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‫الجمهورية الجزائرية الديمقراطيـة الشعبيــة‬

République algérienne démocratique et populaire


‫وزارة التـعليــم العالـي و البحــث العلمــــي‬
Ministère de l’enseignement supérieur et de la recherche scientifique
‫المركز الجامعي لعين تموشنت‬
Centre Universitaire Belhadj Bouchaïb d’Aïn-Témouchent
Institut de Technologie
Département de Génie Electrique

Projet de fin d’études


Pour l’obtention du diplôme de Master en :
Domaine : SCIENCE ET TECHNOLOGIE
Filière : Electronique
Spécialité : Génie des Télécommunications
Thème
Conception d’une nouvelle forme d’antenne vivaldi antipodale à
base de la technologie SIW

Présenté Par :

SOUNFOUNTERA Mouadiou

Devant le jury composé de :


Mme. AYACHE Choukria MCA C.U.B.B (Aïn Témouchent) Présidente
Mr. BENAISSA Mohamed MCA C.U.B.B (Aïn Témouchent) Encadrant

Mr. ABRI Mehadji Pr Université de Tlemcen Co-encadrant

Mme. BOUTKHIL Malika MAA C.U.B.B (Aïn Témouchent) Examinatrice

Année universitaire 2016/2017

1
2
Dédicaces

Je dédie ce travail tout d’abord à ma très chère tante SOUNFOUNTERA Fatoumata qui a su
prendre soin de moi en me motivant, en m’encourageant et en m’assistant depuis mon enfance
jusqu’à nos jours, je lui proclame toute ma gratitude ainsi qu’à son mari SIDIBE Issa; suivi
par mon très cher ami DIARRA Ousmane qui m’a formé durant mes deux premières années
en Algérie et qui m’a enseigné toutes les notions de moralités ainsi que la patience. Et enfin à
mon frère TOGO Ali qui me pousse toujours à dépasser mes limites. Là où je suis aujourd’hui
en ce qui concerne les antennes une partie est grâce à lui ; grâce à ses deux derniers la quête
du savoir m’est devenue une passion.

3
Remerciements
Je remercie tout d’abord le tout puissant, le tout miséricordieux, le sage par excellence que la
prière et le salut soit sur le dernier des messagers et des prophètes de m’avoir accordé cette
vie, de me faire connaître ce pays ci (Algérie) et de m’avoir fait connaître les gens que j’ai
connu ici et dans le monde entier.

Je remercie ma très chère maman MAIGA Coumba, vaillante dame pour sa procréation et qui
a eu pitié de moi durant mon enfance ainsi qu’à mon amie et très chère tante
SOUNFOUNTERA Fatoumata, mes reconnaissances à son égard ne finiront jamais.
Je remercie énormément mon mentor et encadrant BENAISSA Mohamed MCA au centre
universitaire d’Aïn Témouchent pour sa franchise, son courage et ses motivations ainsi que
son esprit critique à chercher toujours le fond de chaque chose.

Je remercie énormément mon co-encadrant ABRI Mehadji, Professeur à l’université de


Tlemcen, pour l’accord de son temps à l’analyse et à la synthèse des résultats de simulation
depuis le début jusqu’à la fin et surtout pour son expertise dans le domaine.
Tous mes remerciements à la présidente du jury AYACHE Choukria, MCA au centre
universitaire d’Aïn Témouchent d’avoir acceptée de présider ce jury ainsi que pour son
enseignement en Fonction d’électronique et Amplification de Signaux.

Tous mes remerciements à BOUTKHIL Malika, MAA au centre universitaire d’Aïn


Témouchent, d’avoir acceptée d’être l’examinatrice de ce travail ainsi que pour son
enseignement en théorie et traitement de signal.
Tous mes remerciements à FEROUANI Souhila, MCB au centre universitaire d’Aïn
Témouchent, pour son introduction au logiciel CST Microwave Studio ainsi qu’au Docteur
RABAH Amine pour ses éclaircissements du même logiciel.

Enfin, tous mes remerciements à l’ensemble de mes enseignants, camarades et à toute la


communauté étrangère.

4
Résumé
Dans ce projet de fin d’étude, nous présentons une nouvelle technique de conception
d’antenne vilvadi antipodale à ouverture elliptique à base de la technologie SIW fonctionnant
dans la bande 2.7-14 GHz à polarisation rectiligne pour des applications micro-ondes dans les
bandes S, C et X. Cette technique consiste à introduire symétriquement des trous métalliques
à l’intérieure de l’AVA-FERTD en suivant les courbures des deux ouvertures elliptiques
inférieures et supérieures. Cette technique a permis d’avoir une amélioration maximale de
1.03 dB par rapport à l’AVA-FERTD.
Pour ce projet nous avons utilisé le simulateur CST Micro-wave Studio et le diélectrique FR-4
de permittivité relative , d’épaisseur et de tangente de pertes de 0.018.

5
TABLE DES MATIERES
Dédicaces
Remerciements
Résumé
Table de matières
Liste des abréviations i
Liste des symboles ii
Liste des figures iv
Liste des tableaux vii
Introduction Générale 1

Chapitre I : Généralités sur les antennes et les guides d’ondes


I.1 Introduction 2
I.2 Principes théoriques pour l’étude des Antennes. 2
I.2.1 Équations de Maxwell 2
I.2.2 Vecteur de Poynting 3
I.2.3 Théorème d’unicité 3
I.2.4 Théorème de Réciprocité de Lorentz 4
I.3 Caractéristiques des antennes 4
I.3.1 Fonction caractéristique de rayonnement 4
I.3.2 Diagramme de rayonnement 4
I.3.3 Directivité 4
I.3.4 Efficacité d’une antenne 5
I.3.5 Gain d’une antenne 5
I.3.6 Facteur d’antenne 5
I.3.7 Polarisation d’une onde 5
I.3.8 Impédance d’entrée d’une antenne 6
I.3.9 Alimentation 7
I.3.10 Largeur de bande 7
I.3.11 Température de bruit d’une antenne 7
I.4 Domaines d’applications 8
I.5 Classification des antennes 8
I.5.1 Antennes définies par leur largeur de bande en fréquence 8
I.6 Théorie des guides d’ondes 9
I.6.1 Guide d’onde de section rectangulaire 10
I.6.1.1 Fréquence de coupure 12
I.6.1.2 Longueur d’onde guidée 12
I.6.1.3 Vitesse de Phase 13
I.6.1.4 Vitesse de Groupe 13
I.6.1.5 Impédance Intrinsèque en mode supérieur 13
I.6.2 Les pertes dans les guides d’ondes 13
I.7 Conclusion 14

6
Chapitre II : Caractéristiques et simulations des Antennes Vivaldi
Antipodales
II.1 Introduction 15
II.2 Caractéristiques des antennes Vivaldi 15
II.2.1 Mécanisme de rayonnement 15
II.2.2 Largeur de bande 16
II.2.3 Gain 16
II.3 Paramètres de conception d’une antenne AVA à ouverture elliptique 16
II.3.1 Dimensions du substrat 17
II.3.2 Dimensions des ellipses verticales 17
II.3.3 Dimensions des ellipses horizontales 18
II.3.4 Dimensions de la ligne micro-ruban 18
II.4 Simulation de l’AVA 18
II.4.1 Simulation de L’AVA à partir de valeurs calculées 19
II.4.1.1 Coefficient de réflexion S11 19
II.4.1.2 Maximum de Gain obtenu pour chaque fréquence dans la bande [3.1-12] GHz 19
II.4.2 Etude de l’influence de chaque paramètre sur l’adaptation en matière du coefficient S11 et du
Gain 20
II.4.2.1 Paramètre 20
II.4.2.2 Paramètre 21
II.4.2.3 Paramètre Ws 22
II.4.2.4 Paramètre Ls 23
II.4.2.5 Paramètre Wf 24
II.4.2.6 Paramètre Lf 24
II.4.3 L’AVA optimisée 25
II.5 Conception et simulation de l’AVA avec des fentes aux extrémités latérales des faces métalliques 26
II.5.1 Simulation de l’AVA avec corrugateds 26
II.5.2 Conception et simulation de l’AVA avec fente elliptique (AVA-FE) 27
II.5.3 Conception et simulation de l’AVA avec fente rectangle-triangulaire (AVA-FRT) 30
II.5.4 Conception et simulation de l’AVA en fusionnant les fentes elliptiques aux fentes rectangles-
triangulaires (AVA-FERT) 33
II.6 Conclusion 35

Chapitre III : Conception et Analyse des guides d’ondes intégrés aux


Substrats GIS dans les Bandes S, C et X.
III.1 Introduction 36
III.2 Technologie SIW 36
III.2.1 Différentes types de structures d’un SIW 37
III.2.2 Mécanismes des pertes 37
III.2.3 Réalisation des composants passifs et actifs à base du SIW 38
III.2.4 Réalisation des antennes à base du SIW 39
III.3 Paramètres de conception de la structure SIW 40
III.4 Simulation du SIW dans les Bandes S, C et X 41
III.4.1 Simulation du SIW dans la bande S 42
III.4.1.1 SIW dans la bande S avant adaptation 42

7
III.4.1.2 Etude de l’influence de chaque paramètre sur les coefficients S11 et S21 43
III.4.1.2.1 Paramètre W 43
III.4.1.2.2 Paramètre Wsiw 43
III.4.1.2.3 Paramètre Lsiw 44
III.4.1.2.4 Paramètre Wtaper 44
III.4.1.2.5 Paramètre Ltaper 44
III.4.1.2.6 Paramètre Lp 45
III.4.1.2.7 Paramètre Wp 45
III.4.1.2.8 Paramètre d 46
III.4.1.2.9 Paramètre s 47
III.4.1.2.10 Paramètre Nombre_Trous 47
III.4.1.3 Le guide SIW optimisé dans la bande S 48
III.4.2 Simulation du SIW dans la bande C 48
III.4.2.1 SIW dans la bande C avant adaptation 48
III.4.2.2 SIW dans la bande C après optimisation 49
III.4.3 Simulation du SIW dans la bande X 50
III.4.3.1 SIW dans la bande X avant adaptation 50
III.4.3.2 SIW dans la bande X après optimisation 51
III.5 Conclusion 51

Chapitre IV : Simulation de l’AVA avec la technologie SIW


IV.1 Introduction 52
IV.2 L’utilisation du SIW comme guide d’alimentation de l’AVA- FERTD 52
IV.2.1 AVA-FERTD avec alimentation SIW dans la bande S 52
IV.2.2 AVA-FERTD avec alimentation SIW dans la bande C 54
IV.2.3 AVA-FERTD avec alimentation SIW dans la bande X 55
IV.3 Intégration directe du SIW dans la partie rayonnante de l’AVA-FERTD 56
IV.3.1 Intégration directe du SIW dans les ouvertures elliptiques inférieures de l’AVA-FERTD 56
IV.3.2 Intégration directe du SIW dans les ouvertures elliptiques supérieures de l’AVA-FERTD 58
IV.3.3 Fusion des deux techniques précédemment citées 61
IV.4 Conclusion 63
Conclusion générale 64
Annexes 65
Annexe 1 65
Annexe 2 66
Annexe 3 67
Annexe 4 68
Bibliographie 69

8
LISTE DES ABREVIATIONS
EM : Electromagnétique
ULB : Ultra Large Bande passante
TEM : Transverse Electromagnétique
TE : Transverse Electrique
TM : Transverse Magnétique
SIW : Substrate Integrated Waveguide
GIS : Guide d’onde Intégré aux Substrats
GOR : Guide d’Onde Rectangulaire
TSA : Tapered Slot Antenna
VA : Viavaldi Antenna
AVA : Antipodal Vivaldi Antenna
BAVA : Balanced Antipodal Vivaldi Antenna
AVA-FE : Antipodal Vivaldi Antenna Fente Elliptique.
AVA-FRT : Antipodal Vivaldi Antenna Fente Rectangle Triangulaire.
AVA-FERT : Antipodal Vivaldi Antenna Fente Elliptique Rectangle Triangulaire
AVA-FERTD : Antipodal Vivaldi Antenna Fente Elliptique Rectangle Triangulaire avec
Diélectrique.
PFE : Projet de fin d’études
CST : Computer Simulation Technology

i
LISTE DES SYMBOLES
: Vecteur champ électrique

: Vecteur induction magnétique

: Vecteur champ magnétique

: Vecteur déplacement électrique

: Permittivité du vide

: Perméabilité du vide
: Célérité de la lumière

: Courant de conduction

: Vecteur de Poynting

: Densité surfacique de puissance

: Fonction caractéristique d’une antenne

: Directivité d’une antenne dans une direction

: Efficacité d’une antenne


Gain d’une antenne dans une direction
FA : Facteur d’antenne

: Impédance d’entrée de l’antenne


S11 : Coefficient de réflexion
S21 : Coefficient de transmission

: Fréquence de coupure du mode supérieur

: Longueur d’onde

: Longueur d’onde guidée

: Longueur d’onde à la résonance

: Longueur d’onde de coupure

: Impédance intrinsèque en mode supérieur

et sont respectivement la longueur et la largeur du substrat de l’AVA


sont respectivement les rayons du petit et du grand axes de l’ellipse
verticale

ii
sont respectivement les rayons du petit et grand axes de l’ellipse
horizontale
et sont respectivement la longueur et la largeur de la ligne micro-ruban d’alimentation
de l’AVA.
et sont respectivement la longueur et la largeur des fentes rectangulaires (corrugateds)
et sont respectivement les demis petit et grand axes de la fente elliptique et sa
position.
, et sont les paramètres qui caractérisent la fente rectangle
triangulaire.
: Largeur du GOR équivalent

: Diamètre des trous métalliques

: Espace entre deux trous adjacents centre à centre sur un même rangé de trous

: Largeur entre deux trous centre à centre de rangé différent


et Largeur et longueur totale du SIW.
et Largeur et Longueur du Taper.

: Résistivité

: Conductivité

: Tangente de pertes

iii
LISTE DES FIGURES
Figure I.1. : Différents profils d’antennes TSA [3] 9
Figure I.2. : Représentation du guide d’onde rectangulaire dans le plan cartésien 11
Figure I.3. : Réflexions des ondes EM entre les plaques d’un guide d’onde de section rectangulaire 11
Figure II.1. : Structure d’une antenne AVA à ouverture elliptique [10] 17
Figure II.2 : S11 de l’antenne AVA sans adaptation 19
Figure II.3 : Maximum de Gain de l’AVA sans adaptation à des différentes fréquences entre [3.1 – 12] GHz 20
Figure II.4 : Le coefficient S11 pour différentes valeurs de [8-20] mm. 20
Figure II.5 : Maximum de Gain pour chaque fréquence dans la bande [3.1-12] GHz pour différentes valeurs
de [8-20] mm. 21
Figure II.6 : Coefficient S11 pour différentes valeur de entre [56 - 66] mm. 21
Figure II.7 : Maximum de Gain obtenu pour chaque fréquence dans la bande [3.1-12] GHz 21
Figure II.8 : Coefficient S11 pour Ws = 76 mm 22
Figure II.9 : Coefficient S11 pour Ws = 64 mm 22
Figure II.10 : Gain dans la bande [3.1 - 12] GHz pour Ws=76 mm et 64 mm 23
Figure II.11 : Coefficient de réflexion S11 pour différentes valeur de Ls [68-80] mm. 23
Figure II.12 : Le Gain de l’antenne à des différentes fréquences de [3.1 - 12] GHz avec Ls =78 mm 24
Figure II.13 : Coefficient S11 pour différentes valeurs de Lf [12-28] mm. 24
Figure II.14 : Maximum de Gain en fonction de la fréquence pour différentes valeurs de Lf [12 - 28] mm. 24
Figure II.15 : Coefficient S11 en fonction de la fréquence 25
Figure II.16 : Maximum de Gain obtenu en fonction de la fréquence 25
Figure II.17 : Structure de l’AVA-Corrugated 26
Figure II.18 : Comparaison entre les S11 de l’AVA conventionnelle et de l’AVA-Corrugated 27
Figure II.19 : Comparaison entre les maximums de gains de l’AVA conventionnelle et de l’AVA-Corrugated 27
Figure II.20 : Structure de l’AVA-FE 28
Figure II.21 : Maximum de Gain pour différentes fréquences pour les meilleures valeurs de 28
Figure II.22 : Comparaison entre les coefficients S11 de l’AVA conventionnelle et de l’AVA-FE 29
Figure II.23 : Comparaison entre les maximums de gains de l’AVA conventionnelle et de l’AVA-FE 29
Figure II.24 : Comparaison entre les coefficients S11 de l’AVA conventionnelle, de l’AVA-FE et de l’AVA-
FE corrugated 30
Figure II.25 : Comparaison entre les maximums de gains de l’AVA conventionnelle, de l’AVA-FE et de
l’AVA-FE corrugated 30
Figure II.26 : Structure de l’AVA-FRT 31
Figure II.27 : Comparaison entre les coefficients S11 de l’AVA conventionnelle et de l’AVA-FRT 31
Figure II.28 : Comparaison entre les maximums de gains de l’AVA conventionnelle et de l’AVA-FRT 32
Figure II.29 : Comparaison entre les coefficients S11 de l’AVA conventionnelle, de l’AVA-FRT et de
l’AVA-FRT corrugated 32
Figure II.30 : Comparaison entre les maximums de l’AVA conventionnelle, de l’AVA-FRT et de l’AVA-
FRT corrugated 33
Figure II.31 : Comparaison entre les coefficients S11 de l’AVA conventionnelle et de l’AVA-FERT 33
Figure II.32 : Comparaison entre les maximums de gains de l’AVA conventionnelle et de l’AVA-FERT 34
Figure II.33 : Vue en perspective de l’AVA-FERTD 34
Figure II.34 : Comparaison entre les coefficients S11 de l’AVA conventionnelle, de l’AVA-FERT et de
l’AVA-FERTD 35
Figure II.35 : Comparaison entre les maximums de gains de l’AVA conventionnelle, de l’AVA-FERT et de 35

iv
l’AVA-FERTD

Figure III.1 : Structure d’un SIW [38] 36


Figure III.2 : Types de structures SIW 37
Figure III.3 : Exemples de filtres passifs SIW 38
Figure III.4 : Exemples de circuits actifs SIW; (a) Oscillateur [35], (b) Amplificateur [36], (c) Transistor
CMOS [37]. 39
Figure III.5 : Différentes paramètres du SIW 40
Figure III.6 : Design du SIW sous CST 42
Figure III.7 : Coefficients de réflexions S11 et de transmission S21 42
Figure III.8 : L’affaiblissement du Coefficient S21 lorsqu’on monte en fréquence 43
Figure III.9 : Coefficients S11 et S21 pour différentes valeurs de 43
Figure III.10 : Coefficients S11 et S21 pour différentes valeurs de Wsiw 44
Figure III.11 : Coefficients S11 et S21 pour différentes valeurs de Wtaper 44
Figure III.12 : Coefficients S11 et S21 pour différentes valeurs de Ltaper 45
Figure III.13 : Coefficients S11 et S21 pour différentes valeurs de LP 45
Figure III.14 : Impédance caractéristique de la ligne micro-ruban pour différentes valeurs de Wp. 46
Figure III.15 : Coefficients S11 et S21 pour différentes valeurs de Wp. 46
Figure III.16 : Coefficients S11 et S21 pour différentes valeurs de d 47
Figure III.17 : Coefficients S11 et S21 pour différentes valeurs de s 47
Figure III.18 : Coefficients S11 et S21 pour différentes valeurs du 48
Figure III.19 : Coefficients S11 et S21 du guide SIW optimisé dans la bande S 48
Figure III.20 : Coefficients S11 et S21 du guide SIW dans la Bande C sans adaptation 49
Figure III.21 : Coefficients S11 et S21 du SIW optimisé dans la bande C 50
Figure III.22 : Coefficients S11 et S21 du guide SIW dans la Bande X sans adaptation 50
Figure III.23 : Coefficients S11 et S21 du SIW optimisé dans la bande X 51
Figure IV.1 : Design AVA-FERTD avec alimentation SIW dans la bande S 53
Figure IV.2 : Coefficient S11 de l’AVA-FERTD avec alimentation SIW dans la bande S 53
Figure IV.3 : Maximum de gain de l’AVA-FERTD avec alimentation SIW dans la bande S 53
Figure IV.4 : Coefficient S11 de l’AVA-FERTD avec alimentation SIW dans la bande C 54
Figure IV.5 : Maximum de gain de l’AVA-FERTD avec alimentation SIW dans la bande C 54
Figure IV.6 : Coefficient S11 de l’AVA-FERTD avec alimentation SIW dans la bande X 55
Figure IV.7 : Maximum de gain de l’AVA-FFERTD avec alimentation SIW dans la bande X 55
Figure IV.8 : Structure AVA-FERTD avec SIW aux niveaux des ouvertures elliptiques inférieures 56
Figure IV.9 : Coefficient S11 de l’AVA-FERTD avec SIW aux niveaux des ouvertures elliptiques inférieures
en faisant une diminution du nombre de trous du bas vers le haut. 57
Figure IV.10 : Maximum de gain de l’AVA-FERTD avec SIW aux niveaux des ouvertures elliptiques
inférieures en faisant une diminution du nombre de trous du bas vers le haut. 57
Figure IV.11 : Comparaison entre les coefficients S11 de l’AVA-FERTD et de l’AVA-FERTD avec SIW aux
niveaux des ouvertures elliptiques inférieures. 58
Figure IV.12 : Comparaison entre les maximums de gains de l’AVA-FERTD et de l’AVA-FERTD avec SIW
aux niveaux des ouvertures elliptiques inférieures. 58
Figure IV.13 : AVA-FFERT avec SIW aux niveaux des ouvertures elliptiques supérieures 59
Figure IV.14 : Coefficients S11 pour différentes positions des trous métalliques de l’AVA-FERTD avec SIW
aux niveaux des ouvertures elliptiques supérieures 59
Figure IV.15 : Maximums de gain pour différentes positions des trous métalliques de l’AVA-FERTD avec
SIW aux niveaux des ouvertures elliptiques supérieures 59

v
Figure IV.16 : Comparaison entre les coefficients S11 des deux dispositions cités jusqu’ici et de l’AVA-
FERTD 60
Figure IV.17 : Comparaison entre les maximums de gain des deux dispositions cités jusqu’ici et de l’AVA-
FERTD 60
Figure IV.18 : Design de la structure finale 61
Figure IV.19 : Comparaison entre les Coefficients S11 de la structure finale et de l’AVA-FERTD 61
Figure IV.20 : Comparaison entre les maximums de gain de la structure finale et de l’AVA-FERTD 62
Figure IV.21 : Diagramme de rayonnement en 3D pour quelques fréquences 62
Figure IV.22 : Diagramme de rayonnement en 2D pour quelques fréquences 63

vi
LISTE DES TABLEAUX
Tableau II.1. : Valeurs des paramètres prédéfinis du substrat et du conducteur 19
Tableau II.2. : Valeurs des paramètres de l’AVA avant Adaptation 19
Tableau II.3. : Valeurs optimisées des différents paramètres de l’AVA 25
Tableau III.1. : Valeurs des paramètres du guide SIW dans Bande S avant adaptation 42
Tableau III.2. : Valeur des différents paramètres du SIW dans la Bande C calculées à partir des
49
formules
Tableau III.3. : Valeur optimisée des différents paramètres du SIW dans la Bande C 49
Tableau III.4. : Valeur des différents paramètres du SIW dans la Bande X calculées à partir des
50
formules
Tableau III.5. : Valeur optimisée des différents paramètres du SIW dans la Bande X 51

vii
Introduction générale

INTRODUCTION GENERALE
Avec le développement des systèmes modernes de communication sans fil, la demande des
composants (filtres, antennes, coupleurs, diviseurs de puissance etc…) de taille réduite, à
faibles coût de fabrication, à simplicité d’intégration et de performances élevées sont sans
cesse.

Cette demande de performance élevée ne peut être atteinte qu’avec des antennes ULB (Ultra
Large Bande) très directive afin d’atteindre de longue distance. Pour cela les antennes vivaldi
antipodales sont une meilleure alternative due à leur bande passante théoriquement infinie et
un gain toujours supérieur à 4 dBi. Cependant, la limitation du gain en fonction de la longueur
de l’ouverture est un handicap pour l’utilisation de ce type d’antenne. Afin de contrer cette
limitation, nous introduisons la technologie SIW (Substrate Integrated Waveguide) à très
faible pertes et facile à intégrer.
L’objectif de ce mémoire est de proposer une nouvelle technique de conception des AVAs en
combinant l’AVA-FERTD (Antipodal Vivaldi Antenna Fente Elliptique Rectangle
Triangulaire avec Diélectrique) et la technologie SIW afin d’améliorer le gain sans touché aux
dimensions de l’antenne.
Le mémoire est réparti sur quatre chapitres.

Le premier chapitre est consacré aux notions générales sur les antennes, les guides d’ondes et
les différents types d’antennes ULB ainsi que leurs applications. En fin de chapitre, une
introduction aux antennes à transition progressive (Antennes Vivaldi) est présentée.
Dans le second chapitre, une étude sur les différentes caractéristiques des antennes vivaldis
est présentée. Des simulations en utilisant le logiciel CST (Computer Simulation Technology)
pour l’adaptation de l’AVA conventionnelle à ouverture elliptique sont effectuées. Des
améliorations aux performances de cette dernière sont proposées en créant des fentes
symétriques au niveau des plans métalliques supérieur et inférieur et en ajoutant du
diélectrique au bout de l’antenne.
La technologie SIW, ces caractéristiques, son domaine d’application et sa conception ainsi
que l’implantation des circuits passifs, circuits actifs et des antennes à base de cette dernière
sont présentés en début du chapitre III. Le reste du chapitre est consacré aux simulations du
SIW dans les bandes micro-ondes S, C et X dans le but de les utilisés au chapitre IV.

Le chapitre IV est consacré à la présentation des différents résultats de simulations de la


fusion de l’AVA-FERTD avec la technologie SIW.

Nous terminons ce mémoire par une conclusion générale et des perspectives.

1
Chapitre I : Généralités sur les antennes et les guides d’ondes

Chapitre I : Généralités sur les antennes et les guides d’ondes

I.1 Introduction
Dans les systèmes de communication sans fils, les antennes constituent l’une des parties la
plus importante. Pour pouvoir développer ce présent Projet de Fin d’Etudes, il est nécessaire
d’étudier l’ensemble des notions nécessaires à la compréhension des antennes et des guides
d’ondes rectangulaires. Pour cela nous présentons ces différentes notions dans ce chapitre.

I.2 Principes théoriques pour l’étude des Antennes


Dans ce paragraphe, nous présentons les bases d’électromagnétisme relatives au
fonctionnement des antennes. [1]

I.2.1 Équations de Maxwell

Les équations de Maxwell expriment le comportement du champ électromagnétique en


relation avec les sources qui lui ont données naissance. Ces équations différentielles
contiennent toute l’information permettant de résoudre les problèmes d’électromagnétisme.

Elles s’écrivent dans un milieu quelconque sous la forme :

[I.1]

[I.2]

[I.3]

[I.4]

Les deux premières équations ne font intervenir que le champ électromagnétique. Elles sont
appelées équations intrinsèques et les deux autres sont appelées extrinsèques dû à la présence
des sources.
Dans les équations (I.3) et (I.4), il apparaît deux nouvelles grandeurs H et D qui sont
respectivement les réponses du milieu de propagation à des excitations magnétique (appelé
Champ magnétique) et électrique (appelé Déplacement électrique). Ils sont définis par :

[I.5]

[I.6]
La permittivité et la perméabilité sont des constantes caractérisant le
milieu de propagation.
Ces deux constantes sont liées à la vitesse de l’onde EM dans le milieu :

2
Chapitre I : Généralités sur les antennes et les guides d’ondes

[I.7]

Dans l’équation [I.3], le terme est le courant de conduction et le terme qui lui est homogène

est appelé courant de déplacement.

I.2.2 Vecteur de Poynting

Le vecteur de Poynting noté indique dans un milieu isotrope la direction de propagation


d’une Onde EM. Le flux de ce vecteur à travers une surface (fermée ou non) est égal à la
puissance rayonnée par l’onde à travers cette surface. Le module de ce vecteur est donc une
puissance par unité de surface, c'est-à-dire un flux d'énergie, et s'exprime en watt par mètre
carré [2]. Le vecteur de Poynting est définit, soit dans le domaine temporel, soit dans le
domaine fréquentiel.

Dans le domaine temporel il est défini par :

[I.8]
La puissance rayonnée est définie par :

. [I.9]

Dans le domaine fréquentiel il est défini par sa forme complexe :

[I.10]

La partie réelle de son flux à travers une surface unité est la densité surfacique de puissance
:

[I.11]

Cette grandeur est la base de l’étude du rayonnement des antennes à grande distance.

La puissance moyenne rayonnée est définie par :

[I.12]

I.2.3 Théorème d’unicité

C’est le théorème définissant les conditions sur les champs pour qu’une source ne génère
qu’un seul champ électromagnétique. Ces conditions sont d’imposer :

 le champ électrique tangentiel sur la surface S, indépendamment de sa composante


normale et du champ magnétique.
 le champ magnétique tangentiel sur la surface S, indépendamment de sa composante
normale et du champ électrique.

3
Chapitre I : Généralités sur les antennes et les guides d’ondes

 soit le champ électrique tangentiel sur une portion de la surface S et le champ


magnétique tangentiel sur la portion complémentaire [1].
I.2.4 Théorème de Réciprocité de Lorentz

L’effet de la source 1 (E1) pris à l’endroit de la source 2, en M2 et multiplié par celle-ci est
égal à l’effet de la source 2 (E2), pris à l’endroit de la source 1, en M1, multiplié par la valeur
de la source 1.

[I.13]

Ce théorème permet de vérifier certaines propriétés des objets diffractant et d’effectuer


certains calculs de champs qui ne seraient pas possibles sinon. En particulier, la réciprocité
entraîne le fait que les propriétés du rayonnement d’une antenne sont identiques en émission
et en réception [1].

I.3 Caractéristiques des antennes


Dans ce paragraphe, seront définies les caractéristiques des antennes utiles pour le
dimensionnement des systèmes d’émission réception. Ces caractéristiques sont
essentiellement liées à la forme du rayonnement en champ lointain [1].

I.3.1 Fonction caractéristique de rayonnement


La densité surfacique de puissance d’une antenne varie en fonction de la distance et des
angles.

[I.14]

La variation en fonction de la distance est la même pour tous les types d’antennes par contre
celle angulaire est différente d’une antenne à une autre. On appelle fonction caractéristique
d’une antenne la puissance EM rayonnée par celle-ci indépendamment de la distance. Elle est
définit par [1]:

[I.15]

I.3.2 Diagramme de rayonnement

C’est la représentation graphique de la fonction caractéristique de l’antenne. Il permet


d’apprécier les caractéristiques (gain, directivité, rendement etc.) du rayonnement dans
l’espace.

I.3.3 Directivité

La directivité d’une antenne dans une direction permet de comparer la densité de puissance
EM rayonnée dans cette direction à la puissance moyenne rayonnée par l’antenne dans tout
l’espace [1]. Elle est définie par :

4
Chapitre I : Généralités sur les antennes et les guides d’ondes

[I.16]

La directivité maximale est obtenue pour le cas ou et c’est cette direction qui est
encore appelé l’axe de l’antenne.

I.3.4 Efficacité d’une antenne

C’est le quotient entre la puissance rayonnée et la puissance d’alimentation.

[I.17]

Elle permet de mesurer le taux de transformation et est toujours inférieur à 1 [1].

I.3.5 Gain d’une antenne

Le gain d’une antenne dans une direction est défini par le rapport de la densité de puissance
rayonnée dans cette direction à la densité de puissance qui serait rayonnée par une antenne
isotrope sans pertes, les deux antennes étant alimentées par la même puissance et placées à la
même position [1].

[I.18]

Ou encore [I.19]

I.3.6 Facteur d’antenne

Le facteur d’antenne FA est utilisé en mesure. Il donne le rapport entre le champ électrique
efficace rayonné et la tension mesurée juste derrière l’antenne [1].

[I.20]

Il sert à comparer des antennes à une antenne étalon, en mesurant le facteur d’antenne en
champ constant [1].

I.3.7 Polarisation d’une antenne

La polarisation d’une antenne consiste à définir la façon dont l’onde EM se propage. On


distingue trois types de polarisations qui sont les polarisations Rectiligne, Circulaire et
Elliptique.

 Rapport Axial :
C’est le rapport du demi-grand axe au demi-petit axe de l’ellipse. Il permet de déterminer le
type de polarisation. Son module est compris entre 1 et .

5
Chapitre I : Généralités sur les antennes et les guides d’ondes

Lorsque , la polarisation est circulaire. Lorsque est infini, la polarisation est


rectiligne et les autres polarisations elliptique [1].

I.3.8 Impédance d’entrée d’une antenne

On appelle impédance d’entrée de l’antenne l’impédance vue à l’entrée de celle-ci. Elle est
représentée par :

[I.21]
La résistance d’entrée représente un terme de dissipation. Il est lié, d’une part à la puissance
rayonnée et d’autre part, à la puissance perdue par effet Joule. Cette dernière est en général
petite par rapport à la puissance rayonnée pour assurer le fonctionnement optimal de
l’antenne. Cependant, les pertes par effet Joule peuvent représenter des valeurs non
négligeables en fonction de la géométrie de l’antenne. Les pertes dans le plan de masse sont
aussi à prendre en compte.

La réactance est liée à la puissance réactive stockée au voisinage de l’antenne. On peut


utiliser des tronçons de lignes parallèles à la ligne d’alimentation afin de supprimer la
réactance .

L’impédance de l’antenne est influencée par les objets environnants, en particulier par des
objets ou des plans métalliques proches ou par d’autres antennes. Dans ce dernier cas, on
parle d’impédances mutuelles entre éléments rayonnants. L’impédance d’entrée de l’antenne
est utilisée pour insérer cet élément de façon optimale dans la chaîne de l’émetteur (ou du
récepteur).Si l’impédance caractéristique de la ligne de propagation est et l’impédance
d’entrée de l’antenne , le signal se réfléchit à l’entrée de l’antenne avec un coefficient dont
l’expression est :

[I.22]

Dans le cas où le coefficient de réflexion est non nul, un système d’ondes stationnaires
apparaît et la puissance émise par le générateur n’est pas transmise de façon optimale à
l’antenne. C’est donc ce cas de réflexion minimale à l’entrée de l’antenne qu’on visera. Il
correspond à un paramètre de transmission de la matrice de répartition (S21) proche de 1 et à
un coefficient de réflexion (S11) proche de 0 (en valeurs linéaires). On admet qu’une bonne
adaptation est obtenue lorsque le coefficient de réflexion est inférieur à-10dB [1]. Cela
correspond à un rapport d’ondes stationnaires (VSWR Voltage Standing Wave Ratio),
compris entre 1 et 1,2. Le rapport d’ondes stationnaires est défini comme le rapport de la
tension maximale à la tension minimale sur une ligne.
Pour améliorer l’adaptation d’une antenne, tous les moyens associés aux techniques
hyperfréquences sont utilisables [1]. Généralement l’impédance du générateur est soit 50
soit 75 .

6
Chapitre I : Généralités sur les antennes et les guides d’ondes

I.3.9 Alimentation

L’alimentation d’une antenne est la technique utilisée pour amener l’énergie du générateur à
l’élément rayonnant (antenne).Elle diffère d’une antenne à d’autre, pour cela on distingue
plusieurs techniques d’alimentation parmi lesquelles on cite :

 Alimentation par une ligne coaxiale


 Alimentation par ligne micro ruban
 Alimentation par une fente
I.3.10 Largeur de bande

La largeur de bande, appelée aussi bande passante, d’une antenne définit le domaine de
fréquences dans lequel le rayonnement de l’antenne présente les caractéristiques requises. Il
s’agit la plupart du temps de la puissance transmise par l’antenne, mais on peut définir
d’autres caractéristiques exigées pour le fonctionnement d’une antenne telle que le type de
polarisation, le gain, angle d’ouverture, … [1].
La valeur des limites sur les critères de fonctionnement de l’antenne définit un domaine de
fréquences situé entre une valeur minimalef1et une valeur maximale f2.

La largeur de bande est définie par la différence entre ces deux fréquences :

[I.23]
La largeur de bande est aussi définie par le rapport entre les deux fréquences extrêmes :

[I.24]

La première formule est utilisée pour les antennes à faible bande passante et la seconde pour
les autres types d’antennes.
Pour connaître la largeur de bande d’une antenne relativement au rayonnement, on trace le
paramètre S11de réflexion en fonction de la fréquence. On admet généralement que si ce
paramètre est inférieur à -10dB, la puissance de rayonnement est suffisante. Il suffit alors de
repérer sur la courbe les valeurs de la fréquence correspondant à cette valeur [1].

I.3.11 Température de bruit d’une antenne

La température de bruit d’une antenne TB est l’échauffement que produisent les signaux
indésirables au sein de l’antenne. La puissance de l’ensemble des bruits captés par celle-ci
est :

[I.25]

 est la constante de Boltzmann.


 est la bande passante de l’antenne

7
Chapitre I : Généralités sur les antennes et les guides d’ondes

Elle caractérise la sensibilité de l’antenne aux bruits.

I.4 Domaines d’applications


Les antennes ont des applications énormes parmi lesquelles on cite :

 Réseaux de Télécommunication fixes (Radiodiffusion, Télédiffusion et Téléphonie


fixe).
 Réseaux de Télécommunication mobiles (les antennes de Stations de bases et celles
des terminaux mobiles).
 Liaisons par Satellite (Observation de la Terre, Communications mobiles,
Télédiffusion, Téléphonie fixe, Localisation (GPS, GALLILEO), Expérimentations
scientifiques etc.)
 Télédétection (radar et radiométrie)
 Radioastronomie
 Identification par radiofréquences (RFID)
 Télé-contrôle pour systèmes domotiques
 Systèmes d’alarme et de prévention
 Automobiles (immobilisation, démarrage de véhicules...) [1]
I.5 Classification des antennes
Les antennes sont classées de façon générale en fonction, des phénomènes physiques (Onde
de surface, Onde progressive, par réflexion, par résonance etc.), créant le rayonnement et des
caractéristiques du système (géométrie, largeur de bande). Une même antenne peut faire
partie de ces deux grandes catégories simultanément [1].

Dans cette classification seule les antennes classées en fonction de leur largeur de bande en
fréquences nous intéressent.

I.5.1 Antennes définies par leur largeur de bande en fréquence

L’utilisation des antennes impose des caractéristiques de largeur de bande en fréquence


imposées par le système. On distinguera donc les antennes bande étroite, multi-bandes, large
bande et ultra-large bande [1].

On distingue trois catégories d’antennes ULB qui sont :


a. Antennes indépendantes de la fréquence
 Antennes spirales (logarithmique, conique et d'Archimède)
 Antenne log-périodique (de formes circulaire et trapézoïdale) et l’antenne LPDA
(Log Periodic Dipole Array)

8
Chapitre I : Généralités sur les antennes et les guides d’ondes

b. Antennes omnidirectionnelles
 Antennes bi-cônes et ses dérivés
 Antennes Dipôles et monopoles électriques
c. Antennes directives
 Antennes à ouvertures rayonnantes (Cornets)
 Antenne à transition progressive (Vivaldi)
Les antennes fente à transition progressive (TSA Tapered Slot Antenna) sont l’une des
catégories importantes d'antennes ultra large bande directives. Ceux sont des antennes à deux
dimensions présentant une transition à partir d'une ligne ou d'un guide d'onde imprimé. Elles
ont été imaginées en 1974 par Lewis et Gibson. Elles sont généralement constituées par une
ligne de fente s'élargissant suivant un profil donné jusqu'à la discontinuité finale. Le profil de
ces ouvertures peut prendre différentes formes soit linéaire soit exponentielle soit elliptique
(figure I.1).
Les applications de ces antennes sont variées: de l'application radar à l'imagerie micro-onde
[3].

Figure I.1 : Différents profils d’antennes TSA [3]


Notre thème est basé sur les antennes Vivaldi antipodales qui font partie des antennes Ultra-
large Bande (ULB).On verra l’étude détaillé de cette dernière catégorie d’antenne ULB dans
le prochain chapitre.

I.6 Théorie des guides d’ondes


Un guide d’onde est, une classe un peu spéciale des lignes de transmission, constitué d’un
seul conducteur creux contenant d’air ou d’un matériau diélectrique et permettant de confinés
l’onde EM à l’intérieur de ce dernier pour sa propagation.
Un guide d’onde peut être considéré comme un filtre passe haut avec sa propre fréquence de
coupure [4].

9
Chapitre I : Généralités sur les antennes et les guides d’ondes

Les conditions aux limites imposées par la théorie des champs EM exigent que :

 Le champ électrique E se termine normalement sur le conducteur.


 Le champ magnétique H soit entièrement tangentiel à la surface conductrice [4].
Si on applique les conditions aux limites sur les parois métalliques du guide avec une onde se
propageant suivant l’axe z, le mode TEM devient impossible car les champs E (H) ne peuvent
être orthogonaux avec la direction de propagation partout dans la section d’analyse en étant
perpendiculaire (tangentiel) partout aux parois, seul les modes supérieurs de propagation sont
possible. On distingue deux types de modes supérieurs :

 Le mode Transverse Electrique (TE) dans lequel seul le champ électrique E est
orthogonal à la direction de propagation.
 Le mode Transverse Magnétique (TM) dans lequel seul le champ Magnétique H est
orthogonal à la direction de propagation.
On distingue plusieurs formes de guides d’onde métalliques mais les plus connues sont ceux
de section rectangulaire et ceux de section circulaires [4].

Cependant, ce qui est vrai pour un guide de section rectangulaire reste valable aussi pour les
autres types de guide. En outre, on a les mêmes caractéristiques sauf pour les équations qui
deviennent plus complexes [5].
Ceux qui nous intéressent dans le cadre de notre projet sont les guides d’ondes de section
rectangulaire car ils ont approximativement les mêmes caractéristiques que les guides d’ondes
intégrés aux substrats GIS (SIW Substrate Integrated Wave guide) en mode transverse
électrique .On verra l’étude détaillés de ces derniers dans le chapitre III.

I.6.1 Guide d’onde de section rectangulaire

Un guide d’onde de section rectangulaire de largeur sur l’axe , et de hauteur sur l’axe
dont l’intérieur est comblé par un diélectrique qui est souvent l’air est dessiné sur la figure
I.2. Les champs se déplacent dans le diélectrique, mais ils sont confinés dans l’espace par les
quatre parois conductrices [4].

Les modes supérieurs sont produits par la combinaison de plusieurs ondes planes se
réfléchissant selon divers patrons sur les parois. Les réflexions sur les plaques latérales seules
donnent des modes tandis que les modes sont issus des réflexions sur les plaques
inférieure et supérieure seule. Avec des combinaisons des quatre plaques comme sur la figure
I.3, on obtient les modes [4].

désigne le nombre de demi-longueurs d’onde du champ selon la largeur .


désigne le nombre de demi-longueurs d’onde du champ selon la hauteur .

10
Chapitre I : Généralités sur les antennes et les guides d’ondes

Figure I.2 : Représentation du guide d’onde rectangulaire dans le plan cartésien

Figure I.3 : Réflexions des ondes EM entre les plaques d’un guide d’onde de section
rectangulaire (a) (b) (c) ou [4]

Le mode est dit fondamental, car il possède la plus basse fréquence de coupure. Par un
choix judicieux de la fréquence d’opération, il est possible que seul le mode fondamental
puisse exister. On opère alors en monomode. L’avantage du monomode consiste en une plus
11
Chapitre I : Généralités sur les antennes et les guides d’ondes

faible dispersion du signal. Il faut se rappeler que la dispersion est causée entre autre par les
vitesses de propagation différentes selon la fréquence. Or, l’énergie d’une composante
spectrale répartie sur plusieurs modes a la même conséquence, car chaque mode voyage à une
vitesse différente suivant l’axe z. Le guide d’onde tout comme la fibre optique produit une
dispersion par les deux causes :

 Pour tout mode supérieur ;


 Pour deux modes supérieurs différents

Il s’agit d’un avantage très important dès qu’on désire communiquer sur une grande distance
ou à grand débit [4].

I.6.1.1 Fréquence de coupure

La fréquence de coupure est le paramètre le plus important d’un guide d’onde, parce qu’elle
détermine la présence ou l’absence d’un mode supérieur.

Chaque mode est caractérisé par une fréquence de coupure définie par :

[I.26]

Ainsi, un mode supérieur existe selon une combinaison de plusieurs facteurs dont :

 Les dimensions du guide ;

 La fréquence d’opération ;

 La façon d’exciter l’onde dans le guide.


L’énergie du signal micro-onde se divise dans tous les modes excités, mais l’énergie des
modes qui ne se propagent pas se répartira dans l’ensemble des modes présents. Au niveau
d’une discontinuité, des modes supérieurs locaux (ayant une certaine fraction de l’énergie du
signal) apparaissent pour s’évanouir ensuite. Les champs résultants correspondent à la somme
des champs de tous les modes présents [4].
I.6.1.2 Longueur d’onde guidée

La longueur d’onde guidée est définie par la constante de phase indiquant la variation de
phase du signal dans le guide selon l’axe de propagation. [4]

Après simplification on obtient la formule ci-dessous :

[I.27]

Avec , la longueur d’onde dans le milieu de propagation.

12
Chapitre I : Généralités sur les antennes et les guides d’ondes

I.6.1.3 Vitesse de Phase

La vitesse de phase du guide est la vitesse à laquelle les ondes semblent se propager le long
des parois du guide. Cette vitesse est supérieure à la vitesse de propagation, mais ce n’est
qu’une vitesse apparente [4].

[I.28]

I.6.1.4 Vitesse de Groupe

La vitesse de groupe reflète le fait que les diverses composantes des champs s’additionnant
pour créer le champ du guide voyagent toutes avec des réflexions à des angles différents par
rapport à l’axe du guide et, en conséquence, la vitesse de transmission de l’information est
moindre que la vitesse de propagation de l’onde [4].

[I.29]

I.6.1.5 Impédance Intrinsèque en mode supérieur

L’impédance intrinsèque en mode supérieur encore appelé impédance du guide ou impédance


Transverse du guide noté est l’impédance caractéristique du guide comme dans le cas des
lignes de transmission [4].
Elle est définit par :

[I.30]

Lorsqu’il y a propagation l’impédance transverse du mode est donnée par :

[I.31]

Avec impédance intrinsèque du milieu de propagation.

I.6.2Les pertes dans les guides d’ondes

Dans les guides d'onde, Il existe différents types de pertes (atténuations), les principales sont:

 Les pertes du diélectrique,


 Les pertes du conducteur,
 Les pertes par rayonnement,
 Les pertes par ondes de surface.

13
Chapitre I : Généralités sur les antennes et les guides d’ondes

Les pertes du diélectrique et du conducteur dépendent des matériaux utilisés et de la qualité


du conducteur. Les pertes par rayonnement et ondes de surface dépendent de la qualité de la
structure [5].

I.7 Conclusion
Dans ce chapitre, nous avons vue l’ensemble des notions nécessaires à la compréhension des
antennes, leur différentes applications possibles, les différentes types d’antennes ULB et une
introduction aux antennes vivaldis. Le chapitre suivant fera l’état d’une étude détaillée d’une
des catégories de ces dernières, appelée Antenne Vivaldi Antipodale.

14
Chapitre II : Caractéristiques et simulations des Antennes Vivaldi Antipodales

Chapitre II : Caractéristiques et simulations des Antennes Vivaldi Antipodales


II.1 Introduction
L’antenne à fente à ouverture progressive encore appelé antenne Vivaldi (Vivaldi Antenna),
est une antenne à fente à très large bande passante (plusieurs octaves), théoriquement infinie
avec un gain important et une polarisation linéaire, dont les fentes s’élargissent en cône avec
une alimentation micro-ruban et d’un bal-un d’adaptation.

Elle fut présentée pour la première fois à la 9ème conférence européenne sur les micro-ondes
(Eu Mic) en 1979 par P. J. Gibson dont la bande passante s’étendait de moins de 2 GHz à 40
GHz avec un coefficient de réflexion inférieur à -10 dB. [6]
Cette dernière à rencontrer beaucoup de problème dû à sa complexité d’alimentation, la
réalisation d’un bal-un ULB pour son adaptation, sa taille importante, son niveau de
polarisation croisée et le rayonnement parasite de sa ligne d’alimentation ouverte qui
influence la qualité du diagramme de rayonnement et les dispositifs de son alentour.
Afin de régler le problème d’alimentation W. Nester [7] a introduit une nouvelle technique
d’alimentation en 1985 pour laquelle, il a eu un brevet d’invention, le nom de sa structure
complète s’appelle Notch Antenna suivie par E. Gazit [8] qui à son tour a introduit la notion
d’Antenne Vivaldi Antipodale (AVA) en 1988 qui résout le problème d’alimentation et dont
son inconvénient principal est le niveau de polarisation croisée élevé.

Et plus tard en 1996, Langley et al. [9] ont introduit la notion d’Antenne Vivaldi Antipodale
Equilibrée (BAVA), afin de réduire le maximum possible le niveau de polarisation croisée et
le rayonnement parasite des lignes d’alimentation ouverte des deux précédentes.
Ces antennes ont fait l’œuvre de plusieurs recherches plus particulièrement les deux dernières
afin de réduire le maximum possible, le niveau de polarisation croisée, la taille de l’antenne
tout en gardant une très grande bande passante et un gain élevé.
Dans ce chapitre nous allons étudier les caractéristiques de l’Antenne Vivaldi Antipodale
(AVA) en détaille tout en effectuant quelques simulations.

II.2 Caractéristiques des antennes Vivaldi


Les antennes Vivaldi à fente conique et ses dérivées AVA et BAVA ont les mêmes
caractéristiques de rayonnement, sauf que le niveau de polarisation croisée, le gain et le
rayonnement parasite de la ligne d’alimentation ouverte sont différents.

II.2.1 Mécanisme de rayonnement

Le mécanisme de rayonnement de l’antenne à onde progressive, non résonnant, est obtenu par
des fonctions Hankel (H0(n)) d’ordre supérieur, dû aux modes générés par la propagation des
ondes progressives sur un chemin recourbé le long de l'antenne [6].

15
Chapitre II : Caractéristiques et simulations des Antennes Vivaldi Antipodales

L'énergie dans l'onde de voyage est étroitement liée aux conducteurs lorsque la séparation est
très faible par rapport à la longueur d'onde de l'espace libre et devient progressivement plus
faible et plus couplé au rayonnement lorsque la séparation augmente [6].

L'antenne Vivaldi a un rayonnement longitudinal, une polarisation rectiligne et la largeur de


faisceau est à peu près le même dans les plans E et H.

II.2.2 Largeur de bande

La bande passante de l’antenne est théoriquement illimitée comme mentionnée dans [6] mais
en pratique si on définit les paramètres de l’antenne adéquatement elle peut atteindre plusieurs
octaves. Cependant, le plus grand inconvénient est que les meilleures caractéristiquement ne
peuvent être obtenues qu’à partir des fréquences supérieures à 5 GHz pour une dimension
modeste sinon si on souhaite aller vers les fréquences d’environs 1GHz les dimensions seront
de l’ordre20 cm x 20 cm, c’est ce qui limite ces applications à des applications dont les
fréquences de travail sont supérieures à 5 GHz.

Afin de pallier ce problème de basses fréquences et des dimensions de l’antenne, les


chercheurs ont introduits différentes formes de fentes (elliptiques, rectangle-triangulaires et
rectangulaires ou corrugateds) aux extrémités latérales des deux faces métalliques. Ces
exemples sont rapportés respectivement dans [10], [11] et [12].

II.2.3 Gain

Il est rapporté dans [6] que le gain est proportionnel à la longueur de l’ouverture conique ;
cette proportionnalité a été approuvée et définie empiriquement dans [13] et [14] en fonction
de la directive.

Pour les longueurs de cône inférieure à on a [13] :

[II.1]

Et pour les longueurs de cône supérieure à on a [14] :

[II.2]

On sait que la directivité et le gain sont reliés par une constante (voir chapitre I), donc plus la
directivité augmente plus le gain augmente.

II.3 Paramètres de conception d’une antenne AVA à ouverture elliptique


Une antenne AVA à ouverture elliptique est composée de deux grandes parties, une pour la
ligne d’alimentation micro-ruban à la fente constituant l’antenne et l’autre constituée de deux
faces métalliques symétriques qui s’évasent elliptiquement donnant la forme de la fente
(antenne) comme sur la Figure II.1.

16
Chapitre II : Caractéristiques et simulations des Antennes Vivaldi Antipodales

Figure II.1: Structure d’une antenne AVA à ouverture elliptique [15]


Dans la figure précédente l’ensemble des paramètres de l’AVA y figurent, à l’exception des
épaisseurs du substrat et des faces métalliques.

Les paramètres sont calculés par les formules données dans les paragraphes suivants.

II.3.1 Dimensions du substrat

Dans [15] . Où et sont respectivement la longueur et la largeur du

substrat et est la longueur d’onde correspondant à la fréquence minimale (fréquence de


coupure) rayonnée par l’antenne. Elle est définit comme suite [15] :

[II.3]

Cependant, d’après les simulations effectuées, nous proposons l’équations empiriques (II.4)
pour le calcul de et .

[II.4]

L’utilisation de cette fonction permet de s’approcher plus rapidement de l’adaptation.

II.3.2 Dimensions des ellipses verticales

[II.5]

[II.6]

sont respectivement les rayons du petit et du grand axes de l’ellipse


verticale [15].
17
Chapitre II : Caractéristiques et simulations des Antennes Vivaldi Antipodales

II.3.3 Dimensions des ellipses horizontales

[II.7]

[II.8]

sont respectivement les rayons du petit et grand axes de l’ellipse


horizontale [15].

II.3.4 Dimensions de la ligne micro-ruban

Dans [15] Où est la longueur de la ligne micro-ruban.

Cependant, d’après les simulations effectuées, nous proposons l’équation empirique (II.9)
pour le calcul de .

[II.9]

Pour le calcul de on définit tout d’abord deux constantes A et B afin de simplifier les
expressions [16] :

[II.10]

[II.11]

[II.12]

[II.13]

Avec l’impédance de la source d’alimentation (générateur) et l’épaisseur du substrat


diélectrique.

II.4 Simulation de l’AVA


Dans cette section nous allons effectuer quelques simulations de l’AVA en utilisant le logiciel
de programmation MatLab pour le calcul des différents paramètres et le simulateur CST afin
d’apprécier le coefficient de réflexion et les caractéristiques de rayonnement de l’AVA en
champ lointain.
Pour cela nous commençons sans tarder à donner les paramètres prédéfinis du substrat et du
conducteur utilisé dans ce mémoire (tableau II.1).
Remarque : Les valeurs du tableau II.1 sont définies pour des raisons pratiques de fabrication.

18
Chapitre II : Caractéristiques et simulations des Antennes Vivaldi Antipodales

Substrat FR-4 (lossy) Conducteur : copper (cuivre)

Tableau II.1 : Valeurs des paramètres prédéfinis du substrat et du conducteur


II.4.1 Simulation de L’AVA à partir de ces valeurs calculées

Après avoir exécuté les codes des annexes 1 et 2 sous matlab avec les valeurs prédéfinies et la
fréquence de coupure , nous trouvons les valeurs des autres paramètres de
l’AVA comme indiqué dans le tableau II.2.

Paramètres Ws Ls Wf Lf

Valeurs (mm) 16.7 34.7 37.6 62.8 72.3 72.3 2.84 24.1

Tableau II.2 : Valeurs des paramètres de l’AVA sans Adaptation


En simulant l’AVA avec ces valeurs calculées sous l’environnement CST, nous obtenons les
résultats suivants.
II.4.1.1 Coefficient de réflexion S11

Figure II.2: S11 de l’antenne AVA sans adaptation


Nous voyons que notre antenne est bien adaptée avec un coefficient de réflexion S11< -10 dB
à partir de 3.12 GHz.
II.4.1.2 Gain maximal obtenu dans la bande [3.1-12]

Le maximal de gain est 6.4 dB obtenu à la fréquence f=5 GHz et le minimal est 3.31 dB
obtenu à la fréquence 3.1 GHz comme illustré en figure II.3.

19
Chapitre II : Caractéristiques et simulations des Antennes Vivaldi Antipodales

Figure II.3 : Maximum de Gain de l’AVA sans adaptation à des différentes fréquences entre
[3.1 - 12] GHz
Afin d’améliorer le coefficient S11 et le gain de l’AVA, nous effectuons une étude
paramétrique sur chacun de ses paramètres suivit d’une optimisation qui consiste à prendre la
valeur de chaque paramètre donnant les meilleures performances de l’AVA et les combinée
afin d’avoir l’AVA optimisée.

II.4.2 Etude de l’influence de chaque paramètre sur l’adaptation

II.4.2.1 Paramètre

Les figures II.4 et II.5 montrent que le paramètre a une influence seulement sur le
gain. Plus diminue plus le gain maximal de la bande diminue et plus
augmente plus le gain maximal de la bande augmente.Le meilleur S11est obtenu pour
et le meilleur gain est obtenue pour la valeur de
permettant de donner des bons S11 et gain est .

Figure II.4: Le coefficient S11 pour différentes valeurs de [8-20]mm.

20
Chapitre II : Caractéristiques et simulations des Antennes Vivaldi Antipodales

Figure II.5: Maximum de Gain pour chaque fréquence dans la bande pour
différentes valeurs de
II.4.2.2 Paramètre

La diminution de améliore le coefficient S11 dans toute la bande passante tout en


décalant la fréquence de coupure vers une fréquence égale à 3.4 GHz. Son augmentation fait
tendre l’AVA vers une désadaptation, comme le montre la figure II.6.

Figure II.6: Coefficient S11 pour différentes valeur de entre

Figure II.7: Gain dans la bande [3.1-12] GHz pour

21
Chapitre II : Caractéristiques et simulations des Antennes Vivaldi Antipodales

Les paramètres et restent constant afin d’avoir le plus faible coefficient de


réflexion à l’entrée de l’AVA, leurs variations ne dépendent que des variations de et de
.
II.4.2.3 Paramètre Ws

L’augmentation de Ws fait diminuer la fréquence de coupure de l’antenne avec un bon S11


dans toute la bande jusqu’à une fois que nous dépassons cette valeur la
diminution de la fréquence de coupure continue mais certaine fréquence se désadapte par
exemple pour l’antenne est adaptée dans toute la bande sauf dans la bande [4.1
- 4.288] Ghz et plus on continu à augmenter plus cette largeur désadaptée s’élargisse; et sa
diminution fait augmenter la fréquence de coupure et améliore un peu le Coefficient S11,
comme le montre les figures II.8, II.9.

Figure II.8: Coefficient S11 pour Ws = 76 mm

Figure II.9: Coefficient S11 pour Ws = 64 mm

22
Chapitre II : Caractéristiques et simulations des Antennes Vivaldi Antipodales

Figure II.10 : Gain dans la bande [3.1 - 12] GHz pour Ws=76mm et 64mm
La figure II.10 montre que le gain est meilleur dans la bande de fréquence pour Ws=76 mm
par rapport à Ws = 64 mm sauf dans la bande [4.31– 7.02] GHz.
II.4.2.4 Paramètre Ls

L’augmentation de la longueur Ls améliore le coefficient S11 et augmente un peu le gain, par


contre sa diminution détériore le S11, diminue la fréquence de coupure de l’antenne et diminue
un peu le gain, comme le montre les figures II.11 et II.12.

Figure II.11 : Coefficient de réflexion S11 pour différentes valeur de Ls

23
Chapitre II : Caractéristiques et simulations des Antennes Vivaldi Antipodales

Figure II.12 : Gain à des différentes fréquences de [3.1 - 12] GHz avec Ls =78 mm
II.4.2.5 Paramètre Wf

Le paramètre Wf est fixé à une valeur correspondant à l’impédance de la source


d’alimentation (fixée à 50 ) et aux paramètres fixe du substrat ( ).
II.4.2.6 Paramètre Lf

Plus nous diminuons Lf par rapport à sa valeur calculée, plus le coefficient S11 et le gain sont
meilleurs dans toute la bande passante jusqu’à ; en dessous de cette valeur, le
coefficient S11commence à tendre vers la désadaptation et sera complètement désadapté pour
dans la bande [3.58 – 4.105] GHz par contre le gain continu toujours à
s’augmenter. En augmentant la longueur Lf par rapport à sa valeur calculée les deux
caractéristiques de l’antenne se détériorent, comme le montre les figures II.13 et II.14. Les
meilleurs résultats sont obtenus pour .

Figure II.13: Coefficient S11 pour différentes valeurs de Lf [8-28] mm.

Figure II.14: Maximum de Gain en fonction de la fréquence pour différentes


valeurs de Lf [8 - 28]mm.

24
Chapitre II : Caractéristiques et simulations des Antennes Vivaldi Antipodales

II.4.3 L’AVA optimisée

Après avoir effectué une étude paramétrique des différents paramètres de l’AVA, nous
rassemblons dans le tableau II.3 la meilleure valeur de chaque paramètre afin de donner
l’AVA optimisée. Ces meilleures valeurs sont choisies en fonction soit du coefficient S 11 soit
du gain tout en prenant en considération les dimensions de l’AVA.

Paramètres Ws Ls Wf Lf

Valeurs(mm) 20 (Ws-Wf)/2 (Ws+Wf)/2 62 64 78 2.81 16

Tableau II.3: Valeurs optimisées des différents paramètres de l’AVA

Figure II.15:Coefficient S11 en fonction de la fréquence

Figure II.16 : Maximum de Gain obtenu en fonction de la fréquence


Comme nous l’avions dit dans la section (II.2.2), l’ajout des fentes aux extrémités des deux
faces métalliques permettent de diminuer la fréquence de coupure et d’améliorer le gain de
l’AVA dans les fréquences aux alentours de la fréquence de coupure par rapport à l’AVA
conventionnelle.

25
Chapitre II : Caractéristiques et simulations des Antennes Vivaldi Antipodales

Cet ajout de fentes fera l’œuvre de la section suivante.


II.5 Conception et simulation de l’AVA avec des fentes aux extrémités latérales
des faces métalliques
Dans cette section, nous allons étudier l’influences de différentes formes de fentes sur la
structure originale de l’AVA, en commençant par les corrugateds, les fentes elliptiques, les
fentes rectangles-triangulaires et enfin la fusion des deux précédentes.

II.5.1 Simulation de l’AVA avec corrugateds


Dans [12] ils ont montré que l’ajout des fentes rectangulaires de façon périodique
(corrugateds) permet d’augmenter le gain de l’AVA dans toutes les fréquences adaptées.
En se basant sur les références [12], [17], [18], [19] et [20] traitants sur les corrugateds, les
équations II.14 et II.15 sont retenues respectivement pour la longueur ( ) et la largeur ( )
des fentes rectangulaires ajoutées.

[II.14]

[II.15]

En utilisant l’AVA déjà optimisée dans la section (II.4.3) et les valeurs de et de


calculées à partir des équations II.14 et II.15, nous réalisons la structure AVA-Corrugated
indiquée sur la figure II.17.

Figure II.17: Structure de l’AVA-Corrugated


Les figures II.18 et II.19 illustrent les comparaisons du S11 et du gain entre la structure de
l’AVA-Corrugated (en vert) et la structure de l’AVA conventionnelle (en rouge) pour une
bande de fréquences allant de 2 à 14 Ghz. Les deux figures montrent clairement l’apport en
gain et en adaptation des corrugated à l’AVA.

26
Chapitre II : Caractéristiques et simulations des Antennes Vivaldi Antipodales

Figure II. 18: Comparaison entre les S11 de l’AVA conventionnelle et de l’AVA-Corrugated

Figure II.19: Comparaison entre les maximums de gains de l’AVA conventionnelle et de


l’AVA-Corrugated
II.5.2 Conception et simulation de l’AVA avec fente elliptique (AVA-FE)

Dans [10] ils ont montré que l’utilisation des fentes elliptiques aux extrémités latérales des
faces métalliques permet de diminuer un peu la fréquence de coupure et d’augmenter le gain
de l’AVA sans modifié ses dimensions dans toutes les fréquences adaptées.
En utilisant l’AVA déjà adaptée dans la section (II.4.3) et afin d’optimiser le temps de
simulation, nous ajoutons une fente elliptique ayant de dimension (demi petit axe de la
fente elliptique)et (demi grand axe de la fente elliptique)comme illustré en figure II.20.

27
Chapitre II : Caractéristiques et simulations des Antennes Vivaldi Antipodales

Figure II.20: Structure de l’AVA-FE


La position de la fente et le choix de ces dimensions sur le bord de l’antenne AVA a été
effectués de manière paramétrique.
 Pour les dimensions de la fente elliptique, les meilleurs valeurs obtenues sont pour
et .
D’après les simulations effectuées et l’étude paramétrique réalisée, nous proposons deux
équations empiriques (II.16 et II.17) pour les valeurs des dimensions de la fente elliptique
ajoutée à l’AVA.

[II.16]

[II.17]

 Par contre, la meilleure position de la fente est obtenue pour les trois valeurs suivantes
de . La figure II.21 montre la variation de gain en fonction
de la fréquence pour les trois valeurs de ( en vert, 16 mm en bleu et 19 mm
en rouge). Pour ce qui concerne la rotation des fentes elliptiques, nous ne remarquons
pas d’influence assez importante.

Figure II.21: Maximum de Gain pour différentes fréquences pour les meilleures valeurs de

28
Chapitre II : Caractéristiques et simulations des Antennes Vivaldi Antipodales

Dans tout ce qui suit nous avons opté pour un .


Les figures II.22 et II.23 illustrent les comparaisons de l’AVA conventionnelle (rouge) et
l’AVA-FE (verte)
Les figures II.22 et II.23 illustrent les comparaisons du S11 et du gain entre la structure de
l’AVA-FE (en vert) et la structure de l’AVA conventionnelle (en rouge) pour une bande de
fréquences allant de 2 à 13 Ghz. Les fentes elliptiques apportent une augmentation du gain de
l’antenne (figure II.23).Par contre l’adaptation reste quasi inchangée.

Figure II.22: Comparaison du S11 de l’AVA conventionnelle et de l’AVA-FE

Figure II.23: Comparaison du maximum de gain de l’AVA conventionnelle et de l’AVA-FE


Si nous répétons périodiquement ces fentes elliptiques de manière à couvrir entièrement les
extrémités latérales des deux faces métalliques nous remarquons que le gain s’améliore
comme le montre la figure II.25 et la fréquence de coupure descend à 2.863 GHz.
Les figures II.24 et II.25 illustrent les comparaisons du S11 et du gain entre la structure de
l’AVA-FE corrugated (en bleu), la structure de l’AVA-FE (en vert) la structure de l’AVA
conventionnelle (en rouge) pour une bande de fréquences allant de 2 à 13 Ghz. L’AVA-FE
corrugated donne de meilleurs résultats en termes de gain sauf pour les fréquences allant de
8.5 à 9.28 Ghz ou les corrugateds n’apportent aucune amélioration.
29
Chapitre II : Caractéristiques et simulations des Antennes Vivaldi Antipodales

Figure II.24: Comparaison entre les coefficients S11 de l’AVA conventionnelle, de l’AVA-
FE et de l’AVA-FE corrugated

Figure II.25: Comparaison entre les maximums de gains de l’AVA conventionnelle, de


l’AVA-FE et de l’AVA-FE corrugated
Dans le but d’avoir une plus faible fréquence de coupure nous étudierons dans la sous-section
suivante, l’influence des fentes rectangles-triangulaires (FRT) pour voir leur influence sur
l’AVA conventionnelle.

II.5.3 Conception et simulation de l’AVA avec fente rectangle-triangulaire (AVA-FRT)

Dans [11], Rajesh Natarajan et al. ont montré que l’ajout des fentes rectangles-triangulaires
permet de réduire la fréquence de coupure de l’AVA sans modifié ces dimensions.
Dans ce qui suit, nous allons étudier l’influence de ces fentes sur l’AVA en procédant de la
même manière que la sous-section précédente. La structure de cette antenne est représentée
sur la figure II.26.

30
Chapitre II : Caractéristiques et simulations des Antennes Vivaldi Antipodales

Figure II.26: Structure de l’AVA-FRT


En procédant de la même manière que précédemment, nous obtenons les différents paramètres
de la fente ( , , point du sommet du triangle (
et la position de l’ensemble( )).

Les figures II.27 et II.28 illustrent les comparaisons du S11 et du gain entre la structure de
l’AVA-FRT(en vert) et la structure de l’AVA conventionnelle (en rouge) pour une bande de
fréquences allant de 2 à 13 GHz. On remarque clairement une réduction de la fréquence de
coupure (figure II.27) et une très bonne amélioration du gain (figure II.28) sauf pour la bande
allant de 4.41 à 8.09 GHz où le gain de l’AVA conventionnelle est faiblement meilleur.

Figure II.27: Comparaison entre les coefficients S11 de l’AVA conventionnelle


et de l’AVA-FRT

31
Chapitre II : Caractéristiques et simulations des Antennes Vivaldi Antipodales

Figure II.28: Comparaison entre les maximums de gains de l’AVA conventionnelle


et de l’AVA-FRT
En répétant périodiquement les FRT de manière à couvrir entièrement les extrémités latérales
des deux faces métalliques, nous remarquons que le coefficient S11et le gain apportent un
intérêt juste pour des fréquences autour de 8 GHz, comme le montre les figures II.29 et II.30
(AVA conventionnelle (en rouge), AVA-FRT (en vert), et l’AVA-FRT corrugated (en bleu)),
pour une bande de fréquences allant de 2 à 13 GHz.

Figure II.29: Comparaison entre les coefficients S11 de l’AVA conventionnelle, de l’AVA-
FRT et de l’AVA-FRT corrugated

32
Chapitre II : Caractéristiques et simulations des Antennes Vivaldi Antipodales

Figure II.30: Comparaison entre les maximums de l’AVA conventionnelle, de l’AVA-FRT et


de l’AVA-FRT corrugated
II.5.4 Conception et simulation de l’AVA en fusionnant les fentes elliptiques aux fentes
rectangles-triangulaires (AVA-FERT)

Afin d’exploiter les avantages de l’AVA-FE et de l’AVA-FRT nous fusionnons les deux
fentes dans une seule structure appelée AVA-FERT. Les résultats indiqués sur les figures
II.31 et II.32 illustrent les comparaisons du S11 et du gain entre la structure de l’AVA-
FERT(en vert) et la structure de l’AVA conventionnelle (en rouge) pour une bande de
fréquences allant de 2 à 13 GHz. Ces résultats montrent clairement l’apport de la nouvelle
structure.

Figure II.31: Comparaison entre les coefficients S11 de l’AVA conventionnelle


et de l’AVA-FERT

33
Chapitre II : Caractéristiques et simulations des Antennes Vivaldi Antipodales

Figure II.32: Comparaison entre les maximums de gains de l’AVA conventionnelle et de


l’AVA-FERT
C’est cette dernière structure que nous allons utiliser pour le reste de ce chapitre.
Afin d’améliorer le gain de l’AVA-FERT et la qualité du diagramme de rayonnement nous
ajoutons un diélectrique de forme trapézoïde ou elliptique comme cité dans [21] [22] et
[23]au bout supérieur de l’AVA-FERT. Cet ajout est limité par les dimensions maximales de
l’antenne. Dans notre cas, la forme en trapèze donne de meilleurs résultats que ceux obtenus
par une ellipse.

Comme les dimensions de notre structure sont limités à , l’ajout du


diélectrique ne peut dépasser une longueur de 32 mm. Par contre les largeurs supérieure et
inférieure ont été optimisées afin d’avoir des meilleurs résultats.
La figure II.33 nous donne la structure optimisée de l’AVA-FERT avec diélectrique sous
forme d’un trapèze (AVA-FERTD).

Figure II.33: Vue en perspective de l’AVA-FERTD

34
Chapitre II : Caractéristiques et simulations des Antennes Vivaldi Antipodales

Les figures II.34 et II.35 illustrent les comparaisons du S11 et du gain entre la structure de
l’AVA-FERT(en bleu), la structure de l’AVA-FERTD (en vert) et la structure de l’AVA
conventionnelle (en rouge) pour une bande de fréquences allant de 2 à 13 Ghz. Nous
remarquons une nette amélioration des performances de l’antenne par l’ajout du diélectrique.

Figure II.34: Comparaison entre les coefficients S11 de l’AVA conventionnelle,


de l’AVA-FERT et de l’AVA-FERTD

Figure II.35: Comparaison entre les maximums de gains de l’AVA conventionnelle,


de l’AVA-FERT et de l’AVA-FERTD
II.6 Conclusion
Dans ce chapitre, nous avons étudié les caractéristiques des AVAs et effectué des simulations
de l’AVA conventionnelle à ouverture elliptique. Pour améliorer les caractéristiques de
rayonnement de cette dernière nous avons apporté quelques modifications aux niveaux des
plans métalliques supérieur et inférieur ainsi que l’ajout d’un diélectrique. Comme
l’amélioration du gain de l’antenne est limitée par ses dimensions, nous allons migrer vers une
nouvelle technologie appelée SIW afin d’améliorer le gain sans toucher aux dimensions de
l’antenne. Le chapitre suivant sera consacré à l’étude détaillée de cette technologie.

35
Chapitre III : Conception et Analyse des guides d’ondes intégrés aux Substrats dans les Bandes S, C, X.

Chapitre III : Conception et Analyse des guides d’ondes intégrés aux Substrats
dans les Bandes S, C et X.
III.1 Introduction
Avec le développement des systèmes modernes de communication sans fil, la demande des
composants (filtres, antennes, coupleurs, diviseurs de puissance etc.) de taille réduite, à faibles
coût de fabrication, à simplicité d’intégration et de performances élevées sont sans cesse [24].

Certains points ont été résolu par des lignes micro-rubans et les guides d’ondes rectangulaires
mais ils n’ont pas pu résoudre le problème d’intégration ainsi que la réduction des pertes dans
les fréquences très élevées.
Afin de pallier à l’ensemble de ces problèmes Shigeki [25] a introduit en 1994 la notion de
guides d’ondes intégrées au substrat (GIS) (en anglais SIW: Substrate Integrated Waveguide).
Dans ce chapitre nous allons parler du principe de fonctionnement du SIW, la conception et
enfin la simulation de quelques SIW dans les bandes micro-ondes (Bandes S, C, X) afin de les
utiliser comme guide d’alimentation de l’AVA dans le chapitre IV.

III.2 Technologie SIW


Théoriquement une structure SIW est très similaire à celle d’un GOR en modes TEmn et
différentes en modes TMmn dû au fait que le SIW est constitué de deux plaques métalliques
horizontale séparées par un diélectrique comme dans le GOR et ces deux dernières sont
reliées entre eux par deux rangés de trous métalliques ou de l’air par contre dans le GOR ces
trous sont remplacés par deux autres plaques verticales formant ainsi le guide. [26]

Le mode transverse magnétique nécessite des courants surfaciques sur les deux plans
conducteurs horizontaux d'un guide d'onde rectangulaire, mais dans notre cas, à cause de
l'espace créé par les trous métalliques, ces courants horizontaux ont des difficultés à circuler
[26].

Le mode fondamental du SIW est le même que le GOR en modes TEmn qui est TE10. Sur la
figure III.1 nous représentons la structure d’un SIW.

Figure III.1: Structure d’un SIW [38]

36
Chapitre III : Conception et Analyse des guides d’ondes intégrés aux Substrats dans les Bandes S, C, X.

III.2.1Différentes types de structures d’un SIW

Tous les paramètres présents dans un GOR en TEmn sont présents aussi dans un SIW en
modes TEmn comme la fréquence de coupure, l’impédance TE, la vitesse de phase, la vitesse
de groupe etc. Tout comme le GOR, le SIW opère en monomode lorsque la fréquence
d’excitation est entre les fréquences des modes TE10 et TE20, ceci nous permet d’avoir les
meilleures performances du guide, car si la fréquence est inférieure à celle du mode TE10 elle
ne passera pas et si elle est supérieure à celle du mode TE20 différents modes se propageront
créant ainsi des distorsions et des dispersions de l’onde.

Pour la bande d'opération d'un SIW, on se limite à la bande de fréquence comprise entre f c10
et fc20 de cette façon nous garantissons les performances optimales du guide.
Différentes topologies ont été proposées pour améliorer la structure du SIW en termes de
taille et de bande passante; La structure SIW plié a été proposée dans [27], et consiste à
ajouter un troisième plan métallique entre les deux plans en haut et en bas et qui touche une
seule rangée des trous métalliques. Ceci permet une réduction significative de la taille
accompagnée par une augmentation des pertes, dans [28] ils ont introduit la notion du half-
mode SIW ce qui permet de réduire la taille du guide de sa moitié, ces structures sont
représentées respectivement dans figure III.2 (a et b).

(a) (b)
Figure III.2: Types de structures SIW

III.2.2Mécanismes des pertes

La réduction des pertes est la clé de la réussite de la technologie SIW, qui est une qualité
critique surtout pour la bande millimétrique. Trois mécanismes de pertes sont à prendre en
considération au moment du design d'un circuit à base de la structure SIW comme signalé
dans [30, 31et 32], ces derniers sont causés par les pertes par conduction, les pertes dans le
diélectrique et les pertes de rayonnement dues à la séparation entre les trous métalliques.
Le comportement des pertes dans le conducteur et dans le diélectrique dans une structure
SIW sont similaires à celui d'un GOR remplit par le diélectrique, donc nous pouvons utilisés
les équations classiques du GOR équivalent pour modéliser le SIW [29]. Ceci signifie que
les pertes de conduction seront réduites significativement avec l'augmentation de
l'épaisseur du substrat. Les pertes dans le "diélectrique" ne dépendent que de la matière

37
Chapitre III : Conception et Analyse des guides d’ondes intégrés aux Substrats dans les Bandes S, C, X.

utilisée et pas de la géométrie du guide d'ondes. Finalement les pertes par rayonnement sont
acceptables si le rapport (espacement/diamètre des trous) est inférieur à 2.5 [29 et 33]
mais en pratique, la valeur recommandée est 2 [29 et 34]. En effet, lorsque l'espacement s est
petit et le diamètre d est grand l'espacement entre les trous métalliques se réduit, et ainsi on se
rapproche des conditions d'un plan métallique continu d'où la minimisation des pertes par
rayonnent.

III.2.3Réalisation des composants passifs et actifs à base du SIW

À cause de la similitude entre le SIW et GOR, la plupart des composants planaires qui
s’appuient sur un guide d'ondes ont été réalisé avec la technologie SIW [29]. L’utilisation du
SIW permet une réduction de dimensions et de poids des composants en donnant des plus
faibles pertes et un facteur de qualité Q plus élevé par rapport à un GOR et de plus, il ne pose
aucun problème lié aux rayonnements et emballages.
Parmi les composants passifs, les filtres ont reçu une attention particulière ; dans la littérature,
nous trouvons une variété de topologie de filtre ; parmi lesquelles nous citons le filtre avec
trous métalliques inductifs opérant à 28 GHz [39] et le filtre avec des fenêtres fonctionnant à
60 GHz [40]. Par la suite, le filtre avec cavités circulaires [41] et rectangulaires [42] ont été
développés. Ils offrent une meilleure flexibilité de la structure et une plus haute sélectivité.
Ces différents filtres sont représentés respectivement dans la figure III.3 (a, b, c et d).

(a) (b)

(c) (d)
Figure III.3: Exemples de filtres passifs SIW

La conception des composants actifs à base du SIW a attiré moins d'attention comparée à
celle des composants passifs. Néanmoins, de nouvelles possibilités de conception vers
une intégration complète SoS (System-on-Substrate) sont ouvertes [38].
La conception des circuits actifs consiste à intégrer des dispositifs actifs dans des
circuits SIW passifs et les reliés en utilisant les avantages de la technologie tels que, les

38
Chapitre III : Conception et Analyse des guides d’ondes intégrés aux Substrats dans les Bandes S, C, X.

faibles pertes, l’isolation élevée et une taille compacte pour obtenir des bonnes performances
à faible coût [38].
Généralement l’une des faces conductrices du SIW est utilisée pour reporter la fonction
active, la connexion étant assurée par des lignes micro-ruban. Nous représentons dans la
figure III.4 quelques circuits actifs.[38]

(a) (b)

(c)
Figure III.4: Exemples de circuits actifs SIW; (a) Oscillateur [35], (b) Amplificateur [36],

(c) Transistor CMOS [37].

III.2.4 Réalisation des antennes à base du SIW

Au cours des dernières années, il y a eu un intérêt croissant pour les antennes basées sur les
technologies SIW. Plusieurs configurations ont été proposées, en commençant par les
antennes à fentes classiques. La première antenne SIW était basée sur un réseau d'antenne à
fentes quatre par quatre fonctionnant à 10 GHz [43]. Cette antenne est obtenue en gravant des
fentes longitudinales sur la surface métallique du guide d'ondes réalisée à base de la
technologie SIW. L'alimentation de ce réseau d'antenne est aussi basée sur des diviseurs de
puissance SIW. Une autre topologie pour concevoir une antenne leaky-wave, a été introduite
dans [44]. Cette antenne exploite une caractéristique fondamentale du SIW, à savoir, sa
propriété à produire un rayonnement quand l'espacement longitudinal entre les trous

39
Chapitre III : Conception et Analyse des guides d’ondes intégrés aux Substrats dans les Bandes S, C, X.

métalliques est suffisamment grand. Une autre antenne SIW leaky-wave, basée sur le mode
TE20, a été proposée dans [45] et elle a donné de meilleures performances, comparées à une
antenne leaky-wave conventionnelle.

Les antennes SIW à cavité résonante ont été développées et testées dans [46]. Elles consistent
en une cavité SIW alimentée par un guide d'ondes coplanaires. L'antenne entière avec son
système d'alimentation peut être facilement intégrée sur un seul substrat diélectrique.
Récemment, plusieurs chercheurs se sont intéressés à l'antenne cornet dite plan H en utilisant
la technologie SIW [47 et 48]. Cette antenne était combinée avec un diélectrique dans le
même substrat qui a permis une augmentation de gain et une diminution de largeur du lobe
principal dans les deux plans H et E. Cette topologie d'antenne a été utilisée pour former un
réseau d'antennes afin d'augmenter davantage le gain.

Dans [49], les auteurs ont proposés de connecter des circuits avec des fentes empilées à
l'ouverture de l'antenne SIW cornet plan H. Ces dernières permettent une amélioration pas
seulement de la directivité, mais aussi de la bande passante.

III.3 Paramètres de conception de la structure SIW


Un guide SIW est un guide d’onde dans lequel la propagation se fait longitudinalement par
réflexion totale sur les trous métalliques. Il est composé de deux grandes parties qui sont
l’alimentation par une transition micro-ruban/taper et le guide lui-même qui sert à la
propagation de l’onde.

Maintenant deux problèmes se posent, comment concevoir un guide SIW efficace avec moins
de pertes par rayonnement et comment concevoir son alimentation avec moins de pertes
d’insertions ?
Ces deux questions ont été répondues dans [50] avec détails. Voir le résumé sur la figure III.5.

Figure III.5: Différentes paramètres du SIW


Sur la figure III.5 apparaissent l’ensemble des paramètres nécessaire pour la conception du
SIW. Ils sont définis comme suit :

40
Chapitre III : Conception et Analyse des guides d’ondes intégrés aux Substrats dans les Bandes S, C, X.

 Comme cité en chapitre I, pour concevoir un guide il faut définir en premier lieu sa
fréquence de coupure pour déterminer les dimensions du guide.

On définit ainsi la fréquence de coupure du mode fondamental du GOR équivalent.

 on détermine la largeur du GOR équivalent comme suit :

[III.1]

 On définit les paramètres du SIW à travers la largeur ( ) du GOR équivalent dû à la


similarité entre ces deux guides d’ondes.
Dans [50] nous trouvons l’ensemble des formules définissant les paramètres du SIW en
fonction de la largeur .

- Diamètre des trous :

[III.2]
- Espace entre deux trous adjacents centre à centre sur un même rangé de trous :

[III.3]
- Largeur entre deux trous centre à centre de rangé différent :

[III.4]

- Largeur totale du SIW :

[III.5]
- Longueur totale du SIW sans Alimentation :

[III.6]
- Longueur et Largeur du Taper :

[III.7]

[III.8]

- Longueur et Largeur du micro-ruban :

[III.9]
La largeur du micro-ruban est calculée de la même manière qu’au chapitre II.

III.4 Simulation du SIW dans les Bandes S, C, X


Dans cette section, nous allons effectuer quelques simulations du guide SIW en utilisant le
logiciel de programmation MatLab pour le calcul des différents paramètres et le simulateur
CST afin d’apprécier les coefficients de réflexion S11 et de transmission S21 du guide.

41
Chapitre III : Conception et Analyse des guides d’ondes intégrés aux Substrats dans les Bandes S, C, X.

Les mêmes paramètres prédéfinis du substrat et du conducteur cités en chapitre II sont


utilisés.
Pour la simulation des guides d’ondes seuls les coefficients de réflexion et de transmission
nous intéresseront. Puisque les deux côtés de chaque guide seront alimentés identiquement
alors nous ne considérons que les coefficients S11 et S21 du port 1.

III.4.1 Simulation du SIW dans la bande S

III.4.1.1 SIW dans la bande S avant adaptation

Après avoir exécuté le code matlab de l’annexe 3 et le programme d’optimisation de Wp avec


la valeur du nombre de trous égale à 10 et la fréquence de coupure , nous
trouvons les valeurs des paramètres du SIW dans la bande S comme indiquées dans le tableau
III.1.

Paramètres

Valeurs(mm) 38.1 41.9 71 17.2 37.4 2.84 18.7 3.7 7.4

Tableau III.1: Valeurs des paramètres du guide SIW dans Bande S sans adaptation

La figure III.6 illustre le guide SIW obtenu.

Figure III.6: Design du SIW sous CST

Figure III.7: Coefficients de réflexions S11 et de transmission S21

La figure III.7 illustre le S11 et le S21 du guide SIW obtenu pour une fréquence allant de 1 à 5
GHz. Nous remarquons que le guide est bien adapté à partir de 2.12 GHz avec un S21

42
Chapitre III : Conception et Analyse des guides d’ondes intégrés aux Substrats dans les Bandes S, C, X.

minimale de -4.42 dB dans toute la bande S. Plus on augmente en fréquence dans la bande S
et plus le coefficient de transmission sera meilleur jusqu’à ce qu’on sort de cette bande, une
fois hors de la bande le coefficient S21 commence à diminuer jusqu’à ce que le signal ne sera
plus traitable pour une certaine fréquence élevée dû à l’apparition de plusieurs modes qui
provoquent des distorsions) comme le montre la figure III.8.

Figure III.8: L’affaiblissement du Coefficient S21 lorsqu’on monte en fréquence


Dans le paragraphe suivant on va voir l’influence des différents paramètres du SIW ainsi que
ceux de l’alimentation sur les coefficients S11 et S21.
III.4.1.2 Etude de l’influence de chaque paramètre sur les coefficients S11 et S21
a- Paramètre W
En faisant variée W entre 34 et 42 mm (figure III.9) nous remarquons que plus W diminue
plus la fréquence de coupure augmente et plus W augmente plus la fréquence de coupure
diminue. Le meilleur résultat est obtenu pour .

Figure III.9 : Coefficients S11 et S21 pour différentes valeurs de


b- Paramètre Wsiw
En faisant varier Wsiw entre 38 et 46 mm (figure III.10), nous ne remarquons pas de grande
influence sur les coefficients S11 et S21.

43
Chapitre III : Conception et Analyse des guides d’ondes intégrés aux Substrats dans les Bandes S, C, X.

Figure III.10: Coefficients S11 et S21 pour différentes valeurs de Wsiw


c- Paramètre Lsiw
La longueur Lsiw dépend du nombre de trous, le diamètre d et la distance centre à centre entre
deux trous du même rangé s comme définit précédemment.
d- Paramètre Wtaper
En faisant varier Wtaper entre 9 et 20 mm, nous remarquons que la diminution de Wtaper par
rapport à sa valeur calculée améliore le coefficient S11 dans toute la bande S jusqu’à une
certaine valeur à laquelle le coefficient S11 commence à augmenter. La même augmentation
du coefficient S11 se reproduit lorsque nous augmentons Wtaper par rapport à sa valeur
calculée comme le montre la figure III.11. Le meilleur résultat est obtenu pour
.

Figure III.11: Coefficients S11 et S21 pour différentes valeurs de Wtaper


e- Paramètre Ltaper
En faisant varier Ltaper entre 30 et 44 mm, nous remarquons que plus Ltaper est faible, plus
les fréquences aux alentours de 2GHz sont désadaptées. Par contre, si Ltaper augmente
l’adaptation est meilleure dans toute la bande jusqu’à Ltaper = 38 mm une fois que nous
l’augmentons plus que cette valeur, certaines fréquences tendent vers la désadaptation comme
le montre la figure III.12.
Pour des raisons d’optimisation avec Lp nous prenons Ltaper= 40mm.

44
Chapitre III : Conception et Analyse des guides d’ondes intégrés aux Substrats dans les Bandes S, C, X.

Figure III.12: Coefficients S11 et S21 pour différentes valeurs de Ltaper


f- Paramètre Lp
En faisant varier Lp entre 4 et 24 mm, on remarque que l’influence de Lp est négligeable sur
les coefficients S11 et S21 comme le montre la figure III.13. Ceci nous permet de réduire la
taille de la structure complète de 2 x 14.7 mm en raison de la présence de Lp dans les deux
bouts du guide SIW.

Figure III.13: Coefficients S11 et S21 pour différentes valeurs de LP


g- Paramètre Wp
En faisant varier Wp entre 1 et 4 mm, on remarque que l’augmentation de Wp améliore le
coefficient S11 et diminue l’impédance caractéristique de la ligne micro-ruban comme le
montre les figures III.14 et III.15. Elle n’a aucune influence sur le coefficient S21.
L’impédance caractéristique de la ligne qui est plus proche de 50Ω est obtenu pour
Wp=2.81mm.

45
Chapitre III : Conception et Analyse des guides d’ondes intégrés aux Substrats dans les Bandes S, C, X.

Figure III.14 : Impédance caractéristique de la ligne micro-ruban


pour différentes valeurs de Wp.

Figure III.15 : Coefficients S11 et S21 pour différentes valeurs de Wp.

La largeur Wp doit rester constante afin d’éviter une réflexion entre la source d’alimentation
d’impédance 50 Ω et la ligne micro-ruban.
h- Paramètre d
En faisant varier la valeur du diamètre des trous de 0.5 à 4.5 mm tout en gardant ,
nous remarquons que plus est faible par rapport à sa valeur maximale définie par l’équation
[III.2] de la section (III.3) plus la fréquence à laquelle nous obtenons S11 inférieur à -10 dB
est un peu décalée vers les fréquences élevées. De plus le blocage n’est plus très nette à 2
GHz. Le coefficient S11 est meilleur dans tout le reste de la bande S. Par contre lorsque nous
augmentons par rapport à sa valeur maximale, certaines fréquences entre 2 et 3 GHz tendent
vers la désadaptation comme le montre la figure III.16. Le coefficient de transmission S21est
inférieur à -2 dB dans toute la bande S. Le meilleur résultat est obtenu pour .

46
Chapitre III : Conception et Analyse des guides d’ondes intégrés aux Substrats dans les Bandes S, C, X.

Figure III.16 : Coefficients S11 et S21 pour différentes valeurs de d

i- Paramètre s
En faisant varier le coefficient multiplicateur du paramètre s ( ) de 0.5 à 3, nous
remarquons que plus le coefficient diminue plus le coefficient de transmission S21 est
meilleur (tend vers 0 dB) et plus la fréquence à laquelle le coefficient S11<-10dB tend vers les
plus grandes fréquences dans la bande S. Par contre, plus le coefficient augmente plus le
coefficient S21devient mauvais et plus la fréquence à laquelle le coefficient S11 est inférieur à
-10dB est proche de la fréquence de coupure comme le montre la figure III.17. Le meilleur
résultat est obtenu pour .

Figure III.17 : Coefficients S11 et S21 pour différentes valeurs de s

j- Paramètre Nombre_Trous
En faisant varier le nombre de trous métalliques dans l’intervalle 3 à 21, nous remarquons que
plus le nombre de trous augmente plus le coefficient S21 est mauvais dans toute la bande S dû
aux pertes dans le diélectrique, car plus le diélectrique est long plus les pertes augmente. Par
contre plus le nombre de trous métalliques augmente plus la fréquence à laquelle le
coefficient S11 est inférieur à -10dB diminue jusqu’à une certaine valeur (nombre de trous
égal à 11) à partir de laquelle elle commence à augmenter. Pour un nombre de trous égal à 19,
la valeur du coefficient S11 recommence à diminuer, comme le montre la figure III.18. Le
meilleur résultat est obtenu pour un nombre de trous égal à 10.

47
Chapitre III : Conception et Analyse des guides d’ondes intégrés aux Substrats dans les Bandes S, C, X.

Figure III.18 : Coefficients S11 et S21 pour différentes valeurs du

Ce problème de décalage de la fréquence à laquelle le coefficient S11 est inférieur à -10dB


peut être résolu en modifiant la valeur de W.
III.4.1.3 Le guide SIW optimisé dans la bande S

Après avoir optimisé tous les paramètres de la structure à part, nous allons fusionner les
valeurs optimales de chaque paramètres afin d’avoir la structure du guide optimiser. Les
résultats de ce guide optimisé sont présentés sur la figure III.19. Nous obtenons un S21
supérieur à -2.164 dB à partir de 2.16GHZ jusqu’à 4.064 GHz et un coefficient S11 inférieur à
-10dB à partir de 2.16GHz jusqu’à 4.12GHz. De plus la longueur du guide est réduite de 36%
par rapport à celle donnée par les calculs.

Figure III.19 : Coefficients S11 et S21 du guide SIW optimisé dans la bande S

III.4.2 Simulation du SIW dans la bande C

III.4.2.1 SIW dans la bande C avant adaptation

Après avoir exécuté le programme de l’annexe 3 et le programme d’optimisation de Wp avec


les valeurs du nombre de trous égale à 10 et la fréquence de coupure , nous
trouvons les valeurs des paramètres du SIW dans la bande C comme indiqué dans le tableau
III.2.
Sur la figure III.20 nous représentons les coefficients S11 et S21du SIW obtenus à la suite de la
simulation du SIW avec les valeurs du tableau précédent.

48
Chapitre III : Conception et Analyse des guides d’ondes intégrés aux Substrats dans les Bandes S, C, X.

Paramètres

Valeurs(mm) 19.1 21 36.1 8.6 19 2.84 9.5 1.9 3.8

Tableau III.2 : Valeur des différents paramètres du SIW dans la Bande C calculées à partir
des formules

Figure III.20 : Coefficients S11 et S21 du guide SIW dans la Bande C sans adaptation
D’après cette figure le guide est bien adapté à partir de 4.27 GHz avec un S21 minimale égal à
-4.77 dB dans toute la bande C. Plus nous augmentons en fréquence dans la bande C plus le
coefficient de transmission sera meilleur jusqu’à ce qu’on sort de cette bande. Une fois hors
de la bande, le coefficient S21 commence à diminuer jusqu’à ce que le signal ne soit plus
traitable pour une certaine distance dû à l’apparition de plusieurs modes qui provoquent des
distorsions et des dispersions de l’onde.
Dans cette bande, on trouve une très bonne adaptation directement à partir des valeurs
calculées surtout à partir de 5.12 GHz, on trouve un S11inférieur à -19 dB.
III.4.2.2 SIW dans la bande C après optimisation

Afin d’optimiser le guide dans la bande C, nous allons effectuer une optimisation des
différents paramètres de la structure comme nous l’avons fait pour la bande S.
Dans le tableau III.3, nous indiquons la valeur optimale obtenue pour chaque paramètre et sur
la figure III.21, nous représentons les résultats optimisés du SIW dans la bande C.

Paramètres

Valeurs (mm) 20 21 14.5 7.5 20 2.81 2 1 1.5

Tableau III.3 : Valeur optimisée des différents paramètres du SIW dans la Bande C

49
Chapitre III : Conception et Analyse des guides d’ondes intégrés aux Substrats dans les Bandes S, C, X.

Figure III.21: Coefficients S11 et S21 du SIW optimisé dans la bande C

III.4.3 Simulation du SIW dans la bande X

III.4.3.1 SIW dans la bande X avant adaptation

En exécutant le code matlab de l’annexe 3 et le programme d’optimisation de Wp avec la


valeur du nombre de trous égale à 10 et de la fréquence de coupure , on trouve
les valeurs des paramètres du SIW dans la bande X comme indiquées dans le tableau III.4.

Paramètres

Valeurs(mm) 9.5 10.4 17.1 4.3 9 2.84 4.5 0.9 1.8

Tableau III.4: Valeur des différents paramètres du SIW dans la Bande X calculées à partir
des formules

Sur la figure III.22, nous représentons les coefficients S11 et S21du SIW obtenus à la suite de la
simulation du SIW pour les valeurs du tableau III.4 précédent.

Figure III.22 : Coefficients S11 et S21 du guide SIW dans la Bande X sans adaptation
D’après la figure III.22, nous remarquons que la fréquence d’adaptation du guide est un peu
plus éloignée de celle de la coupure. A partir de 9.83GHz nous avons une bonne adaptation
dans toute la bande X avec les coefficients S11 inférieur -10 dB et S21 supérieur à -2.338 dB.

50
Chapitre III : Conception et Analyse des guides d’ondes intégrés aux Substrats dans les Bandes S, C, X.

III.4.3.2 SIW dans la bande X après optimisation

Afin d’optimiser le guide dans la bande X, nous allons effectuer une optimisation des
différents paramètres de la structure.
Dans le tableau III.5, nous indiquons la valeur optimale obtenue pour chaque paramètre. La
figure III.23 illustre les résultats du guide SIW optimisé pour la bande X.

Paramètres

Valeurs (mm) 10 11.1 8.7 4 10 2.81 2 0.6 0.9

Tableau III.5: Valeur optimisée des différents paramètres du SIW dans la Bande X

Figure III.23: Coefficients S11 et S21du SIW optimisé dans la bande X

III.5 Conclusion
Dans ce chapitre, nous avons étudié les caractéristiques du SIW, leur utilisation pour la
réalisation des circuits et des antennes et effectué quelques simulations dans les bandes micro-
ondes S, C et X afin de les utiliser pour la réalisation d’une nouvelle structure d’antenne.

51
Chapitre IV : Simulations de l’AVA avec la technologie SIW

Chapitre IV : Simulations de l’AVA-FERTD avec la technologie SIW


IV.1 Introduction
Durant ces trois dernières décennies, les antennes TSA ont pris l’attention de plusieurs
chercheurs dû à leurs ultra large bande passante et leurs gain élevé. Avec ces deux
caractéristiques, ces antennes s’adaptent facilement au développement de la technologie et de
la communication dû à la demande du haut débit de données (ordre du Giga bits/s). Sauf que,
les autres lignes de transmission (câble coaxial, micro-ruban et guides d’onde métalliques)
présentent beaucoup de pertes dans les fréquences très élevées. Pour cela les chercheurs
voulant garder les performances de la TSA ont amenés une nouvelle technique d’alimentation
de la TSA en utilisant le SIW comme guide d’alimentation comme le montre les articles [51]
à [58] à cause de ces performances comme : les très faibles pertes, conception peu coûteuse ,
poids légers...

L’objectif de ce chapitre est d’améliorer la dernière structure de l’AVA-FERTD déjà


optimisée dans le chapitre II en utilisant la technologie SIW sans modifier les dimensions de
l’antenne.

IV.2 L’utilisation du SIW comme guide d’alimentation de l’AVA- FERTD


Dans cette partie, nous allons utiliser l’AVA-FERTD déjà optimisée dans le chapitre II et les
SIWs travaillant dans les bandes S, C et X déjà optimisés dans le chapitre III comme source
d’alimentation afin de voir l’influence de chaque SIW sur les performances de l’AVA-
FERTD.

Les distorsions apparaissent lorsqu’un guide d’onde travaille en dehors de sa bande


monomode, donnée par [ - ].Cette distorsion provoque une dégradation qui
s’accentue plus lorsque la fréquence d’alimentation s’éloigne de la fréquence supérieure de la
bande ( ).De ce fait, la bande passante donnant des meilleurs gains pour l’AVA-
FERTD est limitée par la bande monomode du SIW d’alimentation. Les simulations de
l’AVA-FERTD avec une alimentation SIW dans les bandes S, C et X l’illustrent ce qui vient
d’être avancé.

IV.2.1 AVA-FERTD avec alimentation SIW dans la bande S

La figure IV.1illustre le design de l’AVA-FERTD avec alimentation SIW dans la bande S.


Cette même figure sera reproduite pour les autres bandes mais en changeant les dimensions
du SIW en fonction de la bande.
Les figures IV.2 et IV.3 illustrent respectivement la variation du S11et du gain en fonction de
la fréquence. Le SIW est utilisé dans la bande S comme guide d’alimentation de l’AVA-
FERTD.

52
Chapitre IV : Simulations de l’AVA avec la technologie SIW

Figure IV.1 : Design AVA-FERTD avec alimentation SIW dans la bande S

Figure IV.2 : Coefficient S11 de l’AVA-FERTD avec alimentation SIW dans la bande S

Figure IV. 3: Maximum de gain de l’AVA-FERTD avec alimentation SIW dans la bande S
Nous remarquons que l’alimentation de l’AVA-FERTD par le SIW dans la bande S n’est pas
une bonne solution pour nous due à sa bande passante limitée entre [2 - 4] GHz. en utilisant le
SIW dans une autre bande que la bande S nos objectifs ne seront pas atteints car la fréquence

53
Chapitre IV : Simulations de l’AVA avec la technologie SIW

de coupure se trouve uniquement dans cette bande. Nous remarquons aussi que la structure
totale donne un gain évolutif dans toute la bande S. En dehors de cette bande et à partir de 5
GHz le gain commence à se détériorer dû aux problèmes de distorsions causés par la bande
monomode du SIW.

IV.2.2 AVA-FERTD avec alimentation SIW dans la bande C

En utilisant le SIW dans la bande C comme guide d’alimentation de l’AVA-FERTD nous


obtenons les résultats donnés en figures IV.4 et IV.

Figure IV.4 : Coefficient S11 de l’AVA-FERTD avec alimentation SIW dans la bande C

Figure IV.5 : Maximum de gain de l’AVA-FERTD avec alimentation SIW dans la bande C
A partir des figures ci-dessus, nous remarquons que les fréquences inférieures à la fréquence
de coupure du SIW pour la bande S (4.6 GHz), sont désadaptées. Au-delà de la fréquence de
coupure l’antenne est très bien adaptée. Nous remarquons également une évolution du gain
dans toute la bande monomode du SIW utilisé (4 à 8 GHz).A partir de 9 GHz, le gain
commence à se détériorer. Cette détérioration à deux raisons :
- la première est due à la bande monomode du SIW utilisé

- la deuxième est due à l’absorption du substrat utilisé.

54
Chapitre IV : Simulations de l’AVA avec la technologie SIW

IV.2.3 AVA-FERTD avec alimentation SIW dans la bande X

En utilisant le SIW dans la bande X comme guide d’alimentation de l’AVA nous obtenons les
résultats sur les figures IV.6 et IV.7.

Figure IV.6 : Coefficient S11 de l’AVA-FERTD avec alimentation SIW dans la bande X

Figure IV.7 : Maximum de gain de l’AVA-FFERTD avec alimentation SIW dans la bande X

Les figures IV.6 et IV.7 illustrent que pour les fréquences inférieures à 8.2 GHz (fréquence de
coupure obtenue après optimisation du SIW dans la bande X), le S11 est supérieur à -10 dB
(désadaptation de l’antenne). Pour les fréquences supérieures à 8.2 GHz l’antenne est très bien
adaptée. Nous remarquons que le gain est très important dans toute la bande X.A partir de 9
GHz, le gain diminue à cause de l’absorption du substrat utilisé, et plus précisément
l’épaisseur h du diélectrique.
Vue l’incapacité du SIW utilisé comme source d’alimentation à nous fournir une bonne
adaptation et des meilleurs gains dans toute la bande 2.7-13 GHz, nous nous trouvons
confronter à un problème qui est comment fusionner la technologie SIW et l’AVA-FERTD
afin d’avoir des meilleures performances par rapport à l’AVA-FERTD ?
La solution à ce problème fera l’objet de la section suivante.

55
Chapitre IV : Simulations de l’AVA avec la technologie SIW

IV.3 Intégration directe du SIW dans la partie rayonnante de l’AVA-FERTD


Dans cette section nous développerons une nouvelle technique de conception d’AVA avec la
technologie SIW qui consiste à intégrer des trous métalliques dans les parties rayonnantes de
l’AVA-FERTD suivant les courbures des ouvertures elliptiques inférieure et supérieure. Dans
une première partie, nous étudierons l’influence des trous métalliques intégrés aux ouvertures
elliptiques inférieures une fois optimisé, nous ferons la même chose pour les ouvertures
elliptiques supérieures et enfin nous les fusionnons afin d’avoir des résultats optimisés.

IV.3.1 Intégration directe du SIW dans les ouvertures elliptiques inférieures de l’AVA-
FERTD

Dans cette partie, nous allons étudier et optimiser l’AVA-FERTD avec des trous métalliques
aux niveaux des ouvertures elliptiques inférieures. Cet ajout de trous métalliques est fait de
manière à couvrir toutes les ouvertures elliptiques inférieures du bas vers le haut comme
indiqués sur la figure IV.8.

Figure IV.8 : Structure AVA-FERTD avec SIW aux niveaux des ouvertures elliptiques
inférieures

En diminuant le nombre de trous du bas vers le haut 2 à 2 jusqu’à 6, nous remarquons qu’il y
a une amélioration de gain sans qu’il n’y ait une grande influence sur le coefficient S11. En
supprimant plus que 6 trous, le coefficient S11 s’adapte brusquement (cette brusque adaptation
est due au fait que la puissance ne pouvait pas s’insérer à l’intérieur de la structure à cause des
trous métalliques qui la bloquée) et le gain continue toujours à s’améliorer jusqu’atteindre un
maximum pour un nombre de trou supprimé égal à 10. Pour une suppression de trou supérieur
à 10, les deux paramètres sont peu affectés comme indiqués sur les figures IV.9 et IV.10.

56
Chapitre IV : Simulations de l’AVA avec la technologie SIW

Figure IV.9: Coefficient S11 de l’AVA-FERTD avec SIW aux niveaux des ouvertures
elliptiques inférieures en fonction du nombre de trou.

Figure IV.10 : Maximum de gain de l’AVA-FERTD avec SIW aux niveaux des ouvertures
elliptiques inférieures en fonction du nombre de trous.

A partir de la structure précédemment adaptée par la diminution du nombre de trou du bas


vers le haut nous effectuons une diminution du nombre de trou du haut vers le bas pour voir
son influence sur le coefficient S11 et sur le gain de l’antenne.
En diminuant le nombre de trous du haut vers le bas nous remarquons qu’après une
diminution de deux trous le gain se détériore et continue à se détériorer si nous continuons à
diminuer.

Après avoir optimisé la position des trous en bas et en haut, nous les faisons décalés vers le
haut dans le plan (x,y) en allant de -0.5 à -2 mm avec un pas 0.5.Nous remarquons que les
meilleurs résultats sont obtenus pour la position -0.5 qui est la position initiale.
Les comparaisons entre l’optimisation de cette dernière et l’AVA-FERTD sont représentées
sur les figures IV.11 et IV.12. Nous remarquons que les coefficients S11 sont les mêmes mais
en ce qui concerne le gain, il y a eu une amélioration maximale de 0.35 dB obtenue à 12 GHz.

57
Chapitre IV : Simulations de l’AVA avec la technologie SIW

Figure IV.11: Comparaison entre les coefficients S11 de l’AVA-FERTD et de l’AVA-FERTD


avec SIW aux niveaux des ouvertures elliptiques inférieures

Figure IV.12 : Comparaison entre les maximums de gains de l’AVA-FERTD et de l’AVA-


FERTD avec SIW aux niveaux des ouvertures elliptiques inférieures

IV.3.2 Intégration directe du SIW dans les ouvertures elliptiques supérieures


de l’AVA-FFERT
Dans cette partie, nous allons étudier et optimiser l’AVA-FFERT avec des trous métalliques
aux niveaux des ouvertures elliptiques supérieures. Cet ajout de trous métalliques est fait de
manière à couvrir toutes les ouvertures elliptiques supérieures du haut vers le bas jusqu’à ce
que les derniers trous des deux côtés se touchent comme indiqués sur la figure IV.13.

58
Chapitre IV : Simulations de l’AVA avec la technologie SIW

Figure IV.13: AVA-FERTD avec SIW aux niveaux des ouvertures elliptiques supérieures

En faisant varier la variable de position des trous métalliques à partir des bords des deux faces
métalliques vers l’intérieur en allant de 0 à 4 mm avec un pas 1 mm, nous remarquons que les
meilleurs résultats sont obtenus pour la valeur de 2 mm, comme le montre les figures IV.14 et
IV.15.

Figure IV.14 : Coefficients S11 pour différentes positions des trous métalliques de l’AVA-
FERTD avec SIW aux niveaux des ouvertures elliptiques supérieures

Figure IV.15: Maximums de gain pour différentes positions des trous métalliques de l’AVA-
FERTD avec SIW aux niveaux des ouvertures elliptiques supérieures

59
Chapitre IV : Simulations de l’AVA avec la technologie SIW

Après avoir effectué une optimisation de la position des trous métalliques, nous allons le faire
suivre d’une optimisation du nombre de trous en le faisant varier vers le bas et vers le haut En
diminuant le nombre de trous de deux trous vers le bas le gain une faible amélioration
apparaîtra. Si nous continuons à le diminuer de (4, 6, 8 trous), le gain se détériore plus. Nous
pouvons diminuer le nombre de trou jusqu’à 12, tout en préservant la qualité du gain.
Cependant, le S11 se détériore fortement en diminuant le nombre de trou. En diminuant le
nombre de trou à partir du haut, nous remarquons qu’en supprimant un seul trou, le gain
commence à se détériorer vers les plus grandes fréquences de la bande.
Sur les figures IV.16 et IV.17, nous représentons une comparaison entre les résultats
optimisés de l’AVA-FERTD avec SIW aux niveaux des ouvertures elliptiques inférieures, de
l’AVA-FERTD avec SIW aux niveaux des ouvertures elliptiques supérieures et de l’AVA-
FERTD correspondant respectivement aux courbes en vert, en bleu et en rouge.

Figure IV.16: Comparaison entre les coefficients S11 des deux dispositions cités jusqu’ici et
de l’AVA-FERTD

Figure IV.17 : Comparaison entre les maximums de gain des deux dispositions cités jusqu’ici
et de l’AVA-FERTD

60
Chapitre IV : Simulations de l’AVA avec la technologie SIW

IV.3.3 Fusion des deux techniques précédemment citées

Afin d’exploiter l’avantage des deux dispositions nous les fusionnons. Cette fusion donnera la
structure finale de ce mémoire, représentée en figure IV18.

Figure IV.18 : Design de la structure finale

Les figures IV.19 et IV.20 illustrent les comparaisons du S11 et du gain entre la structure de
l’AVA-FERTD (en rouge) et la structure finale (en bleu) pour une bande de fréquences allant
de 2 à 14 Ghz. Les deux figures montrent clairement l’apport en gain et en adaptation des de
la nouvelle structure.

Figure IV.19 : Comparaison entre les Coefficients S11 de la structure finale et de l’AVA-
FERTD

61
Chapitre IV : Simulations de l’AVA avec la technologie SIW

Figure IV.20 : Comparaison entre les maximums de gain de la structure finale et de l’AVA-
FERTD
A partir de la figure IV.20, nous remarquons que les trous métalliques ont apporté une
amélioration maximale de 1.03 dB en matière de gain.
Les figurent IV.21 et IV.22 illustrent le diagramme de rayonnement en 3D et en 2D pour la
fréquence de 9 GHz. nous remarquons que l’antenne est bien directive.

Figure IV.21: Diagramme de rayonnement en 3D pour la fréquence de 9 GHz


Sur la figure IV.22, les courbes en vert et en rouge correspondent respectivement au
diagramme de rayonnement dans les plans E et H en coordonnées polaires.

62
Chapitre IV : Simulations de l’AVA avec la technologie SIW

Figure IV.22 : Diagramme de rayonnement en 2D la fréquence de 9 GHz

IV.4 Conclusion
Dans ce chapitre, nous avons étudié la fusion de l’AVA-FERTD et de la technologie SIW.
Nous avons vu que l’utilisation du SIW comme guide d’alimentation de l’antenne limite la
bande passante de cette dernière et donne un gain plus faible que le gain de l’antenne simple.
Ainsi, l’utilisation du SIW comme alimentation dans la bande ULB n’améliore pas les
performances de l’antenne. Une nouvelle disposition des trous métalliques, dans le but d’avoir
des meilleures performances par rapport à l’AVA-FERTD a été proposée. Cette dernière nous
a permis d’avoir une amélioration maximale de gain de 1.03 dB.

63
Conclusion Générale

CONCLUSION GENERALE
Dans ce Projet de Fin d’Etude, nous avons présenté une nouvelle technique de conception des
antennes vilvadi antipodales à base de la technologie SIW fonctionnant dans la bande 2.7-14
GHz à polarisation rectiligne pour les applications micro-ondes dans les bandes S, C et X.
En introduisant des fentes à l’AVA conventionnelle une diminution de la fréquence de
coupure de 0.3 GHz et une augmentation de gain de 1.6 dB aux niveaux des fréquences
voisines de la fréquence de coupure sont atteintes.

L’ajout d’un diélectrique de 32 mm de long à l’extrémité de l’antenne (sans changer les


dimensions de l’antenne) a apporté pour les fréquences supérieures à 6 GHz une amélioration
maximale de gain de 2.244 dB.
Pour améliorer les performances sans augmenter les dimensions de l’antenne, nous avons
introduit symétriquement des trous métalliques à l’intérieure de la structure en suivant les
courbures des deux ouvertures elliptiques inférieures et supérieures. Cette technique nous a
permis d’avoir une amélioration maximale de 1.03 dB de gain.

Nous avons obtenu une antenne de dimensions fonctionnant dans les


bandes S, C et X avec un gain minimum de 5.77 dB à 2.7 GHz et maximum de 10.87 dB à 9
GHz et un coefficient de réflexion S11 inférieur à -13 dB dans toute la bande à partir de 2.85
GHz
Comme perspectives

Dans l’avenir, nous pouvons :


- songer à la miniaturisation de cette dernière sans perdre en performance,

- trouver une autre façon de disposer les trous métalliques afin d’améliorer plus les
performances de l’antenne.
- Appliquer cette nouvelle technique sur les BAVAs.

64
Annexes

ANNEXES
Annexe 1 : Calcul de la largeur de la ligne d’alimentation 50 Ω

clear all
clc
Er=input('Introduisez la permitivite relative Er du substrat : ');
h=input('Introduisez lepaisseur h du substrat : ');
t=input('Introduisez lepaisseur t de la ligne micro_ruban : ');
fc10=input('Introduisez la frequence de coupure du mode fondamental fc10 : ');
Z0=input('Introduisez limpedance de la source dalimentation : ');
display('la largeur de la ligne micro_ruban qui est directement relier a la source');
A=(Z0/60)*sqrt((Er+1)/2)+((Er-1)/(Er+1))*(0.23+0.11/Er);
B=(60*pi^2)/(Z0*sqrt(Er));
if(A>1.52)
Wp=(8*h*exp(A))/(exp(2*A)-2)
else
Wp=(h*2/pi)*(B-1-log(2*B-1)+((Er+1)/(2*Er))*(log(B-1)+0.39-(0.61/Er)))
end

65
Annexes

Annexe 2 : Calcul des paramètres de l’antenne vivaldi antipodale à ouverture


elliptique.
clear all
clc
Er=input('Introduire la permitivite relative du dielectrique : ');
h=input('Introduire lepaisseur h du dielectrique : ');
t=input('Introduire lepaisseur t des conducteurs : ');
fc=input('Introduire la frequence de coupure de lantenne: ');
c=3e+8;
% calcul de la longueur d'onde
Longueur_dOnde= c/(fc*sqrt(Er));
display(' La largeur de lANTENNE EST : ');
Ws= 3*Longueur_dOnde/2
display(' La longueur de lANTENNE EST : ');
Ls=3*Longueur_dOnde/2
Wf=input('Introduire la largeur de la ligne 50 Ohms');
display('La longueur de la ligne dalimentation 50 Ohms est : ');
Lf=Longueur_dOnde/2
display('Les parametres de lellipse horizontale ');
Rhlarge= (Ws-Wf)/2
Rhsmall=0.48*Rhlarge
display('Les parametres de lellipse Verticale ');
Rvsmall= (Ws+Wf)/2
Rvlarge=1.67*Rvsmall

66
Annexes

Annexe 3 : Calcul des paramètres du SIW


clear all
clc
c=3e+8;
Er=input('Introduisez la permitivite relative Er du substrat : ');
h=input('Introduisez lepaisseur h du substrat : ');
t=input('Introduisez lepaisseur t de la ligne micro_ruban : ');
fc10=input('Introduisez la frequence de coupure du mode fondamental fc10 : ');
Nombre_Trous=input('Introduisez le Nombre de trous du SIW : ');
%%%%% Calcul de la largeur du guide d'onde rectangulaire équivalent au SIW%%%%%%
display('la largeur du guide donde rectangulaire equivalent au SIW');
Weq=c/(2*fc10*sqrt(Er))
Dmax=0.1033*Weq;
Pmax=2*Dmax;
display('Le diametre et la distance entre deux trous métalliques du SIW');
d=Dmax
p=Pmax
W=0.5*(Weq+sqrt((Weq+0.54*d)^2-0.4*d^2))+0.27*d
display('la largeur du SIW');
Wsiw=W+d
display('la longueur du SIW');
Lsiw=(Nombre_Trous-1)*p+d
Wtaper=(0.5)*(W-d)
Ltaper=10*d
Lp=5*d
Z0=input('Introduisez limpedance de la source dalimentation : ');
display('la largeur de la ligne micro_ruban qui est directement relier a la source');
A=(Z0/60)*sqrt((Er+1)/2)+((Er-1)/(Er+1))*(0.23+0.11/Er);
B=(60*pi^2)/(Z0*sqrt(Er));
if(A>1.52)
Wp=(8*h*exp(A))/(exp(2*A)-2)
else
Wp=(h*2/pi)*(B-1-log(2*B-1)+((Er+1)/(2*Er))*(log(B-1)+0.39-(0.61/Er)))
end

67
Annexes

Annexe 4 : Programme d’optimisation de la largeur de la ligne d’alimentation


50 Ω.
clear all
clc

Er=input('Introduisez la permitivite relative Er du substrat : ');


h=input('Introduisez lepaisseur h du substrat : ');
t=input('Introduisez lepaisseur t de la ligne micro_ruban : ');
fc10=input('Introduisez la frequence de coupure du mode fondamental fc10 : ');
Z0=input('Introduisez limpedance de la source dalimentation : ');
display('la largeur de la ligne micro_ruban qui est directement relier a la source');
A=(Z0/60)*sqrt((Er+1)/2)+((Er-1)/(Er+1))*(0.23+0.11/Er);
B=(60*pi^2)/(Z0*sqrt(Er));
if(A>1.52)
Wp=(8*h*exp(A))/(exp(2*A)-2)
else
Wp=(h*2/pi)*(B-1-log(2*B-1)+((Er+1)/(2*Er))*(log(B-1)+0.39-(0.61/Er)))
end
Epselon_effective=(Er+1)/2+(Er-1)/(2*sqrt(1+(10*h/Wp)))-((Er-1)*t)/(4.6*sqrt(h*Wp));
if((Wp/h)<=(1/(2*pi)))
dw=(1.25*t/pi)*(1+log(4*pi*Wp/t));
We=Wp+dw;
Zc=(60/sqrt(Epselon_effective))*log((8*h/We)+(We/(4*h)));
else
dw=(1.25*t/pi)*(1+log(2*h/t));
We=Wp+dw;
Zc=(120*pi)/(sqrt(Epselon_effective)*(We/h+1.393+0.667*log(We/h+1.444)));
end
while((Zc<49.9)|(Zc>50.1))
if(Zc<49.9)
Wp=Wp-0.01e-3;
else
Wp=Wp+0.01e-3;
end
Epselon_effective=(Er+1)/2+(Er-1)/(2*sqrt(1+(10*h/Wp)))-((Er-1)*t)/(4.6*sqrt(h*Wp));
if((Wp/h)<=(1/(2*pi)))
dw=(1.25*t/pi)*(1+log(4*pi*Wp/t));
We=Wp+dw;
Zc=(60/sqrt(Epselon_effective))*log((8*h/We)+(We/(4*h)));
else
dw=(1.25*t/pi)*(1+log(2*h/t));
We=Wp+dw;
Zc=(120*pi)/(sqrt(Epselon_effective)*(We/h+1.393+0.667*log(We/h+1.444)));
end
end

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