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CHI : SEMICONDUCTEURS

1. Définitions
1-1 Conducteur

Un conducteur est un corps qui laisse passer le courant électrique.


Il a une structure cristalline dont l'ossature est constituée d'ions et disposant d'électrons libres (parmi
les périphériques) en déplacement désordonné dû à la température. C'est le cas des métaux.

ions constituant le cristal métallique


+ + + +
e- e- e- e- électrons libres dans le cristal

+ + + +
e- e- e- e-
Fig. 1 Structure d'un métal

Remarque :
• Si on applique une tension aux bornes d'un conducteur, un champ électrique apparaît à
l'intérieur et de ce fait, les électrons se dirigent vers la borne positive. Le déplacement
d'ensemble des électrons constitue le courant électrique.
• L'opposition d'un corps au passage du courant électrique est caractérisée par un coefficient
appelé résistivité du corps, notée ρ et exprimée en Ω.m (ohm.mètre). L'inverse de la résistivité
est la conductivité, notée γ et exprimée en S/m (siemens par mètre).
1
γ=
ρ
Elle représente l'aptitude d'un corps à laisser passer le courant électrique.
Pour les conducteurs : 104 S/m< γcond <108 S/m.

1-2 Isolant

Un isolant est un corps qui ne laisse pas passer le courant électrique, sa structure atomique
l'amenant à ne pas avoir d'électrons libres.
Dans un isolant parfait, aucun courant n'apparaît malgré l'application d'un champ électrique.
Pour les isolants : 10-14 S/m< γ < 10-6 S/m.

1-3 Semiconducteurs

Les semiconducteurs sont des éléments possédant quatre électrons périphériques.


Leur conductivité est intermédiaire de celles des isolants et des conducteurs :
10-4 S/m< γ < 10 S/m.

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2. Niveaux d'énergie

La différence de conductivité s'explique au niveau électronique à partir de leur structure de bandes


d'énergie. Un atome est constitué d'électrons en couches autour du noyau. Plus la couche est
éloignée du noyau, plus l'énergie des électrons est élevée. L'atome n'étant pas isolé, il subit
l'influence de ses voisins et les couches électroniques permises deviennent alors des bandes ou zone
d'énergie. La conductivité des matériaux est déterminée par les électrons des deux bandes
extérieures appelées bande ou zone de valence et bande ou zone de conduction.
Les électrons situés dans la bande de valence constituent les liaisons de valence entre atomes et
ceux situés dans la bande de conduction deviennent des électrons libres, responsables de l'existence
possible d'un courant électrique.

E E E

BC
BC
BC
∆E=0,5 à 3 eV
∆E=3 à 15 eV
BV
BV
BV

Isolant semiconducteur conducteur

Fig. 2 Diagramme de bandes d'énergie

À la température T = 0K, tous les électrons sont dans la bande de valence (BV).
Si la température augmente, l'énergie apportée, appelée énergie d'activation intrinsèque (de l'ordre de
1 eV - électron volt) est insuffisante pour l'isolant (7 eV pour le diamant) mais suffisante pour un
semiconducteur (0,72 eV pour le germanium et 1,12 eV pour le silicium). Quelque électrons de la
zone de valence atteignent la bande de conduction (BC) et deviennent alors des électrons libres.

3. Conductivité intrinsèque

Cette conductivité concerne le semiconducteur pur, c'est à dire qu'il n'a reçu aucun corps étranger.
Considérons le silicium pur. C'est un élément de valence 4 à structure cristalline.

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À T = 0K, les électrons forment des liaisons de covalence et sont fortement liés aux atomes de
silicium. Aucune charge mobile n'est susceptible d'assurer la circulation d'un courant électrique.

Si

électrons de valence liaison de valence

Si Si Si

Si

Fig. 3 Liaisons covalentes dans un cristal de


silicium

À la température ambiante, il y a possibilité pour quelques électrons de passer dans la zone de


conduction. Ces électrons s'éloignant de l'atome laissent derrière eux des vides auxquels on donne le
nom de trous, charges positives dans la structure cristalline.
Ce phénomène de création de paires "électron - trou" s'appelle thermo-génération et est à
l'origine de l'augmentation de la conductivité du semiconducteur.

Si

trou électron libre

Si Si Si

liaisons covalentes
Si

Fig. 4 Création de paire "électron - trou"

Les trous se déplacent par sauts et sont donc moins mobiles que les électrons libres. Leur
mouvement est désordonné et chaotique. Par contre, si on applique un champ électrostatique dans le
cristal, alors les mouvements des électrons libres et des trous deviennent orientés et opposés : il
apparaît un courant électrique composé de deux types de porteurs, les électrons libres et les trous.

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Remarque :
Soit n, la concentration en électrons libres (nombre d'électrons libres par unité de volume du cristal)
et p, celle des trous.
On a : n = p = ni
où, ni est la concentration intrinsèque.
Pour le silicium à T = 300K, ni = 1,45.10-10 cm-3 .
Cette concentration due au phénomène de génération est faible pour permettre un courant important.
Il faut améliorer cette conductivité intrinsèque et la transformer en une conductivité extrinsèque.

4. Conductivité extrinsèque

Pour augmenter la conductivité des semiconducteurs, on introduit des impuretés (atomes étrangers)
dans la structure cristalline : c'est le dopage.
L'ordre de grandeur est de un atome d'impureté pour 106 à 109 atomes de semiconducteur.
On distingue deux types de dopages :
o le dopage de type N
o et le dopage de type P.

4-1 Dopage N

Dans ce type de dopage, les atomes d'impuretés sont des éléments chimiques ayant 5 électrons
périphériques. On peut citer le Phosphore (P), l'Arsenic (As) et l'Antimoine (Sb).
Considérons un cristal de silicium.
L'introduction d'un atome de phosphore provoque la libération d'un électron. L'atome d'impureté, de
type donneur, devient un ion positif fixe.

Si

électron libre

Si P Si

Si

Fig. 5 Dopage de type N :


Si dopé par un atome donneur

Le semiconducteur ainsi dopé est de type N car le courant électrique est majoritairement constitué de
porteurs de charges négatives (électrons libres).

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4-2 Dopage P

Les atomes d'impuretés sont des éléments chimiques ayant 3 électrons périphériques. On peut citer
le Bore (B), l'aluminium (Al), le Gallium (Ga) et l'Indium (In).
Considérons un cristal de silicium.
L'introduction d'un atome de Bore provoque la création d'un trou. L'atome d'impureté, de type
accepteur, devient un ion négatif fixe.

Si

trou

Si B Si

Si

Fig. 6 Dopage de type P :


Si dopé par un atome accepteur

Le semiconducteur ainsi dopé est de type P car le courant électrique est majoritairement constitué de
porteurs de charges positives (trous).

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