CIRCUIT ELECTRONIQUE 1ère F3 - Copie

SUPPORT DE COURS
ère
1
ÉDITION
CIRCUITS ELECTRONIQUES
1ère F2 & F3
Les auteurs
DONGO Michel & SONFACK Hervé
COLLEGE DE- LA- SALLE

B.P.: 5377 Douala- Cameroun
Téléphone : 343 21 43 – Télécopie : 343 21 42
http:// www.delasalledla.fr.fm
Tous droits de reproduction réservés. Aucune partie de cet ouvrage ne

peut être reproduite, ni utilisée sous quelque forme que ce soit,
sans l’autorisation écrite de l’éditeur.
DLS, Septembre 2003

imprimé et relié au Collège
DE- LA – SALLE
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Tables des matières

1ère partie : ANALOGIQUE .............................................................................................. 3
CHP 0 : RÉVISION GÉNÉRALE .............................................................................................. 4

CHP 1 : LE COURANT ALTERNATIF SINUSOÏDAL ..................................................... 18
CHP 2 : LES SEMI-CONDUCTEURS ..................................................................................... 22
CHP 3 : DIODE A JONCTION ................................................................................................ 24
CHP 4 : APPLICATION DES DIODES ................................................................................. 29
CHP 5 : LA DIODE ZENER ..................................................................................................... 44
CHP 6 : LE TRANSISTOR ......................................................................................................... 50
CHP 7 : AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL ................................................................... 93
CHP 8 : LES CIRCUITS RLC ................................................................................................... 110
CHP 9 : ASSOCIATION DES DIPOLES PASSIFS ............................................................. 116
CHP 10 : OPTOELECTRONIQUE ....................................................................................... 140
CHP 11 : LES MULTIVIBRATEURS...................................................................................... 144
2ème partie : NUMERIQUE ........................................................................................... 158
CHP 1 : NOTIONS FONDAMENTALES ........................................................................... 159

CHP 2 : SYSTEME DE NUMERATION ET CODES ...................................................... 163
CHP 3 : ALGEBRE DE BOOLE ............................................................................................ 169
CHP 4 : OPERATIONS ET CIRCUITS ................................................................................ 177
CHP 5 : DEMULTIPLEXEUR ................................................................................................ 190
CHP 6 : CODEURS DECODEURS ....................................................................................... 195
CHP 7 : LOGIQUE SEQUENTIELLE ................................................................................. 204
CHP 8 : COMPTEUR DECOMPTEUR ................................................................................ 216
CHP 9 : REGISTRE ................................................................................................................... 228
CHP 10: TECHNOLOGIE DES CIRCUITS INTEGRES ................................................ 233
CHP 11 : LE GRAFCET ........................................................................................................... 238
CHP 12 : LES MEMOIRES ...................................................................................................... 247
2
ère
1
Partie
ANALOGIQUE
3
Chapitre
REVISION GENERALE
4
I. Générateur de tension – Générateur de

courant
a) Générateur de tension
C’est un appareil qui est capable de générer une tension.
Remarque : On dit que celui-ci est parfait lorsque sa résistance interne est nulle.
Exemple : U= E - rI
I U (V)
E
r
U
E
I (A)
E/R
b) Générateur de tension parfait

U (V)
U=E
E U r=0Ω E
c) Générateur de courant
C’est un appareil capable de fournir un courant électrique.
Remarque : On dit que celui-ci est parfait lorsque n’existe pas.
Exemple : Générateur de courant
r
r ou
5
Générateur de courant parfait
I
r→∞
II.Loi des Nœuds – Loi des Mailles

a) Loi des Nœuds
Un nœud est un point de circuit arrivant en un nœud est égal à la somme des courants
qui en sortent.
* Enoncé de la loi des Noeuds

La somme des courants arrivant en un nœud est égale à la somme des courant qui en
sortent
I1 I2
I5
I4
I3
Exemple d’application
I1 = 2A
I1 I3
I I5 = 1A
I4
I4 = 3A
I2 I5
I = 2A
I
IC I = 6 mA
IC = 4 mA
Problème : déterminer IE et Ib
IB
6
b) Loi des Mailles

Une maille est un circuit fermé
* Enoncé de la loi de maille
Exemple : Pour un sens de parcours donné la somme Algébrique des tensions est
égale à zéro (nul)
U2
U3 Sens U2 + U3 + U1=0
U1
Exercice d’application
U2 U5
U1 = 20 V
U3 U4
U1 U2 = 5 V
U4 = 8 V
U6
Problème : déterminer U3, U5, U6
U2 U1 VCC = 10 V VBE = 0,7 V
VCE = 3 V VBB = 4 V
VCE VCC U2 = 3 V
U3 Problème: déterminer U1,

U2, U3, VD
VBB VD
7
III. Diviseur de tension – Diviseur de courant

a) Diviseur de tension
Soit le montage suivant
R2 U2
R1
U1 = E
E R1 + R2
R2
R1 U1 U2 = E
R2 + R1
Il permet de prendre une fraction de la tension d’alimentation.

En fait c’est la combinaison de la loi d’Ohm et de la loi de Pouillet.
* Rappel
La loi de Pouillet utilisé dans un circuit à un maille nous dit que le courant est égal à :
I=
∑ E − ∑ E' E : f.e.m
∑R E’: f.c.e.m
Exemple
E2 E3
E3 R2
R4I R4
E 2 − (E 1 + E 3 )
I=
R1 + R 2 + R 3 + R4
8
Démonstration
U 1 = R1 I 
 R1
E  ⇒ U1 = E
I= R + R
R 1 + R 2  1 2
b) Diviseur de courant
Soit à déterminer le courant de sortie dans le montage ci – dessous.
I2 I1
1 1
Soit G1 = G2 =
R2 R1 R2
R1
G1 G2
I1 = I I2 = I
G1 + G 2 G1 + G 2
Par les résistances
1 1
R1 R2 R2
I1 =
R1
1 ⇒ I1 =
R1
I ⇒ I1 = ( R + R ) R I I1 = I
1 1 R1 + R2 1 2 1 R1 + R 2
+
R2 R1 R1 R2
R1
I2 = I
R1 + R2
Par récurrence
I1 I2 IN G2
I2 = I
G1 G2 G3 GN
∑G
Gn
In = I
∑G
Soit le montage suivant
RpIS On donne U1 = 12 V
R R = 10 KΩ
U RP = 4 KΩ
US RS = 6 KΩ
I1 RS
9
1) Calcul Us
2) En déduire Is
3) Déterminer I = f(Is, R, Rp, et Rs)
4) Déterminer I1 f (I, R, Rp, et Rs)
IV. Théorème de Thevenin
* Énoncé
Tout circuit électrique ne comportant que des dipôles actifs et passifs linéaires est
équivalent à un générateur de tension de f.e.m Eth et de résistance interne Rth.
I=0
A
Association
des dipôles Eth=VAB Rth
linéaires
Eth
B
Eth et Rth sont les caractéristiques du générateur de THEVENIN

* Eth est le F.e.m de THEVENIN, elle se détermine lorsque l’intensité du
courant débitée est nulle (I=0)
* Rth est la résistance équivalent vu des bornes AB lorsque les sources de
tension sont court-circuitées (sources de courant ouvertes)
A
I
R1 R2
+
RC
E1 E2
B
On donne :
E1 =10V E2 = 6V R1 = 1KΩ R2 = 200Ω RC = 250Ω R1 A
A partir du modèle équivalent de Thévenin vue de AB I2 I
a)- Déterminer I E1 R2
R
b)- En déduire les courant I1 et I2
E2
10
V.Théorème de Norton
* Enoncé
Tout dipôle actif est équivalent d’après Norton à deux dipôles élémentaires en parallèle.
A
A
I
D
R
B
B
− Une source de courant de cour-circuit

− Une résistance interne élémentaire obtenue de la même manière que la résistance
de Thévenin
Exemple d’application
1) Déterminer le modèle équivalent de Norton vue des point AB du montage ci –
dessous (voir exercice d’application Thévenin).
2) En déduire le courant I.
VI. Théorème de Millman

Soit le montage.
E1 − U E2 − U
I1 I
I1 = I2 =
R1 R2
R1 R2 U
R I=
R I = I1 + I2
E1 E2
U E1 − U E 2 − U
= +
R R1 R2
U E1 U E 2 U
= − + −
R R R1 R2 R
11
1 1 1  E1 E 2
U =  + +  = +
 R R 1 R 2  R 1 R2
E1 E 2 n Ei
+
R1 R 2
∑
i =1 Ri
U= U=
1 1 1 n
1
+
R1 R2 R
+ ∑
i =1 Ri
A l’aide du théorème de Millman déterminer les tensions dans les montages suivants.
100 V 5Ω 100 V
2
Déterminer V1 et V2
5Ω
1
10 Ω
5Ω
100 V
100 V 10 Ω 1
100 V 10 Ω
Déterminer
10 Ω
100 V V1 V2 V3
5Ω 100 V 10 Ω
2 4
3
10 Ω 10 Ω
10 Ω
e1 R1
∼
e2 R2 Déterminer V1
0 ∼ 1
e3 R3
∼
R
12
VII. Méthode par superposition

a)- Enoncé
Tout circuit électrique est équivalent à la somme de plusieurs circuits électriques
alimentés à chaque fois par un seul générateur.
Exemple
I1 I I1’ I’ I1’’ I’’
I2 I2
R1 R2 R R1 R2 R R1 R2 R
U U’ U’’
E1 E1
E2 E2
U = U’ + U’’
I = I’ + I’’
VIII. Théorème de Kennely

a)-Triangle - étoile
2
2
Z2
Z12 Z23
Z1 Z3
1 3
Z13
1 3
1-2 Z1 + Z2 = Z12 // (Z23 +Z13)
1-3 Z1 + Z3 = Z13 // (Z12 +Z23)
2-3 Z2 + Z3 = Z23 // (Z12 +Z13)
Z 12 (Z 23 + Z 13 )
1) Z 1 + Z 2 =
Z 12 + Z 23 + Z 13
Z 12 .Z 13 + Z 12 .Z 13
⇒ Z1 + Z 2 =
Z 12 + Z 23 + Z 13
Z 13 Z 12 + Z 12 .Z 13
2) Z 1 + Z 3 =
Z 12 + Z 23 + Z 13
13
Z 23 Z 12 + Z 23 .Z 13
3) Z 2 + Z 3 =
Z 12 + Z 23 + Z 13
-
Z 12 Z 23 + Z 12 Z 13 Z Z + Z 23 .Z 13
Z1 + Z 3 − Z1 − Z 3 = - 13 12
Z 12 + Z 23 + Z 13 Z 12 + Z 23 + Z 13
Z 12 Z 23 + Z 12 Z 13 − Z 13 Z 12 + Z 13 Z 23
Z1 − Z 3 =
Z 12 + Z 23 + Z 13
Z 12 Z 13 − Z 23 Z 13
Z2 − Z3 = ’
Z 12 + Z 23 + Z 13
2Z 12 Z 23
+ ’ 2Z 2 =
Z 12 + Z 23 + Z 13
Z.
Z 12 Z 23 Z 12 Z 23
Z2 = Z1 =
Z 12 + Z 23 + Z 23 Z 12 + Z 23 + Z 23
Z 12 Z 23
Z3 =
Z 12 + Z 23 + Z 23
En générale nous avons
Produit de Z en 1
Z en 1 =
∑ Des Z
b)- Etoile - Triangle

2
2
Z2 Z12 Z23
Z1 Z3
1 3
Z13
1 3
14
1
Soit y =
Z
y12 + y13 = y1// (y2 + y3) (1)
y13 + y23 = y3// (y1 + y2) (2)
y23 + y12 = y2// (y1 + y3) (3)
On a :
Y1 (Y2 + Y3 )
(1)’ ⇒ Y12 + Y13 =
Y1 + Y2 + Y3
Y1 Y2 + Y1 Y3
⇒ Y12 + Y13 = (1 )'
Y1 + Y2 + Y3
Y3 Y1 + Y3 Y1
(2)’ ⇒ Y13 + Y23 =
Y1 + Y2 + Y3
Y2 Y1 + Y2 Y4
(3)’ ⇒ Y23 + Y12 =
Y1 + Y2 + Y3
(1)’- (2)
 Y1 Y2 + Y1 Y3
Y12 + Y13 = Y + Y + Y

1 2 3
Y3 Y1 + Y3Y2
Y13 + Y23 =
 Y1 + Y2 + Y3
Y1 (Y2 − Y3 ) − Y3 (− Y1 + Y2 )
Y12 − Y23 =
Y1 + Y2 + Y3
Y1 Y2 − Y1 Y3 + Y3 Y1 − Y3 Y2
⇒ Y12 − Y23 =
Y1 + Y2 + Y3
Y1 Y2 − Y3 Y2
Y12 − Y23 = (3 )' '
Y1 + Y2 + Y2
(3)’’- (3)’
 Y2 Y1 + Y2 Y3
 Y + Y =
Y1 + Y2 + Y3
23 12
 Y Y + Y3 Y2
Y12 + Y23 = 1 2
 Y1 + Y2 + Y3
15
2Y1 Y2
2Y12 =
Y1 + Y2 + Y2
Y1 Y2
⇒ Y12 =
Y1 + Y2 + Y2
1 1
−
1 Z1 Z 2
⇒ =
Z 12 1 1 1
+ +
Z1 Z 2 Z 3
Z1 Z 2 + Z1 Z 3 + Z 2 Z 3
Z 13 =
Z2
Z1 Z 2 + Z1 Z 3 + Z 2 Z 3
Z 23 =
Z1
IX. Transfert Maximal de puissance

Soit le circuit suivant :
I E PU=UI U =RI
I=
r +R R
⇒U = E
r R U R +r
R
⇒ PU = E2 U =RI
E (R + r )2
16
E ²(r + R )² − 2(r + R )Rr ²

PU ' =
PU (wt)
(r + R )²
PU ' = 0 ⇒
PUMAX E ²(r + R )² − 2(r + R )RE ² = 0
E²(r + R )(r + R − 2R ) = 0
 E²(r + R ) ≠ 0
R (r)
r
⇒
r + R − 2R = 0 ⇒ R=r
r
PUmax= E²
(2r )²
E²
⇒ PUmax=
4r
Pour que la puissance soit Maximale dans la charge, il faut que la résistance interne du
générateur soit égale à la résistance de charge.
17
Chapitre
LE COURANT ALTERNATIF
SINUSOÏDAL
18
On appelle grandeur sinusoïdale toute grandeur mathématique pouvant se mettre sous

la forme y(t ) = A 2 sin(ωt +ϕ )
1. Représentation mathématique
y
y (t)
A A 2
ϕ t (t)
T
y : Valeur instantané
A 2 : Valeur maximale
A : Valeur efficace
T : Période du signal
1
f = : fréquence du signal (nombre de fois que le signal se répète par unité de temps)
T
ϕ : phase de la tension à l’instant initial
ω= 2πf : pulsation (rad/s)

ωt+ ϕ :phase de tension a l’instant (degré)
1)- Représentation de Fresnel
A toute fonction sinusoïdal Y définit par y(t ) = A 2 sin (ωt+ ϕ ) on associe le vecteur y qui
a pour module A et pour argument ϕ ⇒ y = [ A; ϕ ]
A y
ϕ Rp
19
2)- Addition de plusieurs grandeurs

sinusoïdales de même fréquence
2.1. Différence de phase entre deux signaux

Soient deux signaux U 1 (t ) = Uˆ 1 sin (ωt + ϕ 1 )
U 2 (t ) = Uˆ 2 sin (ωt + ϕ 2 )
Si ϕ 1 > ϕ 2 nous disons U1 est en avance sur U2
Si ϕ1 −ϕ 2 =0+ 2kπ avec k ∈ Z
U1 (t)
U2 (t)
t (ms)
La somme des grandeurs de même fréquence se fait mathématiquement où vectorielle

ment mais dans notre cas, on doit s’entendre à la méthode vectorielle
Exemples
U2
U1 +U2
U2
U2 U1 U1
−U 2 U1
U U1
U2
U = U1 + U 2
U = U1 + U 2 U = U1 − U2
* Si ϕ1−ϕ 2 =π + 2kπ avec k ∈ Z
2
Nous dirons que U1 et U2 sont en quadrature U1 (t)
U2 (t)
t (ms)
20
Si ϕ1−ϕ 2 =π + 2kπ avec k∈ Z, nous disons que U1(t) et U2(t) sont en opposition de phase
U1(t) U2(t)
T (ms)
0
Remarque : la loi des nœuds, des mailles, de Thévenin etc. ….. est valable pour les
expressions instantanées vectorielles, complexes mais jamais en valeur efficace.
Exercice 1
Faire la représentation mathématique des fonctions suivantes.
 2π 
U (t) = 120 2 sin 3,14t − 
 3 
 7π 
I (t) = 14,1 2 sin 100πt + 
 3 
Exercice2
 π
On donne U1 (t) = 141,41 sin  200πt − 
 3
− déterminer la valeur maximale, la valeur efficace et la fréquence
− calculer la valeur de U1 à l’instant t = 20ms
− déterminer U2 (t) en quadrature arrière par rapport à U1 et dont la valeur efficace est
la moitié de U1.
− Faite la représentation vectorielle de U3, de U3 = U1(t) – U2(t) de U4 = U1(t) – U2(t)
21
Chapitre
LES SEMI- CONDUCTEURS
22
Généralités
Les semi-conducteurs sont des corps dont la résistivité est intermédiaire entre celle des
conducteurs et celle des isolants ; contrairement au conducteur, sa résistivité diminue avec
la température.
Pour obtenir un semi-conducteur de type P, on prend un semi-conducteur à

l’état pur (intrinsèque) puis on introduit des impuretés comportant 3 électrons sur leurs
dernières couches (bore, aluminium) : Les trous seront majoritaires.
Pour l’obtention d’un semi-conducteur de types N, on prend un semi-

conducteur à l’état pur ( intrinsèques), puis on introduit des impuretés comportant 5
électrons sur leurs dernières couches ( phosphore ) : Les électrons seront majoritaires.
L’interpénétration des deux semi-conducteurs (type N et type P) constitue ce

que l’on appelle une jonction PN (diode).
NB : Un semi-conducteur extrinsèque est un semi-conducteur dopé (semi-conducteur
intrinsèque dans lequel on introduit des impuretés)
23
Chapitre
DIODE A JONCTION
24
I. Définition
C’est un composant électronique unidirectionnel qui a pour rôle dans la plupart des
montagnes est de laisser passer le courant dans un sens. Le sens passant est appelé sens
direct et le sens bloqué est appelé sens inverse.
II.Symbole
Sens direct
A k IAK A k
IAK P N
UAK
UAK
En pratique
B A
Sens inverse
k
IAK
UAK
III. Caractéristique courant- tension I=f(U)

1 - Schéma des montages
A A
Rp Rp
E V E V
Direct Inverse
Hyperbole de
2 - Caractéristique réelle puissance
Id (mA)
IC = Pmax
A VCE
a) direct
0 C U0 U (v)
b) inverse
D
(fig.1)
25
− Zone OC : la diode est soumise à une tension (U) inférieure à la tension de seuil
(Uo), mais aucun courant ni circule : c’est la zone de blocage direct.
− Zone CB : dans cette zone un léger courant circule dans la diode : c’est la zone
du coude.
− Zone BA : le courant devient de plus en plus important c’est la zone de
conduction ou Zone linéaire.
− Zone A→ → ∞ : pour une faible variable de la tension le courant croît fortement
c’est la zone de claquage directe.
− Zone OD : la diode ne conduite pas (Id∼ 0) c’est la zone de blocage inverse.
− Zone DF : pour une petite variation de la tension on a une grande variation du
courant c’est la zone de claquage inverse.
3 - Caractéristique linéaire
I (mA)
O Uo U (v)
a)-Modèle équivalent
Equation de la droite y =ax+b
 y = I Soient A Uo  et B U B 
 x=U   I 
  Io   B 
 0 = aU O + b....(1 )
 ⇒ b = - aU0
I B = aU B + b....(2 )
(2 ) ⇒ I B = aU B − aU O ⇒ I B = a (U B − U O ) ⇒ I B − O = a (U B −U O )
I B − I BO = a (U B − U O )
∆I 1 1
∆I = a∆U ⇒ a = = ⇒ a=
∆U R d Rd
UO
⇒ b=
Rd
1 U
L’équation I = U − O ⇒ RdI = U − U O
Rd Rd U = U O + Rd I
26
A K A K
I
U
U Diode idéale
4) Caractéristique idéale
I (mA)
O Uo U (v)
a)-Modèle équivalent.
K A I
I
U =0
U
I > 0
U < 0 
 U = 0
I = 0 Polarisation directe
Polarisation inverse
b)-Etude du point de repos

Soit le montage suivant :
I
R
On donne E,R et la
D U caractéristique de la diode
E (D) voir (fig.1)
Problème : déterminer I et U
Résolution : On chercher l’équation de la droite de charge
E − RI − U = 0 ⇒ I =
E U
− ⇒ I =−U + E
R R
R R
Equation de la droite
de charge
• Puis on trace l’équation de la droite de charge sur le même repère que la

caractéristique.
27
• Le point de rencontre de l’équation de la droite de charge et de la caractéristique
direct est le point de fonctionnement (point de repos) Po.
• Le prolongement de Po sur l’axe des abscisses nous donne U.
• Le prolongement de Po sur l’axe des ordonnés nous donne I.
Remarque : le prolongement de la caractéristique directe sur l’axe des tensions nous

donne U0 (tension de seuil de la diode). Pour le germanium 0,2V ≤U 0 ≤0,3V ; pour le
silicium 0,6V ≤ U 0 ≤ 0,7V
5) Différentes types de diodes

On rencontre différents types de diodes :
− Diodes de redressement.
− Diodes schottky.
− Diodes varicap.
− Diodes électroluminescentes.
− Photodiodes.
Il est rare qu’un montage électrique ne comporte pas une ou plusieurs diodes. Ils
permettent entre autre d’être utilisés pour réaliser des montages tel que :
− Montage écreteurs.
− Les doubleurs de tension.
− Redressement.
Une diode soumise à une tension inverse se comporte comme une résistance très grande à
condition que :
− La température ne soit pas excessive (claquage thermique)
− La tension ne soit pas excessive (claquage inverse) celui – ci est destructif si
l’intensité n’est pas limité par un dispositif externe.
− Le champ électrique dans la jonction ne soit pas trop élevé (claquage par effet
Zener).
28
Chapitre
APPLICATION DES DIODES
29
2. Redressement
A. Rappel et complément : valeur moyenne, valeur efficace
A-1) Valeur moyenne

Elle se calcule sur une période par rapport à un signal I donné et note : I ou Imoy
I moy =
[aire ]
T
Exemple :
20 x 7
I moy = = 14
10
20
I moy = 14 mA
0 7 10 17 20 27 t (ms)
A-2) Valeur efficace

Ieff 2 = I 2 × t1
C’est la valeur notée Ieff avec ˆ
T
Exemple : I
2
=
(20 ) 2
x7
= 280 I 2 eff = 280mA ⇒ I eff = 280 = 16,7
eff
10
Ieff 2= 16,7mA
Calculer les valeurs efficaces et moyennes des signaux suivants.
a) U (V)
b) I (mA)
5
10
0 t (ms)
10 20 30 U0
0 10 20 30
t (ms) -10
30
d) U (V)
c) U (V) 20
30
10
t (ms) 0
0 15 20 30 45 10
30
B. Redressement mono- alternance
Alt
La diode est passante
i
V Ud U d= 0
UR V
∼ R
U d = 0V v =UR ∼ R UR
Alt
La diode est bloquée
UR = 0V V Ud
UR
v =Ud ∼ R
v(U)
t (ms)
0
UR(v)
0 t (ms)
Ud(v)
t (ms)
0
31
Eléments nécessaires en mono alternance
Vˆ
Valeur moyenne de URmoy U RM =
π
Vˆ
Valeur efficace de v = veff v eff =
2
Vˆ
Valeur efficace de UR = v U Re ff =
2
Vˆ
Courant moyen I Rmoy =
πR
Tension inverse max U Dinv = Vˆ
Taux d’ondulation T =
2
F
Vˆ
U eff π
Facteur de forme F = = 2 = = 1,54
U Rmoy Vˆ 2
π
C. Redressement double alternance à pont de

Graët
D1
D2
V
∼ i
D3 D4 U
32
Alt
Ud1
Ud2
Ud1 =Ud3 =V0
V
∼ v −UR = 0 ⇒ v =UR
UR v + U d 2 = 0 ⇒ v = U d 2
Ud4 R
Ud3
v −Ud4 = 0 ⇒ v =Ud4
Alt
Ud2 =Ud4 =V0
Ud2 v + 4 = 0 ⇒ U = −v
Ud1
V
∼ v − Ud1 = 0 ⇒ Ud1 = v
Ud3
Ud4
R UR
v −Ud3 = 0 ⇒ Ud3 = v
v(U)
t (ms)
0
UR(v)
t (ms)
0
Ud(v)
t (ms)
0
D2 DD4 D1 D3
33
C2. Redressement double alternance avec

transformateur à point milieu
Ud1
Alt
D1 Conduit, D2 bloquée
D1
v V= UR Ud1 = 0
v
UR UR
v Ud2 + V +Uk = 0; or Uk = V
v
Ud2 + V +V = 0 ⇒
D2
Ud2 = -2V
Ud2
Alt Ud2
D1 bloquée, D2 conduit.
Ud1 Ud2= v v = Ud1= v + UR = 0

v
v = Ud2= (-v)= 0
UR= 2v
2v - Ud1= 0 ⇒ Ud1 = 2v
UR
v
Ud2
v(U)
V̂
t (ms)
0
UR(v)
t (ms)
− V̂
t (ms)
− 2Vˆ
D2 D1
34
Eléments nécessaires en double alternance
2Vˆ
Valeur moyenne de U Rmoy =
π
Vˆ
Valeur efficace de v = v eff =
2
ˆ
Valeur moyenne de UR = vU Re ff = V
2
2Vˆ
Courant moyen IRmoy = I Rmoy =
πR
Tension inverse max U Dinv = Vˆ (Pont de Graëtz).
Supportée par la diode U Dinv = 2Vˆ .

Vˆ
Facteur de forme F = U eff = 2 = π =1,54
U Rmoy 2Vˆ 2 2
π
π 2
F=
4
Taux d’ondulation T = F 2 − 1
Remarque : Pour le montage mono alternance, on constate que la charge conduite

pendant une seule alternance (Alt. ⊕ )
Pour le montage double alternance, on réalise que la charge conduit pendant les 2
alternances d’où le nom double alternance.
Exercice d’application :
Les diodes sont supposées parfaites les tensions v1 et v2 sont2 tensions sinusoïdales
de valeur efficace 24 v et fréquence 50hz en opposition de phases
1°) Ec
2°) rire l’expression de V1 = f (t) ϕ1 = 0 et V2 = f (t)
I
3°) Donner la valeur instantanée de v1 (t) à t =
4
4°) Représenter U1 (t), U2 (t), Ud1 (t), Ud2 (t), Ud3 (t), Ud4 (t) en prenant une même
origine des temps.
5°) Calculer U1moy su R = 1kΩ
6°) Déterminer le facteur de forme et le taux d’ondulation de ce montage.
35
D1
V1
R U1
D2
V2 R
D3
D4
1. Redressement, débit sur charge capacitive

A. Rappel et complément : charge et décharge d’un
condensateur
Montage expérimental
1k 2
R1
R2
E
V
A1) charge (K est en position1)
Uc (v)
Ic (mA) T(ms)
E
R
T(ms)
Equation de charge
E – RIC = UC
d UC r
U C ⇒ U C (t) = E 1 - e 
t
r1 c
E - RC =
dt  
t = R1C (constante de temps de charge)
à t = T ⇒ UC = 0,63E
à t = T ⇒ UC = E
36
Uc (v) R = 0Ω
R petit
R grande
N.B.
* Si R = 0 Ω T est très petit
⇒ Charge rapide.
* Si R grand T est grand.
⇒ Charge lente.
* On considère en pratique que le condensateur se charge entièrement après un
temps t =3T.
Rappels mathématiques
In ex = x e
−∞
= 0 . e0= 1
Exemple de calcul :
Problème : calculer T1 avec Uc = 5V, E = 10V, R =1kΩ, c =10µF
−t
UC = E  1 − e
R1 c  ⇒ U C = 1 − e − t R c ⇒ − t R c = − U C ⇒ − t R c 1
1 1 1
  E E 2
t 1 t
− = In ⇒ = −0,69 ⇒ t = Rcx 0,69 ⇒ t = 10 3 x 10 −6 x 0,69
RC 2 RC
t = 6,9 ms
A2) Décharge (K en position 2)

UC (v)
Equation de la décharge
t(ms)
IC (mA)
U C = Ee− t RC
E
R T =R2C
t(ms)
37
Exercice : On considère le circuit ci-dessous pour lequel on donne E = 12V,

C = 0,1µF, R = 1kΩ.
Les conditions initiales sont à t = 0, UC (0)=0V
1°) Calculer la constante de temps T du circuit.
2°) Que vaut UC (0) juste après la fermeture de K.
3°) Donner la valeur de UC en régime permanent.
4°) Calculer la durée nécessaire à la charge du condensateur à 5% près de tension en
régime permanent
5°) Tracer la tangente à l’origine à la courbe de UC (t).
6°) Construire la courbe UC (t).
7°) Calculer l’énergie stockée par le condensateur lorsqu’il atteint le régime permanent.
k I
R
E UC
A-2) Filtrage avec charge infinie
v C ve
t(ms)
T
2 t(ms)
T T
T T
Pour t compris entre 0 et I et (0 < t < ) le condensateur se charge à travers la diode.
4 4
38
T
At= le condensateur est chargé à sa valeur maximale et conserve cette valeur jusqu’à
4
l’infini car il ne peut plus se décharger d’où le signal est continue sans être régulier ou
stabiliser.
A-2) Filtrage avec charge finie
v C uc R
V(v)
t (ms)
UC(v)
V̂
Umoy
Umin
t (ms)
∆U = ondulation crête.
2∆U= ondulation crête à crête.
Vmax − Vmin
2 ∆U = Vmax − Vmin ⇒ ∆U =
2
V − Vmin
U moy = Vmax − ∆U ⇒ U moy = Vmax − max
2
Vmax + Vmin
U moy =
2
Q = CU = It
2C∆U = I∆t ⇔ 2C∆U = I (t 2 − t 1 )
2C∆U = IT
C= I T
2∆U (Mono alternance)
39
T
En double alternance Td =
2
ITd
C=
4 ∆U
i = ic + ik
La diode est bloquée lorsque i=0
v = Vˆ sin ωt
Vˆ
i R = sin ωt
R
iC = C
dV
dt
( )
= C Vˆ sin ωt ' = C (Vω cos ωt ) ⇒ ic = CVˆ ω cosωt
Vˆ
i = 0 ⇒ sin ωt + CV cosωt = 0
R
sin ωt + RCω cosωt = 0
sin ωt
RCω
cosωt
⇒ tgωt = - Rcω
Posons γ
tgγ = - Rcω Angle de blocage de la diode.
ωt1= γ ⇒
γ
T1 = temps de blocage de la diode
ω
t2=t1+T
Remarque
Décharge rapide
UC(v)
T<<T
u (ms)
UC(v) Décharge lente
T<<T
t (ms)
UC(v)
T∼T
t (ms)
40
2. Montages écreteurs
a-1) Redressement mono alternance avec débit sur R-E
D
V R uR
∼
U R = 0 E
* < t < t1 la diode bloquée ⇒ 
U = E
 U =v

* t1 < t < t2 la diode conduit ⇒ U R = U − E
U = v − E
 R
V(v)
t (ms)
UR(v)
t (ms)
U(v)
E
t (ms)
U R = 0
* t2 < t < t2 +T la diode bloquée ⇒ 
U = E
v = E + RI ⇒ v−E Vˆ − E
I= U moy =
R π
Vˆ sin θ 1 = E
E 1
sin θ 1 = =
Vˆ 2
 π
π  θ = + 2kπ  θ1 = 5π
1

sin θ 1 = sin ⇒  6 k∈ Ζ ⇒ 6
π 5π
6 π θ 2 =π −θ1 =π − 6 = 6
θ 1 = − + π + 2kπ
 6
41
L’angle d’ouverture de la diode ∆θ = θ 2 − θ 1

5π π 2π
∆θ = − = 2π
6 6 3 ∆θ =
3
 θ1
θ 1 = ω 1 ⇒ t 1 = ω
 ⇒ Temps de conduction de la diode ∆t = t 2 − t 1
θ2
θ 2 = ω 2 ⇒ t 2 =
 ω
a-2-) Ecrêtage à une diode
 U =v
O < t < t1 la diode bloquée ⇒ 
R U R = E
V UR  U=E
Ud t1 < t < t2 la diode conduit ⇒ 
∼ U
U R = v − E
E T U =v
t2 < t < t2 + diode bloquée ⇒ 
2 U R = 0
v(v)
t (ms)
0
U (v)
t (ms)
UR (v)
t (ms)
a-3-) Ecrêtage à 2 diodes

R
V UR D1
D2
∼
E2
E1
42
0<t<t1
* D2 et D1 sont bloquées
U=v UR = 0V
t1<t<t2
* D2 conduit et D1 bloquée
U = E2 UR =v- E2
t3<t<t4
* D2 et D1 bloquées
U = E1 UR =v- E1
t4<t<t
* D1 et D2 bloquées
U=v UR =0V
v(v)
E1
E2 t (ms)
U (v)
t (ms)
UR (v)
t (ms)
43
Chapitre
LA DIODE ZENER
44
1. Définition
C’est un diode à jonction au silicium qui laisse passer en plus du courant direct, un
courant électrique inverse relativement important sans endommagé celle-ci par le faite du
phénomène de claquage par effet d’avalanche.
* Claquage par effet d ‘avalanche
Après une certaine tension appelée tension de claquage, il se produit à l’intérieur de la
jonction une ionisation qui crée des porteurs minoritaires et rend la diode conductrice.
2. Présentation d’une diode zener

a) Symbole
A K A K A K
.
b) Pratique
BZY99C4V7
BZY99C4V7
B : silicium Exemple :
Z : zener A ( 1 %), B (2 %), C (5 %)
Y99 : numéros de séries D ( 10 %) ; E (20 % )
C : tolérances
3. Caractéristique courant – tension
a) Directe
IZ (mA)
A
Rp
E
V
UZ (v)
U0
45
b)- Inverse IZ (mA)

Rp A
IZM f
E
V
IZm E
UZ (v)
IZ (mA)
D
UZ (v)
0,6
E IZm
f IZM
Iz : Intensité inverse
IZm : Intensité inverse minimale
IZM ; Intensité inverse mascimale
E-F : zone de claquage par effet d’avalanche
O-D : zone de fuite (courant inverse petit)
Rp : Résistance de protection
c)- Modèle électrique de la diode

IZ
K
Exemple BZX 85 C2V7
IZ
VZ On donne IZmax = 40mA. rZ = 20Ω
déterminer VZo
IZo
46
4. Introduction à la stabilisation
La stabilisation a pour but de maintenir la tension de charge presque constante
même s’il y a variation de la tension du secteur ou de la résistance de charge. C’est le
système que l’on applique dans certain circuit comme le régulateur de tension dont le
composant principal est la diode zener
i1 IC Hypothèse :
IZ DZ idéale ⇒ RZ = 0
Rp
R C UC Tension inverse constante dès que le
U courant n’est plus nul.
Stabilisateur
5. Analyse du fonctionnement quand U varie

(Stabilisation amont)
* Avant stabilisation
La diode zener est considérée comme absente ⇒ IZ= 0
U R C UC RC
UC = .U
RC + R P
* Début stabilisation
Iz = 0 mais Uc=Uz et i1 =ie
i1 ic
Rp
Uc
RC
U Rc .U
Uc = U z =
Rc + RP
47
* Domaine stabilisation
Iz ≠ 0 ⇒ i1 = IZ+ ic
i1 ic
RP U=Uz+RP (iz+ic)
Rc
Uc 2 ic= Uz
U Rc
→2 ⇒U =Uz + RP(iz + Uz )
Rc
R
U =U z + Uz + RPiz
P
Rc
U =Uz(1+ RP ) + Rpiz
Rp Rc
U max =U z (1+ )+ R p I z max
Rc
Caractéristique UC=f (U)

UC (V)
UZ
0 U
Avant U’ U’’
stabilisation Domaine
Stabilisation
RC
Uc = .U
Avant stabilisation Rc + Rp Y =ax
Début stabilisation Uc = Uz
Rp
Domaine stabilisation Uc = Uz U'=(1+ )U z U’’ = U’ + RpImax = Umax
Rc
Plage stabilisation ∆U = RpIzmax
∆U =U’’ – U’
48
6. Diode zener en alternatif

R v
a)
(v)
Vz
V
∼ Dz
VZ
(v)
R
b)
Dz1
v Vz
∼
Dz2
b)
Iz (mA)
Iz (mA)
Dz1 Dz2
vz
Uz vz
0 Uz (v)
0 VZ0
49
Chapitre
LE TRANSISTOR
50
1- Généralités :
C’est un nom qui a été donné au transistor bipolaire, car on l’appelait transistor tout
court; mais ensuite avec la création de plusieurs autres transistors ( transistors à effet de
champ, transistor uni-jonction, transistor de puissances etc……)appelle transistor bipolaire.
Dans le cadre de notre cour nous allons nous attarder uniquement sur l’étude des
transistors bipolaire et à effet de champ.
A- Transistor à effet de champ (T.E.C)
a-) Introduction
Encore appelé F.E.T (field effet transistor) il est dite unipolaire car il ne circule q’un
seul type de porteurs. On l’obtient par diffusion d’une ou de deux zones P à l’intérieur d’un
barreau de type N.
Sous l’effet d’un champ électrostatique, la section utile de partie conductrice varie :
l’intensité du courant qui y circule peu être ainsi réglée :
Il existe deux types de T.E.C
− Les T.E.C à jonction ( JFET )
− Les T.E.C à grille isolée (MOSFET)
( métal oxyd semi-conducteur field effet transistor)
b-) Constitution
Sur un substrat de type P, on divise une zone de type N, cette région est appelé
canal au centre de cette région on diffuse une de type P sur laquelle on place un contact
métallique appelé grille (G) de chaque côté de la grille on place un contact métallique sur la
zone N appelée drain (D) et source (S)
D S G
T.E.C à canal N
P
N N.B : le T.E.C à canal P s’obtient en
inversa nt toutes les zones
canal P
substrat
D D
G G
S S
T.E.C à canal N T.E.C à
D: G : Grille canal P
S : Source
51
Schématisation
Lois des mailles et des nœuds
VDG D
ID
IS = ID +IG
G
VDS Or pour le T.E.C IG = 0 ⇒ IS ≅ ID
IG
IS
VDS = VDG + VGS avec VGS ≤ 0
VGS S
D- Caractéristique Courant- Tension

I d f( VDS ) à VGS= 0V
ID ( ma )
D A
20 V
V VDD
S
0
6V VDS ( V )
INTERPRETATION DE LA CARACTERISTIQUE
− VDS < 2 V : la caractéristique est assimilable à une droite passante par l’origine le
TEC se comporte comme une résistance.
− VDS > 6 V la caractéristique est pratiquement horizontale.
− 2 < VDS < V : le rétrécissement du canal devient de plus en plus important et la
résistance de ce dernier augmente alors Id n’est plus proportionnel à VDS.
− VDS > V : rétrécissement est très important dont il y a plus accroissement de Id,
la tension à partir de laquelle la caractéristique est horizontale, est appelée tension de
pincement ( VP )
ID = f( VBS )
Elle a pour équation:
52
( )
2
I D = I DSS 1 − V GS VP : tension de pincement VP = VGS min
VP IDSS : courant maximal de Id ( VGS = 0 V)
ID(ma)
ID(ma) VGS0
IDSS VGS1
IDSS
VGS2
VGS3
VGS(v) Vp 0
VGS4 = VP
VGS(v) Vp 0
VDS(V)
E- Polarisation
1-) Polarisation source
− V SS + R S I S + V GS = 0 ⇒ I S = V SS − V GS
RS
VDD
I S =VSS −VGS ≅ I D
RS
RD
IG ID
IS
Rg VGS
RS
-Vss
53
2-) POLARISATION PAR DIVISEUR DE TENSION
VDD
VD
R1 RD RD
ID
ID
R2 IS IS
RS Rth VGS
RS
⊕
E th
Rth = R1 R 2 Eth = R2 VDD

R1 + R 2 R1 + R2
− Eth +VGS + RS I s = 0⇒
I S = −VGS + Eth ≅ I D
RS
3-) POLARISATION AUTOMATIQUE
RS IS + VGS = 0 ; or ID = IS
⇒ R S I D + V GS = 0
ID
IG
I D = − V GS IS
RS VGS
⊕
VDD
RG RS
Équation de la droite d’attaque ID = f(VDS) ⊕
54
Équation de la droite de charge ID = f(VDS)
VDD-RSIS –VDS-RDIS= 0 or ID=IS
⇒ VDD -ID (RS+RD) – VDS = 0 ⇒
I D = −VDS + VDD
RD + RS RD + RS
Remarque: en continu (étude statique) les condensateurs sont considérés comme des
circuits ouverts.
+VDD
VD
R1 RD RD
R1
Ce ID
C
RG R2 R2 IS
RS
Cs RS
~ Eg
Rôle des condensateurs
- Ce : est un condensateur de liaison ou de couplage. Il permet de relier le

transistor
à la source alternative et empêche la composante continue de perturber le signal alternatif
- Cs : est un condensateur de découplage ; il permet de relier une électrode du
Transistor à la masse pour un bon filtrage du signal alternatif.
- C : est un condensateur de couplage ou de liaison ; il permet de relier la charge
à
l’électrode de transistor en petits signaux.
55
−−
4-) Méthode graphique
Pour déterminer le point de repos, on procède comme suit :

+VDD
RD
Données
VDS RS, VDD, RD, VP et IDSS
Problème. déterminer Id0 et VDS0

RG VGS
RS
Résolution 1er cas

1-) Déterminons la droite d’attaque et la tracée
R S I D + V DS = 0 ⇒ I D = − V GS
RS
2-) déterminons la droite de charge et la tracée
VDD − RD I D −VDS − RS I D =0⇒ I D = − V DS + VDD

RS + RD RS + RD
ID(ma)
-6V
IDSS -5V
-4V
A IDO B
VGS(v) Vp 0 VDS0 VDS(V)
56
3-) La droite d’attaque coupe la caractéristique d’entrée au point A (VGSO
IDO) et la droite de charge coupe la caractéristique de sortie au point
B(VDSO IDO) on déduit donc VDSO et IDO
2eme cas donné RS, VDD, RD, VP et IDSS

1-) Déterminer l’équation d’entrée
RSID+VGS =0 et (
ID = I DSS 1 − V GS
VP
)2
On a deux équations à deux inconnues ID et VGS puis on détermine l’équation de sortie

pour trouver VDS
Exercices d’applications
EXERCICE 1
RD
RD Données : RD = 1000Ω, RS= 680Ω ,
VGG= 0,6V , VDD=20V , ID= 5mA.
RG
1-) Déterminer VGS et VDS
2-) Déterminer et tracer la droite de
RS charge et la droite d’attaque.
VG
Exercice 2 :
+VDD
RD
RS = 068kΩ , VDD=20V RD = 1kΩ
Pour toute tension (V), la caractéristique unique de

RG transfert d’un T.E.C à jonction dont le canal est N
( ) 2
à pour équation I D = I DSS 1−VGS avec VP=
VP
RS
5V et IDSS=15mA
57
1-) Compléter le tableau suivant
ID(mA) 0
VGS(v) -4 -3 -2 -1 0
2-) Tracer cette caractéristique. Ech : 1cm ⇒ 1V

3-) Déterminer l’équation de la droite d’attaque
4-) Tracer et en déduire VDSO et IDO.
2-) Transistor MOSFET.

Ils sont de deux types, canal P et canal N, on rencontre les MOSFET à
appauvrissement et les MOSFET à enrichissement.
a-) Description
D D
B : Substrat
G G
B B B:
S S
Canal
Canal N Canal
Canal P
b-) MOSFET à canal N
CARACTERISTIQUES
ID(mA) ID(mA)
10V
4V 8V
2V 6V
0V 4V
-2V 2V
-4V 0V
0 0
VDS(V) VDS
58
À appauvrissement À enrichissement.
On constate ici que pour un transistor MOSFET à appauvrissement, VGS peut prendre des
valeurs tant bien positive que négative, le canal est d’avantage appauvri pour VGS<0V. pour
un MOSFET à enrichissement, la plus petite valeur de VGS est zéro. Lorsque VGS
augmente plus le canal s’enrichira de porteurs plus le courant ID sera élevé.
Remarque : il existe les MOSFET à appauvrissement à canal P constitué de manière
identique mais des polarités de dosages sont inversées.
S G D
S02
N N
Canal
Substrat P
Il est réalise sur un substrat de sillicuim p faible dopée et comporte 3 électrodes

métalliques.
− La source (s)
− Le drain (d) séparé de sustrat par une couche de sisillicium N fortement dopé
(N +)
− La grille (G) isolé du substrat P par une couche du dioxyde de sillicuim (S02)
c-) Principe de fonctionnement.

D’un montage étage push-pull à transistor MOS, complémentaire.
VGS1 VDD
VE =VDD nous avons :
VGS1= 0 T1 est bloqué

T1
VGS2=VDD T2 est passant Is<0
IS VE = 0 on a:
VGS1= -VDD T1 est passant IS >

VE0
VS
T2 VGS2=0 T2 est bloqué
VGS2
59
Étude du T.E.C en amplification

Petits signaux
Du fait de sa grande résistance d’entrée qui entraîne IG≅0 le schéma équivalent du T.E.C
En amplification est donné ci-dessous.
G
D
gm : transconductance
rds : resistance internedu T.E.C
VGS
VGS
rds
gm
N.B : ceci étant de même pour les MOSFET et les JFET
a-) Étude du T.E.C en source commune

En petit signaux, les condensateurs et les sources de tensions continues sont considérées
comme circuit fermés.
VDD
RD
D
C1 G
RD Vs
Vs
RG S
Rg RS Rg RG
Cs
eg
~ eg ~
G D
Rg VGS
Ve rds VS
RG
eg ~ eg
S
S
60
Amplification en tension AV = V S
VE
VS = −(Rds // RD )gmVGS Ve = VGS
−(rd // RD )gmVGS
AV = −gm(RD // rds )
AV = ⇒
VGS
Impédance de sortie Z S =VS

IS
on sait que la résistance de sortie d’un générateur est égale à sa f.e.m divisée par son
courant de court-circuit Icc=gmVGS
E S = (rds // R D )gmV GS ⇒ Z S =rds // RD
Impédance d’entrée Z e = Ve
Ie
Ve = RG I e ⇒ Z E = RG
b-) Montage drain commun
VDD
RD CD
CS
Rg
Ve RS VS Rg Ve
R S VS
eg
~ eg ~
G S
Rg VGS rds RS
V VS
eg g
~ m
D
61
Amplification en tension AV = VS
Ve
Ve = Vs + VGS
VS
VS = (rds// RS)gm VGS VGS =
(rds // Rs )gm
VS
Dans VS =
(rds // Rs )gm
 1  Vs 1
Ve =VS 1+ ⇒ =
 (rds // Rs )gm  Ve 1+ 1
(rds // Rs )gm
AV =
(rds // Rs )gm
1+ (rds // Rs )gm
Remarque : Pour un ampli à drain commun AV< 1
Impédence de sortie ZS = VS
IS
Pour déterminer, ZS on enlève la charge (si elle existe) puis on déterminer le courant de
c - c et la tension de sortie à vide
ICC = gm VGS = gm Ve
Vso = Ve - VGS
VS =(rds // RS )g mVGS V GS = VS
(rds // R S )g m
VS  1 
V S =Ve − ⇒ Ve =Vs  1+ 
(rds // R S )g m  (rds // R S )g m 
⇒ Icc = g mVe ⇒Ve = Icc  1  Icc

V S  1+ =
gm  (rds // R S )g m  gm
ZS = 1 = Vs ⇒ rds // Rs
Zs =
1+ (rds // Rs )g m
 1  Icc
g m  1+ 
 (rds // Rs )g m 
62
c-) Montage grille commune
VDD
RD R
VS
CS
Cg
VS
Rg
Rg
Ce RG RS RL RS RL
eg eg
~ ~
G D I+ gm VGS
VGS gm VGS rds

S RL RD VS
Rg
Ve Rs
eg ~
63
Amplification en tension AV = V S
Ve
1 .) V e + V GS = 0 ⇒ V e = − V GS
V S = V e + r ds I ⇒ I = V S −V e
2 .)
r ds
3 .) V S = (R D // R L )(I + g m V GS )
2 DANS 3 (
⇒VS =(RD // RL ) VS −Ve − g mVe
rds
)
(
V S = (R D // R L ) V S − Ve − g mVe
rds rds
)
( )
VS 1− RD // RL =−Ve(RD // RL ) 1 + g m
rds rds
( )
 (R D // R L )− rds   1+ rds g m 
Vs   =Ve (R D // R L ) 
 rds   rds 
V
AV = =S ( RD // RL )(1+ rds g m )
Ve (RD // RL )− rds
Impédance de sortie Z S = VS
IS
Z S = RD
Impédance d’entrée
Z e =Ve
Ie
Ve = RS (I e + g mVGS ) Ve = RS (I e − g mVe )
Ve) = RS I e − RS g mVe ⇒Ve (1+ RS g m )= RS I e ⇒ Ve = RS

I e 1+ RS g m
64
Z e = Ve = RS
I e 1+ R S g m
B) Transistor bipolaire
1 . structure interne
En diffusant les impuretés de type N de part et d’autres, d’une lame de semi-conducteurs

de types N, il se forme 2 jonctions PN et NP en opposition.
− Dans le 1er cas, on a obtenu un transistor NPN

− Dans le 2eme cas on a obtenu un transistor PNP
La zone intermediare comprise entre mes deux jonctions est mince : c’est la base
Une des 2 zones extrême est fortement dopée (tension inverse de claquage faible) : c’est
l’émetteur.
L’autre zone extrême est faiblement dopé : c’est le collecteur..
Symbole et convention
C N E C P E
N P P N
B B
E : Émetteur C : Collecteur B:
Base
C E C E
N P N
N P P
B B
Tensions
VCB C VBC C
B Vcc B VEC
VBE VEB
E E
65
Courants
C C
IC
IC
IB IB
B B
IE IE
E
É
VCE =VCE +VBE VEC =VEB +VBC
Remar
VCB et VBC ne sont presque pas utilisés dans les problèmes
I E = I B + IC I C = βI B ( β : gain en courant)
I E = (β +1 )I B
Remarque en pratique on retrouve les formes suivantes du transistor bipolaire
E
C C
B
E
E B C B
66
2.) Caractéristique courant tension
RC
RB
A VCC
V VBE
VBB
Entrée Sortie
Ic(mA)
IB4
IB3
IB2
IB1
IB0
IB(MA) 0 VCE(V)
0,7
VBE(V)
67
La caractéristique d’entrée IB =f(VBE) est équivalent à la caractéristique directe d’une diode au

silicium ce qui est d’ailleurs normal puisque c’est la jonction base – émetteur (PN). La caractéristique de sortie
présente plusieurs branches et on travail par branche. Exemple de tracer d’une branche.
On fixe IB ? On fait varier progressivement Vcc et on relève les grandeurs
La tracé de ces grandeurs nous donne la branche correspondant au IB fixé.
L’effet transistor
C’est le fait que le courant du collecteur traverse la jonction collecteur base dans la sens
inverse.
3.) Cas particulier : transistor parallèle ou darlington
C
IC1
IC2
IB B
B T1
T2
IE1
E
IE2
I E2 = f (I B1 )
I E1 = I B1(1+ β1 ) I E2 = I B2(1+ β 2 ) or I B2 = I E1 = I B1(1+ β1 )
I E2 =I B1(β1β2 + β1 + β2 +1)= I B1(β1β2 + β1 + β2 +1)

I E2 =[I β1(1+ β1 )](1+ β2 )
β 1 et β 2 〉〉 1 ∗β = β1= β 2 ∗β
2
〉〉 2 β
68
I E2 = I B1(β1β 2 + β1β 2 ) (
IE2 = I B1 β + 2β
2
) I E2 ≅ Iβ 1 β
2
4.) Étude de la polarisation (statique)
La polarisation a pour but de placer le transistor dans un état dit de état de repos ( état à
partie duquel le transistor sera apte à amplifier le courant signal) il existe donc 4 possédés
de polarisation.
a- Polarisation pat pile et résistance de base
+VCC
Rc Rc
IC
IG
VS
R RB VS RB
IE
VBE
EB
~
Équation de la droite de charge I C = f (VCE )
VCC =VCE + RC I C ⇒
I C = − VCE + VCC
RC RC
Equation de la droite d’attaque I B = f (V BE )
EB −RBIB −VBE=0 ⇒ I B = − V BE + E B
RB RB
69
b-) Polarisation par pont entre Vcc et la masse
+VCC
Rc Rc
R1 IC IB
IB
I1
IE Rth
R2 VBE RE RE
Eth
1ère méthode
(1) VCC = RC I E +VCE + RC I C

(2) {I E =(β +1)I β
I C = βI β ⇒ I B = I C ⇒ I E =
( β +1 ) I C
β β
 β +1 
⇒ V CC = R E   I C + V CE + R C I C
 β 
(3) dans (1 )
  β +1  
VCC −VCE = I C  RC + R E  
  β 
I C =− VCE + VCC
 β +1   β +1 
RC + RE   RE + RE   ÉQUATION DE LA
 β   β  DROITE DE
CHARGE
équation de la droite d’attaque
R2 (I1 − I B )−VBE − RE (β +1)I B = 0

R1 I 1 + V BE + R E (β +1 )I B =V CC
70
VCC −V BE − R E (β +1)I B
⇒ I1 =
R1
 V CC − V BE (β + 1 )I B 
R 2 − I B  − V BE − R E (β + 1 )I B = 0
 R1 
R1 R1 R1
[
R2 VCC − R2 VBE − R2 RE (β +1)+1+ RE (β +1) I B −VBE = 0 ]
( )[
R2 VCC −VBE R2 +1 − R2 RE (β +1)+1+ RE (β +1) I B = 0
R1 R1 R1
]
IB =
( )
VBE R2 +1
R1 +
VCC R2
R1
R2 RE (β +1)+1+ RE (β +1) R2 RE (β +1)+1+ RE (β +1)
R1 R1
2eme méthode
+VCC
Rc
RTh = R1× R2
R1 + R2
IB
Rth
Eth = R2 VCC RE
R1 + R2 Eth
c-) Polarisation par pont entre collecteur et base

+VCC +VCC
R1 RC
VCC VCM
Rth
R2 VBE RE RE
Eth
Rth = R1R2 Eth= R2 VCM

R1 + R2 R1+R2
71
d-) POLARISATION EN DIRECT
VCC
① Vcc= VBE +RBIB
Rc
R1
I B =−VBE + VCC
Rβ RB
VBE ② Vcc=VCE+RCIC
I C = −VCE + VCC
RC RC
Remarque :
V CC − V CC
le point de fonctionnement est optimal lorsque V CE =
V CC etI C = 2 = v cc
2 RC 2 RC
Si VCC 〉〉 VBE ⇒ I B = VCC I C = I B β ⇒ VCC = β VCC ⇒ RB = 2βRC

RB 2RC RB
Remarque : l’hyperbole de dissipation maximale est la caractéristique Ic=f(VCE)liée à la

liée à la transistor.
PT =VBE I B +VCE I C VBE I B ≅ 0 I C = PT

or VCE
Exercice 1 :
On donne R1 = 100 kΩ ; R2 = 220 kΩ ; VCC = 15 V ; RC = 15 kΩ ; RE = 480 Ω ; β = 100

+VCC
Rc
R1
VCE
R2 VBE RE
72
Calculer IB,IC,I1,I2, et VCE
N.B: le transistor est au
SILICIUM
(VBE =0,7V )
Exercice 2 :
+Vcc
C2
R1
T2
C1 On donne Vcc=50V R1= 4KΩ, R2 = 25Ω
E2 R3 =100Ω,VBE1 =VBE2 =o,6V, β1 =100, β 2 =50,VE2A =5V
T1
R
E1 R2
R3
A
1.) Calculer l’intensité du courant I2 dans la branche E2A

2.) Calculer les valeurs de la tension VC2 B2 et l’intensité I1 dans la branche C2C1
3.) EN supposant l’intensité du courant de base IB1 dans T1 négligeable vis à vis de
I2, déterminer l’intensité IE2
4.) En déduire l’intensité IB2 du courant de base T2
5.) Calculer l’intensité IC1du collecteur dans T1 , en déduire la valeur de l’intensité IB1
l’hypothèse faites en 3) était –elle correcte.
6.) Calculer l’intensité dans la branche E1A et la tension auX borneS de R3
7.) Déterminer la valeur de la résistance R.
8.) Calculer les tensions VC2E2 et VC1 entre collecteur émetteur pour les 2
transistors
6.) Méthode graphique

Afin de résoudre un problème de transistor en statique, en utilisant la
caractéristique de celui-ci on possède comme suit :
− Tracer l’équation de la droite charge IC=f(VCE) sur la caractéristique de sortie
du transistor
− Tracer la droite d’attaque IB=f(VBE) sur la caractéristique d’entrée ; on déduit
le point de fonctionnement ou point de repos
73
Ic(mA)
IB4 50μA
IB3 40 μA
IB2 30 μA
ICO P0 IB1 20 μA
IB0 10 μA
IC=f(VCE)
IBO
IB(MA) 0 VCE0 VCE(V)
VCEO
IB=f(VBE) Po
ICO
VBEO
QO VBEO
Qo
IBO
VBE(V)
7.) Transistor en commutation
C’est le passage d’un état à un autre par extension on dit qu’un composant fonctionne en
commutation quand il n’est utilisé que dans deux états et que le basculement d’un état dans
un autre est rapide.
a) Transistor bloqué
Condition de blocage
I B =0⇒ I C =0 VBE ≤0,7V (au silicium)
VCE ≅VCC I E =0
74
Le transistor est bloqué lorsque son courant de base est nul (IB=0), la tension VBE inférieure
à 0.7V ou mieux négative, l’intensité du courant de collecteur nulle et la tension VCE égale à
VCC.
Remarque : lorsque la jonction base émetteur n’est pas relier à une source de
polarisation(base en l’air) ; le transistor est bloqué.
b) Transistor saturé
Lorsque le transistor est saturé VCE =VCESAT ≅ 0V (VCESAT ≅ 0.2V ); IB est très grand et IC est
plus grand β sat ≤ I C = β , mais nous avons toujours I E = I C + I B
IB
c) Temps de commutation
Il s’écoule un certain temps entre le moment ou on injecte à la base d ‘un transistor un
courant suffisant pour le saturé et le moment ou le courant dans le collecteur atteint
effectivement l’intensité de saturation : c’est le temps de com mutation
Ic(mA)
T(ms)
ts
Td tr
tf
toff
Tod
td : retard à la conduction (delay time)

tr : temps de monté
ton : retard à la saturation
ts : temps de stockage
tf : temps de descente
toff : retard au blocage.
75
Exercice 1
Compléter le tableau suivant :
R RC E1 E2 T Vs
D2
0 0
0 1
1 0
1 1
E2 VS
D1 N.B: B : transistor bloqué
E1
S : transistor saturé
Exercice 2 :
On attaque la base d’un transistor par un signal carré, donner la forme d’onde à la
sortie.
+VCC
Ve(v)
VS
0
Ve
76
Exercice : 3
+VCC
Même question qu’à l’exercice
RC 2
D1 T2
D2 T1 E1 E2 T1 T2 Vs
E1 RE
0 0
VS
0 1
R 1 0
E2
1 1
8°) Transistor en amplification
a-) Généralités
Un amplificateur est un quadripôle qui permet de modifier les caractéristiques
d’un signal appliqué à son entrée (tension, courant, desphages)
vs vs
~ Amplificateur ~
Quadripôle
Il existe différent type du montage amplificateur en transistor-bipolaire.

a) Amplificateur Émetteur – commun
b) Amplificateur collecteur – commun
c) Amplificateur base - commun
E-C C-C B-C
77
b-) Principe
Il consiste à simplifier un signal perçu à l’entrée de notre montage d’où le facteur

d’amplification :
A= Grandeurdesortie
Grandeurd'entrée
• s’il s’agit d’un courant on aura :

AI = I S
IE
• s’il s’agit d’une tension on aura :

AV V S
VE
• s’il s’agit d’une puissance on aura :

AP P S
PE
c) Schéma équivalent du transistor en dynamique.
C h11 h21ib
i.
e.
h12VBE
B T h22vs
VBE VCE
Ve
On obtient les relations suivantes :
(Vi )= [hh
s
e 11
21
h 12
h 22 ](Vi )
e
S
{iV= =h hi i++hhVV.......
s
e 11 e
21 e
....... (1)
22
12
(2 ) S
S.
78
(1) ⇒ h11 = Viee (V S = 0 ) C’est l’impédance d’entrée du transistor
(1) ⇒ h12 = VVSe (ie = 0 ) Facteur de réaction de la sortie sur l’entrée
Encore ß appelé c’est le gain en courant du transistor

(2 ) ⇒ h21 = iies (VS = 0 )
(2 ) ⇒ h22 =VisS (ie =0) C’est l’admittance de sortie
c.2) Schéma équivalent simplifié
h12 =0 h 22 =⇒ 0⇒ ϕ⇒∞
B ib C
h11 β ib
h11=r
d) Étude de l’amplification
d-1) Étude graphique
79
+vc
c
rc
R1 C2
Ce
Rl Vs
R
Ve 2 Re CE
Ic (ma)
Ic(mA)
IB(MA) VCE(V)
VBE(V)
80
Pour un montage émetteur commun la sortie est renversée et le déphasage est de π le montage
amplificateur fonctionne en régime dynamique ; c’est que l’on superpose à la composante
continue en entrée (élément de polarisation) une composante variable d’ou :
I c
= I co
+ I c
V CE
= V CEO
+ V CC
V BE
= V BEO
+ V BC
d.2) Droite de charge dynamique.
+Vcc
I.C
Ib
Ce Rc
Vs Vce
Ve
Ve
Re
ic = I C − I CO
UCE = − RC I Cor CE = −
U V CE V CEO
V CE −V CE = − RC (I C − I CO) ⇒V CE−V CE = − RC I C + RC I CO
0 0
=−
VCE
+ I CO +
V CE0
I C
RC RC
e-) Différente configuration du transistor bipolaire.
e-1) montagne Émetteur – Commun.
81
Vcc
CC
CC
Rc RL Vs
Rg RL
Rg
Rg Rb
eg RE CC
~ VBB eg ~
ie ib h11
Rg
ϕh
RG
h21VS Rc
22 Rl Vs
h21ib
eg R
~
Hypothèses
ϕ = 1 ⇒ ∞
h = 0
h 22 12
ie B ib C
Is
Rg
RB H11 Rc RL
h21ib Vs
eg
~
82
Étude
− Amplification en tension Av =
V S
V S
VS =−(RC // RL )h21ib
AV =
(RC // RL )h21
V e = h11 ib ⇒ h11
− Amplification en courant Ai =Vs

Ie
IS = RC
RC + RL
h 21 i b IB =
R B + h11 RB
(
R B I e ⇒ I e = 1+ h11 iib )
RC RC R B h21
+ R
h 21
Ai =
Ai= R ⇒
(RC + R L )(R B + h11 )
C L
R B + h11
RB
− Impédance de sortie Z e =VS

IS
(1) courant de court-circuit : I CC = − β ib

(2) f.e.m à vide : E V = − R C β i b ⇒ Z S = EV = RC Zs = Rc
I CC
83
E-2) Amplificateur émetteur – commun avec résistance d’émetteur non coupé

+Vcc
ie ie
Rc βib
r is
Ce Rg
Cs
Ve RB VS
RL RC RL
Rg VS eg ~
RB
RE RE
eg
eg ~
Étude
- Amplification en tension AV = V S
VE
V S = −(R C llR L )βib ⇒ (R C llR L )β

V E =[R E (β +1)+ R ]ib AV =
[R E (β +1)+ R]
- Amplification en courant AI = I S
IE
 R E (β +1)+ R + R B 
IS= R C βib ⇒
RC + RC I E = I B
RB  RB 
IB=
R E (β +1)+ R + R B
IE
- Impédance d’entrée Z E =V E
IE
1) V E = R B (I E − I B )
V E =[R E (β +1)+ R ]Ib IB= RB
R E (β +1)+ R + R B
2) ⇒ I E.....3
3)⇒ 2 V E=
[R E (β +1)+ R]R B I E
R E (β +1)+ R + R B
[R E (β +1)+ R]R B ⇒
Z E =V E =
I E R E (β +1)+ R + R B Z E =[R E (β +1)+ R ]llR B
- Impédance de sortie Z S =V S
IS
Z S = RC
e-3) Amplificateur collecteur – commun
84
+Vcc ie ib R = h11 E
B
Rg Ve IS
R1
Ce VS
eg ~ R2 RE
R1 Bib RU
CS
Rg
R2
RE RU VS C
eg ~
- Amplification en tension AV = V S
VE
1) V S =(R E llRU )(β +1)Ib⇒ Ib= VS
(R E llRU )(β +1)
2) V E =V S + RIb
RV S  R 
1⇒ 2⇒V E =V S +
(R E llRU )(β +1)⇒V E =V S 1+ (R E llRU )(β +1) 
AV = V S = 1 =
(R E llRU )(β +1) ⇒ AV = (R E llRU )(β +1)
V E 1+ R R(R E llRU )(β +1) R + (R E llRU )(β +1)
(R E llRU )(β +1)
R <<(R E llRU )(β +1)⇒ AV =1
- Amplification en courant AI = I S
IE
1) V S =(R E llRU )(β +1)Ib,V S = RU I S ⇒= −
(R E llRU )(β +1)Ib
RU
2) V E =(R1llR 2 )[I E − I B ]
=(R E llRU )(β +1)Ib + RIb⇒ I E =

[(R E llRU )(β +1)+ R + R1llR 2 ]Ib
R1llR 2
=
(R E llRU )(β +1)
RU
A I =[(R E llRU )(β +1)+ R + R1ll 2 ] ⇒ − R1llR 2(R E llRU )(β +1)
AI =
RU [(R E llRU )(β +1)+ R + R1llR 2 ]
R1llR 2
85
- Amplification de puissance Ap = Av.Ai
( // )(β +1) ×− R
A ≈ [(R //RR )R
P
(β +1)+ r + R ] R
E
E
U
U
B
B
U
Car Av ≈1
V
- Impédance d’entrée Z =I e
e
V =(R // R )(i −i )
e 1 2 e b
V =[(R // R )(β +1)+ r ]i ⇒i = [(R // R )(β +1)+ r ]

V e
e E U b b
E U
 
⇒ ⇒ V =(R // R ) i − V 
[( ) ]
e
 R e
// R ( β +1)+ r 

1 2 b
E U
 
V 1+ [(R // R 1)(β +1)+ r ] =(R // R )i ⇒ Z = I =1+ R 1R
V // e 1 2
e 1 2 e e
 E U
(R // R )(β +1)+ r e
E U
Z =(R // R )//[(R // R )(β +1)+ r ]

e 1 2 E U
V
- Impédance de sortie Z =I S
S
(R // R )β
I CC
=(β +1)i b U = Z Z+ R •e ⇒U
SO
e
g SO
=
R +(R + β R )
B E
e g g B B
R (R // β R )
Z S= 1 ×
g B E
β R +(R // R β )
g B E
86
EXERCICES D’APPLICATIONS
Exercice1
+Vcc
RC
R1
Etude dynamique
a-) Donner son schéma
CS équivalent en dynamique
b-) Déterminer
Ce b-1) amplification en tension
b-2) amplification en courant
RU
b-3) impédance d’entrée
Rg R2 RE b-4) impédance de sortie
Ce
Ve c-) Donner un nom au montage
eg ~
Exercice 2
+Vcc
RC C
S Données :
R1 R1 =4kΩ, R 2 = R C =1,5Ω, R E =500Ω,V CC =20V
Cg
1°) Déterminer le schéma équivalent en
continu.
Ce VS
2°) Déterminer l’équilibre de la droite de
Rg charge statique et la tracer
R2 3°) En déduire les coordonnées du point
RE de repos sachant que celui-ci est optimal
~
eg
87
Etude dynamique
1°) Donner le nom et le rôle des condensations Ce, Cs et Cg
2°) Donner le schéma équivalent du montage en petits signaux
3°) Déterminer et tracer l’équation de la droite de charge dynamique
4°) Calculer :
a) l’amplification en tension AV
b) l’amplification en courant Ai
c) l’impédance d’entrée ZE
d) l ‘impédance de sortie ZS
e) l’amplification en puissance Ap
C- AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE
1-) Introduction
Un amplificateur est destiné à faire fonctionner un dispositif qui nécessite une

puissance relativement importante. Il existe plusieurs types d’amplificateurs de puissance :
- l’amplificateur de classe A
- l’amplificateur de classe B
- l’amplificateur de classe C
- l’amplificateur de classe AB
- l’amplificateur de classe D
Soit la caractéristique de sortie du transistor NPN
Icc
(m/s)
B
Vcc
(V)58
On dit qu’un amplificateur fonctionne en classe A lorsque le point de repos

appartient au segment [BS ] c’est le fonctionnement étudié jusqu’à présent.
On dit qu’un amplificateur fonctionne en classe D lorsque le point de repos
est situé au blocage.
On dit qu’un amplificateur fonctionne en classe AB lorsque Q∈ [BS ] et Q
proche du blocage (distension faible)
88
On dit qu’un amplificateur fonctionne en classe C lorsque la jonction émettrice
base est polarisé en inverse en régime continu.
On dit qu’un amplificateur fonctionne en classe D lorsque l’étage de
puissance fonctionne en communication.
L’amplificateur de classe A et B feront l’objet de notre étude
2° / puissance mises en jeu-rendement
Alimentation
Pf
Pc Pu
Commande Amplificateur Utilisation
Pdisp
Pf :puissance fournie à l’amplificateur
Pa = Pf+Pc or Pc ≤ Pf ⇒ Pa = Pf
Pu: puissance utile
Pdisp : puissance dissipée (ou perdu)
η = Pu = Pu
Pa Pu + Pdisp
3°/ Amplificateur de classe A

+Vcc
Ve (V)
RC IC (ma)
T(ms)
VS (V)
T(ms)
Ve
89
- puissance absorbé
Pa = ∫ T
O ECe (t) = E 2
2Rc
Pa = E 2
2Rc
- Puissance utile
Pu = 1 ∫ T
O Pu d (t) = 1 ∫ T
O Vs (t). Ic (t).
T T
Pu = 1
T ∫ T
O (E2 +VssinWt ) (2ERc + 2VRc sinωt ) dt
S
Vc
Pu= E 2 +
4Rc 2Rc
- Puissance dissipée
Pdisp = E 2 −Vs 2
4Rc 2Rc
- Rendement
η = 1 + Vs 2
2 E2
4°/ Amplificateur de classe B
Ib1 E
T1
S
Rg T2
Ib2 E
eg
On réalise ainsi le montage Push-Pull type collecteur-commun.

90
- Puissance absorbée
1 2 E .V S sin ω td (t )
T
P a T ∫0
=
R
2 EV
P = S
P max= 2πER
πR
2
a a
- puissance utile
PU=T1 ∫0
T
2
VS(t ) is(t ) d(t )=V S 2
2R P max = E
U 2R
- puissance dissipée
2
2 EV V
Pdisp = Pa − P U = S
− S
πR 2R
Chaque transistor conduit pendant une alternance. Il est évident que la puissance
dissipée dans l’un est égal à la puissance dissipée dans l’autre.
 2 2

= 1  V S −V S
E 
P = P
disp 1 disp 2 2  πR 4R 
 
- rendement
η = π V S
4 E
91
5°/ Amplificateur de différence
C’est un amplificateur dont la tension de sortie est proportionnelle à la différence

de deux tensions d’entrée.
Symbole
S1 +
+
US1S
- VE -
VE+ S2
2 VS
VE-
VE-
Il est constitué de 2 états identiques et comporte 2 entrées
• E+ : entrée non inverseuse

• E- : entrée inverseuse
Avec deux bornes de sortie, on parle de montage à sortie flottante

Avec une borne de sortie, on parle de montage à référence commune.
C1 C2
VC1E1 VC2E2
T1 T2
VCC
V2 V1+
A
V1- V2
I
R VAM
I
Par raison de symétrie

92
IE1 = IE2
IB1 = IB2
IC1 = IC2
Expression de VC2M
VC2M = v2
1) VCC = V2 + RC2IC2 IC > IB ⇒ IC ≅ IE ⇒ VCE = V2 + RC2IE
2) I’’ = I + I’ or I’’ = 2IE
VE - = 0 ⇒ VAM + VBE2 = 0 ⇒ VAM = - VBE2
2) I ' =
V AM = − V BE 2
2 R
= − V BE 2
2I E
I
R
 
V =V + R 1  I − V BE 2 
CC 2 C2 2  R 
 
= − 1  I − V BE 2 
V 2 V CC 2  R  R C 2
V =V M =V CC+ V BE2 RC2− 1 I.RC2

2 C2 R 2
Remarque :
Avec une tension nulle aux entrées nous avons une tension de sortie différente en
appliquant les signaux variables aux entrées, nous aurons en sortie les signaux variables
comportant des composantes continues qui est VCM
93
Schéma équivalent
B1 ib1 ib2 B2
A
E1 E2
+
V 1 β ib V1-
I
β
1
ib 2
R
C1 C2
V2
Calcul des intensités
v 2
= − R C 2 β ib 2
en A i = β ib1+ β ib 2 +ib1+ib 2
i = (β + 1 )(ib 1 + ib 2
)
expression des tensions d’entrée
V Γib + Ri =Γib + R(β +1)(ib +ib )

+
1 1 1 1 2
= Γ ib 2 + Ri = Γ ib 2 + R(β +1)(ib 1 + ib 2 )
−
V 1
en combinaison des deux équations, nous avons :
= Γ(ib 1− ib 2 )
+ −
V −V1 1
V
+
1
−V 1
−
[
= Γ ∫ 2 R (β + 1 ) ](ib 1
+ ib 2
)
= Γ (ib 1
+ ib 2
)+ 2 R (β + 1 )(ib 1 ib ) 2
+ − + −
−V +
d’où ib − ib =V 1 1
ib + ib = V 1 V 1
Γ + 2 R (β + 1 )
et
1 2 Γ 1 2
94
par addition
+ − + −
V −V V +V 1
= 1 1
+ 1
ib 1 2Γ 2 [Γ + 2 R (β + 1 )]
par soustraction
+ − + −
−V +V 1
=V 1 1
+ V 1
ib 2 2Γ 2 [Γ + 2 R (β + 1 )]
V 2
=− R C
β ib 2
V =
β R ( C +
−V
−
)x 2 [Γ +− 2β RR(β + 1 )] C
2 2Γ V 1 1
V2 dépend de (V1+ - V1-) et de (V1+ + V1-)
(V )+ A
+ −
 +V 
= Ad
+
−V
− V 1 1 
V 2 1 1 C  2 
 
β R
avec Ad = C Ampli différentiel
2 Γ
− β R
= C
A C Γ + 2 R (β + 1 ) Ampli en mode commun
95
Chapitre
AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL
(AO)
96
1. Généralités
Les amplificateurs opérationnels sont souvent des circuits intégrés. On les utilise
surtout pour effectuer les opérations analogiques comme :
- L’amplification d’une tension ou d’un courant

- La combinaison linéaire de plusieurs tensions
C’est ainsi qu’il réalise de nombreuses opérations mathématiques (addition,

soustraction, intégration, multiplication, dérivation)
2. Description d’un AOP
a) Symbole
E- - ∞
E- -
S s
E+ E+ +
+
Représentation française
Représentation courante
E + : entrée non-inverseur
-
E
E - : entrée inverseur
ZS
ZA
E+
b) Convention courant tension
97
VE- -
i- et i+ courant d’entrée
Vd I+ S
Vs = tension de sortie
I+
+ Vs Vd = tension différentielle
d’entrée
VE+
c) Brochage des AOP (MA 741)
NC
V+
8 7 6 5
1 2 3 4 V-
NC
3. Caractéristique de transport VS = f(Vd)
a) Montage
+ VCC
VCC
-
VE-
+ VS
- VCC
VE+
VCC
98
b) Courbe
Vs(V+)
C D
+ Vsat
−Vsat
Ado
o Vs
+Vsat
Ado
A Vsat-
B
Lorsqu’on observe cette courbe, on constate deux zones :
- BC qui est la zone linéaire

- AB et CD qui est la zone de saturation
1. Zone linéaire (BC)
Dans cette zone, la tension de sortie est proportionnelle à Vd, le coefficient de

proportionnalité Ado est appelé amplification différentielle en boucle ouverte
Vs = Ado Vd = Ado (VE+ - VE-)
2. Zone de saturation AB et CD
Dans la zone de saturation on a Vs = (Vsat)
Vd > +Vsat ⇒ Vs = +Vsat

Ado
Vd < −Vsat ⇒ Vs = - Vsat

Ado
Remarque
Pour faire fonctionner un AOP en commutation, on le fait fonctionner en régime
de saturation (contre réaction [⊕] est positive)
c) Caractéristique de AOP
Comme caractéristique nous pouvons citer : 99

- Sa tension d’alimentation VCC

- Amplification différentielle Ad
- Amplification différentielle à vide Ado
- Sa bande passante B
- Sa vitesse de balayage ou slew-rate SR en (V/ µ s ou V/ns)
d) Caractéristique d’un AOP parfait
Un AOP est parfait lorsque
- L’amplificateur à boucle ouverte est infini Ado → ∞

- L’impédance de sortie ZS → 0
- L’impédance d’entrée Ze → ∞ Vd = 0 i+ = i- = 0
Vs (v)
+ Vsat
Vd (v)
o
- Vsat
4. Application des AOP
a) Linéaire
Dans les montages suivants, nous allons considérer que l’AOP est idéal c’est-à-dire
Vd = 0 r- = r+ = 0
Le calcul de Vs en fonction de Ve pourra se faire de 2 façons
- En utilisant le théorème de Millman

- En utilisant la loi des mailles
100
1. Amplification non-inverseur
r+
+
r-
Vl -
Vs
I R2
R1
Kirchoff AO idéal
Vl = Vl = V-
V - = - R1 I
1) ⇒ Ve = R1I ⇒ I = - Ve
R1
2) Vs = - R1I – R2I
Vs = I(R1 + R2)
1 ⇒ 2 ⇒ Vs = - − Ve ( R1) (R1+ R2)
(
Vs = Ve 1+ R2 ⇒
R1
) Av = Vs = 1 + R2
Ve R1
Millman
Vs
V = R2 ⇒ V- = R1 Vs
-
1 + 1 R1+ R2
R1 R2
Ve = V+ ⇒ Vc = R1 Vs
R1+ R2
(
Vs = Ve 1+ R2
R1
)
101
2. Amplificateur inverseur
R2
1) Ve = R1 i
R1 2) Vs = R2 i
-
Vd
Av = R2 = Vs
+ R1 Re
Vc VS
Ve + Vs
V = R1 R2 =VeR2+VsR1=0
-
1 + 1 R1+ R2
R1 R2
V+ = V- = 0 ⇒ VeR2+VsR1=0
R1+ R2
Vs = − R2
Ve R1
VeR2 + VsR1 = 0 ⇒ VsR1 = -VeR2
Cas particulier R1 ≅ R2 on parle d’un montage suiveur Vs =1 Vs = Ve

Ve
+ VS
Ve
Ce montage est utilisé comme un adaptateur d’impédance
102
3. Sommateur inverseur
R3 R
R2
V3 -
V2 R1
+ VS
V1
V1 + V2 + V3 + Vs
V = V = 0 = R1 R2 R3 R
+ -
1 + 1 + 1 +1
R1 R2 R3 R
V1 + V2 + V3 + Vs =0
R1 R2 R3 R
(R1
Vs = - R V1 + V2 + V3
R2 R3
)
VS = - (V1 + V2 + V3)
Si R = R1 = R2 = R2
4. Ampli de différence (soustracteur)

R
R1
-
R2
+
V2
VS
V1 R3
V2 + Vs
V = R1 R =V2R +VsR1
-
1 +1 R1+ R
R1 R
103
V1
V = R2 = R3 V1
+
1 + 1 R1+ R3
R2 R3
V+ = V- = R3 V1− R V2
R2+ R3 R1+ R
VsR1 = R3 V1− R V2
R1+ R R2+ R3 R1+ R3
si R = R1 = R2 = R3
Vs = 1V1− 1V2 ⇒ Vs = V1 – V2
2 2 2
5. montage dérivateur
C
i
-
ve
+
VS
1) VS = - Ri
VS = - RC dve
dt
2) I = C dve
dt
Vs = - RC dve
dt
b) Commutation
1. Montage comparateur
Un comparateur est un dispositif à deux tensions d’entrée et à une tension de
sortie. La comparaison s’effectue sur les deux tensions d’entrée et le basculement sur la
tensions de sortie.
104
Exemple 1 :
Vd = E+ - E-
-
Vd < 0 ⇒ E+ < E- ⇒ V < µ
Vd
Vs ⇒ Vs = Vsat-
V
+
Vd > 0 ⇒ E+ > E- ⇒ V > µ
µ
Vs = Vsat+
Vd = 0 ⇒ tension de basculement
Vs(v)
V= µ
Vsat+
V(v)
U
Vsat-
v
U
T (ms)
T
Vs
Exemple 2
Vsat
+
T (ms)
o
Vsat-
2. Trigger de Schmitt
TRIGGER
Ve Vs
105
C’est un comparateur par hystérésis (à deux seuils de basculement) qui a une entrée
sur laquelle on applique le signal traité.
Ve Vd
+
Vs
R
R
Vref
Vd = E+ – Ve
Vs + Vref
Vs +Vref
E = R R =
+
1+1 2
R R
Ve ∈ [0,Ve]
E+ > Ve ⇒ Vd > 0 ⇒ Vs = Vsat+
Vsat+Vref
E+ = Ve = Ve B1 =
2
E+ < Ve ⇒ Vs = Vsat
Ve ∈ [Ve,0]
Vsat+Vref
Ve = e+ = Ve B2 =
2
106
Vs(v)
Ve(v)
VeB2 VeB1
107
LES CIRCUITS RLC
108
Introduction aux nombres complexes

L’équation x2= -1 n’avait pas de solution pour résoudre se problème, on a fait appelle à un
nouvel ensemble appelé ensemble des nombres complexes note ℂ tel que l’imaginaire j2=-1
Ecriture d’un nombre complexe

Un nombre complexe s’écrit sous deux formes à savoir la forme algébrique et la forme
trigonométrique.
Forme Algébrique
Z= a + jb ou a est la partie réel et b la partie imaginaire. Exemple : z= 3 – 2j
Remarque : la forme conjuguée de Z = a + jb est égale Z = a - jb
2. Forme trigonométrique ( forme polaire)

Z = [ρ ;θ ]
ρ = module θ = Argument
ρ = a +b θ =arctg b
2 2
a
cos θ = ⇒ a = ρ cos θ
a
ρ
sin θ = b ⇒ b = ρ sin θ
ρ
Z = ρ(cosθ + j sinθ )
Opération dans ℂ
a. Addition
Soient deux nombres complexes Z1 et Z2 :
Z1=a1 + jb1 Z2=a2 + jb2
Z1 + Z2= a1 + jb1+ a2 + jb2
= (a1 + a2) + j(b1 + b2)
b. Soustraction
Soient deux nombres complexes Z1 et Z2
Z1=a1 + jb1 Z2=a2 + jb2
Z1 - Z2= a1 + jb1- ( a2 + jb2 )
= (a1 - a2) + j(b1 - b2)
c. Multiplication
Soient deux nombres complexes Z1 et Z2
Z1=a1 + jb1= [ ρ1, θ1 ] Z2=a2 + jb2= [ ρ2, θ2 ]
Z1 × Z2= (a1 + jb1) (b2 + j b2)
= a1a2 + ja1b2 + jb1a2 + j2b1b2
= a1a2 + j(a1b2 + b1a2)- b1b2
109
Z1 × Z2 = (a1a2 - b1b2) +j(a1b2 + b1a2)
⇒ Z1 × Z2 = [ ρ1, θ1 ] × [ ρ2, θ2 ]
Z1 × Z2 = ρ + ρ ,θ 1 +θ 2 [ 1 2
]
d. Division
Soient deux nombres complexes :
Z1= a1 + jb1 ρ ,θ 1 [ ]
[ρ ,θ ]
1
Z2= a2 + jb2 2
2
Z = a + jb
1 1 1
Z a + jb
2 2 2
( + j b )(a − j b )
= a
(a + j b )(a − j b )
1 2 2 2
2 2 2 2
−j +j +
=a a a b b a b a 1 2 1 2 1 2 1 2
a +b
2 2
2 2
a a +b b1 2 1 2
+ j b 1 a 22
− a 1b 2
= Z 1
a +b a +b
2 2 2
2 2 2 2 Z 2
Z = [ρ ,θ ] ⇒ Z ρ 
= 1 ;θ 1−θ 2 
Z [ρ ,θ ] Z
1 1 1 1
2 ρ 
2
2 2  2 
e. Puissance d’un nombre complexe

Soit Z1= a1 + jb1
(Z ) = (a + j b )
n n
Z = [ρ ;θ ]
1 1 1
1 1 1
Z =  ρ ;nθ 

n n
1 1 1
Exercice 1
Soient deux nombres complexes Z =[3;30°] et Z =[4;45°]
1 2
Calculer :
leur somme
leur produit
leur différence
Z 1
Z 2
110
Z (Z )
2
Le carré de 2 1
La racine carré de Z 2
Exercice 2
Calculer la tension U dans le montage ci-dessous :
Z1 Z2
Z1=3Ω
Z2= 2 –4j
E E =[120;0°] Z3
U Z3= 2;π
6
Exercice 3
I1 Z1
Z1= 2+3j
Z2= 4 Ω
[ ]
I2 Z2
I
Z3= 3 ;π
2 4
Z3 I2= 2A
I3
1. Calculer I1, I2 et I3
2. En déduire
Dipôle sous tension

a. Définition
− Dipôle : Un dipôle est une portion de circuit pris entre deux bornes Exemple : la diode
− Dipôle passif : C’est un dipôle qui n’a pas de générateur autonome (récepteur)
− Dipôle passif linéaire : C’est un dipôle dont les paramètres sont invariant ou constant
Exemple : résistance
− Dipôle passif non linéaire : Exemple Diode ; CTN.
b. Résistance
R
i(t)
u(t)
u(t) = Ueff 2 sin ωt = [ Ueff , 0 ]

i(t) = Ieff 2 sin ωt = [ Ieff , 0 ]
111
ZR = U =
[
U eff ,0° U ]
=[ eff , 0]
I [
I eff ,0° ]
I eff
ZR = [ R , 0° ]
* Impédance Z = R déphasage φ = 0°
C)- Condensateur
i(t)
u(t)
u(t) = Ueff 2 sin ωt = ueff;0 [ 0

]
i(t) = C du
dt
dUeff 2 sinωt
i(t) = C
dt
i(t) = CUeff 2 d sinωt
dt
i(t) = C Ueff 2 ωcosωt
(
i(t) = C Ueff 2 wsin ωt + Π = CωUeff;+ Π
2 2
)[ ]
Ueff,0 [ 0
] [C1ω ;− Π2 ]
Zc = U =
[
I CωUeff;+ Π
2
] Zc=
*Impédance
- Complexe:
Zc=-f 1 Zc= 1
Cω fCω
Module :
Zc = 1
Cω
argument : ϕ = − Π
2
d)- Inductance
L
i(t) di(t)
u(t)= L
dt
u(t)
112
i(t) = Ieff 2 sin ω t = Ieff;0 [ 0

]
dIeff 2 sinωt
u(t) = L
dt
= L Ieff 2 d sinωt
dt
u(t) = LIeff 2 ω cos ωt
= LIeff ( )[
2 sin ωt +π = LωIeff;+π
2 2
]
*Impédance
[LωIeff;+π2 ] [
Z = L ω ;+ π ]
z=u =
I [Ieff;0 ] 0
2
Impédance complexe argument
ZL = fl ω ϕ =+ π
2
Module : Z L
= Lω
113
Chapitre
Association des dipôles passifs
114
a) Association série
1. Résistance inductance
Montage
R L
UR UL
Calcul de l’impédance
Z = ZR + Zr
Z = R + jLω
Z= R + ( Lω )
2 2
déphasage tgφ = Lω
R
représentation de Fresnel (tension)
U =U +U
2 2 2
u c
u
R L
⇒U= U +U
2 2
R L
l tgφ = U = LωI ⇒tgϕ = Lω

L
U RI R
R
UR i
2. Résistance condensateur
Montage
R C
i
UR UC
Calcul de l’impédance
Z = ZR + ZC
115
Z = R - j 1 ⇒Z =
Cω R
2
+ 1
Cω
( ) 2
Déphasage
1
Tgφ = ω =− 1 ⇒tgϕ =− 1
C
R RCω RCω
Représentation de Fresnel
u R
i
l u =u C +u R
u =u +u
2 2 2
e R
u
u c
1
Tgφ = U = ω ⇒U =
C
U +U
C 2 2
U R
RI C R
Tgφ = - 1 < 0
Rcw
3. Condensateur inductance
Montage
L C
i
UL UC
Impédance
Z = ZC + Zr
116
( )
Z = -j 1 + jLω ⇒ Z = j Lω − 1
Cω Cω
Z = Lω − 1
Cω
déphasage
l = + π siLω > 1
2 Cω
l = - π si Lω < 1
2 Cω
représentation de Fresnel
U= U −U L C
I = I Lω − 1
Cω
U C
U L
U i
UC
Remarque
Si UL > UC , le circuit est inductif

Si UL < UC, le circuit est capacitif
Si UL = UC , le circuit est en accord (circuit bouchon)
4. Résistance inductance condensateur

a. Montage
R L C
UL UC
UR
U 117
Impédance
Z = ZR + ZL + ZC
= R + jLω - j 1
Cω
Z = R + j Lω − 1 ( Cω
) ⇒Z = R +(Lω − C1ω )
2
2
Déphasage
Lω − 1
Tgω = Cω
R
U = U R +U L −U C 
 
U U =U +(U −U )
2 2 2
C
R L C
U +(U −U )
2 2
U= R L C
l
i
UR − Lω − I
Tgω = U U L C
= Cω
U R
RI
U =
(
I Lω − 1
Cω ⇒
) Lω − 1
Cω
C
IR Tgω =
R
Si Lω > 1 le circuit est inductif

Cω
Si Lω < 1 le circuit est capacitif
Cω
Si Lω = 1 le circuit est résonnant
Cω
Remarque
On peut également obtenir la représentation vectorielle des impédances et des
puissances soit en divisant par I ou en multipliant par I. la représentation reste identique.
118
i. Circuit RLC résonnant
Soit l’impédance Z du circuit RLC, Z = R + jX (avec X partie imaginaire et R partie

réelle)
On dit qu’on est en résonance lorsque la partie imaginaire est nulle
X = 0 ⇒ Lω - 1 = 0
Cω
Déduction de la fréquence de résonance
LCω O =1⇒ω = 1 ⇒ ω = 1
2 2
LC LC
or ωO = 2 π fo ⇒2πfo⇒2πfo = 1
LC
fo = 1
2π LC
Facteur de qualité (facteur de surtension)
QO = U =U C L
⇒ QO = 1 = Lω
U U RCω R
La résonance peut être réalisée de trois façons différentes :
- En faisant varier la pulsation w de source d’alimentation

- En conservant fixe la pulsation w et l’inductance L, mais en faisant varier le
condensateur C
- En maintenant fixe la pulsation et la capacité mais en faisant varier l’inductance
L.
119
U(V)
U R
U R
F(Hz)
Fci F0 fcs Circuit inductif
Circuit capacitif Circuit résonnant
Fci : fréquence de coupure intérieure

Fcs : fréquence de coupure supérieure
FO : fréquence de coupure de résonance
Bande passante
wcs − wci
B = fcs − fci =
2π
On démontre ainsi que
B= R
2πL
Remarque
A la résonance extérieure, le dipôle se comporte comme un résistor parfait mais à
l’intérieur des surtensions importantes peuvent exister UL = UC peut être très grand. La
résonance est à éviter dans les circuits industriels où les tensions appliquées élevées
produiraient des surtensions dangereuses à la fois pour l’utilisation et les appareils.
Par contre, la résonance est très recherchée en radio diffusion et en télévision où les
tensions captées par l’antenne des récepteurs sont de l’ordre du µV et ne pourraient
produire ni son ni image.
La valeur limite de R ne devra pas dépasser 2L sans quoi la résonance n’existerait

C
pas.
120
b) Association parallèle
i. Résistance – inductance
IR R
i U
IL
Admittance
Y =Y R +Y L⇒Y = 1 − j 1
R Lw
module argument
Y= (R1 ) +(L1ω )
2 2
tgϕ = − R
Lω
i R
U
l
i L
i =i R +i L
() ( )
2 2
=i R +i L⇒(UY ) = U + U ⇒U Y =U 2 + U 2
2 2
2 2 2 2 2 2
i R Lw (Lw) R
 
 1 + 1 
U Y =U
2 2 2
 R (Lw ) 
 2 2 
Y = 1 2 + (Lw1 )2 ⇒
2
R
Y= (R1 ) +(Lw1 )
2 2
ii. résistance – capacité
121
IR R
i u
IC
c
Admittance complexe module
Y =Y R +Y C ⇒Y = 1 + fcw⇒
R Y= (R1 )+(cw) 2
argument tgφ = RCω
Tgω = I C
= UCω
I R
U
R
i C
i
Tgφ = RCω
l
u
i R
3) Circuit RLC parallèle
i R
R
C
i i C
i L
L
U
122
Admittance complexe module
Y =Y R +Y C +Y L
Y = 1 + jcw− j 1 Y= (R1 ) +(Cω − L1ω )

2 2
( )
R Lw
Y = 1 + j cw− 1
R Lw
Tgω = I −IC L
i C U C
I R
UCω − U
Tgω = Lω
l U
U R
i R
Cω − 1
Tgω = Lω
1
R
i L Tgφ = R Cω − 1 ( Lω
)
- π ≤l ≤ + π
2 2
B. Résonance RLC parallèle
Par analogue avec l’exemple précédent, (résonance série) nous constatons que la pulsation
ωO tel que la partie imaginaire soit nul ou tgφ = 0. le module de l’admittance est égal à 1
R
dont le courant i et la tension u sont en phase : ω O =
1
Y = 1 φu – φi = 0
LC R
Remarques
A la résonance pour ωo = ω l’admittance Y étant minimale l’impédance équivalente
Z est max.
Si le circuit précédent est alimenté par un courant i de valeur efficace I constante et
de fréquence variable la valeur efficace U de la tension U est aussi max.
Inversement si le circuit est alimenté par une tension de valeur efficace U constante
à la résonance la valeur efficace I de courant i est minimal.
Soit Zeq = R + jX la partie imaginaire X est appelé sa réactance :
Pour un condensateur x = − 1 < 0

Cω
Pour une bobine x= Lω > 0
Par contre, la susceptance est l’inverse de la réactance note B
Pour un condensateur B = Cω > 0

123
Pour une bobine B = - 1 < 0

Lω
La conductance est l’inverse de la résistance qu’on note G. G=1

R
5. Puissance – facteur de puissance relèvement

du Cosφ
1)rappels
a) puissance active
P = UI Cosφ (WAH)
b) Puissance réactive
Q = UI Sinφ (VAR)
c) Puissance apparente
Q
sin ϕ +cos ϕ =1
2 2
Sinφ =
S
()
Q 2
Q P 2
S cosϕ =P
S
  +
S S
=1
2
φ Q +P 2
2
=1⇒ S =Q + P
2 2
2
P S
2
S= Q +P 2
en (VA)
2. Théorème de Boucherot
a) Théorème 1
La puissance active consommée par plusieurs récepteurs est égale à la somme des
puissances actives consommées par chacun d’eux.
P = P1 + P2 + P3 + ……………. + Pn
b) Théorème 2
124
La puissance réactive consommée par plusieurs récepteurs est égale à la somme des
puissances réactives consommées par chacun d’eux.
Q = Q1 + Q2 + Q3 + ………… + Qn
c) Théorème 3
Les puissances apparentes ne doivent jamais être additionnées, elle se calcule par la
formule.
St = (Q ) +(P )
T
2
T
2
3. Puissances mises en jeu dans les dipôles

élémentaires
a) Résistance
φ=0
P =UI
P = UI cosφ ⇒
R
U Q=0
Q = UI sinφ ⇒
2
⇒ S = UI
S= Q +P 2
b) Condensateur φ =π
2
i P = UI cosφ ⇒ P=0
U U Q = UI sinφ ⇒ Q = -UI
2
S= Q +P 2
⇒ S = UI
4. But de la méthode Boucherot
Il permet de remplacer la méthode de Fresnel par un calcul utilisant les règles

d’addition de puissance. On additionne les puissances actives entre elle et les puissances
réactives aussi.
125
5. Facteur de puissance
On appelle facteur de puissance le rapport
UI cosl ⇒
∫ P = PS ⇒∫ P = UI ∫ P =cosϕ
L’AES Sonel exige que pour toute installation alimentée en moyenne tension
tgφ = 0,4 ⇒ Cosφ = 0,92.
Supérieur à ce seuil, la consommation excédentaire d’énergie réactive est facturée en

deçà de ce seuil. Le reliquat de consommation non utilisé donne lieu à la bonification.
6. Relèvement du facteur puissance
Par la suite à la présence de nombreux moteurs asynchrones qui consomme de

l’énergie réactive le facteur de puissance d’une installation industrielle est souvent
inférieur à 0,92 avec déphase arrière du courant sur la tension.
Pour éviter des pénalités voire suppressions d’énergie, le consommateur doit

couvrir une partie de sa consommation d’énergie réactive avec les condensateurs ou
aussi avec des moteurs synchrones soit à relever le Cosφ à φ’
Q Q’ = Q - Qc
Qc = Q – Q’
QC
Or Qc = U2Cw
S
Q
tgφ = ⇒ Q = Ptgφ
P
Q'
l tgφ’ = ⇒ Q = Ptgφ’
L’ P
U2Cω = Ptgφ – Ptgφ’

P
P(tgϕ −tgϕ')
C=
ω
2
U
126
EXERCICE D’APPLICATION
Exercice 1
I I3
I1 I2
C
V R L
Fig. 1
L C R
I
V1 V2 V3
Fig. 2
On met successivement en série et en parallèle les composants R,L,C comme
l’indique les figures 1 et 2. on donne f = 50 Hz R = 440 Ω C = 5 µ F L = 1 H
I. Pour la figure 1 V = 220 V calculer
• La valeur efficace du courant I

• Son déphasage sur la tension et les puissances actives et réactives absorbées
par le groupement.
II. Pour la figure 2, on donne I = 2 A calculer
• La valeur efficace de la tension V

• Son déphasage sur le courant I et les puissances actives et réactives absorbées par le
groupement.
127
Exercice 2
Une installation monophasée 220 V 50Hz comporte 30 lampes de 100 W chacune.

2 moteurs identiques absorbant chacun une puissance de 2 kW leur facteur de puissance
étant 0,7 ces différents appareils fonctionnent simultanément.
I.
Quelles sont les puissances actives et réactives consommées par l’installation ?
Quel est son facteur de puissance ?
II.
III.
Quelle est l’intensité efficace du courant dans un fil de ligne ?
IV.Quelle est la capacité du condensateur à placer en parallèle avec l’installation pour
relever le Cosφ à 0,9 ?
Exercice 3
Le dipôle de la figure 3 est inductif, les ampèremètres indiquent les valeurs efficaces
suivantes : I1 = 10 A I2 = 6 A I3 = 5 A
I. En utilisant la méthode graphique, calculer le facteur de puissance du dipôle.

II. Calculer les puissances actives et réactives qui l’absorbent.
I1 I3
A A
I2
A
U D
R = 20 Ω
Exercice 4
Dans le schéma ci-dessous V = 380 V. dans les blocs symbolisant les récepteurs,
sont indiquées les puissances actives et réactives absorbées par chacun d’entre eux.
Calculer les valeurs efficaces des intensités des courants et des tensions indiquées
sur ce schéma.
128
V1
100 W 150 W
50 VAR 100 VAR
I2 300 W 200 W 200 W
-500 VAR -100 VAR 200 VAR
I3 V2
20 W
50 VAR
I4 400 W
1000 VAR
6. Système triphasé équilibré
1) Définition
Un système est dit triphasé équilibré s’il est formé de trois grandeurs ayant la même
valeur efficace et déphasée les unes par rapport aux autres de 120°
Exemple
U1 = U 1sinωt U2 = Û2 sin ( ωt − 2π )
3
U3 = Û3 Sin ωt − 4π( 3
)
129
U1(t) U2(t) U3(t)
T/3 T/3 T/3
T
Récepteur
C’est l’ensemble de trois récepteurs monophasés
Ligne triphasée
Elle comporte 3 fils identiques appelle phase
Tension simple
Les tensions simples V1, V2 et V3 représentent les différences de potentiel entre
chaque fil de ligne (chaque phase) et le neutre. En régime équilibré V1 = V2 = V3 = V
Tensions composées
Les tensions composées U12, U13, U31 sont les différences de potentiel entre les
phases U12 =V1 – V2 U23 = V2 – V3 U31 = V3 – V1
En régime équilibré U12 = U23 = U31 = U

Exemple
I1 Z
1
U12
U31
Z
V1 I2
2 N’
U23 charges
I3 Z
3
V3
U
130
2 ligne
2) Relation entre U et V’
A
V 2
Considérons le triangle AOB
(isocèle)
π
6 AB = 2AH
U 23 U 12 Cosϕ = AH ⇒ AH = AOCosϕ
AO
H
AB = 2AO Cosφ
π AO = V
o
φ= π
6
V 1
6
B AB = V
 
U = 2V  3 
U 31  2 
V 3
U=V 3
3) Couplage des récepteurs et générateurs
a) Etoile
Z3 Z3 i3
i3 3
e3 1
Z2 Z2 i2
i2 2
2
e2
xc
Z1 i1 Z1 i1
3 1
e1
générateurs récepteurs
131
La tension aux bornes d’un élément est la tension simple soit V =U . Par contre,
3
cet élément est traversé par le courant qui parcourt la ligne soit respectivement I1 I2 et I3.
Remarque En régime équilibré, le courant dans le neutre est nul.
b) Triangle
i3 A
e3 Z2
i1
j1 j3 j2
Z1
Z3
i2 e2
j2
Z2 i1
C Z1 j1 B
e1
i3 i2
Z3 j3
Générateur
Au point A
Z1 C i1
j −i − j =0
3 3 2
Z2 i2
B i=j−j
3 3 2
Z3 i3
A
Au point
C
i=j−j1 1 3
i=j−j
2 2 1
Au point B
132
Relation entre I et J
j 2
i 2
j A
1
i 2 α =π
o 6
B
j 1
i 3
j 3
- j 2
Considérons le triangle OAB
I
Cosϕ = ⇒ I = 2JCosϕ
2
J
  I =J 3
I = 2J  3 ⇒
 2 
4) puissance en régime triphasé équilibré
a) couplage étoile
chaque élément d’un montage triphasé est soumis à une tension de valeur efficace
V (tension simple) est traversé par un courant dont l’intensité efficace est I (courant en
ligne)
P = 3VI Cosϕ S = 3VI
Q = 3VI Sinϕ
133
P = U 3ICosϕ
Comme V = U ⇒ Q = U 3ISinϕ
3
S = UI 3
b) Couplage triangle
Chaque élément montage triphasé est soumis à une tension de valeur efficace
U(tension composée) et est traversé par un courant dont l’intensité efficace est J
P = 3UJ Cosϕ or J = I/ 3
P = 3U I Cosϕ
3
P =UI 3Cosϕ Q =UI 3Cosϕ S =UI 3
ϕ = déphasage entre UR et IR
remarque
Que les couplages soient entre étoiles ou triangles, les puissances actives, réactives
et apparentes s’expriment de la même façon.
5) Relèvement du Cosϕ en triphasé
a) Couplage triangle
Comme en monophasé, le relèvement du Cosϕ est souvent réalisé au moyen des

condensateurs. Ceux-ci sont généralement montés en triangle (rarement en étoile)
Q = UI 3 Sinϕ Q’ = UI 3 Sinϕ’
Qc = Q – Q’ or Q = Ptgϕ Q’ = Ptgϕ’ QC = 3U2 Cω
3U2Cω = P(tgϕ - tgϕ’) P(tgϕ −tgϕ')

C=
3U Cω
2
Remarque
Un calcul analogue appliqué a un couplage étoile du condensateur montre que la

valeur de la capacité à utiliser est 3 fois supérieur à celle calculer avec le couplage triangle
( pour obtenir le même facteur de puissance ).
134
En triphasé quand on parle de la tension sans préciser il s’agit toujours de la tension
composée (UK). De même lorsqu’on parle du courant sans préciser s’il s’agit toujours du
courant de ligne (Ik)
Exercice 1
Les expressions des valeurs instantanées des tensions simples d’un système triphasé
équilibré sont :
V1 = 220 2 Cosωt V2 = 220 2 Cos ( ωt - 2π )
3
V3 = 220 2 Cos ( ωt - 4π )
3
- Quelle sont les expressions les valeurs instantanées des tensions composées
correspondantes ?
- On rappel que
cos (a+b) = cos a cos b – sina sinab
cos (a-b) = cos a cos b – sina sn b
p+ q p− q
cos P + cos q = 2cos cos
2 2
Exercice 2
3 bobines identiques le résistances 50Ω et d’inductance 0,1 H couplé en étoile sont

alimentées par un réseau tri phase équilibre 220/380V ; 50Hz
1°) – quelle est la valeur efficace de l’intensité du courant dans chaque fil de ligne ?
2°) – quelle est le cosφ est le cosφ du récepteur aussi réalisé ?
3°) – quelles sont les puissances actives et réactives consommées ?
4°) – reprendre les questions ci- dessous dans le cas d’un couplage triangle des 3bobines
comparer les puissances actives et réactives trouvé à celle obtenu dans le cas du couplage
étoile.
5°) pourquoi ce résultat était-il prévisible ?
Exercice 3
Un réseau triphasé 220/380V 50Hz alimente 3 récepteurs triphasés équilibrés dont

les caractéristiques sont les suivantes dans les conditions de fonctionnement considérer.
Récepteur 1 récepteur 2 récepteur 3
Pa = 3KW Pa = 2KW pa = 3KW

Cosφ1 = 0,8 cosφ2 = 0,75 cosφ3 = 0,85
1) Quelles sont les puissances actives, réactivés et apparentes fournies par le réseau
lorsque les récepteurs fonctionnent simultanément
2) Quelle est le cosφ de l’ensemble des récepteurs fonctionnent simultanément ?
3) Quelle est la valeur efficace de l’intensité du courant dans chaque fil de ligne ?
135
Chapitre
10
OPTOELECTRONIQUE
136
I- Généralité
Ce sont des composants électroniques non linéaires dont les caractéristiques varient
en fonction de la lumière.
1) La photorésistante (LDR) (Light dependiry

résistors)
a) Définition et représentation
Une photorésistante est une résistance constitué d’un matériaux semis – conducteur
dont la valeur dépend de l‘éclairement.
LDR Couche photoconductrice

LDR
En blanc
Electrode Métallique
b) Principe de fonctionnement.
Il est constitué de semis – conducteur qui présentent une résistance très élevée
(100 kΩ) lorsqu‘il n’est pas éclairé.
En présence de la lumière, la résistance de la LDR diminue proportionnellement à
l’éclairage reçus.
Caractéristique
R (KΩ)
e (Lux)
Application
Ils sont utilisées pour la détection ou la mesure des éclairements : Exemple: Sécurité
alarmes, détecteur de flammes missile à tête chercheuse.
137
2.) Photodiodes
a) Définition et représentation
Une photodiode est constitué par une jonction PN extrêmement fine qui peut
être éclairé extérieurement, elle se branche toujours en inverse.
A
K
N.B : Il se branche toujours en inverse.
b) Principe de fonctionnement
Dans l’obscurité, elle bloque le courant comme toute diode. Lorsqu’on éclaire la
jonction, il y a passage du courant indépendant de la tension inverse
c) Application
Ils sont utilisés dans les tachymètres, dans les équipements de fibre optiques.
2) Phototransistors
a) Définition et représentation.
Les phototransistors sont un transistor en général au silicium de type NPM dont
l’élément semis – conducteur constituant peut être éclaire.
C C
B
B
E
E C E
138
* Caractéristique
Ib.
( µA)
E (Lux)
0
b) Principe de fonctionnement.
Lorsque le phototransistors est éclairé, il se crée un courant Ib. au niveau de
la base qui sature notre transistor ; Dans l’obscurité, Ib. = 0 ce qui bloque notre
transistor.
C) Application
Ils sont utilisés dans les circuits de contrôle industriel
- le contrôle d’éclairage automatique
- les circuits d’alarmes
- les détecteurs de niveau
- le comptage des objets
Remarque : D’autres types de photodétecteurs existent tel que les photovoltaïques,

etc.…
4) Autres composants non linéaires (CTN et CTP)

Ce ne sont pas des composants de l’optoélectronique car leur caractéristique ne varient
pas en fonction de la lumière mais de la température.
a) Thermistances à coefficient de température négatif (CTN)

1a) Définition et représentation
Est un résistor thermosensible caractérisé par un coefficient de température négatif.
À bâtonnet
-T À disque
2a) Principe de fonctionnement
Lorsque la température augmente, la résistance du CTN diminue et quand la
température diminue, sa résistance augmente.
3a) Application
Elles sont utilisées dans la régulation de température en thermométrie.
b) Thermistances à coefficient de température positif (CTP)

Sa représentation est identique à celle du CTN mais avec un « + » à la place du « - ; son
fonctionnement est le contraire des CTN ; par contre les applications sont similaires.
139
Chapitre
11
LES MULTIVIBRATEURS
140
1. Le monostable
On appelle le monostable tout dispositif susceptible de basculer dès réception d’une
impulsion dite de commande, puis rebasculer spontanément à son état initial après un laps
de temps bien déterminé et indépendant de la forme ou de l’intensité de l’impulsion de
commande.
Monostable à transistor
VCC=6v
RC1 RB2 RC2
RB1
B1 B2
T1 T2
Impulsion
• Fonctionnement
La résistance RB2 a été calculée de manière que le transistor T2 soit saturé.
Ce transistor bloquera T1 tant que son état de saturation durera ; le condensateur C se
charge donc à la tension VC= VC C – VB E ; si une impulsion positive d’amplitude suffisante
arrive sur la base de T1, le transistor se sature et le point C1 est brusquement amené au
potentiel de la masse ; or C1 est relié à l’armature positive du condensateur C, son armature
négative se trouve donc au potentiel –(VC C-VB E) par rapport à la masse.
Le condensateur C se comporte donc comme un générateur qui attaque

brusquement la jonction base-émetteur de T2 en sens inverse. T2 est donc brusquement
bloqué.
Le blocage de T2 maintient l’état de saturation de T1 même après disposition du signal de
commande.
Le condensateur C tend à se charger en sens inverse via RB2 et T1 saturé, il n’atteindra
jamais cette valeur car arrivé à la tension ( VB 2 – VC1)= +0,7v, il provoquera la saturation
de T2 ce qui bloquera T1 : c’est le rebasculement du système vers son état initial
141
• Chronogramme
I
t
UB 2 VC C
UB E
t
0
UC 2
t
UC 1
t
0
T
• Période du nomostable
T= 0,7 RB 2 × C (s)
Monostable à NE 555
Schéma +VC C
0 t(ms)
P VC
8 4
7 3 Sortie 2Vcc
3
6 2 Déclenchement 0 t(ms)
C1
5
1 VS
0 t(ms)
T
Vc = Vf (1- e-t/Rc) + Vi e-t/Rc

P permet d’augmenter ou de diminuer
la durée du monostable
Vc = 2 Vcc Vf = Vcc Vi = o
3
Fonctionnement
Au repos, le condensateur est court-circuité par le transistor de décharge à l’apparition

d’une impulsion sur l’entrée (2). Trigger ou déclenchement ou de la broche 2, le basculement de la
mémoire RS bloque le transistor de décharge, le condensateur se charge alors jusqu’à 2 de
3
la tension d’alimentation Vcc.
142
Il faudra basculer la mémoire RS pour que le transistor se décharge en couirt-circuit.

La durée de ce monostable est : T = 1,1 Rc
2. Les Astables (horloges)

un astable est un oscillateur délivrant en sortie une tension rectangulaire évoluant
perpendiculairement entre deux états instables, l’un haut l’autre bas.
VS
Vcc
O t
VS
2.1 Astable à « NE 555 »
8 7 6 5 1- Masse
NE 555 2- Basculement
3- Sortie
4- Maz
5- Commande ( tension de
contrôle de référence)
6- Seuil
7- Décharge
1 2 3 4 8- VC C
2.1.1 Structure externe
143
8 4
2.1.2 Structure interne
6
+
5 -
S Q 3
R
7
+
2 -
2.1.3 Schéma
VC C
R 8 4
7 3 Sortie
P 6
5
2 1
C C/
144
2.1.4 Diagramme
VC
2/3 VC C
1/3 VC C
t( Ms)
VS
VC C
t( Ms)
2.1.5 Fonctionnement
A la charge du condensateur, la tension à ses bornes augmente jusqu'à 2 Vcc.
3
Lle basculement de l’un des ampli-opérationnels permet d’avoir à la sortie du 555 1
logique. A cet instant le Xtor de sortie ( décharge ) court-circuite le condensateur d’où la
décharge de celui-ci jusqu'à 1 VC C , ce qui met la sortie a zéro logique ; le condensateur se
3
recharge et le cycle recommence.
2.1.6 Calcul de la période

-t/RC
UC=A+ Be
À t=o ⇒ UC=0
⇒ 0=A+Be0 or e0=1
⇒ 0=A+B ⇒ A= - B A= - B
à t=∞ ⇒ UC=E
E= A + Be-∞ or e-∞ =0
A=E ⇒ B = -E
UC= E – e-t/RC =E( 1 – e-t/RC )

à t=0 ⇒ UC= E
E= A + B
à t= ∞ ⇒ UC= 0
0= A + Be-∞
UC= Ee-t/RC
A=0
145
À t = t1 UC= A + Be-t/RC
• Equation de charge
- À t= 0 ⇒ UC = 1V CC
3
1 = A + B-t/RC or e0 = 1
3V CC
1
3V CC
=A+B
- À t= ∞ ⇒ UC= VC C
VC C= A ⇒ 1V CC = − 2V CC
3 3
2
(1− 23e )
B = - V CC
3 −t / RC
UC = VC C - 2V CC e
−t / RC
⇒ U =V
C CC
3
• Détermination de t1
À t = t1 ⇒ UC = 2V CC
3
2
3V CC
=V CC 1− e ( 2
3
)
−t / RC
2 =1− 2 − −t / RC
⇒1= 2e
t / RC
3 3e 3 3
−t / RC −t / RC lnex= x
1=2e ⇒1e
2 ln a = – ln b
b a
ln 1 =-- t1/ RC ⇒ t1 /RC = ln2
2
t1=RC ln2
t1= ( R + P )C ln2 or ln2 ≈ 0,7
t1= 0,7( R + P )C
• Equation de la décharge
à t=0 ⇒ U C = 2V CC
3
2 = A+ B
3V CC
à t=∞ ⇒ UC=0
0=A ⇒ B = 2V CC
3
−t / Rc
U = 2V CC e
C 3
146
• Détermination de t2
à t = t2 ⇒ U C = 1V CC
3
1 − −t / Rc
= 2V CC e ⇒ 1 =e
t / Rc
3 V CC 3 2
⇒ t2=Rc ln2
T2= 0,7PC
• Détermination de la période
T = t1 + t2
T= 0,7C( R + 2P )
• Déduction de la fréquence
f =1= 1
T 0,7C(R + 2P)
• Déduction du rapport cyclique
D= t1 %
T
N.B : Equation générale du condensateur
V =V +(V −V )(1−e )
−t / RC
f i i
147
2.2 Astable à transistor
2.2.1 Montage
+
VCe
RC1 RB1 RC2

RB2
C1 C2
T1 T2
VBE1 VBE2
2.2.2 Chronogrammes
VBE ( v )
0,7
-(VC C - 0,7)
VS
VB E0
0,7
-(VC C - 0,7)
VS
148
Calcul de la période
On admet et on démontre que :
T= 0,7 ( RB2C1 + RB1C2 )
Rapport cyclique :
D =T 1
T
Fonctionnement
Lors de la mise sous tension, les deux condensateurs se chargent rapidement par les
résistances RC1 et RC2 et les jonctions B-E des transistors. T1 et T2 tendent très rapidement
vers la saturation ; l’un des deux transistors se sature forcement le premier ; admettons que
ce soit T1. L’armature positive de C1 est alors mise à la masse par T1 et C1 se comporte
comme un générateur attaquant la fonction B-E de T2 en sens inverse : T2 se bloque . C2 se
charge très rapidement à la tension VCC-VBE. Ce qui monte la saturation de T1 par RB1. e
condensateur C1 est lentement chargé en sens inverse par RB2 de négative qu’elle était , sa
tension va tendre vers zéro puis devenir positive et tendre vers VCC. VCC ne sera pas atteint
car, dès 0,7v C1 va saturer T2 ; le condensateur C2va bloquer T1, C1 se charge très
rapidement et la saturation de T2 est maintenue ; pendant ce temps C2 est lentement chargé
en sens inverse par RB1 ; dès qu’il atteindra 0,7V ; il satura T1 et le cycle recommencera.
2.3 Astable à Ampli-Opérationnel
2.3.1 Montage
R
e =V = R R+ R v
+ 1
T S
2 1
-
+
V =− R V 1
R2
VS TL
R +R2 1
CC
VC C
R1
V = R V 1
TH
R +R2 1
CC
149
VS
t(ms)
VS VTL
+VCC
O t(ms)
-VCC
Calcul de la période
On admet et on démontre que
T = 2RC ln(1+ 2R2 )

R1
COMPARATEUR VS
Vref
Un comparateur de tension est un montage ayant 2 entrées ; l’une sur laquelle on applique
un signal de référence et l’autre sur laquelle un signal à comparer et une sortie.
Schéma et fonctionnement
R1 Ve= f (Ve)
-
+VSat
+
Vref R2 VS
Ve
150
0 Vref Ve
-VSat
Fonctionnement
En considérant toujours l’A.O idéale ( Re ⇒ ∞ ; RS=0 ; i+=i-=0 ; le gain Ad ⇒∞ )
• Ve > Vref ⇒ ε=Ve – Verf > 0 ⇒ VS=+VSat
• Ve < Vref ⇒ ε=Ve – Verf < 0 ⇒ VS=-VSat
Ve
3. Les triggers de Schmitt
Vref t (Ms)
Définition
0
C’est un comparateur à hysteris possédant une entrée sur laquelle on applique le signal à
..
traiter
TRIGGERS
t (Ms)
Ve VS
0
Schéma
R1
Ve
-
ε
+
VS
R
Vref
Chronogramme
VS = f(Ve)
V+Sat
151
Ve
0 V-0 V+0
Fonctionnement
ε= e +
- e-
+
V +V Sat +
• ⇒e = =V 0
+ ref
VS= +VSat
2
+
V +V Sat
Si ε>0⇒e +
> Ve ⇒ Ve < e+ =
ref
2
=V 0
+
• Si Vs=V-Sar
− −
V +V Sat V +V Sat
si ε
+ +
e =
ref
2
< 0 ⇒e +
< Ve ⇒ Ve > e =
ref
2
= V-0
Ve
V0-
V0+
V0- t (ms)
0
t (ms)
0
152
ème
2
partie
NUMERIQUE
153
Chapitre
NOTIONS FONDAMENTALES
154
A. Systèmes numériques – systèmes analogiques
1. Systèmes numériques
Ce sont des regroupements d’éléments qui traitent des grandeurs physiques ou de

l’information exprimée sous forme numérique. C’est-à-dire sous la forme des valeurs
discrètes (discontinues)
Exemple : l’ordinateur
2. Systèmes analogiques
Ce sont des regroupements d’éléments qui traitent des grandeurs physiques de

nature analogique, c’est-à-dire sous la forme des valeurs continues.
N,
Exemple : le téléphone
B. Représentation des grandeurs binaires
Dans les systèmes numériques, l’information traitée a généralement la forme des

nombre binaires (0 ;1)
Exemple :
Un interrupteur n’a que 2 états
- Ouvert (o)
155
- Fermé (1)
A partir de là, on peut représenter n’importe quel nombre binaire.
Exemple : 1 0 0 1
C. Signal numé
Les circuits numériques sont conçus pour fournir des tensions de sortie qui se
trouvent dans les gammes de tensions correspondant.
EXEMPLE
5v
⇒ 1
2v
Indéterminé
0,8
o
O
4v 1 1
O O O
O
D. Transmission série. Transmission parallèle

L’information numérique peut se transmettre d’un endroit à un autre entre deux
éléments distants de quelques pouces ou de plusieurs kilomètres. Il existe deux méthodes
de transmission :
- Transmission parallèle
Dans la transmission parallèle, on utilise une ligne de connexion pour chaque bit et
tous les bits sont transmis simultanément.
Bit de poids A3 1 156

B3
fort
0
B2 circuit
CIRCUIT
0
A
- Transmission série
Dans la transmission série, on utilise une seule ligne de transport et tous les bits
sont émis séquentiellement.
Entrée B
Circuit
Sortie A Circuit
A
B
1 0 0 1
NB : L’envoie en parallèle est plus rapide que l’envoie en série qui cependant exige moins
de lignes de connections.
Notion de mémoire
Dans la plupart des dispositifs et des circuits, quand on applique un signal d’entrée,
il se produit en réponse à ce dernier. Un signal de sortie qui disparaît quand on enlève le
signal d’entrée.
Dans les circuits numériques, le signal de sortie ne disparaît pas quand on enlève le
signal d’entrée. On dit que le circuit contient une mémoire car il mémorise l’information.
Circuit sans
mémorisation
Circuit avec
mémorisation
157
*
Chapitre
SYSTEMES DE NUMERATION
ET CODES
158
1. Notion de base
Il existe plusieurs types de systèmes de numérations utilisés en technologie
numérique.
Dans un système de numération un nombre s’écrit à l’aide des symboles auxiliaires

qui sont affectés des poids.
Les différents systèmes :
- Le système décimal
- Le système binaire
- Le système hexadécimal
- Le système octave
De toute évidence, le système décimal est le plus répandu.
2. Poids d’un chiffre
A. Système décimal (base 10)
Dans le système décimal, on utilise 10 symboles qui sont : 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6,

7, 8, 9. et les poids affectés aux symboles sont des puissances de (10)
Exemple : 3462(10) = 3 x 103 + 4 x 102 + 6 x 101 + 2 x 100

467,92(10) = 4 x 102 + 6 x 101 + 7 x 100 + 9 x 10-1 + 2 x 10-2
159
B. système binaire (base 2)
Le système binaire ne comporte que deux nombres 0 et 1. par contre, ce système

peut représenter n’importe quelles grandeurs.
Dans un système binaire, chaque chiffre est affecté d’un poids exprimé comme une
puissance de deux (2)
Exemple : 1 1 0 0 1(2) = 1 x 24 + 1 x 23 + 0 x 22 + 0 x 21 + 1 x 20
1 1 , 0 1(2) = 1 x 21 + 1 x 20 + 0 x 2-1 + 1 x 2-2
C. système hexadécimal (base 16)
C’est un système qui comporte 16 nombres ou chiffres qui sont : 0 ; 1 ; 2 ; 3 ; 4 ;

5 ; 6 ; 7 ; 8 ; 9 ; A ; B ; C ; D ; E ; F. avec A = 10 ; B = 11 ; C = 12 ; D = 13 ; E = 14 ; F =
15
Dans ce système, chaque chiffre est affecté d’un poids exprimé comme une
puissance de 16.
Exemple : 1 B 2 A(16) = 1 x 163 + B x 162 + 2 x 161 + A x 160

= 1 x 163 + 11 x 162 + 2 x 161 + 10 x 160
D. SYSTÈME OCTAVE (BASE 8)
C’est un système qui comporte 8 nombres de symboles ou de chiffres qui sont : 0,

1, 2, 3, 4, 5, 6, 7.
Dans ce système, chaque chiffre est affecté d’un poids exprimé comme une
puissance de 8.
Exemple :
346(8) = 3 x 82 + 4 x 81 + 6 x 80
3. conversion d’un nombre d’un système dans un autre système
A. conversion d’un nombre binaire en décimal

Pour convertir un nombre binaire en décimal, il suffit de multiplier chaque chiffre
par 2 élevé à la puissance de sa position et additionner le résultat des diverses positions.
Exemple :
(1 1 0 1)2 = 1 x 23 + 1 x 22 + 0 x 21 + 1 x 20
=8+4+0+1
= 13
(1 1 0 1)2 = (13)10
160
B. CONVERSION D’UN NOMBRE DÉCIMAL EN

BINAIRE
pour convertir un nombre décimal en binaire, il existe deux méthodes :
méthode par division
23(10) = ( ?)2 23 2
1 11 2
1 5 2
1 2
2
23(10) = (1 0 1 1 1)2 0 1
méthode par regroupement des puissances de deux
23(10) = ( ?)2
23 = 16 + 4 + 2 + 1
= 24 + 22 + 21 + 20
= 1 x 24 + 0 x 23 + 1 x 22 + 1 x 21 + 1 x 20
23(10) = (1 0 1 1 1)2
C. conversion décimale - octal
Pour convertir un nombre décimal en son équivalent octal, on procède par la

méthode de la division.
Exemple : 20(10) = ( ?)8

20 8
4 2
20(10) = (24)8
D. conversion octale-décimale
Pour réaliser cette conversion, on multiplie chaque chiffre octal par son poids
positionnel.
Exemple :
731(8) = 7 x 82 + 3 x 81 + 1 x 80
= 7 x 64 + 3 x 8 + 1
161
= 473
731(8) = 473(10)
E. conversion décimale - hexadécimal
Pour convertir un nombre décimal en hexadécimal, on procède par la méthode de

la division.
Exemple : 125(10) = ( ?)16

125 16
13 7
125(10) = (7D)16
F. conversion hexadécimale – décimal
Pour convertir un nombre hexadécimal en décimal, il suffit de multiplier chaque

chiffre par 16 élevé à la puissance de sa position et additionner le résultat des diverses
positions.
Exemple : 2 B 3 A(16) = ( ?)10

2 B 3 A = 2 x 163 + B x 162 + 3 x 161 + A x 160
= 2 x 163 + 11 x 162 + 3 x 161 + 10 x 160
2 x 4096 + 11 x 255 + 3 x 16 + 10
= 11055
2B3A(16) = (11055)10
G. Conversion octale – binaire
Chaque chiffre octal est remplacé par son équivalent binaire et vis-versa.
Octal 0 1 2 3 4 5 6 7
binaire 000 001 010 011 100 101 110 111
Exemple : 314(8) = ( ?)2

314(8) = (011001100)2
H. conversion hexadécimale – binaire
Chaque chiffre est remplacé par son équivalent de 4 bits et vis-versa.
Hexa 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F
162
Binaire 0000 0001 0010 0011 0100 0101 0110 0111 1000 1001 1010 1011 1100 1101 1110 1111
Exemple : 3F(16) = (?)2

3F(16) = (00111111)2
I. conversion octale – hexadécimal
Pour convertir un nombre octal en hexadécimal, on convertit d’abord en base 10 et

on procède ensuite par la méthode de division et vis-versa.
4. Code DCB (Décimal Code Binaire)

C’est la représentation de chaque chiffre d’un nombre décimal par son équivalent
binaire. Comme le plus élevé des nombres décimaux est 9, il faut donc 4 bits pour coder les
chiffres DCB.
Exemple :
Binaire DCB
0: 0 0000
5: 101 0101
163
Chapitre
ALGEBRE DE BOOLE – TABLEAU DE

KARNAUGH
PORTES LOGIQUES
164
1. Algèbre booléenne
Il sert à analyser un circuit logique et à exprimer ce dernier sous forme
mathématique.
Il permet aussi la simplification des équations logiques à l’aide des théorèmes

suivants :
- axo=o
- ax1=1
- ax a=o
- a =a
- a+a=a
- a+ a =1
- a + ab = a
- a + ab = a + b
- a + ab = a+ b
théorème de De Morgan
a +b = ab
ab = a +b
théorème de l’absorption
165
a (a + b) = a
a+1=1
2. tableau de KARNAUGH
C’est un tableau qui permet la multiplication des équations logiques. Il est présenté
sous plusieurs configurations. Ces configurations sont choisies par chaque individu sauf si
on impose une configuration quelconque.
On détermine le nombre de cases en fonction du nombre de variables.
N = nombre de variables
2n = nombre de cases
A. codage d’un tableau de Karnaugh
A B C D Nombres décimaux
0 0 0 0 0
0 0 0 1 1
0 0 1 0 2
0 0 1 1 3
0 1 0 0 4
0 1 0 1 5
0 1 1 0 6
0 1 1 1 7
166
1 0 0 0 8
1 0 0 1 9
1 0 1 0 10
1 0 1 1 11
1 1 0 0 12
1 1 0 1 13
1 1 1 0 14
1 1 1 1 15
AB 00 01 11 10
CD
00 0 2 10 8
01 1 3 11 9
11 5 7 15 13
10 4 6 14 12
AC 00 01 11 10
BD
00 0 2 10 8
01 1 3 11 9
11 5 7 15 13
167
10 4 6 14 12
B. Simplification par le tableau de Karnaugh
Règles
- Le regroupement d’une case (2°) correspond à une simplification de zéro

variable.
- Le regroupement de 2 cases (21) correspond à une simplification d’une variable.
- Le regroupement de 4 cases (22) correspond à une simplification de deux
variables
- Le regroupement de 8 cases (23) correspond à une simplification de trois
variables et ainsi de suite.
Exemple : la simplification
Cas de 2 variables
a 0 1 A 0 1
b b
0 1 0 1 1
1
1 1 1 1 1 1
S= a +b S=1
Cas de 3 variables
ab 00 01 11 10 Ab 00 01 11 10
c C
0 1 1 1 1 c 0 1 1 1
1 1 1 1 1 1 1
168
a a
b
S= a + c S=a+ b
Cas de 4 variables
ab 00 01 11 10 Ab 00 01 11 10
cd Cd
00 1 1 1 1 d 00 1 1
01 1 1 01
11 1 1 11 1
10 1 1 1 1 10 1 1
bd
a a bcd
S= a + d S = b d + a bcd
3. Portes logiques
A. Porte « ET » (AND)
Symbole équation table de vérité

S = a.b.
a s
& a b s
b
0 0 0
0 1 1
a
s
1 0 1
b
1 1 1
Chronogramme
t
bo
t
s o 169
o t
B. Porte “OU” (OR)
a
a b s
s S=a+b
b ≥1
0 0 0
a 0 1 1
s
b
1 0 1
1 1 1
Chronogramme
t
bo
t
s o
o t
C. Porte « NON » (No)
a s
a s
S= a 0 1
a s
170
1 0
D. Porte « NON ET » (NAND)
a
s
b & a b s
S = ab
0 0 1
a
s
b 0 1 1
1 0 1
1 1 0
E. Porte “NON OU” (NOR)
a
s
b ≥1 a b s
S = a+b
0 0 1
a s
b
0 1 0
1 0 0
1 1 0
F. Porte “ou exclusif” (XOR)
a s a b s
=1 S = a b + ab
b 171
S=a + b
a s
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 0
G. Porte « NON ou exclusif » (NXOR)
a
=1 s S = a b + ab a b s
b
= a b + ab 0 0 1
a s S = a⊕b 0 1 0
b
1 0 0
1 1 1
172
Exercices 1 :
Simplifier les équations logiques suivantes aux moyens de l’algèbre de Boole.
S = ab c + a b c + a b c + a b c
Y = ( a c + c a) ( b d + b d ) + ( a c + a c ) ( b d + b d )
X = a (ab + a b) + b (a b + ab)
Z = a b c d + abcd + a b c d + a b cd
U = ab(ac + bc) ( a + b )
Exercice 2 :
Représenter les équations suivantes aux moyens des portes logiques à deux entrées
uniquement.
F1 = a bc + a( b+c ) F ϑ = ( a b c d + ab)c
Exercice 3 :
À partir des portes NAND à deux entrées, réaliser :

173
- Une porte « ET » ; porte « OU » ; une porte « NOR »
- Une porte « ou exclusif » et une porte « NON ou exclusif »
A partir des portes NOR à deux entrées, réaliser :

- Une porte « ET » ; une porte « OU » ; « ou exclusif » ; « NON ou exclusif »
Exercice 4 :
Simplifier les équations suivantes à base du tableau de Karnaugh
S1 = a b c + a b c + a b c + ab c
S2 = a b c d + abcd + ab + a
S3 = ab + a c b + b ca
4. Logique combinatoire
En logique combinatoire, la sortie dépend des combinaisons d’entrées.
A. Variable binaire
Une variable logique a est une grandeur qui peut prendre deux états 0 et 1 et ne
peut varier de façon continue.
Exemple :
Si a=1
a =0
B. conception des circuits logiques combinatoires
La résolution des problèmes en logique combinatoire passe très souvent par la

conception des circuits logiques combinatoires et pour cela, on passe par les étapes
suivantes :
- Transformation du problème à l’aide d’une table de vérité

- Simplification par l’algèbre de Boole ou par le tableau de Karnaugh
- Représentation des circuits aux moyens des portes
1. Table de vérité
a b s
S= ab + a b + ab
0 0 1
= a ( b + b)
174+ a b
1
= a +a b
0 1 1
1 0 1
1 1 0
C’est une résolution d’un problème de logique combinatoire sous forme de tableau
sous lesquels on retrouve les valeurs d’entrées et de sorties d’une fonction.
Il existe des fonctions incomplètement définies et des fonctions complètement

définies.
1.1. Fonction incomplètement définie (FID)
C’est une fonction donc la valeur est non spécifiée pour certaines combinaisons de
variables.
Exemple :
a b s
0 0 X
0 1 0
1 0 1
1 1 X
1.2. Fonction complètement définie (FCD)
C’est une fonction donc la valeur est spécifiée pour toutes les combinaisons des
variables
Exemple :
a b s
0 0 1
175
0 1 0
1 0 1
1 1 0
1.3. Forme canonique
On démontre qu’une fonction ∫ (a,b,c) peut s’écrire sous deux formes

particulières :
- Somme canonique
- Produit canonique
a) Forme canonique disjonctive (somme)
C’est tout simplement la somme des produits variables.
Exemple :
F(A,B,C) = AC + AB + BC
b) Forme canonique conjonctive (produit)
C’est tout simplement le produit des sommes variables binaires
F(A,B,C) = (A+B)(A+C)(B+C)
176
Chapitre
ARITHMETIQUE BINAIRE
OPERATIONS & CIRCUITS
177
1. Généralités
Les diverses opérations intervenant dans les calculateurs et calculatrices portent sur
les nombres exprimés en notation binaire.
2. Addition binaire
Cinq (5) cas peuvent se présenter lorsqu’on effectue l’addition de deux nombres
binaires et cela quel que soit leur rang.
1 + 1 = 10 (égal 0 plus 1 de report sur le rang de gauche)

1 + 1 + 1 = 11 (égal 1 plus 1 de report sur le rang de gauche)
0+0=0
0+1=1
1+0=1
exemple :
11011 1011
+ 1011 + 10111
100110 + 1010
101100
remarque :
pour effectuer la soustraction de deux nombres binaires, les cinq cas suivants
peuvent aussi se présenter :
1–0=1
1–1=0
0–0=0
0 – 1 = 11
178
1 – 1 – 1 = 11
Mais la soustraction étant une forme d’addition, nous allons généralement additionner
un nombre positif avec un nombre négatif d’où la notation à complément à deux.
3. Ecriture des nombres signe

La plupart des ordinateurs traitent aussi bien les nombres positifs et négatifs.
Jusqu’à présent, nous avons effectué les opérations avec les nombres positifs, il faut
adopter une certaine convention pour représenter le signe d’un nombre (positif ou négatif)
généralement on ajoute un autre bit aux nombres appelé bit de signe.
La convention la plus courante consiste à attribuer aux nombres positifs le bit de

signe 0 et aux nombres négatifs le bit de signe 1.
Exemple :
0 1 1 0 1 0 0 + 52
Bit de
signe
1 0 0 1 1 0 0 - 52
A. Notation en complément à 1
Le complément à 1 d’un nombre binaire s’obtient simplement en changeant chaque

0 par 1 et chaque 1 par 0.
Exemple :
0110100 Complément à 1
1001011
B. notation en complément à 2
Le complément à 2 s’obtient simplement en prenant le complément à 1 de ce

nombre et en ajoutant 1 au bit de son rang le poids le plus faible.
Exemple :
0110100 Complément à 1
1001011
+ 1 + 1
1001100 ⇒ complément à 2
179
remarque :
le complément à 2 d’un nombre positif nous donne un nombre négatif et vis versa
exemple :
0101 → +5
1010 Complément à 2 de + 5
+ 1
1011 → -5
0100
+ 1 Complément à 2 de - 5
0101 → +5
Exercice 1 :
Ecrivez chacun des nombres décimaux signés que voici dans la notation à
complément à 2 :
a) +13 b) -9 c) –5 d) +7
NB : écrire ces nombres avec 5 bits
Exercice 2 :
Chacun des nombres suivants est le complément à 2 d’un nombre binaire signé.
Trouvez sa valeur décimale.
a. (0 1 1 0 0)2
b. (1 1 0 1 0)2
c. (1 0 0 0 1)2
4. opération en complément à 2
A. deux nombres négatifs
-5 → 1011
+ +
-2 → 1110
-7 11001
Bit rejeté car l’opération est sur 4 bits
B. deux nombres positifs
+5 → 0101
+ +
180
+2 → 0010
+7 0111
C. un nombre positif est un nombre négatif plus

grand
+2 → 0010
+ +
-4 → 1100
-2 1110
D. un nombre positif est un nombre négatif plus

petit
+7 → 0111
+
-2 → 1110
+5 10101
Bit rejeté car l’opération est sur 4 bits
remarque :
Dans les exemples que nous avons étudiés, les nombres que l’on a additionnés
étaient constitués à la fois d’un bit de signe et de 3 bits de grandeurs.
Les réponses aussi comportaient un bit de signe et 3 bits de grandeurs. Tout report
fait, le bit de 5ème rang était rejeté. Voyons maintenant l’addition de +9 et +8.
+9 → 01001
+ +
+8 → 01000
+17 10001
Bit de signe
Le signe de la réponse est celui d’un nombre négatif, ce qui est manifestement une
erreur étant donnée que la grandeur est plus 17, il faut plus de 4 bits pour l’exprimer. Il y a
donc un déplacement sur le rang du bit de signe d’où :
+17 = (0 1 0 0 0 1)2
E. multiplication
La multiplication des nombres binaires est analogue à celle des nombres décimaux.
Exemple :
181
+5 → 0101
x x
+3 → 0011
+15 0101
0101
0000
0000
+15 0 0 1 1 1 1
5. Circuits arithmétiques
A. Demi-additionneur
Il n’opère que sur deux bits d’entrées a et b, une sortie nommée s et une sortie
de report ou de retenue nommée R.
a b s R
0 0 S = a b + ab
0 0
S=a ⊕ b
0 1 1 0
R = ab
1 0 1 0
1 1 0 1
Logigramme
a b
182
B. Additionneur complet
Il comprend trois entrées A, B, Ce. Ce est le bit de report d’entrée,

l’additionneur comprend aussi deux sorties S ; Cs. Cs est le bit de report de l’indice de
sortie.
Table de vérité
A B Ce S Cs S = a b Ce + a b Ce + a b Ce + abCe
0 0 0 0 0 = a ( b Ce + b Ce ) + a ( b Ce + bCe)
0 0 1 1 0 s = a (b + Ce) + a ( b⊕Ce )
0 1 0 1 0 s = A ⊕ B ⊕ Ce
0 1 1 0 1
1 0 0 1 0 Cs = a bCe + a b Ce + ab Ce + abCe
1 0 1 0 1 = ab( Ce + Ce) + Ce( a b + a b )
1 1 0 0 1 Cs = AB + Ce(A ⊕ B)
1 1 1 1 1
Logigramme
A B Ce
183
Cs
C. Comparateur
Un comparateur est un circuit qui réalise la comparaison de deux nombres. Il est

donc constitué de deux entrées A et B et de trois sorties :
S (>) ; I (<) et E (=)
Exemple : comparateur d’un bit
Table de vérité Equations
A B S E I
S = AB
0 0 0 1 0
I = AB
0 1 0 0 1
E = A B + AB = A⊕ B
1 0 1 0 0
1 1 0 1 0
Logigramme
A B
E
184
EXERCICE D’APPLICATION
Réaliser un circuit comparateur de 2 nombres de deux bits.
Chapitre
5
MULTIPLEXEUR
DEMULTIPLEXEUR
185
A. Multiplexeur
1. Définition
Le multiplexeur est un circuit logique à n entrées de données ou d’informations et

une sortie qui transmet les informations parvenant à l’entrée sélectionnée.
Pour sélectionner une entrée, le multiplexeur doit recevoir un ordre provenant de n

entrées complémentaires appelées entrée d’adresse ou de sélection.
Principe
e N = 2n
n : nombre
Entrées S d’entrées d’adresses
De
données N : nombre
d’entrées de
en données
Ao
Entrées
D’adresses
An
Il se comporte comme un commutateur dans lequel un code numérique appliqué

aux entrées d’adresses commande l’entrée des données qui est raccordée à la sortie.
2. Etude de quelques multiplexeurs
a) Multiplexeur à 2 entrées de données (2 → 1)
Table de vérité équations
A I1 I0 S
S = A I 0 + AI1
186
Logigramme
I1
s
I0
A
b) Multiplexeur à 4 entrées (4 → 1)
A1 A0 I3 I2 I1 I0 S S = A1 A 0 I 0 + A 1A0 I 1 +
A1 A 0I2 +A1A0I3
0 0
0 1
1 0
1 1
I0
I1
S
I2
I3
187
B. Demultiplexeur
1. Définition
Il réalise la fonction inverse du multiplexeur c’est-à-dire que son entrée unique est
dirigée vers une sortie parmi plusieurs.
2. Principe
N = 2n
entrée N sorties N = nombre de sorties
n = nombre d’adresses
N entrées
D’adresses
A. Etude de quelques demultiplexeurs
a) Demultiplexeur à 2 sorties (1 → 2)
Table de vérité Schéma Equations
A S1 S0 E S1 S1 = AE
0 0 E S0 = A E
S0
188
A
1 E 0
EXERCICES D’APPLICATION
Exercice I :
Concevoir un circuit Demultiplexeur à 4 sorties
Exercice 2 :
Donner l’équation de Z du multiplexeur suivant.
5v
A I7 I6 I5 I4 I3 I2 I1 I0
B
C
MUX
Simplifier Z et faire un logigramme au moyen des portes.
189
Chapitre
CODEURS
DECODEURS
190
A. Codeur
Ce sont les circuits combinatoires (protégeant) sur n bits une information parmi N
entrées possibles. Il effectue donc une conversion du code 1 parmi N en un code binaire
pur ou BCD. Cependant le code BCD est en pratique le plus utilisé.
E1 S0
n Sorties binaires
pures ou BCD
N entrées
En Sn - 1
ENTRÉE DE
VALIDATION
a) Etude d’un codeur
Table de vérité Equations
191
S0 = E 3 E2 E 1 E 0 + E3 E 2 E 1 E 0
E3 E2 E1 E0 S0 S1 S0 = E 3 E 2 E1 E 0 + E3 E 2 E 1 E 0
0 0 0 1 0 0
0 0 1 0 0 1
0 1 0 0 1 0
1 0 0 0 1 1
Schema
E3 E2 E1 E0
S0
192
S
B. Décodeur
Il réalise exactement la fonction inverse du codeur. C’est un système ou circuit
logique qui établit la correspondance entre un code d’entrée binaire de n bits et N lignes de
sorties avec M ≤ 2n
Les décodeurs sont largement utilisés dans les mémoires d’ordinateurs et dans les
circuits d’affichages.
1. Etude de quelques décodeurs
a) Décodeur à n entrées binaires
C’est un décodeur qui a n entrées pouvant être soit à zéro « 0 » soit à un « 1 . il y

aura donc 2n combinaisons d’entrées possibles une seule des sorties est activée.
b) Décodeur à 2 entrées binaires
Table de vérité
Equations
E1 E0 S3 S2 S1 S0 S0 = E 1 E 0
0 0 0 0 0 1 S1 = E 1 E2
0 1 0 0 1 0 S2 = E1 E 0
1 0 0 1 0 0 S3 = E1 E0
193
1 1 1 0 0 0
Logigramme
E E
S3
S2
Exemple de quelques décodeurs S1
74LS138 (3 → 8)
74LS42 (4 → 10) DCB décimal S0
2. décodeur DCB 7 segments
Il est utilisé pour la commande des afficheurs numériques. Les informations

d’entrée correspondent à une valeur BCD sur 4 bits. Le décodeur fournit en sortie une
information sur 7 bits.
Le niveau d’activation d’un segment dépend du type d’afficheur utilisé (anodes

communes ou à cathodes communes)
a
a
f b
A b
c g
décodeur
B
Entrées
d
C e c
e
D 194
f
d
g
A B C D a b c d e f g Affichage
0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0
0 0 0 1 0 1 1 0 0 0 0
0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 1
0 0 1 1 1 1 1 1 0 0 1
0 1 0 0 0 1 1 0 0 1 1
0 1 0 1 1 0 1 1 0 1 1
0 1 1 0 1 0 1 1 1 1 1
0 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0
1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1
1 0 0 1 1 1 1 1 0 1 1
1 0 1 0
1 0 1 1
1 1 0 0
1 1 0 1
1 1 1 0
1 1 1 1
Table de transcodage
AB 00 01 11 10
195
CD
00 0 4 X 8
01 1 5 X 9
11 3 7 X X
10 2 6 X X
a)
AB 00 01 11 10
CD CDB
00 1 X 1 A
A = c + A + BD + BCD
01 1 X 1
11 1 1 X X
10 1 1 X X
c
BD
b)
AB 00 01 11 10
CD
00 1 1 X 1 B = A + CD + B + CD
01 1 X 1
11 1 1 CD
X X
10 1 X X
B A
196
c)
AB 00 01 11 10
CD
00 1 1 X 1 c
C = D + A +B + C
01 1 1 X 1
11 1 1 X X CB
0 1 X X
D B
d)
AB 00 01 11 10
CD
CD
00 1 X 1
01 1 X 1 CAB
11 1 X X
D = A D + CA + CD + A
10 1 1 X X
AB C ACD
197
e)
AB 00 01 11 10
CD
00 1 X 1 E = B D C + AB
BCD
01 X X
11 X X
ACD
10 1ACD 1 X A B
X C
B CD
F = C D + CB + A + DB
f)
AB 00 01 11 10
CD
00 1 1 X 1
01 1 X 1
11 X X
10 1 X X
198
g) A BC
AB 00 01 11 10
CD
00 1 X 1
01 1 X 1
11 1 X X
10 1 1 X G = A + CB + B C + C D
X
Chapitre
LOGIQUE SEQUENTIELLE
199
A.Les bascules
1. Généralités
a) Définition
Les bascules sont des circuits séquentiels de mémorisation d’un bit. Elle constitue
par conséquent l’élément de base de toute unité de mémoire.
b) Fonctionnement synchrone et asynchrone
Dans une bascule asynchrone les ordres appliqués sur des entrées provoquent
immédiatement en sortie le changement d’état correspondant.
Dans une bascule synchrone l’exécution de l’ordre n’intervient qu’avec un signal de
synchronisation. Le signal de synchronisation est appelé horloge (H) ou timing
(T).
c) Différents types de bascules
Trois types de bascules ont été développés :

200
- La bascule à mémoire de stockage (ou latch) : c’est une bascule à entrée

d’horloge statique.
- La bascule maître-esclave
- La bascule à déclenchement sur front montant ou front descendant
d) Symboles utilisés dans les bascules synchrones
Entrées asynchrones S et R
Entrées informations J, K, D
Entrées horloge H, T, C
: horloge agissant pendant toute la durée du niveau haut
exemple
: horloge agissant pendant toute la durée du niveau bas
exemple
: horloge agissant au voisinage de la transition bas (L) → haut (H)
exemple :
: horloge agissant au voisinage de la transition haut (H) → bas (L)
exemple :
synchronisation par impulsion
Une impulsion est composée de deux fronts ; le premier front sert à

la synchronisation des entrées, le second à la synchronisation de la sortie
2. bascule asynchrone
La bascule RS est la seule bascule asynchrone existante. Elle dispose de deux sorties
(Q et Q ) et de deux entrées R (reset) et S (set)
symbole
R Q
sorties
entrées
S Q
201
Fonctionnement
- Une action brève sur R met la sortie Q à zéro ( Q sera 1)

- Une action brève sur S met la sortie Q à 1 ( Q à zéro)
- Une action simultanée sur R et S met la sortie Q à 1 si la bascule est à
inscription prioritaire et à zéro si la bascule est à effacement prioritaire.
- En absence d’action sur R et S, la bascule conserve l’état extérieur, on dit qu’elle
est dans l’état de mémoire.
Table de vérité
R S Qn + 1 Observation
0 0 Qn Mémorisation
0 1 1 Mise à 1
1 0 0 Mise à zéro
1 1 - Interdit
Schéma logique
⇒ NOR
S (la priorité c’est « 1 »)
Q
Q
R
⇒ NAND
S Q (la priorité
c’est « 0 »)
202
R
Q
3. Bascule synchrone
Il existe plusieurs types de bascule synchrone :
- La bascule RSH
- La bascule D
- La bascule T
- La bascule J.K
1) Bascule RSH
Cette bascule synchronisée par le niveau haut de l’horloge H comporte deux

fonctionnements distincts :
H = O : la sortie ne tient pas compte du changement pour R et S ; elle reste stable quelles
soient les variations de R et S : c’est le fonctionnement mémoire.
H = 1 : la sortie est synchronisée ; la bascule respecte la table de fonctionnement d’une

bascule RS avec les mêmes restrictions.
Symboles
R Q
sorties
entrées
H
Q
S
Table de vérité
H R S Qn + 1
0 X X Qn
Mémorisation
1 0 0 Qn
1 0 1 1
Remise à 1
1 1 0 0 Remise à zéro (0)
1 1 1 - Interdit
203
Chronogramme
t
R
S t
t
Q
M M MAZ t
MAU
Schema logique
Q
S
S Q
H
H
Q
S
R Q
2) Bascule D
Elle mémorise l’information d’entrée ; on peut transformer la bascule SHR en

bascule D si on pose à tout instant R = S = D ; le schéma devient
D S Q
H
Q
R 204
Table de vérité
Symbole
H D Qn + 1
Q
D
0 0 Qn
0 1 Qn
H Q
1 0 0
1 1 1
Bascule D particulière (verrou ou Latch)
Symbole
D
Q
Table de vérité
V D Qn + 1
V Q
0 X Qn
1 0 0
1 1 1
V = validation
Remarque
Lorsqu’on câble l’ensemble D et Q , on dit que la bascule fonctionne en bistable
(bascule T)
Exemple
Q
D
H 205
Q
3) Bascule T (Tigger)
Table de vérité
T Qn Qn + 1
Q
T(H) 0 0 0
Q 1 0 1
0 1 1
1 1 0
T Qn + 1
0 Qn
1 Q n
Chronogramme
206
t (ms)
Qn+1
t (ms)
TS
T S = 2 Te ⇒ 1 = 2 ⇒ Fe = 2 fs
∫S ∫e
NB : La période est un intervalle de temps pendant lequel le signal se reproduit

identiquement à lui-même.
4) Bascule JK
a) Fonctionnement et but
Ce sont les bascules utilisées pour supprimer l’état indéterminé rencontré dans les
bascules RHS ; il existe plusieurs méthodes de réalisation des bascules JK ; dans tous les
cas, son fonctionnement est comme suit :
- J = K = 0, la bascule est dans l’état mémoire

- J = K = 1, la donnée inverse est mémorisée
- J = K , la sortie Qn + 1 = J
Schéma logique
J Q
Q
K
207
Lorsqu’à tout instant J = K = 1 on dit que la bascule fonctionne en bistable (2 états stables)
Exemple
«1»
0 + Vcc
Q
J J Q
H H
K Q K Q
5) Bascule RSH maître esclave
Ce sont deux bascules RSH non nul dont l’une est appelée maître positionné par les
entrées et l’autre appelé esclave et suit les états des maîtres.
Lorsque le maître est transparent, l’esclave est bloqué et inversement.
S Q
S1 Q1 S2 Q2
R R1 Q1 R2 Q2 Q
Entrées Asynchrones
Ce sont des entrées de forçage qui mettent prioritairement une bascule à « 1 » ou à

« 0 » ; on peut aussi les appeler entrée de pré positionnement.
Exemple
208
RAU = 1 ⇒ RAZ = 0 ⇒ Q = 0 ⇒ Q = 1
RAU = 0 ⇒ RAZ = 1 ⇒ Q = 1 ⇒ Q = 0
RAU (Preset)
J Q
K Q
RAZ (clear)
Application des bascules
− Circuit Anti – Rebond
C’est un circuit qui nous permet de supprimer les transitions existantes entre deux
tensions dues au rebondissement des contacts mécaniques.
Problème
VS
Passage de 1→2
2→1
Solution
+ 5V
209
1 Q
S
Position 2
S=0⇒R=1⇒Q=0
Position 1
S=1;R=0⇒Q=1
S’il y a rebondissement
S = 0 ; R = 0 ⇒ Q = Qn = 1
chronogramme
210
Chapitre
COMPTEURS - DECOMPTEURS
211
1. Généralités
Un compteur est un circuit séquentiel ayant une longueur de cycle et présentant N
état différent. Il y a deux fonctions principales à savoir :
- Fonction comptage
- Fonction diviseur de fréquences
Il existe deux types de comptage : le comptage synchrone et le comptage asynchrone.
2. Compteur asynchrone
Pour un compteur asynchrone, les étages basculent en cascade à partir de l’horloge
placée à l’entrée de la 1ère bascule.
Il existe des compteurs à cycle complet et des compteurs à cycle incomplet.

Toutefois le nombre de bascules est déterminé à partir de la formule 2N ; 2N étant le
modulo du compteur et N le nombre de bascule.
Exemple
Compteur modulo 8
⇒ 2n = 8 = ⇒ n = 3 bascules
Et les états du compteur en décimal seront = 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 0… et le cycle
recommence.
a) Compteur à cycle complet
1. Compteur modulo 2
Modulo 2 ⇒ une bascule
«1» 212
Q
J
2. Compteur modulo 4
Modulo 4 ⇒ 2 bascules
«1»
«1»
Q0 Q1
J0 J1
K0 K1
Chronogramme
t
Q0
t
Q1
213
b) Compteur à cycle incomplet (modulo < 2N)
1. Modulo 6
Table des états
Q2 Q1 Q0 ND
0 0 0 0
0 0 1 1
0 1 0 2
0 1 1 3
1 0 0 4
1 0 1 5
1 1 0 6 000
1 1 1 7
«1» «1» «1»
J0 J1 J2
Q0 Q1 Q2
214
H
K0 K1 K2
Chronogramme
Q0
t
Q1
t
Q2
t
RAZ
t
3. Décompteur Asynchrone
Pour un compteur, il s’incrémente (augmente de 1) lorsqu’il reçoit une impulsion et
pour un dé compteur, il se décrémente (diminue de 1) lorsqu’il reçoit une impulsion.
a) Modulo 8
Modulo 8 ⇒ 3 bascules
1 1 1
Q0 Q2
Q1
215
J0 Q0 J1 Q1 J2 Q2
H
Table des états
NI ND Q2 Q1 Q0
1 7 1 1 1
2 6 1 1 0
3 5 1 0 1
4 4 1 0 0
5 3 0 1 1
6 2 0 1 0
7 1 0 0 1
8 0 0 0 0
Chronogramme
0 t
Q0
t
0
Q0
t
Q1 0
216
0 t
Q1
4. Compteur et dé compteur synchrone

Un compteur synchrone est un circuit séquentiel dont le basculement des étapes est
synchronisé par le même signal : signal d’horloge.
a) Réalisation des compteurs synchrones
Soit à réaliser un compteur modulo 8 : on sait que pour ce compteur, on compte de

0 à 7 et on a 8 états. Le graphe des états est le suivant :
table de transition
8 J K Qn Qn + 1
0
7
0 X 0 0
1
6 1 X 0 1
X 1 1 0
2
5
X 0 1 1
4 3
J0
Modulo 8 ⇒ 2N = 8 ⇒ N = 3 bascules
Q2 Q1 Q0 J2 K2 J1 K1 J0 K0
0 0 0 0 0 X 0 X 1 X
1 0 0 1 0 X 1 X X 1
2 0 1 0 0 X X 0 1 X
K0 = 1 J0 = 1
217
K0 J1
3 0 1 1 1 X X 1 X 1
4 1 0 0 X 0 0 X 1 X
5 1 0 1 X 0 1 X X 1
6 1 1 0 X 0 X 0 1 X
7 1 1 1 X 1 X 1 X 1
Simplification
Table de codage
Q2Q1 00 01 11 10 Q2Q1 00 01 11 10
Q0 Q0
0 0 2 6 4 0 1 1 1 1
1 1 3 7 5 1 X X X X
Q2Q1 00 01 11 10 Q2Q1 00 01 11 10
218
Q0 Q0
0 X X X X 0 X X
1 1 1 1 1 1 1 X X 1
Q2Q1 00 01 11 10 Q2Q1 00 01 11 10
Q0 Q0
0 X X 0 X X
1 X 1 1 X 1 1 X X
Q2Q1 00 01 11 10
Q0
0 X X
1 X X 1
Q0 Q1 Q2
1
J0 J1 J2
K0 K1 K2
H
b) Dé compteur modulo 8
Il a le même principe que le dé compteur asynchrone ; à la seule différence que

l’horloge attaque toutes les bascules en même temps.
219
Tableau de transition
J K Qn Qn + 1
0 X 0 0
1 X 0 1
X 1 1 0
X 0 1 1
Table de vérité
Q2 Q1 Q0 J2 K2 J1 K1 J0 K0
1 1 1 X 0 X 0 X 1
1 1 0 X 0 X 1 1 X
1 0 1 X 0 0 X X 1
1 0 0 X 1 1 X 1 X
0 1 1 0 X X 0 X 1
0 1 0 0 X X 1 1 X
0 0 1 0 X 0 X X 1
0 0 0 1 x 1 x 1 X
Table de codage
Q2Q1 00 01 11 10
Q0
0 0 2 6 4
1 1 3 7 5
J0 J1
220
J1 = Q 0
J0 = 1
00 01 11 10 Q2Q1 00 01 11 10
Q2Q1
Q0
Q0
0 X X X X 0 1 X X 1
1 1 1 1 1 1 X X
K0 K1
Q2Q1 00 01 11 10 Q2Q1 00 01 11 10
K1 = Q 0
Q0 K0 = 1 Q0
0 1 1 1 1 0 X 1 1 X
1 X X X X 1 X X
J2 K2
Q2Q1 00 01 11 10 Q2Q1 00 01 11 10
Q0 Q0
0 1 X X 0 X X 1
1 X X 1 X X
J2 = Q 0 Q 1 = Q0 +Q1 K2 = Q 0 Q 1 = Q0 +Q1
Câblage
1 Q0 Q1 Q2
221
J0 J1 J2
Remarques
Pour un dé compteur asynchrone à cycle complet (modulo 2N) ; soit Vn la fonction
appliquée à un étage Qn
Γ 0 = J0 = K 0 = 1
Γ 1 = J1 = K 1 = Q 0
Γ 2 = J2 = K 2 = Q 0 Q 1
Γ n = Jn = Kn = Q 0 Q 1 = Qn + 1
Pour les compteurs synchrones à cycle complet (modulo 2N) ; soit Kn la fonction
appliquée à un étage Qn ; on aura
Γ 0 = J0 = K 0 = 1
Γ 1 = J1 = K1 = Q0
Γ 2 = J2 = K2 = Q0 Q1
Γ n = Jn = Kn = Q0 Q1 …… Qn – 1
NB : Contrairement aux compteurs qui ont des sorties initialement à zéro et s’incrémentent
(augmente de 1) à chaque arrivée d’une impulsion, les dé compteurs ont leurs sorties
initialement à 1 et se décrémentent (diminue de 1) à chaque arrivée d’un impulsion. Ils ont
donc besoin d’une remise à 1 (RAU) alors que les compteurs ont besoin d’une remise à 0
(RAZ)
Pour un dé compteur modulo 10, il décrémentera 10 états et à la 11è état, il

reviendra à l’état initial : état 0 (111)
222
Chapitre
REGISTRE
223
1. Définition
C’est un ensemble de cellules de mémoire capable de stocker une information ; c’est
donc un ensemble ordonné de bascules.
2. Schéma de principe
E0 E1 E2 E3
D D D D
Q Q
S0 S1 S2 S3
Moyennant une interconnexion entre les cellules, le registre précédent devient

capable d’opérer une translation des chiffres du nombre initialement stocké. Le
224
déplacement s’effectue soit vers la droite, soit vers la gauche. Le registre est alors appelé
registre à décalage.
a) Décalage à droite
1 0 1 1 1 1 0 1
HAvant impulsion ESG

ESG Après impulsion
D0 Q0 D1 Q1 D2 Q2 D3 Q3
b) Décalage à gauche
ESD
1 0 1 1 0 1 1 1
Avant impulsion Après impulsion
ESD
D0 D1 D2 Dn
Q0 Q1 Q2 Qn
c) Fonctions mémoire
225
Elle peut être réalisée de différentes façons suivant les bascules :
- La bascule D, D = K
- La bascule RS ; R = S = 0
- La bascule JK ; J = K = 0 ou J = K
3. Transfert du contenu d’un registre A dans un

registre B
a) Série
E RB
RA
DAo Q0 DA1 QA1 DA2 DBo DB1 DB2
Registre A Registre B
QAo QA1 QA2 QBo QB1 QB2
1 0 1 0 0 0 Etat initial
0 1 0 1 0 0 Après une impulsion
0 0 1 0 1 0 Après deux impulsions
0 0 0 1 0 1 Après trois impulsions
b) Parallèle RA
DAo QAo DA1 QA1 DA2 QA2

226
4. Différents types de registres à décalage

Il existe plusieurs types de registres
a) Registre à entrée série / sortie série
entrée QA QB QC QD sortie
b) Registre à entrée série / sortie parallèle
entrée QA QB QC QD
sorties
227
c) Registre à entrée parallèle / sortie série
entrées
sorties
QA QB QC QD
H
d) Registre à entrée parallèle / sortie parallèle
entrées
QA QB QC QD
H
sorties
Chapitre
10
228
TECHNOLOGIE DES CIRCUITS

INTEGRES NUMERIQUES
1. Généralités
Un circuit intégré est une boîte noire dans laquelle plusieurs composants discrets
( résistance, diodes, transistors ) sont interconnectés. La technologie des circuits a fait un
bond prodigieux allant de l’intégration :
− A petite échelle SSI ( Small Scul Integration ) qui loge au moins plus de 12 par
puce.
− A grand échelle MSI ( Medium Scul Integration ) qui loge moins de 100 portes
par puce.
− A large Echelle LSI ( Larguel Scul Integrétion ) qui loge moins de 1000 portes
par puce.
− A une très grande échelle VLSI ( Verry Larguel Scul Integration ) qui loge jusqu'à
100000 portes par puce.
2. Caractéristiques des circuits intégrés

On distingue plusieurs types de caractéristiques des circuits intégrés :
− Caractéristique électrique statique
229
− Caractéristique électrique dynamique
− Caractéristique mécanique
a. Caractéristique électrique statistique
Un circuit délivre en générale une tension ; il fait donc faire une correspondance
entre les deux niveaux de tension appelés niveau haut ( H ) et niveau bas ( L ).
Les variables 0 et 1
− V0 : tension de sortie
− V1 : tension d’entrée
− VO H : tension de sortie niveau haut garantie par le constructeur
− VO L : tension de sortie niveau bas garantie par le constructeur
− V i H : tension de sortie niveau haut reconnu par le constructeur
− V i L : tension de sortie niveau bas reconnu par le constructeur
− IO H et IO L : courant de sortie de la porte actionnée ViH et ViL
− Vt- et Vt+ : tension de basculement à from montant et à from descendant.
− Sortance : C’est le nombre maximal de charge que peut amender une sortie
− Entrance : C’est la valeur du courant de commande imprimée en une unité qui est
le courant de commande typique de la famille.
− Immunité statique au bruit, il définit l’attitude du circuit à acquérir les tensions
parasites sur ces entrées.
VN M
VI H VOH1 MARGE VIH2 VIH2
DU
VOL1 BRUIT VI L2
VIL
MARGE VH N M = VO H 1 + VO H 2
DE
BRUIT VL N M = VO L 1 - VO L 2
b. Caractéristique électrique dynamique

Le temps de propagation tp : si le niveau d’un circuit change totalement son niveau de
sortie ne vaut qu’avec un certain retard. Ce retard est appelé temps de propagation.
La fiabilité d’un circuit est caractérisé par la probabilité pour qu’une panne se produise
pendant la durée d’une heure.
Facteur de mérite : c’est le produit de la puissance statistique par le temps de
programmation il s’exprime en Joule
Puissance consommée : C’est la puissance provoquée par le passage du courant du
niveau logique 1 au niveau logique 0 et vis-versa.
c. Caractéristique mécanique
− Gamme de température
Les circuits ont été classés en deux grandes gammes
* La gamme militaire qui est encore la série 54 ( -55°c à +125°c)
* La gamme grand public qui es encore la Scul 74 ( 0 à 79°c)
− Le boîtier :
Il existe plusieurs types de boîtiers
230
• les boîtiers ronds
• Les boîtiers plats
• Les boîtiers DIL ( Dual- Inclure)
• Les boîtiers SIL ( Single Inclure)
• Les boîtiers SOL
• Les boîtiers Clup carrier
Il existe plusieurs familles de circuits intégrés. Ce qui différencie les diverses

familles, ce sont les éléments utilisés dans leurs familles.
Les familles RTL et DTL ne feront pas l’objet de notre étude car ils sont dépassés.
Les familles TTL et ECL utilisant le Xtor bipolaire dans les familles NMOS et CMOS
PMOS. C’est le transistor effet de champ. Dans tous les cas, chaque circuit possède un
code pour identification comprenant les indications, comprenant la série relatif à la
fabrication , sa fonction , le type de boîtier , le nom du constructeur et sa technologie.
Exemple : SN 74 L5 00A Type de boîtier
Sous-Famille
Famille
Sigle du
constructeur
3. Technologie TTL ( logique à Xtor d’entrée

et de sortie)
C’est une technologie basée essentiellement sur l’intégration des Xtors avec en plus
l’utilisation du transistor émetteur.
La tension d’alimentation est fixée à 5V, la tension de sortie niveau haut est égale à
3,3V ; la tension de sortie niveau bas est sensiblement égale à 0,3V et la tension de
basculement bt=1,3V. On reconnaît les circuits TTL par leur numéro d’identification
qui commence toujours par 74 ou 54 suivi de leur numéro de fonction ( 74×× ; 54×× )
Exemple : 74L00
La technologie TTL a subit plusieurs améliorations technologiques de façon à diminuer

les vitesses de communication et les puissances dissipées. On aboutit alors à la création
des sous-familles telles que :
− TTLL ( faible consommation 74L00)
− TTLS (Shottky)
− TTL LS (Low Shottky)
− TTL H ( Hight Speed)
− TTL AS ( advanced Shottky)
− TTL ALS ( Advanced Low Shottky) 74L00
Avantage du TTL
− Le temps de propagation est court ce qui entraîne une fréquence élevé
Inconvénient du TTL
− Faible sortance
− Système d’alimentation imposé à 5V
231
− Consommation très élevé
4. Technologie CMOS ( Complasurtary MOS)

Ils sont réalisés à base de deux transistors d’effet de champ ( à canal P et à canal N).
Voir montage Push-Pull à transistor effet de champ.
Leur tension d’alimentation varie entre 3 et 15V, les valeurs normalisées sont : 5, 10 et
15V. Les circuits CMOS commencent généralement par 40, 45, 47, 54C, 74HC, 74HCP.
Exemple : 4017 compteur décimal s’alimente entre 3 et 15V.
Remarque : Les 74HCP s’alimente à 5V et son compatible broche à broche avec le TTL
Avantages CMOS
− Large possibilité de choix de la tension d’alimentation entre 3 et 15V
− Faible consommation
− Leur niveau de sortie est presque parfait ( VO H= VO D VO L =0)
− Leur commutation est très faible
− Sortance élevée
− La technologie de fabrication permet une plus grande intégration d’où la
fabrication des circuits intègre comme le micro processeur.
Inconvénient du CMOS
− Immunité au bruit très élevée : 30% VD
− Nécessité de précaution d’emploi car ils sont très sensibles aux charges
électrostatiques.
Conclusion
CMOS TTL
Sortance élevée Sortance faible
Tension de sortie variable Tension de sortie fixe
Consommation faible Consommation élevée
Remarque :
1. Tout entrée non connectée est à un niveau logique pour les TTL niveau
haut. Pour les CMOS, ça ne correspond ni à 1, ni à 0 ; par contre peut
détruire notre circuit intégré car les CMOS ne supportent par les charges
électrostatiques
2. Les entrées inutilisées doivent être raccordées.
4. Famille ECL ( Logique à Couplage par émetteur)

C’est amélioration de la technologie TTL, mais son principe de fonctionnement est
celui de la commutation de crt. Leur vitesse de commutation est plus rapide que celle des
TTL.
Exemple de caractéristique de transfert par un triverseur.
VO
6v
«1» V232 (a ) VI VO
OH
2,4v
indéterminé
2,8v (b )
«0»
(C )
* Zone a et c
La tension d’entrée est inférieure ou égale à VI L ( « o » ), la tension de sortie est égale à VO

H ( « 1 » ). La tension d’entrée est supérieure à VI H (« 1 » ), la tension.
Chapitre
11
GRAFCET
233
1. Généralités
a) Définition
Le grafcet ou graphe de commande étape transition est un moyen d’écrire le cahier

de charge d’un système automatisé. Il permet de lire, d’interpréter et de modifier les
évolutions d’un processus automatique. Il est caractérisé par une succession d’étapes et de
transition auxquels sont associées les réceptivités. Pour faciliter la compréhension, deux
niveaux sont proposés :
- Niveau 1
C’est le grafcet du point de vu système (spécification fonctionnelle) on décrit le

comportement de la partie commande vis-à-vis de la partie opératrice.
- Niveau 2
C’est le grafcet du point de vue partie commande (spécification technologique). Elle

précise de la façon dont l’automatise doit s’insérer dans l’ensemble du système automatisé
et de son environnement.
234
2. Structure générale d’un système automatisé

D’une façon générale, tout système automatisé comporte deux parties :
- Partie opérative
- Partie commande
a) Partie commande
Elle est composée d’un pupitre de commande composé de bouton marche, arrêt,
signalisation, etc.… permet tant d’envoyer les informations à la partie opérative à travers
l’opérationnel (contacteur, relais, etc…)
b) Partie opérative
Elle est composée des actionneurs (vérin, moteur) qui transforment des
informations venant des pré actionneurs en un moment visible (poussée d’un pièce ;
Rotation d’une pièce) et les capteurs qui captent les défauts ou consignent vers le
traitement de l’information via l’interface d’entrée.
Partie opérative
actionneur capteur
Interface d’entrée
Pré actionneur
Partie commande
235
communication Traitement
d’information
L’élaboration du cahier de charge n’est pas toujours aisée, c’est pourquoi un

organisme ADEPA (Agent national pour le Développement ou de la Production
Automatisée) permet de réaliser le grafcet.
3. Eléments de base du grafcet
a. L’étape
Elle caractérise un comportement invariant d’une partie ou de la totalité de la partie

commande.
Exemple
1
Remarque
Une étape initiale est représentée en doublant les côtés du symbole.
Exemple
A l’instant t et suivant l’évolution du système, une étape est soit active ou inactive.
L’activation d’une étape est mentionnée par un point.
b. Actions associées aux étapes
Les actions sont décrites de façon littérale ou symbolique à l’intérieur d’un ou

plusieurs rectangles associés aux étapes.
Exemple
Monté Vérin
236
Moteur en marche
c) Transition
Elle indique la possibilité d’évolution entre deux étapes ; elle est représentée par une
barre perpendiculaire entre les deux étapes.
transition
d) Réceptivité
A chaque transition, on associe une condition logique ; cette condition logique est
appelée réceptivité qui peut être vrai ou fausse
Exemple
1
R = 0 ou 1
Remarque
1
1 1 237
R=0 R=1 R=1
2 2
a) L’état est validé ; mais la réceptivité est fausse ou nul

b) L’étape n’est pas active mais la réceptivité est vraie ; la transition n’est donc
pas franchise.
c) L’étape est activée ; la réceptivité est vraie ; la transition est donc franchise.
NB : Le franchissement d’une transition entraîne l’activation de toutes les étapes immédiate

et la désactivation de toutes les étapes immédiatement précédentes.
4. Principe de base
a) Divergence en « OU »
r r
11 21
Pour passer de l’étape 1 à l’étape 11, il faut que l’étape 1 soit validée et la réceptivité
r soit vraie r = 1.
Pour passer de l’étape 1 à l’étape 21, il faut que 1 soit validée et que r = 1 (réceptivité
vraie)
b) Convergence en « OU »
238
11 21
Pour passer de l’étape 11 à l’étape 3 ; il faut que 11 soit validé et r = 1. pour passer
de l’étape 21 à l’étape 3, il faut que l’étape 21 soit validée et que la réceptivité r = 1
c) Divergence en « ET »
1
a
11 21
Pour passer de l’étape 1 aux étapes 11 et 21, il faut que l’étape 1 soit validée et la réceptivité
a=1
d) Convergence en « ET »
Pour passer de l’étape 11 et 21 à l’étape 3, il faut que les étapes 11 et 21 soient

validées et la réceptivité vraie.
239
e) Temporisation
T/4/10s : 10 secondes passées après l’activation de l’étape 4 pour que

l’étape 5 soit active
T/4/10s
f) Saut d’étapes et reprises de séquences
2
a
a
Saut
4
d’étapes Reprise de
c séquence
d d
5. Mise en équation d’un grafcet

240
L’équation générale de l’étape active d’une étape de rang n a deux états : actif et
inactif qui s’écrivent respectivement An et A n
Les conditions d’activation d’une étape sont :
- L’étape de rang n-1 doit être activée

- La réceptivité de la transition entre l’étape de rang n-1 et l’étape de rang n doit
être vraie
La condition de désactivation est que l’étape de rang n-1 soit active de plus après
l’activation l’étape mémorise son état.
Si M(n) est la mémoire alors M(n) = 1 d’où l’équation générale
[
A(n )= A(n −1)( ]
t n −1)→t n + M (n ) A(n +1)
3
A =[A R + M ]A A
4 3 1 4 5 6
R1
4
R2
5 6
241
Chapitre
12
LES MEMOIRES
242
1. Généralités
1) Définition
Une mémoire est un dispositif capable d’emmagasiner puis de restituer une

information. Son fonctionnement apparaît sous trois aspects :
- L’inscription ou l’écriture de l’information

- La rétention ou stockage
- La lecture
2) Caractéristique générale d’une mémoire
a) Capacité
C’est la quantité d’information qui peut être stockée dans un dispositif donné. Elle
s’exprime en bit. Dans les systèmes à microprocesseurs, l’unité couramment utilisée est
l’octet ou bytes en anglais. 1Ko = 210 = 1024 1Mo = 220 = 1048576
Exemple
Un livre de 200 pages contient un Max de 800 000 caractères environ soit 0,8M
octets car un caractère alphanumérique dans la plupart des systèmes occupe en fait 1 octet.
b) Modes d’accès à l’information
Il existe deux modes d’accès à l’information :
- Les mémoires à accès aléatoire ou directs

243
- Les mémoires à accès séquentiel (bandes magnétiques)
c) Mode de fonctionnement
Il existe deux modes de fonctionnement :
- La lecture
- L’écriture
d) La permanence
C’est la capacité de rétention d’une information. Il existe des mémoires volatiles et

des mémoires permanentes (qui assurent le stockage de l’information même en l’absence de
source d’énergie)
e) Rapidité
C’est le temps qui s’écoule entre la demande d’information et le moment où elle est
effectivement disponible.
f) Organisation – structure
On peut assimiler une mémoire à un tableau contenant les informations binaires.

On appelle organisation d’une mémoire les dimensions de ce tableau. Elle est exprimée en
mot de N bits où N représente le nombre de colonnes du tableau.
Exemple
Une mémoire de 64K x 1 est constituée de 64K mots de 1 bit. Sa capacité est de
64K bits.
- Une mémoire de 8K x 8 a une capacité de 64K mots
- Mais le nombre de ligne du tableau dont le nombre de mots est de 8K
3) Classification des mémoires suivant le support
a) Mémoire magnétique
Ce sont les supports magnétiques tel que les bandes ou les disques, leur temps d’accès à
une cellule dépend du défilement des têtes de lecture.
b) Les mémoires optiques
Elles permettent le stockage de très grandes quantités d’informations.
Exemple
Il est possible de stocker dans un CD l’équivalent d’une encyclopédie de 20
volumes de 1 000 pages.
c) Les mémoires à semi-conducteur

244
Leur cellule mémoire est constituée de transistor, on distingue deux grandes

classes :
- Mémoires mortes
- Mémoires vives
i. Mémoire vive : la RAM (Randon Access Memories)
La RAM est la mémoire à lecture et à écriture c’est-à-dire que l’utilisateur a accès à

chaque mot pour lire ou modifier le contenu.
ii. Mémoire morte : la ROM (Read Only Memories)
C’est la mémoire à lecture seule en l’usage normale. Elles sont destinées

uniquement à être lu. Elles sont écrites une fois pour toutes lors de la fabrication.
- La PROM (Programmable Read Only Memory) : contrairement au ROM,

elles peuvent être écrites après fabrication du circuit.
- L’EPROM (Erasable PROM) : Elles sont effaçables généralement pour

exposition aux rayons ultra-violets.
- EAROM ou EEPROM (Electrically Alterable ROM ou Electrically
Erasable PROM) : ce sont les PROM effaçables ou modifiables électriquement.
245
246

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SUPPORT DE COURS

COLLEGE DE- LA- SALLE

Tous droits de reproduction réservés. Aucune partie de cet ouvrage ne

DLS, Septembre 2003

Tables des matières

CHP 0 : RÉVISION GÉNÉRALE .............................................................................................. 4

2ème partie : NUMERIQUE ........................................................................................... 158

CHP 1 : NOTIONS FONDAMENTALES ........................................................................... 159

I. Générateur de tension – Générateur de

b) Générateur de tension parfait

Remarque : On dit que celui-ci est parfait lorsque n’existe pas.

Exemple : Générateur de courant

Générateur de courant parfait

II.Loi des Nœuds – Loi des Mailles

* Enoncé de la loi des Noeuds

b) Loi des Mailles

U2 U1 VCC = 10 V VBE = 0,7 V

U3 Problème: déterminer U1,

III. Diviseur de tension – Diviseur de courant

Il permet de prendre une fraction de la tension d’alimentation.

Par les résistances

3) Déterminer I = f(Is, R, Rp, et Rs)

4) Déterminer I1 f (I, R, Rp, et Rs)

IV. Théorème de Thevenin

Eth et Rth sont les caractéristiques du générateur de THEVENIN

− Une source de courant de cour-circuit

VI. Théorème de Millman

VII. Méthode par superposition

VIII. Théorème de Kennely

1-2 Z1 + Z2 = Z12 // (Z23 +Z13)

1-3 Z1 + Z3 = Z13 // (Z12 +Z23)

2-3 Z2 + Z3 = Z23 // (Z12 +Z13)

En générale nous avons

b)- Etoile - Triangle

y13 + y23 = y3// (y1 + y2) (2)

y23 + y12 = y2// (y1 + y3) (3)

IX. Transfert Maximal de puissance

E ²(r + R )² − 2(r + R )Rr ²

On appelle grandeur sinusoïdale toute grandeur mathématique pouvant se mettre sous

ω= 2πf : pulsation (rad/s)

1)- Représentation de Fresnel

2)- Addition de plusieurs grandeurs

2.1. Différence de phase entre deux signaux

La somme des grandeurs de même fréquence se fait mathématiquement où vectorielle

LES SEMI- CONDUCTEURS

Pour obtenir un semi-conducteur de type P, on prend un semi-conducteur à

Pour l’obtention d’un semi-conducteur de types N, on prend un semi-

L’interpénétration des deux semi-conducteurs (type N et type P) constitue ce

III. Caractéristique courant- tension I=f(U)

b)-Etude du point de repos

Résolution : On chercher l’équation de la droite de charge

• Puis on trace l’équation de la droite de charge sur le même repère que la

Remarque : le prolongement de la caractéristique directe sur l’axe des tensions nous

5) Différentes types de diodes

APPLICATION DES DIODES

A. Rappel et complément : valeur moyenne, valeur efficace

A-1) Valeur moyenne

A-2) Valeur efficace

B. Redressement mono- alternance

C. Redressement double alternance à pont de

C2. Redressement double alternance avec