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ECOLE POLYTECHNIQUE UNIVERSITAIRE DE NICE SOPHIA


Cycle Initial Polytech - PeiP
Première Année
Année scolaire 2011/2012

Epreuve d’électronique analogique N°3 - CORRECTION

Vendredi 11 mai 2012 Durée : 1h30

 Cours et documents non autorisés.


 Calculatrice de type collège autorisée
 Vous répondrez directement sur cette feuille.
 Tout échange entre étudiants (gomme, stylo, réponses…) est interdit
 Vous devez :
 indiquer votre nom, prénom et groupe ( 1 point).
 éteindre votre téléphone portable ( 1 point par sonnerie).

RAPPELS :

anode
Modèle électrique équivalent de la diode ID
lorsqu’elle est passante : VD = VS + RS.ID
P
VD
N
Modèle électrique équivalent de la diode
lorsqu’elle est bloquée : ID = 0
cathode

Schéma électrique ib ic
équivalent du transistor
B C
bipolaire NPN en régime
de petit signal vbe RS .ib 1/hoe vce

Forme générale de la tension aux bornes de la capacité d’un circuit R.C :

 t 
VC t   A. exp  B
 R.C 

A et B dépendent des conditions initiale et finale de VC.

Préfixes milli m 103


micro µ 106

1
EXERCICE I : Amplificateur de classe A (7,5 pts)

VDD

R1 RC
C1

VBE V3
EG V1 R2 RE C2 V2

Figure I.1. Les éléments du montage sont : VDD = 9 V, R1 = 10 k, R2 = 2 k, RC = 600 ,
RE = 100 . Transistor :  = 100, VCEsat = 0,2 V et sa base VS = 0,6 V, RS = 1 k

On se propose d’étudier le montage de la figure (I.1) qui permet d’amplifier les variations de la
tension EG, la sortie étant la tension V3. Dans tous les calculs, on supposera que :  + 1  .
VDD est référencée par rapport à la masse. Les tensions et courants sont constitués d’une
partie statique (indice 0) et d’une partie dynamique (en lettres minuscules). Cela donne par
exemple pour la tension en entrée : EG(t) = EG0 + eg(t).

I.1. Etude statique du montage

I.1.1. Déterminer les expressions et valeurs des éléments du générateur de Thévenin


équivalent vu de la base du transistor en fonction de VDD, R1 et R2. (1 pt)

R2 R 1.R 2
Eth = VDD = 1,5 V Rth = = 1,7 k
R1  R 2 R1  R 2

I.1.2. Donner l’expression et la valeur du courant de base du transistor. (0.5 pt)

E th  VS
IB0 = = 71 µA
R th  R S  .R E

I.1.3. Donner l’expression et la valeur de la tension VBE0. (0.5 pt)

VBE0 = VS  R S .I B = 0,67 V

I.1.4. Déterminer l’expression et la valeur du courant IC0. (0.5 pt)

IC0 = .I B0 = 7,1 mA

I.1.5. Déterminer l’expression et la valeur de la tension VCE0. (0.5 pt)

VCE0 = VDD  R C  R E .I C0 = 4 V > VCEsat

I.1.6. Dans quel régime est polarisé le transistor ? (0,5 pt)

Régime : Bloqué X Linéaire Saturé

2
I.1.7. Quel est le rôle de la capacité C1 ? (0,5 pt)

A) Faire osciller la base du transistor.

B) X Empêcher la tension continue de EG de modifier la polarisation du


transistor.

C) Stabiliser thermiquement le transistor.

D) Empêcher la tension alternative de EG de modifier la polarisation du


transistor.

I.1.8. Quel est le rôle de la capacité C2 ? (0,5 pt)

A) Augmenter la valeur de la résistance RE.

B) X Empêcher la tension V2 de varier et ainsi augmenter la valeur du gain


AV = v3/eg.

C) Stabiliser thermiquement le transistor.

D) Augmenter l’effet de la capacité C1

I.1.9. Quel est le rôle de la résistance RE ? (0,5 pt)

A) Augmenter la valeur de la capacité C2.

B) X Stabiliser thermiquement le transistor.

C) Augmenter la valeur du gain AV = v3/eg.

D) Augmenter l’effet de la capacité C1.

I.2. Etude en dynamique du circuit

On considérera que les capacités C1 et C2 sont des court-circuits en dynamique (donc


pour les fréquences du signal eg(t)).

I.2.1. Représenter ci-dessous le schéma petit signal du circuit étudié. La résistance 1/hoe
du transistor sera négligée devant RC. (1,5 pts)

ib

eG 1 R1//R2 RS .ib v3 RC

I.2.2. Donner l’expression et la valeur du gain en tension. (0,5 pt)

v R
A V  3 =   C =  60 .
eg RS

I.2.3. Donner l’expression de la résistance d’entrée, RE, que voit le générateur eg. (0,5 pt)

3
R E = RS//R1//R2

EXERCICE II : Robot Microbug MK165 de VELLEMAN (12,5 pts + bonus 1,2 pts)

PARTIE 1 PARTIE 2
VDD

R3 R6 T5
R1 R4
R2
R8
VC2

RL

C1 C2 R5 R9
T4

moteur
VA
M
T1 T2 T3 R7 D1 LED
rouge

Figure II.1. La tension d’alimentation est VDD = 3 V et les valeurs des résistances du montage
sont : R1 = R4 = 1 k, R2 = R3 = 20 k, R5 = 100 k, R6 = 100 , R7 = 1,1 k et la valeur de
RL est de 4 k en présence de lumière et 20 M dans l’obscurité. Les capacités sont identiques :
C1 = C2 = 22 µF. M est un moteur.

Tension de seuil Résistance Gain Saturation

T1 et T2 VS = 0,6 V RS = 0 VCEsat = 0

T3 VST3 = 0,6 V RST3 = 1 k T3 = 100 VCEsatT3 = 0

T4 VST4 = 0,6 V

Tableau II.1.

On se propose d’étudier la partie électronique du Kit MK165 de VELLEMAN qui fait suite au
DS n°2 de cette année sur le KIT MK127. Une fois monté, ce Kit est un robot qui rampe par à-
coups vers la lumière à l’aide de deux moteurs. Le circuit d’alimentation de chaque moteur est
donné à la figure (II.1) avec la partie 2, la partie 1 étant commune aux deux moteurs. Certains
éléments du montage sont donnés au tableau (II.1).

A. Etude de la partie 1

II.1. Sans tenir compte de la partie 2, donner les valeurs min et max de la tension VA. (0.5 pt)

VAmin = VCEsat = 0 V

VAmax = VDD = 3 V

II.2. On considère qu’à l’instant t = 0 le transistor T2 devient passant. La tension sur la base
de T1 devient alors égale à VS  VDD et il se bloque.

II.2.1. Donner l’expression de l’évolution temporelle de la tension VC2 (= VBE1) en fonction


de VDD, VS, R3 et C2. (1.5 pts)

4
La forme générale de l’expression de VC2 est :

 t 
VC2 t   A. exp    B
 R .C
3 2

Avec VC2 t  0   VS  VDD  A  B et VC2 t     VDD  B donc A  VS  2.VDD

 t 
Soit : VC2 t   VS  2VDD . exp    VDD
 R 3 .C 2 

II.2.2. Quelle est la valeur de VC2 qui permet de rendre le transistor T1 passant ? (0,5 pt)

VC2 = VS = 0,6 V

II.2.3. Donner alors l’expression du temps TP1 durant lequel le transistor T2 est passant.
(0,5 pt)

 V  VDD 
TP1 =  R 3 .C2 . ln S 
 VS  2.VDD 

II.2.4. Sur la figure (II.2.b), tracer approximativement l’évolution temporelle de VC2 dans
l’intervalle de temps [0 ;TP1]. (0,5 pt)

II.3. A t = TP1 le transistor T1 devient passant et on utilise pour la suite un changement d’axe
temporel en considérant que cela se produit à t = 0.

II.3.1. Si T1 devient passant, quel est l’état (régime) du transistor T2 ? (0,5 pt)

Régime : X Bloqué Linéaire Saturé

II.3.2. A partir de la question (II.2.1) donner l’expression de VBE2(t) (= VC1). (1.5 pts)

 t 
Par identification on obtient : VBE2 t   VS  2VDD . exp    VDD
 R 2 .C1 

II.3.3. Donner alors l’expression du temps TP2 durant lequel le transistor T1 est passant.
(0,5 pt)

 V  VDD 
TP2 =  R 2 .C1 . ln S 
 VS  2 . VDD 

II.3.4. Sur la figure (II.2.a), tracer approximativement l’évolution temporelle de VC1 dans
l’intervalle de temps [TP1 ;TP1 + TP2]. (0,5 pt)

II.4. On se place toujours au temps t = TP1 et on fait un changement d’axe temporel en


considèrent qu’à t = 0 le transistor T1 devient passant.

II.4.1. Déterminer l’expression de la tension VC2. (1 pt)

5
La forme générale de l’expression de VC2 est :

 t 
VC2 t   A. exp    B
 R 4 .C 2 

Avec VC2 t  0   VS  A  B et VC2 t     VS  VDD  B donc A  VDD

 
Soit : VC2 t   VDD . exp 
t
  VS  VDD
 R 4 .C 2 

II.4.2. Sur la figure (II.2.b), tracer approximativement l’évolution temporelle de VC2 dans
l’intervalle de temps [TP1 ;TP1 + TP2]. (0,5 pt)

II.4.3. Compléter alors le tracer de la courbe VC1(t) dans l’intervalle de temps [0 ;TP1].
(0,5 pt)

II.5. Donner la valeur de la période du signal VA. (0,5 pt)

TP  TP1  TP2 = = 0,71 s

II.6. Sur la figure (II.2.c), tracer approximativement l’évolution temporelle de VA dans


l’intervalle de temps [0 ;TP1 + TP2]. (0,5 pt)

6
VC1 (V) TP1 TP1 + TP2

VDD

a
VS
0
t
VS  VDD

VC2 (V)

VDD
b

VS
0
t
VS  VDD

VA (V)
VDD
c

0
0 t

Figure II.2.

B. Etude de la partie 2

Dans cette partie, on considère que les valeurs VAmax et VAmin sont celles données à la question
(II.1). IB4 est négligeable devant les autres courants.

II.7. On se place à VA = VAmax avec présence de lumière

II.7.1. Déterminer l’expression et la valeur de IB3. (0.5 pt)

VA max  VST3
IB3 = = 24 µA
R 5  R ST3

II.7.2. Déterminer la valeur de IC3. (0.5 pt)

IC3 = .IB3 = 2,4 mA

II.7.3. Déterminer l’expression du courant qui circule dans la résistance R7. (1 pt)

VDD  ( R 6  R L ).IC3
IR7 =
(R 6  R L  R7 )

7
II.7.4. Déterminer l’expression et la valeur de la tension aux bornes de R7. (0.5 pt)

VR7 = R7.IR7 =  1,43 V

II.7.5. Dire alors dans quel régime se trouve le transistor T3 et quelle est la valeur de la
tension VR7. (0.5 pt)

Régime saturé donc VR7 = 0 V

II.8. Compléter alors le tableau (II.2) en entourant le régime de fonctionnement des


transistors T3 et T4 ainsi que l’état du moteur. (Bonus 1,2 pts)

T3 T4 Moteur

VAmax Lumière bloqué / saturé bloqué / passant tourne / arrêté

Obscurité bloqué / saturé bloqué / passant tourne / arrêté

VAmin Lumière bloqué / saturé bloqué / passant tourne / arrêté

Obscurité bloqué / saturé bloqué / passant tourne / arrêté

Tableau II.2.

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