles forment chacun ce qu’on appelle une matrice. Les
interconnexions de ces matrices doivent être programmables. C’est la raison pour laquelle
elles sont assurées par des fusibles qui sont « grillés » lors de la programmation. Lorsqu’un
PLD est vierge toutes les connexions sont assurées.
 LES DIFFERENTES FAMILLES DE PLD.
Il existe plusieurs familles de PLD qui sont différenciées par leur structure interne. Le tableau
suivant présente certaines de ces familles.
TYPE Nombre de Matrice ET Matrice OU Effaçable
portes intégrées
PROM 2 000 à 500 000 Fixe Programmable Non
PAL 10 à 100 Programmable Fixe Non
GAL 10 à 100 Programmable Fixe Electriquement
EPLD 100 à 3000 Programmable Fixe Aux U-V
FPLA 2000 à 3000 Programmable Programmable Electriquement

II.5 Notion de circuit intégré

Le circuit intégré (CI), aussi appelé puce électronique, est un composant électronique
reproduisant une ou plusieurs fonctions électroniques plus ou moins complexes, intégrant
souvent plusieurs types de composants électroniques de base dans un volume réduit, rendant
le circuit facile à mettre en œuvre.
Il existe une très grande variété de ces composants divisés en deux grandes catégories :
analogique et numérique.

II.4.1 Circuit intégré analogique

Les composants les plus simples peuvent être de simples transistors encapsulés les uns à côté
des autres sans liaison entre eux, jusqu’à des assemblages réunissant toutes les fonctions
requises pour le fonctionnement d’un appareil dont il est le seul composant.
Les amplificateurs opérationnels 8 sont des représentants de moyenne complexité de cette
grande famille où l’on retrouve aussi des composants réservés à l’électronique haute
fréquence et de télécommunication.

II.4.2 Circuit intégré numérique

Les circuits intégrés numériques les plus simples sont des portes logiques (et, ou, non), les
plus complexes sont les microprocesseurs 9 et les plus denses sont les mémoires. On trouve
de nombreux circuits intégrés dédiés à des applications spécifiques (ASIC pour Application
Specific Integrated Circuit), notamment pour le traitement du signal (traitement d’image,
compression vidéo...) on parle alors de DSP (pour Digital Signal Processor). Une famille
importante de circuits intégrés est celle des composants de logique programmable (FPGA
pour field programmable gate array, réseau de portes programmables in situ, CPLD (complex
programmable logic device, circuit logique programmable complexe).
Ces composants sont amenés à remplacer les portes logiques simples en raison de leur grande
densité d’intégration.
II.4.3 Composition des circuits intégrés

Le boîtier
Les circuits intégrés se présentent généralement sous la forme de boîtiers pleins
rectangulaires, noirs, équipés sur un ou plusieurs côtés voire sur une face, de
broches/pattes/pins permettant d’établir les connexions électriques avec l’extérieur du boîtier.
Ces composants sont brasés, (soudé, terme impropre) sur un circuit imprimé, ou enfichés, à
des fins de démontage, dans des supports eux même brasés sur un circuit imprimé.
Sur le boîtier sont peints : le logo du fabricant, une référence permet d’identifier le
composant, un code correspondant à des variantes ou révisions et la date de fabrication (4
chiffres codés AASS : année (Une année est une unité de temps exprimant la durée entre deux
occurrences d’un évènement lié à la révolution de la...) et semaine). Les progrès de
l’intégration sont tels que les circuits intégrés peuvent devenir très petits. Leur taille ne
dépend plus guère que de la capacité du boîtier à dissiper la chaleur (Dans le langage courant,
les mots chaleur et température ont souvent un sens équivalent : Quelle chaleur !) produite par
effet joule (L’effet Joule est la manifestation thermique de la résistance électrique. Il se
produit lors du passage d’un courant...) et, bien souvent du nombre, de la taille des broches de
sortie du circuit ainsi que de leur espacement.
Différents types de boitiers permettent d’adapter le circuit intégré à son environnement
(L’environnement est tout ce qui nous entoure. C’est l’ensemble des éléments naturels et
artificiels au sein duquel se...) de destination.

• Le format le plus ancien a pour nom DIP ou DIL pour Dual in line package qui se
traduit sommairement par " Boîtier avec deux lignes ".
• La miniaturisation aidant, les circuits dits de surface ont fait leur apparition: le format
SO

Bien d’autres types existent :

Un circuit intégré comprend sous des formes miniaturisées principalement des transistors, des
diodes, des résistances, des condensateurs, plus rarement des inductances car elles sont plus
difficilement miniaturisables.

Le die
Le die est la partie élémentaire, de forme rectangulaire, reproduite à l’identique à l’aide d’une
matrice sur une tranche de silicium en cours de fabrication. Il correspond au circuit intégré qui
sera ensuite découpé et que l’on appellera une puce avant qu’elle ne soit encapsulée pour
donner un circuit intégré, prêt à être monté sur une carte.
Le Die d’un circuit intégré comprend sous des formes miniaturisées principalement des
transistors, des diodes, des résistances, des condensateurs, plus rarement des inductances, car
elles sont plus difficilement miniaturisables.

II.4.4 Niveaux d’intégration

Les circuits intégrés sont classés suivant l’échelle d’intégration, c’est-à-dire le nombre de
portes (ou transistors) par boîtier :
 • SSI (small scale integration) petite : inférieur à 12
• MSI (medium) moyenne : 12 à 99
• LSI (large) grande : 100 à 9 999
• VLSI (very large) très grande : 10 000 à 99 999
• ULSI (ultra large) ultra grande : 100 000 et plus

Ces distinctions ont peu à peu perdu de leur utilité avec la croissance exponentielle du nombre
de portes. Aujourd’hui plusieurs centaines de millions de transistors (plusieurs dizaines de
millions de portes) représentent un chiffre normal (pour un microprocesseur ou un circuit
intégré graphique haut de gamme). Afin de parvenir à de tels niveaux d’intégrations, un flot
de conception complexe est utilisé. La figure 2.34 présente un circuit SSI dans un boîtier à 14
broches.

II.4.5 Technique de fabrication

La fabrication d’un circuit intégré est un procédé complexe dont la tendance est à se
compliquer de plus en plus.

• Le motif de base est le transistor, et ce sont ensuite les interconnexions métalliques

entre les transistors qui réalisent la fonction particulière du circuit.
• L’aluminium est souvent employé dans ce but, mais une technologie plus performante
permet l’emploi du cuivre.

On utilise parfois du silicium polycristallin, également conducteur, notamment pour la grille

du transistor.

Matière première
La matière première de base habituellement utilisée pour fabriquer les circuits intégrés est le
silicium. Néanmoins, d’autres matériaux sont parfois employés, comme le germanium ou
l’arséniure de gallium.
Le silicium est un semi-conducteur dans sa forme monocristalline. Ce matériau doit être pur à
99,99 %.
On fabrique d’abord un barreau cylindrique de silicium en le cristallisant très lentement. Ce
barreau est ensuite découpé pour être utilisé sous forme de galettes de 100 à 800 ¹m
d’épaisseur et ayant jusqu’à 300 mm de diamètre, appelé wafer (galette, en anglais). Un wafer
va supporter de nombreux circuits intégrés.

Photo lithogravure
La photolithographie, désigne l’ensemble des opérations permettant de délimiter l’extension
latérale des matériaux sur la surface d’un substrat semi-conducteur, dont la structure est plus
ou moins bidimensionnelle car basée sur l’empilement de couches à la surface d’une plaquette
de silicium. Les motifs deviendront par la suite les différentes zones actives des composants
électroniques (exemple : contact, drain...) ou les jonctions entre ces composants. Ce procédé
est actuellement le plus répandu.
Etapes de fabrication
Le nombre d’étapes de la fabrication des circuits intégrés a crû considérablement depuis 20
ans. Il peut atteindre plusieurs dizaines pour certaines productions spécialisées. Toutefois, on
retrouve à peu près toujours la même série d’étapes :

• Préparation de la couche : on expose le wafer à du dioxygène pur après chauffage pour

fabriquer une couche d’oxyde (isolant) en surface, ensuite le wafer est recouvert d’un
vernis photosensible.
• Transfert : on transfère le dessin du circuit à reproduire sur la surface photosensible à
l’aide d’un masque, comme pour la peinture au pochoir, en l’exposant aux ultraviolets,
(ou aux rayons X, pour les gravures les plus fines). Le vernis non soumis aux
rayonnements est dissout grâce à un solvant spécifique.
• Gravure : l’oxyde de silicium est donc protégé par le vernis aux endroits exposés aux
ultraviolets. Un agent corrosif va creuser la couche d’oxyde aux endroits non protégés.
• Dopage : on dissout ensuite le vernis exposé avec un autre solvant, et des ions
métalliques, appelés dopants, sont introduits dans le silicium exposé là où l’oxyde a
été creusé, afin de le rendre conducteur.
• Couche suivante : l’opération est renouvelée pour créer les couches successives du
circuit intégré ou du microprocesseur (jusqu’à 20).
• On détermine la qualité de la gravure selon le plus petit motif qu’il est possible de
graver, en l’occurrence la largeur de la grille du transistor MOS.
• En 2004, les gravures les plus fines en production sont de 0,13 ¹m (ou 130 nm) et 90
nm.
• En 2006, les gravures les plus fines en production sont de 60 nm et 30 nm.

Phases finales
• On dépose une pellicule métallique aux endroits où le circuit devra être en contact
avec les broches de sortie.
• Les circuits intégrés sont testés directement sur le wafer. Les puces défectueuses sont
marquées (inking). Il s’agit de l’EWS
• Le wafer est finalement découpé au moyen d’une scie circulaire au diamant d’une
épaisseur de 0.02mm ou via un procédé de découpe laser pour obtenir des die.
• Les puces ainsi obtenues sont insérées dans un boîtier individuel de protection et
reliées aux broches qui vont leur permettre de communiquer avec l’extérieur.
• Des tests de validation sévères et individuels sont alors entrepris pour qualifier les
microprocesseurs, en fréquence et en température

II.4.6 Quelques mots sur les technologies

Les circuits logiques offerts par les constructeurs se présentent sous la forme de circuits
intégrés: ce sont des pastilles de quelques mm2 (des "puces", angl. "chip"), généralement en
silicium, sur lesquelles ont été gravés des circuits électroniques. Ces pastilles sont emballées
dans des boîtiers (Angl. "package") dotés de broches (Angl. "pin") pour les connexions avec
l'extérieur.
 Formats de boîtiers

Il existe de nombreuses formes de boîtiers, adaptés à diverses contraintes: encombrement,

évacuation de la chaleur, nombre de broches ...
Les circuits électroniques peuvent être réalisés selon diverses technologies qui diffèrent par:

• la sortie de transistors employés (transistors bipolaires, transistors à effet de champ),

• l'organisation électronique de ces transistors pour réaliser les dispositifs élémentaires,
• le procédé de fabrication.
On distingue quatre grandes familles parmi les technologies actuelles (1988), ce sont :

1. TTL ("Transistor Transistor Logic") ou logique de transistor à transistor ;

2. ECL ("Emitter Coupled Logic") ou logique à couplage par émetteur
3. pMOS ("type p Metal Oxyde Silicium") ou semi-conducteur métal-oxyde à canal P.
4. nMOS ("type n Metal Oxyde Silicium") ou semi-conducteur métal-oxyde à canal N.
5. CMOS ("Complementary Metal Oxyde Silicium") ou semi-conducteur métal-oxyde
complémentaire
Les technologies ECL et TTL utilisent des transistors bipolaires; les technologies MOS
(nMOS et pMOS) et CMOS par contre utilisent des transistors à effet de champ.