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Électronique analogique Pr.

Baba
API-2//AU//2020-2021 ENSAM

Objectifs :

! Maîtriser le fonctionnement des principaux composants d’électronique analogique ;


! Maîtriser la réalisation des principales fonctions des circuits analogiques ;
! Acquérir les techniques de lecture des schémas électroniques pour les diverses
applications électroniques.

Éléments objet du cours :

Les semis conducteurs ; La jonction PN ; Étude des diodes et leurs applications ; Étude des
transistors bipolaires (NPN, PNP) ; Étude des transistors t à effet de champs (J-FET &
MOSFET) ; Amplificateurs à base des transistors bipolaires (EC, BC, CC) ; Amplificateurs à
base de transistors à effet de champs ; Étude de l’amplificateur opérationnel et ses applications ;
Montages fondamentaux à AOP.

Ce cours est organisé comme suit :

Chapitre 1. Semi-conducteurs – jonction PN


Chapitre 2-3. Diodes et applications
Chapitre 4. Transistor bipolaire
Chapitre 5. Transistor à effet de champs
Chapitre 6. Amplificateur opérationnel

Bibliographies:

! Principes d'électronique - 8e éd., Alberto P. M., David J. B., Dunod, 2016


! Traitement des composants et des circuits, Pierre M., Abdelhamid C., Ellipses, 2013
! Introduction à l’électronique analogique, Tahar N., Eyrolles, 2008
! …
Chapitre 1
Semi-conducteurs – jonction PN

1. Les semi-conducteurs
1.1. Les conducteurs
L’argent, le cuivre est l’or sont de bons conducteurs. La raison est simple si on observe
leur structure atomique. Quand le cuivre est neutre 29 électrons gravitent autour du
noyau : 02 e- occupent la première orbite, 08 électrons la deuxième, 18 la troisième,
et 01 seul électron occupe la dernière orbite de valence.
Le noyau positif attire les électrons planétaires. Plus grande est l’orbite, plus faible
est l’attraction du noyau. L’attraction est très faible, l’électron de valence se déplace
lentement. Une force extérieure peut facilement arracher l’électron de valence :
appelé électron libre. Ceci explique pourquoi l’argent, le cuivre et l’or sont de bons
conducteurs, la moindre tension fait voyager l’électron d’un atome à une autre.

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Fig. 1. Atome du cuivre

1.2. Les semi-conducteurs


Les meilleurs conducteurs ont un électron de valence, tandis que les meilleurs isolants rn ont
huit. Un semi-conducteur est à mi-chemin entre les deux. Comme on peut le prévoir, les
meilleurs semi-conducteurs ont 04 électrons de valence. Trois principaux semi-conducteurs
sont utilisés en électronique : – le silicium (Si) est le matériau le plus utilisé actuellement – le
germanium (Ge) est maintenant délaissé (courant inverse trop important, température de
fonctionnement limitée) – l’arsénique de gallium (AsGa) : il est très utilisé dans la production
de composants optoélectroniques, et permet aussi de fabriquer des composants plus rapides que
ceux que ceux en silicium; ces applications sont cependant relativement rares. Le silicium est
le plus abondant sur la terre après l’oxygène.

1.3. Cristal de silicium


Quand les atomes de silicium s’assemblent pour faire un solide, il s’ordonnent selon un motif
régulier appelé cristal. Chaque atome partage ses électrons périphériques avec quatre voisins
pour obtenir 08 électrons chacun sur l’orbite de valence. Puisque l’électron est attiré dans deux
sens opposés, il exerce une liaison entre deux atomes voisin : appelée liaison de covalence.
Quand la température du cristal dépasse 0 Kelvin (-273°C), les atomes commencent à vibrer et
plus cette température augmente plus cette vibration est importante. Ces vibrations peuvent
libérer un électron de son orbite de valence : c’est un électron libre. Le départ de l’électron crée
un vide appelé trou (qui se comporte comme une charge positive). Le trou attire et capte tout
électron dans son voisinage immédiat.
L’existence de ces trous est une différence fondamentale entre les conducteurs et les semi-
conducteurs. Ils permettent aux semi-conducteurs de faire toute sortes de choses impossibles
avec les conducteurs. A la température ambiante (298 Kelvin), l’énergie thermique produit peu
de trous et d’électrons libres. Pour augmenter leur nombre, il est nécessaire de doper le cristal.

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2.a) Atome de silicium 2.b) atome dans cristal 2.c) création du paire 2.d) recombinaison d’un
en équilibre et ses 04 voisins électron/trou électron libre et d’un trou

Fig. 2. Cristal de silicium

1.4. Semi-conducteurs intrinsèques


Un semi-conducteur est intrinsèque (autrement dit pur) si ses atomes sont identiques (de même
nature). A la température ambiante un cristal de pur silicium se comporte comme un isolant.
Lorsqu’on applique une tension (en utilisant une pile par exemple) à un cristal de silicium les
électrons libres et les trous sont créés par paires, et se déplacent dans des sens opposés. Il y a
environ 02 paires électron–trou pour 10 milliards d’atome à température ambiante. Il y a
environ 1022 atomes dans 01 gramme de silicium, donc 2×1012 d’électrons libres par gramme de
silicium. Considérons dans la figure suivante le cas d’une seule paire de porteurs de charge
(électron, trou). L’électron libre est au bord droit du cristal. Les charges négatives de l’électrode
bleue le repoussent vers l’électrode positive (rouge). Le trou en jaune (position 0), attire
l’électron de valence (dans la position 1). Quand l’électron de valence (position 1) se déplace
pour occuper la position 0, il crée un trou dans la position 1. Le nouveau trou va lui aussi attirer
et capturer un autre électron (supposé dans la figure celui occupant la position 2).
De cette manière les électrons de valence se déplacent le long du chemin marqué par les flèches
en couleur orange. Cela signifie que le trou évolue dans le sens opposé de celui des flèches.

Électron libre

Trou 0 1 3 4 6
2 5

I + - U

Fig. 3. Déplacement d’un trou dans semi-conducteur

Considérons maintenant le cas où le nombre de paires (électron libre, trou) est significatif (Fig.
a). La tension appliquée (Fig. 4.b) déplacent les électrons vers l’électrode positive rouge et les
trous à droite. Quand les électrons libres atteignent l’électrode rouge, ils pénètrent dans le
conducteur extérieur et s’écoulent vers le pôle positif de la pile. D’autre part, les électrons du
l’électrode négative de la pile s’écoulent vers le bord droit du cristal. Ils entrent et se
recombinent avec les trous qui arrivent à l’extrémité droite du cristal. Ainsi, un flux constant
d’électrons et de trous existe à l’intérieur du cristal alors qu’à l’extérieur il n’existe pas de flux
de trous.

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4.a) cristal à la température ambiante

U
I + -

4.b) application d’une tension au cristal

Fig. 4. Déplacement des porteurs de charge

On conçoit le courant alors comme la somme de deux flux : celui des électrons dans un sens et
celui des trous dans le sens opposé. On appelle souvent porteurs de charge des électrons libres
et des trous, car il transportent des charges d’un endroit à un autre.

1.5. Dopage
Le dopage est une méthode permettant d’augmenter la conductivité d’un semi-conducteur. Cela
consiste à introduire des impuretés dans un cristal intrinsèque pour modifier ses propriétés
électriques (semi-conducteur extrinsèque). Environ 1 atome ajouté pour 10 millions d’atome
de silicium. Pour augmenter le nombre d’électron libres, on ajoute au silicium fondu des atomes
pentavalents (Arsenic, Antimoine et le Phosphore). Par contre pour augmenter le nombre de
trous, on ajoute des impuretés trivalentes (Aluminium, Bore et Gallium).

5.a) Augmentation d’électrons libres 5.b) Augmentation de trous

Fig. 5. Dopage d’un semi-conducteur

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1.6. Types de semi-conducteurs
Deux types de semi-conducteurs existent :
Semi-conducteur de type n où les électrons libres sont porteurs majoritaires (beaucoup plus
nombreux).
Semi-conducteur de type p : cas inverse. Les électrons libres sont peu nombreux devant les
trous que leur effet est insignifiant.

2. Diode à jonction PN
2.1. Jonction PN
La figure 6.a nous avons un semi-conducteur p où chaque atome trivalent génère un trou de
valence. Par symétrie, la figure 6.b représente un semi-conducteur n où chaque atome
pentavalent génère un électron libre. Chaque semi-conducteur des figures 6.a et 6.b est
électriquement neutre car le nombre des porteurs de charges est égal au nombre des ions.
En juxtaposant une zone dopée p et une zone dopée n à l'intérieur d'un cristal, comme sur la
figure 6.c, on obtient une jonction PN [c’est la frontière où le type p voisine le type n]. Dans
la pratique on peut par exemple partir d'une monocristal de silicium dopé p à la surface duquel
est déposé une fine couche d'un corps pentavalent (phosphore ou arsenic). En chauffant le cristal
à une température suffisante, comprise entre la température de fusion du corps déposé et celle
du monocristal, des atomes du corps déposé pénètrent dans le cristal par diffusion et créent une
zone n. La diode à jonction est un autre nom donné au cristal PN.

6.a) Semi-conducteur type P 6.b) Semi-conducteur type N 6.c) Jonction PN

Fig. 6. Diode à jonction

2.2. Zone de déplétion – barrière de potentiel


A cause de leur répulsion les électrons se dispersent dans tous les sens, en particulier vers la
région p où ils sont minoritaires (Fig. 7.a). L’électron qui a réussi à passer la jonction PN se
trouvent avec des trous qui sont eux majoritaires. Très rapidement il se recombine avec un trou.
Il devient un électron de valence. Chaque fois que cela arrive, il y a création d’une paire d’ions
(Fig. 7.b). Lorsqu’un électron quitte la région n, il laisse derrière lui un atome pentavalent qui
en perdant son cinquième élection il devient un cation (ion positif), et il produit un anion (ion
négatif) avec l’atome trivalent qui le capture. Chaque paire d’ions (cation – anion) est un dipôle.
Au fur et à mesure que le nombre de dipôles augmente, la région près de la jonction se vide de
porteurs de charge ; on l’appelle la zone de déplétion (Fig. 7.c).

7.a) Diffusion des électrons vers la zone p 7.b) Création de dipôles 7.c) Zone de déplétion

Fig. 7. Jonction PN à l’équilibre

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Chaque dipôle crée un champ électrique. Si un électron supplémentaire entre dans la zone de
déplétion, ce champ le repousse vers la région n. La force du champ électrique s’accroît à
chaque électron traversant la zone jusqu’à atteindre l’équilibre : c-à-d, en première
approximation, que ce champ électrique arrête la diffusion des électrons à travers la jonction.
Le champ électrique est équivalent à une différence de potentiel appelée barrière de potentiel.
La barrière de potentielle varie en fonction de la température. Elle est comprise entre 0,6V et
0,7V pour le silicium et entre 0,2V et 0,4V pour le germanium.

2.3. Polarisation de la diode à jonction


2.3.1. Polarisation directe
La source de tension continue de la figure 8 pousse les électrons vers la zone de déplétion. Si
U est inférieure à la barrière de potentiel, les électrons n’ont pas assez d’énergie pour traverser
la zone de déplétion. Les dipôles de la zone de déplétion les repoussent dans la zone n, et de ce
fait il n’ y a pas de courant électrique. Si la tension U est supérieure à la barrière de potentiel :
les électrons libres ont assez d’énergie pour vaincre la barrière de potentiel et aller se
recombiner avec les trous dans la zone p. Les trous se déplacent vers la droite et les électrons
vers la gauche. Quelque part près de la jonction PN s’effectue la recombinaison des charges
opposées. Le courant continue à travers la diode provient de l’entrée continuelle d’électrons
libres à la droite de la diode et de la création incessante de trous à l’extrémité gauche.
– Parcours d’un électron : Après avoir quitté l’électrode négative de la pile, il entre dans la
diode par le contact de droite. Il traverse toute la région n pour atteindre la jonction. Si la tension
U > 0,6V l’élection traverse la zone p, il se combine avec un trou : il devient un électron de
valence et il continue son voyage en passant de trou en trou pour atteindre le contact gauche de
la diode. Les milliards d’électrons libres faisant le même parcours engendrant un courant
continue à travers la diode. Une résistance RS en série limite ce courant direct.

U U
RS
I
+
I
+ - -

8.a) Polarisation directe 8.b) Polarisation inverse

Fig. 8. Polarisation d’une jonction


PN

2.3.2. Polarisation inverse


Les électrons libres et les trous s’éloignent de la jonction. Les électrons attirés par l’électrode
positive de la pile et les trous par l’électrode négative. Le départ des électrons et trous crée des
ions supplémentaires. Cela engendre une augmentation de la différence de potentiel dans la
zone de déplétion qui s’élargit. Cette augmentation se termine lorsque cette différence de
potentiel est égale à la tension appliquée U, à ce moment le départ des porteurs s’arrête. Pendant
tout ce temps l’agitation thermique produisant continuellement des paires d’ions dans la zone
de déplétion, un faible courant inverse circule dans le circuit extérieur appelé : courant de
saturation IS.
IS est de l’ordre de nano-ampère ou de micro-ampère. Le terme saturation vient du fait qu’on
ne peut avoir plus de porteurs minoritaires que ceux venant de l’agitation thermique. Accroître
la tension inverse n’augmente pas le nombre de porteurs créés thermiquement. Un faible
courant passe par la surface de cristal appelé courant de fuite superficiel IF, il est dû aux
impuretés et défauts de structure de la surface du cristal.

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La tension inverse U ne peut dépasser une certaine limite avant d’être détruite. C’est pour cette
raison que les diodes sont classées par tension maximale. C’est la tension de claquage de la
diode. Cette valeur est indiquée dans le datasheet de la diode, généralement elle est supérieure
à 50V et elle dépend de la valeur du dopage.
Une fois la tension maximale dépassée, les porteurs de charge minoritaires dans la zone de
déplétion sont contraints à se déplacer plus rapidement. Lors de chocs avec les atomes du cristal,
ils peuvent arracher un électron de valence quand ils ont l’énergie suffisante. C’est le
phénomène d’avalanche. Les nouveaux électrons libres créés vont eux aussi entrer en collision
avec d’autres atomes, et ainsi de suite jusqu’à ce que le courant inverse devient énorme.

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