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MOOC

: Comprendre les nanosciences


2.2a – Techniques de fabrication de couches minces


Pour fabriquer un transistor, il faut un grand nombre d'étapes de technologie dites planaires. Dans cette séquence je
vais vous expliquer comment on peut fabriquer les différentes couches minces de matériaux qui composent un
transistor mais d’'abord qu'est-ce qu'un transistor?
Le transistor est un interrupteur constitué d'un canal de semiconducteur entre deux réservoirs : la source, d'où sont
émis les porteurs de charges, et le drain qui les collecte. Ces porteurs de charges sont induits dans le canal en
appliquant une tension sur la grille qui est isolée du canal par une fine couche d'isolant. Les premiers transistors
étaient en fait composés de différents matériaux : d'un métal, d'un oxyde et d'un semiconducteur d'où le nom de
transistor MOS ou MOSFET en anglais. Dans le cas d'un transistor de type N, le semiconducteur est de type P, c'est à
dire avec des trous comme porteurs de charges, et les réservoirs sont du type N, avec beaucoup d'électrons.
Habituellement, la source est au même potentiel électrique que le substrat. Dans le cas où il n'y a pas de tension
appliquée sur la grille, il n'y a pas d'électron dans le canal donc la conduction entre la source et le drain n'est pas
possible et l'interrupteur est ouvert. Maintenant, si on polarise positivement la grille, les électrons sont induits dans
le canal et la conduction devient possible entre la source et le drain, l'interrupteur est alors fermé. Un transistor est
donc composé de différents matériaux, qui servent de substrat, de source, de drain, d'isolant, de grille et de contacts.
Mais avant de structurer ces matériaux par des étapes de lithographie et de gravure, il faut les déposer en couches
minces sur un support qu'on appelle substrat. En microélectronique, on utilise comme support des plaques de
silicium, appelées wafers qui ont une épaisseur inférieure à 1 millimètre, et différents diamètres possibles pouvant
aller jusqu'à 30 centimètres, pour intégrer un maximum de structures.
Mais pourquoi est-ce qu'on utilise le silicium ? Pour ses propriétés de semiconducteur à température ambiante, qui
ont permis de créer des transistors et des puces électroniques, mais aussi parce que l'on sait fabriquer des lingots de
silicium avec une très haute qualité de pureté, qui est indispensable en microélectronique. Et en plus dans le wafer de
silicium chaque atome est parfaitement ordonné, le silicium forme un cristal. Notre wafer de silicium sert de support
pour déposer différents types de matériaux, en couche mince, c'est à dire en empilement d'atomes de faible
épaisseur déposé sur toute la surface.
Si l'on veut obtenir des matériaux les plus purs possibles, sans contaminants, des techniques de fabrication sous vide
sont utiles. Donc on introduit le wafer de silicium dans ce qu'on appelle un bâti de dépôt, qui est une enceinte sous
faible pression grâce à des systèmes de pompage. Ensuite, on choisit la technique la plus adaptée selon le type de
couche mince qu'on veut déposer. Cela dépend de la nature du matériau, de l'épaisseur de la couche mince et si l'on
souhaite ou non un arrangement ordonné, cristallin, des atomes.
Passons maintenant aux méthodes de dépôt des couches minces, en nous focalisant sur les techniques les plus
courantes en phase vapeur.
On distingue les méthodes de dépôt physiques des méthodes de dépôt chimiques. Pour toutes les méthodes
physiques en phase vapeur, le matériau à déposer est introduit dans l'enceinte sous forme solide. Il est chauffé, on a
donc des atomes qui s'évaporent, et qui se condensent sur le substrat, sans réaction chimique, pour former une
couche mince dont l'épaisseur augmente au cours du temps.
Dans le cas des dépôts chimiques en phase vapeur, on introduit directement les atomes à déposer sous forme de
précurseurs gazeux, c'est-à-dire de molécules qui s'adsorbent à la surface du substrat et réagissent chimiquement
pour former le matériau voulu en couche mince.
Parmi les méthodes de dépôt physiques, la plus simple est l'évaporation, surtout pour faire des couches minces
métalliques. Dans le cas de l'évaporation, le matériau est placé dans l'enceinte sur un support qui est chauffé, et du
fait de la faible pression les atomes évaporés peuvent atteindre le substart sans subir de collision ce qui permet de
créer une couche mince de très bonne qualité. Le chauffage de la source peut être obtenu soit par effet Joule, en
faisant circuler des courants importants, soit par un canon à électrons, dans le cas de certains matériaux qui ont

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besoin de températures plus élevées. Par évaporation, on peut ainsi déposer des couches minces dont l'épaisseur est
finalement comprise entre 10 nm et 1 micron, et dans la plupart des couches minces l'arrangement des atomes est
amorphe, donc les atomes ne sont pas ordonnés. Néanmoins, on peut obtenir un arrangement atomique en
contrôlant précisément la température et la pression. Il faut chauffer le substrat et travailler à très faible pression
typiquement à une pression de l'ordre de dix mille milliards de fois plus faible que la pression atmosphérique.
Dans ces conditions particulières, des couches minces cristallines peuvent être déposées. On parle alors de dépôt par
épitaxie MBE puisqu'on fait croître un cristal sur un substrat lui aussi cristallin. Du coup, le choix du substrat est très
important. La structure cristalline du substrat, et en particulier la taille de sa maille cristalline doit être la plus proche
possible de celle du matériau à déposer. Par exemple, si le paramètre de maille du matériau à déposer est un petit
peu plus grand ou un petit peu plus petit que celui du substrat, alors le substrat impose des contraintes de
compression ou de tension dans la couche mince. Et même avec une faible différence, de l'ordre d'un pourcent, les
contraintes peuvent être très importantes dans des films de seulement dix nanomètres d'épaisseur. Ces contraintes
peuvent provoquer des défauts dans les couches minces telles que des dislocations, qui sont comme des fissures à
l'échelle atomique ou même des décollements de couches minces comme dans le cas d'une couche de peinture qui
relaxe et se détache du support. Mais si on arrive à maitriser les contraintes, des structures différentes peuvent être
obtenues, contrôlées par le substrat, et ainsi de nouveaux matériaux peuvent être élaborés. Donc finalement, la
technique d'évaporation permet aussi de créer des couches minces de matériaux complexes, à partir de différentes
cellules individuelles d'évaporation qu'on appelle des cellules de Knudsen. Des cristaux sous forme de couches
minces sont ainsi déposés, avec un contrôle précis de leur épaisseur à l'échelle atomique près.
La pulvérisation cathodique est une seconde méthode de dépôt physique en phase vapeur. Dans ce cas une
différence de potentiel est appliquée dans le bâti, qui permet de créer à partir d'un gaz un plasma d'espèces ionisées.
Les espèces positives bombardent les atomes de la cible qui sont alors pulvérisés et se condensent sur le substrat au
niveau de l'anode formant ainsi la couche mince. Donc par pulvérisation cathodique, des matériaux très différents
peuvent être élaborés, des conducteurs, des isolants, des matériaux plus ou moins complexes avec un arrangement
amorphe ou cristallin des atomes. Les principaux avantages de cette technique sont le respect de la composition
chimique, entre la cathode et le substrat, l'anode, où est déposée la couche mince, ainsi qu'une bonne uniformité de
dépôt sur de grandes surfaces. Par contre, la haute énergie des atomes pulvérisés peut générer de fortes contraintes
dans le matériau en couche mince.
Les méthodes de dépôt chimique, appelées CVD, utilisent, elles, un ou plusieurs précurseurs gazeux qui se
décomposent ou réagissent chimiquement à la surface du substrat pour former le matériau voulu en couche mince.
L'oxydation thermique est un exemple de dépôt chimique par CVD. Dans ce cas, on utilise directement les atomes du
substrat combinés avec de l'oxygène. Par oxydation thermique on peut élaborer ainsi des oxydes de silicium de très
bonne qualité qui peuvent être utilisés comme isolants dans certains types de transistors. Il existe en fait de
nombreuses techniques de dépôt chimique CVD qui se distinguent les unes des autres selon le type de procédé pour
initier les réactions chimiques et selon les conditions de dépôt. Par exemple, la température, ou l'utilisation d'un
plasma peuvent augmenter le taux de réaction des précurseurs. Donc par CVD, des alliages complexes, cristallins,
peuvent aussi être déposés avec un contrôle de leur dépôt couche après couche en introduisant de façon séquentielle
différents types de précurseurs. De cette façon, l'épaisseur des couches minces peut être contrôlée à la couche
atomique près. Dans ce cas on parle de croissance par ALD. Donc après avoir élaboré une couche mince, on utilise
différentes caractérisations, différentes techniques de caractérisation. Par exemple, la composition chimique des
couches minces peut être étudiée par spectroscopie, leur épaisseur par des méthodes optiques tel que
l'ellipsométrie et la structure cristalline par diffraction de rayons X. Alors on a ici un exemple, une image, de
microscopie électronique à transmission, où on voit l'arrangement atomique au sein d'une couche mince observée en
coupe. Cette image peut ensuite être analysée par différents modes de microscopie pour visualiser les contraintes
comme sur cette image, mais aussi pour étudier la composition chimique et la structure cristalline. Donc la

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microscopie électronique à transmission est une technique très utilisée pour faire une étude approfondie des
matériaux en couches minces.
Mais revenons maintenant à notre transistor. Donc on a le wafer de silicium. Il faut d'abord déposer une couche
mince isolante, soit un oxyde de silicium par oxydation thermique, ou un oxyde dit "High K" par CVD, puis une
couche de silicium polycristallin également déposée par CVD et une couche métallique par pulvérisation cathodique.
Donc toutes ces couches minces ont typiquement une épaisseur de l'ordre de 100 nanomètres et elles vont servir
dans notre transistor d'isolant, de grille et de contact. Mais avant de pouvoir intégrer ce transistor, par exemple dans
notre téléphone portable, il faut un définir les géométries et les tailles latérales de chacun des matériaux. Donc vous
en saurez plus à la séquence suivante.

Sylvia Matzen

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