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Introduction à l’électronique de puissance

Introduction à l’électronique de puissance

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Introduction à l’électronique de puissance

Table des matières

Introduction……………………………………………………………………………………… 3

I. 1. Electronique de puissance et conversion de l’énergie électrique…………………… 4

I. 2. Quelques composants électroniques utilisés en EDP ………………………………… 5

I. 2. 1. Diodes…..………………………………………………………………………………... 5

I. 2. 2. Thyristors………………………………………………………………………………… 6

I. 2. 3. Transistors……………………………………………………………………………….. 7

I. 2. 3. 1. Transistors BJT……………………………………………………………………… 8

I. 2. 3. 2. Transistors FET……………………………………………………………………… 9

I. 2. 3. 3. Transistors IGBT…………………………………………………………………… 9

Exercices………………………………………………………………………………………... 10

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Introduction à l’électronique de puissance

Chapitre I : Introduction à l’électronique de puissance

Introduction
L’électronique de puissance est l’une des branches des sciences de l’ingénieur qui
s’intéresse essentiellement aux moyens de contrôle et/ou adaptation de l’écoulement de
l’énergie électrique. En effet, cette adaptation n’est possible que par des circuits basés sur les
composants électroniques, créateurs ou transmetteurs de signal. Le schéma bloc de la figure
(I. 1) représente le processus de transfert de l’énergie électrique entre une source de
tension/courant et une charge.

Source Contrôle
de et/ou Charge
tension/courant adaptation (Vch, Ich, fch, qch)
(Vs, Is, fs, qs)

Fig. I. 1. Transfert de l’énergie électrique entre une source de


tension/courant et une charge

Le dispositif intermédiaire (contrôle et/ou adaptation) doit assurer l’alimentation de la charge


même lorsque son amplitude (Vch, Ich), sa fréquence (fch) et le nombre de phases (qch) sont
différents par rapport a ce qui est généré par la source (Vch, Ich, fch, qch).

N.B. Le transfert de l’énergie électrique peut être dans le sens opposé ou bidirectionnel.

En plus des applications traditionnelles de l'électronique de puissance comme la traction


électrique et les entraînements industriels, il est apparu de nouveaux domaines d'application :

➢ La gestion du réseau de distribution :


➢ Systèmes de Transmission Flexible en Courant Alternatif (FACTS)
➢ Filtrage actif et amélioration du facteur de puissance
➢ Transmission en courant continu (HVDC)
➢ L'électroménager :
➢ Variateurs divers
➢ Alimentations à découpage
➢ Plaques de cuisson à induction

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➢ Les appareils portables (caméscopes, ordinateurs, etc.) :


➢ Chargeurs d'accumulateurs intelligents
➢ Conversion CC/CC TBT
➢ L'automobile : très forte augmentation de l'utilisation de l'énergie électrique dans les
automobiles actuelles.

I. 1. L’électronique de puissance et la conversion de l’énergie électrique


D’après son rôle, l'électronique de puissance peut être nommée et sans doute
" électronique de conversion de l'énergie électrique ". Aujourd'hui, plus de 15 % de l'énergie
électrique produite est convertie sous une forme ou une autre.
En Algérie, l’énergie électrique nous vient principalement de centrales de production
de l’énergie. Après passage dans plusieurs postes de transformation, elle nous est livrée dans
nos maisons sous une tension de 230/400 V AC et une fréquence de 50 Hz. Nos prises
résidentielles ne peuvent toutefois pas accommoder tous les appareils. La batterie d’un
téléphone cellulaire, par exemple, nécessite une tension de 5 V DC. Entre la prise électrique et
le cellulaire, on doit donc placer un convertisseur qui ajustera l’alimentation électrique aux
besoins spécifiques de l’appareil. À l’opposé, l’électrification des transports comme le métro
requiert une tension de 750 V DC. De plus, le courant et la puissance doivent être ajustés pour
que les roues des wagons aient assez d’énergie pour tirer le poids de tous les utilisateurs tout
en limitant l’accélération et la décélération afin d’assurer leur sécurité. Là encore, c’est un
convertisseur particulier qui s’en charge.
Au cours de ces années la taille, le poids et le coût des convertisseurs n'ont fait que
diminuer, en grande partie grâce aux progrès fait dans le domaine des interrupteurs
électroniques. Le besoin de développer de nouveaux types de convertisseurs est donc
constant.
En outre, les énergies vertes, phénomène relativement nouveau, amènent un défi
supplémentaire en raison de leur grande variabilité dans le temps. En effet, si on prend
l’énergie solaire, ce n’est qu’au lever du soleil que l’on peut commencer à collecter les
photons pour les transformer en électrons et produire de l’électricité. Quand la production
d’électricité surpasse la demande, on ne peut pas décider d’augmenter la tension puisque cela
aurait pour effet de réduire la durée de vie des ampoules et des appareils, voire de les
endommager. De la même façon, lorsque le soleil n’est pas au rendez-vous, on doit quand
même être en mesure d’alimenter le réseau. Un convertisseur sera donc nécessaire pour

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Introduction à l’électronique de puissance

stocker l’énergie produite dans une batterie et un autre, pour réguler l’énergie provenant de la
batterie afin d’alimenter le réseau.
De nouvelles applications de l’électronique de puissance sont nécessaires pour les
panneaux solaires. Près de 1,3 milliard de personnes n’ont pas d’électricité. L’énergie solaire
devient donc un enjeu majeur. Cette technologie est appelée à être implantée dans les maisons
et combinée à un taux de tarification variable. Elle entraînera des changements dans le
comportement des utilisateurs en ce qui a trait à la consommation et à l’indépendance
énergétique.

I. 2. Quelques composants électroniques utilisés en EDP

I. 2. 1. Diodes
Une diode de puissance est un composant électronique possédant deux électrodes
(Anode : A, Cathode: K) et une jonction PN (Fig. I.1)

id
A K A K

P N
vAK
(a) (b)

Fig. I. 1. Diode de puissance : a) Jonction PN. b) Symbole

La diode idéale conduit le courant seulement dans un seul sens (Anode vers Cathode).
En effet, on peut changer son état dans un même circuit électronique. C’est à dire elle peut
être passante quand elle est polarisée en direct (vAK>0) ou traversée par un courant supérieur a
zéro (id>0), comme elle peut être bloquée si et seulement si la valeur du courant direct (id) soit
nulle (id=0).
Généralement, dans les circuits de puissance, les diodes idéales se comportent comme
des interrupteurs électriques non commandés. Elles sont

• Fermés en sens direct si (vAK>0) ou (id>0)

• Ouverts en sens inverse (id=0)

D’où la caractéristique statique idéale suivante (Fig. I.2)

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id

VRM
vAK

Fig. I. 2. Caractéristique statique d’une diode de puissance idéale

I. 2. 2. Thyristors
Un thyristor de puissance est un interrupteur électronique a l’état solide possédant
quatre couches semi-conductrices alternativement dopées N et P, il comporte une électrode de
commande (Gâchette : G) autre que l’anode et la cathode (Fig. I.3)

G G
id ig
A K A K

P N P N
vAK
(a)
(b)

Fig. I. 3. Thyristor de puissance : a) Structure. b) Symbole

Le thyristor idéal est comme la diode idéale, il conduit le courant seulement dans un
seul sens (Anode vers Cathode). Néanmoins, sa conduction nécessite toujours un courant de
gâchette d’amplitude et de durée suffisantes. En effet, il peut prendre deux états dans un
même circuit électronique. C’est à dire il peut être passant quand il est polarisé en direct
(vAK>0) et amorcé par un courant de gâchette (ig>0) ou traversé par un courant supérieur a
zéro (id>0), comme il peut être bloqué si et seulement si la valeur du courant direct soit nulle
(id=0).

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Généralement, le thyristor est soumis sous quatre cas possibles :

• Tension négative (vAK<0), (id=0) le thyristor est bloqué

• Tension positive (vAK>0) et courant de gâchette nul (ig=0), le thyristor est


bloqué

• Tension négative (vAK<0), (id>0) le thyristor est passant

• Tension positive (vAK>0) et courant de gâchette positif (ig>0), le thyristor est


passant

D’où la caractéristique statique idéale suivante (Fig. I.4)

id

VRM
vd

ig >0

Fig. I. 4. Caractéristique statique d’un thyristor de puissance idéal

I. 2. 3. Transistors
Un transistor de puissance est un dispositif électronique qui comporte trois électrodes
(électrode de commande, deux électrodes d’entrée et sortie). Il est totalement commandé à la
fermeture et à l’ouverture. Il n’est pas réversible en courant, ne laissant passer que des
courants de l’électrode d’entrée positifs. Il n’est pas réversible en tension, n’acceptant que des
tensions positives lorsqu’il est bloqué. Il existe plusieurs types de transistors de puissance.
Dans ce manuscrit, on s’intéresse uniquement aux trois types suivants

• Transistors bipolaire (BJT)


• Transistors à effet de champ (MOSFET)
• Transistors bipolaire à grille isolée (IGBT)

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Introduction à l’électronique de puissance

I. 2. 3. 1. Transistor bipolaire (BJT)


Un transistor bipolaire est un dispositif électronique à base de semi-conducteur de la
famille des transistors. Son principe de fonctionnement est basé sur deux jonctions (PN), l'une
en direct et l'autre en inverse. La polarisation de la jonction inverse par un faible courant
électrique (parfois appelé effet transistor) permet de commander un courant beaucoup plus
important, suivant le principe de l'amplification de courant. Sa structure et son symbole
électronique sont donnes par la figure suivante (Fig. I. 5)

B C C
id id
iB iB
E C B vCE B vCE

N P N
E E

NPN PNP

(a) (b)

Fig. I. 5. Transistor bipolaire : a) Structure. b) Symbole électrique

Un transistor bipolaire idéal travaillant en commutation ne peut occuper de façon


stable que deux états

• état bloqué, il suffit théoriquement de ne pas alimenter sa base (iB=0)


• état saturé, il faut envoyer à sa base un courant supérieur à zéro (iB>0)

D’où la caractéristique statique idéale suivante (Fig. I. 6)

id

iB1>0

iB2 >0

iB3 >0

vce

Fig. I. 6. Caractéristique statique d’un transistor BJT

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I. 2. 3. 2. Transistor a effet de champ (MOSFET)


Les transistors de puissance à effet de champ sont en général des composants à grille
isolée (Fig. I. 7). Ces composants permettent des performances comparables à celles du
transistor bipolaire tout en profitant des avantages du transistor à effet de champ :
• Commandes en tension
• Fréquence de commutation très grande

D D

G G

S S

Canal N Canal P

Fig. I. 7. Transistor MOSFET

I. 2. 3. 3. Transistor bipolaire a grille isolée (IGBT)


Un transistor IGBT est la combinaison entre un transistor bipolaire et un transistor à
effet de champ comme le montre les figures suivantes (Fig. I. 8)

D
C

B + = G

G
E
S

Fig. I. 8. L’idée principale d’un transistor IGBT

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Série d’exercices N°. 01

Exercice N°. 01
On alimente une charge purement résistive (R) à travers un transformateur de tension
(Tr) et une diode de puissance (D) voir figure (Fig. 1). L’ensemble est alimenté par une
source de tension sinusoïdale (ve) d’amplitude (Vemax) et de fréquence ( f )

D
i2 ich
i1
Tr

vd vch R
ve v1 v2

Fig.1

La diode et le transformateur élévateur de tension sont supposés parfaits (tension de


seuil est nulle, transformateur sans pertes). On donne ve (t ) = Ve max sin(100 ..t )

1) Donner l’expression mathématique de ve (t ) , v2 (t ) , vd (t ) et vch (t )

2) Tracer les chronogrammes de ve (t ) , v2 (t ) , vd (t ) et vch (t )

Exercice N°. 02
Pour le même circuit de l’exercice précédent (Fig. 1), nous supposons que la
puissance apparente du montage est de valeur 3422.40 VA, le courant au primaire du
transformateur est de 31.11 ARMS et le rapport de transformation k = (v2/v1) est de 2.
1) Calculer la valeur de Ve max , V2 max et Vch max .

2) Calculer la valeur moyenne de ve (t ) , v2 (t ) et vch (t ) .

3) Calculer la valeur efficace de ve (t ) , v2 (t ) et vch (t ) .

4) Calculer les valeurs moyennes des courants : i1 (t ) et ich (t ) .

5) Calculer la valeur efficace du courant secondaire i2 (t ) .


6) Déterminer l’expression littérale de la puissance active moyenne consommée par la
charge. En déduire sa valeur numérique.
7) Calculer le facteur de puissance du montage.

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Introduction à l’électronique de puissance

Exercice N°. 03

Les figures (Fig. 2) et (Fig. 3) représentent la relation courant tension et la relation


courant temps d’ouverture et de fermeture d’un transistor de puissance respectivement.

id [A] id [A]

Fermeture

200 Ouverture

200
100

vce [kV] t [us]


0.5 1 40 80
Fig.3
Fig.2

1) Calculer les pertes en énergie pendant chaque commutation.


2) Calculer les pertes en puissance moyenne pour une fréquence de commutation
du transistor de 1kHz.

Exercice N°. 04
On considère le montage de la figure suivante (Fig. 4). (Thp et Tha sont des
interrupteurs supposés parfaits)

iThp

vC C Thp vThp

vTha Tha
va ich
iTha
vd D vch

id

Fig.4

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Le thyristor Thp conduit initialement le courant de charge iThp = I0. Le condensateur est
chargé sous vc = −Vco < 0.

1) Le thyristor Tha est-t-il amorçable ? Si oui. On commande à l’instant t0 la


gâchette au moyen d’un courant suffisant. Montrer que Thp se bloque.
2) Etablir les expressions de vc(t), vd(t), ic(t), id(t) et iThp(t). En déduire l’instant t2
de blocage de la diode.

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