Table des matières

Introduction général ............................................................................................................................... 2

1. Bref Historique : ............................................................................................................................. 4

2. Les Propriétés Physiques Des Semi-conducteurs III-V ................................................................. 5

2.1. Proopriétés Sttructurales Des Commposés Biinaires Des Semi-Coonducteurs III-V : .......... 8

2.2. Propriétés Cristallines Des Composés Binaires III-As, III-Sb, IIII-P : ................................. 10

2.3. Structure De Bande D’énergie Des Semi-Conducteurs III-V : ............................................. 11

3. Quelques Applications Des Semi-Conducteurs III-V : ................................................................ 13

Conclusion ..............................................................................................................................................
15 Références ..............................................................................................................................................
16

1
Introduction général
Un semi-conducteur est un matériau qui a les caractéristiques électriques d'un isolant, mais pour lequel
la probabilité qu'un électron puisse contribuer à un courant électrique, quoique faible, est suffisamment
importante. En d'autres termes, la conductivité électrique d'un semi-conducteur est intermédiaire entre
celle des métaux et celle des isolants.

Le comportement électrique des semi-conducteurs est généralement modélisé, en physique quantique des
solides, à l'aide de la théorie des bandes d'énergie. Selon celle-ci, un matériau semi-conducteur possède
une bande interdite suffisamment petite pour que des électrons de la bande de valence puissent facilement
rejoindre la bande de conduction. Si un potentiel électrique est appliqué à ses bornes, un faible courant
électrique apparaît, provoqué à la fois par le déplacement des électrons et par celui des « trous » qu'ils
laissent dans la bande de valence.

La conductivité électrique des semi-conducteurs peut être contrôlée par dopage, en introduisant une petite
quantité d'impuretés dans le matériau afin de produire un excès d'électrons ou un déficit. Des
semiconducteurs dopés différemment peuvent être mis en contact afin de créer des jonctions, permettant
de contrôler la direction et la quantité de courant qui traverse l'ensemble. Cette propriété est à la base du
fonctionnement des composants de l'électronique moderne : diodes, transistors, etc.

Le comportement des semi-conducteurs, comme celui des métaux et des isolants est décrit via la théorie
des bandes. Ce modèle stipule qu'un électron dans un solide ne peut que prendre des valeurs d'énergie
comprises dans certains intervalles que l'on nomme « bandes », plus spécifiquement bandes permises,
lesquelles sont séparées par d'autres « bandes » appelées bandes d'énergie interdites ou bandes interdites.

Deux bandes d'énergie permises jouent un rôle particulier :

• la dernière bande complètement remplie, appelée « bande de valence »

• la bande d'énergie permise suivante appelée « bande de conduction »

La bande de valence est riche en électrons mais ne participe pas aux phénomènes de conduction (pour
les électrons). La bande de conduction, quant à elle, est soit vide (comme aux températures proches du
zéro absolu dans un semi-conducteur) soit semi-remplie (comme dans le cas des métaux) d'électrons.
Cependant c'est elle qui permet aux électrons de circuler dans le solide.

2
Dans les conducteurs (métaux), la bande de conduction et la bande de valence se chevauchent. Les
électrons peuvent donc passer directement de la bande de valence à la bande de conduction et circuler
dans tout le solide.
Dans un semi-conducteur, comme dans un isolant, ces deux bandes sont séparées par une bande interdite,
appelée couramment par son équivalent anglais plus court « gap ». L'unique différence entre un
semiconducteur et un isolant est la largeur de cette bande interdite, largeur qui donne à chacun ses
propriétés respectives.

Dans un isolant, cette valeur est si grande (aux alentours de 6 eV pour le diamant par exemple) que les
électrons ne peuvent pas passer de la bande de valence à la bande de conduction : les électrons ne circulent
pas dans le solide (voir la figure I ).

Figure I-1 : Schéma théorique établi selon la théorie des bandes d'énergie indiquant suivant les cas
la position respective de la bande de valence et de la bande d'énergie .

3
 1. Bref Historique :
 1833 : Michael Faraday remarque l'augmentation du pouvoir conducteur de certains métaux
lorsque l'on augmente la température, contrairement aux métaux classiques dont la résistivité
augmente avec la température.

 1839 : Antoine Becquerel découvre l'effet photovoltaïque. Il constate une différence de potentiel
en éclairant le point de contact entre un conducteur et un électrolyte.

 1879 : Effet Hall. Edwin Herbert Hall découvre une différence de potentiel dans le cuivre dans la
direction perpendiculaire au courant et au champ magnétique.

 1947 : John Bardeen, William Shockley et Walter Brattain découvrent l'effet transistor1,2. 
1947 : Herbert Mataré et Heinrich Welker (en) développent à Aulnay-sous-Bois, à la CFSW le
premier « transistor français » réellement opérationnel en même temps et indépendamment des
travaux des chercheurs américains, entre 1945 et 1948.

 1951 : Herbert Mataré fonde la première compagnie au monde à proposer sur le marché des diodes
et des transistors : Intermetall à Düsseldorf.

 1954 : Fabrication des premiers transistors en silicium.

 1958 : Réalisation du premier circuit intégré par Jack Kilby.
 1961 : Théorie moderne des semi-conducteurs. Kenneth Geddes Wilson décrit les
semiconducteurs comme isolant à faible bande interdite

4
 2. Les Propriétés Physiques Des Semi-conducteurs III-V
Les matériaux III-V sont constitués des éléments des colonnes IIIb et Vb de la classification périodique
des éléments. Le tableau (I-1) regroupe un extrait de cette classification (les chiffres en haut et en bas
représentent respectivement le nombre atomique et la masse atomique). Ainsi, de nombreux composés
binaires peuvent être réalisés.

‫ من الجددول الدوري للعناصر من خالل الجدول يتضح لنا انه يمكن تركيب العديد من المركبات الثنائية‬5 ‫ و‬3 ‫ من عناصر االعمدة‬5-3 ‫تتكون المواد‬

‫(التصنيف هذا من مقتطف‬I-1) ‫للعناصر الدوري الجدول من‬. ‫الجدول يحتوي‬Vb ‫و‬IIIb ‫األعمدة عناصر من‬III-V ‫المواد تتكون‬
‫على‬
(. ‫الذرية والكتلة الذري العدد التوالي على تمثل األسفل وفي األعلى في األرقام‬.) ‫ وبالتالي‬، ‫الثنائية المركبات من العديد إجراء يمكن‬

Tableau I-1 : extrait de la classification périodique des éléments.

Des perspectives très prometteuses s’offrent aux semi-conducteurs composés III-V, en raison de leurs
propriétés intrinsèques remarquables ‫ خصائص جوهرية‬5-3 ‫النصاف النواقل‬

5
. Ils sont en effet dotés d’une forte mobilité électronique‫ تمتاز هذه المركبات بانتقاالت لالكترونات جيدة‬et, le plus
souvent , d’une bande interdite directe permettant l’émission de lumière ‫في اغلب األحيان هذه المركبات لديها فجوة‬
‫طاقة مباشرة‬. Ces propriétés leur offrent un large champ d’applications nouvelles dans des domaines très
divers incluant la microélectronique rapide digitale et analogique, les composants électroniques de
puissance hyperfréquence et l’optoélectronique intégrée. ‫هذه الخصائص تجعل لها تطبيقات جديدة واسعه في عدة مجاالت‬
‫ والمكونات اإللكترونية لقدرة الميكروويف واإللكترونيات الضوئية المتكاملة‬، ‫ من بينها اإللكترونيات الدقيقة الرقمية والتماثلية السريعة‬En
électronique rapide et en optoélectronique [1,2]

semi-conducteurs III-V sont préférables que d’autres (les propriétés du silicium par exemple sont
insuffisantes : mobilités des porteurs relativement petites et transition électroniques indirectes au seuil
d’absorption optique). ‫ مفضله عن غيرها من اشباه النواقل‬5-3 ‫ تعد اشباه النواقل‬On citera par exemple quelques
composés binaires et ternaires, GaAs, InP, GaAlAs, InGaAs,… Les propriétés de ces matériaux sont très
intéressantes pour les performances de ces dispositifs. ‫على سبيل المثال المركبات الثنائية و الثالثية لها خصائص مهمة جدا‬
‫ألداء األجهزة التي ذكرناها سابقا‬

Les semi-conducteurs III-V à l’état nanostructure font un sujet d’actualité vus les multiples applications
technologiques, Les nanocristaux de ces semi-conducteurs ont des propriétés qui peuvent être mises à
profit pour des applications en micronanoélectronique, optoélectronique, ou même photovoltaïque.

‫تحتوي البلورات الخاصة بأشباه الموصالت على خصائص يمكن استغاللها للتطبيقات في اإللكترونيات الدقيقة أو اإللكترونيات الضوئية أو حتى‬
‫الخاليا الكهروضوئية‬.

Dans cette partie nous allons donner quelques notions relatives aux semi-conducteurs III- V suivis par
un rappel sur leurs propriétés structurales, puis les propriétés de la structure de bande et les effets de la
taille nanométrique des semi-conducteurs sur les propriétés électrique.

L'étude de leur structure de bandes montre toutefois, que les éléments les plus légers donnent des
composés dont la bande interdite est large et indirecte, et dans laquelle la masse effective des électrons
est élevée. Des matériaux, comme les composés contenant du bore, ou de l'aluminium, sont ainsi moins
intéressants pour l'électronique rapide. ‫تبين دراسة بنية الفجوة ان العناصر االخف تعطي مركبات تحتوي على فجوة طاقة واسعة و‬
‫ مثل المركبات التي تحتوي على البور او االليمينوم‬.‫تكون الكتلة الفعالة فيها لالكترونات عالية‬
Le tableau (I-2) résume cette situation en donnant l'énergie Eg de bande interdite, la masse effective
m*/m0 (où m* et m0 sont respectivement la masse effective et la masse de l'électron dans le vide) des
électrons du bas de la bande de conduction, la mobilité électronique à champ faible µ et le paramètre
cristallin a et α (Г) coefficient de non parabolicité de la vallée Г. Des semiconducteurs binaires comme

6
l'arséniure de gallium (GaAs), l'antimoniure de gallium (GaSb), le phosphure d'indium (InP), l'arséniure
d'indium (InAs), l'arséniure d'aluminium (AlAs), mais également les alliages ternaires et quaternaires qui
en découlent, présentent des propriétés très intéressantes pour les

Tableau I-2 : propriétés des principaux composés binaires III-V à 300 K.

applications hyperfréquences. Ces alliages ternaires et quaternaires sont réalisés par substitution partielle
de l'un des éléments par un élément de la même colonne. On sait, par exemple, obtenir des alliages du
type GaxAl1-xAs ou du type GaxIn1-xAs.

‫الموصالت أشباه إن‬III-V ‫ متعددة تكنولوجية تطبيقات في رؤيته يتم موضعي موضوع هي النانوية البنية حالة في‬، ‫من النانو بلورات‬
‫ الدقيقة اإللكترونيات في للتطبيقات استخدامها يمكن خصائص لها هذه الموصالت أشباه‬، ‫ الضوئية اإللكترونيات‬، ‫الخاليا حتى أو‬

‫الكهروضوئية‬. ‫الموصالت أشباه حول األفكار بعض سنقدم الجزء‬

‫هذا في‬III-V ‫ الهيكلية خصائصها حول تذكير‬، ‫هيكل خصائص ثم‬

‫تليها الكهربائية الخواص على النانوية الموصالت أشباه وتأثيرات‬

7
‫‪III-V 033‬الرئيسية الثنائية المركبات خواص ‪I-2:‬الجدول ‪.‬الفرقة‬

‫‪K.‬إلى‬

‫‪ ،‬مباشرة وغير واسعة نطاقها فجوة تكون التي المركبات تعطي وزنا األخف العناصر أن الشريطي تركيبها دراسة توضح ‪ ،‬ذلك ومع‬
‫عالية لإللكترونات الفعالة الكتلة فيها وتكون ‪.‬ةجاذبي أقل فهي وبالتالي ‪ ،‬األلومنيوم أو ‪ ،‬البورون على تحتوي التي المركبات مثل ‪ ،‬المواد‬
‫‪* /‬م فعالة وكتلة نطاقها‪ ،‬فجوة المثال سبيل على الطاقة إعطاء طريق عن الوضع هذا )‪(I-2‬السريعة لإللكترونيات ‪.‬الجدول ويلخص‬
‫و وو *الفراغ في اإللكترون وكتلة الفعالة الكتلة التوالي على هي )نطاق من السفلي الجزء من اإللكترونات من ‪m‬حيث ‪M0 (M0‬‬
‫‪Г.Des‬وادي ثنائي من ‪nonparabolicity‬معامل )‪α (Г‬شعرية والمعلمة ضعيفة المجال ميكرون اإللكترون والتنقل التوصيل‪،‬‬
‫اإلنديوم فوسفيد (العراقي النووي البرنامج)اإلنديوم ‪(GaSb) ،‬الغاليوم ‪) ،antimonide‬الغاليوم الغاليوم كما الموصالت أشباه (الغاليوم‬
‫زرنيخيد (إيناس)الزرنيخ األلومنيوم ‪( ،‬لألسف)‪ ،‬لالهتمام جدا مثيرة خصائص لديها منها‪ ،‬اآلتية والرباعية الثالثية السبائك أيضا ولكن ‪،‬‬
‫الميكروويف لتطبيقات ‪.‬العمود نفس من عنصرا التي العناصر من واحد جزئي استبدال التي والرباعية الثالثية السبائك هذه وتشكل ‪.‬حنون‬
‫‪GaxIn1.‬س ‪-‬نوع أو س‪GaxAl1-‬سبائك على الحصول المثال‪ ،‬سبيل على نعلم‪،‬‬

‫‪Représente les variations de l'énergie de bande interdite en fonction du paramètre cristallin a qui‬‬
‫‪varie lui même avec la composition. Les points du graphe figurent la position des composés‬‬
‫‪binaires stœchiométriques, et les lignes représentent l'évolution du gap Eg et du paramètre‬‬
‫‪cristallin a, en fonction de la composition des alliages ternaires. Certaines lignes présentent un‬‬
‫‪point anguleux qui dénote une transition entre un gap direct et un gap indirect. Ce diagramme est‬‬
‫‪donc très important parce qu'il permet de connaître la composition de tout alliage ternaire‬‬
‫‪susceptible d'être déposé en couche mince, par épitaxie, sur un substrat binaire comme GaAs ou‬‬
‫‪InP. Les matériaux III-V offrent donc une grande variété de compositions permettant de modifier‬‬
‫يبين الجدول تغيرات طاقة الفجوة بداللة المعامالت البلورية والتي تختلف باختالف المركب ‪leurs propriétés électroniques.‬‬

‫التكوين مع تختلف والتي البلورية للمعلمة كدالة الممنوعة الفرقة طاقة في االختالفات يمثل ‪.‬موضع البياني الرسم نقاط تمثل‬
‫‪a‬البلورية والمعلمة المثال سبيل على الفجوة تطور الخطوط وتمثل ‪ ،‬المتكافئة الثنائية المركبات‬ ‫السبائك تكوين في كدالة ‪،‬‬
‫الثالثية ‪.‬مباشرة غير وفجوة مباشرة فجوة بين انتقال إلى تشير حادة نقطة على الخطوط بعض تحتوي ‪.‬التخطيطي الرسم لهذا‬
‫على ‪ ،‬الفصقة طريق عن ‪ ،‬رقيقة طبقة في ترسبها يمكن ثالثية سبيكة أي تركيبة معرفة الممكن من يجعل ألنه كبيرة أهمية مثل‬
‫‪.‬اإللكترونية خصائصها لتعديل التركيبات من واسعة مجموعة ‪III-V‬مواد تقدم لذلك ‪InP.‬أو ‪GaAs‬ثنائية ركيزة‬

‫‪2 .1. Propriétés Structurales Des Composés Binaires Des Semi-Conducteurs IIIV :‬‬

‫"‪La plupart des matériaux III-V cristallisent dans la structure sphalérite dite "Zinc Blende‬‬
‫‪présentée sur la figure (I-1).‬‬

‫‪8‬‬
 sphalerite "Zinc Blende" ‫ في ما يسمى بنية‬III-V ‫تتبلور معظم مواد‬

Cette structure, qui s'apparente à celle du diamant (C, Ge, Si, etc.), est constituée de deux sous-
réseaux cubique face centrée (cfc), l'un d'éléments III et l'autre d'éléments V, décalés l'un par
3
rapport à l'autre du quart de la diagonale principale, c'est-à-dire de a 4 [111], où a représente
le paramètre de maille du matériau.

cfc ‫هذه التركيبة تشبه تركيبة األلماس بحيث تحتوي على شبكة مكعبة ممركزة الوجه‬

- 5 ‫ و االخر من العمود‬3 ‫من عناصر العمود‬

‫مواد معظم تتبلور‬III-V ‫بنية يسمى ما في‬sphalerite "Zinc Blende" ‫(الشكل في الموضحة‬I-1). ‫ الهيكل هذا‬،
‫(يتألف الماس هيكل يشبه الذي‬C ،Ge ،Si ، ‫ )بالوجه مكلفين فرعيين إطارين من‬، ‫(إلخ‬cfc) ، ‫العناصر أحد‬III
‫واآلخر للعناصر‬V ، ‫]المادة شبكة المعلمة تمثل حيث‬111[ ، ‫ الرئيسي القطر ربع بمقدار البعض بعضها يقابلها‬، ‫أي‬.

Figure I-2 : mailles cristallographiques des structures Diamant et Zinc

Blende.
A partir du réseau cristallin, on définit le réseau réciproque, qui est le système de cordonnées (énergie-
vecteur d’onde) dans lequel on représente les variations des fréquences de vibration du réseau cristallin
ou de l’énergie des états électroniques en fonction du vecteur d’onde k caractérisant la propagation de
l’onde considérée (de nature vibrationnelle ou électronique) .

9
Le réseau réciproque associé à la structure de type zinc-blende est cubique centré. Sa maille élémentaire
, qui correspond à la première zone de Brrillouin est représenté sur la figure1-2. Elle préssente un cenntre
de symétrie Γ à l’origine ( k =0) et des axes de symétrie : Il existe : 3 axes équivalents <100> 4 axes
quivalents <111> avec les points correspondants L.

‫ هذه الخلية األولية تتوافق مع اول منطقة لبريلوان و لها مركز تناظر‬cc ‫ هي مكعبة ممركزة‬zinc blende ‫الشبكة التبادلية مرتبطة بنوع تركيبة‬
L ‫ و ثالث محاور تناظر مع النقاط‬Γ

‫ البلورية الشبكة من (الطاقة موجة ناقل)فيه نمثل الذي‬، ‫ التبادلية الشبكة بتعريف نقوم‬، ‫السلكي النظام هي والتي‬
‫الموجة موجه لل كدالة اإللكترونية الحاالت طاقة أو البلورية الشبكة اهتزاز ترددات تباينات‬k ‫انتشار تميز التي‬
‫)المدروسة الموجة (اإللكترونية أو االهتزازية الطبيعة‬.
‫ األولية الخلية‬، ‫منطقة مع تتوافق التي‬2 - 1 ‫الشكل يظهر‬.‫مركزة بليندي‬- ‫الزنك نوع ببنية المرتبطة ريبروك شبكة‬
Brrillouin ‫تناظر مركز له‬. ‫األولى‬Γ ‫(األصل عند‬k = 0) 4 >133< ‫مكافئة محاور‬0 : ‫يوجد‬: ‫التناظر ومحاور‬
‫>المقابلة النقاط مع‬111< ‫مكافئة محاور‬L.

Figure I-3 : Première zone de Brillouin d’un réseau cubique à faces centrées

2.2. Propriétés Cristallines Des Composés Binaires III-As, III-Sb, IIII-P :

Les semi-connducteurs II-As, III-Sb , III-P tels que GaAs,InSb, GaP etc..., ont une structure
cristallographique de type zinc blende. Les liaisons atomiques dans les matériaux II-V ne sont pas
simplement covalentes comme dans le cas du silicium.

1
 ‫أشباه النواقل ‪ GaAs,InSb, GaP‬كما قلنا عبارة عن بلورات من نوع ‪ . zinc blende‬الروابط الذرية ليست مجرد تساهمية‪.‬‬

‫‪Elles reposent sur le transfert d’électrons des atomes du groupe V (As) sur ceux du groupe III (Ga). Dans‬‬
‫‪un cristal composé de l’arséniure de gallium, chaque atome d’arséniure est entouré de quatre atomes de‬‬
‫‪gallium, et chaque attome de gallium est entouré de quatre atomes d’arséniure. Il se produit alors un‬‬
‫‪échange d’électrons, le cristal se construit avec les ions Ga- et As+, qui ont tous quatre électrons‬‬
‫‪périphériques. Cette répartitiion est à l’origine du caractère partiellemeent ionique et partielleement‬‬
‫‪covalent des liaisons (semi-connducteurs polaires) qui sont orientées dans l’espace suivant les axes de‬‬
‫‪symétrie d’un tétraèdre régulier. Cette propriété est en particulier responsable de l’anisotropie optique‬‬
‫‪dans les hétérostructures semi-conductrices III-V qui a été mise en évidence expérimentalement par‬‬
‫‪Krebs et Voisin .‬‬

‫تعتمد على نقل االلكترونات من عناصر العمود ‪ 5‬الى عناصر العمود ‪ .3‬في المركبات المكونة من ‪Ga‬و ‪ . As‬اكل ذرة من ‪Ga‬محاطة بأربع‬
‫ذرات من ‪As‬و كل ذرة من ‪As‬محاطة بأربع ذرات من ‪ Ga‬ينتج عن هذا التبادل االكتروني ‪ .‬وهذه التوزيعات جزئيا ايونية و جزئيا تساهمي (‬
‫اشباه نواقل قطبية ) ‪ ,‬هذه الخواص بالخصوص مسؤولة عن التباين البصري في الهياكل غير المتجانسة ألشباه الموصالت من الثالث إلى الخامس‬
‫والتي أظهرها تجريبيا ً كريبس وفويسن‪.‬‬

‫الزنك مزيج نوع من بلورية بنية على ‪ ،‬ذلك إلى وما ‪GaP .‬و ‪InSb‬و ‪GaAs‬مثل ‪III-P‬و ‪III-Sb‬و ‪II-As‬الموصالت شبه تشتمل‬
‫‪V‬السيليكون حالة في كما ‪ ،‬تساهمية مجرد ليست ‪.‬المجموعة لذرات اإللكتروني النقل على تعتمد إنها ‪II-V‬مواد في الذرية الروابط‬
‫‪ ،‬الغاليوم من ذرات بأربع زرنيخيد من ذرة كل تحيط ‪ ،‬الغاليوم زرنيخيد من مكونة بلورة في ‪ III (Ga).‬المجموعة ذرات على )‪(As‬‬
‫و ‪Ga‬زرنيخيد من ذرات بأربع الغاليوم ذرات من ذرة كل وتحيط ‪.‬باأليونات البلورة تصنيع يتم حيث ‪ ،‬اإللكترونات تبادل يتم ذلك بعد‬

‫طرفية إلكترونات أربعة بها وكلها ‪. ،‬للروابط ً ايئزج والموجهة ًا يئزج التساهمية الشخصية أصل هو التوزيع هذا (شبه القطبية ‪As +‬‬
‫الموصلة )المنتظم السطوح لرباعي التماثل محاور طول على الفضاء في توجيهها يتم التي ‪.‬التباين عن خاص بشكل مسؤولة الخاصية هذه‬
‫‪.‬وفويسن كريبس ً ايبيرجت أظهرها والتي الخامس إلى الثالث من الموصالت ألشباه المتجانسة غير الهياكل في البصري‬

‫‪Le réseau réciproque du réseau de Bravais corespondant à la structure zinc de blende est un réseau‬‬
‫‪cubique centré. La première zone de Brillouin du réseau réciproque a la forme octaèdre tronqué (voir‬‬
‫‪figure I.2) par les six faces d’un cube. Elle présente un centre de symétrie à l’origine noté Γ et les axes‬‬
‫‪de symétrie Δ, Χ, et Σ. Les points de croisement de chacun de ces axes avec les frontières de la zone de‬‬
‫‪Brillouin sont les points de haute symétrie, et ils jouent un rôle primordial dans la structure de bande‬‬

‫األولى ‪Brillouin‬مركزية مكعبة شعرية عن عبارة الزنك مزيج لبنية المطابقة ‪.‬منطقة تحتوي ‪Bravais‬لشبكية التبادلية الشبكة إن‬
‫للمكعب الستة الوجوه خالل من ً ‪.‬تناظر مركز على يحتوي إنه )‪I.2‬الشكل مجسم مجسم شكل على متبادلة شعرية لشبكة (الشكل انظر‬
‫نقاط هي ‪Brillouin‬منطقة حدود مع المحاور هذه من محور كل تقاطع نقاط ‪Σ.‬و ‪Χ‬و ‪Δ‬التناظر ومحاور ‪Γ‬الصأ إليه اإلشارة تمت‬

‫الشريط بنية في اًيسيئر ارً ود وتلعب ‪ ،‬العالي التناظر‬

‫‪1‬‬
 2.3. Structure De Bande D’énergie Des Semi-Conducteurs III-V :
5-3 ‫بنية فجوة الطاقة الشباه النواقل‬

Les matériaux semi-conducteurs III-V ont huit électrons par cellule unitaire contribuant aux liaisons
chimiques. Les autres électrons n’interviennent pas dans les propriétés optiques des hétérostructures. Les
orbitales de type s et de type p de chaque atome (comme exemple le gallium Ga s’hybrident avec les
orbitales des atomes d’arséniure As), et forment des liaisons covalentes tétraédriques de type sp3 : 4
orbitales liantes et 4 orbitales antiliantes. ‫االكترونات األخرى ال تتدخل في‬. ‫ الكترونات في الخلية األولية‬8 ‫ لها‬5-3 ‫أشباه النواقل‬
‫ و تشكل لنا روابط تساهمية رباعية‬,‫الخصائص البصرية‬

Les quatre orbitales liantes donnent lieu à quatre bandes d’énergie, chacune deux fois dégénérée de spin,
et forment la bande de valence. Cette bande est pleinement occupée par des électrons à T=0K, pour un
semi-conducteur parfait. ‫تعطي المدرات األربعة اربع فجوات للطاقة كل اثنين تشكالن نطاق تكافؤ مملوء عند الصفر المطلق في حالة شبه‬
‫ناقل مثالي‬

‫ألخرىا اإللكترونات تتداخل ال‬. ‫الكيميائية الروابط في تساهم وحدة خلية لكل إلكترونات ثمانية على‬III-V ‫الموصالت أشباه مواد تحتوي‬
‫مدارات مع‬Gallium Ga ‫ المثال سبيل على‬، ‫ذرة لكل (تهجين‬p-type ‫و‬s-type ‫المدارات‬. ‫المتغايرة للهياكل البصرية الخواص في‬
‫تؤدي‬. ‫للعض مضاد مداري‬4 ‫و‬binder ‫مداري‬sp3: 4 type ، ‫لـ السطوح رباعية تساهمية روابط وتشكيل‬arsenide As) ‫ذرات‬
‫ طاقة نطاقات أربعة إلى األربعة الموثق مدارات‬، ‫ وتدور مرتين تتدهور منها كل‬، ‫ التكافؤ فرقة وتشكل‬، ‫كتروناتاإلل الفرقة هذه وتشغل‬
. ، ‫المثالية الموصالت ألشباه‬T = 0K ‫عند ا ًم امت‬

Les quatre autres orbitales antiliantes donent naissance à quatre bandes supérieures, et forment la bande
de conduction qui est inoccupée et est séparée de celle précédente par une bande d’énergie interdite de
largeur Eg (band gap en anglais). Pour les semi-conducteurs à gap direct le maximum de la bande de
valence et le minimum de la bande de conduction sont au point Γ. En présence du couplage spin-orbite,
l’hybridation des orbitales anti-liantes de type p donne naissance à une bande Γ8c doublement dégénérée
et une bande Γ7c distante d’une énergie Δ0. La bande de conduction contient donc une bande Γ6c qui résulte
de l’hybridation des orbitales de type s, et les deux bandes Γ8c et Γ7c. De manière similaire, la bande de
valence contient une bande Γ8v doublement dégénérée et une bande split-off Γ7v distante d’une énergie
‫ من اجل اشباه‬، Eg ‫ و تشكل لنا هذه نطاق التوصيل مفصولة بطاقة ممنوعة‬,‫تؤدي المدرات األربع المضادة للربط الى ظهور اربع نطاقات عليا‬Δ0.
.Γ ‫نواقل ذات طاقة ممنوعه مباشرة المنطقة العليا لنطاق التكافؤ و المنطقة الدنيا لنطاق التوصيل في النقطة‬

1
 ‫لنطاقا عن ويفصل مأهول غير توصيل شريط وتشكل ‪ ،‬عليا نطاقات أربعة ظهور إلى للسعال المضادة األخرى األربعة المدارات تؤدي‬
‫الممنوعة الطاقة من نطاق فجوة بفارق السابق ‪.‬والحد لتكافؤا لنطاق األقصى الحد يكون ‪ ،‬المباشرة الفجوة ذات الموصالت ألشباه بالنسبة‬
‫النقطة عند التوصيل نطاق من األدنى ‪Γ.‬النوع من للربط المضادة المدارات تهجين يؤدي ‪ ،‬الدوران حول مدار اقتران وجود ظل في ‪p‬‬
‫مضاعف متدهور نطاق تكوين ‪Γ8c‬ونطاق ‪c7c‬الطاقة عن بعيد ‪Δ0.‬نطاق على التوصيل شريط يحتوي لذلك ‪Γ6c‬تهجين عن ناتج‬
‫النوع من المدارات ‪s‬والنطاقين ‪Γ8c ،‬و ‪Γ7c.‬مضاعف متدهور شريط على التكافؤ شريط يحتوي ‪ ،‬مماثل نحو على ‪Γ8v‬إلى وشريط‬
‫إلى مقسم ‪7‬تبلغ مسافة على فولت ‪Δ0‬طاقة ‪.‬‬

‫‪Les bandes d'énergie donnent les états d'énergie possibles pour les électrons en fonction de leur vecteur‬‬
‫فجوات الطاقة تعطي حاالت الطاقة الممكنة لالكترونات بداللة شعاع الموجه لها ‪d'onde.‬‬

‫‪On les représente donc dans 1'espace réciproque et pour simplifier, dans les directions de plus hautes‬‬
‫‪symétries de la première zone de Brillouin. Elles se décomposent en bandes de valence et bandes de‬‬
‫‪conduction (Fig I.3). Ce sont la bande de valence la plus basse, la bande de conduction la plus haute, et‬‬
‫‪la bande interdite qui les sépare qui déterminent principalement les propriétés de transport du‬‬
‫‪semiconducteur.‬‬

‫الموجة لمتجه كدالة لإللكترونات الممكنة الطاقة حاالت الطاقة عصابات تعطي‪.‬في للتبسيطو المتبادل الفضاء يف تمثيلهم يتم وبالتالي‬
‫لمنطقة األعلى التماثل اتجاهات ‪Brillouin‬األولى ‪.‬التوصيل ونطاقات التكافؤ عصابات إلى تتحلل (الشكل ‪ ، I.3).‬التكافؤ فرق أدنى إنه‬
‫الموصالت أشباه نقل خصائص أساسي بشكل تحدد التي هي بينهما النطاق وفجوة ‪ ،‬توصيل نطاق وأعلى‪.‬‬

‫‪1‬‬
 Figure I.4 Structure cristalline du GaAs .

3. Quelques Applications Des Semi-Conducteurs III-V :

 L’évolution du transistor MOSFET

Les transistors MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) assemblés sous
forme de portes logiques dans les processeurs permettent d’effectuer des opérations logiques. Les
transistors MOSFET agissent comme des interrupteurs qui laissent ou non passer le courant.

‫( تأثير أشباه الموصالت بأكسيد المعادن تجميعها في شكل بوابات المنطق في المعالجات‬MOSFET) ‫ترانزستور الترانزستور‬
.‫ بمثابة مفاتيح ذلك اسمحوا أو ال يمر التيار‬MOSFET ‫ الترانزستورات‬.‫تجعل من الممكن القيام بها العمليات المنطقية‬

 Place des matériaux III-V dans l’industrie des semiconducteurs

Les matériaux III-V rassemblent les alliages composés d’un ou plusieurs éléments de l colonne III
du tableau périodique associé avec un ou plusieurs éléments de la colonne V La liste des éléments
est représentée. Le silicium et le germanium appartiennent à la colonne IV du tableau périodique.
Les composés III-V les plus répandu dans l’industrie des semi-conducteurs sont le GaN, le GaAs et
l’InP. Ils existent en substra et offrent donc une large gamme de paramètre de maille pour l’épitaxie
de III-V sur III-V .

1
‫ سبائك تتكون من عنصر واحد أو أكثر من عناصر العمود الثالث من الجدول الدوري المرتبط بعنص واحد‬III-V ‫تجمع مواد‬
‫ ثرأك‬.‫ ينتمي السيليكون والجرمانيوم إلى العمود الرابع من الجدول الدوري‬.‫أو أكثر من العمود الخامس قائمة العناصر ممثلة‬
‫ وهي موجودة في بدائل وبالتالي توفر‬InP. ‫ و‬GaAs ‫ و‬GaN ‫ ويش اعً في صناعة أشباه الموصالت هي‬III-V ‫مركبات‬
.‫الخامس إلى الثالث إلى الخامس‬-‫مجموعة واسعة من المعلمات شبكة لثالثي‬

 Solutions d’intégration d’une couche III-V sur un substrat de silicium

Pour remédier à ces difficultés d’épitaxie de III-V sur Si, plusieurs solutions d’intégration sur Si sont
possibles. On peut les classer en deux grandes catégories, selon que l’épitaxie est faite en couche
complète, ou localisée dans des motifs. Puis, deux types de substrats peuvent être employés : un
substrat Si standard, ou un substrat Si avec isolant. Les combinaisons possibles sont résumées sur
la Figure I-5 et seront expliquées dans la suite de cette partie.

‫ يمكن‬.‫ العديد من حلول التكامل على سي ممكنة‬، ‫ على سي‬epitaxy ‫للتغلب على هذه الصعوبات من الثالث إلى الخامس‬
‫ نوعين من‬، ‫ ثم‬.‫ أو يقع في أنماط‬، ‫ امتعا ادً على ما إذا كانت الحالة مصنوع في طبقة كاملة‬، ‫تصنيفها إلى فئتين عريضتين‬
‫ وسيتم‬I-5 ‫ ال تم تلخيص التوليفات الممكنة في الشكل‬.‫ مع العزل‬Si ‫ أو الركيزة‬، ‫ القياسية‬Si ‫ الركيزة‬:‫ركائز يمكن استخدامها‬

.‫شرحها في بعد هذا الجزء‬

Figure 1-5: Possibles intégrations d'un canal III-V sur substrat Si. ART signifie « Aspect Ratio
Trapping » et CLSEG «Confined Epitaxial Selective Lateral Overgrowth ».

Conclusion
Dans ce travail on a présenté les propriétés physiques des matériaux III-V, ainsi que les structures
cristallines, les bandes d’énergies, et donnée quelque applications .

1
 L’utilisation des matériaux composés apporte de nombreux avantages en termes de propriétés des
matériaux. En effet, le but de leur fabrication est de profiter des bonnes propriétés de chaque matériau
afin d’en former un qui sera mieux adapté à certaines applications. La combinaison de deux matériaux
ou plus, permet donc d’améliorer les propriétés d’un matériau, est cela a fait l’objet de plusieurs étude et
l’intérêt de plusieurs chercheurs.

‫ العمل هذا في‬، ‫للمواد الفيزيائية الخصائص قدمنا‬III-V ، ‫ البلورية الهياكل وكذلك‬، ‫ الطاقة وأشرطة‬، ‫التطبيقات وبعض‬.

‫ الواقع في‬، ‫ االستفادة هو صنعها من الغرض فإن‬.‫المواد خصائص حيث من المزايا من العديد يجلب المركبة المواد استخدام‬
‫ الممكن من يجعل المواد من أكثر أو اثنين من مزيج‬.‫معينة لتطبيقات مالءمة أكثر تكون مادة لتشكيل مادة لكل الجيدة الخصائص من‬
‫ المواد خصائص تحسين‬، ‫الباحثين من العديد واهتمام الدراسات من العديد موضوع هو وهذا‬.

1
Références
1 F.D. Murnaghan, Proc. Natl. Acad. Sci. USA. 30, 244 (1944).
2-F. El Haj Hassan, A. Breidia, S. Ghemid, B. Amrani, H. Meradji, O. Pagès Journal of Alloys, les
composes
3- Mathilde BILLAUD-THÈSE Intégration de semi-conducteurs III-V sur substrat silicium pour les
transistors n-MOSFET à haute mobilité Sites web

http://science.sciencemag.org/content/281/5385/2013
https://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/archives-th12/archives-
electroniquetiaea/archive-1/materiaux-semi-conducteurs-a-grand-gap-iii-v-a-base-de-gan-e1995/
https://fr.wikipedia.org/wiki/Semi-conducteur