electroniqueMicrocapteurPart2 PDF

Electronique intégrée pour capteurs et capteurs MEMS
III. MEMS
Micro-Electro-Mechanical Systems
Contexte de l’intégration des systèmes
1
M. Denoual
Plan de l’introduction
III. MEMS
 Micro-electromechanical Systems (MEMS)
1. Qu’est-ce qu’un MEMS ? définitions
2. Histoire
3. Marché
4. Enjeu de la miniaturisation
5. Références et liens pour en savoir plus
Introduction MEMS
-1-
1. Qu’est-ce qu’un MEMS
III. MEMS
Micro Electro-Mechanical System
 MEMS (USA)
 MST (Europe)
 Microsystem, micromachines (Japon)
«Les microsystèmes sont des dispositifs compacts miniaturisés,

multifonctionnels, fabriqués collectivement, qui interagissent avec le
monde non électrique par des capteurs et des actionneurs ; ils sont en
mesure d’échanger de l’information et de la communication avec le
monde extérieur ou avec d’autres microsystèmes.» Techniques de
l’Ingénieur (E 2 305).

III. MEMS
 MEMS (Micro-systèmes électro-mécaniques) : 1, 2 ou 3 éléments de la chaîne suivante.
Traitement électronique
Micro-capteur (micro-électronique)
Micro-actionneur
 Fonction capteur (transducteur d’entrée) convertit une grandeur non électrique (pression,
température) en un signal électrique (tension, courant, charge).
 Fonction traitement (analogique ou numérique) transforme le signal électrique issu du capteur

souvent inexploitable car trop faible, déformé et bruité, en un signal utile par amplification, filtrage,
modulations…
 Fonction actionneur (transducteur de sortie) convertit un signal électrique en grandeur non

électrique compréhensible par un opérateur (affichage ou enregistrement par exemple) ou en une
action sur l’environnement extérieur (mouvement moteur par exemple).
Introduction MEMS
-2-
III. MEMS
optique électronique
Comme il fait intervenir des transducteurs
électronique RF d’entrée et de sortie (capteurs et actionneurs), le
domaine des MEMS ou microsystèmes est
RFMEMS fortement pluridisciplinaire. mécanique
mécanique
microcalorimétrie
micromécanique micro-optique
micromagnétisme microsystème chimie
électronique
biochimie microfluidique
mécanique biologie microélectronique

5
BIOMEMS

III. MEMS
 Abus de langage : Micro Electro-Mechanical System
– MEMS pour des micro-structures « simples » (pas des systèmes),
– MEMS pour des microsystèmes ne comprenant pas de parties électro-

mécaniques (microcapteurs thermiques, chimiques, bioMEMS, microfluidique),
– Technologies nouvelles non issues de l’industrie semi-conducteurs.
 interdisciplinaire : mécanique, optique, chimie, biologie, …

 sort de la technologie de la microélectronique
 technologie du 21ième siècle
« Un MEMS est un dispositif constitué de parties extrêmement petites microparties (microparts). »
Introduction MEMS
-3-
2. Historique
III. MEMS
1995 développement 2000 MEMS optiques deviennent
rapide des BioMEMS un grand marché
De nos jours
1992 première articulation •Marchés en explosion
micro-usinée
•Diversification
des matériaux,
1994 Deep-RIE
des procédés et des
brevetée
applications
1988 première
conférence MEMS 1993 DARPA crée le standard
MUMPS, service de fonderie
1982 procédé LIGA
1982 publication « Silicon as 1967 invention de l’usinage

Structural Material » en surface « couche
sacrificielle »
1979
tête jet
d’encre 1961 capteur de
pression en silicium
1970 accéléromètre en 1948 premier

silicium transistor
1950 jauge de
1959 Richard Feynman CalTech contrainte en
« There’s Plenty of Room at the Bottom » silicium 7
3. Marché
III. MEMS
[Isuppli 2009]
Marché 8-9 Milliards $
Applications principales :
 têtes d’imprimante
 capteur de pression
 accéléromètres/gyroscopes
 microdisplay
 microfluidique pour diagnostic
 MEMS RF
2010-2014 :
Croissance : 10.7%
Marché dispositifs portables : 25.4%
Marché industriel : croissance 18.1%
Tête d’impression jet

d’encre
[Yole Développement 2009]

Marché global des semiconducteurs 2009 : 220 Milliards $ 8
Micro-injecteur insuline
Introduction MEMS
-4-
3. Marché
III. MEMS
Acteurs du marché :
Europe :
Bosch, Siemens, Infineon, Temic, VTI-Hamlin, Philips,
STMicroelectronics, SensoNor et HL-Planartechnik.
Japon :
Denso, Matsushita, NGK et Figaro.
Etats-Unis :
Delphi, Freescale (Motorola), Analog Devices, BEI Systems et Texas
Instrument.
Fabricant de MEMS dans le monde [Yole Développement 2008]
10% des fabricants représentent plus de 90% du marché mondial
Accéléromètre angulaire ST
9
L6671 : 2.5rad/sec2 ; 30$ Lab-on-Chip STmicroelectronics
Plan de l’introduction
III. MEMS
Micro-electromechanical Systems (MEMS)

1. Qu’est-ce qu’un MEMS ? définitions
2. Histoire
3. Marché
5. Exemples de microsystèmes
6. Références et liens pour en savoir plus
10
Introduction MEMS
-5-
III. MEMS
 Miniaturiser des systèmes existants
par exemple micro-réacteur chimiques.
 Bénéficier des avantages des micro-technologies pour créer de nouveaux systèmes et

utiliser de nouveaux phénomènes, par exemple :
actionneurs électrostatiques,
nouveaux capteurs,
travailler à l’échelle des cellules biologiques, de l’ADN, des molécules.
micromonde
11
III. MEMS
Intérêts de la miniaturisation sur un exemple :
Gains en :
Poids, /160
Dimensions, /300
Puissance consommée, /3500
Robustesse, *3000 C’est mieux et
Coût. /40 moins cher !!
12
Introduction MEMS
-6-
III. MEMS
 Intérêts de la miniaturisation:
– Faibles dimensions, faible poids  portabilité, fréquence plus élevée
– Faible consommation  autonomie, portabilité
– Production collective, de masse (technologie µelec)  faible coût, grand volume
– Intégration d’électronique  systèmes complexes et performants, smart sensors, amélioration de la
fiabilité, des performances (immunité au bruit) et de la rapidité par l’intégration sur support unique.
– Systèmes multicapteurs  redondance, matriçage (ex : micro-écrans), dispositifs multicapteurs,
milliers de détections en parallèle.
 Revers et limites de la miniaturisation:
– Force atomique, striction,
– Packaging, connections 3D,
– Fiabilité à long-terme, test
avantage inconvénient
Thermodynamique Dissipation de chaleur plus grande refroidissement Transport de chaleur

Mécanique Friction plus importante que l’inertie rapidité frottement
Mécanique des fluides Capillarité, écoulement laminaire, rapport écoulement de liquide mélange
surface/volume
Électro-magnétisme Force électrostatique supérieure au forces Actionneurs électrostatiques Mise en œuvre d’actionneurs
électro-magnétique électro-magnétiques
Optique Travail aux dimensions des longueurs d’ondes, Manipulation individuelle de Diffraction, optique non-
de la taille de pixels pixel linéaire 13
III. MEMS
L
L
 Facteur d’échelle (scaling laws) :

– Van der Waals : L1/4;
– Diffusion : L1/2;
– Distance : L;
– Vitesse : L;
– Tension de surface : L;
– Force électrostatique : L0;
– Friction : L2; 1m
– Dissipation thermique : L2;
– Piézo-électricité : L2;
– Alliage à mémoire de forme : L2; 1m
– Masse : L3;
– 3
Gravité : L ; 0.1mm
– Magnétisme : L3; 10mm 0.1mm
– Couple : L3; LlV 2 1µm
F
– Puissance : L3. 2d 2
14
Introduction MEMS
-7-
III. MEMS
Il faut être capable de miniaturiser :
 outils de la micro-électronique (gravure, photolithographie) connus,

éprouvées : technologie fiable, faible coût pour la production de masse
 nouveaux outils pour technologie silicium (ex : ICP-RIE)
 adaptation aux micro-dimensions de techniques macro
(ex : stéréolithographie, plasturgie)
 conception, simulation (co-simulation) : outils CAO nouveaux
(MEMSCAP, Coventor, ANSYS, FEMlab)
 personnel pluridisciplinaire avec connaissance des technologies de
fabrications
15
III. MEMS
SIMULATION REALISATION OBSERVATION

Design Process
Simulation COVENTOR du déplacement du résonateur Vue SEM du résonateur et de ses peignes de

soumis à une excitation mécanique. transmission en épitaxie sélective.
CARACTERISATION, UTILISATION CARACTERISATION

Am pl itude du sig na l sur le pe ign e m ob ile
2,5
2
Amplitude en V
1,5
pe ign e
e ntie r
pe ign e
1 ca sse
0,5
0
1, 0E+01 1,0E+02 1, 0E+03 1,0E+04 1,0E+05 1, 0E+06 1,0E+07
Fr équ e n ce
Tests du résonateur électrostatiques, confirmation de Relevé topographique de la zone de transfert

l’action du peigne suspendu. électrostatique.
16
Introduction MEMS
-8-
5. références et liens
III. MEMS
 Références :
 « Microsensors; principles and Applications », Julian W. Gardner, edition John Wiley & Sons,
 « Fundamentals of Microfabrication », Marc Madou, edition CRC Press,
 « Sensors technology and devices », editor Ljubisa Ristic,
 « Microsystem design », Stephen D. Senturia, Kluwer Academic publisher,
 « capteurs microélectroniques » A. Permuy, Techniques de l’ingénieur E 3 093,
 Liens :
 www.darpa.mil/MTO/MEMS
 www.sandia.gov
 www.memscap.com
 bsac.eecs.berkeley.edu
 www.epfl.ch/ims
 www.esiee.fr
17
Introduction MEMS
-9-
Technologie Si
Microtechnologie de fabrication silicium

« Micromachining »
Technologies MEMS
1
M. Denoual
Pourquoi le silicium ?
Technologie Si
– Pourquoi le silicium ?
• Matériau pas cher (très répandu),
• Matériau de très grande qualité cristallographique, reproductible.
• Matériau aux propriétés intéressantes :
– Module d’Young proche de celui de l’acier,
– Plus léger que l’acier, densité proche de celle de l’aluminium,
– Limite élastique deux fois plus grande que celle de l’acier, excellentes
– Pas de déformation plastique,
propriétés
– Déformations élastiques reproductibles, pas d’hystérésis,
mécaniques
– Très bonne résistance à la fatigue mécanique (bon vieillissement),
– Conductivité thermique ~50% supérieure à celle de l’acier,
– Dilatation thermique 1/5ième de celle de l’acier.
– Propriétés piezorésistives (jauges d’extensiométrie), (100 fois plus importantes que dans les
métaux)
– Propriétés semiconductrices (intégration IC, capteurs température, optiques).
• Technologie de fabrication maîtriser grâce aux technologie semi-conducteur,

– Réduction des coûts par procédés collectifs massifs,
– Reproductibilité, fiabilité,
– Possibilité d’intégration d’électronique.
Technologie Si
-1-
Pourquoi le silicium ?
Technologie Si
Plan de Microtechnologie de fabrication silicium « micromachining »

Technologie Si
1. Micro-usinage de surface
2. Micro-usinage de volume
3. Ajout de matière
Technologie Si
-2-
Technologie Si
1. Micro-usinage de surface
Empilement de couches «sacrificielles» et de couches «structurelles»

Définitions :
couche «sacrificielle» : couche de matériau qui est déposée entre des couches
structurelles pour réaliser une séparation et une isolation mécanique. Cette
couche est enlevée durant la phase de dégagement (releasing) pour libérer les
couches structurelles et permettrent aux dispositifs mécaniques de bouger par
rapport au substrat.
couches «structurelles» : couche de matériau qui comporte le dispositif

mécanique. Cette couche est dégageable lorsqu’une couche sacrificielle la sépare
du substrat.
Micro-usinage de surface
Technologie Si
Empilement de couches «sacrificielles» et de couches «structurelles»
1. insolation de la couche 2. développement 3. dépôt de la couche

sacrificielle structurelle
4. insolation de la couche 5. développement 6. retrait de la couche

structurelle sacrificielle
multi-couches, épaisseur, séparation des couches
Technologie Si
-3-
Technologie Si
Technologie Si
Exemple : Digital Mirror Display (DMD) de Texas Instrument
Technologie Si
-4-
Technologie Si
surface du DMD de Texas Instrument
Carrés de 10 à 15µm de coté.

Jusqu’à 1.3 millions de miroirs.
Micro-usinage de surface à base de polysilicium.
motifs du DMD de Texas Instrument comparés avec Miroir d’aluminium réfléchissant.
une patte de fourmi Fabriqué sur une mémoire SRAM CMOS.
Actionnement électrostatique.
Fonctionnement du DMD
Technologie Si
Technologie Si
-5-
Technologie Si
• Exemple : moteur tournant électrostatique
• Applications
? démonstration
Technologie Si
http://mems.sandia.gov/
Technologie Si
-6-
Technologie Si
Technologie Si
Technologie Si
-7-
Technologie Si
2. Micro-usinage de volume
Définition :
Bulk etching : usinage de volume.
Rapport de forme (vertical aspect ratio) : c’est le rapport entre le hauteur d’une structure
perpendiculaire au substrat et la largeur de la dimension minimum du dispositif.
Ce paramètre permet de caractériser les procédés de gravure profonde ainsi que les méthode de
microfabrication par ajout de matière. l
Ratio = h/l
Exemple : pour une gravure deep-RIE le ratio

peut aller jusqu’à 50 (100µm de hauteur pour 2µm de largeur)
Micro-usinage de volume
Technologie Si
Micro-usinage de volume  retrait de matière
1. gravure humide anisotropique

2. gravure sèche isotropique
3. gravure sèche anisotropique
Technologie Si
-8-
Micro-usingae de volume
Technologie Si
– Gravure humide anisotropique
– Vitesse de gravure plus importante dans une direction que dans l’autre.
– La vitesse dépend de l’orientation cristalline
• Les plans plus denses ( <111> par exemple pour Si) se gravent plus lentement que les plans
moins denses (<100> ou <110>)
• La profondeur gravée dépend de la géométrie
– Arrêt de la gravure (ou sélective différente) en fonction du dopage
– Libération de structures suspendues.
Technologie Si
Hotte de chimie utilisée pour la

gravure TMAH
gravure humide anisotropique

performances EDP KOH TMAH
vitesse de gravure du Si <100> (um/h) 30 à 65 150 40 à 100
qualité de gravure très bonne très bonne moyenne
sélectivité <111>/<100> 1/20 1/30 à 1/130 1/10 à 1/60
vitesse de sous-gravure (um/h) 1.4 à 2.9 0.5 à 2 0.2 à 1.9
compatibilité CMOS oui non oui
sélectivité SiO2/Si 1/10000 1/100 à 1/400 1/100 à 1/1000
sélectivité Si3N4/Si 1/10000 1/150 à 1/350
gravure de l'aluminium moyenne rapide lente
couche d'arrêt de gravure couche dopée bore couche dopée bore couche dopée bore
toxicité élevée faible faible
coût élevé faible moyen
EDP: Ethylene diamine pyrocatechol corrosif ET cancérigène!

TMAH: Tetramethyl Amonium Hydroxyde
KOH: potasse K+ contaminant pour Si à éviter en microélectronique
Technologie Si
-9-
Technologie Si
Technologie Si
• Gravure sèche isotropique
– Exemple : XeF2 Xénon-Fluor ou SF6

– Caractéristique : aussi large que profond. Utilisée pour la libération de structure.
Micro-pointe de diamètre
900 nm et de hauteur 7 µm
Évidement de la base des pointes par attaque

XeF2 Coupe (au FIB Focus Ion Beam) montrant le
microréservoir sous la micropointe.
Vue de dessus d’une micro-pointe,

le diamètre interne est de 270 nm
Technologie Si
- 10 -
Technologie Si
• Gravure sèche anisotropique

gravure sèche profonde ou Deep-RIE :
⇒ association d’une machine et d’un process
Technologie Si
Principe du process «BOSCH»
•Masque défini en résine

•Gravures et passivations successives: Gravure: SF6 + O2 ; Passivation: C4F8
•Effet de ‘scalopping’
•Couche de polymère sur les flancs des structures.
Système RIE Système ICP

(Reactive Ionic Etching) (Inductively Coupled Plasma)
plus haute densité de plasma
Technologie Si
- 11 -
Technologie Si
Exemples de gravure Si profonde
Technologie Si
motifs gravés par ICP-RIE
Technologie Si
- 12 -
Technologie Si
motifs gravés par ICP-RIE
Technologie Si
Vitesse de gravure en fonction du rapport de forme et

de la largeur des tranchées
Besoin d’une couche d’arrêt pour un contrôle dimensionnel précis.
Technologie Si
- 13 -
Technologie Si
Technologie Si
Technologie Si
- 14 -
Technologie Si
Obtention des wafers SOI
Wafer bonding
SIMOX (Separation by IMplanted Oxygen)
SMARTCUT (SOITEC)
Technologie Si
Wafer bonding
•Avantages
Couche Si épaisse,
Concentration et type du substrat
différent de la couche,
Pas de dommage dans la couche
•Inconvénients
Utilisation d’une machine de soudure
2 substrats, Si gâché,
Forte utilisation de produits chimiques,
Problème de poussière,
Épaisseur du Si dépend du polissage.
Technologie Si
- 15 -
Technologie Si
Procédé SIMOX (Separation by IMplanted Oxygene)
•Avantages
Procédé micro-électronique standard,
1 substrat Si donne 1 substrat SOI,
Pas de polissage.
•Inconvénients
Dommage dû à l’implantation,
Dopage identique pour le substrat et la couche supérieur,
Faible épaisseur pour la couche supérieure.
Implantation d’oxygène à forte dose et forte énergie (de l’ordre de 200 keV). Le substrat est ensuite recuit à très
haute température (1320°C) pendant 6 heures dans une atmosphère d’argon et d’oxygène pour former un film
de silicium sans précipité d’oxyde, ainsi que des surface abrupte entre le SiO2 et le Si.
Commercialisés par la société française SOITEC issue du LETI en 1992 et par la société américaine IBIS. Ils
possèdent une
Technologie Si
SMARTCUT (SOITEC)
Avantages
Couche Si fine,
Bon contrôle de l’épaisseur,
Concentration et type du substrat différent de la
couche,
Pas de dommage dans la couche.
•Inconvénients
Utilisation d’une machine de soudure
2 substrats, Si gâché,
Technologie Si
- 16 -
Technologie Si
Exemple d’utilisation ICP-SOI

Structure Comb-drive
Applications
positionnement de tête de lecture disque dur, laser
CDRom
 convoyage
 capteurs capacitifs (force, accélération)
Principe
actionneur électrostatique, capteur électrostatique, capacitif
Intérêt du MEMS
dimensions. Intégration dans le silicium.
Structure en peignes interdigités
Technologie Si
Technologie Si
- 17 -
Technologie Si

Comb-drive sensor
Technologie Si

Comb-drive sensor
Characterizing Fruit Fly Flight Behavior Using a Micro Force Sensor With a New Comb Drive Configuration, Y. Sun
and B.J. Nelson ETH Suisse
Technologie Si
- 18 -
Technologie Si
Tableau comparatif des techniques de gravure de volume
Technologie Si
Comparaison Gravure Wet - Dry
gravure humique anisotropique gravure sèche anisotropique
• Rapport de forme!
• Consommation de liquides – gaz
• Contrôle des profiles:
– Orientation des espèces réactives dans le plasma
• Chimique   physique
– Espèces neutres non orientées   particules chargées
• Défauts
– Bombardement ionique, Charging   contamination
Technologie Si
- 19 -
Micro-usinage comparaison
Technologie Si Comparaison usinage de surface et usinage de volume :

caractéristique Micro-usinage de surface Micro-usinage de volume
Matériau de base Polysilicium Silicium
Couches particulières Couches sacrificielles : PSG, SiO2 Couche d’arrêt oxyde, couche dopées.
Couches sacrificielles : oxyde (wafers
SOI)
dimensions Petites (grande précision contrôlée par Grandes (les cavités font typiquement
l’épaisseur des couches (quelques plusieurs centaines de µm)
µm)
process Process simple face, Process simple ou double face,
Basé sur la sélectivité de gravure, Basé sur la sélectivité de gravure,
Gravure isotrope, Gravure anisotrope, (dépendant des
Stress résiduel dans les couches orientation du cristal),
dépendant du dépôt, du dopage et des Couche d’arrêt de gravure,
recuits. Modelage de contours (patterning).
Technologie Si
3. Ajout de matière (épitaxie)
Technologie Si
- 20 -
Ajout de matière
Technologie Si
Epitaxie : croissance du silicium
H2+SiH2Cl2  Si + H2 + 2HCl
Ajout de matière
Technologie Si
Epitaxie
silicium polysilicium
plein champ sélective plein champ sélective
1. Epitaxie sélective de silicium monocristallin

2. Epitaxie sélective polysilicium
3. Epitaxie polysilicium plein champ (THELMA)
Technologie Si
- 21 -
Ajout de matière
Technologie Si
20m
1. Epitaxie sélective de silicium monocristallin

5m
Ajout de matière
Technologie Si
Buried channels sealed by

Leakage problems due to non- Multi-level buried channel structure
wafer bonding
planarity of wafers. limited by wafer thickness.
Buried channels sealed with silicon nitride No more monocristalline silicon, micro-electronics Canal enterré
*www.oxfordplasma.de/process/si_sinch.htm processes such as doping can not be performed.
Etching for other channel levels is difficult.
Technologie Si
- 22 -
Ajout de matière
Technologie Si
2. Epitaxie sélective polysilicium
Ajout de matière
Technologie Si
Technologie Si
- 23 -
Ajout de matière
Technologie Si
Actionneur thermique
Ajout de matière
Technologie Si
Actionneur thermique
video actionneur thermique
Technologie Si
- 24 -
Technologie Si
Ajout de matière
Ajout de matière
Technologie Si
3. Epitaxie polysilicium
• THELMA process: Angular accelerometer STMicroelectronics, L6671 : 2.5rad/sec2
THick Epitaxial Layer for Micro-gyroscopes and Accelerometers
Technologie Si
- 25 -
Ajout de matière
Technologie Si
Exemple d’utilisation de l’épitaxie polysilicium (procédé THELMA) : accéléromètre
Accéléromètre angulaire ST
L6671 : 2.5rad/sec2 ; 30$ MEMS de l’accéléromètre angulaire ST
Différence par rapport aux techniques semiconducteurs

Technologie Si
• Différences entre les technologies de micro-fabrication MEMS (usinage de surface, de volume,

ajout matière) et les technologies de microfabrication semiconducteurs :
• Machines utilisées (exemples ICP-RIE)

• Process spécifique aux microtechnologies MEMS : XeF2, HF vapeur
• Conception intègre des aspects mécaniques, thermiques différents (3D, mouvement).

• En pratique : dispositifs plus fragiles, sticking, alignement double face, haut rapports de formes.
• Procédé pas encore entièrement standardisés (MUMPS, THELMA). Moins de recul que dans le
domaine des SC.
• Machines faible débit : ICP-RIE.

• Problème du packaging.
• D’un point de vue marché, production négligeable par rapport à l’industrie SC.
Technologie Si
- 26 -
Différence par rapport aux techniques semiconducteurs
Technologie Si
•Alignement double face
Technologie Si
- 27 -
Technologie
non-Si
Méthodes de fabrication non silicium

Microtechnologies de fabrication MEMS
1
M. Denoual
Techniques de fabrications des MEMS non Si

Technologie
non-Si
Matériaux
Si : limitation de formes (angles de gravure), empilement de

couche compliqué, structures enterrées pas faciles….
Propriétés intrinsèques du matériau : transparence,
conductivité, biocompatibilité…si l’intégration n’est pas
nécessaire, alors le Si est moins intéressant.
Nouveaux matériaux :
polymères, quartz, verre, céramiques, métaux
 nouvelles possibilités d’usinage, nouvelles formes et géométries

 répondre aux contraintes de rigidité, d’élasticité
 nouvelles propriétés : transparence, bio-compatibilité
Technologie non silicium

-1-
Techniques de fabrication des MEMS non Si
Technologie
non-Si
Principes généraux
retrait de matière
Substrat, matière première
ajout de matière

Technologie
non-Si
Technique de retrait de matière

micro-usinage
micro-EDM
powder blasting
gravure humide quartz
Technique d’ajout de matière
photolithographie de résine épaisse
LIGA/SLIGA
micro-stéréolithographie
soft-lithography

-2-
Technologie
non-Si
Micro-usinage (micro-milling)
Principe : pousser aux limites l’usinage classique.
Matériaux : métaux (pour la réalisation de micro-moules),
polymères et céramiques.
Caractéristiques : limité par la taille du forêt (minimum
40µm), usure importante des micro-forêts, difficulté
d’obtention de ces forêts.
Moule alu usiné fraise 150µm de diamètre

Dimensions minimum tours carré de 100µm de coté sur 300µm de haut
Technique de fabrication des MEMS : micro-usinage

Technologie
non-Si

-3-
Technologie
non-Si
micro-EDM
ElectroDischarge Machining (EDM)

Principe : décharge électrique arrache de la matière au substrat V
Matériaux : métaux, semi-conducteurs, céramiques
Caractéristiques : rugosité importante, faible contrôle de dimension, haut
rapport de forme (5-10)
décharge
table à EDM 7

Technologie
non-Si
micro-EDM
moule
électrodes pour les différentes parties du moule
moulage

-4-
Techniques de fabrication des MEMS
Technologie
non-Si
powder blasting
Powder blasting
Principe : des particules projetés sur une surface arrachent
physiquement des atomes du matériau exposé à travers un
masque.
Matériaux : verre borosilicate, Si
Caractéristiques : 25um/min, bon moyen de graver le verre ; vue d’une structure de 400um de profondeur obtenue
par «powder blasting»
limitations : forme en V, rugosité, rapport de forme 2.5 maximum
*http://www.micronit.com/
vue en coupe de canaux

obtenus par «powder
principe du «powder blasting» blasting»
9
*http://www.el.utwente.nl/tt/projects/blast/

Technologie
non-Si

micro-EDM
powder blasting
LIGA/SLIGA
soft-lithography
10

-5-
Techniques de fabrications de MEMS
Technologie
non-Si
résine négative épaisse
résine négative épaisse

Principe : photolithographie de résine négative épaisse
Matériaux : résine négative épaisse (SU8)
Caractéristiques : faible contrôle de hauteur, bon rapport de forme (5- 1. insolation de la résine épaisse
8), limitation du nombre de niveaux, limitation des dimensions
(ondulations), alignement pratique
2. insolation de la résine épaisse
cellule HUH7
SU8 sur silicium moule
11

Technologie
non-Si
LIGA
Lithographie Galvanoformung Adformung
Principe : formation guidée d’une pièce métallique par

électrodéposition par un moule en polymère
Matériaux : pièce métallique : nickel, cuivre.
Caractéristiques : hauteur jusqu’à 1mm, dimension minimale :

100nm, rapport de forme jusqu’à 100.
Limitation : troisième dimension toujours droite, utilisation d’un
X-synchrotron
12

-6-
Technologie
non-Si
LIGA
13
*http://www.darpa.mil/MTO/MEMS

Technologie
non-Si
micro-stéréolithographie
Micro-stéréolithographie
Principe : formation de motifs 3D strate par strate à partir d’un matériau photo-polymérisable
Matériaux : photopolymère (Du Pont SOMOS photopolymer 3100-3110, acrylate)
Caractéristiques : technologie de prototypage rapide, introduite en 1993 issue de la stéréolithographie (procédé

datant de 1981), diamètre du faisceau 1um, épaisseur des couches 5 à 20um
Micro-tube, 250umx250umx900um Micro-statue de la liberté

Durée de fabrication : 40min 14

-7-
Technologie
non-Si
CAO sur PC
solution photo réticulable 15

Technologie
non-Si
nettoyage
nettoyage
déposition de métal
Structure en polymère
retrait du polymère
Structure en métal
16

-8-
Technologie
non-Si

micro-EDM
powder blasting
LIGA/SLIGA
soft-lithography
17

Technologie
non-Si
soft lithographie
Soft Lithography
 Utilisation de tampons pour patterner une grande variété de

matériaux : SAM, polymères, protéines, colloïdes, substance
biochimiques
 Auto-assemblage (self-assembly)
 Impression par contact (contact printing)
 Micro-moulage (replica molding)
 Emboutissage (embossing)
18

-9-
Technologie
non-Si
SAM
Self Assembled Monolayers

G. Whitesides : « self-assembly is the autonomous
Principe : organisation spontanée de molécules ou d’objets
organization of components into patterns or structures
en des structures stables et bien définies. Dépôt en couche
without human intervention »
mince.
Caractéristiques : nanostructures, Modification des
propriétés des surfaces (mouillage, adhésion), protection
contre la corrosion, capteurs chimiques et biologiques
(adsorption de protéines, attachement de cellules),
isolement de couches de circuits intégrés.
technique SAMs résolution
microcontact printing RSH/Au 35nm

RSH/Ag 100nm
RSH/Cu 500nm
x
RSH/Pd 500nm
siloxane/SiO2 500nm
2-3nm photooxidation RSH/Au 10um
(CH2)n
photolithography siloxane/SiO2 500nm
S electron-beam writing RSH/Au 75nm
RSH/GaAs 25nm
siloxane/SiO2 5nm
19

Technologie
non-Si
SAM
« Three-Dimensional Micro-Self-Assembly Using Hydrophobic Interaction

Controlled by Self-Assembled Monolayers », H. Onoe, K. Matsumoto, I.
Shimoyama, J. Microelectromechanical systems 13.4, 603-611, 2004
20

- 10 -
Technologie
non-Si
SAM
21

Technologie
non-Si
DNA origami
Auto-assemblage de molécule d’ADN : DNA origami

 structure en double hélice découverte par Watson-Crick en
1953
 4 nucléotides de base : A(adenine), G(guanine), C(cytosine),

T(thymine)
 Liaisons A-T, G-C, paires de base
 Tour toutes les 10 paires de base
22

- 11 -
Technologie
non-Si
DNA origami

 Principe : synthèse de séquences d’acides nucléiques qui vont se plier sur elles-mêmes
pour minimiser leur énergie.
23
« DNA in a material world », N.C. Seeman, Nature 2003

Technologie
non-Si
DNA origami
DNA origami design

 motif à réaliser
 découpage de la structure
 définition du chemin de pliage
 génération de la séquence ADN
1000 à 10000 $ par nmol (« Folding DNA to creat

nanoscale shapes and patterns », P. Rothemund, Caltech, 2009)
24

- 12 -
Technologie
non-Si
DNA origami
25

Technologie
non-Si
micro contact printing
Micro contact printing

Principe : contact entre un tampon et une surface.
Limitation à deux dimensions.
Matériaux : tampon : PDMS, métal, solution imprimée trempage du tampon
variable : polymères, produits biochimiques.
Caractéristiques : simple, pratique, copies multiples. La perte
de matériau est minimisée, valable pour de grandes surfaces
et des surfaces non-planes. Résolution : dizaine de
nanomètres.
impression
26

- 13 -
Technologie
non-Si
techniques de fabrication des MEMS : micro contact printing
exemple de micro contact printing : poly-L-lysine déposée pour guider la croissance

d’axone de neurone.
27

Technologie
non-Si
micro molding
Micro-moulage (replica molding)

Principe : utilisation d’un moule pour transférer des motifs sur une polymère.
Matériaux : moule : métal, Si, résine épaisse; pré-polymère et agent réticulant (PDMS)
Caractéristiques : simple. Multiples utilisation du moule. Réalisation de moules pour microCP, MTM. Résolution :
dizaine de nanomètres, rapport de forme dépendant du moule.
moule pré-polymère et agent transfert des motifs,

réticulant liquide versé sur le chauffage
moule
motifs transférés 28

- 14 -
Technologie
non-Si
micro molding
moule en résine épaisse moulage en PDMS
29

Technologie
non-Si
micro thermomoulage
Micro-thermomoulage (hot-embossing)
Principe : utilisation d’un moule pour transférer des motifs sur une polymère thermoformable.
Matériaux : moule : métal, Si, résine épaisse; polymère thermoformable
Caractéristiques : simple. Multiples utilisations du moule. Résolution : dizaine de nanomètres, rapport de forme
dépendant du moule. Arrondissement.
polymère
moule chauffage et pression chauffage et pression
démoulage
prism sheet
30
*http://www.lgskorea.com/html/sub3005.html

- 15 -
Technologie
non-Si
injection plastique
Micro-coulée sous vide (vacuum casting)

Principe : moulage d’une structure dans un surmoule. Injection de résine liquide dans le surmoule pour former des pièces en
plastique après chauffage.
Matériaux : surmoule :silicone; plastique : résine thermoformable.
Caractéristiques : simple. Multiples utilisations du moule. Résolution : nanométrique, rapport de forme jusqu’à 20
  
31

Technologie
non-Si
comparaison des principales techniques
Tableau – Comparaison des techniques de fabrication de MEMS

hauteur rapport précision dimension liberté de rugosité limitations matériaux
forme minimale géométrie utilisables
gravure +++ 1.4 +++ +++ limitée +++ angle des plan Si
humide Si cristallins,
gravure sèche qqs 100 10 ++ 10 m cavités - Retch= f() Si
Si m etch<89°
EDM mm 5-10 + +, 10-100 ++ + métaux, semi-
m conducteurs,
céramiques
LIGA 1000 m 100 ++ ++ 100nm X-ray métaux,polymères,
synchrotron, céramiques
hauteur droite
micro- moule moule moule moule moule moule réplication, thermoplastique,
moulage angle droits polymères
résine 500 m 5 ++ +, m cavités ++ rigidité, solidité résine négative

négative
usinage mm <1.5 -- >100m - -- taille du forêt métaux, polymères
numérique ~10% (pas de carré)
stéréophotolit 100 m +++ ++ 5 m +++ + temps résine
hographie 0.25m XY;
1m Z
32

- 16 -
Technologie
non-Si
conclusion
Technologie du IIIième millénaire

nouveaux métiers multidisciplinaires
Nanotechnologies, NEMS
Difficultés :
CAO (mécanique, électrique, chimique, fluidique, optique, thermique, biologique),
Test……
Amélioration des techniques de micro-usinage : précision, fiabilité
Packaging
33

- 17 -
Co-integration
CMOS-MEMS
CMOS and MEMS co-integration

Solutions, co-integration pros. & cons.
1
M. Denoual
CMOS-MEMS co-integration
Co-integration
CMOS-MEMS
Why ?
 Smaller VDEC, Mita lab
 Lighter
 Cost reduction
 Functionalities:
– Noise immunity (EMC)
– Reliability
– Switched cap electronics Phenitec CMOS process
Predominantly capacitance measurement (100 aF)…
Charge integrator, sigma-delta structure.
2

-1-
CMOS-MEMS co-integration
Co-integration
CMOS-MEMS
SoPCB
Several ways
 Co-integration:
– Mixed electronics (analog-digital)
– Sensors and systems
– Electronics and sensors System-on-Printed Circuit Board
SoPCB
SiP
SoC
Angular accelerometer ST
Accelerometer
Integrated TV tuner System-on-chip SoC
Pressure sensor SAR10
System-in-Package SiP
3
Integrating MEMS and ICs, A. Fisher et al. Microsystems & Nanoengineering (2015) 1, 15005
System-on-Printed Circuit Board

Co-integration
CMOS-MEMS
 Multi-chip solution
 Historical method
 MEMS and IC: designed, manufactured and tested independently
decapsulated Colyibrys MS9000-series

accelerometer 8.9 × 8.9 × 3.2 mm3
4

-2-
System-in-Package
Co-integration
CMOS-MEMS
wire
 One integration step further bonding
Higher connection density

Reduces parasitics
But more constraints on
the thermal properties of
the different materials.
flip-chip
bonding
BGA: ball grid array

5
System-in-Package
Co-integration
CMOS-MEMS
 Advantages
– Manufacturing efficiency
– Known good die
– Easier testing
 Disadvantages
– Packaging can be difficult
– Different materials
– Temperature
– EMC
IC SiP : BGW200: single package

IEEE802.11B WLAN (10x15x1.3)
6

-3-
System-on-Chip SoC
Co-integration
CMOS-MEMS
Different approaches:
– MEMS first
– MEMS and IC using interleaved MEMS and IC processing
– MEMS last
 Via bulk micromachining of the IC substrate
 Via layer deposition and surface micromachining
7
System-on-Chip SoC
Co-integration
CMOS-MEMS
MEMS first
Applications
Pressure sensors (buried cavities)
resonators
Advantages
 Allows very high temperature budget
for MEMS processing (> 1100°C)
– High performance epitaxial silicon,
– Annealing, stress release of polySi
Disadvantages
 Substrate planarization required to
enable CMOS integration (CMP)
 Not in standard CMOS fabs
 Requires dedicated CMOS fab
– Big companies STMicroelectronics, VENSENS (VENice process for SENsors)
micromachined membrane 8

-4-
System-on-Chip SoC
Co-integration
CMOS-MEMS
interleaved MEMS and IC processing
 MEMS processing steps: before, after and during the CMOS fabrication
STMicroelectronics THELMA process, Sandia National laboratories M3EMS platform, Mod-MEMS integration
process of Analog Devices.
ADXL microaccelerometer, Analog Device
System-on-Chip SoC Integrating MEMS and ICs, A. Fisher et al. Microsystems & Nanoengineering (2015) 1, 15005
Co-integration
CMOS-MEMS
MEMS last via bulk micromachining of the IC substrate
 After the entire CMOS process has been completed since 1970 for pressure sensors
Advantages
 Can be implemented using existing IC infrastructure (access to design tools
and foundry)
 The MEMS components are formed in the completed IC wafers using fairly
simple and cost-effective processing steps.
 Potential of short development cycles (i.e. short time to market) and the
use of extremely low-cost components.
Disadvantages
 Limited design freedom for the MEMS devices and the limited selection of
materials for the MEMS devices allowed by the CMOS process.

http://www.elmos.com/produkte/know-how/co-integration.html The etching processes, such as the passivation step, must be carefully
designed not to attack any CMOS structures.
 In standard CMOS production lines, the mechanical properties of the
materials and layers are typically not very well characterized or
controlled.
 Reliability and repeatability problems in the fabricated MEMS devices.
10

-5-
System-on-Chip SoC
Co-integration
CMOS-MEMS
MEMS last via layer deposition and surface micromachining
 Deposition and micromachining on the top of completed CMOS wafers

 MEMS structures on top of a CMOS substrate
Advantages
 Standard CMOS foundries can be utilized to fabricated the CMOS
wafers.
 The MEMS structures are integrated on the top of completed CMOS
wafers. The complexity flow is relatively low and the same chip area
can be simultaneously occupied by both MEMS and CMOS
structures.
 Area on chip used very efficiently. Extremely high integration
densities
Disadvantages
 Temperature budget for the MEMS material below 400°C or 450°C.
 Excludes monocrystalline and polycrystalline silicon
 Technology less attractive for high performance material MEMS
such as inertial sensors and resonators
Clark T.-C. Nguyen and Roger T. Howe, CMOS Micromechanical Resonator Oscillator, Technical Digest, 11
IEEE International Electron Devices Meeting, Washington, D. C., December 5-8, 1993, pp. 199-202.
Co-integration
Co-integration
CMOS-MEMS
Conclusion and outlook
 Several solutions for combining MEMS and CMOS
Multi-chip SoC
Flexible Extremely high int. densities

Less complex EMC robust
Rapid time-to-market Low parasitic C and L
Cost effective MEMS and IC different sizes
Can integrate different technologies Lower packaging cost
Benefit of each technology Higher complexity
Manufacturing efficiency (known good die) Lower flexibility
Low integration densities Longer development times
Bigger (package 4-5 times larger) Production yield sensitive
Low EMC robustness Very high no recurrent costs
High parasitic C and L Unable to take benefits of each technology
12

-6-
Co-integration
Co-integration
CMOS-MEMS
Process yield
Yield: nb of good die/ number of die on the wafer

Yield heavily drives the cost of the chip.
Mature technology: yield >0.9

MEMS processes: yield 0.4-0.6
Manufacturing efficiency
p(f): probability to make good the func on f → p=0.98
systems needs n functions → n=10
With SoC
probability to make a good system SiP is more effective than
p(s)=pn=0.82 SoC when the technology is
i.e. manufacturing 100,000 devices gives 8200 good systems not mature. But more tests
With SiP design
manufacturing 10x10,000 will give 9800 good systems
13
Co-integration
Co-integration
CMOS-MEMS

Process cost
SoC can result in higher cost per die

Making two small die on two separate wafers is cheaper than making one large die on a single wafer
Better to half the

die size than half
the wafer price
Ian Rutherford, XFAB, MEMS foundry expert, Making Sense of MEMS and ASIC Monolithic Integration 14

-7-
Co-integration
Co-integration
CMOS-MEMS
 What is the best solution ?

– Hard to say.
– Highly depends on the device and fabricant.
Accelerometer, gyros, resonators: Die dedicated

high-perf materials to MEMS
Micro-display, arrays:
System-on-Chip
High integration
Tendency toward: 3D IC integration and through-substrate via in IC

industry pushes the widespread of these techniques for MEMS and IC
Heterogeneous MEMS and IC approach
Higher MEMS and IC integration
Smaller and cheaper components
15

-8-
résonateur
Dimensionnement d’un résonateur

Contexte de l’intégration des systèmes
1
M. Denoual
Structure mécanique résonante

résonateur
Le résonateur est un bon exemple de dispositif MEMS car il illustre le modèle du second ordre de type masse-
ressort amorti. Ce modèle est illustré dans la figure 1, avec la masse mobile m [kg], le ressort k [N/m] et le
facteur d’amortissement c [N.s/m]. Quand il est soumis à une force extérieure Fext [N], le déplacement x [m] de
la masse mobile est régi par l’équation différentielle :
dx d 2x eq(1)
Fext (t )  kx  c m 2
dt dt
f n  k / m / 2 eq(2)
la fréquence naturelle du système du second ordre.

L’existence d’une résonance mécanique de la structure dépend de la
condition : c  2 mk
fig 1 : Modèle masse-ressort amorti pour le
résonateur
Et la valeur de la fréquence de résonance mécanique est d’autant plus proche de la fréquence naturelle du
système du second ordre que le facteur d’amortissement  est faible.
f r  f n 1  2 eq(3)
1 c , pour les MEMS [0.01 ; 0.0001].

 A la résonance, l’énergie de vibration est stockée efficacement dans le système masse-ressort
2 km
et l’amplitude des oscillations devient plus importante que l’amplitude statique initiale xst=Fext/k.
Résonateur
-1-
Dimensionnement résonateur
résonateur
Démarche
 analyser l’actionneur électrostatique pour trouver la

force appliquée Fext
 analyser les ressorts de suspension pour déterminer la
constante de raideur k
 évaluer le déplacement statique maximum xst=Fext/k
 analyser la structure pour évaluer la masse m
 calculer la fréquence de résonance fr
 faire une simulation à éléments finis pour valider les
résultats précédents.
Fig 2 : Structure typique d'un résonateur MEMS avec une

masse mobile reliée à deux zones d’ancrage par quatre poutres
cantilever (ressorts). Un actionneur électrostatique (comb-
drive) à n paires de doigts permet l’application d’une force
électrostatique extérieure
fig 3 : Forces électrostatiques d'un actionneur en

peigne interdigité (comb-drive actuator)
Analyse du fonctionnement
résonateur
La force électrostatique générée par un actionneur électrostatique en peigne interdigité (comb-drive actuator)
est obtenue par la multiplication de la force développée par une paire de doigts par le nombre de paires de
doigts du peigne interdigité. La figure 3 illustre les forces électrostatiques présentes autour d’une paire de doigt
du peigne.
La force électrostatique étant conservatrice, son
expression est obtenue en dérivant l’énergie
stockée entre les armatures des électrodes
(U=½CV2, avec C=0y0t/g2).
U  yt
Fx1  ( g )   0 02 V 2   Fx 2 eq(1)
x 2g
fig 3 : Forces électrostatiques d'un actionneur en
peigne interdigité (comb-drive actuator) U t
Fy  ( y0 )   0 V 2 eq(2)
y g
L’application numérique avec des valeurs géométriques et électriques typiques -
0=8.85 pF/m, t=25 µm, y0=25 µm, g=2 µm, V=10 V - conduit à :
Du fait de la symétrie selon l’axe y, les forces Fx1 et Fx2
sont opposées et de même valeur. D’une manière générale, les forces transversales (Fx) s’annulent 2 à 2 et
la force résultante selon l’axe x est nulle. Seules les composantes suivant l’axe y s’ajoutent et permettent
le déplacement de la partie mobile. Pour un peigne interdigité à 100 paires de doigts, la force résultante
longitudinale est 100Fy= µN.
Ce résultat illustre une 1ère règle d’or : un microactionneur développe des forces de l’ordre du micronewton.
4
Résonateur
-2-
Analyse des ressorts de suspension (1/2)
résonateur
La partie mobile est considérée non-déformable, par conséquent masses et constantes de raideur peuvent être
considérées comme des constantes réparties. Ainsi, pour déterminer k, le concepteur peut simplement
appliquer une force et relever le déplacement. La constante de raideur d’une structure plus complexe est
obtenue à partir de combinaisons des constantes de raideur des poutres de suspension.
Etape 1 : calcul de la raideur d’une simple poutre

On considère une poutre cantilever de longueur, largeur et épaisseur
respectivement L0, W et t, comme illustrée dans la figure 4.
La courbe génératrice de la poutre (w(x)) selon l’axe vertical y
lorsqu’elle n’est soumise à aucune force par unité de longueur est
définie par l’équation : d 4w fig 4 : Poutre lors de l'application
EI 4 ( y0 )  0 eq(6)
d'une force à l'extrémité
dx
où E est le module d’Young du matériau de la poutre et I le moment d’inertie quadratique.
Dans le cas d’une poutre de section rectangulaire, I vaut tW3/12.
Si l’on applique une force de charge Fy en bout de poutre à x=L0, la courbe génératrice après intégration et
prise en compte des conditions aux limites devient :
Fy  L0 x 2 x 3 
w( x )     eq(7)
EI  2 6
Fy L30
Le déplacement vertical est maximal à l’extrémité de la poutre en x=L0 et vaut : w( L0 )  eq(8)
EI 3
Cette équation qui lie un déplacement à une force appliquée permet d’exprimer la raideur de la poutre k0 :
1
 L3  3EI EtW 3
k0   0   3  5
 3EI  L0 4 L30
Analyse des ressorts de suspension (2/2)

résonateur
Etape 2 : cas de l’association de plusieurs poutres

Quand deux poutres indépendantes sont associées en parallèle leurs raideurs s’additionnent. Quand deux poutres
sont associées en série, l’inverse de la raideur résultante est la somme des inverses de raideurs de chacune des
poutres. Pour résumer, les règles d’association des raideurs sont similaires à celle de l’association des
condensateurs dans le domaine électrique.
Dans le cas de la structure MEMS illustrée en figure 5 et correspondant aux structures réalisées, la raideur totale
équivalente, ktotal, de la structure est alors 2k0 (4×k0/2).
L’application numérique dans le cas du

matériau silicium (E=130 GPa) et avec des
données géométriques typiques (L0=500 µm,
W=4 µm et t=25 µm) conduit à
K0 =0.416 N/m
Ktotal =0.832 N/m.
fig 5 : Résonateur MEMS à 8 ressorts
En considérant la force électrostatique précédente de 1.11 µN, le déplacement est alors xst=1.33 µm. Ce résultat permet
d’écrire la
2nde règle d’or :
les dispositifs MEMS soumis à des micronewtons de force se déplacent de l’ordre du micromètre.
6
Résonateur
-3-
Calcul de la fréquence de résonance
résonateur
Etape 3 : calcul de la fréquence de résonance
Après calcul de la masse mobile en prenant en compte la densité du silicium (2.328 kg/m3) et la géométrie de
la masse (1 mm×600 µm×25 µm), soit une masse m=3.492×10-8 kg
et en utilisant la raideur obtenue précédemment de 0.832 N/m,
la fréquence de résonance vaut fr=776.8 Hz.
Soit une valeur proche du Sol de la 4ème octave. L’ordre de grandeur de la masse m=34.92 µg est à noter, et
conduit à la 3ème règle d’or :
les MEMS pèsent des microgrammes.
Conception mécanique et topologie (layout)

résonateur
Les paramètres de conception sont la constante de raideur k et la masse m. Le matériau imposé étant le silicium,
la conception porte alors sur la géométrie de la structure.
La synthèse suit les étapes ci-dessous :

1. analyser de l’actionneur pour trouver Fy
2. trouver une raideur k pour obtenir un déplacement visible à l’analyse (xst=Fy/k, quelques µm)
3. déterminer une masse qui satisfait m=k0/(2fr)2
4. concevoir suspensions et masse pour obtenir les k et m souhaités.
L’unique contrainte de dimension est l’épaisseur de la couche de silicium (t=25 µm) qui est fixée par le wafer SOI
utilisé lors de la fabrication.
(a) 1er mode : f=771.15 Hz (b) 2nd mode : f=24941 Hz
Résonateur
-4-
Fabrication en salle blanche et caractérisation
résonateur
Le transfert des motifs se fait par lithographie électronique (EBeam machine,
ADVANTEST F5112+VD01) au centre VDEC(VLSI Design and Education
Center). La lithographie électronique, étape (a), est faite soit sur un wafer 4
soit sur des puces découpées de 20 mm×20 mm. L’étape de lithographie
électronique prend moins d’une demi-heure pour un wafer 4. La résine utilisée
pour la lithographie électronique (Toyko Ohka Kogyo Co. Ltd OEBR-CAP112)
peut être étalée sur des épaisseurs jusqu’à 1.6 µm ce qui est suffisant pour
servir de masque de protection lors de la gravure profonde du silicium. La
gravure RIE (Reactive Ion Etching, gravure ionique réactive) des 25 µm de
silicium de la couche supérieure du wafer SOI, étape (b), est faite sur un
équipement de gravure profonde deep-RIE (Alcatel MS-100). Après un
nettoyage au plasma d’oxygène et un rinçage organique (étape (c)), les puces
ou le wafer sont découpés au laser (LASER Stealth Dicing Machine DISCO
DFL-7340). Les échantillons obtenus sont plongés dans une enceinte de
gravure à acide fluorhydrique en phase vapeur (un simple bécher en téflon
Diagramme de Bode et modèle ajusté par fit.
placé sous une lampe 40 W).
Les puces avec leurs structures libérées (étape (d)) sont assemblées et micro-
câblées (Westbond 7476D) sur un circuit imprimé pour la prise de contact.
Résonateur
-5-

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Electronique intégrée pour capteurs et capteurs MEMS

 Micro-electromechanical Systems (MEMS)

1. Qu’est-ce qu’un MEMS ? définitions

5. Références et liens pour en savoir plus

1. Qu’est-ce qu’un MEMS

Micro Electro-Mechanical System

«Les microsystèmes sont des dispositifs compacts miniaturisés,

1. Qu’est-ce qu’un MEMS

 MEMS (Micro-systèmes électro-mécaniques) : 1, 2 ou 3 éléments de la chaîne suivante.

 Fonction traitement (analogique ou numérique) transforme le signal électrique issu du capteur

 Fonction actionneur (transducteur de sortie) convertit un signal électrique en grandeur non

1. Qu’est-ce qu’un MEMS

micromagnétisme microsystème chimie

mécanique biologie microélectronique

1. Qu’est-ce qu’un MEMS

 Abus de langage : Micro Electro-Mechanical System

– MEMS pour des micro-structures « simples » (pas des systèmes),

– MEMS pour des microsystèmes ne comprenant pas de parties électro-

– Technologies nouvelles non issues de l’industrie semi-conducteurs.

 interdisciplinaire : mécanique, optique, chimie, biologie, …

« Un MEMS est un dispositif constitué de parties extrêmement petites microparties (microparts). »

1982 publication « Silicon as 1967 invention de l’usinage

1970 accéléromètre en 1948 premier

Marché 8-9 Milliards $

Marché dispositifs portables : 25.4%

Marché industriel : croissance 18.1%

Tête d’impression jet

[Yole Développement 2009]

Fabricant de MEMS dans le monde [Yole Développement 2008]

10% des fabricants représentent plus de 90% du marché mondial

Micro-electromechanical Systems (MEMS)

 Bénéficier des avantages des micro-technologies pour créer de nouveaux systèmes et

Intérêts de la miniaturisation sur un exemple :

Thermodynamique Dissipation de chaleur plus grande refroidissement Transport de chaleur

 Facteur d’échelle (scaling laws) :

 outils de la micro-électronique (gravure, photolithographie) connus,

SIMULATION REALISATION OBSERVATION

Simulation COVENTOR du déplacement du résonateur Vue SEM du résonateur et de ses peignes de

CARACTERISATION, UTILISATION CARACTERISATION

Tests du résonateur électrostatiques, confirmation de Relevé topographique de la zone de transfert

Microtechnologie de fabrication silicium

• Technologie de fabrication maîtriser grâce aux technologie semi-conducteur,

Plan de Microtechnologie de fabrication silicium « micromachining »

Empilement de couches «sacrificielles» et de couches «structurelles»

couches «structurelles» : couche de matériau qui comporte le dispositif

Empilement de couches «sacrificielles» et de couches «structurelles»

1. insolation de la couche 2. développement 3. dépôt de la couche

4. insolation de la couche 5. développement 6. retrait de la couche

multi-couches, épaisseur, séparation des couches

Exemple : Digital Mirror Display (DMD) de Texas Instrument

surface du DMD de Texas Instrument

Carrés de 10 à 15µm de coté.

Bulk etching : usinage de volume.

Exemple : pour une gravure deep-RIE le ratio

Micro-usinage de volume  retrait de matière

1. gravure humide anisotropique

Hotte de chimie utilisée pour la

gravure humide anisotropique

EDP: Ethylene diamine pyrocatechol corrosif ET cancérigène!

• Gravure sèche isotropique

– Exemple : XeF2 Xénon-Fluor ou SF6

Évidement de la base des pointes par attaque