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UNIVERSITE CHEIKH ANTA DIOP DE DAKAR

FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES L1MPI


DEPARTEMENT DE PHYSIQUE sem1-Rattrapage
2018-2019

Epreuve d’Electricité
Durée : 2 h

Exercice I - On considère un dipôle (-q, +q) de longueur 2a dont on étudie les effets en un
 
,OM
point repéré par le vecteur position OM =
r depuis O le milieu du dipôle et l’angle ( )=
θ où µ=2qa est le moment dipolaire. La charge -q est placée en A (-a,0) et la charge +q en
B(+a,0) sur un axe Ox.
1) Montrer que le plan yOz est une surface équipotentielle.

2) Exprimer le champ E en un point M du plan yOz en fonction de µ, a et r puis en
fonction du champ E0 en O. Que devient-il lorsque r<<a et lorsque r>>a.

3) Calculer le flux du champ E à travers le disque de centre O, de rayon R situé dans
le plan yOz.

Exercice II - 1°) Un condensateur plan est formé de deux armatures A et B, de forme


circulaire, de rayon r, séparées par une distance e, disposées horizontalement et portées
respectivement aux potentiels V1 et V2 (V1 > V2).
a) Calculer le potentiel en un point M situé entre les armatures.
b) Quelle est la force qui s’exerce sur chaque armature ?
2°) Une lame métallique (L) d’épaisseur e’, de forme circulaire, de rayon r est placée entre
les armatures et parallèlement à elles; déterminer la variation relative de la capacité du
condensateur.
A. N.: r = (5/π )1/2 cm, e = 5 mm; e’= 0,5 mm; V1 = 2000 V; V2 = 500 V.
Examen Electricité L1-MPI, Rattrapage Semestre 1 , 2018-2019

CORRECTION

Exercice I - On considère un dipôle (-q, +q) de longueur 2a dont on étudie les effets en un
 
,OM
point repéré par le vecteur position OM =
r depuis O le milieu du dipôle et l’angle ( )=
θ où µ=2qa est le moment dipolaire. La charge -q est placée en A (-a,0) et la charge +q en
B(+a,0) sur un axe Ox.

1) Montrer que le plan yOz est une surface équipotentielle.

Une surface équipotentielle est définie par 𝑉(𝑀) = 𝑉(𝑟, 𝜃) = 𝑐𝑡𝑒


Il faut d’abord établir l’expression du potentiel 𝑉(𝑀) = 𝑉(𝑟, 𝜃) créé par le dipôle en un point M de
l’espace.
−𝑞 𝑞
𝑉(𝑀) = ∑ 𝑉𝑖 (𝑀) = +
4𝜋𝜀0 (𝐴𝑀) 4𝜋𝜀0 (𝐵𝑀) 𝑦 𝑀
𝑞 1 1
= (− + ) (𝟏 𝒑𝒕)
4𝜋𝜀0 𝐴𝑀 𝐵𝑀
𝑟
1 1 𝜃
Calculons et
𝐴𝑀 𝐵𝑀 𝑂 𝑥
𝐴 𝐵
⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝐴𝑀 = ⃗⃗⃗⃗⃗
𝐴𝑂 + ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑂𝑀 = ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑂𝑀 − ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑂𝐴 (−𝑞) (+𝑞)
= 𝑟 − (−𝑎) = 𝑟 + 𝑎 (−𝑎) (+𝑎
𝑧
2 )2 (𝑟 2 2
𝐴𝑀 = (𝑟 + 𝑎 = + 𝑎 + 2𝑎𝑟 𝑐𝑜𝑠 𝜃)
1/2
𝑎2 2𝑎
𝐴𝑀 = (𝑟 2 2
+ 𝑎 + 2𝑎𝑟 𝑐𝑜𝑠 𝜃) 1/2
= 𝑟 (1 + 2 + 𝑐𝑜𝑠 𝜃) (𝟎, 𝟓 𝒑𝒕)
𝑟 𝑟
Puisque ≫ 𝑎 , on a :
−1/2 2
1 1 𝑎2 2𝑎 1 1 𝑎2 2𝑎 3 𝑎2 2𝑎
= (1 + 2 + 𝑐𝑜𝑠 𝜃) ≈ [1 − ( 2 + 𝑐𝑜𝑠 𝜃) + ( 2 + 𝑐𝑜𝑠 𝜃) + ⋯ ]
𝐴𝑀 𝑟 𝑟 𝑟 𝑟 2 𝑟 𝑟 8 𝑟 𝑟

En se limitant dans le développement aux termes en 1⁄𝑟 3 et en tenant compte de la question 1, on

obtient :
1 1 𝑎 𝑎2 1 𝑎 𝑎2
≈ [1 − 𝑐𝑜𝑠 𝜃 + 2 (3𝑐𝑜𝑠 2 𝜃 − 1)] = − 2 𝑐𝑜𝑠 𝜃 + 3 (3𝑐𝑜𝑠 2 𝜃 − 1) (𝟎, 𝟓 𝒑𝒕)
𝐴𝑀 𝑟 𝑟 2𝑟 𝑟 𝑟 2𝑟
⃗⃗⃗⃗⃗ + 𝑂𝑀
⃗⃗⃗⃗⃗⃗ = 𝐵𝑂
De même, on a: 𝐵𝑀 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗ = 𝑂𝑀
⃗⃗⃗⃗⃗⃗ − 𝑂𝐵
⃗⃗⃗⃗⃗ = 𝑟 − 𝑎
1 1
Par analogie, on calcule 𝐵𝑀 en remplaçant 𝑎 par −𝑎 dans l’expression de .
𝐴𝑀

1 1 𝑎 𝑎2
≈ + 2 𝑐𝑜𝑠 𝜃 + 3 (3𝑐𝑜𝑠 2 𝜃 − 1) (𝟎, 𝟓 𝒑𝒕)
𝐵𝑀 𝑟 𝑟 2𝑟
𝑞 1 𝑎 𝑎2 1 𝑎 𝑎2
𝑉(𝑀) = [− + 2 𝑐𝑜𝑠 𝜃 − 3 (3𝑐𝑜𝑠 2 𝜃 − 1) + + 2 𝑐𝑜𝑠 𝜃 + 3 (3𝑐𝑜𝑠 2 𝜃 − 1)]
4𝜋𝜀0 𝑟 𝑟 2𝑟 𝑟 𝑟 2𝑟
2𝑎𝑞 𝑐𝑜𝑠 𝜃 𝜇 𝑐𝑜𝑠 𝜃
𝑉(𝑀) = = (𝟎, 𝟓 𝒑𝒕)
4𝜋𝜀0 𝑟 2 4𝜋𝜀0 𝑟 2
𝜋
Le plan (𝑦𝑂𝑧) correspond à 𝜃 = (2𝑛 + 1) 2 , 𝑛 ∈ ℕ,

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⟺ 𝑐𝑜𝑠 𝜃 = 0 donc à 𝑉(𝑀) = 𝑐𝑡𝑒 = 0 (𝟏 𝒑𝒕)


2) Exprimer le champ E en un point M du plan (yOz) en fonction de µ, a et r puis en
fonction du champ E0 en O.

⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ (𝑉)
𝐸⃗ (𝑀) = −𝑔𝑟𝑎𝑑
𝜕𝑉 1 𝜕𝑉
𝑉(𝑀) = 𝑉(𝑟, 𝜃) ⟺ 𝐸⃗ = 𝐸𝑟 𝑒𝑟 + 𝐸𝜃 𝑒𝜃 = − 𝑒𝑟 − 𝑒 (𝟎, 𝟓 𝒑𝒕)
𝜕𝑟 𝑟 𝜕𝜃 𝜃
𝜕𝑉 2𝜇 𝑐𝑜𝑠 𝜃
𝐸𝑟 = − 𝐸𝑟 =
𝜕𝑟 4𝜋𝜀0 𝑟 3
{ 𝑑 ′ 𝑜ù (𝟏 𝒑𝒕)
1 𝜕𝑉 𝜇 𝑠𝑖𝑛 𝜃
𝐸𝜃 = − 𝐸 =
𝑟 𝜕𝜃 { 𝜃 4𝜋𝜀0 𝑟 3
2𝜇 𝑐𝑜𝑠 𝜃 𝜇 𝑠𝑖𝑛 𝜃 𝜇
𝐸⃗ (𝑀) = 𝐸𝑟 𝑒𝑟 + 𝐸𝜃 𝑒𝜃 = 𝐸⃗ = 3
𝑒𝑟 + 3
𝑒𝜃 = (2 𝑐𝑜𝑠 𝜃 𝑒𝑟 + 𝑠𝑖𝑛 𝜃 𝑒𝜃 )
4𝜋𝜀0 𝑟 4𝜋𝜀0 𝑟 4𝜋𝜀0 𝑟 3
𝜋
En un point M du plan (yOz), on a 𝜃 = 2
𝜇
𝐸⃗ (𝑀)|𝑦𝑂𝑧 = 𝑒 (𝟎, 𝟓 𝒑𝒕)
4𝜋𝜀0 𝑟 3 𝜃
2𝜇
𝐸𝑛 𝑂, 𝜃 = 0 𝑒𝑡 𝑟 = 𝑎 ⟹ 𝐸0 = (𝟎, 𝟓 𝒑𝒕)
4𝜋𝜀0 𝑎3
1 2𝜇 𝑎3 𝐸0 𝑎 3
⃗𝐸 (𝑀)| = 𝑒𝜃 = ( ) 𝑒𝜃 (𝟏 𝒑𝒕)
𝑦𝑂𝑧 2 4𝜋𝜀0 𝑟 3 𝑎3 2 𝑟
--------------------------------------------------------------------------
Que devient 𝐸⃗ (𝑀)|𝑦𝑂𝑧 lorsque r<<a.
Ce cas n’est pas concerné par le développement ci-dessus puisque ne vérifiant pas l’approximation
dipolaire.

𝐸⃗ (𝑀)|𝑦𝑂𝑧 = ? (𝟏 𝒑𝒕)

Que devient 𝐸⃗ (𝑀)|𝑦𝑂𝑧 lorsque r>>a.


C’est le cas de l’approximation dipolaire (voir développement ci-dessus)

𝐸0 𝑎 3
𝐸⃗ (𝑀)|𝑦𝑂𝑧 = ( ) 𝑒𝜃 (𝟎, 𝟓 𝒑𝒕)
2 𝑟

--------------------------------------------------------------------------

3) Calculer le flux du champ E à travers le disque de centre O, de rayon R situé dans
le plan (yOz).

Par définition,
𝑞 𝑑𝑆 𝑐𝑜𝑠 𝛼 𝑞
𝑑𝜙 = 𝐸⃗ ∙ ⃗⃗⃗⃗
𝑑𝑆 = = 𝑑Ω (𝟎, 𝟓 𝒑𝒕)
4𝜋𝜀0 𝑟2 4𝜋𝜀0
cos 𝛼
Où 𝑑Ω = 𝑟 2 est l’angle solide sous lequel est vue la surface 𝑑𝑆 à partir de la charge q.
−𝑞 𝑞 𝑞
𝑑𝜙𝐴 = 𝑑Ω𝐴 ⟹ 𝜙𝐴 = − Ω𝐴 = − 2𝜋(1 − 𝑐𝑜𝑠 𝜑𝐴 )
4𝜋𝜀0 4𝜋𝜀0 4𝜋𝜀0
𝑞
𝜙𝐴 = − (1 − 𝑐𝑜𝑠 𝜑𝐴 ) (𝟎, 𝟓 𝒑𝒕)
2𝜀0

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De même 𝑦
𝑞 𝑞
𝜙𝐵 = Ω𝐵 = 2𝜋(1 − 𝑐𝑜𝑠 𝜑𝐵 )
4𝜋𝜀0 4𝜋𝜀0 𝑴
𝑞
= (1 − 𝑐𝑜𝑠 𝜑𝐵 ) (𝟎, 𝟓 𝒑𝒕)
2𝜀0
𝜑𝐴 𝜑𝐵
𝜙 = 𝜙𝐴 + 𝜙𝐵
𝑞 𝑞 𝐴 𝑶 𝐵 𝑥
= (1 − 𝑐𝑜𝑠 𝜑𝐵 ) − (1 − 𝑐𝑜𝑠 𝜑𝐴 ) (−𝑞) (+𝑞)
2𝜀0 2𝜀0 𝑹
(−𝑎) (+𝑎)
𝑞
= (𝑐𝑜𝑠 𝜑𝐴 − 𝑐𝑜𝑠 𝜑𝐵 )
2𝜀0 𝑧

𝑞 𝑎 −𝑎 2𝑎𝑞 1 𝑎𝑞
𝜙= ( − )= ( )= (𝟎, 𝟓 𝒑𝒕)
2𝜀0 √𝑎2 + 𝑅 2 √𝑎2 + 𝑅 2 2𝜀0 √𝑎2 + 𝑅 2 𝜀0 √𝑎2 + 𝑅 2

Exercice II - 1°) Un condensateur plan est formé de deux armatures A et B, de forme


circulaire, de rayon r, séparées par une distance e, disposées horizontalement et portées
respectivement aux potentiels V1 et V2 (V1 > V2).
a) Calculer le potentiel en un point M situé entre les armatures.

On résout l équation de Laplace unidimensionnelle ∆𝑉 = 0 suivant l’axe 𝑥 ′ 𝑥 qui relie les centres de
ces deux condensateurs. Cela donne :
𝑑2𝑉 𝑑𝑉
2
=0 ⟺ = 𝑐𝑡𝑒1 = 𝐶1 ⟹ 𝑉(𝑥) = 𝐶1 𝑥 + 𝑐𝑡𝑒2
𝑑𝑥 𝑑𝑥
𝑉(𝑥) = 𝐶1 𝑥 + 𝐶2 (𝟎, 𝟓 𝒑𝒕)
Déterminons les constantes 𝐶1 et 𝐶2 . On suppose l’armature 𝐴1 située en O (𝑥 = 𝑥1 = 0), et
l’armature 𝐴2 est en 𝑥 = 𝑥2 = 𝑒

𝑥 = 0, 𝑉(𝑥 = 0) = 𝑉1 ⟺ 𝐶2 = 𝑉1 (𝟎, 𝟓 𝒑𝒕)


𝑥 = 𝑥2 , 𝑉(𝑥 = 𝑥2 ) = 𝑉2 ⟺ 𝐶1 𝑥2 + 𝐶2 = 𝑉2
𝑉2 − 𝑉1 𝑂 𝑀(𝑥)
⟺ 𝐶1 𝑒 + 𝑉1 = 𝑉2 ⟹ 𝐶1 = (𝟎, 𝟓 𝒑𝒕)
𝑒 𝑥
𝑉2 − 𝑉1 𝑟
𝑉(𝑥) = ( ) 𝑥 + 𝑉1 (𝟎, 𝟓 𝒑𝒕) 𝑟
𝑒
𝑒

Autrement démarche : (𝟐 𝒑𝒕𝒔 à 𝒓é𝒑𝒂𝒓𝒕𝒊𝒓)


Il s’agit de calculer le champ à l’intérieur des deux armatures et d’en déduire le potentiel :
𝜎 𝜎 𝜎
𝐸⃗ = (− 𝑖) + (− 𝑖) = − 𝑖
2𝜀0 2𝜀0 𝜀0
𝑑𝑉 𝜎
⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ (𝑉) = −
𝐸⃗ = −𝑔𝑟𝑎𝑑 𝑖 ⟹ 𝑉(𝑥) = − ∫ 𝐸𝑑𝑥 = − ∫ (− ) 𝑑𝑥
𝑑𝑥 𝜀0
𝜎
𝑉(𝑥) = 𝑥 + 𝑐𝑡𝑒
𝜀0
𝑐𝑡𝑒 = 𝑉1 𝑐𝑎𝑟 𝑉(𝑥 = 0) = 𝑉1

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𝜎
𝑉(𝑥) = 𝑥 + 𝑉1
𝜀0

b) Quelle est la force qui s’exerce sur chaque armature ?

𝜎2 𝜎2 Autrement démarche :
⃗⃗⃗⃗ =
𝑑𝐹 = 𝑝 ∙ 𝑑𝑆 𝑑𝑆𝑖 ⟹ 𝐹 = 𝑆𝑖 (𝟎, 𝟓 𝒑𝒕)
2𝜀0 2𝜀0 (𝟐 𝒑𝒕𝒔 à 𝒓é𝒑𝒂𝒓𝒕𝒊𝒓)
𝑄
𝜎= 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝑄 = 𝐶𝑉 = 𝐶(𝑉1 − 𝑉2 ) L’énergie électrique du
𝑆
𝑄 étant la charge portée par chaque armature et 𝐶 la capacité du condensateur est:
1
condensateur. 𝑊 = 𝐶(𝑉1 − 𝑉2 )2
2
𝑄 2 2 1 𝜀0 𝑆
( ) (𝐶(𝑉1 − 𝑉2 ))
𝐹= 𝑆 𝑆𝑖 = 𝑖 = (𝑉1 − 𝑉2 )2
2𝜀0 2𝜀0 𝑆 2 𝑒
À potentiel constant,
𝐶 2 (𝑉1 − 𝑉2 )2 𝐶
= 𝑖 𝑜𝑢 (𝑉 − 𝑉2 )2 𝑖 (𝟎, 𝟓 𝒑𝒕) 𝑑𝑊 𝑊
2𝜀0 𝑆 2𝑒 1 𝐹= =
2 𝑑𝑥 𝑒
1/2
𝜀0 𝑆 𝜀0 𝜋𝑟 2 8,85 ∙ 10
−12
× 𝜋 × ((5⁄𝜋) −2
∙ 10 ) 𝜀0 𝑆
𝐶= = = 𝐹 = 2 (𝑉1 − 𝑉2 )2
𝑒 𝑒 5 ∙ 10−3 2𝑒
𝜀0 𝜋𝑟 2
= 8,85 ∙ 10−13 𝐹 = (𝑉1 − 𝑉2 )2
2𝑒 2
8,85 ∙ 10−13
𝐹= (2000 − 500)2 ∙ 𝑖
2×5∙ 10−3
= 1,99 ∙ 10−4 𝑖 (𝑁) (𝟏 𝒑𝒕)

2°) Une lame métallique (L) d’épaisseur e’, de forme circulaire, de rayon r est placée entre
les armatures et parallèlement à elles; déterminer la variation relative de la capacité du
condensateur.
A. N.: r = (5/π )1/2 cm, e = 5 mm; e’= 0,5 mm; V1 = 2000 V; V2 = 500 V.

Par influence totale, des charges positives et négatives 𝑒′


apparaissent sur les faces de la lame. La lame étant une
𝑒1 𝑒2
surface équipotentielle, on obtient deux condensateurs
en série de capacités :
𝜀0 𝑆 𝜀0 𝑆 𝑂
𝐶1 = 𝑒𝑡 𝐶2 = (𝟎, 𝟓 𝒑𝒕)
𝑒1 𝑒2 𝑥
La nouvelle capacité équivalente notée 𝐶′ s’écrit:
𝜀0 𝑆 𝜀0 𝑆

𝐶1 𝐶2 𝑒1 × 𝑒2
𝐶 = =
𝐶1 + 𝐶2 𝜀0 𝑆 + 𝜀0 𝑆 𝑒 𝑀(𝑥)
𝑒1 𝑒2
𝑒1 𝑒2
(𝜀0 𝑆)2 (𝑒1 + 𝑒2 ) 𝜀0 𝑆
= × = (𝟏 𝒑𝒕)
𝑒1 𝑒2 𝜀0 𝑆 𝑒1 + 𝑒2
𝜀0 𝑆
𝑜𝑟 𝑒1 +𝑒2 = 𝑒 − 𝑒 ′ ⟹ 𝐶′ =
𝑒 − 𝑒′

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𝐸𝑛 𝑝𝑙𝑢𝑠, 𝜀0 𝑆 = 𝑒𝐶 𝑑 ′ 𝑎𝑝𝑟è𝑠 1)
−1

𝑒𝐶 𝐶 𝐶 𝑒′
𝐶 = = = = 𝐶 (1 − ) (𝟎, 𝟓 𝒑𝒕)
𝑒 − 𝑒′ 𝑒 − 𝑒′ 1 − 𝑒′ 𝑒
𝑒 𝑒
𝑒′ faible devant 𝑒, On a :
−1
𝑒′ 𝑒′
(1 − ) ≈ 1 +
𝑒 𝑒

𝑒 𝑒′ 𝐶′ − 𝐶 𝑒′
𝐶 ′ = 𝐶 (1 + ) ⟺ 𝐶 ′ − 𝐶 = 𝐶 ⟹ = (𝟎, 𝟓 𝒑𝒕)
𝑒 𝑒 𝐶 𝑒
𝐶 ′ − 𝐶 0,5
𝐴𝑁: = = 0,1 = 10% (𝟎, 𝟓 𝒑𝒕)
𝐶 5

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