Explorer les Livres électroniques
Catégories
Explorer les Livres audio
Catégories
Explorer les Magazines
Catégories
Explorer les Documents
Catégories
ère
1
ÉDITION
CIRCUITS ELECTRONIQUES
1ère F2 & F3
Les auteurs
DONGO Michel & SONFACK Hervé
2
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
ère
1
Partie
ANALOGIQUE
3
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Chapitre
REVISION GENERALE
4
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Remarque : On dit que celui-ci est parfait lorsque sa résistance interne est nulle.
Exemple : U= E - rI
I U (V)
E
r
U
E
I (A)
E/R
U=E
E U r=0Ω E
c) Générateur de courant
C’est un appareil capable de fournir un courant électrique.
r
r ou
5
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
I
r→∞
I1 I2
I5
I4
I3
Exemple d’application
I1 = 2A
I1 I3
I I5 = 1A
I4
I4 = 3A
I2 I5
I = 2A
I
IC I = 6 mA
IC = 4 mA
Problème : déterminer IE et Ib
IB
6
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
U3 Sens U2 + U3 + U1=0
U1
Exercice d’application
U2 U5
U1 = 20 V
U3 U4
U1 U2 = 5 V
U4 = 8 V
U6
Problème : déterminer U3, U5, U6
VCE = 3 V VBB = 4 V
VCE VCC U2 = 3 V
VBB VD
7
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
R2 U2
R1
U1 = E
E R1 + R2
R2
R1 U1 U2 = E
R2 + R1
I=
∑ E − ∑ E' E : f.e.m
∑R E’: f.c.e.m
Exemple
E2 E3
E3 R2
R4I R4
E 2 − (E 1 + E 3 )
I=
R1 + R 2 + R 3 + R4
8
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Démonstration
U 1 = R1 I
R1
E ⇒ U1 = E
I= R + R
R 1 + R 2 1 2
b) Diviseur de courant
Soit à déterminer le courant de sortie dans le montage ci – dessous.
I2 I1
1 1
Soit G1 = G2 =
R2 R1 R2
R1
G1 G2
I1 = I I2 = I
G1 + G 2 G1 + G 2
1 1
R1 R2 R2
I1 =
R1
1 ⇒ I1 =
R1
I ⇒ I1 = ( R + R ) R I I1 = I
1 1 R1 + R2 1 2 1 R1 + R 2
+
R2 R1 R1 R2
R1
I2 = I
R1 + R2
Par récurrence
I1 I2 IN G2
I2 = I
G1 G2 G3 GN
∑G
Gn
In = I
∑G
Exercice d’application
Soit le montage suivant
RpIS On donne U1 = 12 V
R R = 10 KΩ
U RP = 4 KΩ
US RS = 6 KΩ
I1 RS
9
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
1) Calcul Us
2) En déduire Is
* Énoncé
Tout circuit électrique ne comportant que des dipôles actifs et passifs linéaires est
équivalent à un générateur de tension de f.e.m Eth et de résistance interne Rth.
I=0
A
Association
des dipôles Eth=VAB Rth
linéaires
Eth
B
Exercice d’application
A
I
R1 R2
+
RC
E1 E2
B
On donne :
E1 =10V E2 = 6V R1 = 1KΩ R2 = 200Ω RC = 250Ω R1 A
A partir du modèle équivalent de Thévenin vue de AB I2 I
a)- Déterminer I E1 R2
R
b)- En déduire les courant I1 et I2
E2
10
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
V.Théorème de Norton
* Enoncé
Tout dipôle actif est équivalent d’après Norton à deux dipôles élémentaires en parallèle.
A
A
I
D
R
B
B
Exemple d’application
1) Déterminer le modèle équivalent de Norton vue des point AB du montage ci –
dessous (voir exercice d’application Thévenin).
2) En déduire le courant I.
E1 − U E2 − U
I1 I
I1 = I2 =
R1 R2
R1 R2 U
R I=
R I = I1 + I2
E1 E2
U E1 − U E 2 − U
= +
R R1 R2
U E1 U E 2 U
= − + −
R R R1 R2 R
11
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
1 1 1 E1 E 2
U = + + = +
R R 1 R 2 R 1 R2
E1 E 2 n Ei
+
R1 R 2
∑
i =1 Ri
U= U=
1 1 1 n
1
+
R1 R2 R
+ ∑
i =1 Ri
Exercice d’application
A l’aide du théorème de Millman déterminer les tensions dans les montages suivants.
100 V 5Ω 100 V
2
Déterminer V1 et V2
5Ω
1
10 Ω
5Ω
100 V
100 V 10 Ω 1
100 V 10 Ω
Déterminer
10 Ω
100 V V1 V2 V3
5Ω 100 V 10 Ω
2 4
3
10 Ω 10 Ω
10 Ω
e1 R1
∼
e2 R2 Déterminer V1
0 ∼ 1
e3 R3
∼
R
12
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Exemple
I1 I I1’ I’ I1’’ I’’
I2 I2
R1 R2 R R1 R2 R R1 R2 R
U U’ U’’
E1 E1
E2 E2
U = U’ + U’’
I = I’ + I’’
Z2
Z12 Z23
Z1 Z3
1 3
Z13
1 3
Z 12 (Z 23 + Z 13 )
1) Z 1 + Z 2 =
Z 12 + Z 23 + Z 13
Z 12 .Z 13 + Z 12 .Z 13
⇒ Z1 + Z 2 =
Z 12 + Z 23 + Z 13
Z 13 Z 12 + Z 12 .Z 13
2) Z 1 + Z 3 =
Z 12 + Z 23 + Z 13
13
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Z 23 Z 12 + Z 23 .Z 13
3) Z 2 + Z 3 =
Z 12 + Z 23 + Z 13
-
Z 12 Z 23 + Z 12 Z 13 Z Z + Z 23 .Z 13
Z1 + Z 3 − Z1 − Z 3 = - 13 12
Z 12 + Z 23 + Z 13 Z 12 + Z 23 + Z 13
Z 12 Z 23 + Z 12 Z 13 − Z 13 Z 12 + Z 13 Z 23
Z1 − Z 3 =
Z 12 + Z 23 + Z 13
Z 12 Z 13 − Z 23 Z 13
Z2 − Z3 = ’
Z 12 + Z 23 + Z 13
2Z 12 Z 23
+ ’ 2Z 2 =
Z 12 + Z 23 + Z 13
Z.
Z 12 Z 23 Z 12 Z 23
Z2 = Z1 =
Z 12 + Z 23 + Z 23 Z 12 + Z 23 + Z 23
Z 12 Z 23
Z3 =
Z 12 + Z 23 + Z 23
Produit de Z en 1
Z en 1 =
∑ Des Z
Z2 Z12 Z23
Z1 Z3
1 3
Z13
1 3
14
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
1
Soit y =
Z
y12 + y13 = y1// (y2 + y3) (1)
On a :
Y1 (Y2 + Y3 )
(1)’ ⇒ Y12 + Y13 =
Y1 + Y2 + Y3
Y1 Y2 + Y1 Y3
⇒ Y12 + Y13 = (1 )'
Y1 + Y2 + Y3
Y3 Y1 + Y3 Y1
(2)’ ⇒ Y13 + Y23 =
Y1 + Y2 + Y3
Y2 Y1 + Y2 Y4
(3)’ ⇒ Y23 + Y12 =
Y1 + Y2 + Y3
(1)’- (2)
Y1 Y2 + Y1 Y3
Y12 + Y13 = Y + Y + Y
1 2 3
Y3 Y1 + Y3Y2
Y13 + Y23 =
Y1 + Y2 + Y3
Y1 (Y2 − Y3 ) − Y3 (− Y1 + Y2 )
Y12 − Y23 =
Y1 + Y2 + Y3
Y1 Y2 − Y1 Y3 + Y3 Y1 − Y3 Y2
⇒ Y12 − Y23 =
Y1 + Y2 + Y3
Y1 Y2 − Y3 Y2
Y12 − Y23 = (3 )' '
Y1 + Y2 + Y2
(3)’’- (3)’
Y2 Y1 + Y2 Y3
Y + Y =
Y1 + Y2 + Y3
23 12
Y Y + Y3 Y2
Y12 + Y23 = 1 2
Y1 + Y2 + Y3
15
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
2Y1 Y2
2Y12 =
Y1 + Y2 + Y2
Y1 Y2
⇒ Y12 =
Y1 + Y2 + Y2
1 1
−
1 Z1 Z 2
⇒ =
Z 12 1 1 1
+ +
Z1 Z 2 Z 3
Z1 Z 2 + Z1 Z 3 + Z 2 Z 3
Z 13 =
Z2
Z1 Z 2 + Z1 Z 3 + Z 2 Z 3
Z 23 =
Z1
I E PU=UI U =RI
I=
r +R R
⇒U = E
r R U R +r
R
⇒ PU = E2 U =RI
E (R + r )2
16
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
E²(r + R ) ≠ 0
R (r)
r
⇒
r + R − 2R = 0 ⇒ R=r
r
PUmax= E²
(2r )²
E²
⇒ PUmax=
4r
Pour que la puissance soit Maximale dans la charge, il faut que la résistance interne du
générateur soit égale à la résistance de charge.
17
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Chapitre
LE COURANT ALTERNATIF
SINUSOÏDAL
18
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
y (t)
A A 2
ϕ t (t)
T
y : Valeur instantané
A 2 : Valeur maximale
A : Valeur efficace
T : Période du signal
1
f = : fréquence du signal (nombre de fois que le signal se répète par unité de temps)
T
ϕ : phase de la tension à l’instant initial
A toute fonction sinusoïdal Y définit par y(t ) = A 2 sin (ωt+ ϕ ) on associe le vecteur y qui
a pour module A et pour argument ϕ ⇒ y = [ A; ϕ ]
A y
ϕ Rp
19
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
t (ms)
U2 (t)
t (ms)
20
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Si ϕ1−ϕ 2 =π + 2kπ avec k∈ Z, nous disons que U1(t) et U2(t) sont en opposition de phase
U1(t) U2(t)
T (ms)
0
Remarque : la loi des nœuds, des mailles, de Thévenin etc. ….. est valable pour les
expressions instantanées vectorielles, complexes mais jamais en valeur efficace.
Exercice 1
Faire la représentation mathématique des fonctions suivantes.
2π
U (t) = 120 2 sin 3,14t −
3
7π
I (t) = 14,1 2 sin 100πt +
3
Exercice2
π
On donne U1 (t) = 141,41 sin 200πt −
3
− déterminer la valeur maximale, la valeur efficace et la fréquence
− calculer la valeur de U1 à l’instant t = 20ms
− déterminer U2 (t) en quadrature arrière par rapport à U1 et dont la valeur efficace est
la moitié de U1.
− Faite la représentation vectorielle de U3, de U3 = U1(t) – U2(t) de U4 = U1(t) – U2(t)
21
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Chapitre
22
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Généralités
Les semi-conducteurs sont des corps dont la résistivité est intermédiaire entre celle des
conducteurs et celle des isolants ; contrairement au conducteur, sa résistivité diminue avec
la température.
23
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Chapitre
DIODE A JONCTION
24
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
I. Définition
C’est un composant électronique unidirectionnel qui a pour rôle dans la plupart des
montagnes est de laisser passer le courant dans un sens. Le sens passant est appelé sens
direct et le sens bloqué est appelé sens inverse.
II.Symbole
Sens direct
A k IAK A k
IAK P N
UAK
UAK
En pratique
B A
Sens inverse
k
IAK
UAK
Direct Inverse
Hyperbole de
2 - Caractéristique réelle puissance
Id (mA)
IC = Pmax
A VCE
a) direct
0 C U0 U (v)
b) inverse
D
(fig.1)
25
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
− Zone OC : la diode est soumise à une tension (U) inférieure à la tension de seuil
(Uo), mais aucun courant ni circule : c’est la zone de blocage direct.
− Zone CB : dans cette zone un léger courant circule dans la diode : c’est la zone
du coude.
− Zone BA : le courant devient de plus en plus important c’est la zone de
conduction ou Zone linéaire.
− Zone A→ → ∞ : pour une faible variable de la tension le courant croît fortement
c’est la zone de claquage directe.
− Zone OD : la diode ne conduite pas (Id∼ 0) c’est la zone de blocage inverse.
− Zone DF : pour une petite variation de la tension on a une grande variation du
courant c’est la zone de claquage inverse.
3 - Caractéristique linéaire
I (mA)
O Uo U (v)
a)-Modèle équivalent
Equation de la droite y =ax+b
y = I Soient A Uo et B U B
x=U I
Io B
0 = aU O + b....(1 )
⇒ b = - aU0
I B = aU B + b....(2 )
(2 ) ⇒ I B = aU B − aU O ⇒ I B = a (U B − U O ) ⇒ I B − O = a (U B −U O )
I B − I BO = a (U B − U O )
∆I 1 1
∆I = a∆U ⇒ a = = ⇒ a=
∆U R d Rd
UO
⇒ b=
Rd
1 U
L’équation I = U − O ⇒ RdI = U − U O
Rd Rd U = U O + Rd I
26
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
A K A K
I
U
U Diode idéale
4) Caractéristique idéale
I (mA)
O Uo U (v)
a)-Modèle équivalent.
K A I
I
U =0
U
I > 0
U < 0
U = 0
I = 0 Polarisation directe
Polarisation inverse
I
R
On donne E,R et la
D U caractéristique de la diode
E (D) voir (fig.1)
Problème : déterminer I et U
E − RI − U = 0 ⇒ I =
E U
− ⇒ I =−U + E
R R
R R
Equation de la droite
de charge
28
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Chapitre
29
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
2. Redressement
I moy =
[aire ]
T
Exemple :
20 x 7
I moy = = 14
10
20
I moy = 14 mA
0 7 10 17 20 27 t (ms)
Exemple : I
2
=
(20 ) 2
x7
= 280 I 2 eff = 280mA ⇒ I eff = 280 = 16,7
eff
10
Ieff 2= 16,7mA
Exercice d’application
Calculer les valeurs efficaces et moyennes des signaux suivants.
a) U (V)
b) I (mA)
5
10
0 t (ms)
10 20 30 U0
0 10 20 30
t (ms) -10
30
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
d) U (V)
c) U (V) 20
30
10
t (ms) 0
0 15 20 30 45 10
30
Alt
La diode est passante
i
V Ud U d= 0
UR V
∼ R
U d = 0V v =UR ∼ R UR
Alt
La diode est bloquée
UR = 0V V Ud
UR
v =Ud ∼ R
v(U)
t (ms)
0
UR(v)
0 t (ms)
Ud(v)
t (ms)
0
31
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Eléments nécessaires en mono alternance
Vˆ
Valeur moyenne de URmoy U RM =
π
Vˆ
Valeur efficace de v = veff v eff =
2
Vˆ
Valeur efficace de UR = v U Re ff =
2
Vˆ
Courant moyen I Rmoy =
πR
Tension inverse max U Dinv = Vˆ
Taux d’ondulation T =
2
F
Vˆ
U eff π
Facteur de forme F = = 2 = = 1,54
U Rmoy Vˆ 2
π
D1
D2
V
∼ i
D3 D4 U
32
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Alt
Ud1
Ud2
Ud1 =Ud3 =V0
V
∼ v −UR = 0 ⇒ v =UR
UR v + U d 2 = 0 ⇒ v = U d 2
Ud4 R
Ud3
v −Ud4 = 0 ⇒ v =Ud4
Alt
Ud2 =Ud4 =V0
Ud2 v + 4 = 0 ⇒ U = −v
Ud1
V
∼ v − Ud1 = 0 ⇒ Ud1 = v
Ud3
Ud4
R UR
v −Ud3 = 0 ⇒ Ud3 = v
v(U)
t (ms)
0
UR(v)
t (ms)
0
Ud(v)
t (ms)
0
D2 DD4 D1 D3
33
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Ud1
Alt
D1 Conduit, D2 bloquée
D1
v V= UR Ud1 = 0
v
UR UR
v Ud2 + V +Uk = 0; or Uk = V
v
Ud2 + V +V = 0 ⇒
D2
Ud2 = -2V
Ud2
Alt Ud2
D1 bloquée, D2 conduit.
v(U)
V̂
t (ms)
0
UR(v)
t (ms)
− V̂
t (ms)
− 2Vˆ
D2 D1
34
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Eléments nécessaires en double alternance
2Vˆ
Valeur moyenne de U Rmoy =
π
Vˆ
Valeur efficace de v = v eff =
2
ˆ
Valeur moyenne de UR = vU Re ff = V
2
2Vˆ
Courant moyen IRmoy = I Rmoy =
πR
Tension inverse max U Dinv = Vˆ (Pont de Graëtz).
Pour le montage double alternance, on réalise que la charge conduit pendant les 2
alternances d’où le nom double alternance.
Exercice d’application :
Les diodes sont supposées parfaites les tensions v1 et v2 sont2 tensions sinusoïdales
de valeur efficace 24 v et fréquence 50hz en opposition de phases
1°) Ec
2°) rire l’expression de V1 = f (t) ϕ1 = 0 et V2 = f (t)
I
3°) Donner la valeur instantanée de v1 (t) à t =
4
4°) Représenter U1 (t), U2 (t), Ud1 (t), Ud2 (t), Ud3 (t), Ud4 (t) en prenant une même
origine des temps.
5°) Calculer U1moy su R = 1kΩ
6°) Déterminer le facteur de forme et le taux d’ondulation de ce montage.
35
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
D1
V1
R U1
D2
V2 R
D3
D4
Montage expérimental
1k 2
R1
R2
E
V
Uc (v)
Ic (mA) T(ms)
E
R
T(ms)
Equation de charge
E – RIC = UC
d UC r
U C ⇒ U C (t) = E 1 - e
t
r1 c
E - RC =
dt
t = R1C (constante de temps de charge)
à t = T ⇒ UC = 0,63E
à t = T ⇒ UC = E
36
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Uc (v) R = 0Ω
R petit
R grande
N.B.
* Si R = 0 Ω T est très petit
⇒ Charge rapide.
* Si R grand T est grand.
⇒ Charge lente.
* On considère en pratique que le condensateur se charge entièrement après un
temps t =3T.
Rappels mathématiques
In ex = x e
−∞
= 0 . e0= 1
Exemple de calcul :
Problème : calculer T1 avec Uc = 5V, E = 10V, R =1kΩ, c =10µF
−t
UC = E 1 − e
R1 c ⇒ U C = 1 − e − t R c ⇒ − t R c = − U C ⇒ − t R c 1
1 1 1
E E 2
t 1 t
− = In ⇒ = −0,69 ⇒ t = Rcx 0,69 ⇒ t = 10 3 x 10 −6 x 0,69
RC 2 RC
t = 6,9 ms
t(ms)
IC (mA)
U C = Ee− t RC
E
R T =R2C
t(ms)
37
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
k I
R
E UC
v C ve
t(ms)
T
2 t(ms)
T T
T T
Pour t compris entre 0 et I et (0 < t < ) le condensateur se charge à travers la diode.
4 4
38
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
T
At= le condensateur est chargé à sa valeur maximale et conserve cette valeur jusqu’à
4
l’infini car il ne peut plus se décharger d’où le signal est continue sans être régulier ou
stabiliser.
v C uc R
V(v)
t (ms)
UC(v)
V̂
Umoy
Umin
t (ms)
∆U = ondulation crête.
2∆U= ondulation crête à crête.
Vmax − Vmin
2 ∆U = Vmax − Vmin ⇒ ∆U =
2
V − Vmin
U moy = Vmax − ∆U ⇒ U moy = Vmax − max
2
Vmax + Vmin
U moy =
2
Q = CU = It
2C∆U = I∆t ⇔ 2C∆U = I (t 2 − t 1 )
2C∆U = IT
C= I T
2∆U (Mono alternance)
39
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
T
En double alternance Td =
2
ITd
C=
4 ∆U
i = ic + ik
La diode est bloquée lorsque i=0
v = Vˆ sin ωt
Vˆ
i R = sin ωt
R
iC = C
dV
dt
( )
= C Vˆ sin ωt ' = C (Vω cos ωt ) ⇒ ic = CVˆ ω cosωt
Vˆ
i = 0 ⇒ sin ωt + CV cosωt = 0
R
sin ωt + RCω cosωt = 0
sin ωt
RCω
cosωt
⇒ tgωt = - Rcω
Posons γ
ωt1= γ ⇒
γ
T1 = temps de blocage de la diode
ω
t2=t1+T
Remarque
Décharge rapide
UC(v)
T<<T
u (ms)
UC(v) Décharge lente
T<<T
t (ms)
UC(v)
T∼T
t (ms)
40
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
2. Montages écreteurs
a-1) Redressement mono alternance avec débit sur R-E
D
V R uR
∼
U R = 0 E
* < t < t1 la diode bloquée ⇒
U = E
U =v
* t1 < t < t2 la diode conduit ⇒ U R = U − E
U = v − E
R
V(v)
t (ms)
UR(v)
t (ms)
U(v)
E
t (ms)
U R = 0
* t2 < t < t2 +T la diode bloquée ⇒
U = E
v = E + RI ⇒ v−E Vˆ − E
I= U moy =
R π
Vˆ sin θ 1 = E
E 1
sin θ 1 = =
Vˆ 2
π
π θ = + 2kπ θ1 = 5π
1
sin θ 1 = sin ⇒ 6 k∈ Ζ ⇒ 6
π 5π
6 π θ 2 =π −θ1 =π − 6 = 6
θ 1 = − + π + 2kπ
6
41
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
θ1
θ 1 = ω 1 ⇒ t 1 = ω
⇒ Temps de conduction de la diode ∆t = t 2 − t 1
θ2
θ 2 = ω 2 ⇒ t 2 =
ω
U =v
O < t < t1 la diode bloquée ⇒
R U R = E
V UR U=E
Ud t1 < t < t2 la diode conduit ⇒
∼ U
U R = v − E
E T U =v
t2 < t < t2 + diode bloquée ⇒
2 U R = 0
v(v)
t (ms)
0
U (v)
t (ms)
UR (v)
t (ms)
42
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
0<t<t1
* D2 et D1 sont bloquées
U=v UR = 0V
t1<t<t2
* D2 conduit et D1 bloquée
U = E2 UR =v- E2
t3<t<t4
* D2 et D1 bloquées
U = E1 UR =v- E1
t4<t<t
* D1 et D2 bloquées
U=v UR =0V
v(v)
E1
E2 t (ms)
U (v)
t (ms)
UR (v)
t (ms)
43
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Chapitre
LA DIODE ZENER
44
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
1. Définition
C’est un diode à jonction au silicium qui laisse passer en plus du courant direct, un
courant électrique inverse relativement important sans endommagé celle-ci par le faite du
phénomène de claquage par effet d’avalanche.
* Claquage par effet d ‘avalanche
Après une certaine tension appelée tension de claquage, il se produit à l’intérieur de la
jonction une ionisation qui crée des porteurs minoritaires et rend la diode conductrice.
A K A K A K
.
b) Pratique
BZY99C4V7
BZY99C4V7
B : silicium Exemple :
Z : zener A ( 1 %), B (2 %), C (5 %)
Y99 : numéros de séries D ( 10 %) ; E (20 % )
C : tolérances
a) Directe
IZ (mA)
A
Rp
E
V
UZ (v)
U0
45
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
UZ (v)
IZ (mA)
D
UZ (v)
0,6
E IZm
f IZM
Iz : Intensité inverse
IZm : Intensité inverse minimale
IZM ; Intensité inverse mascimale
E-F : zone de claquage par effet d’avalanche
O-D : zone de fuite (courant inverse petit)
Rp : Résistance de protection
46
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
4. Introduction à la stabilisation
La stabilisation a pour but de maintenir la tension de charge presque constante
même s’il y a variation de la tension du secteur ou de la résistance de charge. C’est le
système que l’on applique dans certain circuit comme le régulateur de tension dont le
composant principal est la diode zener
i1 IC Hypothèse :
IZ DZ idéale ⇒ RZ = 0
Rp
R C UC Tension inverse constante dès que le
U courant n’est plus nul.
Stabilisateur
U R C UC RC
UC = .U
RC + R P
* Début stabilisation
Iz = 0 mais Uc=Uz et i1 =ie
i1 ic
Rp
Uc
RC
U Rc .U
Uc = U z =
Rc + RP
47
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
* Domaine stabilisation
Iz ≠ 0 ⇒ i1 = IZ+ ic
i1 ic
RP U=Uz+RP (iz+ic)
Rc
Uc 2 ic= Uz
U Rc
→2 ⇒U =Uz + RP(iz + Uz )
Rc
R
U =U z + Uz + RPiz
P
Rc
U =Uz(1+ RP ) + Rpiz
Rp Rc
U max =U z (1+ )+ R p I z max
Rc
0 U
Avant U’ U’’
stabilisation Domaine
Stabilisation
RC
Uc = .U
Avant stabilisation Rc + Rp Y =ax
Début stabilisation Uc = Uz
Rp
Domaine stabilisation Uc = Uz U'=(1+ )U z U’’ = U’ + RpImax = Umax
Rc
Plage stabilisation ∆U = RpIzmax
∆U =U’’ – U’
48
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
VZ
(v)
R
b)
Dz1
v Vz
∼
Dz2
b)
Iz (mA)
Iz (mA)
Dz1 Dz2
vz
Uz vz
0 Uz (v)
0 VZ0
49
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Chapitre
LE TRANSISTOR
50
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
1- Généralités :
C’est un nom qui a été donné au transistor bipolaire, car on l’appelait transistor tout
court; mais ensuite avec la création de plusieurs autres transistors ( transistors à effet de
champ, transistor uni-jonction, transistor de puissances etc……)appelle transistor bipolaire.
Dans le cadre de notre cour nous allons nous attarder uniquement sur l’étude des
transistors bipolaire et à effet de champ.
a-) Introduction
Encore appelé F.E.T (field effet transistor) il est dite unipolaire car il ne circule q’un
seul type de porteurs. On l’obtient par diffusion d’une ou de deux zones P à l’intérieur d’un
barreau de type N.
Sous l’effet d’un champ électrostatique, la section utile de partie conductrice varie :
l’intensité du courant qui y circule peu être ainsi réglée :
Il existe deux types de T.E.C
− Les T.E.C à jonction ( JFET )
− Les T.E.C à grille isolée (MOSFET)
( métal oxyd semi-conducteur field effet transistor)
b-) Constitution
Sur un substrat de type P, on divise une zone de type N, cette région est appelé
canal au centre de cette région on diffuse une de type P sur laquelle on place un contact
métallique appelé grille (G) de chaque côté de la grille on place un contact métallique sur la
zone N appelée drain (D) et source (S)
D S G
T.E.C à canal N
P
N N.B : le T.E.C à canal P s’obtient en
inversa nt toutes les zones
canal P
substrat
D D
G G
S S
T.E.C à canal N T.E.C à
D: G : Grille canal P
S : Source
51
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Schématisation
Lois des mailles et des nœuds
VDG D
ID
IS = ID +IG
G
VDS Or pour le T.E.C IG = 0 ⇒ IS ≅ ID
IG
IS
VDS = VDG + VGS avec VGS ≤ 0
VGS S
ID ( ma )
D A
20 V
V VDD
S
0
6V VDS ( V )
INTERPRETATION DE LA CARACTERISTIQUE
− VDS < 2 V : la caractéristique est assimilable à une droite passante par l’origine le
TEC se comporte comme une résistance.
− VDS > 6 V la caractéristique est pratiquement horizontale.
− 2 < VDS < V : le rétrécissement du canal devient de plus en plus important et la
résistance de ce dernier augmente alors Id n’est plus proportionnel à VDS.
− VDS > V : rétrécissement est très important dont il y a plus accroissement de Id,
la tension à partir de laquelle la caractéristique est horizontale, est appelée tension de
pincement ( VP )
ID = f( VBS )
Elle a pour équation:
52
( )
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
2
I D = I DSS 1 − V GS VP : tension de pincement VP = VGS min
VP IDSS : courant maximal de Id ( VGS = 0 V)
ID(ma)
ID(ma) VGS0
IDSS VGS1
IDSS
VGS2
VGS3
VGS(v) Vp 0
VGS4 = VP
VGS(v) Vp 0
VDS(V)
E- Polarisation
1-) Polarisation source
− V SS + R S I S + V GS = 0 ⇒ I S = V SS − V GS
RS
VDD
I S =VSS −VGS ≅ I D
RS
RD
IG ID
IS
Rg VGS
RS
-Vss
53
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
VDD
VD
R1 RD RD
ID
ID
R2 IS IS
RS Rth VGS
RS
⊕
E th
− Eth +VGS + RS I s = 0⇒
I S = −VGS + Eth ≅ I D
RS
RS IS + VGS = 0 ; or ID = IS
⇒ R S I D + V GS = 0
ID
IG
I D = − V GS IS
RS VGS
⊕
VDD
RG RS
54
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
I D = −VDS + VDD
RD + RS RD + RS
Remarque: en continu (étude statique) les condensateurs sont considérés comme des
circuits ouverts.
+VDD
VD
R1 RD RD
R1
Ce ID
C
RG R2 R2 IS
RS
Cs RS
~ Eg
55
−−
RD
Données
ID(ma)
-6V
IDSS -5V
-4V
A IDO B
56
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
3-) La droite d’attaque coupe la caractéristique d’entrée au point A (VGSO
IDO) et la droite de charge coupe la caractéristique de sortie au point
B(VDSO IDO) on déduit donc VDSO et IDO
RSID+VGS =0 et (
ID = I DSS 1 − V GS
VP
)2
Exercices d’applications
EXERCICE 1
RD
RD Données : RD = 1000Ω, RS= 680Ω ,
VGG= 0,6V , VDD=20V , ID= 5mA.
RG
1-) Déterminer VGS et VDS
2-) Déterminer et tracer la droite de
RS charge et la droite d’attaque.
VG
Exercice 2 :
+VDD
RD
RS = 068kΩ , VDD=20V RD = 1kΩ
57
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
ID(mA) 0
VGS(v) -4 -3 -2 -1 0
a-) Description
D D
B : Substrat
G G
B B B:
S S
Canal
Canal N Canal
Canal P
CARACTERISTIQUES
ID(mA) ID(mA)
10V
4V 8V
2V 6V
0V 4V
-2V 2V
-4V 0V
0 0
VDS(V) VDS
58
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
À appauvrissement À enrichissement.
On constate ici que pour un transistor MOSFET à appauvrissement, VGS peut prendre des
valeurs tant bien positive que négative, le canal est d’avantage appauvri pour VGS<0V. pour
un MOSFET à enrichissement, la plus petite valeur de VGS est zéro. Lorsque VGS
augmente plus le canal s’enrichira de porteurs plus le courant ID sera élevé.
Remarque : il existe les MOSFET à appauvrissement à canal P constitué de manière
identique mais des polarités de dosages sont inversées.
S G D
S02
N N
Canal
Substrat P
− La source (s)
− Le drain (d) séparé de sustrat par une couche de sisillicium N fortement dopé
(N +)
− La grille (G) isolé du substrat P par une couche du dioxyde de sillicuim (S02)
VGS1 VDD
VE =VDD nous avons :
IS VE = 0 on a:
59
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Du fait de sa grande résistance d’entrée qui entraîne IG≅0 le schéma équivalent du T.E.C
En amplification est donné ci-dessous.
G
D
gm : transconductance
rds : resistance internedu T.E.C
VGS
VGS
rds
gm
VDD
RD
D
C1 G
RD Vs
Vs
RG S
Rg RS Rg RG
Cs
eg
~ eg ~
G D
Rg VGS
Ve rds VS
RG
eg ~ eg
S
S
60
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Amplification en tension AV = V S
VE
−(rd // RD )gmVGS
AV = −gm(RD // rds )
AV = ⇒
VGS
Impédance d’entrée Z e = Ve
Ie
Ve = RG I e ⇒ Z E = RG
b-) Montage drain commun
VDD
RD CD
CS
Rg
Ve RS VS Rg Ve
R S VS
eg
~ eg ~
G S
Rg VGS rds RS
V VS
eg g
~ m
D
61
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Amplification en tension AV = VS
Ve
Ve = Vs + VGS
VS
VS = (rds// RS)gm VGS VGS =
(rds // Rs )gm
VS
Dans VS =
(rds // Rs )gm
1 Vs 1
Ve =VS 1+ ⇒ =
(rds // Rs )gm Ve 1+ 1
(rds // Rs )gm
AV =
(rds // Rs )gm
1+ (rds // Rs )gm
Impédence de sortie ZS = VS
IS
Pour déterminer, ZS on enlève la charge (si elle existe) puis on déterminer le courant de
c - c et la tension de sortie à vide
ICC = gm VGS = gm Ve
Vso = Ve - VGS
VS =(rds // RS )g mVGS V GS = VS
(rds // R S )g m
VS 1
V S =Ve − ⇒ Ve =Vs 1+
(rds // R S )g m (rds // R S )g m
ZS = 1 = Vs ⇒ rds // Rs
Zs =
1+ (rds // Rs )g m
1 Icc
g m 1+
(rds // Rs )g m
62
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
VDD
RD R
VS
CS
Cg
VS
Rg
Rg
Ce RG RS RL RS RL
eg eg
~ ~
G D I+ gm VGS
63
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Amplification en tension AV = V S
Ve
1 .) V e + V GS = 0 ⇒ V e = − V GS
V S = V e + r ds I ⇒ I = V S −V e
2 .)
r ds
3 .) V S = (R D // R L )(I + g m V GS )
2 DANS 3 (
⇒VS =(RD // RL ) VS −Ve − g mVe
rds
)
(
V S = (R D // R L ) V S − Ve − g mVe
rds rds
)
( )
VS 1− RD // RL =−Ve(RD // RL ) 1 + g m
rds rds
( )
(R D // R L )− rds 1+ rds g m
Vs =Ve (R D // R L )
rds rds
V
AV = =S ( RD // RL )(1+ rds g m )
Ve (RD // RL )− rds
Impédance de sortie Z S = VS
IS
Z S = RD
Impédance d’entrée
Z e =Ve
Ie
Ve = RS (I e + g mVGS ) Ve = RS (I e − g mVe )
64
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Z e = Ve = RS
I e 1+ R S g m
B) Transistor bipolaire
1 . structure interne
Symbole et convention
C N E C P E
N P P N
B B
E : Émetteur C : Collecteur B:
Base
C E C E
N P N
N P P
B B
Tensions
VCB C VBC C
B Vcc B VEC
VBE VEB
E E
65
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Courants
C C
IC
IC
IB IB
B B
IE IE
E
É
VCE =VCE +VBE VEC =VEB +VBC
Remar
VCB et VBC ne sont presque pas utilisés dans les problèmes
I E = I B + IC I C = βI B ( β : gain en courant)
I E = (β +1 )I B
Remarque en pratique on retrouve les formes suivantes du transistor bipolaire
E
C C
B
E
E B C B
66
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
RC
RB
A VCC
V VBE
VBB
Entrée Sortie
Ic(mA)
IB4
IB3
IB2
IB1
IB0
IB(MA) 0 VCE(V)
0,7
VBE(V)
67
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
L’effet transistor
C’est le fait que le courant du collecteur traverse la jonction collecteur base dans la sens
inverse.
C
IC1
IC2
IB B
B T1
T2
IE1
E
IE2
I E2 = f (I B1 )
β 1 et β 2 〉〉 1 ∗β = β1= β 2 ∗β
2
〉〉 2 β
68
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
I E2 = I B1(β1β 2 + β1β 2 ) (
IE2 = I B1 β + 2β
2
) I E2 ≅ Iβ 1 β
2
La polarisation a pour but de placer le transistor dans un état dit de état de repos ( état à
partie duquel le transistor sera apte à amplifier le courant signal) il existe donc 4 possédés
de polarisation.
+VCC
Rc Rc
IC
IG
VS
R RB VS RB
IE
VBE
EB
~
VCC =VCE + RC I C ⇒
I C = − VCE + VCC
RC RC
EB −RBIB −VBE=0 ⇒ I B = − V BE + E B
RB RB
69
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
+VCC
Rc Rc
R1 IC IB
IB
I1
IE Rth
R2 VBE RE RE
Eth
1ère méthode
I C = βI β ⇒ I B = I C ⇒ I E =
( β +1 ) I C
β β
β +1
⇒ V CC = R E I C + V CE + R C I C
β
(3) dans (1 )
β +1
VCC −VCE = I C RC + R E
β
I C =− VCE + VCC
β +1 β +1
RC + RE RE + RE ÉQUATION DE LA
β β DROITE DE
CHARGE
VCC −V BE − R E (β +1)I B
⇒ I1 =
R1
V CC − V BE (β + 1 )I B
R 2 − I B − V BE − R E (β + 1 )I B = 0
R1
R1 R1 R1
[
R2 VCC − R2 VBE − R2 RE (β +1)+1+ RE (β +1) I B −VBE = 0 ]
( )[
R2 VCC −VBE R2 +1 − R2 RE (β +1)+1+ RE (β +1) I B = 0
R1 R1 R1
]
IB =
( )
VBE R2 +1
R1 +
VCC R2
R1
R2 RE (β +1)+1+ RE (β +1) R2 RE (β +1)+1+ RE (β +1)
R1 R1
2eme méthode
+VCC
Rc
RTh = R1× R2
R1 + R2
IB
Rth
Eth = R2 VCC RE
R1 + R2 Eth
R1 RC
VCC VCM
Rth
R2 VBE RE RE
Eth
71
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
d-) POLARISATION EN DIRECT
VCC
① Vcc= VBE +RBIB
Rc
R1
I B =−VBE + VCC
Rβ RB
VBE ② Vcc=VCE+RCIC
I C = −VCE + VCC
RC RC
Remarque :
V CC − V CC
le point de fonctionnement est optimal lorsque V CE =
V CC etI C = 2 = v cc
2 RC 2 RC
Exercices d’applications
Exercice 1 :
Rc
R1
VCE
R2 VBE RE
72
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Calculer IB,IC,I1,I2, et VCE
N.B: le transistor est au
SILICIUM
(VBE =0,7V )
Exercice 2 :
+Vcc
C2
R1
T2
C1 On donne Vcc=50V R1= 4KΩ, R2 = 25Ω
E2 R3 =100Ω,VBE1 =VBE2 =o,6V, β1 =100, β 2 =50,VE2A =5V
T1
R
E1 R2
R3
A
73
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Ic(mA)
IB4 50μA
IB3 40 μA
IB2 30 μA
ICO P0 IB1 20 μA
IB0 10 μA
IC=f(VCE)
IBO
IB(MA) 0 VCE0 VCE(V)
VCEO
IB=f(VBE) Po
ICO
VBEO
QO VBEO
Qo
IBO
VBE(V)
C’est le passage d’un état à un autre par extension on dit qu’un composant fonctionne en
commutation quand il n’est utilisé que dans deux états et que le basculement d’un état dans
un autre est rapide.
a) Transistor bloqué
Condition de blocage
I B =0⇒ I C =0 VBE ≤0,7V (au silicium)
VCE ≅VCC I E =0
74
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Le transistor est bloqué lorsque son courant de base est nul (IB=0), la tension VBE inférieure
à 0.7V ou mieux négative, l’intensité du courant de collecteur nulle et la tension VCE égale à
VCC.
Remarque : lorsque la jonction base émetteur n’est pas relier à une source de
polarisation(base en l’air) ; le transistor est bloqué.
b) Transistor saturé
Lorsque le transistor est saturé VCE =VCESAT ≅ 0V (VCESAT ≅ 0.2V ); IB est très grand et IC est
plus grand β sat ≤ I C = β , mais nous avons toujours I E = I C + I B
IB
c) Temps de commutation
Il s’écoule un certain temps entre le moment ou on injecte à la base d ‘un transistor un
courant suffisant pour le saturé et le moment ou le courant dans le collecteur atteint
effectivement l’intensité de saturation : c’est le temps de com mutation
Ic(mA)
T(ms)
ts
Td tr
tf
toff
Tod
75
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Exercices d’applications
Exercice 1
R RC E1 E2 T Vs
D2
0 0
0 1
1 0
1 1
E2 VS
D1 N.B: B : transistor bloqué
E1
S : transistor saturé
Exercice 2 :
On attaque la base d’un transistor par un signal carré, donner la forme d’onde à la
sortie.
+VCC
Ve(v)
VS
0
Ve
76
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Exercice : 3
+VCC
Même question qu’à l’exercice
RC 2
D1 T2
D2 T1 E1 E2 T1 T2 Vs
E1 RE
0 0
VS
0 1
R 1 0
E2
1 1
a-) Généralités
Un amplificateur est un quadripôle qui permet de modifier les caractéristiques
d’un signal appliqué à son entrée (tension, courant, desphages)
vs vs
~ Amplificateur ~
Quadripôle
77
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
b-) Principe
A= Grandeurdesortie
Grandeurd'entrée
C h11 h21ib
i.
e.
h12VBE
B T h22vs
VBE VCE
Ve
(Vi )= [hh
s
e 11
21
h 12
h 22 ](Vi )
e
S
{iV= =h hi i++hhVV.......
s
e 11 e
21 e
....... (1)
22
12
(2 ) S
S.
78
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
h12 =0 h 22 =⇒ 0⇒ ϕ⇒∞
B ib C
h11 β ib
h11=r
d) Étude de l’amplification
79
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
+vc
c
rc
R1 C2
Ce
Rl Vs
R
Ve 2 Re CE
Ic (ma)
Ic(mA)
IB(MA) VCE(V)
VBE(V)
80
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Pour un montage émetteur commun la sortie est renversée et le déphasage est de π le montage
amplificateur fonctionne en régime dynamique ; c’est que l’on superpose à la composante
continue en entrée (élément de polarisation) une composante variable d’ou :
I c
= I co
+ I c
V CE
= V CEO
+ V CC
V BE
= V BEO
+ V BC
+Vcc
I.C
Ib
Ce Rc
Vs Vce
Ve
Ve
Re
ic = I C − I CO
UCE = − RC I Cor CE = −
U V CE V CEO
V CE −V CE = − RC (I C − I CO) ⇒V CE−V CE = − RC I C + RC I CO
0 0
=−
VCE
+ I CO +
V CE0
I C
RC RC
81
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Vcc
CC
CC
Rc RL Vs
Rg RL
Rg
Rg Rb
eg RE CC
~ VBB eg ~
ie ib h11
Rg
ϕh
RG
h21VS Rc
22 Rl Vs
h21ib
eg R
~
Hypothèses
ϕ = 1 ⇒ ∞
h = 0
h 22 12
ie B ib C
Is
Rg
RB H11 Rc RL
h21ib Vs
eg
~
82
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Étude
− Amplification en tension Av =
V S
V S
VS =−(RC // RL )h21ib
AV =
(RC // RL )h21
V e = h11 ib ⇒ h11
IS = RC
RC + RL
h 21 i b IB =
R B + h11 RB
(
R B I e ⇒ I e = 1+ h11 iib )
RC RC R B h21
+ R
h 21
Ai =
Ai= R ⇒
(RC + R L )(R B + h11 )
C L
R B + h11
RB
83
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Rc βib
r is
Ce Rg
Cs
Ve RB VS
RL RC RL
Rg VS eg ~
RB
RE RE
eg
eg ~
Étude
- Amplification en tension AV = V S
VE
R E (β +1)+ R + R B
IS= R C βib ⇒
RC + RC I E = I B
RB RB
IB=
R E (β +1)+ R + R B
IE
- Impédance d’entrée Z E =V E
IE
1) V E = R B (I E − I B )
V E =[R E (β +1)+ R ]Ib IB= RB
R E (β +1)+ R + R B
2) ⇒ I E.....3
3)⇒ 2 V E=
[R E (β +1)+ R]R B I E
R E (β +1)+ R + R B
[R E (β +1)+ R]R B ⇒
Z E =V E =
I E R E (β +1)+ R + R B Z E =[R E (β +1)+ R ]llR B
- Impédance de sortie Z S =V S
IS
Z S = RC
e-3) Amplificateur collecteur – commun
84
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
+Vcc ie ib R = h11 E
B
Rg Ve IS
R1
Ce VS
eg ~ R2 RE
R1 Bib RU
CS
Rg
R2
RE RU VS C
eg ~
- Amplification en tension AV = V S
VE
1) V S =(R E llRU )(β +1)Ib⇒ Ib= VS
(R E llRU )(β +1)
2) V E =V S + RIb
RV S R
1⇒ 2⇒V E =V S +
(R E llRU )(β +1)⇒V E =V S 1+ (R E llRU )(β +1)
AV = V S = 1 =
(R E llRU )(β +1) ⇒ AV = (R E llRU )(β +1)
V E 1+ R R(R E llRU )(β +1) R + (R E llRU )(β +1)
(R E llRU )(β +1)
R <<(R E llRU )(β +1)⇒ AV =1
- Amplification en courant AI = I S
IE
1) V S =(R E llRU )(β +1)Ib,V S = RU I S ⇒= −
(R E llRU )(β +1)Ib
RU
2) V E =(R1llR 2 )[I E − I B ]
85
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
- Amplification de puissance Ap = Av.Ai
( // )(β +1) ×− R
A ≈ [(R //RR )R
P
(β +1)+ r + R ] R
E
E
U
U
B
B
U
Car Av ≈1
V
- Impédance d’entrée Z =I e
e
V =(R // R )(i −i )
e 1 2 e b
⇒ ⇒ V =(R // R ) i − V
[( ) ]
e
R e
// R ( β +1)+ r
1 2 b
E U
V 1+ [(R // R 1)(β +1)+ r ] =(R // R )i ⇒ Z = I =1+ R 1R
V // e 1 2
e 1 2 e e
E U
(R // R )(β +1)+ r e
E U
V
- Impédance de sortie Z =I S
S
(R // R )β
I CC
=(β +1)i b U = Z Z+ R •e ⇒U
SO
e
g SO
=
R +(R + β R )
B E
e g g B B
R (R // β R )
Z S= 1 ×
g B E
β R +(R // R β )
g B E
86
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
EXERCICES D’APPLICATIONS
Exercice1
+Vcc
RC
R1
Etude dynamique
a-) Donner son schéma
CS équivalent en dynamique
b-) Déterminer
Ce b-1) amplification en tension
b-2) amplification en courant
RU
b-3) impédance d’entrée
Rg R2 RE b-4) impédance de sortie
Ce
Ve c-) Donner un nom au montage
eg ~
Exercice 2
+Vcc
RC C
S Données :
R1 R1 =4kΩ, R 2 = R C =1,5Ω, R E =500Ω,V CC =20V
Cg
1°) Déterminer le schéma équivalent en
continu.
Ce VS
2°) Déterminer l’équilibre de la droite de
Rg charge statique et la tracer
R2 3°) En déduire les coordonnées du point
RE de repos sachant que celui-ci est optimal
~
eg
87
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Etude dynamique
1°) Donner le nom et le rôle des condensations Ce, Cs et Cg
2°) Donner le schéma équivalent du montage en petits signaux
3°) Déterminer et tracer l’équation de la droite de charge dynamique
4°) Calculer :
a) l’amplification en tension AV
b) l’amplification en courant Ai
c) l’impédance d’entrée ZE
d) l ‘impédance de sortie ZS
e) l’amplification en puissance Ap
C- AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE
1-) Introduction
Icc
(m/s)
B
Vcc
(V)58
88
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
On dit qu’un amplificateur fonctionne en classe C lorsque la jonction émettrice
base est polarisé en inverse en régime continu.
On dit qu’un amplificateur fonctionne en classe D lorsque l’étage de
puissance fonctionne en communication.
L’amplificateur de classe A et B feront l’objet de notre étude
Alimentation
Pf
Pc Pu
Commande Amplificateur Utilisation
Pdisp
Pa = Pf+Pc or Pc ≤ Pf ⇒ Pa = Pf
η = Pu = Pu
Pa Pu + Pdisp
RC IC (ma)
T(ms)
VS (V)
T(ms)
Ve
89
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
- puissance absorbé
Pa = ∫ T
O ECe (t) = E 2
2Rc
Pa = E 2
2Rc
- Puissance utile
Pu = 1 ∫ T
O Pu d (t) = 1 ∫ T
O Vs (t). Ic (t).
T T
Pu = 1
T ∫ T
O (E2 +VssinWt ) (2ERc + 2VRc sinωt ) dt
S
Vc
Pu= E 2 +
4Rc 2Rc
- Puissance dissipée
Pdisp = E 2 −Vs 2
4Rc 2Rc
- Rendement
η = 1 + Vs 2
2 E2
Ib1 E
T1
S
Rg T2
Ib2 E
eg
- Puissance absorbée
1 2 E .V S sin ω td (t )
T
P a T ∫0
=
R
2 EV
P = S
P max= 2πER
πR
2
a a
- puissance utile
PU=T1 ∫0
T
2
VS(t ) is(t ) d(t )=V S 2
2R P max = E
U 2R
- puissance dissipée
2
2 EV V
Pdisp = Pa − P U = S
− S
πR 2R
Chaque transistor conduit pendant une alternance. Il est évident que la puissance
dissipée dans l’un est égal à la puissance dissipée dans l’autre.
2 2
= 1 V S −V S
E
P = P
disp 1 disp 2 2 πR 4R
- rendement
η = π V S
4 E
91
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Symbole
S1 +
+
US1S
- VE -
VE+ S2
2 VS
VE-
VE-
C1 C2
VC1E1 VC2E2
T1 T2
VCC
V2 V1+
A
V1- V2
I
R VAM
I
IE1 = IE2
IB1 = IB2
IC1 = IC2
Expression de VC2M
VC2M = v2
1) VCC = V2 + RC2IC2 IC > IB ⇒ IC ≅ IE ⇒ VCE = V2 + RC2IE
2) I’’ = I + I’ or I’’ = 2IE
2) I ' =
V AM = − V BE 2
2 R
= − V BE 2
2I E
I
R
V =V + R 1 I − V BE 2
CC 2 C2 2 R
= − 1 I − V BE 2
V 2 V CC 2 R R C 2
Remarque :
Avec une tension nulle aux entrées nous avons une tension de sortie différente en
appliquant les signaux variables aux entrées, nous aurons en sortie les signaux variables
comportant des composantes continues qui est VCM
93
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Schéma équivalent
B1 ib1 ib2 B2
A
E1 E2
+
V 1 β ib V1-
I
β
1
ib 2
R
C1 C2
V2
v 2
= − R C 2 β ib 2
en A i = β ib1+ β ib 2 +ib1+ib 2
i = (β + 1 )(ib 1 + ib 2
)
expression des tensions d’entrée
= Γ ib 2 + Ri = Γ ib 2 + R(β +1)(ib 1 + ib 2 )
−
V 1
= Γ(ib 1− ib 2 )
+ −
V −V1 1
V
+
1
−V 1
−
[
= Γ ∫ 2 R (β + 1 ) ](ib 1
+ ib 2
)
= Γ (ib 1
+ ib 2
)+ 2 R (β + 1 )(ib 1 ib ) 2
+ − + −
−V +
d’où ib − ib =V 1 1
ib + ib = V 1 V 1
Γ + 2 R (β + 1 )
et
1 2 Γ 1 2
94
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
par addition
+ − + −
V −V V +V 1
= 1 1
+ 1
ib 1 2Γ 2 [Γ + 2 R (β + 1 )]
par soustraction
+ − + −
−V +V 1
=V 1 1
+ V 1
ib 2 2Γ 2 [Γ + 2 R (β + 1 )]
V 2
=− R C
β ib 2
V =
β R ( C +
−V
−
)x 2 [Γ +− 2β RR(β + 1 )] C
2 2Γ V 1 1
(V )+ A
+ −
+V
= Ad
+
−V
− V 1 1
V 2 1 1 C 2
β R
avec Ad = C Ampli différentiel
2 Γ
− β R
= C
A C Γ + 2 R (β + 1 ) Ampli en mode commun
95
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Chapitre
AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL
(AO)
96
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
1. Généralités
Les amplificateurs opérationnels sont souvent des circuits intégrés. On les utilise
surtout pour effectuer les opérations analogiques comme :
a) Symbole
E- - ∞
E- -
S s
E+ E+ +
+
Représentation française
Représentation courante
E + : entrée non-inverseur
-
E
E - : entrée inverseur
ZS
ZA
E+
97
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
VE- -
i- et i+ courant d’entrée
Vd I+ S
Vs = tension de sortie
I+
+ Vs Vd = tension différentielle
d’entrée
VE+
NC
V+
8 7 6 5
1 2 3 4 V-
NC
a) Montage
+ VCC
VCC
-
VE-
+ VS
- VCC
VE+
VCC
98
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
b) Courbe
Vs(V+)
C D
+ Vsat
−Vsat
Ado
o Vs
+Vsat
Ado
A Vsat-
B
2. Zone de saturation AB et CD
Remarque
Pour faire fonctionner un AOP en commutation, on le fait fonctionner en régime
de saturation (contre réaction [⊕] est positive)
c) Caractéristique de AOP
Vs (v)
+ Vsat
Vd (v)
o
- Vsat
a) Linéaire
Dans les montages suivants, nous allons considérer que l’AOP est idéal c’est-à-dire
Vd = 0 r- = r+ = 0
Le calcul de Vs en fonction de Ve pourra se faire de 2 façons
100
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
1. Amplification non-inverseur
r+
+
r-
Vl -
Vs
I R2
R1
Kirchoff AO idéal
Vl = Vl = V-
V - = - R1 I
1) ⇒ Ve = R1I ⇒ I = - Ve
R1
2) Vs = - R1I – R2I
Vs = I(R1 + R2)
(
Vs = Ve 1+ R2 ⇒
R1
) Av = Vs = 1 + R2
Ve R1
Millman
Vs
V = R2 ⇒ V- = R1 Vs
-
1 + 1 R1+ R2
R1 R2
Ve = V+ ⇒ Vc = R1 Vs
R1+ R2
(
Vs = Ve 1+ R2
R1
)
101
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
2. Amplificateur inverseur
R2
1) Ve = R1 i
R1 2) Vs = R2 i
-
Vd
Av = R2 = Vs
+ R1 Re
Vc VS
Ve + Vs
V = R1 R2 =VeR2+VsR1=0
-
1 + 1 R1+ R2
R1 R2
V+ = V- = 0 ⇒ VeR2+VsR1=0
R1+ R2
Vs = − R2
Ve R1
VeR2 + VsR1 = 0 ⇒ VsR1 = -VeR2
+ VS
Ve
102
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
3. Sommateur inverseur
R3 R
R2
V3 -
V2 R1
+ VS
V1
V1 + V2 + V3 + Vs
V = V = 0 = R1 R2 R3 R
+ -
1 + 1 + 1 +1
R1 R2 R3 R
V1 + V2 + V3 + Vs =0
R1 R2 R3 R
(R1
Vs = - R V1 + V2 + V3
R2 R3
)
VS = - (V1 + V2 + V3)
Si R = R1 = R2 = R2
R1
-
R2
+
V2
VS
V1 R3
V2 + Vs
V = R1 R =V2R +VsR1
-
1 +1 R1+ R
R1 R
103
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
V1
V = R2 = R3 V1
+
1 + 1 R1+ R3
R2 R3
V+ = V- = R3 V1− R V2
R2+ R3 R1+ R
VsR1 = R3 V1− R V2
R1+ R R2+ R3 R1+ R3
si R = R1 = R2 = R3
Vs = 1V1− 1V2 ⇒ Vs = V1 – V2
2 2 2
5. montage dérivateur
C
i
-
ve
+
VS
1) VS = - Ri
VS = - RC dve
dt
2) I = C dve
dt
Vs = - RC dve
dt
b) Commutation
1. Montage comparateur
Un comparateur est un dispositif à deux tensions d’entrée et à une tension de
sortie. La comparaison s’effectue sur les deux tensions d’entrée et le basculement sur la
tensions de sortie.
104
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Exemple 1 :
Vd = E+ - E-
-
Vd < 0 ⇒ E+ < E- ⇒ V < µ
Vd
Vs ⇒ Vs = Vsat-
V
+
Vd > 0 ⇒ E+ > E- ⇒ V > µ
µ
Vs = Vsat+
Vd = 0 ⇒ tension de basculement
Vs(v)
V= µ
Vsat+
V(v)
U
Vsat-
v
U
T (ms)
T
Vs
Exemple 2
Vsat
+
T (ms)
o
Vsat-
2. Trigger de Schmitt
TRIGGER
Ve Vs
105
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
C’est un comparateur par hystérésis (à deux seuils de basculement) qui a une entrée
sur laquelle on applique le signal traité.
Ve Vd
+
Vs
R
R
Vref
Vd = E+ – Ve
Vs + Vref
Vs +Vref
E = R R =
+
1+1 2
R R
Ve ∈ [0,Ve]
Vsat+Vref
E+ = Ve = Ve B1 =
2
E+ < Ve ⇒ Vs = Vsat
Ve ∈ [Ve,0]
Vsat+Vref
Ve = e+ = Ve B2 =
2
106
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Vs(v)
Ve(v)
VeB2 VeB1
107
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
108
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Forme Algébrique
Z= a + jb ou a est la partie réel et b la partie imaginaire. Exemple : z= 3 – 2j
a
cos θ = ⇒ a = ρ cos θ
a
ρ
sin θ = b ⇒ b = ρ sin θ
ρ
Z = ρ(cosθ + j sinθ )
Opération dans ℂ
a. Addition
Soient deux nombres complexes Z1 et Z2 :
Z1=a1 + jb1 Z2=a2 + jb2
Z1 + Z2= a1 + jb1+ a2 + jb2
= (a1 + a2) + j(b1 + b2)
b. Soustraction
Soient deux nombres complexes Z1 et Z2
Z1=a1 + jb1 Z2=a2 + jb2
Z1 - Z2= a1 + jb1- ( a2 + jb2 )
= (a1 - a2) + j(b1 - b2)
c. Multiplication
Soient deux nombres complexes Z1 et Z2
Z1=a1 + jb1= [ ρ1, θ1 ] Z2=a2 + jb2= [ ρ2, θ2 ]
Z1 × Z2= (a1 + jb1) (b2 + j b2)
= a1a2 + ja1b2 + jb1a2 + j2b1b2
= a1a2 + j(a1b2 + b1a2)- b1b2
109
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
⇒ Z1 × Z2 = [ ρ1, θ1 ] × [ ρ2, θ2 ]
Z1 × Z2 = ρ + ρ ,θ 1 +θ 2 [ 1 2
]
d. Division
Soient deux nombres complexes :
Z1= a1 + jb1 ρ ,θ 1 [ ]
[ρ ,θ ]
1
Z2= a2 + jb2 2
2
Z = a + jb
1 1 1
Z a + jb
2 2 2
( + j b )(a − j b )
= a
(a + j b )(a − j b )
1 2 2 2
2 2 2 2
−j +j +
=a a a b b a b a 1 2 1 2 1 2 1 2
a +b
2 2
2 2
a a +b b1 2 1 2
+ j b 1 a 22
− a 1b 2
= Z 1
a +b a +b
2 2 2
2 2 2 2 Z 2
Z = [ρ ,θ ] ⇒ Z ρ
= 1 ;θ 1−θ 2
Z [ρ ,θ ] Z
1 1 1 1
2 ρ
2
2 2 2
Z = [ρ ;θ ]
1 1 1
1 1 1
Exercice d’application
Exercice 1
Soient deux nombres complexes Z =[3;30°] et Z =[4;45°]
1 2
Calculer :
leur somme
leur produit
leur différence
Z 1
Z 2
110
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Z (Z )
2
Le carré de 2 1
La racine carré de Z 2
Exercice 2
Calculer la tension U dans le montage ci-dessous :
Z1 Z2
Z1=3Ω
Z2= 2 –4j
E E =[120;0°] Z3
U Z3= 2;π
6
Exercice 3
I1 Z1
Z1= 2+3j
Z2= 4 Ω
[ ]
I2 Z2
I
Z3= 3 ;π
2 4
Z3 I2= 2A
I3
1. Calculer I1, I2 et I3
2. En déduire
R
i(t)
u(t)
ZR = U =
[
U eff ,0° U ]
=[ eff , 0]
I [
I eff ,0° ]
I eff
ZR = [ R , 0° ]
* Impédance Z = R déphasage φ = 0°
C)- Condensateur
i(t)
u(t)
(
i(t) = C Ueff 2 wsin ωt + Π = CωUeff;+ Π
2 2
)[ ]
Ueff,0 [ 0
] [C1ω ;− Π2 ]
Zc = U =
[
I CωUeff;+ Π
2
] Zc=
*Impédance
- Complexe:
Zc=-f 1 Zc= 1
Cω fCω
Module :
Zc = 1
Cω
argument : ϕ = − Π
2
d)- Inductance
L
i(t) di(t)
u(t)= L
dt
u(t)
112
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
= LIeff ( )[
2 sin ωt +π = LωIeff;+π
2 2
]
*Impédance
[LωIeff;+π2 ] [
Z = L ω ;+ π ]
z=u =
I [Ieff;0 ] 0
2
ZL = fl ω ϕ =+ π
2
Module : Z L
= Lω
113
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Chapitre
114
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
a) Association série
1. Résistance inductance
Montage
R L
UR UL
Calcul de l’impédance
Z = ZR + Zr
Z = R + jLω
Z= R + ( Lω )
2 2
déphasage tgφ = Lω
R
représentation de Fresnel (tension)
U =U +U
2 2 2
u c
u
R L
⇒U= U +U
2 2
R L
U RI R
R
UR i
2. Résistance condensateur
Montage
R C
i
UR UC
Calcul de l’impédance
Z = ZR + ZC
115
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Z = R - j 1 ⇒Z =
Cω R
2
+ 1
Cω
( ) 2
Déphasage
1
Tgφ = ω =− 1 ⇒tgϕ =− 1
C
R RCω RCω
Représentation de Fresnel
u R
i
l u =u C +u R
u =u +u
2 2 2
e R
u
u c
1
Tgφ = U = ω ⇒U =
C
U +U
C 2 2
U R
RI C R
Tgφ = - 1 < 0
Rcw
3. Condensateur inductance
Montage
L C
i
UL UC
Impédance
Z = ZC + Zr
116
( )
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Z = -j 1 + jLω ⇒ Z = j Lω − 1
Cω Cω
Z = Lω − 1
Cω
déphasage
l = + π siLω > 1
2 Cω
l = - π si Lω < 1
2 Cω
représentation de Fresnel
U= U −U L C
I = I Lω − 1
Cω
U C
U L
U i
UC
Remarque
R L C
UL UC
UR
U 117
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Impédance
Z = ZR + ZL + ZC
= R + jLω - j 1
Cω
Z = R + j Lω − 1 ( Cω
) ⇒Z = R +(Lω − C1ω )
2
2
Déphasage
Lω − 1
Tgω = Cω
R
Représentation de Fresnel
U = U R +U L −U C
U U =U +(U −U )
2 2 2
C
R L C
U +(U −U )
2 2
U= R L C
l
i
UR − Lω − I
Tgω = U U L C
= Cω
U R
RI
U =
(
I Lω − 1
Cω ⇒
) Lω − 1
Cω
C
IR Tgω =
R
Remarque
On peut également obtenir la représentation vectorielle des impédances et des
puissances soit en divisant par I ou en multipliant par I. la représentation reste identique.
118
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
i. Circuit RLC résonnant
X = 0 ⇒ Lω - 1 = 0
Cω
LCω O =1⇒ω = 1 ⇒ ω = 1
2 2
LC LC
or ωO = 2 π fo ⇒2πfo⇒2πfo = 1
LC
fo = 1
2π LC
QO = U =U C L
⇒ QO = 1 = Lω
U U RCω R
119
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
U(V)
U R
U R
F(Hz)
Fci F0 fcs Circuit inductif
Bande passante
wcs − wci
B = fcs − fci =
2π
On démontre ainsi que
B= R
2πL
Remarque
A la résonance extérieure, le dipôle se comporte comme un résistor parfait mais à
l’intérieur des surtensions importantes peuvent exister UL = UC peut être très grand. La
résonance est à éviter dans les circuits industriels où les tensions appliquées élevées
produiraient des surtensions dangereuses à la fois pour l’utilisation et les appareils.
Par contre, la résonance est très recherchée en radio diffusion et en télévision où les
tensions captées par l’antenne des récepteurs sont de l’ordre du µV et ne pourraient
produire ni son ni image.
120
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
b) Association parallèle
i. Résistance – inductance
IR R
i U
IL
Admittance
Y =Y R +Y L⇒Y = 1 − j 1
R Lw
module argument
Y= (R1 ) +(L1ω )
2 2
tgϕ = − R
Lω
représentation de Fresnel
i R
U
l
i L
i =i R +i L
() ( )
2 2
=i R +i L⇒(UY ) = U + U ⇒U Y =U 2 + U 2
2 2
2 2 2 2 2 2
i R Lw (Lw) R
1 + 1
U Y =U
2 2 2
R (Lw )
2 2
Y = 1 2 + (Lw1 )2 ⇒
2
R
Y= (R1 ) +(Lw1 )
2 2
121
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
IR R
i u
IC
c
Admittance complexe module
Y =Y R +Y C ⇒Y = 1 + fcw⇒
R Y= (R1 )+(cw) 2
Représentation de Fresnel
Tgω = I C
= UCω
I R
U
R
i C
i
Tgφ = RCω
l
u
i R
i R
R
C
i i C
i L
L
U
122
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Admittance complexe module
Y =Y R +Y C +Y L
( )
R Lw
Y = 1 + j cw− 1
R Lw
représentation de Fresnel
Tgω = I −IC L
i C U C
I R
UCω − U
Tgω = Lω
l U
U R
i R
Cω − 1
Tgω = Lω
1
R
i L Tgφ = R Cω − 1 ( Lω
)
- π ≤l ≤ + π
2 2
B. Résonance RLC parallèle
Par analogue avec l’exemple précédent, (résonance série) nous constatons que la pulsation
ωO tel que la partie imaginaire soit nul ou tgφ = 0. le module de l’admittance est égal à 1
R
dont le courant i et la tension u sont en phase : ω O =
1
Y = 1 φu – φi = 0
LC R
Remarques
A la résonance pour ωo = ω l’admittance Y étant minimale l’impédance équivalente
Z est max.
Si le circuit précédent est alimenté par un courant i de valeur efficace I constante et
de fréquence variable la valeur efficace U de la tension U est aussi max.
Inversement si le circuit est alimenté par une tension de valeur efficace U constante
à la résonance la valeur efficace I de courant i est minimal.
1)rappels
a) puissance active
P = UI Cosφ (WAH)
b) Puissance réactive
Q = UI Sinφ (VAR)
c) Puissance apparente
Q
sin ϕ +cos ϕ =1
2 2
Sinφ =
S
()
Q 2
Q P 2
S cosϕ =P
S
+
S S
=1
2
φ Q +P 2
2
=1⇒ S =Q + P
2 2
2
P S
2
S= Q +P 2
en (VA)
2. Théorème de Boucherot
a) Théorème 1
La puissance active consommée par plusieurs récepteurs est égale à la somme des
puissances actives consommées par chacun d’eux.
P = P1 + P2 + P3 + ……………. + Pn
b) Théorème 2
124
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
La puissance réactive consommée par plusieurs récepteurs est égale à la somme des
puissances réactives consommées par chacun d’eux.
Q = Q1 + Q2 + Q3 + ………… + Qn
c) Théorème 3
Les puissances apparentes ne doivent jamais être additionnées, elle se calcule par la
formule.
St = (Q ) +(P )
T
2
T
2
a) Résistance
φ=0
P =UI
P = UI cosφ ⇒
R
U Q=0
Q = UI sinφ ⇒
2
⇒ S = UI
S= Q +P 2
b) Condensateur φ =π
2
i P = UI cosφ ⇒ P=0
U U Q = UI sinφ ⇒ Q = -UI
2
S= Q +P 2
⇒ S = UI
125
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
5. Facteur de puissance
UI cosl ⇒
∫ P = PS ⇒∫ P = UI ∫ P =cosϕ
L’AES Sonel exige que pour toute installation alimentée en moyenne tension
tgφ = 0,4 ⇒ Cosφ = 0,92.
Q Q’ = Q - Qc
Qc = Q – Q’
QC
Or Qc = U2Cw
S
Q
tgφ = ⇒ Q = Ptgφ
P
Q'
l tgφ’ = ⇒ Q = Ptgφ’
L’ P
P(tgϕ −tgϕ')
C=
ω
2
U
126
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
EXERCICE D’APPLICATION
Exercice 1
I I3
I1 I2
C
V R L
Fig. 1
L C R
I
V1 V2 V3
Fig. 2
On met successivement en série et en parallèle les composants R,L,C comme
l’indique les figures 1 et 2. on donne f = 50 Hz R = 440 Ω C = 5 µ F L = 1 H
127
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Exercice 2
I.
Quelles sont les puissances actives et réactives consommées par l’installation ?
Quel est son facteur de puissance ?
II.
III.
Quelle est l’intensité efficace du courant dans un fil de ligne ?
IV.Quelle est la capacité du condensateur à placer en parallèle avec l’installation pour
relever le Cosφ à 0,9 ?
Exercice 3
Le dipôle de la figure 3 est inductif, les ampèremètres indiquent les valeurs efficaces
suivantes : I1 = 10 A I2 = 6 A I3 = 5 A
I1 I3
A A
I2
A
U D
R = 20 Ω
Exercice 4
Dans le schéma ci-dessous V = 380 V. dans les blocs symbolisant les récepteurs,
sont indiquées les puissances actives et réactives absorbées par chacun d’entre eux.
Calculer les valeurs efficaces des intensités des courants et des tensions indiquées
sur ce schéma.
128
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
V1
100 W 150 W
I3 V2
20 W
50 VAR
I4 400 W
1000 VAR
1) Définition
Un système est dit triphasé équilibré s’il est formé de trois grandeurs ayant la même
valeur efficace et déphasée les unes par rapport aux autres de 120°
Exemple
U1 = U 1sinωt U2 = Û2 sin ( ωt − 2π )
3
U3 = Û3 Sin ωt − 4π( 3
)
129
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
T
Récepteur
C’est l’ensemble de trois récepteurs monophasés
Ligne triphasée
Elle comporte 3 fils identiques appelle phase
Tension simple
Les tensions simples V1, V2 et V3 représentent les différences de potentiel entre
chaque fil de ligne (chaque phase) et le neutre. En régime équilibré V1 = V2 = V3 = V
Tensions composées
Les tensions composées U12, U13, U31 sont les différences de potentiel entre les
phases U12 =V1 – V2 U23 = V2 – V3 U31 = V3 – V1
Z
V1 I2
2 N’
U23 charges
I3 Z
3
V3
U
130
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
2 ligne
2) Relation entre U et V’
A
V 2
Considérons le triangle AOB
(isocèle)
π
6 AB = 2AH
U 23 U 12 Cosϕ = AH ⇒ AH = AOCosϕ
AO
H
AB = 2AO Cosφ
π AO = V
o
φ= π
6
V 1
6
B AB = V
U = 2V 3
U 31 2
V 3
U=V 3
a) Etoile
Z3 Z3 i3
i3 3
e3 1
Z2 Z2 i2
i2 2
2
e2
xc
Z1 i1 Z1 i1
3 1
e1
générateurs récepteurs
131
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
La tension aux bornes d’un élément est la tension simple soit V =U . Par contre,
3
cet élément est traversé par le courant qui parcourt la ligne soit respectivement I1 I2 et I3.
b) Triangle
i3 A
e3 Z2
i1
j1 j3 j2
Z1
Z3
i2 e2
j2
Z2 i1
C Z1 j1 B
e1
i3 i2
Z3 j3
Générateur
Au point A
Z1 C i1
j −i − j =0
3 3 2
Z2 i2
B i=j−j
3 3 2
Z3 i3
A
Au point
C
i=j−j1 1 3
i=j−j
2 2 1
Au point B
132
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Relation entre I et J
j 2
i 2
j A
1
i 2 α =π
o 6
B
j 1
i 3
j 3
- j 2
I
Cosϕ = ⇒ I = 2JCosϕ
2
J
I =J 3
I = 2J 3 ⇒
2
a) couplage étoile
chaque élément d’un montage triphasé est soumis à une tension de valeur efficace
V (tension simple) est traversé par un courant dont l’intensité efficace est I (courant en
ligne)
Q = 3VI Sinϕ
133
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
P = U 3ICosϕ
Comme V = U ⇒ Q = U 3ISinϕ
3
S = UI 3
b) Couplage triangle
Chaque élément montage triphasé est soumis à une tension de valeur efficace
U(tension composée) et est traversé par un courant dont l’intensité efficace est J
P = 3UJ Cosϕ or J = I/ 3
P = 3U I Cosϕ
3
ϕ = déphasage entre UR et IR
remarque
Que les couplages soient entre étoiles ou triangles, les puissances actives, réactives
et apparentes s’expriment de la même façon.
a) Couplage triangle
Q = UI 3 Sinϕ Q’ = UI 3 Sinϕ’
Remarque
Exercice d’application
Exercice 1
Les expressions des valeurs instantanées des tensions simples d’un système triphasé
équilibré sont :
V1 = 220 2 Cosωt V2 = 220 2 Cos ( ωt - 2π )
3
V3 = 220 2 Cos ( ωt - 4π )
3
- Quelle sont les expressions les valeurs instantanées des tensions composées
correspondantes ?
- On rappel que
cos (a+b) = cos a cos b – sina sinab
cos (a-b) = cos a cos b – sina sn b
p+ q p− q
cos P + cos q = 2cos cos
2 2
Exercice 2
Exercice 3
3) Quelle est la valeur efficace de l’intensité du courant dans chaque fil de ligne ?
135
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Chapitre
10
OPTOELECTRONIQUE
136
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
I- Généralité
Ce sont des composants électroniques non linéaires dont les caractéristiques varient
en fonction de la lumière.
a) Définition et représentation
Une photorésistante est une résistance constitué d’un matériaux semis – conducteur
dont la valeur dépend de l‘éclairement.
b) Principe de fonctionnement.
Il est constitué de semis – conducteur qui présentent une résistance très élevée
(100 kΩ) lorsqu‘il n’est pas éclairé.
En présence de la lumière, la résistance de la LDR diminue proportionnellement à
l’éclairage reçus.
Caractéristique
R (KΩ)
e (Lux)
Application
Ils sont utilisées pour la détection ou la mesure des éclairements : Exemple: Sécurité
alarmes, détecteur de flammes missile à tête chercheuse.
137
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
2.) Photodiodes
a) Définition et représentation
Une photodiode est constitué par une jonction PN extrêmement fine qui peut
être éclairé extérieurement, elle se branche toujours en inverse.
A
K
b) Principe de fonctionnement
Dans l’obscurité, elle bloque le courant comme toute diode. Lorsqu’on éclaire la
jonction, il y a passage du courant indépendant de la tension inverse
c) Application
Ils sont utilisés dans les tachymètres, dans les équipements de fibre optiques.
2) Phototransistors
a) Définition et représentation.
Les phototransistors sont un transistor en général au silicium de type NPM dont
l’élément semis – conducteur constituant peut être éclaire.
C C
B
B
E
E C E
138
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
* Caractéristique
Ib.
( µA)
E (Lux)
0
b) Principe de fonctionnement.
Lorsque le phototransistors est éclairé, il se crée un courant Ib. au niveau de
la base qui sature notre transistor ; Dans l’obscurité, Ib. = 0 ce qui bloque notre
transistor.
C) Application
Ils sont utilisés dans les circuits de contrôle industriel
- le contrôle d’éclairage automatique
- les circuits d’alarmes
- les détecteurs de niveau
- le comptage des objets
À bâtonnet
-T À disque
2a) Principe de fonctionnement
Lorsque la température augmente, la résistance du CTN diminue et quand la
température diminue, sa résistance augmente.
3a) Application
Elles sont utilisées dans la régulation de température en thermométrie.
139
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Chapitre
11
LES MULTIVIBRATEURS
140
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
1. Le monostable
On appelle le monostable tout dispositif susceptible de basculer dès réception d’une
impulsion dite de commande, puis rebasculer spontanément à son état initial après un laps
de temps bien déterminé et indépendant de la forme ou de l’intensité de l’impulsion de
commande.
Monostable à transistor
VCC=6v
RB1
B1 B2
T1 T2
Impulsion
• Fonctionnement
La résistance RB2 a été calculée de manière que le transistor T2 soit saturé.
Ce transistor bloquera T1 tant que son état de saturation durera ; le condensateur C se
charge donc à la tension VC= VC C – VB E ; si une impulsion positive d’amplitude suffisante
arrive sur la base de T1, le transistor se sature et le point C1 est brusquement amené au
potentiel de la masse ; or C1 est relié à l’armature positive du condensateur C, son armature
négative se trouve donc au potentiel –(VC C-VB E) par rapport à la masse.
141
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
• Chronogramme
I
t
UB 2 VC C
UB E
t
0
UC 2
t
UC 1
t
0
T
• Période du nomostable
T= 0,7 RB 2 × C (s)
Monostable à NE 555
Schéma +VC C
0 t(ms)
P VC
8 4
7 3 Sortie 2Vcc
3
6 2 Déclenchement 0 t(ms)
C1
5
1 VS
0 t(ms)
T
142
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
VS
Vcc
O t
VS
8 7 6 5 1- Masse
NE 555 2- Basculement
3- Sortie
4- Maz
5- Commande ( tension de
contrôle de référence)
6- Seuil
7- Décharge
1 2 3 4 8- VC C
2.1.1 Structure externe
143
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
8 4
6
+
5 -
S Q 3
R
7
+
2 -
2.1.3 Schéma
VC C
R 8 4
7 3 Sortie
P 6
5
2 1
C C/
144
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
2.1.4 Diagramme
VC
2/3 VC C
1/3 VC C
t( Ms)
VS
VC C
t( Ms)
2.1.5 Fonctionnement
A la charge du condensateur, la tension à ses bornes augmente jusqu'à 2 Vcc.
3
Lle basculement de l’un des ampli-opérationnels permet d’avoir à la sortie du 555 1
logique. A cet instant le Xtor de sortie ( décharge ) court-circuite le condensateur d’où la
décharge de celui-ci jusqu'à 1 VC C , ce qui met la sortie a zéro logique ; le condensateur se
3
recharge et le cycle recommence.
à t=∞ ⇒ UC=E
E= A + Be-∞ or e-∞ =0
A=E ⇒ B = -E
À t = t1 UC= A + Be-t/RC
• Equation de charge
- À t= 0 ⇒ UC = 1V CC
3
1 = A + B-t/RC or e0 = 1
3V CC
1
3V CC
=A+B
- À t= ∞ ⇒ UC= VC C
VC C= A ⇒ 1V CC = − 2V CC
3 3
2
(1− 23e )
B = - V CC
3 −t / RC
UC = VC C - 2V CC e
−t / RC
⇒ U =V
C CC
3
• Détermination de t1
À t = t1 ⇒ UC = 2V CC
3
2
3V CC
=V CC 1− e ( 2
3
)
−t / RC
2 =1− 2 − −t / RC
⇒1= 2e
t / RC
3 3e 3 3
−t / RC −t / RC lnex= x
1=2e ⇒1e
2 ln a = – ln b
b a
ln 1 =-- t1/ RC ⇒ t1 /RC = ln2
2
t1=RC ln2
t1= ( R + P )C ln2 or ln2 ≈ 0,7
t1= 0,7( R + P )C
• Equation de la décharge
à t=0 ⇒ U C = 2V CC
3
2 = A+ B
3V CC
à t=∞ ⇒ UC=0
0=A ⇒ B = 2V CC
3
−t / Rc
U = 2V CC e
C 3
146
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
• Détermination de t2
à t = t2 ⇒ U C = 1V CC
3
1 − −t / Rc
= 2V CC e ⇒ 1 =e
t / Rc
3 V CC 3 2
⇒ t2=Rc ln2
T2= 0,7PC
• Détermination de la période
T = t1 + t2
T= 0,7C( R + 2P )
• Déduction de la fréquence
f =1= 1
T 0,7C(R + 2P)
• Déduction du rapport cyclique
D= t1 %
T
V =V +(V −V )(1−e )
−t / RC
f i i
147
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
2.2.1 Montage
+
VCe
C1 C2
T1 T2
VBE1 VBE2
2.2.2 Chronogrammes
VBE ( v )
0,7
-(VC C - 0,7)
VS
VB E0
0,7
-(VC C - 0,7)
VS
148
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Calcul de la période
On admet et on démontre que :
T= 0,7 ( RB2C1 + RB1C2 )
Rapport cyclique :
D =T 1
T
Fonctionnement
Lors de la mise sous tension, les deux condensateurs se chargent rapidement par les
résistances RC1 et RC2 et les jonctions B-E des transistors. T1 et T2 tendent très rapidement
vers la saturation ; l’un des deux transistors se sature forcement le premier ; admettons que
ce soit T1. L’armature positive de C1 est alors mise à la masse par T1 et C1 se comporte
comme un générateur attaquant la fonction B-E de T2 en sens inverse : T2 se bloque . C2 se
charge très rapidement à la tension VCC-VBE. Ce qui monte la saturation de T1 par RB1. e
condensateur C1 est lentement chargé en sens inverse par RB2 de négative qu’elle était , sa
tension va tendre vers zéro puis devenir positive et tendre vers VCC. VCC ne sera pas atteint
car, dès 0,7v C1 va saturer T2 ; le condensateur C2va bloquer T1, C1 se charge très
rapidement et la saturation de T2 est maintenue ; pendant ce temps C2 est lentement chargé
en sens inverse par RB1 ; dès qu’il atteindra 0,7V ; il satura T1 et le cycle recommencera.
2.3.1 Montage
R
e =V = R R+ R v
+ 1
T S
2 1
-
+
V =− R V 1
R2
VS TL
R +R2 1
CC
VC C
R1
V = R V 1
TH
R +R2 1
CC
149
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
VS
t(ms)
VS VTL
+VCC
O t(ms)
-VCC
Calcul de la période
On admet et on démontre que
COMPARATEUR VS
Vref
Un comparateur de tension est un montage ayant 2 entrées ; l’une sur laquelle on applique
un signal de référence et l’autre sur laquelle un signal à comparer et une sortie.
Schéma et fonctionnement
R1 Ve= f (Ve)
-
+VSat
+
Vref R2 VS
Ve
150
0 Vref Ve
-VSat
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Fonctionnement
En considérant toujours l’A.O idéale ( Re ⇒ ∞ ; RS=0 ; i+=i-=0 ; le gain Ad ⇒∞ )
• Ve > Vref ⇒ ε=Ve – Verf > 0 ⇒ VS=+VSat
• Ve < Vref ⇒ ε=Ve – Verf < 0 ⇒ VS=-VSat
Ve
Vref t (Ms)
Définition
0
C’est un comparateur à hysteris possédant une entrée sur laquelle on applique le signal à
..
traiter
TRIGGERS
t (Ms)
Ve VS
0
Schéma
R1
Ve
-
ε
+
VS
R
Vref
Chronogramme
VS = f(Ve)
V+Sat
151
Ve
0 V-0 V+0
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Fonctionnement
ε= e +
- e-
+
V +V Sat +
• ⇒e = =V 0
+ ref
VS= +VSat
2
+
V +V Sat
Si ε>0⇒e +
> Ve ⇒ Ve < e+ =
ref
2
=V 0
+
• Si Vs=V-Sar
− −
V +V Sat V +V Sat
si ε
+ +
e =
ref
2
< 0 ⇒e +
< Ve ⇒ Ve > e =
ref
2
= V-0
Ve
V0-
V0+
V0- t (ms)
0
t (ms)
0
152
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
ème
2
partie
NUMERIQUE
153
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Chapitre
NOTIONS FONDAMENTALES
154
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
1. Systèmes numériques
Exemple : l’ordinateur
2. Systèmes analogiques
Exemple :
Un interrupteur n’a que 2 états
- Ouvert (o)
155
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
- Fermé (1)
Exemple : 1 0 0 1
C. Signal numé
Les circuits numériques sont conçus pour fournir des tensions de sortie qui se
trouvent dans les gammes de tensions correspondant.
EXEMPLE
5v
⇒ 1
2v
Indéterminé
0,8
o
O
4v 1 1
O O O
O
- Transmission parallèle
Dans la transmission parallèle, on utilise une ligne de connexion pour chaque bit et
tous les bits sont transmis simultanément.
- Transmission série
Dans la transmission série, on utilise une seule ligne de transport et tous les bits
sont émis séquentiellement.
Entrée B
Circuit
Sortie A Circuit
A
B
1 0 0 1
NB : L’envoie en parallèle est plus rapide que l’envoie en série qui cependant exige moins
de lignes de connections.
Notion de mémoire
Dans la plupart des dispositifs et des circuits, quand on applique un signal d’entrée,
il se produit en réponse à ce dernier. Un signal de sortie qui disparaît quand on enlève le
signal d’entrée.
Dans les circuits numériques, le signal de sortie ne disparaît pas quand on enlève le
signal d’entrée. On dit que le circuit contient une mémoire car il mémorise l’information.
Circuit sans
mémorisation
Circuit avec
mémorisation
157
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
*
Chapitre
SYSTEMES DE NUMERATION
ET CODES
158
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
1. Notion de base
Il existe plusieurs types de systèmes de numérations utilisés en technologie
numérique.
- Le système décimal
- Le système binaire
- Le système hexadécimal
- Le système octave
159
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Dans un système binaire, chaque chiffre est affecté d’un poids exprimé comme une
puissance de deux (2)
Exemple : 1 1 0 0 1(2) = 1 x 24 + 1 x 23 + 0 x 22 + 0 x 21 + 1 x 20
1 1 , 0 1(2) = 1 x 21 + 1 x 20 + 0 x 2-1 + 1 x 2-2
Dans ce système, chaque chiffre est affecté d’un poids exprimé comme une
puissance de 8.
Exemple :
346(8) = 3 x 82 + 4 x 81 + 6 x 80
Exemple :
(1 1 0 1)2 = 1 x 23 + 1 x 22 + 0 x 21 + 1 x 20
=8+4+0+1
= 13
(1 1 0 1)2 = (13)10
160
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
23(10) = ( ?)2 23 2
1 11 2
1 5 2
1 2
2
23(10) = (1 0 1 1 1)2 0 1
23(10) = ( ?)2
23 = 16 + 4 + 2 + 1
= 24 + 22 + 21 + 20
= 1 x 24 + 0 x 23 + 1 x 22 + 1 x 21 + 1 x 20
23(10) = (1 0 1 1 1)2
20(10) = (24)8
D. conversion octale-décimale
Pour réaliser cette conversion, on multiplie chaque chiffre octal par son poids
positionnel.
Exemple :
731(8) = 7 x 82 + 3 x 81 + 1 x 80
= 7 x 64 + 3 x 8 + 1
161
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
= 473
731(8) = 473(10)
Chaque chiffre octal est remplacé par son équivalent binaire et vis-versa.
Octal 0 1 2 3 4 5 6 7
Hexa 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F
162
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Binaire 0000 0001 0010 0011 0100 0101 0110 0111 1000 1001 1010 1011 1100 1101 1110 1111
Exemple :
Binaire DCB
0: 0 0000
5: 101 0101
163
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Chapitre
164
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
1. Algèbre booléenne
Il sert à analyser un circuit logique et à exprimer ce dernier sous forme
mathématique.
a +b = ab
ab = a +b
théorème de l’absorption
165
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
a (a + b) = a
a+1=1
2. tableau de KARNAUGH
C’est un tableau qui permet la multiplication des équations logiques. Il est présenté
sous plusieurs configurations. Ces configurations sont choisies par chaque individu sauf si
on impose une configuration quelconque.
N = nombre de variables
2n = nombre de cases
A B C D Nombres décimaux
0 0 0 0 0
0 0 0 1 1
0 0 1 0 2
0 0 1 1 3
0 1 0 0 4
0 1 0 1 5
0 1 1 0 6
0 1 1 1 7
166
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
1 0 0 0 8
1 0 0 1 9
1 0 1 0 10
1 0 1 1 11
1 1 0 0 12
1 1 0 1 13
1 1 1 0 14
1 1 1 1 15
AB 00 01 11 10
CD
00 0 2 10 8
01 1 3 11 9
11 5 7 15 13
10 4 6 14 12
AC 00 01 11 10
BD
00 0 2 10 8
01 1 3 11 9
11 5 7 15 13
167
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
10 4 6 14 12
Règles
Exemple : la simplification
Cas de 2 variables
a 0 1 A 0 1
b b
0 1 0 1 1
1
1 1 1 1 1 1
S= a +b S=1
Cas de 3 variables
ab 00 01 11 10 Ab 00 01 11 10
c C
0 1 1 1 1 c 0 1 1 1
1 1 1 1 1 1 1
168
a a
b
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
S= a + c S=a+ b
Cas de 4 variables
ab 00 01 11 10 Ab 00 01 11 10
cd Cd
00 1 1 1 1 d 00 1 1
01 1 1 01
11 1 1 11 1
10 1 1 1 1 10 1 1
bd
a a bcd
S= a + d S = b d + a bcd
3. Portes logiques
A. Porte « ET » (AND)
Chronogramme
t
bo
t
s o 169
o t
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
a
a b s
s S=a+b
b ≥1
0 0 0
a 0 1 1
s
b
1 0 1
1 1 1
Chronogramme
t
bo
t
s o
o t
a s
a s
S= a 0 1
a s
170
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
1 0
a
s
b & a b s
S = ab
0 0 1
a
s
b 0 1 1
1 0 1
1 1 0
a
s
b ≥1 a b s
S = a+b
0 0 1
a s
b
0 1 0
1 0 0
1 1 0
a s a b s
=1 S = a b + ab
b 171
S=a + b
a s
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 0
a
=1 s S = a b + ab a b s
b
= a b + ab 0 0 1
a s S = a⊕b 0 1 0
b
1 0 0
1 1 1
172
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
EXERCICES D’APPLICATIONS
Exercices 1 :
S = ab c + a b c + a b c + a b c
Y = ( a c + c a) ( b d + b d ) + ( a c + a c ) ( b d + b d )
X = a (ab + a b) + b (a b + ab)
Z = a b c d + abcd + a b c d + a b cd
U = ab(ac + bc) ( a + b )
Exercice 2 :
Représenter les équations suivantes aux moyens des portes logiques à deux entrées
uniquement.
F1 = a bc + a( b+c ) F ϑ = ( a b c d + ab)c
Exercice 3 :
Exercice 4 :
S1 = a b c + a b c + a b c + ab c
S2 = a b c d + abcd + ab + a
S3 = ab + a c b + b ca
4. Logique combinatoire
En logique combinatoire, la sortie dépend des combinaisons d’entrées.
A. Variable binaire
Une variable logique a est une grandeur qui peut prendre deux états 0 et 1 et ne
peut varier de façon continue.
Exemple :
Si a=1
a =0
1. Table de vérité
a b s
S= ab + a b + ab
0 0 1
= a ( b + b)
174+ a b
1
= a +a b
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
0 1 1
1 0 1
1 1 0
C’est une résolution d’un problème de logique combinatoire sous forme de tableau
sous lesquels on retrouve les valeurs d’entrées et de sorties d’une fonction.
C’est une fonction donc la valeur est non spécifiée pour certaines combinaisons de
variables.
Exemple :
a b s
0 0 X
0 1 0
1 0 1
1 1 X
C’est une fonction donc la valeur est spécifiée pour toutes les combinaisons des
variables
Exemple :
a b s
0 0 1
175
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
0 1 0
1 0 1
1 1 0
- Somme canonique
- Produit canonique
Exemple :
F(A,B,C) = AC + AB + BC
F(A,B,C) = (A+B)(A+C)(B+C)
176
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Chapitre
ARITHMETIQUE BINAIRE
OPERATIONS & CIRCUITS
177
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
1. Généralités
Les diverses opérations intervenant dans les calculateurs et calculatrices portent sur
les nombres exprimés en notation binaire.
2. Addition binaire
Cinq (5) cas peuvent se présenter lorsqu’on effectue l’addition de deux nombres
binaires et cela quel que soit leur rang.
exemple :
11011 1011
+ 1011 + 10111
100110 + 1010
101100
remarque :
pour effectuer la soustraction de deux nombres binaires, les cinq cas suivants
peuvent aussi se présenter :
1–0=1
1–1=0
0–0=0
0 – 1 = 11
178
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
1 – 1 – 1 = 11
Mais la soustraction étant une forme d’addition, nous allons généralement additionner
un nombre positif avec un nombre négatif d’où la notation à complément à deux.
Exemple :
0 1 1 0 1 0 0 + 52
Bit de
signe
1 0 0 1 1 0 0 - 52
A. Notation en complément à 1
Exemple :
0110100 Complément à 1
1001011
B. notation en complément à 2
Exemple :
0110100 Complément à 1
1001011
+ 1 + 1
1001100 ⇒ complément à 2
179
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
remarque :
le complément à 2 d’un nombre positif nous donne un nombre négatif et vis versa
exemple :
0101 → +5
1010 Complément à 2 de + 5
+ 1
1011 → -5
0100
+ 1 Complément à 2 de - 5
0101 → +5
EXERCICES D’APPLICATIONS
Exercice 1 :
Ecrivez chacun des nombres décimaux signés que voici dans la notation à
complément à 2 :
a) +13 b) -9 c) –5 d) +7
Exercice 2 :
Chacun des nombres suivants est le complément à 2 d’un nombre binaire signé.
Trouvez sa valeur décimale.
a. (0 1 1 0 0)2
b. (1 1 0 1 0)2
c. (1 0 0 0 1)2
4. opération en complément à 2
-5 → 1011
+ +
-2 → 1110
-7 11001
Bit rejeté car l’opération est sur 4 bits
+5 → 0101
+ +
180
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
+2 → 0010
+7 0111
+2 → 0010
+ +
-4 → 1100
-2 1110
+7 → 0111
+
-2 → 1110
+5 10101
Bit rejeté car l’opération est sur 4 bits
remarque :
Dans les exemples que nous avons étudiés, les nombres que l’on a additionnés
étaient constitués à la fois d’un bit de signe et de 3 bits de grandeurs.
Les réponses aussi comportaient un bit de signe et 3 bits de grandeurs. Tout report
fait, le bit de 5ème rang était rejeté. Voyons maintenant l’addition de +9 et +8.
+9 → 01001
+ +
+8 → 01000
+17 10001
Bit de signe
Le signe de la réponse est celui d’un nombre négatif, ce qui est manifestement une
erreur étant donnée que la grandeur est plus 17, il faut plus de 4 bits pour l’exprimer. Il y a
donc un déplacement sur le rang du bit de signe d’où :
+17 = (0 1 0 0 0 1)2
E. multiplication
La multiplication des nombres binaires est analogue à celle des nombres décimaux.
Exemple :
181
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
+5 → 0101
x x
+3 → 0011
+15 0101
0101
0000
0000
+15 0 0 1 1 1 1
5. Circuits arithmétiques
A. Demi-additionneur
Il n’opère que sur deux bits d’entrées a et b, une sortie nommée s et une sortie
de report ou de retenue nommée R.
a b s R
0 0 S = a b + ab
0 0
S=a ⊕ b
0 1 1 0
R = ab
1 0 1 0
1 1 0 1
Logigramme
a b
182
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
B. Additionneur complet
Table de vérité
A B Ce S Cs S = a b Ce + a b Ce + a b Ce + abCe
0 0 0 0 0 = a ( b Ce + b Ce ) + a ( b Ce + bCe)
0 0 1 1 0 s = a (b + Ce) + a ( b⊕Ce )
0 1 0 1 0 s = A ⊕ B ⊕ Ce
0 1 1 0 1
1 0 0 1 0 Cs = a bCe + a b Ce + ab Ce + abCe
1 1 0 0 1 Cs = AB + Ce(A ⊕ B)
1 1 1 1 1
Logigramme
A B Ce
183
Cs
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
C. Comparateur
A B S E I
S = AB
0 0 0 1 0
I = AB
0 1 0 0 1
E = A B + AB = A⊕ B
1 0 1 0 0
1 1 0 1 0
Logigramme
A B
E
184
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
EXERCICE D’APPLICATION
Chapitre
5
MULTIPLEXEUR
DEMULTIPLEXEUR
185
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
A. Multiplexeur
1. Définition
Principe
e N = 2n
n : nombre
Entrées S d’entrées d’adresses
De
données N : nombre
d’entrées de
en données
Ao
Entrées
D’adresses
An
A I1 I0 S
S = A I 0 + AI1
186
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Logigramme
I1
s
I0
A
b) Multiplexeur à 4 entrées (4 → 1)
A1 A0 I3 I2 I1 I0 S S = A1 A 0 I 0 + A 1A0 I 1 +
A1 A 0I2 +A1A0I3
0 0
0 1
1 0
1 1
I0
I1
S
I2
I3
187
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
B. Demultiplexeur
1. Définition
Il réalise la fonction inverse du multiplexeur c’est-à-dire que son entrée unique est
dirigée vers une sortie parmi plusieurs.
2. Principe
N = 2n
n = nombre d’adresses
N entrées
D’adresses
a) Demultiplexeur à 2 sorties (1 → 2)
A S1 S0 E S1 S1 = AE
0 0 E S0 = A E
S0
188
A
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
1 E 0
EXERCICES D’APPLICATION
Exercice I :
Exercice 2 :
5v
A I7 I6 I5 I4 I3 I2 I1 I0
B
C
MUX
189
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Chapitre
CODEURS
DECODEURS
190
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
A. Codeur
Ce sont les circuits combinatoires (protégeant) sur n bits une information parmi N
entrées possibles. Il effectue donc une conversion du code 1 parmi N en un code binaire
pur ou BCD. Cependant le code BCD est en pratique le plus utilisé.
E1 S0
n Sorties binaires
pures ou BCD
N entrées
En Sn - 1
ENTRÉE DE
VALIDATION
a) Etude d’un codeur
191
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
S0 = E 3 E2 E 1 E 0 + E3 E 2 E 1 E 0
E3 E2 E1 E0 S0 S1 S0 = E 3 E 2 E1 E 0 + E3 E 2 E 1 E 0
0 0 0 1 0 0
0 0 1 0 0 1
0 1 0 0 1 0
1 0 0 0 1 1
Schema
E3 E2 E1 E0
S0
192
S
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
B. Décodeur
Il réalise exactement la fonction inverse du codeur. C’est un système ou circuit
logique qui établit la correspondance entre un code d’entrée binaire de n bits et N lignes de
sorties avec M ≤ 2n
Les décodeurs sont largement utilisés dans les mémoires d’ordinateurs et dans les
circuits d’affichages.
Table de vérité
Equations
E1 E0 S3 S2 S1 S0 S0 = E 1 E 0
0 0 0 0 0 1 S1 = E 1 E2
0 1 0 0 1 0 S2 = E1 E 0
1 0 0 1 0 0 S3 = E1 E0
193
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
1 1 1 0 0 0
Logigramme
E E
S3
S2
74LS138 (3 → 8)
74LS42 (4 → 10) DCB décimal S0
B
Entrées
d
C e c
e
D 194
f
d
g
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
A B C D a b c d e f g Affichage
0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0
0 0 0 1 0 1 1 0 0 0 0
0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 1
0 0 1 1 1 1 1 1 0 0 1
0 1 0 0 0 1 1 0 0 1 1
0 1 0 1 1 0 1 1 0 1 1
0 1 1 0 1 0 1 1 1 1 1
0 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0
1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1
1 0 0 1 1 1 1 1 0 1 1
1 0 1 0
1 0 1 1
1 1 0 0
1 1 0 1
1 1 1 0
1 1 1 1
Table de transcodage
AB 00 01 11 10
195
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
CD
00 0 4 X 8
01 1 5 X 9
11 3 7 X X
10 2 6 X X
a)
AB 00 01 11 10
CD CDB
00 1 X 1 A
A = c + A + BD + BCD
01 1 X 1
11 1 1 X X
10 1 1 X X
c
BD
b)
AB 00 01 11 10
CD
00 1 1 X 1 B = A + CD + B + CD
01 1 X 1
11 1 1 CD
X X
10 1 X X
B A
196
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
c)
AB 00 01 11 10
CD
00 1 1 X 1 c
C = D + A +B + C
01 1 1 X 1
11 1 1 X X CB
0 1 X X
D B
d)
AB 00 01 11 10
CD
CD
00 1 X 1
01 1 X 1 CAB
11 1 X X
D = A D + CA + CD + A
10 1 1 X X
AB C ACD
197
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
e)
AB 00 01 11 10
CD
00 1 X 1 E = B D C + AB
BCD
01 X X
11 X X
ACD
10 1ACD 1 X A B
X C
B CD
F = C D + CB + A + DB
f)
AB 00 01 11 10
CD
00 1 1 X 1
01 1 X 1
11 X X
10 1 X X
198
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
g) A BC
AB 00 01 11 10
CD
00 1 X 1
01 1 X 1
11 1 X X
10 1 1 X G = A + CB + B C + C D
X
Chapitre
LOGIQUE SEQUENTIELLE
199
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
A.Les bascules
1. Généralités
a) Définition
Les bascules sont des circuits séquentiels de mémorisation d’un bit. Elle constitue
par conséquent l’élément de base de toute unité de mémoire.
Dans une bascule asynchrone les ordres appliqués sur des entrées provoquent
immédiatement en sortie le changement d’état correspondant.
Dans une bascule synchrone l’exécution de l’ordre n’intervient qu’avec un signal de
synchronisation. Le signal de synchronisation est appelé horloge (H) ou timing
(T).
Entrées asynchrones S et R
Entrées informations J, K, D
Entrées horloge H, T, C
exemple
exemple
exemple :
exemple :
2. bascule asynchrone
La bascule RS est la seule bascule asynchrone existante. Elle dispose de deux sorties
(Q et Q ) et de deux entrées R (reset) et S (set)
symbole
R Q
sorties
entrées
S Q
201
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Fonctionnement
Table de vérité
R S Qn + 1 Observation
0 0 Qn Mémorisation
0 1 1 Mise à 1
1 0 0 Mise à zéro
1 1 - Interdit
Schéma logique
⇒ NOR
S (la priorité c’est « 1 »)
Q
Q
R
⇒ NAND
S Q (la priorité
c’est « 0 »)
202
R
Q
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
3. Bascule synchrone
- La bascule RSH
- La bascule D
- La bascule T
- La bascule J.K
1) Bascule RSH
H = O : la sortie ne tient pas compte du changement pour R et S ; elle reste stable quelles
soient les variations de R et S : c’est le fonctionnement mémoire.
Symboles
R Q
sorties
entrées
H
Q
S
Table de vérité
H R S Qn + 1
0 X X Qn
Mémorisation
1 0 0 Qn
1 0 1 1
Remise à 1
1 1 1 - Interdit
203
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Chronogramme
t
R
S t
t
Q
M M MAZ t
MAU
Schema logique
Q
S
S Q
H
H
Q
S
R Q
2) Bascule D
D S Q
H
Q
R 204
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Table de vérité
Symbole
H D Qn + 1
Q
D
0 0 Qn
0 1 Qn
H Q
1 0 0
1 1 1
Symbole
D
Q
Table de vérité
V D Qn + 1
V Q
0 X Qn
1 0 0
1 1 1
V = validation
Remarque
Lorsqu’on câble l’ensemble D et Q , on dit que la bascule fonctionne en bistable
(bascule T)
Exemple
Q
D
H 205
Q
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
3) Bascule T (Tigger)
Table de vérité
T Qn Qn + 1
Q
T(H) 0 0 0
Q 1 0 1
0 1 1
1 1 0
T Qn + 1
0 Qn
1 Q n
Chronogramme
206
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
t (ms)
Qn+1
t (ms)
TS
T S = 2 Te ⇒ 1 = 2 ⇒ Fe = 2 fs
∫S ∫e
4) Bascule JK
a) Fonctionnement et but
Ce sont les bascules utilisées pour supprimer l’état indéterminé rencontré dans les
bascules RHS ; il existe plusieurs méthodes de réalisation des bascules JK ; dans tous les
cas, son fonctionnement est comme suit :
Schéma logique
J Q
Q
K
207
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Lorsqu’à tout instant J = K = 1 on dit que la bascule fonctionne en bistable (2 états stables)
Exemple
«1»
0 + Vcc
Q
J J Q
H H
K Q K Q
Ce sont deux bascules RSH non nul dont l’une est appelée maître positionné par les
entrées et l’autre appelé esclave et suit les états des maîtres.
S Q
S1 Q1 S2 Q2
R R1 Q1 R2 Q2 Q
Entrées Asynchrones
Exemple
208
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
RAU = 1 ⇒ RAZ = 0 ⇒ Q = 0 ⇒ Q = 1
RAU = 0 ⇒ RAZ = 1 ⇒ Q = 1 ⇒ Q = 0
RAU (Preset)
J Q
K Q
RAZ (clear)
C’est un circuit qui nous permet de supprimer les transitions existantes entre deux
tensions dues au rebondissement des contacts mécaniques.
Problème
VS
Passage de 1→2
2→1
Solution
+ 5V
209
1 Q
S
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Position 2
S=0⇒R=1⇒Q=0
Position 1
S=1;R=0⇒Q=1
S’il y a rebondissement
S = 0 ; R = 0 ⇒ Q = Qn = 1
chronogramme
210
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Chapitre
COMPTEURS - DECOMPTEURS
211
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
1. Généralités
Un compteur est un circuit séquentiel ayant une longueur de cycle et présentant N
état différent. Il y a deux fonctions principales à savoir :
- Fonction comptage
- Fonction diviseur de fréquences
2. Compteur asynchrone
Pour un compteur asynchrone, les étages basculent en cascade à partir de l’horloge
placée à l’entrée de la 1ère bascule.
Exemple
Compteur modulo 8
⇒ 2n = 8 = ⇒ n = 3 bascules
Et les états du compteur en décimal seront = 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 0… et le cycle
recommence.
1. Compteur modulo 2
«1» 212
Q
J
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
2. Compteur modulo 4
Modulo 4 ⇒ 2 bascules
«1»
«1»
Q0 Q1
J0 J1
K0 K1
Chronogramme
t
Q0
t
Q1
213
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
1. Modulo 6
Q2 Q1 Q0 ND
0 0 0 0
0 0 1 1
0 1 0 2
0 1 1 3
1 0 0 4
1 0 1 5
1 1 0 6 000
1 1 1 7
J0 J1 J2
Q0 Q1 Q2
214
H
K0 K1 K2
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Chronogramme
Q0
t
Q1
t
Q2
t
RAZ
t
3. Décompteur Asynchrone
Pour un compteur, il s’incrémente (augmente de 1) lorsqu’il reçoit une impulsion et
pour un dé compteur, il se décrémente (diminue de 1) lorsqu’il reçoit une impulsion.
a) Modulo 8
Modulo 8 ⇒ 3 bascules
1 1 1
Q0 Q2
Q1
215
J0 Q0 J1 Q1 J2 Q2
H
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
NI ND Q2 Q1 Q0
1 7 1 1 1
2 6 1 1 0
3 5 1 0 1
4 4 1 0 0
5 3 0 1 1
6 2 0 1 0
7 1 0 0 1
8 0 0 0 0
Chronogramme
0 t
Q0
t
0
Q0
t
Q1 0
216
0 t
Q1
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
table de transition
8 J K Qn Qn + 1
0
7
0 X 0 0
1
6 1 X 0 1
X 1 1 0
2
5
X 0 1 1
4 3
J0
Modulo 8 ⇒ 2N = 8 ⇒ N = 3 bascules
Q2 Q1 Q0 J2 K2 J1 K1 J0 K0
0 0 0 0 0 X 0 X 1 X
1 0 0 1 0 X 1 X X 1
2 0 1 0 0 X X 0 1 X
K0 = 1 J0 = 1
217
K0 J1
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
3 0 1 1 1 X X 1 X 1
4 1 0 0 X 0 0 X 1 X
5 1 0 1 X 0 1 X X 1
6 1 1 0 X 0 X 0 1 X
7 1 1 1 X 1 X 1 X 1
Simplification
Table de codage
Q2Q1 00 01 11 10 Q2Q1 00 01 11 10
Q0 Q0
0 0 2 6 4 0 1 1 1 1
1 1 3 7 5 1 X X X X
Q2Q1 00 01 11 10 Q2Q1 00 01 11 10
218
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Q0 Q0
0 X X X X 0 X X
1 1 1 1 1 1 1 X X 1
Q2Q1 00 01 11 10 Q2Q1 00 01 11 10
Q0 Q0
0 X X 0 X X
1 X 1 1 X 1 1 X X
Q2Q1 00 01 11 10
Q0
0 X X
1 X X 1
Q0 Q1 Q2
1
J0 J1 J2
K0 K1 K2
H
b) Dé compteur modulo 8
Tableau de transition
J K Qn Qn + 1
0 X 0 0
1 X 0 1
X 1 1 0
X 0 1 1
Table de vérité
Q2 Q1 Q0 J2 K2 J1 K1 J0 K0
1 1 1 X 0 X 0 X 1
1 1 0 X 0 X 1 1 X
1 0 1 X 0 0 X X 1
1 0 0 X 1 1 X 1 X
0 1 1 0 X X 0 X 1
0 1 0 0 X X 1 1 X
0 0 1 0 X 0 X X 1
0 0 0 1 x 1 x 1 X
Table de codage
Q2Q1 00 01 11 10
Q0
0 0 2 6 4
1 1 3 7 5
J0 J1
220
J1 = Q 0
J0 = 1
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
00 01 11 10 Q2Q1 00 01 11 10
Q2Q1
Q0
Q0
0 X X X X 0 1 X X 1
1 1 1 1 1 1 X X
K0 K1
Q2Q1 00 01 11 10 Q2Q1 00 01 11 10
K1 = Q 0
Q0 K0 = 1 Q0
0 1 1 1 1 0 X 1 1 X
1 X X X X 1 X X
J2 K2
Q2Q1 00 01 11 10 Q2Q1 00 01 11 10
Q0 Q0
0 1 X X 0 X X 1
1 X X 1 X X
J2 = Q 0 Q 1 = Q0 +Q1 K2 = Q 0 Q 1 = Q0 +Q1
Câblage
1 Q0 Q1 Q2
221
J0 J1 J2
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Remarques
Pour un dé compteur asynchrone à cycle complet (modulo 2N) ; soit Vn la fonction
appliquée à un étage Qn
Γ 0 = J0 = K 0 = 1
Γ 1 = J1 = K 1 = Q 0
Γ 2 = J2 = K 2 = Q 0 Q 1
Γ n = Jn = Kn = Q 0 Q 1 = Qn + 1
Pour les compteurs synchrones à cycle complet (modulo 2N) ; soit Kn la fonction
appliquée à un étage Qn ; on aura
Γ 0 = J0 = K 0 = 1
Γ 1 = J1 = K1 = Q0
Γ 2 = J2 = K2 = Q0 Q1
Γ n = Jn = Kn = Q0 Q1 …… Qn – 1
NB : Contrairement aux compteurs qui ont des sorties initialement à zéro et s’incrémentent
(augmente de 1) à chaque arrivée d’une impulsion, les dé compteurs ont leurs sorties
initialement à 1 et se décrémentent (diminue de 1) à chaque arrivée d’un impulsion. Ils ont
donc besoin d’une remise à 1 (RAU) alors que les compteurs ont besoin d’une remise à 0
(RAZ)
222
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Chapitre
REGISTRE
223
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
1. Définition
C’est un ensemble de cellules de mémoire capable de stocker une information ; c’est
donc un ensemble ordonné de bascules.
2. Schéma de principe
E0 E1 E2 E3
D D D D
Q Q
S0 S1 S2 S3
224
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
déplacement s’effectue soit vers la droite, soit vers la gauche. Le registre est alors appelé
registre à décalage.
a) Décalage à droite
1 0 1 1 1 1 0 1
D0 Q0 D1 Q1 D2 Q2 D3 Q3
b) Décalage à gauche
ESD
1 0 1 1 0 1 1 1
ESD
D0 D1 D2 Dn
Q0 Q1 Q2 Qn
c) Fonctions mémoire
225
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Elle peut être réalisée de différentes façons suivant les bascules :
- La bascule D, D = K
- La bascule RS ; R = S = 0
- La bascule JK ; J = K = 0 ou J = K
a) Série
E RB
RA
Registre A Registre B
1 0 1 0 0 0 Etat initial
b) Parallèle RA
entrée QA QB QC QD sortie
entrée QA QB QC QD
sorties
227
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
entrées
sorties
QA QB QC QD
H
d) Registre à entrée parallèle / sortie parallèle
entrées
QA QB QC QD
H
sorties
Chapitre
10
228
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
1. Généralités
Un circuit intégré est une boîte noire dans laquelle plusieurs composants discrets
( résistance, diodes, transistors ) sont interconnectés. La technologie des circuits a fait un
bond prodigieux allant de l’intégration :
− A petite échelle SSI ( Small Scul Integration ) qui loge au moins plus de 12 par
puce.
− A grand échelle MSI ( Medium Scul Integration ) qui loge moins de 100 portes
par puce.
− A large Echelle LSI ( Larguel Scul Integrétion ) qui loge moins de 1000 portes
par puce.
− A une très grande échelle VLSI ( Verry Larguel Scul Integration ) qui loge jusqu'à
100000 portes par puce.
Un circuit délivre en générale une tension ; il fait donc faire une correspondance
entre les deux niveaux de tension appelés niveau haut ( H ) et niveau bas ( L ).
Les variables 0 et 1
− V0 : tension de sortie
− V1 : tension d’entrée
− VO H : tension de sortie niveau haut garantie par le constructeur
− VO L : tension de sortie niveau bas garantie par le constructeur
− V i H : tension de sortie niveau haut reconnu par le constructeur
− V i L : tension de sortie niveau bas reconnu par le constructeur
− IO H et IO L : courant de sortie de la porte actionnée ViH et ViL
− Vt- et Vt+ : tension de basculement à from montant et à from descendant.
− Sortance : C’est le nombre maximal de charge que peut amender une sortie
− Entrance : C’est la valeur du courant de commande imprimée en une unité qui est
le courant de commande typique de la famille.
− Immunité statique au bruit, il définit l’attitude du circuit à acquérir les tensions
parasites sur ces entrées.
VN M
VI H VOH1 MARGE VIH2 VIH2
DU
VOL1 BRUIT VI L2
VIL
MARGE VH N M = VO H 1 + VO H 2
DE
BRUIT VL N M = VO L 1 - VO L 2
c. Caractéristique mécanique
− Gamme de température
Les circuits ont été classés en deux grandes gammes
* La gamme militaire qui est encore la série 54 ( -55°c à +125°c)
* La gamme grand public qui es encore la Scul 74 ( 0 à 79°c)
− Le boîtier :
Il existe plusieurs types de boîtiers
230
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
• les boîtiers ronds
• Les boîtiers plats
• Les boîtiers DIL ( Dual- Inclure)
• Les boîtiers SIL ( Single Inclure)
• Les boîtiers SOL
• Les boîtiers Clup carrier
Les familles RTL et DTL ne feront pas l’objet de notre étude car ils sont dépassés.
Les familles TTL et ECL utilisant le Xtor bipolaire dans les familles NMOS et CMOS
PMOS. C’est le transistor effet de champ. Dans tous les cas, chaque circuit possède un
code pour identification comprenant les indications, comprenant la série relatif à la
fabrication , sa fonction , le type de boîtier , le nom du constructeur et sa technologie.
Sous-Famille
Famille
Sigle du
constructeur
basculement bt=1,3V. On reconnaît les circuits TTL par leur numéro d’identification
qui commence toujours par 74 ou 54 suivi de leur numéro de fonction ( 74×× ; 54×× )
Exemple : 74L00
Avantage du TTL
− Le temps de propagation est court ce qui entraîne une fréquence élevé
Inconvénient du TTL
− Faible sortance
− Système d’alimentation imposé à 5V
231
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
− Consommation très élevé
Remarque : Les 74HCP s’alimente à 5V et son compatible broche à broche avec le TTL
Avantages CMOS
− Large possibilité de choix de la tension d’alimentation entre 3 et 15V
− Faible consommation
− Leur niveau de sortie est presque parfait ( VO H= VO D VO L =0)
− Leur commutation est très faible
− Sortance élevée
− La technologie de fabrication permet une plus grande intégration d’où la
fabrication des circuits intègre comme le micro processeur.
Inconvénient du CMOS
− Immunité au bruit très élevée : 30% VD
− Nécessité de précaution d’emploi car ils sont très sensibles aux charges
électrostatiques.
Conclusion
CMOS TTL
Sortance élevée Sortance faible
Tension de sortie variable Tension de sortie fixe
Consommation faible Consommation élevée
Remarque :
1. Tout entrée non connectée est à un niveau logique pour les TTL niveau
haut. Pour les CMOS, ça ne correspond ni à 1, ni à 0 ; par contre peut
détruire notre circuit intégré car les CMOS ne supportent par les charges
électrostatiques
2. Les entrées inutilisées doivent être raccordées.
VO
6v
«1» V232 (a ) VI VO
OH
2,4v
indéterminé
2,8v (b )
«0»
(C )
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
* Zone a et c
Chapitre
11
GRAFCET
233
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
1. Généralités
a) Définition
- Niveau 1
- Niveau 2
- Partie opérative
- Partie commande
a) Partie commande
Elle est composée d’un pupitre de commande composé de bouton marche, arrêt,
signalisation, etc.… permet tant d’envoyer les informations à la partie opérative à travers
l’opérationnel (contacteur, relais, etc…)
b) Partie opérative
Elle est composée des actionneurs (vérin, moteur) qui transforment des
informations venant des pré actionneurs en un moment visible (poussée d’un pièce ;
Rotation d’une pièce) et les capteurs qui captent les défauts ou consignent vers le
traitement de l’information via l’interface d’entrée.
Partie opérative
actionneur capteur
Interface d’entrée
Pré actionneur
Partie commande
235
communication Traitement
d’information
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
a. L’étape
Exemple
1
Remarque
Une étape initiale est représentée en doublant les côtés du symbole.
Exemple
A l’instant t et suivant l’évolution du système, une étape est soit active ou inactive.
L’activation d’une étape est mentionnée par un point.
Exemple
Monté Vérin
236
Moteur en marche
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
c) Transition
Elle indique la possibilité d’évolution entre deux étapes ; elle est représentée par une
barre perpendiculaire entre les deux étapes.
transition
d) Réceptivité
A chaque transition, on associe une condition logique ; cette condition logique est
appelée réceptivité qui peut être vrai ou fausse
Exemple
1
R = 0 ou 1
Remarque
1
1 1 237
2 2
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
4. Principe de base
a) Divergence en « OU »
r r
11 21
Pour passer de l’étape 1 à l’étape 11, il faut que l’étape 1 soit validée et la réceptivité
r soit vraie r = 1.
Pour passer de l’étape 1 à l’étape 21, il faut que 1 soit validée et que r = 1 (réceptivité
vraie)
b) Convergence en « OU »
238
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
11 21
Pour passer de l’étape 11 à l’étape 3 ; il faut que 11 soit validé et r = 1. pour passer
de l’étape 21 à l’étape 3, il faut que l’étape 21 soit validée et que la réceptivité r = 1
c) Divergence en « ET »
1
a
11 21
Pour passer de l’étape 1 aux étapes 11 et 21, il faut que l’étape 1 soit validée et la réceptivité
a=1
d) Convergence en « ET »
239
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
e) Temporisation
T/4/10s
2
a
a
Saut
4
d’étapes Reprise de
c séquence
d d
L’équation générale de l’étape active d’une étape de rang n a deux états : actif et
inactif qui s’écrivent respectivement An et A n
La condition de désactivation est que l’étape de rang n-1 soit active de plus après
l’activation l’étape mémorise son état.
[
A(n )= A(n −1)( ]
t n −1)→t n + M (n ) A(n +1)
3
A =[A R + M ]A A
4 3 1 4 5 6
R1
4
R2
5 6
241
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
Chapitre
12
LES MEMOIRES
242
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
1. Généralités
1) Définition
a) Capacité
C’est la quantité d’information qui peut être stockée dans un dispositif donné. Elle
s’exprime en bit. Dans les systèmes à microprocesseurs, l’unité couramment utilisée est
l’octet ou bytes en anglais. 1Ko = 210 = 1024 1Mo = 220 = 1048576
Exemple
Un livre de 200 pages contient un Max de 800 000 caractères environ soit 0,8M
octets car un caractère alphanumérique dans la plupart des systèmes occupe en fait 1 octet.
c) Mode de fonctionnement
- La lecture
- L’écriture
d) La permanence
e) Rapidité
C’est le temps qui s’écoule entre la demande d’information et le moment où elle est
effectivement disponible.
f) Organisation – structure
Exemple
Une mémoire de 64K x 1 est constituée de 64K mots de 1 bit. Sa capacité est de
64K bits.
- Une mémoire de 8K x 8 a une capacité de 64K mots
- Mais le nombre de ligne du tableau dont le nombre de mots est de 8K
a) Mémoire magnétique
Ce sont les supports magnétiques tel que les bandes ou les disques, leur temps d’accès à
une cellule dépend du défilement des têtes de lecture.
Exemple
Il est possible de stocker dans un CD l’équivalent d’une encyclopédie de 20
volumes de 1 000 pages.
245
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 1ère F2 & F3 2èmeÉdition
246