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ENSET DE DOUALA M. AKOUE/M.

ONAMBELE

CHAPITRE I : TECHNOLOGIE DES CIRCUITS INTEGRES LOGIQUES


I. INTRODUCTION

Le besoin de miniaturisation et de réduction des coûts ont depuis longtemps poussé les
fabricants de composants électroniques à intégrer au maximum les structures électroniques
donnant naissance aux CIRCUITS INTEGRES.
Si à l'heure actuelle tout ne peut pas encore être intégré (éléments nécessitant une forte
dissipation de chaleur, condensateurs de grosse capacité, tubes électroniques...), il faut
reconnaître que chaque jour de nouveaux pas sont franchis dans la miniaturisation (un transistor
est placé dans un carré de 0,1μm de coté à l'heure actuelle). Dans ce chapitre nous présentons
les circuits intégrés numériques, en particulier les technologies qui constituent la base de ses
derniers.

II. DEFINITION DE CIRCUIT INTEGRE


Aussi nommé puce électronique, un circuit intégré désigne un bloc constitué par un monocristal
(Puce) de quelques millimètres carrés à l’intérieur duquel se trouve inscrit en nombre variable,
des composants électroniques élémentaires (Transistors, diodes, résistances, condensateurs,
...).

III. CLASSIFICATION DES CIRCUITS INTEGRES

Les circuits intégrés sont classés selon leurs caractéristiques et leur domaine d'emploi. La
figure ci-dessous illustre ce classement:

IV. DEFINITION DES CLASSES D’INTEGRATION


Dans l’ordre chronologique, on distingue 5 classes d’intégration :
 Les microcircuits SSI (Small Scale Intégration ) datant de depuis 1964 :  100
transistors par cm2 (1 à 12 portes logiques);

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 Les circuits intégrés MSI (Médium Scale Intégration) datant de depuis 1968 :  1000
transistors par cm2 (13 à 99 portes logiques)
 Les circuits LSI (Large Scale Intégration) datant de depuis 1971 :  10000 à 100000
transistors par cm2 (100 à 9999 portes logiques).
 Les circuits VLSI ( Very Large Scale Intégration) datant de depuis 1980 :  0.1 à 1 million
transistors /cm2 (10000 à 99999 portes logiques)
 Les circuits ULSI (Ultra Large Scale Integration) datant de depuis 1984 : plus de 1
million transistors /cm2
(plus de 100000 portes logiques).

V. CARACTERISTIQUES DES CIRCUITS INTEGRES NUMERIQUES


V.1. CARACTERISTIQUES STATIQUES
V.1.1. Notion de niveaux logiques
Les circuits intégrés fonctionnent généralement grâce à deux logiques, à savoir la logique
positive et la logique négative. Pour une famille donnée, les niveaux logiques « 0 » et « 1 » ne
correspondent pas à une tension précise, mais à une certaine « plage » de tension.
Pour les valeurs relatives à une entrée (tension ou courant), on utilisera le terme anglais
(Input) ; et Pour les valeurs relatives à une sortie (tension ou courant), on utilisera le terme
anglais (Output)

a. Tension : En général, les caractéristiques des circuits intégrés logiques sont


normalisées par des lettres:

 I(Input) désigne une entrée,


 O(Output) une sortie,
 H(high) indique l’état haut d'une sortie,
 L(low) indique l’état bas d'une sortie,
 Z ou HZ indique l’état haute impédance d'une sortie 3 états,
 X indique un état indéterminé.
Nous avons par exemple les valeurs suivantes pour ce qui concerne la tension dans un circuit
intégré :
 VIHmin : Tension minimale en entrée qui assure le niveau logique haut.
 VILmax : Tension maximale en entrée qui assure le niveau logique bas.
 VOHmin : Tension minimale de sortie à l’état logique haut.
 V0Lmax : Tension maximale de sortie à l’état logique bas.

Compatibilité des niveaux logiques


 Compatibilité au niveau haut : Il faut que VOHmin > VIHmin
 Compatibilité au niveau bas : Il faut que VILmax > VOlmax

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 marges de bruit (« Noise Margin»)


NMH = VOH – VIH
NML = VIL - VOL

Exemple: VIL=0,8V VIH= 2V VOL =0,3V VOH = 2,8 V NML = 0,5 V et NMH=0,8V

b. Courant : Dans ce cas, nous pouvons citer le :

 Courant d’entrée niveau haut : IIH est le courant traversant l’entrée lorsqu’une
tension de niveau haut est appliquée.
 Courant d’entrée niveau bas : IIL est le courant traversant l’entrée lorsqu’une tension
de niveau bas est appliquée.
 Courant de sortie niveau haut : IOH est le courant traversant la sortie lorsqu’une
tension de niveau haut est fournie.
 Courant de sortie niveau bas : IOL est le courant traversant la sortie lorsqu’une
tension de niveau bas est fournie.
V.1.2. Entrance (fan-in) et sortance (fan-out)

L’entrance
On appelle entrance l’unité d’intensité de courant électrique nécessaire au bon fonctionnement
d’une entrée (En anglais : FAN IN).
La consommation de l'entrée de la porte TTL standard est considérée comme l'unité de base
Fan In de 1 Cette unité de base est utilisée.
Une entrée d'opérateur logique qui possède un FAN IN de 1 absorbe au 1 logique 40 µA et peut
débiter au 0 logique 1,6 mA.

Ainsi, une entrée ayant un fan in de 2 absorbera des courants deux fois plus forts au 1 logique
80 pA et débitera au 0 logique 3,2 mA (-3,2 mA).

La sortance
Appelée également facteur de charge est définie comme le nombre maximal d'entrées logiques
standards qui peuvent être pilotées sans problèmes par une sortie. Si on dépasse ce nombre, il
n'est pas assuré que les tensions des niveaux logiques des sorties seront exactes.
Ce paramètre caractérise le nombre N maximal d’entrées de portes logiques pouvant être
commandées par la sortie d’un autre opérateur logique de la même famille.

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IO II
X X IOH : Courant de sortie maximal à l’état haut
II
X IOL : Courant de sortie maximal à l’état bas
II
X

IIH : Courant d’entrée maximal à l’état haut


 Sortance N ( A l’état haut ) = IOH / IIH
 Sortance N ( A l’état bas ) = IOL / IIL IIL : Courant d’entrée maximal à l’état bas

Remarque : La documentation constructeur fournie les données suivantes : IOH, IIH, IOL, IIL.

Ainsi une porte TTL standard qui peut fournir 400 µA au 0 logique et absorber 16 mA au 1
logique a donc un Fan Out de 10 (16/1.6) : cela signifie qu'une telle sortie peut piloter 10 entrées
logiques standards.

V.2. CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES


(Temps de montée, de descente et de propagation)
V.2.1. Temps moyen de propagation (délais des portes)
Lorsqu’on applique à l’entrée d’un circuit un niveau logique, il y a un certain retard pour que la
sortie réagisse. Cette durée est le temps moyen de propagation tPD.

 tPHL: Temps niveau haut au niveau bas.de propagation du


 tPLH: Temps de propagation du niveau bas au niveau haut.
 tr : Temps de montée (rise time) mesurée entre 10% et 90% du front montant;
 tf : Temps de descente (fall time) mesurée entre 10% et 90% du front descendant;
tPD = (tPHL + tPLH ) / 2

Remarque : Ce temps détermine la fréquence maximale FMAX à laquelle les circuits intégrés
sont capables de réagir.

Détermination de fmax dans un système de circuit s en cascade

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Le modèle général de détermination de la fréquence maximum d’un opérateur séquentiel prend


en compte les retards dans les circuits et les règles concernant les instants de changement des
entrées vis à vis des fronts actifs de l’horloge. La figure III-15 définit les temps les plus
importants :
tPi pour des temps de propagation et tSU pour le temps de prépositionnement d’une bascule.

Figure 15 : Modèle de calcul de la fréquence maximum

La fréquence maximum de fonctionnement interne est donnée par :


fint = 1/(tP2 + tP1 + tSU)
Pour le calcul de la fréquence maximum externe, il convient de rajouter, dans la formule
précédente, le temps de propagation des cellules de sortie :
fext = 1/( tP3 + tP2 + tP1 + tSU)

V.2.2. CONSOMATION
Les premiers circuits programmables avaient plutôt mauvaise réputation sur ce point. Tous les
circuits actuels ont fait d’importants progrès en direction de consommations plus faibles.

V.2.2.1. Puissance consommée par un circuit intégré

De manière générale, les puissances instantanée et maximale sont données par les formules
suivantes :

Puissance instantanée: p(t) = v(t)i(t) = Vsupply.i(t)


Puissance maximale: Ppeak = Vsupply.ipeak

L’estimation plus précise de puissance consommée par un circuit intégré est étroitement liée à
l’architecture du dispositif numérique (nombre de portes logiques donc de transistors) ainsi
qu’à sa technologie de fabrication.
Au niveau système, il est possible d’estimer la puissance consommée d’une porte logique, elle
correspond à la somme de la puissance statique et de la puissance dynamique.
P = Pstatique + Pdynamique

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En ce qui concerne la puissance statique, elle provient des courants de fuite directement donnés
par les constructeurs (datasheets) des portes logiques, en fonction de la technologie. Ces fuites
sont intrinsèques (présentes, même avec une activité nulle) et non maîtrisables par le
concepteur. Idiode se rapporte au courant traversant les diodes formées entre les régions de
diffusion et le substrat. Les fuites à travers le diélectrique sont négligeables. Isubthreshold
se rapporte au courant traversant les transistors à l’état bloqué. Ces courants de fuite sont
toujours présents même à activité nulle (s=0) : ils sont pris en compte dans l’estimation de la
puissance consommée totale.

Pstatique = Ifuites.U or Ifuites= Idiode + Isubthreshold

Soit Pstatique = (Idiode + Isubthreshold).U

La puissance dynamique est directement proportionnelle à l’activité du système, et prend en


compte la puissance de commutation et la puissance de court-circuit.
Pdynamique = Pcourtcircuit + Pcommutation

L’équation ci-dessous présente une bonne approximation de la puissance de commutation pour


une porte logique.
𝑃𝑐𝑜𝑚𝑚𝑢𝑡𝑎𝑡𝑖𝑜𝑛 = 𝑠. 𝑓. 𝐶. 𝑈 2

La puissance de court-circuit pour une porte logique peut être calculée avec l’équation (11.9).

𝛽
(𝑈 − 2𝑉𝑇 )3 𝜏
𝑃𝑐𝑜𝑢𝑟𝑡𝑐𝑖𝑟𝑐𝑢𝑖𝑡 = 𝑠. 𝑓.
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Les principaux paramètres des deux équations sont les suivants :

s : l’activité de la porte, c’est-à-dire le nombre de changements d’état logique de la valeur


considérée par rapport au signal d’horloge. Une activité maximale correspondra à s =1 c’est-à-
dire à un changement d’état à chaque front actif de l’horloge.

f : la fréquence de fonctionnement du circuit numérique (fréquence du signal d’horloge du


système)
C : la capacité équivalente d’une porte logique et dépend plutôt de la technologie du circuit
logique.
U : la tension d’alimentation.
VT : la tension de seuil d’un transistor MOS.
Β : le facteur de gain d’un transistor MOS.
𝜏 : le temps de montée et le temps de descente du signal d’entrée de la porte logique.

Pour réduire la puissance statique et la puissance de court-circuit, on emploie la


technologie la plus récente (taille des transistors de plus en plus réduite). Cependant, les
concepteurs ont beaucoup plus de latitude pour minimiser la puissance de commutation.

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NB : dans certaines littératures, l’activité de la porte est remplacée par n (nombre de


transitions logiques par cycle d’horloge).

V.2.2.2. Le compromis vitesse consommation

Règle générale des circuits numériques, encore plus vraie dans le monde des technologies MOS
que dans celui des technologies bipolaires : pour aller vite il faut de la puissance. Les notices
fournissent communément des courbes de consommation pour des éléments classiques, comme
un compteur synchrone 16 bits, en fonction de la fréquence d’horloge. Le passage à 3,3 V des
tensions d’alimentation permet une économie non négligeable de puissance, pour les mêmes
valeurs de courant.
Les cellules de certains circuits sont programmables en deux modes : faible consommation ou
vitesse maximum (bit turbo). Le gain de vitesse se paye par une consommation nettement plus
élevée (pratiquement un facteur 2 pour un EPM7032 cadencé à 60Mhz, par exemple).
De façon générale, le courant moyen consommé par un circuit est de la forme :
ICC = ICC0 + k×nL×f + nS×CS×ΔV×f/2
Où ICC0 représente le courant statique consommé au repos, nL le nombre moyen de cellules
logiques qui commutent simultanément à chaque front d’horloge, nS le nombre moyen de sorties
qui commutent à chaque front d’horloge, CS la capacité de charge moyenne des sorties, ΔV
l’excursion de la tension de sortie, f la fréquence d’horloge et k un coefficient de consommation
par cellule par hertz

V.2.3. Le produit vitesse-consommation : FACTEUR DE MERITE

Le produit du retard de propagation et de la puissance de consommation est un indice de


performance du circuit. Il est appelé facteur de mérite et s’exprime en joules.

Power-Delay Product (PDP): E = Energy per operation = Pav × tp


Energy-Delay Product (EDP): quality metric of gate = E × tp

NB ; Les technologies les plus performantes sont donc celles qui ont le plus faible facteur de
mérite.

V.3. CARACTÉRISTIQUES MÉCANIQUES


 Gamme de température
Il s’agit ici de la plage de températures pouvant être supportées par CI. Ainsi nous
pouvons rencontrer :
* La gamme militaire qui est encore la série 54 ( -55°c à +125°c)
* La gamme grand public qui es encore la Scul 74 ( 0 à 79°c)
 Le boîtier :
Il existe plusieurs types de boîtiers
 les boîtiers ronds
 Les boîtiers plats

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 Les boîtiers DIL ( Dual- Inclure)


 Les boîtiers SIL ( Single Inclure)
 Les boîtiers SOL
 Les boîtiers Clup carrier
Il existe plusieurs familles de circuits intégrés. Ce qui différencie les diverses familles,
ce sont les éléments utilisés dans leurs familles.
Les familles RTL et DTL ne feront pas l’objet de notre étude car ils sont dépassés.
Les familles TTL et ECL utilisant le transistor bipolaire dans les familles NMOS et CMOS
PMOS. C’est le transistor effet de champ. Dans tous les cas, chaque circuit possède un code
pour identification comprenant les indications, comprenant la série relative à la fabrication, sa
fonction, le type de boîtier, le nom du constructeur et sa technologie.

Exemple : SN 74 L5 00A Type de boîtier

Sous-Famille

Famille

Sigle du
constructeur

VI. FAMILLES DES CIRCUITS INTEGRES LOGIQUES :

VI.1. DÉFINITIONS ET CLASSIFICATION

On appelle famille logique, une catégorie de circuits logiques fabriqués au moyen de la même
technique de construction.
Une famille logique est caractérisée par ses paramètres électriques :

 la plage des tensions d’alimentation et la tolérance admise sur cette valeur,


 la plage des tensions associée à un niveau logique, en entrée ou en sortie,
 les courants pour chaque niveau logique, en entrée ou en sortie,
 le courant maximum que l’on peut extraire d’une porte logique et le courant absorbé en
entrée,
 la puissance maximale consommée qui dépend souvent de la fréquence de fonctionnement.
Les performances dynamiques principales sont :
 les temps de montée (transition bas–haut) et de descente (transition haut–bas) des
signaux en sortie d’une porte,
 les temps de propagation d’un signal entre l’entrée et la sortie d’une porte logique.

Il existe plusieurs familles de circuits intégrés qui peuvent être classés en deux grandes
familles logiques à savoir la famille « Bipolaires » et la famille « Unipolaires ».
BIPOLAIRES : Qui utilisent les transistors bipolaires NPN et PNP et partagée en quatre sous
familles :
TTL : Transistor Transistor Logic Les transistors travaillent en bloqués saturés.
ECL : Emitter Coupled Logic

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MECL Multi-Emitter Coupled Logic


CML : Current Mode Logic
dans ces trois sous familles les transistors travaillent en bloqués non saturés.

UNIPOLAIRES : Qui utilisent les transistors unipolaires : TEC ; MOS ( PMOS, NMOS, VMOS)
MOS : Metal oxyde Semi-conductor ( grille isolée par un oxyde métallique ).
Si toutes ces technologies cohabitent, c'est que la technologie idéale n'existe pas et que
chacune d'elles a ses raisons d'exister.
Dans ce cours nous nous intéresserons aux familles TTL et CMOS qui sont les plus présents sur
le marché. Nous dirons éventuellement un petit mot sur l’ECL malgré sa rareté dans les
applications.

VI.2. Technologie TTL (logique à transistor d’entrée et de sortie)

C’est une technologie basée essentiellement sur l’intégration des transistors avec en plus
l’utilisation du transistor émetteur.
La tension d’alimentation est fixée à 5V, la tension de sortie niveau haut est égale à 3,3V ; la
tension de sortie niveau bas est sensiblement égale à 0,3V et la tension de basculement bt=1,3V.
On reconnaît les circuits TTL par leur numéro d’identification qui commence toujours par 74 ou
54 suivi de leur numéro de fonction ( 74 ; 54 )
Exemple : 74L00
La technologie TTL a subi plusieurs améliorations technologiques de façon à diminuer les
vitesses de communication et les puissances dissipées. On aboutit alors à la création des sous-
familles telles que :
 TTLL (faible consommation 74L00)
 TTLS (Shottky)
 TTL LS (Low Shottky)
 TTL H ( Hight Speed)
 TTL AS ( advanced Shottky)
 TTL ALS ( Advanced Low Shottky) 74L00
Avantage du TTL
 Le temps de propagation est court ce qui entraîne une fréquence élevée
Inconvénient du TTL
 Faible sortance
 Système d’alimentation imposé à 5V
 Consommation très élevé

VI.3. Technologie CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)


Ils sont réalisés à base de deux transistors d’effet de champ (à canal P et à canal N). Voir
montage Push-Pull à transistor effet de champ.
Leur tension d’alimentation varie entre 3 et 15V, les valeurs normalisées sont : 5, 10 et 15V.
Les circuits CMOS commencent généralement par 40, 45, 47, 54C, 74HC, 74HCP.
Exemple : 4017 compteur décimal s’alimente entre 3 et 15V.
Remarque : Les 74HCP s’alimente à 5V et son compatible broche à broche avec le TTL
Avantages CMOS

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 Large possibilité de choix de la tension d’alimentation entre 3 et 15V


 Faible consommation
 Leur niveau de sortie est presque parfait (VO H= VO D VO L =0)
 Leur commutation est très faible
 Sortance élevée
 La technologie de fabrication permet une plus grande intégration d’où la fabrication
des circuits intègre comme le microprocesseur.
Inconvénient du CMOS
 Immunité au bruit très élevée : 30% VD
 Nécessité de précaution d’emploi car ils sont très sensibles aux charges
électrostatiques.
Conclusion
CMOS TTL
Sortance élevée Sortance faible
Tension de sortie variable Tension de sortie fixe
Consommation faible Consommation élevée

Remarque :
1. Toute entrée non connectée est à un niveau logique pour les TTL niveau haut. Pour
les CMOS, ça ne correspond ni à 1, ni à 0 ; par contre peut détruire notre circuit
intégré car les CMOS ne supportent par les charges électrostatiques
2. Les entrées inutilisées doivent être raccordées.

Tableau récapitulatif de valeurs caractéristiques des familles TTL et CMOS

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VI.4. Famille ECL (Logique à Couplage par émetteur)

La technologie ECL (Emitter Common Logic : Logique à émetteurs communs) a longtemps été la
seule technologie permettant d'atteindre de des fréquences de fonctionnement élevées
(supérieures à 100 MHz).

Pour la conception de circuits logiques la technique ECL est aujourd'hui totalement dépassée;
elle a eu son heure de gloire à l'époque du supercalculateur Cray-1, entièrement réalisé en
logique ECL. Elle constitue cependant encore la seule alternative crédible pour la réalisation de
portes logiques très rapides, typiquement au-delà de 10 Gbit/s, et trouve de nombreuses
applications dans le cadre des télécommunications sur fibre optique.

VII. Méthode de Conception ces circuits intégrés:


Pour réaliser un circuit intégré, le circuit électronique doit d'abord être conçu au moyen
d'ordinateurs spécialisés dans la Conception Assistée par Ordinateur (CAO) et dans le Dessin
Assisté par Ordinateur ; puis dessiné environ 500 fois plus gros qu'il ne sera réellement. Ce
schéma, appelé masque, est ensuite utilisé pour guider, toujours par ordinateur, un faisceau
lumineux qui impressionne une plaque photographique appelée réticule, qui reproduit à environ
20 fois, le schéma du circuit.
Le réticule est à nouveau contrôlé et corrigé avant d'être recopié, en le réduisant à la taille
définitive du circuit par un procédé photographique (procédé dit par photogravure), sur une
fine tranche découpée dans un barreau de silicium très pur d'environ 50 cm de long pour un
diamètre de 7,5 cm. Cette tranche de 0,3 mm d'épaisseur environ porte le nom de wafer
(littéralement " gaufrette ") et peut contenir jusqu'à 500 circuits de 5 mm de côté environ. Il
existe également une technique, dite lithographie par faisceaux d'électrons, qui permet
d'améliorer la résolution en " attaquant " directement le wafer grâce à un faisceau d'électrons,
ce qui permet d'obtenir une résolution environ 20 fois supérieure à celle obtenue par la
photogravure.
Le wafer est ensuite porté à une température d'environ 1000degrés Celsius dans un four à
diffusion, puis exposé à des éléments chimiques (bore, phosphore...), appelés dopants, qui
modifient les propriétés de semi-conducteur du silicium. Ces dopants pénétrant le silicium à des
endroits précis définis par le procédé photographique précédent, déterminent ainsi transistors,
diodes, bascules, etc. Il existe également une autre technique de dopage des circuits qui est
l'implantation ionique où l'introduction des impuretés se fait à température ambiante, les
atomes dopants étant ionisés et implantés aux endroits voulus grâce à un bombardement d'ions.
Tous les circuits ainsi conçus sont testés avant que les wafers ne soient découpés en puces
individuelles.
Chaque puce est alors sertie dans un boîtier en plastique et reliée à des broches de connexion
par de minuscules fils d'or. Cette technique en voie de régression est remplacée par celle du
film, permettant un gain de temps de l'ordre de 10. Dans la connexion par film, la puce (ou Chip)
est automatiquement connectée en une seule fois aux pattes intérieures d'une structure, dite
araignée, portée par un film.
Le composant est alors recouvert d'une couche de plastique noir (opération dite d'empaquetage
ou packaging). Ce boîtier est destiné à éviter que le circuit intégré ne soit soumis aux agressions

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de l'environnement, mais aussi à l'évacuation de la chaleur dissipée par le composant lors de


son fonctionnement ainsi qu'à une meilleure manipulation.

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