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REPUBLIQUE DU SENEGAL

Un peuple-Un but-Une foi

MINISTERE DE L’ENSEIGNEMENT SUPERIEUR, DE LA RECHERCHE ET DE


L’INNOVATION

DIRECTION DE L’ENSEIGNEMENT SUPERIEUR

INSTITUT SUPERIEUR DE TECHNOLOGIE INDUSTRIELLE

I.S.T.I

SICAP SACRE-CŒUR II B.P : 10.155 Dakar SENEGAL

Tel: (+221) 77-655-79-12 / 33-825-41-66 Fax: 33-824-80-32

Site Web: http: // www.ipg-isti.com Email: information@ipg-isti.com

MEMOIRE DE FIN DE CYCLE POUR L’OBTENTION DU DIPLOME DE LICENCE


PROFESSIONNELLE
Option : ELECTROTECHNIQUE-ELECTROMECANIQUE-FROID ET CLIMATISATION

Présenté et soutenu par :

BOULINGUI NGOT Aubriel Dieu merci

THEME

Président M. Mouhamadou NDIAYE Maitre de conférences

Examinateurs M. Mouhamadou secoura THIOYE Master en ERSE/Doctorant

Mme. Khady Diop NDIAYE Formatrice en


électrotechnique-Froid et
climatisation

Encadreur Dr. Mouhamadou THIAM Système Energétiques et


environnement

Année académique : 2018-2019


I

BOULINGUI NGOT Aubriel Dieu merci ISTI


I

RESUME

Lorsque l’on veut réaliser une sirène d'alarme ou un générateur sonore, imitant des
sons habituellement produits mécaniquement, il est possible d’utiliser un oscillateur
tel celui contenu dans le NE 555.

Ce dispositif de l’électronique de puissance monté en astable générant un courant


maximum de 0,2 A, cela signifie que la sortie du circuit peut être couplée à de petits
haut-parleurs haute impédance sans avoir besoin d'un étage pilote supplémentaire
pour diffuser un signal audio.

Dans le cadre de notre travail, le premier chapitre portait sur l’étude des
interrupteurs à semi-conducteurs de puissance, ensuite le second chapitre, le
dimensionnement de quelques composants. Puis au troisième chapitre, la simulation
et le broutage du circuit imprimé et enfin, la réalisation complète du circuit imprimé
d’une sirène.

La sirène est appliquée dans plusieurs domaines comme l'alerte aux populations
civiles en cas de catastrophe, dans le domaine routier il est utilisé comme signal de
véhicules prioritaires.

Mots clés : Alarme, alerte, générateur sonore, NE 555, astable, PCB.

BOULINGUI NGOT Aubriel Dieu merci ISTI


II

ABSTRACT

When one wishes to realize an alarm siren or a sound generator, imitating sounds
usually produced mechanically, one can use from an oscillator such as that contained
in the NE 555.

This astable-mounted power electronics device generating a maximum current of 0.2


A means that the output of the circuit can be coupled to small high impedance
loudspeakers without the need for an additional driver stage to broadcast a signal
audio.

As part of our work, we studied power semiconductor switches, then we did the
sizing of some components. Then we did the simulation and creation of the PCB
circuit and finally we realized the siren on a circuit board.

The siren is applied in several areas such as the alert to civilian populations in the
event of a disaster, in the road domain it is used as a signal for priority vehicles.

Keywords: Alarm, alert, sound generator, NE 555, astable, PCB.

BOULINGUI NGOT Aubriel Dieu merci ISTI


III

DEDICACES

Je dédie ce mémoire à tous ceux qui m’ont soutenu de près ou de loin notamment :

Au créateur du Monde notre DIEU ;

A ma grande sœur :

BACHOMBI Nadège

A ma mère :

MABIKA KIBOUEYE Augustine, pour son affection et précieux conseils ;

A mes frères :

BOULINGUI Messie, KABINAMBELE Ben-philone, LEMBAKA Franklin,


LAMOU BOUASSA, PAIGZOT Freddy, NDAMBA Anaclet, BANA Maigos.

BOULINGUI NGOT Aubriel Dieu merci ISTI


IV

REMERCIEMENTS

Je tiens tout d’abord à remercier grandement Monsieur Mouhamadou Thiam


pour sa disponibilité et ses précieux conseils.

Je voudrais remercier aussi le corps professoral et les membres de


l‘administration de l’école IPG/ISTI et toutes les personnes qui de près ou de
loin ont participé à mes recherches et à l’élaboration de ce mémoire.

BOULINGUI NGOT Aubriel Dieu merci ISTI


V

TABLE DE MATIERES

RESUME ...................................................................................................................... I

ABSTRACT ................................................................................................................ II

DEDICACES ............................................................................................................. III

REMERCIEMENTS .................................................................................................. IV

LISTE DE FIGURES ................................................................................................. IX

LISTE DES TABLEAUX .......................................................................................... XI

SIGLES ET ABREVIATIONS .................................................................................XII

AVANT PROPOS................................................................................................... XIII

INTRODUCTION GENERALE ................................................................................. 1

CHAPITRE 1 : INTERRUPTEURS A SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE


ET COMPOSANTS ELECTRONIQUES .................................................................. 2

1.1 Introduction ...................................................................................................... 3

1.2 Interrupteurs à semi-conducteurs de puissance ................................................ 3

1.2.1. Définition d’un semi-conducteur ................................................................. 3

1.2.2. Familles des semi-conducteurs de puissance ............................................... 3

1.2.2.1 Diode .................................................................................................................. 4

1.2.2.1.1 Symbole ......................................................................................................... 4

1.2.2.1.2 Constitution d’une diode à jonction ............................................................... 5

1.2.2.1.3 Caractéristique d’une diode à jonction .......................................................... 6

1.2.2.1.4 Grandeurs fondamentales............................................................................... 6

1.2.2.2 Transistor bipolaire ............................................................................................ 7

1.2.2.2.1 Symboles des transistors bipolaires ............................................................... 7

1.2.2.2.2 Constitution du transistor ............................................................................... 7

1.2.2.2.3 Caractéristiques .............................................................................................. 9

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VI

1.2.2.2.4 Grandeurs fondamentales............................................................................... 9

1.3 Autres composants électroniques ................................................................... 10

1.3.1 Condensateur .................................................................................................. 10

1.3.1.1. Symbole d’un condensateur ............................................................................. 10

1.3.1.2. Caractéristique.................................................................................................. 10

1.3.2 Résistance ....................................................................................................... 11

1.3.2.1. Définition ......................................................................................................... 11

1.3.2.2. Symbole d’une résistance électrique ................................................................ 11

1.3.2.3. Caractéristiques ................................................................................................ 12

1.3.2.4. Repérage........................................................................................................... 12

1.3.3 Haut-parleur ................................................................................................... 13

1.3.3.1. Définition ......................................................................................................... 13

1.3.3.2. Principe de fonctionnement .............................................................................. 14

1.3.4 Circuit intégré NE 555 ................................................................................... 14

1.3.4.1. Définition ......................................................................................................... 14

1.3.4.2. Brochage du circuit intégré NE 555 ................................................................. 14

1.3.4.3. Structure interne du NE 555 ............................................................................. 15

1.4 Conclusion ..................................................................................................... 16

CHAPITRE 2 : DIMENSIONEMENT ...................................................................... 17

2.1 Introduction .................................................................................................... 18

2.2 Cahier de charge ............................................................................................. 18

2.3 Présentation du circuit astable de câblage de la sirène de police ................... 19

2.4 Détermination de la période et fréquence ...................................................... 20

2.5 Détermination du temps de charge et de décharge du condensateur ............. 22

2.5.1 Temps de charge ................................................................................................... 22

2.5.2 Temps de décharge ............................................................................................... 22

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VII

2.6 Rapport cyclique du montage ........................................................................ 23

2.7 Calculs des grandeurs électriques .................................................................. 23

2.7.1 Valeur moyenne de la tension .............................................................................. 23

2.7.2 Détermination du courant entre 0 et αT ................................................................ 24

2.7.3 Détermination des contraintes de courant............................................................. 24

2.8 Détermination de la résistance série du haut-parleur ..................................... 26

2.9 Conclusion ..................................................................................................... 27

CHAPITRE 3 : SIMULATION ET REALISATION DU SYSTEME ...................... 28

3.1 Introduction .................................................................................................... 29

3.2 Elaboration de la commande .......................................................................... 29

3.2.1 Présentation de la commande ............................................................................... 29

3.2.2 ISIS ....................................................................................................................... 30

3.2.3 ARES .................................................................................................................... 30

3.3 Différentes étapes de la simulation sur ISIS .................................................. 31

3.3.1 Etape 1 .................................................................................................................. 31

3.3.2 Etape 2 .................................................................................................................. 31

3.3.3 Etape 3 .................................................................................................................. 32

3.3.4 Etape 4 .................................................................................................................. 32

3.3.5 Etape 5 .................................................................................................................. 33

3.3.6 Etape 6 .................................................................................................................. 33

3.3.7 Etape 7 .................................................................................................................. 33

3.3.8 Simulation sur ISIS du circuit de commande et visualisation sur oscilloscope du


signal. 34

3.4 Différentes étapes de routage ......................................................................... 36

3.3.9 Zones interdites au routage ................................................................................... 37

3.3.10 Lancement du routage automatique ................................................................. 37

3.3.11 Lancement du routage manuel ......................................................................... 38

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VIII

3.5 Routage du circuit de commande ................................................................... 38

3.6 Estimation financière du dispositif................................................................. 40

3.7 Conclusion ..................................................................................................... 41

CONCLUSION GENERALE .................................................................................... 42

Bibliographie .............................................................................................................. 43

Webographie .............................................................................................................. 43

Annexes ...................................................................................................................... 44

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IX

LISTE DE FIGURES

Figure 1. 1 : Symbole d'une diode à jonction ............................................................... 4

Figure 1. 2 : Diode en sens direct et inverse ................................................................ 5

Figure 1. 3 : Constitution d'une diode à jonction ......................................................... 5

Figure 1. 4 : Caractéristique d'une diode...................................................................... 6

Figure 1. 5 : Symbole d'un transistor bipolaire ............................................................ 7

Figure 1. 6 : Constitution du transistor de type NPN ................................................... 8

Figure 1. 7 : Constitution du transistor de type PNP ................................................... 8

Figure 1. 8 : Caractéristique d'entrée et sortie .............................................................. 9

Figure 1. 9 : Symbole d'un condensateur ................................................................... 10

Figure 1. 10 : Caractéristique d'un condensateur ....................................................... 11

Figure 1. 11 : Symbole d'une résistance électrique .................................................... 12

Figure 1. 12 : Caractéristique d'une résistance ........................................................... 12

Figure 1. 13 : Symbole d'un haut-parleur ................................................................... 14

Figure 1. 14 : Brochage du circuit intégré NE 555 à 8 bornes ................................... 15

Figure 1. 15 : Montage électrique contenue à l'intérieur du NE 555 ......................... 15

Figure 2. 1: Montage astable de la partie commande................................................. 19

Figure 2.2 : Evolution temporelle de Vc et Vs .......................................................... 20

Figure 2.3 : Circuit NE 555 en astable ....................................................................... 20

Figure 2.4 : Circuit de charge du condensateur.......................................................... 25

Figure 2.5 : Circuit de décharge du condensateur ...................................................... 25

Figure 2.6 : Circuit du courant de HP1 ...................................................................... 26

Figure 3.1 : Ecran Proteus 8.1 .................................................................................... 29

Figure 3.2 : Ecran du logiciel ISIS ............................................................................. 30

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X

Figure 3.3 : Ecran du logiciel ARES .......................................................................... 31

Figure 3. 4 : Réalisation du circuit de commande sous ISIS .................................... 34

Figure 3. 5 : circuit de commande de sirène avec oscilloscope ................................. 35

Figure 3. 6 : Tension Uc et Vs en fonction du temps de notre commande ................ 35

Figure 3. 7 : Visualisation des signaux générés par la commande de la sirène ......... 36

Figure 3. 8 : Ecran ARES avec des composants importés [5] ................................... 36

Figure 3. 9 : Zones interdites au routage .................................................................... 37

Figure 3. 10 : Procédure de lancement du routage automatique ................................ 37

Figure 3. 11 : Présentation du routage manuel ........................................................... 38

Figure 3. 12 : Routage en 2D de la commande du système ....................................... 38

Figure 3. 13 : Vue avant en 3D du circuit imprimé ................................................... 39

Figure 3. 14 : Vue arrière du circuit imprimé en 3D .................................................. 39

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XI

LISTE DES TABLEAUX

Tableau 1.1 : Tableau du code de couleurs pour résistances ..................................... 13


Tableau 3. 1 : Estimation financière .......................................................................... 40

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XII

SIGLES ET ABREVIATIONS
f : fréquence d’oscillation

I : courant

< i > : courant moyen

I0 : courant moyen à l’état passant, valeur moyenne du courant dans la diode

NE 555 : circuit intégré utilisé pour la temporisation ou en mode multivibrateur


monostable et astable (1)

PCB : printed circuit board

R : résistance

T : période

U : tension d’alimentation fixe

< V > : tension moyenne

[Vak]: tension aux bornes de la diode

[VRRM] : tension inverse de pointe répétitive

[Ω] : ohm

Ɛr : (epsilon) ou permittivité relative

α : rapport cyclique

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XIII

AVANT PROPOS

Né de la coopération entre l’académie d’ODESSA et le groupe Institut Privée (IPG)


de Gestion, l’Institut Supérieur de Technologie Industrielle(ISTI) a été mis en place
en 1994 en collaboration avec les Instituts et Universités Canadienne et
Ukrainiennes. IL est aujourd’hui reconnu par le CAMES.
Ce centre forme des ingénieurs par excellence à travers des cours magistraux et
pratiques dans les filières suivantes :
 Electrotechnique, Electrotechnique, Froid et Climatisation
 Informatique Electronique Industrielle
 Informatique de Gestion
 Administration système réseaux et maintenance
 Electricité de bâtiment
 Mécanique automobile
 Electricité installation Industrielle
 Qualité hygiène et environnement
 Génie civil
Il s’engage à s’assurer la formation des ingénieurs aptes à s’intégrer dans le circuit
productif et à participer à la diversification des filières de formation.
Enfin, le présent mémoire soumis au jury pourra permettre d’élargir l’éventail
d’éléments d’appréciation de nos capacités intellectuelles.
C’est dans cette optique que ce mémoire a été fait et dont le thème s’intitule :
Etude et réalisation d’une sirène de police à l’aide d’un NE 555.

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1

INTRODUCTION GENERALE

La présence des sirènes de pompiers, police, est utilisées pour l'alerte aux
populations civiles en cas de catastrophe et d’urgence pour le bon déroulement des
opérations des agents en mission. Dans le domaine routier, le mot sirène désigne un
avertisseur sonore spécial à deux tons (pour les véhicules prioritaires) ou à trois tons.

Le nom de « sirène » a été donné par Charles Cagniard de Latour en 1819. Il a


inventé un dispositif, nommé sirène de Cargniard-Latour, qui permettait de mesurer
exactement la fréquence du son émis à partir de la vitesse du rotor [1] .

L’objectif de ce mémoire de fin de cycle de licence professionnelle en


ELECTROTECHNIQUE ELECTROMECANIQUE FROID ET CLIMATISATION
est d’étudier et de réaliser une sirène de police à l’aide d’un NE 555 sur circuit
imprimé.

De ce fait, le premier chapitre est consacré à l’étude des interrupteurs à semi-


conducteurs de puissance et les composants électroniques du circuit de puissance.

Dans le deuxième chapitre, le travail consistera à faire le dimensionnement des


composants du circuit autour du NE 555 et enfin dans le troisième chapitre, faire la
simulation et la réalisation du système.

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2

CHAPITRE 1 : INTERRUPTEURS A SEMI-CONDUCTEURS


DE PUISSANCE ET COMPOSANTS ELECTRONIQUES

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3

1.1 Introduction

Chaque composant électronique est utilisé selon ses caractéristiques ou son


fonctionnement. L’objectif de ce chapitre est de donner des informations sur les
composants électroniques importants à la réalisation du projet.

1.2 Interrupteurs à semi-conducteurs de puissance

1.2.1. Définition d’un semi-conducteur

Le semi-conducteur est un corps cristallin dont les propriétés de conductibilité


électrique sont intermédiaires entre celle des conducteurs et celle des isolants. Un
semi-conducteur serait un isolant à une température de zéro Kelvin (zéro absolu),
contrairement à un métal. Les semi-conducteurs sont largement utilisés en
électronique pour réaliser des composants tels que des diodes, des transistors, des
thyristors, des circuits intégrés ainsi que des lasers à semi-conducteur. [2]

La conductivité électrique des semi-conducteurs peut être contrôlée par dopage, en


introduisant une petite quantité d'impuretés dans le matériau afin de produire un
excès d'électrons ou un déficit. Des semi-conducteurs dopés différemment peuvent
être mis en contact afin de créer des jonctions, permettant de contrôler la direction et
la quantité de courant qui traverse l'ensemble. Cette propriété est à la base du
fonctionnement des composants de l'électronique moderne : diodes, transistors, etc.

Le silicium est le matériau semi-conducteur le plus utilisé commercialement, du fait


de ses bonnes propriétés, et de son abondance naturelle même s'il existe également
des dizaines d'autres semi-conducteurs utilisés, comme le germanium, l'arséniure de
gallium ou le carbure de silicium.

1.2.2. Familles des semi-conducteurs de puissance

Par fonction, il y a les semi-conducteurs non contrôlés, c’est à-dire les diodes, les
semi-conducteurs contrôlés sans commande de blocage, ce sont les thyristors et les
triacs, enfin, les semi-conducteurs avec commande de blocage, ce sont les transistors

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4

de puissance, dits transistors haute tension (les Darlington) qui sont des transistors
doubles et les thyristors GTO (Gate Turn Off). [2]

1.2.2.1 Diode

La diode est la jonction semi-conductrice de base : on ne peut pas combiner du


silicium dopé plus simplement. Son fonctionnement macroscopique est assimilable à
celui d'un interrupteur non commandé qui ne laisse passer le courant que dans un
seul sens.

Dans la catégorie des diodes, on trouve aussi des diodes de régulation, dites diodes
Zener, qui ont un comportement de source de tension. [2]

1.2.2.1.1 Symbole

La diode est représentée par deux potentiels nommés anode et cathode comme sur la
Figure 1. 1 :

Figure 1. 1 : Symbole d'une diode à jonction

La diode est un composant qui laisse passer le courant si la tension U est appliqué
dans le sens direct (de + vers -, U > 0) et qui bloque le courant si la tension est
appliqué en inverse (de – vers +, U < 0), cela est visible à la Figure 1. 2.

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5

Figure 1. 2 : Diode en sens direct et inverse

 Sens direct: la diode passante provoque une petite chute de tension Vak >
Vseuil .Elle se comporte comme un interrupteur fermé.
 Sens indirect : la diode bloquée peut être assimilée à un interrupteur
ouvert, Vak < 0 V.

1.2.2.1.2 Constitution d’une diode à jonction

On ″dope″ la zone P avec des atomes trivalents (Bore, Alu) qui sont receveurs ou
déficitaires (ils leur manquent un électron sur la couche périphérique). Dans la zone
N on utilise des atomes pentavalents (phosphore, arsenic) qui sont donneurs ou
excédentaires (un électron supplémentaire à la périphérie).

Figure 1. 3 : Constitution d'une diode à jonction

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6

Le courant passera de P vers N, mais pas le sens inverse.

1.2.2.1.3 Caractéristique d’une diode à jonction


Une diode standard doit être polarisée avant de laisser libre passage au courant. Cette
polarisation est atteinte lorsque la tension aux bornes dépasse :

 0,3 Volts pour la diode au germanium ;


 0,7 Volts pour celle au silicium

On retrouve, à la Figure 1. 4, les caractéristiques d'une diode au silicium.

Figure 1. 4 : Caractéristique d'une diode

1.2.2.1.4 Grandeurs fondamentales

Les trois critères principaux du choix d’une diode sont :

 I0 courant direct moyen


 VRRM la tension inverse de la crête répétitive
 Le type de boitier

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7

Il peut-être en verre, en matière plastique ou métallique. Dans ce cas, si l’on ne


précise pas, la cathode est reliée au boitier. Si l’anode est au boitier, la référence est
suivie du suffixe (R).

1.2.2.2 Transistor bipolaire

Le transistor bipolaire est un composant électronique de la famille des transistors. Ce


composant est basé sur 2 jonctions PN, qui peuvent soit être placé pour former une
jonction NPN ou PNP. Pour faire simple sur l'utilité du composant, il est possible de
spécifier que la troisième patte de ce tripôle (composant à 3 pattes : émetteur, base et
collecteur) permet de contrôler le passage du courant entre les 2 autres pattes.

1.2.2.2.1 Symboles des transistors bipolaires

La base qui permet de commander le passage du courant à travers le composant. Le


collecteur est la broche par laquelle le courant entre dans le transistor bipolaire.
L'émetteur est la broche par laquelle le courant sort du composant, ainsi que le signal
de sortie.

Figure 1. 5 : Symbole d'un transistor bipolaire

1.2.2.2.2 Constitution du transistor


Un transistor bipolaire est constitué de 2 jonctions PN et existe sous deux polarités
NPN et PNP :

 Cas du transistor NPN

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8

EMETTEUR

Figure 1. 6 : Constitution du transistor de type NPN

 L’émetteur (E) est fortement dopé. Son rôle est d’injecter des électrons
dans la base.
 La base (B) est faiblement dopée et très mince. Elle transmet au
collecteur la plupart des électrons venant de l’émetteur.
 Le collecteur (C) recueille les électrons qui lui viennent de la base d’où
son nom.
 Cas du transistor PNP

Figure 1. 7 : Constitution du transistor de type PNP

Dans le cas d'un transistor bipolaire de type PNP, la structure reste équivalente, les
dopages sont complémentaires :

Émetteur P, base N, collecteur P.

En fonctionnement normal du transistor, la jonction base-émetteur est polarisée en


direct, elle conduit, et la jonction base-collecteur est-elle polarisée en inverse, elle est
bloquée. La jonction B-E étant polarisée en direct on a un courant Ib, ce qui traduit

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9

un déplacement d'électrons de la zone N vers la zone P (ou de tous de P vers N) se


sont les porteurs majoritaires qui se déplacent. Si les conditions sont "particulières"
(géométrie de la zone, conditions de déplacement des porteurs, …) une partie des
électrons traversant la jonction B-E se trouvent sous l'influence de la jonction B-C.

1.2.2.2.3 Caractéristiques

Le transistor comporte trois accès, il est caractérisé par 6 grandeurs électriques :

 3 courants : Ib, Ic et Ie ;
 3 tensions : Vbe, Vce et Vcb.

Mais Ie = Ib + Ic et Vcb = Vbe + Vce

Deux caractéristiques traduisent le comportement d'un transistor, la caractéristique Ib =


f(Vbe), que l'on peut qualifier de "caractéristique d'entrée" et la caractéristique Ic= f (Vce),
la "caractéristique de sortie".

Figure 1. 8 : Caractéristique d'entrée et sortie

1.2.2.2.4 Grandeurs fondamentales

Le choix d'un transistor (au premier ordre) se fera en considérant les paramètres
suivants :
 VCEMax que peut supporter le transistor.
 ICMax le courant de collecteur maxi.
 La puissance maxi que le transistor aura à dissiper.
 β le gain en courant.

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𝐈𝐜
𝛃 = 𝐈𝐛 Equation 1. 1

100<β<300 transistors classiques

20<β<100 transistors de puissance

1.3 Autres composants électroniques

1.3.1 Condensateur

Un condensateur est un composant constitué par deux conducteurs parallèles, appelés


armatures séparés sur toute l’étendue de leur surface par un milieu isolant de faible
épaisseur, exprimé par sa rigidité électrique Ɛr (epsilon) ou permittivité relative. Les
condensateurs plans modernes se présentent sous différentes formes. Le plus
commun est formé par deux feuilles d’aluminium séparées par une feuille de
diélectrique (papier, mica, …), le tout enroulé en un petit cylindre et scellé. [3]

1.3.1.1. Symbole d’un condensateur

Le passage du courant est contraire à celui de la tension dans un condensateur


comme le montre la Figure 1. 9.

Figure 1. 9 : Symbole d'un condensateur

1.3.1.2. Caractéristique

La Figure 1. 10, présente la courbe de charge et de décharge d’un condensateur à 1 V


et 6 secondes.

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11

Figure 1. 10 : Caractéristique d'un condensateur

1.3.2 Résistance

1.3.2.1. Définition

Une résistance est un composant électronique ou électrique dont la principale


caractéristique est d'opposer une plus ou moins grande résistance (mesurée en ohms)
à la circulation du courant électrique. La résistance électronique est l'un des
composants primordiaux dans le domaine de l'électricité.

1.3.2.2. Symbole d’une résistance électrique

La résistance électrique traduit la propriété d'un composant à s'opposer au passage


d'un courant électrique (l'une des causes de perte en ligne d'électricité). Elle est
souvent désignée par la lettre R et son unité de mesure est l'ohm (symbole : Ω).

𝐔
R= Equation 1. 2
𝐈

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Figure 1. 11 : Symbole d'une résistance électrique

1.3.2.3. Caractéristiques

Elle est caractérisée par cette droite indiquant la tension aux bornes de la résistance
de 6 V est proportionnelle à l'intensité du courant 24 mA qu'elle reçoit. Le coefficient
de proportionnalité correspond alors à la valeur de la résistance.

Figure 1. 12 : Caractéristique d'une résistance

1.3.2.4. Repérage

Pour connaitre la valeur ohmique d'une résistance, il faut identifier les couleurs
présentes sur la résistance et l'associer au code universel des couleurs.

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13

Tableau 1.1: Tableau du code de couleurs pour résistances

1er anneau 2ieme anneau Dernier anneau Anneau


gauche gauche gauche droite

1er chiffre 2ieme chiffre Multiplicateur Tolérance (%)

Noir 0 0 1
Marron 1 1 10 1
Rouge 2 2 102 2
Orange 3 3 103
Jaune 4 4 104
Vert 5 5 105 0,5
Bleu 6 6 106 0,25
Violet 7 7 107 0,1
Gris 8 8 108 0,05
Blanc 9 9 109
Or 0,1 5
Argent 0,01 10
La correspondance entre les chiffres et les couleurs des anneaux constitue ce qu’on
appelle le code des couleurs qui permet de déterminer la valeur en Ohm d’une
résistance.
Pour lire cette valeur, il faut d’abord placer la résistance dans le bon sens. En
général, la résistance a un anneau doré ou argenté, qu’il faut placer à droite. Dans
d’autres cas, c’est l’anneau le plus large qu’il faut placer à droite.
Les deux premiers anneaux sont les chiffres significatifs et le troisième est le
multiplicateur (la puissance de 10 avec laquelle il faut multiplier les chiffres
significatifs). Le 4ème anneau correspond à la tolérance.

1.3.3 Haut-parleur

1.3.3.1. Définition

Un haut-parleur, ou hautparleur, est un transducteur électroacoustique destiné à


produire des sons à partir d’un signal électrique. Il est en cela l’inverse du
microphone. Par extension, on emploie parfois ce terme pour désigner un appareil
complet destiné à la reproduction sonore.

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14

Trois types de haut-parleurs (électrodynamique, électrostatique et piézoélectrique)


représentent les technologies actuelles les plus courantes. Le haut-parleur
électrodynamique, couvrant environ 99 % du marché, a encore un fonctionnement
relativement simple pour une technologie de masse. Il est symbolisé par la Figure 1.
13.

Figure 1. 13 : Symbole d'un haut-parleur

1.3.3.2. Principe de fonctionnement

Il fonctionne selon le principe suivant :

 Un moteur transforme l'énergie électrique en énergie mécanique ;


 Ce moteur transmet cette énergie mécanique à la membrane ;
 La membrane transmet l'énergie mécanique à l'air ambiant – d'où le son.

1.3.4 Circuit intégré NE 555

1.3.4.1. Définition

Le circuit intégré NE 555 est un composant électronique qui permet de réaliser les
fonctions astable et monostable de longue durée qui permettent la réalisation de
temporisation allant de quelques microsecondes à quelques heures. Ses performances
et ses facilités d’emploi lui ont ouvert des domaines réservés à l’électromécanique
pendant longtemps. Le NE 555, qui se présente sous la forme d’un circuit intégré à 8
bornes, représente aujourd’hui une des solutions les plus utilisées pour la génération
de signaux rectangulaires.

1.3.4.2. Brochage du circuit intégré NE 555

Comme le montre le brochage sur la Figure 1. 14, les 8 bornes du circuit NE 555 sont
:

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15

1 la masse (alimentation 0 V) 5 sortie de contrôle

2 entrée de déclenchement 6 entrée de seuil

3 la sortie principale 7 sortie déchargement

4 entrée RAZ (Remise A Zéro) 8 alimentation (tension VCC)

Figure 1. 14 : Brochage du circuit intégré NE 555 à 8 bornes

1.3.4.3. Structure interne du NE 555

A l’intérieur du NE 555 se trouvent plusieurs composants. Le circuit électronique


interne de la Figure 1. 15 du NE 555 nous le montre.

Figure 1. 15 : Montage électrique contenue à l'intérieur du NE 555

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16

Sur la Figure 1. 15, le circuit électronique interne montre que le NE 555 est
constitué de :

 trois résistances de même valeur R,


 deux comparateurs de tension C1 et C2,
 une bascule RS, possédant 2 entrées de mise à 1 (S et Set),
 un inverseur dont la sortie est relié à la borne n°3 du NE 555,
 un transistor dont le collecteur est relié à la borne n°7 du NE 555.

1.4 Conclusion

Les informations précédentes nous ont permis de comprendre comment


fonctionne certains semi-conducteurs comme la diode qui est unidirectionnel, le
transistor qui lui peut être utilisé en deux jonctions NPN et PNP. Ces éléments
peuvent être interconnectés dans un même circuit électronique capable de
modifier la nature d’un signal électrique l’exemple d’une sirène de police.

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17

CHAPITRE 2 : DIMENSIONEMENT

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18

2.1 Introduction

Dans ce chapitre, le travail sera consacré sur le choix après dimensionnement des
différents composants qui permettent de constituer et d’assurer le fonctionnement
d’une sirène de police avec un NE 555.

2.2 Cahier de charge

Pour dimensionner les composants qui sont autour du NE 555 et faire la réalisation
d’une sirène, il faut :

 Dimensionner les semi-conducteurs


 Dimensionner les résistances et condensateur
 Dimensionner le haut-parleur
 Elaborer la commande
 Choisir une alimentation stabilisée pour les circuits intégrés
 Simuler la commande et l’alimentation
 Réaliser la maquette sur circuit imprimé
 Faire le montage avec la soudure
 Tester les fonctionnalités

NB : la conception du circuit imprimé, le montage, les simulations et le test des


fonctionnalités se traiterons au niveau du quatrième chapitre.

Pour dimensionner les composants du montage, l’encadreur nous à donner les


valeurs suivantes :

 Tension de service de 12 V coté montage astable et coté amplificateur une


tension de 15 V
 Un courant moyen de 1A
 Un condensateur C1 de 1 µF
 Un potentiomètre RV1 de valeur 100 kΩ
 Une résistance R1 de 1 kΩ
 Une résistance R2 de 1 kΩ
 Un haut-parleur d’impédance 4 Ω

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19

2.3 Présentation du circuit astable de câblage de la sirène de


police

Si une rampe exponentielle montante et descendante est appliquée à la broche de


tension de commande, oscillateur permet alors obtenir une sonorité de sirène
modulée [4].

La Figure 2. 1, présente le montage astable de la partie alimenté en 12 V

Figure 2. 1: Montage astable de la partie commande

Le condensateur C1 se charge, via les résistances RV1 et R1. Lorsque la tension aux
bornes de C1 atteint une valeur égale aux deux tiers de la tension d’alimentation, la
sortie du premier comparateur passe à 1 et commande la bascule sur « set ». La sortie
de cette bascule qui, à l’origine, était à 0, passe à 1. La base du transistor NPN dans
le NE 555 est alimentée, ce qui le rend passant. Ce transistor court-circuite alors le
condensateur C1 en dérivant vers la masse son courant de charge. Le condensateur se
décharge via la broche 7 et RV1 : la tension à ses bornes diminue. Lorsque celle-ci
aura atteint une valeur égale au tiers de la tension d’alimentation, la sortie du second
comparateur passera à 1, ce qui actionnera la bascule « reset », dont la sortie passera
aussitôt de 1 à 0. Conséquence : la base du transistor n’est plus alimentée, donc celui-

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20

ci n’est plus passant et ne s’oppose plus à la charge du condensateur. Le


condensateur recommence à se charger et retourne dans la position de départ.

La Figure 2.2, montre comment évolue les tensions Uc et Vs en fonction du temps.

0 αT T

Figure 2.2 : Evolution temporelle de Vc et Vs

2.4 Détermination de la période et fréquence

Dans le cas d’une sirène de police nous avons un montage astable à circuit intégré
NE 555.

Figure 2.3 : Circuit NE 555 en astable

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21

Caractéristiques temporelles du signal de sortie VS à partir de la Figure 2.3 :


 th = t1 = (𝑅1 + 𝑅𝑉1) × 𝐶1 × ln(2) : le condensateur se charge à travers R1
et RV1
 tb = t2 = 𝑅𝑉1 × C1 × ln(2) : le condensateur se décharge à travers RV1
seulement.
Les temps de charge et de décharge du condensateur identique, le temps haut et le
temps bas du signal VS qui ne sont égaux : le temps haut est forcément supérieur au
temps bas. Il en résulte pour le signal Vs un rapport cyclique supérieur à 0,5.
Partant des expressions de tH et tB, on en déduit la période, le rapport cyclique de Vs
et la fréquence d’oscillations :

𝐓 = (𝑹𝟏 + 𝟐𝑹𝑽𝟏) × 𝑪𝟏 × 𝐥𝐧(𝟐) Equation 2. 1

Pour 0 ≤ 𝑅V1 ≤ 105 𝛺, la période et la fréquence variera de : 2𝑅1 × 𝐶1 × ln(2) ≤


T ≤ (105 𝛺 + 2𝑅1) × 𝐶1 × ln(2)

 la période qui est en ms, est comprise dans un encadrement :

2𝑅1 × 𝐶1 × ln(2) ≤ T ≤ (105 𝛺 + 2𝑅1) × 𝐶1 × ln(2)

𝟐 × 𝟏𝟎𝟎𝟎 × 𝟏 × 𝟏𝟎−𝟔 × 𝟎, 𝟔𝟗 ≤ 𝐓 ≤ (𝟏𝟎𝟓 + 𝟐 × 𝟏𝟎𝟎𝟎) × 𝟏 × 𝟏𝟎−𝟔 × 𝟎, 𝟔𝟗

𝟎, 𝟎𝟎𝟏𝟑𝟖 ≤ 𝐓 ≤ 𝟎, 𝟎𝟕𝟎𝟑𝟖

 La fréquence d’oscillations du montage astable elle aussi variera en fonction


de la période entre [0; 100 𝑘𝛺] :
𝟏,𝟒𝟒
𝒇 = (𝐑𝟏+𝟐𝐑𝐕𝟏)×𝐂𝟏 Equation 2. 2

Comme la période est dans un encadrement de 𝟎, 𝟎𝟎𝟏𝟑𝟖 ≤ 𝐓 ≤ 𝟎, 𝟎𝟕𝟎𝟑𝟖, alors


calculons la fréquence dans chaque cas avec la formule :

𝟏
𝒇= Equation 2. 3
𝑻

 Cas ou 𝟎, 𝟎𝟎𝟏𝟑𝟖 ≤ 𝐓

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22

AN :

𝟏
𝒇= = 𝟎, 𝟕𝟐𝟒 𝑯𝒛
𝟏, 𝟑𝟖

𝒇 = 𝟎, 𝟕𝟐𝟒 𝑯𝒛

 Cas ou 𝐓 ≤ 𝟎, 𝟎𝟕𝟎𝟑𝟖

AN :

𝟏
𝒇= = 𝟎, 𝟎𝟏𝟒𝟐 𝑯𝒛
𝟕𝟎, 𝟑𝟖

𝒇 = 𝟎, 𝟎𝟏𝟒𝟐 𝑯𝒛

2.5 Détermination du temps de charge et de décharge du


condensateur

2.5.1 Temps de charge

La charge du condensateur est assuré par la résistance R1 et le potentiomètre RV1.


L’équation de charge est :

𝐭𝐡 = 𝐭𝟏 = (𝑹𝟏 + 𝑹𝑽𝟏) × 𝑪𝟏 × Ln(2)

AN:

𝒕𝒉 = 𝒕𝟏 = (𝟏𝟎𝟎𝟎 + 𝟏𝟎𝟓 ) × 𝟏𝟎−𝟔 × 𝟎, 𝟔𝟗

𝒕𝟏 = 𝟎, 𝟎𝟔𝟗 𝐦𝐬

2.5.2 Temps de décharge

La décharge du condensateur est assurée par le potentiomètre et la sortie 7 du NE


555, l’équation de décharge est :

𝒕𝒃 = 𝒕𝟐 = 𝑹𝑽𝟏 × 𝐂𝟏 × 𝐥𝐧(𝟐)

AN :

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23

𝒕𝒃 = 𝒕𝟐 = 𝟏𝟎𝟓 × 𝟏𝟎−𝟔 × 𝟎, 𝟔𝟗

𝐭 𝟐 = 𝟎, 𝟎𝟔𝟗 𝐦𝐬

Nous remarquant que 𝑡1 = 𝑡2 .

2.6 Rapport cyclique du montage

Connaissant le temps de charge et de décharge nous aurons un rapport cyclique


variable :

𝐭𝟏
𝛂 = 𝐭𝟏+𝐭𝟐 Equation 2. 4

AN:

𝟎, 𝟔𝟗
𝛂=
𝟎, 𝟔𝟗 + 𝟎, 𝟔𝟗

𝛂 = 𝟎, 𝟓

2.7 Calculs des grandeurs électriques

2.7.1 Valeur moyenne de la tension

La valeur moyenne de la tension est celle obtenue par intégration de 0 à αT.

𝟏 𝜶𝑻
< 𝑽 > = 𝑻 ∫𝟎 𝑽(𝒕). 𝒅𝒕 , or 𝑽(𝒕). 𝒅𝒕 = 𝑽𝒄𝒄

𝟏 𝛂𝐓
< 𝐕 > = ∫ 𝐕𝐜𝐜 × 𝐝𝐭
𝐓 𝟎

𝐕𝐜𝐜 𝛂𝐓
<𝐕>= ∫ 𝒅𝒕
𝐓 𝟎

𝐕𝐜𝐜
<𝐕>= × [𝛂𝐓 − 𝟎]
𝐓

< 𝐕 > = 𝐕𝐜𝐜 × 𝛂 Equation 2. 5

AN :

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24

< V > = 12 × 0,5

<𝐕>=𝟔𝐕

2.7.2 Détermination du courant entre 0 et αT

Dans l’intervalle[0, 𝛼𝑇] , nous avons un courant lors de la charge du condensateur.

 Par intégration du courant moyen nous avons :

𝐢(𝐭) = 𝐈𝐦𝐚𝐱

𝟏 𝛂𝐓
< 𝐢 > = 𝐓 ∫𝟎 𝐢. 𝐝𝐭 , or 𝐢(𝐭) = 𝐈𝐦𝐚𝐱

𝐈𝐦𝐚𝐱
<𝐢>= × [𝛂𝐓 − 𝟎]
𝐓

< 𝐢 > = 𝐈𝐦𝐚𝐱 × 𝛂 Equation 2. 6

Pour un montage astable Imax = 200 mA alors :

< 𝐢 >= 𝟐𝟎𝟎 × 𝟔𝟒, 𝟔𝟔

< 𝐢 >= 𝟏𝟐𝟗, 𝟑 𝐦𝐀

Le courant augmente entre 0 et αT, il ne peut donc diminuer entre αT et T.


L’intensité à l’instant 0 est minimale : i(0) = Imin et l’intensité du courant à l’instant
αT est maximale : i(αT) = Imax.

2.7.3 Détermination des contraintes de courant

 Courant de charge du condensateur

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25

Figure 2.4 : Circuit de charge du condensateur

Comme énoncé au début, le condensateur se charge grâce aux résistances R1 et RV1,


la loi de maille de la Figure 2.4 nous donne :

𝐕𝐜 + 𝐑𝐕𝟏𝐈𝐜 + 𝐑𝟏𝐈𝐜 − 𝐕𝐜𝐜 = 𝟎 Equation 2. 7

𝟐𝐕𝐜𝐜
𝑽𝑪 =
𝟑

𝟐×𝟏𝟐
𝑽𝑪 = =𝟖V
𝟑

𝐕𝐜𝐜 − 𝐕𝐜 𝟏𝟐 − 𝟖
𝐈𝐜 = =
(𝐑𝐕𝟏 + 𝐑𝟏) (𝟏𝟎𝟓 + 𝟏𝟎𝟎𝟎)

𝐈𝐜 = 𝟎, 𝟎𝟎𝟎𝟎𝟑𝟗 𝐀

 Courant de décharge du condensateur

Dans cette phase la résistance RV1 est la seule qui permet la décharge du
condensateur, alors la loi d’ohm de la Figure 2.5 donne :

Figure 2.5 : Circuit de décharge du condensateur

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26

Comme nous avons déjà calculé la valeur de R1 et nous avons RV1 alors la loi
d’ohm de la Figure 2.5 donne :

𝐕𝐜 = 𝐑𝐕𝟏 × 𝐈𝐜 Equation 2. 8

𝐕𝐜𝐜 𝟏𝟐
𝐕𝐜 = = =𝟒𝐕
𝟑 𝟑

𝐕𝐜 𝟒
𝐈𝐜 = = 𝟓
𝐑𝐕𝟏 𝟏𝟎

𝐈𝐜 = 𝟎, 𝟎𝟎𝟎𝟎𝟒 𝐀

2.8 Détermination de la résistance série du haut-parleur

Le haut-parleur se trouvant à la sortie donc sa tension est Vcc, la Figure 2.6 montre le
circuit du courant du haut-parleur HP1.

Figure 2.6 : Circuit du courant de HP1

U = Vcc = 15 V et Z = 4 Ω (Voir cahier de charge)

La loi d’ohm de la Figure 2.6 est :

𝐕𝐜𝐜 − 𝐑𝟒𝐈 − 𝐔𝐡𝐩𝟏 = 𝟎 ==> 𝐕𝐜𝐜 − 𝐑𝟒𝐈 − 𝐙𝐈 = 𝟎 Equation 2. 9

Le courant I est délivré par l’amplificateur ULN2004A avec un courant 𝐈𝐌𝐚𝐱 =


𝟑𝟓𝟎 𝐦𝐀 , cherchons la valeur de la résistance R4 dans 𝐕𝐜𝐜 − 𝐑𝟒𝐈 − 𝐔𝐡𝐩𝟏 = 𝟎 ==
> 𝐕𝐜𝐜 − 𝐑𝟒𝐈 − 𝐙𝐈 = 𝟎 Equation 2. 9
𝑽𝑪𝑪 −𝒁𝑰
𝐑𝟒 = Equation 2. 10
𝐈

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27

AN :

𝟏𝟓 − 𝟒(𝟎, 𝟑𝟓)
𝑹𝟒 = = 𝟑𝟖, 𝟖𝟓 𝜴
𝟎, 𝟑𝟓

𝐑𝟒 = 𝟎, 𝟎𝟑𝟖 𝐤𝛀

Pour des raisons de manque de résistance d’une valeur de 0,038 kΩ, il est plus
judicieux de prendre la résistance de valeur immédiatement supérieure, R4 sera
remplacé par une résistance de 1 kΩ.

2.9 Conclusion

Ce chapitre a permis de voir tous les paramètres important comme la tension, le


choix de résistance. Il a aussi permis de mieux comprendre le fonctionnement du
montage astable qui est le montage indispensable pour la réalisation du projet.

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28

CHAPITRE 3 : SIMULATION ET REALISATION DU SYSTEME

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29

3.1 Introduction

En électronique chaque circuit peut-être simulé sur des logiciels avant la réalisation
sur circuit imprimé, dans ce chapitre le travail consistera à tester les composants et le
son dans le logiciel de simulation.

3.2 Elaboration de la commande

3.2.1 Présentation de la commande

Toute la partie simulation est faite avec le logiciel Proteus. C’est une suite logicielle
destinée à l’électronique. Développé par la société l’absenter Electronics, les
logiciels incluent dans Proteus permettent la conception assistée par ordinateur
(CAO) dans le domaine électronique. Cette suite logicielle est composée de deux
logiciels principaux qui sont : ISIS et ARES.

La Figure 3.1, montre l’écran du logiciel Proteus à l’ouverture.

Figure 3.1 : Ecran Proteus 8.1

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30

3.2.2 ISIS

Le logiciel ISIS de Proteus est principalement utilisé pour éditer les schémas
électroniques [3]. Par ailleurs, le logiciel permet également de simuler ces schémas
ce qui permet de déceler certaines erreurs dès l’étape de conception. Indirectement,
les circuits électroniques conçus grâce à ce logiciel peuvent être utilisé dans des
documentations car le logiciel permet de contrôler la majorité de l’aspect graphique
des circuits.

La Figure 3.2, montre l’écran du programme ISIS dans Proteus.

Figure 3.2 : Ecran du logiciel ISIS

3.2.3 ARES

Le logiciel ARES est un outil d’édition et de routage qui complète parfaitement ISIS.
Un schéma électrique réalisé sur ISIS peut alors être importé facilement sur ARES
pour réaliser le PCB de la carte électronique. Bien que l’édition d’un circuit imprimé
soit plus efficiente lorsqu’elle est réalisée manuellement, ce logiciel permet de placer
automatiquement les composants et de réaliser le routage automatiquement.

L’écran du programme ARES après démarrage du logiciel est représenté comme sur
la Figure 3.3.

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31

Figure 3.3 : Ecran du logiciel ARES

3.3 Différentes étapes de la simulation sur ISIS

3.3.1 Etape 1

Ouvrir le logiciel de simulation Proteus (son icône de couleur bleue s’appelle ISIS 8
Professional et elle est disponible dans le menu Démarrer Tous les programmes_
Proteus 8 Professional), et agrandir sa fenêtre à tout l’écran. Dans la partie gauche de
l’écran se trouve une boite verticale de bouton vert plaçant le curseur de la souris sur
un bouton, sans cliquer, une info-bulle affiche le nom du bouton. Le premier bouton
de cette barre d’outils, en forme de flèche noire, s’appelle mode sélection. Les
boutons nommés sont à repérés :

 Mode composant,
 Mode point de jonction,
 Mode terminal,
 Mode générateur,
 Mode instruments

3.3.2 Etape 2

Préparer les composants, les chercher dans les catégories indiquées. Pour cela :

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32

 On clique sur « prendre un composant/symbole » dans le menu


« Bibliothèques » (raccourcis touche P).
 On clique dans une des catégories puis double-cliquer sur le composant
recherché : le composant se rajoute à la liste des composants dans votre
espace de travail.
 Recommencer l’opération pour tous les composants que vous avez besoin et
fermer la boite de dialogue pick Devices après y avoir pris tous les
composants (raccourcis Echap)

Astuce : pour rechercher un composant dont on connait le nom mais pas la catégorie
on peut utiliser la recherche par mots clés dans la boite de dialogue pick Devices (en
cochant identique sur tous les mots).

3.3.3 Etape 3

La réalisation du montage se fait, en utilisant les composants et un générateur


d’alimentation. Pour connecter 2 composants avec un fil électrique dans le logiciel
Proteus, on procède comme suit :

 Placer les composants sur la feuille de travail


 Cliquer sur le bouton « mode point de jonction »
 Cliquer sur la borne du premier composant
 Cliquer sur la borne du second composant il est inutile de perdre du temps à
faire des virages avec les fils électriques, c’est le logiciel qui s’en charge.

3.3.4 Etape 4

Lors de la simulation analogique dans le logiciel Proteus, il faut toujours connecter


un composant GROUND à la borne moins du générateur de tension du montage. Ce
composant GROUND représente la masse du circuit, et est indispensable pour
pouvoir simuler le comportement électrique du montage.

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33

3.3.5 Etape 5

Nous allons maintenant configurer les valeurs de tous les composants et du


générateur de tension (en volts). Pour configurer un composant, il faire un clic droit
sur le composant (il devient rouge), puis clic gauche sur « éditer propriétés » : la
boite de dialogue de configuration apparait. Pour désélectionner tous les composants
(pour qu’aucun composant ne soit rouge) il faut faire un clic gauche sur le fond de la
feuille de travail, à l’extérieur de tout composant.

3.3.6 Etape 6

Avant de lancer la simulation, et dans le but de pouvoir observer les mesures des
tensions et du courant, nous allons ajouter les appareils de mesure nous permettant
d’obtenir la tension aux bornes du générateur, la tension aux bornes de chaque
composant, ainsi que le courant circulant dans le circuit. Pour cela, on a mis un
oscilloscope des voltmètres (instrument DC VOLTMETER disponible dans le mode
« mode instruments virtuels ») et l’ampèremètre (instrument DC AMMETER
disponible dans le « mode instruments virtuels »).

3.3.7 Etape 7

Le schéma est maintenant complètement terminé, nous pouvons lancer la simulation


afin d’observer les valeurs sur les appareils de mesure. Pour cela, cliquez sur
« exécuter » dans le menu « mise au point » de Proteus (on peut aussi utiliser le
bouton de raccourcis « jouer » (symbolisé par un triangle noir) placé en bas à
gauche de l’écran). Observer les valeurs données par les appareils de mesure.

Pour arrêter la simulation, on clique sur « Stop animation » dans le menu « mise au
point » de Proteus (on peut aussi utiliser le bouton de raccourcis « arrêt »
(symbolisé par un carré noir) placé en bas à gauche de l’écran). Nous venons de voir,
à travers les 6 étapes précédentes, comment réaliser un montage analogique sous
Proteus, comment configurer les composants (les résistances et la pile), comment
connecter deux composants ensemble, comment placer des appareils de mesure
(voltmètre et ampèremètre) et comment lancer et arrêter la simulation analogique.

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34

Ainsi nous avons fait le montage de la commande de la sirène de police, comme


l’indique la Figure 3. 4).

Figure 3. 4: Réalisation du circuit de commande sous ISIS

3.3.8 Simulation sur ISIS du circuit de commande et


visualisation sur oscilloscope du signal.

Pour visualiser le signal avec l’oscilloscope on met un oscilloscope disponible dans


la partie gauche dans le « Mode instruments » et on connecte les voies ou l’on veut
visualiser les signaux. Dans la Figure 3. 5, nous avons placé la voie A sur l’entré
pour observer la charge et décharge du condensateur, la voie B à la sortie pour voir la
réaction de la tension et enfin la voie C au haut-parleur.

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35

Figure 3. 5 : circuit de commande de sirène avec oscilloscope

La Figure 3. 6 montre comment évolue les tensions Uc en jaune et Vs en bleu en


fonction du temps.

Figure 3. 6 : Tension Uc et Vs en fonction du temps de notre commande

Tous les éléments en fonction du temps sont en concordance, en séparant les


visualisations, nous remarquons que même le haut-parleur a une tension en
concordance avec la charge et la décharge du condensateur, cela est visible à la
Figure 3. 7

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36

Figure 3. 7 : Visualisation des signaux générés par la commande de la sirène

3.4 Différentes étapes de routage

Pour le routage, on démarre ARES et on importe tous les composants. La Figure 3. 8,


montre l’écran ARES après importation des composants.

Figure 3. 8 : Ecran ARES avec des composants importés [5]

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37

3.3.9 Zones interdites au routage

Pour interdire le routage automatique d’une zone d’une face, on utilise une petite ruse :
Tracer la zone à interdire sur le cuivre (Top Copper ou Bottom Copper). Penser à
enlever cette zone à la fin du routage. [5]

Figure 3. 9 : Zones interdites au routage

3.3.10 Lancement du routage automatique

Cliquer en haut à gauche sur « Outils, puis cliqué sur Routeur automatique » ou le

bouton

Figure 3. 10: Procédure de lancement du routage automatique

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38

3.3.11 Lancement du routage manuel

Figure 3. 11: Présentation du routage manuel

3.5 Routage du circuit de commande

Le circuit de commande de Figure 3. 4 de notre projet, après importation des


composants dans ARES pour réaliser notre carte électronique, l’image sur la Figure
3. 12 présente le broutage fait dans ARES.

Figure 3. 12: Routage en 2D de la commande du système

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39

Les lignes de couleurs bleus et rouges sur la Figure 3. 12 sont les différentes
connections des composants dans le PCB pour le circuit imprimé.

Pour une bonne vue de l’intégralité du circuit imprimé et la vue des composants sur
cette carte, il a fallu convertir la Figure 3. 12 en 3D, représentée sur la Figure 3. 13.

Figure 3. 13 : Vue avant en 3D du circuit imprimé

La carte est en deux faces, les composants sont placés du côté du cuivre, la soudure
se fait du côté ou il y a absence de cuivre. La Figure 3. 14, montre la face ou les
soudures seront fait.

Figure 3. 14: Vue arrière du circuit imprimé en 3D

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40

Après tout cala nous pouvons réaliser notre circuit à l’aide d’une plaque en cuivre sur
laquelle nous allons transférer les différentes pistes de connexion.

3.6 Estimation financière du dispositif

Pour la réalisation du projet il faudra faire une commande d’achat des composants et
matériels nécessaire. Dans le Tableau 3. 1, se trouve une estimation globale de la
dépense pour l’achat de ces composants.

Tableau 3. 1 : Estimation financière

Quantité Désignation Prix unitaire Prix total

1 Potentiomètre 100 KΩ 1000 Fcfa 1000 Fcfa

1 Bouton 6A 125VAC 500 Fcfa 500 Fcfa

1 NE 555P HYC 3253H 1000 Fcfa 1000 Fcfa

1 Condensateur polarisé (1µF) 1500 Fcfa 1500 Fcfa

1 Optocoupleur 4N25 500 Fcfa 500 Fcfa

1 Amplificateur ULN2004A 1000 Fcfa 1000 Fcfa

1 Plaque en cuivre pour circuit imprimé 2500 Fcfa 2500 Fcfa

1 Haut-parleur 4Ω 60 WATTS 2000 Fcfa 2000 Fca

4 Résistances 1 kΩ, 10 kΩ 100 Fcfa 400 Fcfa

MONTANT TOTAL 10100 Fcfa

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41

3.7 Conclusion

Ces différentes étapes de simulation et réalisation du circuit PCB, ont permis de


tester les composants achetés et de confirmer les résultats obtenus sous ISIS,
l’aboutissement de tout ce travail nous permet d’imprimé le circuit, donc la
réalisation en respectant les étapes suivantes :

 Le tracé manuel du circuit imprimé


 L’implantions des composants
 Soudure.

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42

CONCLUSION GENERALE

Dans ce mémoire, le système présenté est un dispositif électronique qui converti un


signal d’entré en signal sonore à la sortie dans le but de signaler un risque, une
urgence. Pour cela, nous avons étudié respectivement au cours des trois chapitres les
interrupteurs à semi-conducteurs de puissance, ensuite nous avons dimensionné les
résistances et le haut-parleur, les tensions et courants et en fin nous avons étudié la
simulation de notre projet. En effet, les composants de base de ce système sont les
interrupteurs à semi-conducteurs qui se comportent essentiellement comme des
interrupteurs ultra-rapides, la plus simple est la diode. C’est un interrupteur qui
conduit le courant dans un seul sens. Le NE 555 dans ce projet représente l’élément
indispensable, monté en astable il est connecté comme un oscillateur avec des temps
de charge et de décharge commandé grâce aux résistances et le condensateur.

Une sirène modulée peut être intégrée dans la réalisation d'un système d'alarme anti-
intrusion pour véhicule ou locaux d'habitations.

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43

Bibliographie

[3] F. S. MAGAMBOU, «ETUDE ET REALISATION D'UN


HACHEUR DEVOLTEUR,» DAKAR, 2017.(mémoire consulté le 30/01/2019)
[5] Mini_guide_Ares_v6, 2005.(livre consulté le 08/06/2019)
[6] G. C. jean-claud CHAUVEAU, MEMOTECH électronique, PARIS: castilla
1997, 2003, p. 579.(livre consulté le 29/05/2019)

Webographie
[1] «wikipedia,» [En ligne]. Available:
https://fr.wikipedia.org/wiki/Sirène_(appareil_sonore)#Histoire.(page consultée
le 05/02/2019)
[2] «slideplayer,» [En ligne]. Available: https://slideplayer.fr/slide/11682352/.
[4] 2004-2009. [En ligne]. Available: https://www.positron-
libre.com/electronique/schemas-electroniques/ne555/sirene-de-police.php.
[Accès le 10 avril 2019].
[7] [En ligne]. Available:
https://www.google.com/search?hs=GER&q=tableau+du+code+de+couleur&tb
m=isch&source=univ&client=opera&sa=X&ved=2ahUKEwitmZ_X9ZrhAhUH
RBoKHXjFBy0QsAR6BAgJEAE&biw=1326&bih=627#imgrc=RHg_bJ3WuG
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[8] «wikipedia,» [En ligne]. Available:
https://fr.wikipedia.org/wiki/NE555.(page consultée le 30/04/2019)
[9] [En ligne]. Available: www.gecif.net.

BOULINGUI NGOT Aubriel Dieu merci ISTI


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Annexes

Annexe 1

EXEMPLE DE DETERMINATION DE LA VALEUR D’UNE RESISTANCE

Annexe 2

STRUCTURE INTERNE ET EXTERNE D’UN AUTOCOUPLEUR

BOULINGUI NGOT Aubriel Dieu merci ISTI